VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES AUSKOPPELELEMENTS FÜR E OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES

BAUELEMENT

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement.

Ferner betrifft die Erfindung ein optoelektronisches

Bauelement, das insbesondere ein Auskoppelelement aufweist

Bisher werden anorganische Halbleiterschichten,

gegebenenfalls dielektrische Schichten oder

Halbleiterschichten mittels Nasschemie aufgeraut. Dabei kann beispielsweise Kaliumhydroxidlösung dienen. Damit kann eine statistische Verteilung der Aufraustruktur-Größen erzielt werden. Alternativ kann die Aufrauung auch mittels

Plasmastrukturierung erzeugt werden. Damit können definierte Strukturen erzeugt werden.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur

Herstellung eines Auskoppelelements für ein

optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das effizient und einfach ein Auskoppelelement erzeugt. Ferner ist Aufgabe der Erfindung, ein optoelektronisches Bauelement mit einem Auskoppelelernent bereitzustellen.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte

Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind

Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Ferner werden diese Aufgaben durch ein optoelektronisches Bauelement gemäß dem Anspruch 15 gelöst.

In zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein

optoelektronisches Bauelement die folgenden

Verfahrensschritte auf:

A) Bereitstellen eines anorganischen dielektrischen Elements. Das dielektrische Element weist eine Oberfläche auf. Das dielektrische Element ist in einer Kammer eingebracht. Das dielektrische Element und/oder ein Träger ist im Betrieb dazu eingerichtet, zu rotieren. Alternativ oder zusätzlich kann auch die Kammer im Betrieb rotieren.

Das Verfahren weist einen Schritt B) auf, der beinhaltet das Bereitstellen eines Strukturierungsmittels und das Einbringen des Strukturierungsmittels in die Kammer. Das

Strukturierungsmittel umfasst Ozon und Wasser oder besteht daraus. Das Strukturierungsmittel kann die Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements berühren, insbesondere direkt berühren, und damit eine Aufrauung in der Oberfläche erzeugen . Direkt berühren meint hier unmittelbarer mechanischer Kontakt des Strukturierungsmittels mit der Oberfläche des

anorganischen dielektrischen Elements.

Anorganisches dielektrisches Element meint hier, dass das Element, das insbesondere als Schicht ausgeformt wird, dielektrische Eigenschaften aufweist. Zudem ist das

dielektrische Element insbesondere ausschließlich aus

anorganischen Materialien geformt. Die Erfinder haben erkannt, dass mit dem hier beschriebenen Verfahren eine Aufrauung in dem anorganischen dielektrischen Element erzeugt werden kann, so dass das Auskoppelelement eine sehr gute Lichtauskopplung aufweist. Zudem ist das hier beschriebene Verfahren leicht anwendbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt A) auf, Bereitstellen eines anorganischen dielektrischen Elements. Das anorganische dielektrische

Element kann als Schicht ausgeformt sein. Insbesondere weist das anorganische dielektrische Element eine homogene

Schichtdicke von beispielsweise zwischen 20 nm bis

einschließlich 150 nm auf. Grundsätzlich können auch dickere Schichten mit Schichtdicken von größer als 150 nm verwendet werden. Das anorganische dielektrische Element weist eine Oberfläche auf. Insbesondere ist die Oberfläche für das Strukturierungsmittel zugänglich. In Schritt A) ist das anorganische dielektrische Element in einer Kammer

angeordnet. Das dielektrische Element und/oder der Träger mit den Wafern rotieren im Betrieb insbesondere um ihre

Rotationsachse. Das anorganische dielektrische Element kann in die Kammer eingebracht werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das anorganische dielektrische Element ein Oxid oder Nitrid eines Metalls auf oder besteht aus diesem. Das Metall kann beispielsweise

Aluminium sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das anorganische dielektrische Element Aluminiumoxid (A1203) auf. Alternativ besteht das anorganische dielektrische Element aus

Aluminiumoxid . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt B) auf. In dem Verfahrensschritt B) wird das Strukturierungsmittel bereitgestellt. Das

Strukturierungsmittel weist Wasser und Ozon auf. Das

Strukturierungsmittel wird in die Kammer eingebracht. Damit kann das Strukturierungsmittel die Oberfläche des

anorganischen dielektrischen Elements berühren, insbesondere direkt berühren, und eine Aufrauung in der Oberfläche erzeugen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mittlere

Rauigkeit Rq während oder nach Schritt B) zwischen

einschließlich 20 nm und einschließlich 50 nm, insbesondere zwischen einschließlich 22 nm und einschließlich 40 nm, insbesondere zwischen einschließlich 25 nm und einschließlich 35 nm, insbesondere zwischen einschließlich 25 nm und einschließlich 32 nm, beispielsweise 30 nm. Vorzugsweise ist die mittlere Rauigkeit Rq nach Schritt B) zwischen 20 nm und 30 nm. Die mittlere Rauigkeit Rq kann mittels Weißlichtinterferometrie (WLI) bestimmt werden. WLI ist eine berührungslose optische Messmethode, welche die Interferenz von breitbandigem Licht (Weißlicht) ausnutzt und sogenannte dreidimensionale Profilmessungen von Strukturen mit Abmessungen zwischen einigen Zentimetern und einigen Mikrometern erlaubt. Die Weißlichtinterferometrie ist dem Fachmann hinreichend bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht weiter erläutert.

Insbesondere ist die mittlere Rauigkeit Rq hier für

Schichtdicken zwischen einschließlich 20 nm und

einschließlich 150 nm, insbesondere zwischen einschließlich 35 nm und einschließlich 85 nm, beispielsweise zwischen einschließlich 40 nm und einschließlich 80 nm des organischen dielektrischen Elements angegeben. Der Begriff mittlere Rauigkeit Rq ist einem Fachmann bekannt und wird daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Der quadratische Mittenrauwert Rq kann der quadratische

Mittelwert der Profilabweichung sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Strukturierungsmittel Wasser und Ozon auf. Insbesondere ist das Wasser deionisiert. Deionisiertes Wasser meint hier, dass das Wasser durch unterschiedliche Verfahren von seinen Ionen befreit wurde. Dieses Wasser zeichnet sich durch seine geringe Leitfähigkeit aus.

Das Strukturierungsmittel weist Ozon auf. Durch die

Verwendung des Strukturierungsmittels , das heißt einer

Mischung aus Ozon und Wasser, kann eine Strukturierung oder Aufrauung in der Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements erzeugt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird Ozon gasförmig in die Kammer eingeleitet. Zusätzlich wird insbesondere Wasser flüssig eingeleitet. Das Wasser bildet während der Rotation des anorganischen dielektrischen Elements in der Kammer einen dünnen Wasserfilm auf der Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements, wobei das Ozon in Radikale gespaltet wird, leicht zugänglich zum dielektrischen Element ist und somit eine Aufrauung der Oberfläche des anorganischen

dielektrischen Elements bewirkt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Strukturierungsmittel zusätzlich eine Base oder Säure auf, wobei die Base katalysierend und die Säure inhibierend wirkt. Eine Base ist eine chemische Verbindung mit einem pH-Wert größer 7. Die Base kann gelöst in Wasser sein, es kann also eine wässrige Base vorliegen. Als Base kann beispielsweise Ammoniak verwendet werden. Ammoniak kann hier als Katalysator eingesetzt werden, der zur Dissoziation des Ozons beiträgt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Konzentration des Ammoniaks kleiner oder gleich 0,05 %. Mit % sind hier Volumenprozent gemeint.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das Ozon,

insbesondere das gasförmige Ozon, mit einer Konzentration zwischen 180 g/m^ bis 250 g/m^, beispielsweise mit 240 g/m^, in die Kammer eingeleitet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Strukturierungsmittel im Schritt B) eine Temperatur zwischen einschließlich Raumtemperatur und einschließlich 90 °C, insbesondere beispielsweise 40 °C auf. Die

Reaktionstemperatur sollte nicht unter 40 °C liegen, um eine optimale Aufrauung an der Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements zu erzeugen. Es hat sich gezeigt, dass insbesondere ein optimales Ergebnis im Verhältnis zur Reaktionsgeschwindigkeit bei einer Reaktionstemperatur von ungefähr 40 °C beobachtet werden konnte. Der Träger, in oder auf dem die Wafer angeordnet sind, kann eine Rotationsgeschwindigkeit zwischen 5 U/min oder 25 U/min und 1200 U/min aufweisen. Je dünner der Wasserfilm ist, der die Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements berührt, umso größer ist der Anteil des Ozons, der an die Oberfläche gelangen kann. Dies resultiert in einer optimalen Aufrauung der Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren nach Schritt B) einen weiteren Schritt auf, Trocknen des anorganischen dielektrischen Elements. Mit anderen Worten, kann nach der Aufrauung der Oberfläche des anorganischen dielektrischen Elements das Strukturierungsmittel wieder entfernt werden.

Im anschließenden Verfahrensschritt kann das anorganische dielektrische Element mittels eines Gases, beispielsweise Stickstoff, oder gepresste Luft (Compressed Air, CDA) gespült werden. Es kann Inertgas und/oder Druckluft verwendet werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Träger in der Kammer im Betrieb eine Rotationsgeschwindigkeit von 25 RPM bis 1200 RPM, typischerweise 1000 RPM auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das anorganische dielektrische Element als Schicht mit einer Schichtdicke zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 150 nm ausgeformt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das anorganische dielektrische Element zwischen einschließlich 5 Minuten und einschließlich 20 Minuten mit dem Strukturierungsmittel behandelt .

Die Erfinder haben erkannt, dass mittels dem hier

beschriebenen Verfahren eine Mikrorauigkeit in dem anorganischen dielektrischen Element, das insbesondere eine Aluminiumoxidschicht ist, erzeugt werden kann. Das Verfahren verwendet vorzugsweise eine nasschemische Ätzung mittels eines Strukturierungsmittels aus zumindest deionisiertem Wasser und Ozon. Zusätzlich kann Ammoniak zugesetzt sein.

Die Anpassung der Dimension der Rauigkeit der

Schichtdickenänderung des anorganischen dielektrischen

Elements ist möglich. Die herkömmlichen Methoden können nicht das komplette Dimensionsspektrum hin zu kleineren

Strukturgrößen abdecken.

Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches

Bauelement. Vorzugsweise weist das optoelektronische

Bauelement ein Auskoppelelement auf. Das optoelektronische Bauelement wird vorzugsweise mit dem hier beschriebenen

Verfahren hergestellt. Dabei gelten alle Definitionen und Ausführungen des Verfahrens auch für das optoelektronische Bauelement und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Bauelement eine Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge ist zur Strahlungsemission eingerichtet. Alternativ kann das optoelektronische

Bauelement auch eine organische Schichtenfolge aufweisen. Das optoelektronische Bauelement weist ein Auskoppelelement auf. Das Auskoppelelement weist zumindest ein anorganisches dielektrisches Element mit einer Oberfläche auf. Das

anorganische dielektrische Element kann eine mittlere

Rauigkeit, hier auch als Rq bezeichnet, zwischen

einschließlich 20 nm und einschließlich 30 nm aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Bauelement eine Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem

Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein

Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m N oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m P oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m As, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge

Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen

Bestandteile des Kristallgitters der

Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Die Halbleiterschichtenfolge umfasst ein oder mehrere aktive Schichten. Die mindestens eine aktive Schicht ist zur

Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet.

Beispielsweise beinhaltet die aktive Schicht wenigstens einen pn-Übergang oder mindestens einen Quantentopf. Insbesondere wird in der aktiven Schicht ultraviolettes, sichtbares und/oder nahinfrarotes Licht oder Strahlung im Betrieb des optoelektronischen Bauelements erzeugt. Die in der aktiven Schicht erzeugte Strahlung weist eine Hauptwellenlänge auf. Die Hauptwellenlänge, englisch: peak wavelength, ist

diejenige Wellenlänge, bei der im bestimmungsgemäßen Betrieb die größte Strahlungsintensität erzeugt wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

optoelektronische Bauelement eine Leuchtdiode, kurz LED. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

optoelektronische Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgeformt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Bauelement ein Substrat auf. Das Substrat kann beispielsweise ein oder mehrere Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Gas, Quarz, Kunststoff, Metall, Siliziumwafer,

keramikbeschichtetes Papier. Besonders bevorzugt weist das Substrat Glas, beispielsweise in Form einer Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte auf oder besteht daraus.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Bauelement eine erste und zweite Elektrode auf. Davon ist insbesondere zumindest eine Elektrode

transparent ausgeformt. Mit transparent wird hier und im Folgenden eine Schicht bezeichnet, die durchlässig für sichtbares Licht ist. Alternativ können auch beide Elektroden transparent ausgeführt sein, so dass das Bauelement als sogenannte beidseitig emittierende OLED ausgestaltet ist.

Als Material für eine transparente Elektrode kann

beispielsweise ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO, transparent conductive oxide) , wie beispielsweise ITO, verwendet werden.

Weiterhin kann eine transparente Elektrode auch eine

Metallschicht mit einem Metall oder einer Legierung

aufweisen, beispielsweise mit einem oder mehreren der folgenden Materialien: Silber, Platin, Gold, Magnesium oder eine Legierung aus Silber und Magnesium. Insbesondere bildet eine der Elektroden die Anode, während die andere Elektrode die Kathode ausbildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Bauelement als OLED einen organisch funktionellen Schichtenstapel auf. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements wird in dem organisch funktionellen Schichtenstapel Strahlung erzeugt. Eine Wellenlänge der Strahlung oder das Wellenlängenmaximum liegt bevorzugt im infraroten und/oder ultravioletten und/oder sichtbaren Spektralbereich, insbesondere bei

Wellenlängen zwischen einschließlich 420 nm und

einschließlich 680 nm.

Der organische funktionelle Schichtenstapel kann Schichten mit organischen Polymeren, organischen Oligomeren,

organischen Monomeren, organischen kleinlichtpolymeren Molekülen ("small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann zusätzliche funktionelle Schichten aufweisen, die als

Lochtransportschichten ausgeführt sind, um eine effektive Löcherinjektion in den zumindest einen funktionellen

Schichtenstapel zu ermöglichen. Der organische funktionelle Schichtenstapel kann weiterhin zumindest eine funktionelle Schicht aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgebildet ist. Allgemein kann der organische funktionelle Schichtenstapel zusätzliche Schichten aufweisen, die ausgewählt sind aus Löcherinjektionsschichten,

Lochtransportschichten, Elektroninj ektionsschichten,

Elektrontransportschichten, Lochblockierschichten und

Elektronenblockierschichten . Insbesondere können die

Schichten des organischen funktionellen Schichtenstapels vollständig oder zumindest überwiegend organische

funktionelle Schichten sein. Darüber hinaus kann es auch möglich sein, dass einzelne Schichten des organischen

funktionellen Schichtenstapels auch anorganische Materialien aufweisen oder daraus gebildet sind. Das optoelektronische Bauelement kann zusätzlich

StromaufWeitungsstrukturen aufweisen .

Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und

Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in

Verbindung beschriebenen Ausführungsbeispielen.

Es zeigen:

Figuren 1A bis IC ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer Ausführungsform,

Figuren 2A bis 2B eine Halbleiterschichtenfolge oder eine organische Schichtenfolge gemäß einer Ausführungsform, Figuren 3A bis 3E ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform,

Figuren 4A bis 4C jeweils eine elektromikroskopische Aufnahme (SEM) gemäß jeweils einer Ausführungsform,

Figuren 5A und 5C eine dreidimensionale Profilmessung mittels Weißlichtinterferometrie gemäß einer Ausführungsform,

Figuren 5B und 5D die zugehörigen ermittelten Messwerte der 3D-Profilmessung der Figuren 5B beziehungsweise 5C, und

Figuren 6A und 6B AFM-Messungen gemäß einer Ausführungsform. In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige und gleich wirkende Elemente jeweils mit

denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt werden. Die Figuren 1A bis IC zeigen jeweils eine schematische

Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement weist ein Substrat 11, oder auch Träger genannt, auf. Auf dem

Träger 11 ist eine Halbleiterschichtenfolge 1 oder organische Schichtenfolge 1 angeordnet. Im Fall einer

Halbleiterschichtenfolge 1 ist diese Halbleiterschichtenfolge auf beispielsweise einem Saphirsubstrat epitaktisch

aufgewachsen. Im Falle einer OLED ist eine organische

Schichtenfolge 1 auf beispielsweise einem Glassubstrat 11 aufgebracht.

In Figur 1A ist gezeigt, dass das Auskoppelelement 2 auf der Halbleiterschichtenfolge 1, insbesondere direkt, angeordnet ist. Das Auskoppelelement 2 weist eine Strukturierung auf der Oberfläche 4 auf. Die Strukturierung ist in Folge der

Aufrauung mit dem hier beschriebenen Verfahren erzeugt worden. Die Strukturierung oder Aufrauung weist eine mittlere Rauigkeit insbesondere zwischen einschließlich 10 nm und einschließlich 50 nm, beispielsweise zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 30 nm auf. Das in der

Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugte Licht kann über das Auskoppelelement 2 aus dem Bauelement 100 ausgekoppelt werden 12. Im Gegensatz dazu zeigt die Figur 1B, dass das

Auskoppelelement 2 rückseitig auf dem Träger 11 direkt angeordnet ist. Insbesondere kann, wie in Figur 1A gezeigt, die in der Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugte Strahlung nach oben, also in die entgegengesetzte Richtung des Trägers 11 ausgekoppelt werden. Im Fall der Figur 1B wird die Strahlung über den Träger 11 und dem Auskoppelelement 2 aus dem

Bauelement 100 ausgekoppelt.

Die Figur IC zeigt eine Kombination der Anordnung des

Auskoppelelements 2 der Figuren 1A und IB. Im Bauelement der Figur IC sind zwei Auskoppelelemente 2 vorhanden. Das eine Auskoppelelement 2-1 ist auf der Halbleiterschichtenfolge 1 direkt aufgebracht. Das zweite Auskoppelelement 2-2 ist auf einer der Halbleiterschichtenfolge 1 gegenüberliegenden Seite des Trägers 11 aufgebracht, insbesondere direkt aufgebracht.

Vorzugsweise wird in dem Auskoppelelement 2-1, 2-2 oder in den hier beschriebenen Auskoppelelementen 2-1, 2-2

Aluminiumoxid als Material für das anorganische dielektrische Element 3 verwendet.

Die Figuren 2A und 2B zeigen eine schematische Seitenansicht einer Halbleiterschichtenfolge 1 beziehungsweise einer organischen Schichtenfolge 1 gemäß einer Ausführungsform.

Die Figur 2A zeigt eine n-dotierte Halbleiterschicht 101, darauf angeordnet eine aktive Schicht 102 und darauf

angeordnet eine p-dotierte Halbleiterschicht 103. Diese

Schichten können die epitaktisch gewachsene

Halbleiterschichtenfolge 1 einer anorganischen

lichtemittierenden Leuchtdiode (LED) bilden. Im Vergleich dazu ist, wie in Figur 2B gezeigt, die Schichtenfolge organisch ausgebildet. Die Schichtenfolge ist hier insbesondere eine Schichtenfolge 1 einer OLED. Die

Schichtenfolge weist eine Lochtransportschicht 104,

Lichtinjektionsschicht 105, Emissionsschicht 106,

Elektronentransportschicht 107 und

Elektroneninjektionsschicht 108 auf. Diese organischen

Schichten können zwischen zwei Elektroden 109 und 110

angeordnet sein.

Die Figuren 3A bis 3E zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements 2 für ein optoelektronisches

Bauelement 100.

In der Figur 3A ist das Bereitstellen eines anorganischen dielektrischen Elements 3 mit einer Oberfläche 4 gezeigt. Das anorganische dielektrische Element 3 wird in einer Kammer 10, wie in Figur 3B gezeigt, eingebracht. Der Träger 11 und/oder das anorganische dielektrische Element 3 sind dazu

eingerichtet, im Betrieb zu rotieren. Damit kann ein

gleichmäßiges Auftragen des Strukturierungsmittels 6 in der Kammer 10 auf das anorganische dielektrische Element 3, das auf einem Wafer angeordnet sein kann, erzeugt werden, wobei eine gleichmäßige Aufrauung in der Oberfläche 4 erzeugt wird.

Das Strukturierungsmittel 10 kann über separate Einlässe zugefügt werden. Das Strukturierungsmittel kann Wasser 7 und Ozon 8 umfassen. Zusätzlich kann auch Ammoniak als

Katalysator zugesetzt werden (hier nicht gezeigt) .

Die Figur 3C zeigt das anorganische dielektrische Element 3, das eine Aufrauung in der Oberfläche 4 aufweist. Die Aufrauung kann jede mögliche Struktur, wie pyramidal oder kegelstumpfartig, aufweisen.

Die Figur 3D zeigt, dass nicht nur die Oberfläche 4

strukturiert wurde, sondern auch die der Oberfläche 4 gegenüberliegende Seite des anorganischen dielektrischen Elements 3 strukturiert ist.

Die Figur 3E zeigt, dass die Aufrauung des anorganischen dielektrischen Elements 3 hier bereichsweise erfolgte.

Beispielsweise können vor Einbringen des anorganischen dielektrischen Elements 3 bestimmte Bereiche auf der

Oberfläche 4 maskiert werden, die also nicht mit aufgeraut werden sollen. Nach der Behandlung des anorganischen

dielektrischen Elements 3 in der Kammer 10 und nach Schritt B) kann diese Maske wieder entfernt werden, sodass auf der Oberfläche Bereiche erzeugt werden, die aufgeraut sind und Bereiche erzeugt werden, die keine Aufrauung aufweisen. Die Figuren 4A bis 4C zeigen jeweils eine

elektronenmikroskopische Aufnahme (SEM) gemäß einer

Ausführungsform.

Die Figuren 4A bis 4C zeigen jeweils ein anorganisches dielektrisches Element 2 mit einer Oberfläche 4, die die

Aufrauung aufweist. Im Zentrum des jeweiligen Ausschnittes der elektronenmikroskopischen Aufnahmen ist eine kreisförmige Anordnung aufgebracht. Dies kann beispielsweise ein

zusätzliches Element sein, was auf dem anorganischen

dielektrischen Element 3 angeordnet ist. Die Figuren 5A und 5C zeigen eine dreidimensionale Profilstruktur einer Weißlichtinterferometriemessung gemäß jeweils einer Ausführungsform. Die Figuren 5B und 5D zeigen jeweils die zugehörigen

ermittelten Messwerte aus den 3D-Profilmessungen . Die Tabelle der Figur 5B zeigt die Ergebnisse der Messung aus Figur 5A. Die Tabelle der Figur 5D zeigt die Ergebnisse der Messungen der Figur 5C. In den Tabellen 5B und 5D sind jeweils Ra- Werte, Rp-Werte, Rq-Werte, Rt-Werte und Rv-Werte dargestellt (quadratische Mittenrauwert Rq, arithmetische Mittenrauwert Ra, Rautiefe Rt, mittlere Glättungstiefe Rp und mittlere Riefentiefe Rv) . Aus der Tabelle der Figuren 5B und 5D ist zu entnehmen, dass die Messungen hier einen Rq-Wert von 31,05 nm beziehungsweise 22,35 nm aufweisen. Mit anderen Worten kann mittels dem hier beschriebenen Verfahren eine mittlere Rauigkeit Rq von zwischen einschließlich 20 nm und einschließlich 35 nm, insbesondere zwischen einschließlich 22 nm und einschließlich 30 nm erzeugt werden. Die Schichtdicken des hier bestimmten dielektrischen Elements 3 sind beispielsweise zwischen 40 nm und 80 nm. Dickere oder dünnere Schichten sind auch möglich. Die Figuren 6A und 6B zeigen rasterkraftmikroskopische

Aufnahmen (AFM) gemäß einer Ausführungsform. Das anorganische dielektrische Element 3 ist hier aus Aluminiumoxid geformt. Die Schichtdicke des anorganischen dielektrischen Elements 3 ist 190 nm. Die mittlere Rauigkeit Rq weist einen Wert von zirka 27,9 nm auf.

Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Ausführungsbeispiele und deren Merkmale können gemäß weiterer Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen nicht explizit in den Figuren gezeigt sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele zusätzliche oder alternative Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes Merkmal sowie jede Kombination von

Merkmalen, die insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 107 432.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugs zeichenliste

100 optoelektronisches Bauelement

1 Halbleiterschichtenfolge oder organische

Schichtenfolge

2 Auskoppelelement

3 anorganisches dielektrisches Element

4 Oberfläche des anorganischen dielektrischen

Elements

5 Rotation

6 Strukturierungsmittel

7 Wasser

8 Ozon

9 Aufrauung

10 Kammer

Rq mittlere Rauigkeit

11 Träger oder Substrat

12 Strahlung

101 n-dotierte Halbleiterschicht

102 aktive Schicht

103 p-dotierte Halbleiterschicht

104 Lochtransportschicht

105 Lochinjektionsschicht

106 Emissionsschicht

107 Elektronentransportschicht

108 Elektroneninjektionsschicht

109 erste Elektrode

110 zweite Elektrode