以下、本発明の実施形態について図面を� ��いて説明する。

 図1~図3は、本発明の一の実施形態に係るP DP10を示す。図4は、本実施形態に係るプラズ� ��ディスプレイパネル製造の工程の手順を示� ��。

 図1は、本発明の一の実施形態におけるプ ラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称す� �)10の要部を示している。図中の矢印D1は、第 1方向D1を示し、矢印D2は、第1方向D1に画像表� ��面に平行な面内で直交する第2方向D2を示し� ��いる。PDP10は、画像表示面を構成する前面� �板部12と、前面基板部12に対向する背面基板� ��14とにより構成されている。前面基板部12と 背面基板部14の間(より詳細には、背面基板部 14の凹部)に放電空間DSが形成される。

 前面基板部12は、ガラス基材FS(第1基板)上 (図では下側)に第1方向D1に沿って平行に形成� ��れ、第2方向D2に沿って交互に形成されたXバ ス電極Xb(第1バス電極)およびYバス電極Yb(第2� �ス電極)を有している。Xバス電極Xbには、Xバ ス電極XbからYバス電極Ybに向けて第2方向D2に� ��在するX透明電極Xt(第1表示電極)が接続され� ��いる。また、Yバス電極Ybには、Yバス電極Yb� ��らXバス電極Xbに向けて第2方向D2に延在するY 透明電極Yt(第2表示電極)が接続されている。

 ここで、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X透明電極XtおよびY透明電極Ytは、ITO膜等� ��形成された光を透過する透明電極である。� ��して、X電極XE(第1電極、維持電極)は、Xバス 電極XbおよびX透明電極Xtにより構成され、Y電 極YE(第2電極、走査電極)は、Yバス電極Ybおよ� ��Y透明電極Ytにより構成され、X電極XEと対を� ��している。X電極XEおよびY電極YEで構成され� ��電極対(より具体的には、X透明電極Xtおよび Y透明電極Yt間)で繰り返して放電(サステイン� ��電)を発生させる。

 また、透明電極XtおよびYtは、それぞれが 接続されるバス電極XbおよびYbとガラス基材FS との間に全面に配置されても良い。なお、バ ス電極XbおよびYbと同じ材料(金属材料等)で、 バス電極XbおよびYbと一体の電極が透明電極Xt およびYtの代わりに形成されても良い。

 電極Xb、Xt、Yb、Ytは、誘電体層DL1に覆わ� �ている。例えば、誘電体層DL1は、低融点ガ� �ス等の絶縁膜である。そして、誘電体層DL1(� ��では下側)には、バス電極Xb、Ybに直交する� �向(第2方向D2)に延在する複数の溝DIが設けら� ��、この溝DIの中にアドレス電極AEが設けられ ている。このように、この実施形態のPDP10は� ��前面基板部12に3電極(電極XE、YE、AE)を有し� �いる。

 また、アドレス電極AEおよび誘電体層DL1� �、保護層PLに覆われている。例えば、保護層 PLは、放電を発生しやすくするために、陽イ� ��ンの衝突による2次電子の放出特性の高いMgO 膜で形成される。なお、アドレス電極AEおよ� ��誘電体層DL1と保護層PLとの間に、アドレス� �極AEを覆う誘電体層を誘電体層DL1とは別に形 成しても良い。この場合、アドレス電極AEを� ��う誘電体層の表面が保護層PLに覆われる。

 放電空間DSを介して前面基板部12に対向す る背面基板部14は、ガラス基材RS上に、バス� �極Xb、Ybに直交する方向(第2方向D2)に延在し� �互いに平行に形成された隔壁(バリアリブ)BR� ��有している。隔壁BRの一部は、アドレス電� �AEに対向している。換言すれば、アドレス電 極AEは、隔壁BRに隣接している。隔壁BRにより 、セルの側壁が構成される。さらに、隔壁BR� ��側面と、互いに隣接する隔壁BRの間のガラ� �基材RS上とには、紫外線により励起されて赤 (R)、緑(G)、青(B)の可視光を発生する蛍光体PHr 、PHg、PHbが、それぞれ塗布されている。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、後述する図2� �示すように、バス電極Xb、Ybと隔壁BRとで囲� �れる領域に形成される。このように、PDP10は 、画像を表示するためにセルをマトリックス 状に配置し、かつ互いに異なる色の光を発生 する複数種のセルを交互に配列して構成され ている。特に図示していないが、バス電極Xb� ��Ybに沿って形成されたセルにより、表示ラ� �ンが構成される。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PLと隔壁BRが互いに接するように貼 り合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに 封入することで構成される。

 図2は、図1に示したPDP10の概要を示してい る。なお、図2は、画像表示面側(図1の上側)� �ら見た電極Xb、Xt、Yb、Yt、AE、隔壁BRの状態� �示している。上述したように、セルC1は、バ ス電極Xb、Ybと隔壁BRとで囲われる領域(図の� �線で囲んだ領域)に形成される。すなわち、� ��像表示面側から見た場合、各セルC1の放電� �間DSは、互いに隣接する隔壁BRの間に形成さ� ��る。

 アドレス電極AEは、各セルC1内を通って第 2方向に延在し、セルC1の両側に配置された隔 壁BRの一方(図では、セルC1の左側)の隔壁BRに� ��接して配置されている。この実施形態では� ��アドレス電極AEの一部は、隔壁BR上に位置し ている。

 透明電極Xtは、各セルC1内に配置され、バ ス電極Xbからバス電極Ybに向けて突出し、先� �に向かうにつれて幅が狭くなる形状に形成� �れている。図の例では、透明電極Xtは、辺SD1 0(第1辺)、SD12(第1斜辺)、SD14、SD16からなる台� �形状に形成されている。すなわち、この実� �形態では、透明電極Xtは、アドレス電極AEか� ��離れて位置する隔壁BR(他方の隔壁、図では� ��右側の隔壁BR)に沿う辺SD10(第1辺)と、辺SD10� �対して斜めに対向する辺SD12(第1斜辺)とを有� ��ている。

 透明電極Ytは、各セルC1内に配置され、バ ス電極Ybからバス電極Xbに向けて突出し、先� �に向かうにつれて幅が狭くなる形状に形成� �れている。図の例では、透明電極Ytは、辺SD2 0(第2辺)、SD22(第2斜辺)、SD24、SD26からなる台� �形状に形成されている。すなわち、この実� �形態では、透明電極Ytは、アドレス電極AEに� ��う辺SD20(第2辺)と、透明電極Xtの辺SD12に対向 する辺SD22(第2斜辺)とを有している。換言す� �ば、透明電極Yt(走査電極YE)は、辺SD20がアド� ��ス電極AEに対向し、辺SD22が透明電極Xt(維持� ��極XE)に対向する。尚、本発明において、透� ��電極Xt,Ytの形状は副次的なもので上記形状� �限定されるものではない。

 これにより、アドレス電極AEと透明電極Yt 間に電圧を印加することにより、着目するセ ルC1の放電空間DSでアドレス放電を発生させ� �ことができる。また、透明電極Xtと透明電極 Yt間に電圧を印加することにより、アドレス� ��電により選択されたセルC1の放電空間DSでサ ステイン放電を発生させることができる。な お、透明電極Xt、Ytでは、バス電極Xb、Ybに対� ��て斜めに延在する辺SD12、22が互いに対向す� ��ため、セルC1の第1方向D1の幅が狭い場合で� �、対向部を長くできる。これにより、この� �施形態では、透明電極Xt、Yt間で放電を発生� ��せる最低電圧(放電開始電圧)を低くでき、� �ステイン放電を発生させるために必要な電� �を低くできる。

 ここで、サステイン放電を発生させるた� ��に必要な電圧を高くすることなく、誤放電� ��防止するために、第2方向D2に沿って互いに� ��向する辺を有する透明電極Xt、Ytが、本発明 の過程で考えられた。しかし、この場合、各 透明電極Xt、Ytは、根本から先端まで同じ幅� �細く形成されるため、根本から断線するお� �れがある。例えば、透明電極Xt、Ytの根本か� ��断線した場合、透明電極Xt、Ytとして機能す る部分(バス電極Xb、Ybと接続している部分)が 小さくなり、あるいは、透明電極Xt、Ytとし� �機能する部分がなくなり、PDP10は正常に動作 しない。

 なお、透明電極Xt、Ytの先端付近から断線 した場合、残りの部分(バス電極Xb、Ybと接続� ��ている部分)が大きいため、この残りの部分 が透明電極Xt、Ytとして正常に機能し、PDPが� �常に動作することもある。したがって、根� �から先端まで同じ幅で細く形成された透明� �極Xt、Ytを有するPDPでは、根本から断線する� ��それがあるため、製造歩留まり、あるいは� ��信頼性が低下する。これに対し、この実施� ��態では、透明電極Xt、Ytの根本が広いため、 透明電極Xt、Ytの根本から断線することを防� �できる。これにより、この実施形態では、PD Pの製造歩留まり、あるいは、PDPの信頼性を� �上できる。

 また、各セルC1の透明電極Ytでは、アドレ ス放電を発生させるアドレス電極AEに対向す� ��辺SD20は、アドレス放電を発生させないアド レス電極AE(図では、着目するセルC1の右側の� ��ルC1のアドレス電極AE)に対向する辺SD24より� ��い。これにより、この実施形態では、着目� ��るセルC1において、透明電極YtとセルC1内の� ��ドレス電極AE間の放電開始電圧を、透明電� �Ytと着目するセルC1に隣接するセルC1内のア� �レス電極AE間の放電開始電圧より低くできる 。この結果、この実施形態では、第1方向D1に 互いに隣接する2つのセルC1において、一方の セルC1でアドレス放電を発生させるとき(アド レス期間)に、一方のセルC1の透明電極Ytと他� ��のセルC1のアドレス電極AE間で誤放電が発生 することを防止できる。

 さらに、透明電極Ytは、アドレス電極AE側 に配置されている。したがって、第1方向D1に 互いに隣接する2つのセルC1において、一方の セルC1の透明電極Ytとアドレス電極AE間の距離 W1は、一方のセルC1の透明電極Ytと他方のセル C1のアドレス電極AE間の距離W2より短い。この ため、この実施形態では、一方の透明電極Yt� ��アドレス電極AE間の放電開始電圧を、一方� �透明電極Ytと他方のセルC1のアドレス電極AE� �の放電開始電圧より低くできる。

 この結果、この実施形態では、第1方向D1� ��互いに隣接する2つのセルC1において、一方� ��セルC1でアドレス放電を発生させるときに� �一方のセルC1の透明電極Ytと他方のセルC1の� �ドレス電極AE間で誤放電が発生することを確 実に防止できる。なお、上述したように、辺 SD20を辺SD24より長くすることにより、アドレ� ��放電を発生させない透明電極Ytとアドレス� �極AE間の誤放電を防止できるため、透明電極 Ytは、距離W1と距離W2とが同じになるように配 置されても良い。

 図3は、図2のA-A’線に沿うPDP10の断面を示 している。

 アドレス電極AEは、自身とアドレス放電� �発生させる透明電極Ytが配置されているセル C1の放電空間DS上に一部が位置し、自身とア� �レス放電を発生さない透明電極Ytが配置され ているセルC1の放電空間DS上には位置してい� �い。すなわち、着目するセルC1のアドレス電 極AEと透明電極Yt間の電界は、隔壁BRを介さず に発生し、着目するセルC1のアドレス電極AE� �着目するセルC1に隣接するセルC1の透明電極Y t間の電界は、隔壁BRを介して発生する。

 これにより、着目するセルC1の透明電極Yt とアドレス電極AE間の放電開始電圧を、着目� ��るセルC1のアドレス電極AEと着目するセルC1� ��隣接するセルC1の透明電極Yt間の放電開始電 圧より低くできる。この結果、着目するセル C1のアドレス電極AEと着目するセルC1に隣接す るセルC1の透明電極Yt間の誤放電を防止でき� �。

 以下、図4に沿って、PDP製造方法について 説明する。

 PDP10は、画像表示面を構成する前面基板� �12と、前面基板部12に対向する背面基板部14� �から構成される。前面基板部12と背面基板部 14のそれぞれは、ガラス、石英、セラミック� ��の透明な基材に電極、誘電体層または隔壁� ��が配置されている。なお、背面基板部14は� �ずしも透明でなくても良いが、本実施形態� �は、透明な基材としてガラス基材を用いる� �

 図4が示すように、前面基板部12の工程と� ��面基板部14の工程とは平行して行われる。� �下において、まず前面基板部12の工程から説 明する。

 ステップS1では、前面基板部12のガラス基 材FSの対向面に、一対のバス電極Xbとバス電� �Ybとが、透明電極Xtと透明電極Ytとともに、D1 方向に沿って平行に延在して、D2方向に複数� ��んで形成される。バス電極Xbおよびバス電� �Ybには、Ag、Au、Cu、Crまたはそれらの組み合� ��せからなるCr-Cu-Cr等の積層体である金属材� �による不透明電極が用いられる。一方、透� �電極Xtおよび透明電極Ytには、例えば、ITO膜� ��の透明電極が用いられる。

 バス電極Xb、バス電極Yb、透明電極Xtおよ� ��透明電極Ytの形成には、公知の手法が用い� �行われる。

 例えば、バス電極Xbおよびバス電極Ybは金 属材料をスパッタや印刷で形成し、透明電極 Xtおよび透明電極YtはITO膜等をスパッタで形� �する。その後、フォトエッチング法等によ� �電極を所定の形状に形成する。これにより� �透明電極Xtとバス電極Xbとで構成される維持� ��極XEと、透明電極Ytとバス電極Xbとで構成さ� ��る走査電極YEとがガラス基材FSの対向面側に 形成される。

 ステップS2では、ステップS1において形成さ れた維持電極XEおよび走査電極YEとともに、� �れらが形成された側のガラス基材FSを覆うよ うに誘電体層DL1が形成される。誘電体層DL1は 、600 ℃以下のガラス転移温度を持ち、ガラ� ��組成がPbO-SiO ₂ -B ₂ O ₃ やPbO-P ₂ O ₅ -SnF ₂ 等である低融点ガラスのペーストをガラス基 材FSに塗布し焼成による脱泡・透明化によっ� ��形成される。また、低融点ガラスのシート� ��添付して焼成する方法もある。

 ステップS3では、ステップS2において形成 された誘電体層DL1にレジストRGを塗布して、� ��ドレス電極AEを形成する溝DIのフォトマスク を用いてパターン露光を行う(図5(a))。図5(a)� �、D2方向から見た、前面基板部12に塗布され� ��レジストRGにパターン露光を行う様子を示� �。本実施形態では、アドレス電極AEが形成さ れる露光された部分のレジストが現像液によ って取り除かれる。

 なお、本実施形態の図2において、アドレ ス電極AEは、後述するステップS10にて背面基� ��部14に形成される隔壁BRのうち、一方の隔壁 BRに隣接するかまたは一部が隔壁BRと重なる� �置に形成される。

 ステップS4では、ステップS3においてレジ ストRGが除去された部分の誘電体層DL1にエッ� ��ングによって、溝DIを形成する。ここで、� �電体層DL1に溝DIを形成するのは、後述するス テップS5で金属材料のペーストを用いて形成� ��れるアドレス電極AEが、要求される電極の� �や位置に形成されるように、且つステップS6 でレジストRGを剥離する際に、アドレス電極A Eが一緒に剥離しないように防止するためで� �る。図5(b)は、エッチングによって、溝DIが� �成された前面基板部12のD2方向から見た断面� ��一部を示す。本実施形態では、例えば、低� ��度のNaOH等のエッチング液を用いてエッチン グを行う。また、エッチングの時間は、溝DI� ��深さが3~5μmになるように調節するのが好適� ��ある。エッチングにより形成された溝DIの� �面はガラス基材FSや誘電体層DL1に比べて表面 粗さが大きく、光が拡散される。しかし、こ の溝DIは元々不透明なアドレス電極AEを設け� �領域であるため、蛍光体発光による可視光� �透過には影響を与えない。また、アドレス� �極AEの金属面によるガラス基材FS側から見た� ��反射を緩和させる働きを有し、PDP10の表示� �への、周辺背景の映り込みを緩和すること� �できる。

 ステップS5では、ステップS4において形成 された溝DIに、紫外線硬化性樹脂を含む金属� ��料のペーストを、アドレス電極AEの電極パ� �ーンの印刷マスクを用いスクリーン印刷等� �手法により充填する。図5(c)は、図5(b)の溝DI� ��金属材料のペーストを充填した状態を示す� ��なお、この際、レジストRG表面に金属材料� �付着、残留しても後述のレジスト剥離によ� �、共に除去されるため、形成されるアドレ� �電極AEの幅や位置は金属材料の塗布精度では なく、溝DIの形成精度によって決まる。その� ��、紫外線を照射して、金属材料のペースト� ��硬化させる。

 ステップS6では、誘電体層DL1に残ってい� �レジストRGを剥離する。ただし、剥離液でレ ジストを溶解させて剥離すると、耐エッチン グ特性が優れていない低融点ガラスの誘電体 層DL1までも溶解し白色化する。その白色化に より、前面基板部12に画像表示する可視光の� ��過率が下がってしまう。そこで、本実施形� ��では、剥離液によるレジストRGの溶解では� �く、レジストを軟化させる膨潤までにとど� �、後はジェットシャワー等による水洗でレ� �ストRGを取り除く手法を用いる。なお、前面 基板部12の白色化は剥離液の種類や時間によ� ��異なるため、若干の透過率の低下を許容し� ��ジェットシャワーを用いることなく、水洗� ��より、レジストRGを除去する方法もある。� �の際のPDP10の輝度低下に関しては、PDP10表面� ��設けるフィルタの透過率設計により、対応� ��ることができる。

 ステップS7では、アドレス電極AEを焼成し 、紫外線硬化性樹脂を蒸発させる。

 ステップS8では、アドレス電極AEと誘電体 層DL1を覆うように、別の誘電体層DL2を形成す る。誘電体層DL2は、誘電体層DL1と同じ素材の 低融点ガラスを用い、低融点ガラスのペース トを誘電体層DL1に塗布し焼成によって脱泡・ 透明化して形成される。なお、誘電体層DL2は 、主にアドレス電極AEを形成するために形成� ��た溝DIによる凹凸を平滑化するために形成� �れる。したがって、誘電体層DL2は、誘電体� �DL1より薄い5~10μm程度の厚さにして良い。な� ��、この誘電体層DL2は必ずしも必要ではない� ��図1および図3は、このステップS8の工程を省 略して誘電体層DL2を形成しなかったPDP10であ� ��。

 ステップS9では、誘電体層DL2(または誘電� ��層DL1とアドレス電極)を保護層PLで覆う。保� ��層PLは、放電を発生しやすくするため、例� �ば、陽イオンの衝突による2次電子の放出特� ��の高いMgO膜を用いることが好適である。以� ��で前面基板部12の工程は終了する。なお、� �テップS1からステップS2のステップには異物� ��除去工程や検査工程等は省略して示した。

 次に背面基板部14の工程を説明する。

 ステップS10では、背面基板部14のガラス� �材RSに、隔壁BRをガラス基材RSと一体に形成� �る。隔壁BRは、D2方向に延在し間隔をおいて� ��成される。これにより、図2に示すように、 維持電極XEおよび走査電極YEと隣接する隔壁BR とで囲まれるセルC1がマトリックス状に形成� ��れる。

 ステップS11では、隔壁BRの側面と、隣接� �る隔壁BRの間のガラス基材RSとには、紫外線� ��より励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光� ��発生する蛍光体PHr、蛍光体PHgおよび蛍光体P Hbがそれぞれ塗布されている。これにより、� ��、緑および青の光を発生する3つのセルC1か� ��なる画像で言うところの1つの画素が構成さ れる。なお、図示していないが、維持電極XE� ��よび走査電極YEに沿って形成されるセルC1に より、表示ラインが構成される。

 ステップS12では、前面基板部12と背面基� �部14とは、保護層PLと隔壁BRとが互いに接す� �ように、図示していないが、画像表示領域� �外周部においてシール剤を用いて貼り合わ� �られる。さらに、図示していないが、ガラ� �基材RSにおける画像表示領域の外周部に形成 される排気空間には、排気孔が設けられてい る。この排気孔を用い、PDP10の放電空間DSを� �空状態に設定し、Ne-Xe混合ガス等の放電ガス を封入する。

 以上によって、本実施形態における製造� ��法によるPDPが製造される。

 図6は、上記の方法によって製造されるPDP 10を用いて構成されるプラズマディスプレイ� ��置(以下、PDP装置)の一例を示す。PDP装置は� �PDP10、PDP10の画像表示面16側(光の出力側)に設 けられる光学フィルタ20、PDP10の画像表示面16 側に配置される前筐体30、PDP10の背面18側に配 置される後筐体40およびベースシャーシ50、� �ースシャーシ50の後筐体40側に取り付けられ� ��PDP10を駆動するための回路部60、およびPDP10� ��ベースシャーシ50に貼り付けるための両面� �着シート70を有している。回路部60は、複数� ��部品で構成され破線の箱で示している。詳� ��い説明は後述する。光学フィルタ20は、前� �体30の開口部32に取り付けられる保護ガラス( 不図示)に貼付される。なお、光学フィルタ20 に電磁波遮蔽機能を持たせることもある。ま た、光学フィルタ20は、保護ガラスではなく� ��PDP10の画像表示面16側に直接貼付されても良 い。

 図7は、PDP10を駆動するための回路部60の� �要を示している。回路部60は、バス電極Xbに� ��通のパルスを印加するXドライバXDRV、バス� �極Ybに選択的にパルスを印加するYドライバYD RV、アドレス電極AEに選択的にパルスを印加� �るアドレスドライバADRV、ドライバXDRV、YDRV� �ADRVの動作を制御する制御部CNTおよび電源部P WRを有している。ドライバXDRV、YDRV、ADRVは、P DP10を駆動する駆動部として動作する。電源� �PWRは、ドライバYDRV、XDRV、ADRVに供給する電� �電圧Vsc、Vs/2、-Vs/2、Vsa等を生成する。

 制御部CNTは、画像データR0-7、G0-7、B0-7に� ��づいて使用するサブフィールドを選択し、� ��ライバYDRV、XDRV、ADRVに制御信号YCNT、XCNT、AC NTを出力する。ここで、サブフィールドは、P DP10の1画面を表示するための1フィールドが分 割されたフィールドであり、サブフィールド 毎にサステイン放電の回数が設定されている 。そして、画素を構成するセルC1毎に、使用� ��るサブフィールドを選択することにより、� ��階調の画像が表示される。

 このように本実施形態は、低融点ガラス� ��誘電体層DL1にフォトエッチングで形成した� ��DIにアドレス電極AEを形成することにより、 従来のCVD法による誘電体層にアドレス電極AE� ��エッチングにより形成する方法よりも、短� ��製造時間で且つ低製造コストでPDP10を製造� �ることが可能となる。

 また、本実施形態では、低融点ガラスの� ��電体層DL1に形成された溝DIに、紫外線硬化� �樹脂を含んだ金属材料のペーストをスクリ� �ン印刷等の手法で充填することにより、ア� �レス電極AEの幅や位置の形成に対する高精細 化が可能となる。

 なお、本実施形態では、ステップS3にお� �るアドレス電極AEを形成する溝DIのフォトマ� ��クを用いたパターン露光後の現像において� ��アドレス電極AEが形成される露光された部� �のレジストRGを取り除くとしたが、本発明は これに限定されない。アドレス電極AEが形成� ��れる以外の部分を露光して、露光されなか� ��たアドレス電極AEが形成される部分のレジ� �トRGを現像液によって取り除いても良い。

 なお、本実施形態では、誘電体層DL2を形� ��するステップS8を含めて説明したが、本発� �はこれに限定されない。ステップS8の工程を 省略し、図1および図3が示すように、アドレ� ��電極AEおよび誘電体層DL1覆うように直接保� �膜PLを形成しても良い。これにより、製造コ ストを削減することが可能となる。

 なお、本実施形態では、溝DIに金属材料� �ペーストをアドレス電極AEの電極パターンの 印刷マスクを用いてスクリーン印刷等により 充填したが、本発明はこれに限定されない。 例えば、インクジェット方式を用いて溝DIに� ��属材料のペーストを充填しても良いし、ま� ��は、レジストRGと溝DIとを覆うように金属材 料のペーストを塗布して溝DIに充填し、紫外� ��照射による硬化後、溝DIに入らずに残った� �属材料をステップS6におけるレジストRGの剥� ��とともに取り除いても良い。

 なお、本実施形態では、透明電極Xtおよ� �透明電極Ytの形は、台形形状としたが、本発 明はこれに限定されない。例えば、透明電極 Xtおよび透明電極Ytは、長方形の形状をして� �行き違いになるように互いにD2方向に突出さ せても良い。すなわち、透明電極Xtおよび透� ��電極Ytの形状は、PDP10に対して要求される性 能に応じて適宜決めることが好適である。

 なお、本実施形態では、隔壁BRのみによ� �セル構造(ストレートリブ)のPDPの製造方法に ついて述べたが、本発明はこれに限定されな い。各セルC1において放電による紫外線が他� ��セルC1に漏れないために、各セルC1のD1方向� ��境界に沿ってさらに隔壁を形成するセル構� ��(ボックスリブ)のPDPに対しても適用可能で� �る。

 なお、本発明は、その精神またはその主� ��な特徴から逸脱することなく他の様々な形� ��実施することができる。そのため、上述し� ��実施形態はあらゆる点で単なる例示にすぎ� ��、限定的に解釈されてはならない。本発明� ��、特許請求の範囲によって示されるもので� ��って、本発明は明細書本文には何ら拘束さ� ��ない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲� ��属する変形や変更は、全て本発明の範囲内� ��ある。