以下、図面を用いて、本願発明の実施の� ��態について説明する。

 図1は、本願発明の一実施形態に係る製造 方法の対象となるマイクロホン10を示す斜視� ��であって、同図(a)は上向きに配置した状態� ��示す図、同図(b)は下向きに配置した状態で� ��す図である。また、図2は、図1(a)に示す状� �のマイクロホン10を、その構成要素に分解し て示す斜視図である。さらに、図3は、図1(a)� ��III-III線断面図である。

 これらの図に示すように、本実施形態に� ��る製造方法の対象となるマイクロホン10は� �平面視において3×4mm程度の長方形の外形形� �を有する小型のエレクトレットコンデンサ� �イクロホンであって、積層型の筐体構造を� �している。 すなわち、このマイクロホン10� ��、略直方体の外形形状を有する筐体20の内� �に、マイクロホンエレメント30が収容された 構成となっている。

 筐体20は、略矩形環状に形成されたボデ� �基板22の上下両面に、矩形のトップ基板24お� ��び矩形のボトム基板26がそれぞれ接着固定� �れた構成となっている。そして、マイクロ� �ン10は、この筐体20のボトム基板26の下面に� �いて、図示しない外部基板に表面実装され� �ようになっている。

 マイクロホンエレメント30は、コンデン� �構造部32と、電子部品としてのICチップ34と� �コンタクトスプリング36とからなり、そのIC� ��ップ34はボトム基板26に実装されている。

 コンデンサ構造部32は、振動膜サブアッ� �ンブリ42と背面電極板44とからなっている。

 振動膜サブアッセンブリ42は、略矩形環� �に形成された金属製の支持リング42Bの上面� �振動膜42Aが張設固定されてなり、その振動� �42Aは、上面に金属蒸着膜が形成された高分� �フィルムで構成されている。この振動膜サ� �アッセンブリ42の外周面における各辺の中央 位置には、突起片42aがそれぞれ形成されてい る。

 背面電極板44は、金属製の電極板本体44A� �、この電極板本体44Aの上面に熱融着された� �レクトレット層44Bとからなり、そのエレク� �レット層44Bには分極処理により所定の表面� �位が付与されている。この背面電極板44の外 径は、支持リング42Bの内径よりもやや大きい 値に設定されている。この背面電極板44の中� ��部には、該背面電極板44を上下方向に貫通� �る貫通孔44aが形成されている。

 そして、このコンデンサ構造部32におい� �は、振動膜サブアッセンブリ42の振動膜42Aと 背面電極板44のエレクトレット層44Bとが、振� ��膜サブアッセンブリ42の支持リング42Bを介� �て所定の微小間隔をおいて対向しており、� �れにより振動膜42Aとエレクトレット層44Bと� �間に所定の電位差を生じさせるようになっ� �いる。

 ボトム基板26は、絶縁基板26Aと、この絶� �基板26Aの下面の形成された導電層26B1、26B2、 26B3と、これら導電層26B1、26B2、26B3の下面側� �これらを田の字状に覆うように形成された� �縁層26Cと、絶縁基板26Aの上面に形成された� �電層26D1、26D2、26D3、26D4とからなっている。� ��して、このボトム基板26に対して、その上� �の中央部に上記ICチップ34が実装されている� ��

 その際、導電層26B1は電源端子を構成して おり、導電層26B2は出力端子を構成しており� �導電層26B3はアース端子を構成している。そ� ��て、導電層26B1は、図示しないスルーホール を介して絶縁基板26Aの上面に形成された導電 層26D1と導通しており、この導電層26D1におい� ��ICチップ34の電源端子(図示せず)と導通して� ��る。また、導電層26B2は、図示しないスルー ホールを介して絶縁基板26Aの上面に形成され た導電層26D2と導通しており、この導電層26D2� ��おいてICチップ34の出力端子(図示せず)と導� ��している。さらに、導電層26B3は、図示しな いスルーホールを介して絶縁基板26Aの上面に 形成された導電層26D3と導通しており、この� �電層26D3においてICチップ34のアース端子(図� �せず)と導通している。

 ボディ基板22は、平面視においてボトム� �板26と同一の外形形状を有しており、ICチッ� ��34を囲むようにしてボトム基板26に載置固定 されている。この載置固定は、接着剤として の接着シート56を介して行われている。この� ��着シート56については後述する。

 このボディ基板22は、背面電極板44よりも やや大きい内径で形成された開口部22aを有す る絶縁基板22Aと、この絶縁基板22Aの上面およ び下面にそれぞれ形成された導電層22B、22Cと からなっている。その際、これら導電層22B、 22Cは、スルーホール22Dを介して互いに導通し ている。

 スルーホール22Dは、ボディ基板22の四隅� �除く略全周領域にわたって形成されている� �その際、これら各辺の側壁部分に形成され� �スルーホール22Dは、略半長円筒状に形成さ� �ている。

 絶縁基板22Aは、その一般部分がガラス布� ��材エポキシ樹脂で構成されているが、スル� ��ホール22Dよりも外周側に位置する部分22A1は 、エポキシ樹脂で構成されている。そして、 これら4箇所のスルーホール22Dおよびその外� �側に位置する部分22A1は、その上面が、絶縁� ��板22Aの一般部分の上面よりも導電層22Bの厚� ��と同じ分だけ一段高くなっており、また、� ��の下面が、絶縁基板22Aの一般部分の下面よ� ��も導電層22Cの厚みと同じ分だけ一段低くな� ��ている。

 トップ基板24は、振動膜サブアッセンブ� �42を介してボディ基板22に載置固定されてい� ��。この載置固定は、接着剤としての接着シ� ��ト54を介して行われている。この接着シー� �54についても後述する。

 このトップ基板24は、平面視においてボ� �ム基板26と同一の外形形状を有する絶縁基板 24Aと、この絶縁基板24Aの下面に矩形環状に形 成された導電層24Bと、絶縁基板24Aの上面に略 全面にわたって形成された導電層24Cとからな っている。その際、これら導電層24B、24Cは、 いずれも絶縁基板24Aの外周形状よりもひと回 り小さい外形形状を有している。ただし、導 電層24Bについては、その外周縁における各辺 の中央位置に、絶縁基板24Aの外周面まで延び る突起部24Baがそれぞれ形成されている。

 これら導電層24B、24Cは、トップ基板24の� �隅に形成されたスルーホール24Dを介して互� �に導通している。そして、これにより、振� �膜42Aの金属蒸着膜をトップ基板24の上面に位 置する導電層24Cと導通させ、この導電層24Cに おいても外部基板のアース端子と導通させ得 るようになっている。

 このトップ基板24におけるその中心から� �や外れた位置には、該トップ基板24を上下方 向に貫通する音孔24aが形成されている。

 コンタクトスプリング36は、平面視にお� �て口字形に形成されたフレーム部の各コー� �部に、1対ずつ互いに平行に突出する突起片� ��形成されるとともに、そのフレーム部を2箇 所において各対の突起片と共に下方へ折り曲 げるように形成してなる金属製の板バネで構 成されている。

 このコンタクトスプリング36は、そのフ� �ーム部においてICチップ34を囲むようにして� ��ある程度撓んだ状態で配置されている。そ� ��際、このコンタクトスプリング36は、その� �レーム部において背面電極板44の電極板本体 44Aの下面に当接するとともに、その4箇所の� �起片において絶縁基板26Aの4箇所の導電層26D4 に当接している。そして、このコンタクトス プリング36と導電層26D4とを介して、背面電極 板44の電極板本体44AとICチップ34の入力端子(� �示せず)とを導通させるようになっている。

 なお、本実施形態に係るエレクトレット� ��ンデンサマイクロホン10においては、コン� �ンサ構造部32の静電容量の変化を電気インピ ーダンス変換するためのインピーダンス変換 素子が、ICチップ34にインピーダンス変換回� �として組み込まれている。

 接着シート54は、平面視において略一定� �で略矩形環状に形成されており、その外周� �形状は、筐体20の外周形状と一致しており、 その内周縁形状は、トップ基板24における絶� ��基板24Aの下面に形成された導電層24Bの外周� ��形状と略一致している。すなわち、この接� ��シート54は、トップ基板24の絶縁基板24Aの下 面側における導電層24Bおよびこれに積層され る振動膜サブアッセンブリ42の外周側に形成� ��れる矩形環状の空間部に配置されるように� ��っている。

 ただし、この接着シート54の上面には、� �の各辺の中央部に2段凹部54aが形成されてい� ��。また、この接着シート54の下面には、そ� �各隅角部に溢れ出し部54bが形成されている� �

 その際、各2段凹部54aは、上記接着固定の 際に、上記空間部に配置された接着シート54� ��、振動膜サブアッセンブリ42の各突起片42a� �よびトップ基板24の導電層24Bの各突起部24Ba� �押圧されて形成されるものである。また、� �溢れ出し部54bは、上記接着固定の際に、上� �空間部に配置された接着シート54が、ボディ 基板22の絶縁基板22Aの上面において、導電層2 2Bの厚みの分だけ一段低くなった各隅角部に� ��れ出すことにより形成されるものである。

 一方、接着シート56は、平面視において� �一定幅で略矩形環状に形成されており、そ� �外周縁形状は、筐体20の外周形状と一致して おり、その内周縁形状は、ボトム基板26にお� ��る絶縁基板26Aの上面に形成された導電層26D3 の外周縁形状と略一致している。すなわち、 この接着シート56は、ボトム基板26における� �縁基板26Aの上面側における導電層26D3の外周� ��に形成される矩形環状の空間部に配置され� ��ようになっている。

 ただし、この接着シート56の上面には、� �の各隅角部に溢れ出し部56aが形成されてい� �。これら各溢れ出し部56aは、上記接着固定� �際に、上記空間部に配置された接着シート56 が、ボディ基板22の絶縁基板22Aの下面におい� ��、導電層22Cの厚みの分だけ一段高くなった� ��隅角部に溢れ出すことにより形成されるも� ��である。

 次に、本実施形態に係るマイクロホン10� �製造方法について説明する。

 図4は、マイクロホン10の製造工程を示す� ��視図である。

 同図(f)に示すように、このマイクロホン1 0は、マイクロホン集合体110を形成した後、� �のマイクロホン集合体110を破線に沿って複� �個(具体的には12個)に分割することにより、� ��下逆さにした状態で製造されるようになっ� ��いる。

 このマイクロホン集合体110は、以下の工� ��により製造されるようになっている。

 まず、同図(a)に示すように、12枚の振動� �42Aが連結状態で配置されてなる矩形状の振� �膜集合体142Aの下面(図中では「上面」、以下 同様)を、12枚の支持リング42Bが連結状態で配 置されてなる支持リング集合体142Bに対して� �設固定することにより、12枚の振動膜サブア ッセンブリ42が連結状態で配置されてなる振� ��膜サブアッセンブリ集合体142(同図(b)参照)� �製造する。

 次に、同図(b)に示すように、この振動膜� ��ブアッセンブリ集合体142を、12枚のトップ� �板24が連結状態で配置されてなるトップ基板 集合体124の下面に積層する。

 次に、同図(c)に示すように、これら積層� ��態にあるトップ基板集合体124および振動膜� ��ブアッセンブリ集合体142に対して、12枚の� �ディ基板22が連結状態で配置されてなるボデ ィ基板集合体122を、その振動膜サブアッセン ブリ集合体142の下面に、接着シート集合体154 を介して積層する。

 次に、同図(d)に示すように、これら積層� ��態にあるトップ基板集合体124、振動膜サブ� ��ッセンブリ集合体142、接着シート集合体154� ��よびボディ基板集合体122に対して、そのボ� ��ィ基板集合体122における各ボディ基板22の� �口部22a内に、背面電極板44およびコンタクト スプリング36をそれぞれ上下逆さにした状態� ��、セットする。

 次に、同図(e)に示すように、これら12枚� �背面電極板44およびコンタクトスプリング36� ��セットされた、トップ基板集合体124、振動� ��サブアッセンブリ集合体142、接着シート集� ��体154およびボディ基板集合体122に対して、1 2枚のボトム基板26が連結状態で配置されてな るボトム基板集合体126を、そのボディ基板集 合体122の下面に、接着シート集合体156を介し て積層する。

 最後に、同図(f)に示すように、マイクロ� ��ン集合体110を構成するすべての部材を積層� ��た状態で、これらを上下両側から押圧する� ��この押圧は、図示しない1対の押圧板(これ� �ついて後述する)を用いて行う。その際、こ� ��ら各押圧板は予め加熱しておき、その熱を� ��記押圧の際にトップ基板集合体124およびボ� ��ム基板集合体126を介して接着シート集合体1 54、156にそれぞれ伝達させるようにする。こ� ��により、ボディ基板集合体122の上下両面に� ��ップ基板集合体124およびボトム基板集合体1 26を接着固定して、マイクロホン集合体110を� ��成させる。そして、このマイクロホン集合� ��110を破線に沿って分割することにより、12� �のマイクロホン10を取り出す。

 図4(c)に示すように、ボディ基板集合体122 は、12枚の絶縁基板22Aが連結状態で配置され� ��なる絶縁基板集合体122Aにおける各ボディ基 板22の開口部22aの周囲4箇所に、平面視におい て略長円形のスルーホール122Dが形成された� �成となっており、これら各スルーホール122D� ��内部は、エポキシ樹脂が充填された樹脂充� ��部122A1として構成されている。

 また、この絶縁基板集合体122Aの下面にお ける各ボディ基板22の位置には、導電層22Cが� ��開口部22aを囲むようにして、かつ、その周� ��4箇所のスルーホール122Dに内接するように� �て形成されている。

 図5(a)は、図4(f)に示すマイクロホン集合� �110の一部を、上下逆さにして(すなわち上向� ��に配置した状態で)示す平面図である。なお 、同図(b)は、これと対比して従来例を示す図 である。

 同図(a)に示すように、マイクロホン集合� ��110は、同図において破線で示す位置を境界� ��として分割されて、複数のマイクロホン10� �なるが、最終的には、これよりもひと回り� �さいサイズ(同図において2点鎖線で示すサイ ズ)に形成される。

 トップ基板集合体124の上面における各ト� ��プ基板24相互間の連結位置には、被覆層124E� ��、各トップ基板24を略全周にわたって囲む� �うにして形成されている。その際、この被� �層124Eは、各トップ基板24における絶縁基板24 Aの上面に導電層24Cを形成する際に、この導� �層24Cと同時に、これと同じ厚さで、銅箔等� �金属箔により形成されるようになっている� �

 この被覆層124Eは、各トップ基板24の周囲� ��隅角部が、平面視において円形状に形成さ� ��ており、各トップ基板24の周囲4辺に隣接す� ��部分が、各隅角部から僅かに離れるように� ��て平面視において長円形の細帯状に形成さ� ��ている。なお、この被覆層124Eは、最終的に はマイクロホン10の一部として残らない。

 図6(a)は、図4(f)に示す接着固定の工程を� �側断面図として示す図である。なお、同図(b )は、これと対比して従来例を示す図である� �また、図7は、図6(a)のVII 部詳細図である。

 これらの図に示すように、トップ基板集� ��体124の下面における各トップ基板24相互間� �連結位置には、トップ基板集合体124とボデ� �基板集合体122とを接着固定するための第1の� ��着領域124aが形成されている。その際、この 第1の接着領域124aとして、各トップ基板24に� �応する位置に形成された導電層24B相互間に� �じる凹部が用いられている。

 トップ基板集合体124とボディ基板集合体1 22との間には、振動膜サブアッセンブリ集合� ��142が介装されているので、第1の接着領域124 aは、振動膜サブアッセンブリ集合体142の支� �リング集合体142Bにおける各支持リング42B相� ��間の連結位置に形成された打抜き孔により� ��支持リング集合体142Bの板厚分だけ導電層24B の厚さよりも深いものとなっている。

 一方、ボトム基板集合体126の上面におけ� ��各ボトム基板26相互間の連結位置には、ボ� �ム基板集合体126とボディ基板集合体122とを� �着固定するための第2の接着領域126aが形成さ れている。その際、この第2の接着領域126aと� ��て、各ボトム基板26に対応する位置に形成� �れた導電層26D3相互間に生じる凹部が用いら� ��ている。

 また、これらの図に示すように、上記接� ��固定の際に行われる、マイクロホン集合体1 10に対する上下両側からの押圧は、トップ基� ��集合体124および上記ボトム基板集合体126に� ��して、その上下両側から第1および第2の押� �板164、166をそれぞれ押し当てることにより� �われるようになっている。その際、これら� �1および第2の押圧板164、166を予め加熱してお くことにより、接着シート集合体254、156を加 熱しながら押圧するようになっている。

 第1の押圧板164には、その下面における第 1の接着領域124aと対向する位置に、上記押圧� ��際にトップ基板集合体124の上面における各� ��ップ基板24相互間の連結位置に当接する突� �部164aが形成されている。

 この突起部164aは、各トップ基板24の導電� ��24Cを囲むようにして格子状に形成されてい� ��。その際、この突起部164aにおける格子状部 分の幅は、導電層24C相互間の間隔よりも多少 狭い値に設定されており、その高さは、導電 層24Cの厚さよりもやや大きい値に設定されて いる。

 一方、第2の押圧板166には、その上面にお ける第2の接着領域126aと対向する位置に、上� ��押圧の際にボトム基板集合体126の下面にお� ��る各ボトム基板26相互間の連結位置に当接� �る突起部166aが形成されている。

 この突起部166aは、各ボトム基板26の導電� ��26Cを囲むようにして格子状に形成されてい� ��。その際、この突起部166aにおける格子状部 分の幅は、導電層26B3相互間の間隔よりも多� �狭い値に設定されており、その高さは、導� �層26B1、26B2、26B3の厚さ(いずれも同じ厚さ)と 絶縁層26Cの厚さとを合計した厚さ(すなわち� �ボトム基板集合体126の下面における各ボト� �基板26に対応する位置に形成された被覆層の 合計厚さ)よりもやや高い程度の値に設定さ� �ている。

 以上詳述したように、本実施形態に係る� ��イクロホン10の製造方法は、マイクロホン� �合体110を形成した後、これを12個に分割する ことにより、積層型の筐体構造を有するマイ クロホン10を製造するようになっており、そ� ��て、その第1および第2の接着領域124a、126aの 各々に接着シート集合体154、156を配置した状 態で、ボディ基板集合体122の上下両面にトッ プ基板集合体124およびボトム基板集合体126を それぞれ当接させて、その上下両側から第1� �よび第2の押圧板164、166で押圧することによ� ��、その接着固定を行うようになっているが� ��その際、第1の押圧板164の下面における第1� �接着領域124aと対向する位置に、上記押圧の� ��にトップ基板集合体124の上面における各ト� ��プ基板24相互間の連結位置に当接する突起� �164aを形成しておくようになっているので、� ��のような作用効果を得ることができる。

 すなわち、図6(b)に示すように、このよう な突起部164aが形成されていない、従来の第1� ��押圧板164´を用いて上記押圧を行うように� �た場合には、この第1の押圧板164´がトップ� �板集合体124´の上面に形成された導電層24Cに 当接してしまうので、各マイクロホン10にお� ��るトップ基板24の中央に位置する部分が下� �へ向けて撓むようにして変形してしまうこ� �となる。このため、第1の接着領域124aに対す る押圧が不十分なものとなり、トップ基板集 合体124´とボディ基板集合体122との接着強度� ��十分に確保することができなくなってしま� ��。

 これに対し、本実施形態においては、ト� ��プ基板集合体124に第1の押圧板164を押し当て たとき、その突起部164aがトップ基板集合体12 4の上面における各トップ基板24相互間の連結 位置に当接するので、第1の接着領域124aに対� ��る押圧を適切に行うことができる。そして� ��れにより、トップ基板集合体124とボディ基� ��集合体122との接着強度を十分に確保するこ� ��ができる。

 また、このように第1の押圧板164の突起部 164aを各トップ基板24相互間の連結位置に当接 させることにより、各トップ基板24の中央に� ��置する部分が下方へ向けて撓むようにして� ��形してしまうような事態が発生するのを未� ��に防止することができるので、トップ基板2 4が振動膜42Aに接触したり、振動膜42Aに無用� �負荷がかかってしまい、これによりマイク� �ホン機能に悪影響が及んでしまうのを未然� �防止することができる。

 さらに、このような変形発生の未然防止� ��図ることにより、マイクロホン10の筐体20内 の空間の容積を設計値に近い値に維持するこ とができるので、所期の周波数特性を確保す ることが可能となる。

 このように本実施形態によれば、積層型� ��筐体構造を有するマイクロホン10の製造方� �において、基板間の接着強度を十分に確保� �た上で、接着固定時の押圧によるマイクロ� �ン機能への悪影響を効果的に抑制すること� �できる。

 しかも本実施形態においては、トップ基� ��集合体124の上面における各トップ基板24相� �間の連結位置に、上記押圧の際に第1の押圧� ��164の突起部164aに当接する被覆層124Eを、各� �ップ基板24を略全周にわたって囲むようにし て形成しておくようになっているので、次の ような作用効果を得ることができる。

 すなわち、上記接着固定の際に、マイク� ��ホン集合体110に対して第1の押圧板164が正確 に位置決めされた状態で押圧されなかったと しても、その突起部164aを各トップ基板22相互 間の連結位置に形成された被覆層124Eに当接� �せることができるので、第1の接着領域124aに 配置された接着シート集合体154に対する押圧 を確実に行うことができる。

 また本実施形態においては、第2の押圧板 166の上面における第2の接着領域126aと対向す� ��位置に、ボトム基板集合体126の下面におけ� ��各ボトム基板26相互間の連結位置に当接す� �突起部166aを形成しておくようになっている� ��で、次のような作用効果を得ることができ� ��。

 すなわち、図6(b)に示すように、このよう な突起部166aが形成されていない、従来の第2� ��押圧板166´を用いて上記押圧を行うように� �た場合には、この第2の押圧板166´がボトム� �板集合体126´の下面に形成された絶縁層26Cや 導電層26B1、26B2、26B3に当接してしまうので、 各マイクロホン10におけるボトム基板26の中� �に位置する部分が上方へ向けて撓むように� �て変形してしまうこととなる。このため、� �2の接着領域126aに対する押圧が不十分なもの となり、ボトム基板集合体126´とボディ基板� ��合体122との接着強度を十分に確保すること� ��できなくなってしまう。

 これに対し、本実施形態においては、ボ� ��ム基板集合体126に第2の押圧板166を押し当て たとき、その突起部166aがボトム基板集合体12 6の下面における各ボトム基板26相互間の連結 位置に当接するので、第2の接着領域126aに対� ��る押圧を適切に行うことができる。そして� ��れにより、ボトム基板集合体126とボディ基� ��集合体122との接着強度を十分に確保するこ� ��ができる。

 また、このように第2の押圧板166の突起部 166aを各ボトム基板26相互間の連結位置に当接 させることにより、各ボトム基板26の中央に� ��置する部分が上方へ向けて撓むようにして� ��形してしまうような事態が発生するのを未� ��に防止することができるので、ボトム基板2 6に実装されたICチップ34に負荷がかかって、� ��のハンダ付け固定部がボトム基板26から離� �してしまうといった不具合が発生するを未� �に防止することができる。そしてこれによ� �、ICチップ34の実装信頼度を格段に向上させ� ��ことができる。さらに、このような変形発� ��の未然防止を図ることにより、マイクロホ� ��10の筐体20内の空間の容積をさらに設計値に 近い値に維持することができるので、所期の 周波数特性を確保することがより確実に可能 となる。

 しかも本実施形態においては、ボトム基� ��集合体126の下面における各ボトム基板26相� �間の連結位置に、上記押圧の際に第2の押圧� ��166の突起部166aに当接する被覆層166Eを、各� �トム基板26を略全周にわたって囲むようにし て形成しておくようになっているので、次の ような作用効果を得ることができる。

 すなわち、上記接着固定の際に、マイク� ��ホン集合体110に対して第2の押圧板166が正確 に位置決めされた状態で押圧されなかったと しても、その突起部166aが各ボトム基板26相互 間の連結位置に形成された被覆層166Eに当接� �せることができるので、第2の接着領域126aに 配置された接着シート集合体156に対する押圧 を確実に行うことができる。

 また本実施形態においては、上記接着固� ��の際、接着シート集合体154、156を加熱しな� ��ら押圧するようになっており、そのために� ��1および第2の押圧板164、166を加熱した状態� �上記押圧を行うようになっているが、その� �、これら第1および第2の押圧板164、166の熱を 、その突起部164a、166aからトップ基板集合体1 24およびボトム基板集合体126を介して、第1お よび第2の接着領域124a、126aに配置された接着 シート集合体154、156に効率良く伝達させるこ とができる。

 上記実施形態においては、トップ基板24� �音孔24aが形成されているものとして説明し� �が、このようにする代わりに、ボトム基板26 に同様の音孔が形成された構成とすることも 可能である。また、トップ基板24およびボト� ��基板26の双方に音孔が形成された構成とし� �、指向性マイクロホンを構成するようにす� �ことも可能である。

 上記実施形態においては、マイクロホン� ��合体110に対して、第1および第2の押圧板164� �166を直接押し当てるものとして説明したが� �マイクロホン集合体110の上下両面に剥離シ� �トを介在させた状態で、第1および第2の押圧 板164、166を押し当てるようにすることも可能 である。このようにすることにより、上記押 圧後に、マイクロホン集合体110から第1およ� �第2の押圧板164、166を引き離すことが容易に� ��能となる。

 上記実施形態においては、マイクロホン� ��合体110を12個に分割することによりマイク� �ホン10を取り出す場合について説明したが、 これ以外の個数である場合においても、上記 実施形態の場合と同様の作用効果を得ること ができる。

 上記実施形態においては、その製造方法� ��対象となるマイクロホン10が、エレクトレ� �トコンデンサマイクロホンである場合につ� �て説明したが、チャージ電圧が印加される� �うに構成されたコンデンサマイクロホンあ� �いはそれ以外の構成のマイクロホンを製造� �象とした場合においても、上記実施形態の� �合と同様の作用効果を得ることができる。� �の際、上記実施形態のマイクロホンエレメ� �ト30を構成している、振動膜サブアッセンブ リ42、背面電極板44、コンタクトスプリング36 等の代わりに、ボトム基板26にMEMS技術等によ り構成されたシリコンマイクロホンを搭載し たものを採用することも可能である。

 なお、上記実施形態において諸元として� ��した数値は一例にすぎず、これらを適宜異� ��る値に設定してもよいことはもちろんであ� ��。