VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN

HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben. Darüber hinaus wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips anzugeben. Außerdem soll ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben werden, der besonders einfach herstellbar ist.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 gelöst.

Vorteilhafte Ausführungsformen des Verfahrens zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und des strahlungsemittierenden Halbleiterchips sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, die einen aktiven Bereich umfasst, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Bevorzugt ist die Halbleiterschichtenfolge epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat gewachsen. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V- Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem III-V- Verbindungshalbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um ein Phosphid-, Arsenid- und/oder Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial, also zum Beispiel um In _x AlyGa _] __ _x _yP, In _x AlyGa _] _- _x -yAs und/oder In _x AlyGa _] _- _x -yN mit 0

< x < 1, 0 < y < 1 und x + y d 1.

Die Halbleiterschichtenfolge kann Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, Ga,

In, N, As oder P angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Die Halbleiterschichtenfolge weist bevorzugt eine Haupterstreckungsebene auf. Eine vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und eine laterale Richtung erstreckt sich parallel zur Haupterstreckungsebene.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Halbleiterschichtenfolge eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Bevorzugt ist die erste Halbleiterschicht n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. In diesem Fall ist die zweite Halbleiterschicht p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet.

Die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht sind bevorzugt in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Der aktive Bereich ist bevorzugt zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Der aktive Bereich weist bevorzugt einen pn- Übergang zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung auf, wie beispielsweise eine Heterostruktur, eine EinfachquantentopfStruktur oder eine MehrfachquantentopfStruktur .

Die im Betrieb in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung kann nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht und/oder nahinfrarote Strahlung sein. Das sichtbare Licht ist beispielsweise Licht blauer, grüner, gelber oder roter Farbe.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine reflektierende Schichtenfolge über der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Die Halbleiterschichtenfolge und die reflektierende Schichtenfolge sind bevorzugt in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Besonders bevorzugt handelt es sich bei der reflektierenden Schichtenfolge um einen Bragg- Spiegel. Der Bragg-Spiegel umfasst bevorzugt abwechselnd angeordnete Teilschichten eines hochbrechenden und eines niedrigbrechenden Materials. Die Teilschichten des Bragg- Spiegels umfassen bevorzugt SiOg, AlgO , TiOg, TagC>5, NbgOg, NbF, Si ₃ N ₄ und/oder SigONg.

Besonders bevorzugt sind die äußersten zwei Teilschichten der reflektierenden Schichtenfolge durch AlgO gebildet. Zwischen den äußersten zwei Teilschichten sind in diesem Fall bevorzugt SiOg Teilschichten und NbgOg Teilschichten alternierend angeordnet. Dicken der alternierend angeordneten Teilschichten der reflektierenden Schichtenfolge sind hier bevorzugt verschieden groß ausgebildet.

Die reflektierende Schichtenfolge weist bevorzugt für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflexion von wenigstens 98 %, insbesondere von wenigstens 99 %, auf.

Die reflektierende Schichtenfolge wird beispielsweise durch eine physikalische Gasphasenabscheidungen, wie Sputtern oder Aufdampfen, oder durch eine chemische Gasphasenabscheidung über der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine erste Ausnehmung durch eine Öffnung einer Maske erzeugt, wobei die erste Ausnehmung die reflektierende Schichtenfolge und den aktiven Bereich vollständig durchbricht. Bevorzugt erstreckt sich die erste Ausnehmung ausgehend von der reflektierenden Schichtenfolge in die Halbleiterschichtenfolge hinein. Die zweite Halbleiterschichtenfolge wird von der ersten Ausnehmung bevorzugt nicht vollständig durchbrochen. Die erste Ausnehmung legt bevorzugt die erste Halbleiterschicht bereichsweise frei. Das heißt, eine Bodenfläche der ersten Ausnehmung ist durch die erste Halbleiterschicht gebildet. Weiterhin ist eine Seitenfläche der ersten Ausnehmung bevorzugt durch die erste Halbleiterschicht, die zweite Halbleiterschicht und die reflektierende Schichtenfolge gebildet .

Bei der Maske handelt es sich bevorzugt um eine Fotolackmaske. Die Fotolackmaske kann beispielsweise ein positiver Fotolack sein, der die Öffnung aufweist. Das heißt, die nicht von dem positiven Fotolack überdeckten Bereiche der darunter angeordneten Schichten, insbesondere der darunter angeordneten reflektierenden Schichtenfolge, können mittels eines Ätzprozesses, insbesondere eines Trockenätzprozesses, entfernt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine dielektrische Spiegelschicht in der ersten Ausnehmung durch dieselbe Öffnung derselben Maske aufgebracht. Die dielektrische Spiegelschicht bedeckt bevorzugt die Seitenflächen der ersten Ausnehmung und die Bodenflächen der ersten Ausnehmung vollständig. Die dielektrische Spiegelschicht füllt die erste Ausnehmung hier bevorzugt nicht vollständig. Bevorzugt steht die dielektrische Spiegelschicht mit der ersten Halbleiterschicht, der zweiten Halbleiterschicht und der reflektierenden Schichtenfolge im Bereich der Seitenfläche der ersten Ausnehmung in direktem Kontakt. Weiterhin steht die dielektrische Spiegelschicht bevorzugt mit der ersten Halbleiterschicht im Bereich der Bodenfläche der ersten Ausnehmung in direktem Kontakt.

Die dielektrische Spiegelschicht weist dabei bevorzugt für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflexion von wenigstens 98 %, insbesondere von wenigstens 99 %, auf.

Die dielektrische Spiegelschicht umfasst bevorzugt ein dielektrisches Material. Besonders bevorzugt umfasst die dielektrische Spiegelschicht SiOg oder ist daraus gebildet.

Die SiOg-Schicht wird bevorzugt durch eine plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (englisch: „plasma enhanced Chemical vapor deposition", kurz „PECVD") aufgebracht. Bevorzugt wird die dielektrische Spiegelschicht durch dieselbe Öffnung in der Maske, insbesondere durch dieselbe Öffnung der Fotolackmaske, abgeschieden, durch die auch die erste Ausnehmung erzeugt wird. Das heißt, die Maske, insbesondere die Fotolackmaske, ist hierbei dieselbe Maske, insbesondere dieselbe Fotolackmaske, mit der die erste Ausnehmung erzeugt wird.

In einem nachfolgenden Schritt kann die Maske, insbesondere die Fotolackmaske, entfernt werden. Es ist möglich, dass beim Aufbringen der dielektrischen Spiegelschicht auch Material der dielektrischen Spiegelschicht auf der Maske aufgebracht wird. Beim Entfernen der Maske wird bevorzugt auch das Material der Spiegelschicht, das auf der Maske angeordnet ist, entfernt.

In mindestens einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips die Schritte des Bereitstellens einer Halbleiterschichtenfolge, die einen aktiven Bereich umfasst, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen und das Aufbringen einer reflektierenden Schichtenfolge über der Halbleiterschichtenfolge. Weiterhin umfasst das Verfahren die Schritte des Erzeugens einer ersten Ausnehmung durch eine Öffnung einer Maske, wobei die erste Ausnehmung die reflektierende Schichtenfolge und den aktiven Bereich vollständig durchbricht und des Aufbringens einer dielektrischen Spiegelschicht in der ersten Ausnehmung durch dieselbe Öffnung derselben Maske.

Eine Idee des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist unter anderem, dass ein Erzeugen der ersten Ausnehmung und ein Aufbringen der dielektrischen Spiegelschicht auf den Seitenflächen der ersten Ausnehmung vorteilhafterweise mit einer einzigen Maske durch eine Öffnung realisierbar ist. In der Regel sind für einen solchen Prozess mehrere Lithographieschritte mit mehreren Fotolackmasken vorgesehen. Mit dem angegebenen Verfahren lassen sich die Herstellungsschritte so vorteilhafterweise reduzieren. Damit kann ein strahlungsemittierender Halbleiterchip besonders einfach hergestellt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die dielektrische Spiegelschicht an einer Bodenfläche der ersten Ausnehmung derart entfernt, dass die Halbleiterschichtenfolge dort freigelegt wird. In diesem Fall ist die Bodenfläche der ersten Ausnehmung bevorzugt durch die erste Halbleiterschicht gebildet. Durch das Entfernen der dielektrischen Spiegelschicht wird bevorzugt die erste Halbleiterschicht freigelegt. Vorteilhafterweise kann die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die erste Halbleiterschicht, in dem freigelegten Bereich elektrisch leitend kontaktiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die dielektrische Spiegelschicht in der ersten Ausnehmung durch ein anisotropes Ätzverfahren entfernt. Das anisotrope Ätzverfahren weist bevorzugt eine höhere Ätzrate in vertikaler Richtung auf als in lateraler Richtung. Damit wird die dielektrische Spiegelschicht im Bereich der Bodenfläche der ersten Ausnehmung bevorzugt vollständig entfernt, während die dielektrische Spiegelschicht auf der Seitenfläche der ersten Ausnehmung verbleibt. Ein derartiges anisotropes Ätzverfahren umfasst bevorzugt einen Trockenätzprozess, wie beispielsweise ein reaktives Plasma-Ionenätzen (englisch „reactive ion etching", kurz „RIE").

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in der ersten Ausnehmung nach dem Entfernen der dielektrischen Spiegelschicht durch dieselbe Öffnung derselben Maske eine erste Kontaktschichtenfolge erzeugt. Die erste Kontaktschichtenfolge füllt die erste Ausnehmung hier bevorzugt nicht vollständig. Bevorzugt steht die erste Kontaktschichtenfolge mit der dielektrischen Spiegelschicht im Bereich der Seitenfläche der ersten Ausnehmung in direktem Kontakt und bedeckt diese bevorzugt vollständig. Weiterhin bedeckt die erste Kontaktschichtenfolge die freigelegte Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die freigelegte erste Halbleiterschicht, im Bereich der Bodenfläche der ersten Ausnehmung bevorzugt vollständig.

Die erste Kontaktschichtenfolge umfasst bevorzugt eines oder mehrere der folgenden Metalle: Gold, Silber, Kupfer, Zinn, Blei, Wismut und/oder Antimon. Weiterhin kann die Kontaktschichtenfolge ein transparentes elektrisch leitendes Oxid (englisch: „transparent conductive oxides", kurz „TCOs"), wie beispielswese Zinkoxid, umfassen. Besonders bevorzugt umfasst die Kontaktschichtenfolge folgende Schichtenabfolge, ausgehend von der dielektrischen Spiegelschicht: Ti, Pt, Ag, ZnO. In diesem Fall bildet die ZnO-Schicht eine freiliegende Außenfläche der ersten metallischen Kontaktschichtenfolge.

Die erste Kontaktschichtenfolge ist bevorzugt reflektierend für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgebildet. Die erste Kontaktschichtenfolge weist bevorzugt für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflexion von wenigstens 90 %, insbesondere von wenigstens 95 %, auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens steht die erste Kontaktschichtenfolge in direktem Kontakt mit der freigelegten Halbleiterschichtenfolge. Bevorzugt steht die erste Kontaktschichtenfolge in direktem Kontakt mit der freigelegten ersten Halbleiterschicht. Die der ersten Halbleiterschicht direkt benachbarte Schicht der ersten metallischen Kontaktschichtenfolge umfasst bevorzugt Titan oder ist daraus gebildet. Damit ist eine Haftung zwischen der ersten metallischen Kontaktschichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge vorteilhafterweise besonders gut.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens steht die erste Kontaktschichtenfolge in direktem elektrisch leitenden Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht. Durch die in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge stehende erste Kontaktschichtenfolge kann ein Strom in die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere in die erste Halbleiterschicht, eingeprägt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist zwischen der reflektierenden Schichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge eine transparente elektrisch leitende Schicht angeordnet. Die transparente elektrisch leitende Schicht steht bevorzugt mit der reflektierenden Schichtenfolge und der Halbleiterschichtenfolge, insbesondere der ersten Halbleiterschichtenfolge, in direktem Kontakt. Weiterhin ist die transparente elektrisch leitende Schicht bevorzugt für die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung transparent ausgebildet. Bevorzugt weist die transparente elektrisch leitende Schicht transparente elektrisch leitende Metalle oder transparente elektrisch leitende Oxide (englisch: „transparent conductive oxides", kurz „TCOs") auf. TCOs sind transparente, leitende Materialien und weisen beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Kadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (englisch: „indium tin oxide", kurz „ITO") auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die transparente elektrisch leitende Schicht gleichzeitig bei dem Erzeugen der ersten Ausnehmung durch dieselbe Öffnung derselben Maske durchbrochen. In diesem Ausführungsbeispiel durchbricht die erste Ausnehmung die erste reflektierende Schichtenfolge, die transparente elektrisch leitende Schicht, die erste Halbleiterschicht und den aktiven Bereich vollständig .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden zweite Ausnehmungen in der reflektierenden Schichtenfolge erzeugt, die die reflektierende Schichtenfolge vollständig durchbrechen. Die zweiten Ausnehmungen legen bevorzugt die transparente elektrisch leitende Schicht bereichsweise frei. Das heißt, Bodenflächen der zweiten Ausnehmungen sind durch die transparente elektrisch leitende Schicht gebildet. Weiterhin sind Seitenflächen der zweiten Ausnehmungen bevorzugt durch die reflektierende Schichtenfolge gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine zweite metallische Kontaktschichtenfolge über der reflektierenden Schichtenfolge und der transparenten elektrisch leitenden Schicht aufgebracht. Die zweite metallische Kontaktschichtenfolge ist in dieser Ausführungsform als Schichtenfolge ausgeführt und füllt die zweiten Ausnehmungen hier bevorzugt nicht vollständig. Bevorzugt steht die zweite metallische Kontaktschichtenfolge mit der reflektierenden Schichtenfolge im Bereich der Seitenflächen der zweiten Ausnehmungen in direktem Kontakt und bedeckt diese bevorzugt vollständig. Weiterhin bedeckt die erste Kontaktschichtenfolge die freigelegte transparente elektrisch leitende Schicht im Bereich der Bodenflächen der zweiten Ausnehmungen bevorzugt vollständig.

Weiterhin ist es möglich, dass die zweite metallische Kontaktschichtenfolge in einem Bereich, wo die erste Ausnehmung erzeugt werden soll, nicht aufgebracht wird. Die zweite metallische Kontaktschichtenfolge wird bevorzugt in diesem Bereich mit einem nasschemischen Ätzprozess entfernt.

Die zweite metallische Kontaktschichtenfolge umfasst bevorzugt eine erste Schicht und eine zweite Schicht. Die erste Schicht und die zweite Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge sind bevorzugt in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Die an die transparente elektrisch leitende Schicht direkt angrenzende Schicht ist in diesem Fall die erste Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge . Bevorzugt ist die erste Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge für die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektierend ausgebildet. In diesem Fall umfasst die erste Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge Silber. Bei der zweiten Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge handelt es sich bevorzugt um eine Sperrschicht. Die Sperrschicht umfasst bevorzugt Titan, Wolfram oder Titanwolfram. Weiterhin ist die Sperrschicht bevorzugt dazu ausgebildet eine Diffusion und/oder eine Migration von Ag-Ionen in etwaigen darüber angeordneten Schichten während des Herstellungsprozesses zu unterbinden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens steht die zweite metallische Kontaktschichtenfolge in direktem elektrisch leitenden Kontakt mit der transparenten elektrisch leitenden Schicht. Durch die in direktem Kontakt mit der transparenten elektrisch leitenden Schicht stehende zweite metallische Kontaktschichtenfolge kann ein Strom in die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die zweite Halbleiterschicht, eingeprägt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden eine Passivierungsschicht und eine weitere reflektierende Schichtenfolge über der reflektierenden Schichtenfolge aufgebracht. Bevorzugt wird die Passivierungsschicht und die weitere reflektierende Schichtenfolge über der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge aufgebracht. In diesem Fall steht die Passivierungsschicht in direktem Kontakt zu der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge.

Die Passivierungsschicht umfasst bevorzugt ein dielektrisches Material. Bevorzugt weist die Passivierungsschicht AlgO auf oder ist daraus gebildet. Die Passivierungsschicht schützt die zweite metallische Kontaktschichtenfolge und/oder die reflektierende Schichtenfolge vorteilhafterweise vor äußeren Umwelteinflüssen .

Bevorzugt handelt es sich bei der weiteren reflektierenden Schichtenfolge um einen Bragg-Spiegel. Der Bragg-Spiegel umfasst bevorzugt abwechselnd angeordnete Schichten eines hochbrechenden und eines niedrigbrechenden Materials. Die Schichten des Bragg-Spiegels umfassen bevorzugt Si0 ₂ , A1 ₂ 0 ₃ , Ti0 ₂ , Ta ₂ 0 ₅ , Nb ₂ 0 ₅ , NbF, Si ₃ N ₄ und/oder Si ₂ ON ₂ .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine metallische Zwischenschicht zwischen der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge und der Passivierungsschicht angeordnet. Die metallische Zwischenschicht füllt die zweiten Ausnehmungen bevorzugt vollständig aus. Bevorzugt steht die Zwischenschicht in diesem Ausführungsbeispiel in direktem Kontakt mit der ersten und zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge und der Passivierungsschicht. Vorteilhafterweise kann ein Strom durch die metallische Zwischenschicht besonders gut aufgeweitet werden und durch die zweite metallische Kontaktschichtenfolge in die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere die zweite Halbleiterschicht, eingeprägt werden.

Weiterhin ist es möglich, dass die metallische Zwischenschicht in dem Bereich, in dem die erste Ausnehmung erzeugt werden soll, entfernt oder nicht aufgebracht wird.

Bei der metallischen Zwischenschicht handelt es sich bevorzugt um eine Planarisierungsschicht, die eine Unebenheit, die durch die zweiten Ausnehmungen hervorgerufen ist, einebnet. Damit weist die Planarisierungsschicht bevorzugt eine ebene Deckfläche auf. Die metallische Zwischenschicht, die in diesem Fall als

Planarisierungsschicht ausgebildet ist, weist in diesem Fall bevorzugt die ebene Deckfläche auf, die sich in lateraler Richtung erstreckt und im Wesentlichen glatt ist. „Im Wesentlichen glatt" bedeutet hier insbesondere, dass die Deckfläche der Planarisierungsschicht eine mittlere Rauigkeit von höchstens 100 Nanometer aufweist. Vorteilhafterweise ist eine weitere reflektierende Schichtenfolge auf der Deckfläche der Planarisierungsschicht so besonders gut aufbringbar. Handelt es sich bei der weiteren reflektierenden Schichtenfolge um einen Bragg- Spiegel, so ist eine Reflektivität des Bragg-Spiegels durch die Planarisierungsschicht vorteilhafterweise besonders gut.

Die metallische Zwischenschicht umfasst bevorzugt eines oder mehrere der folgenden Metalle: Gold, Titan und/oder Platin. Besonders bevorzugt umfasst die metallische Zwischenschicht folgende Schichtenabfolge, ausgehend von der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge: Ti, Pt, Au, Ti.

Die erste metallische Zwischenschicht ist bevorzugt reflektierend für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgebildet. Die erste metallische Zwischenschicht weist bevorzugt für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung eine Reflexion von wenigstens 90 %, insbesondere von wenigstens 95 %, auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Passivierungsschicht und die weitere reflektierende Schichtenfolge bei der Erzeugung der ersten Ausnehmung durch dieselbe Öffnung derselben Maske durchbrochen. In diesem Ausführungsbeispiel durchbricht die erste Ausnehmung die Passivierungsschicht, die weitere reflektierende Schichtenfolge, die erste reflektierende Schichtenfolge, die transparente elektrisch leitende Schicht, die erste Halbleiterschicht und den aktiven Bereich bevorzugt vollständig. Damit ist es möglich, die erste Ausnehmung mit einer einzigen Maske zu erzeugen. Vorteilhafterweise können so zusätzliche Prozessschritte vermieden werden. Darüber hinaus wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben, der mit einem hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips hergestellt werden kann. Sämtliche in Verbindung mit dem Verfahren zur Herstellung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips offenbarten Merkmale und Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip anwendbar und umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine

Halbleiterschichtenfolge, die einen aktiven Bereich umfasst, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip eine reflektierende Schichtenfolge, die über der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchbricht eine erste Ausnehmung die reflektierende Schichtenfolge und den aktiven Bereich vollständig.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine dielektrische Spiegelschicht nur in der ersten Ausnehmung angeordnet. Die dielektrische Spiegelschicht überragt die erste Ausnehmung in Draufsicht in lateraler Richtung bevorzugt nicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verjüngt sich ein Durchmesser der ersten Ausnehmung zu der

Halbleiterschichtenfolge hin. Bevorzugt verkleinert sich ein Abstand zweier sich gegenüberliegenden Innenflächen der ersten Ausnehmung zu der Halbleiterschichtenfolge hin.

Bevorzugt schließt eine Grenzfläche zwischen der reflektierenden Schichtenfolge und der dielektrischen Spiegelschicht einen Winkel kleiner 90° mit einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge ein.

Damit ist es möglich, dass sich auch ein Abstand in lateraler Richtung zwischen zwei sich gegenüberliegenden Innenflächen der dielektrischen Spiegelschicht zu der Halbleiterschichtenfolge hin verjüngt.

Weiterhin kann sich eine Breite der dielektrischen Spiegelschicht hin zu der Halbleiterschichtenfolge verjüngen. Die Breite der dielektrischen Spiegelschicht ist hier in lateraler Richtung definiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappen die reflektierende Schichtenfolge und die dielektrische Spiegelschicht in Draufsicht. Insbesondere überlappen die reflektierende Schichtenfolge und die dielektrische Spiegelschicht in Draufsicht im Bereich der Grenzfläche zwischen der reflektierenden Schichtenfolge und der dielektrischen Spiegelschicht. Da die Grenzfläche zwischen der reflektierenden Schichtenfolge und der dielektrischen Spiegelschicht einen Winkel kleiner 90° mit der Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge einschließt, ist die reflektierende Schichtenfolge und die dielektrische Spiegelschicht in einer vertikalen Richtung bereichsweise übereinander angeordnet.

Durch den Überlapp der reflektierenden Schichtenfolge und der dielektrischen Spiegelschicht ist ein Reflexionskoeffizient in diesem Bereich besonders hoch ausgebildet. Vorteilhafterweise kann im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung so besonders gut reflektiert werden. Damit erhöht sich vorteilhafterweise eine Lichtauskopplung aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt die dielektrische Spiegelschicht die Seitenfläche der ersten Ausnehmung, während eine Bodenfläche der ersten Ausnehmung frei ist von der dielektrischen Spiegelschicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine erste Kontaktschichtenfolge in der ersten Ausnehmung angeordnet, die die erste Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge eines ersten Leitfähigkeitstyps elektrisch kontaktiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Durchmesser der ersten Ausnehmung wenigstens 3 Mikrometer und höchstens 6 Mikrometer groß. Besonders bevorzugt ist der Durchmesser wenigstens 4 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer groß. Der Durchmesser der ersten Ausnehmung entspricht hier einer maximalen Ausdehnung der ersten Ausnehmung in lateraler Richtung. Durch eine erste Ausnehmung mit einem derart geringen Durchmesser wird bevorzugt besonders wenig vom aktiven Bereich des strahlungsemittierenden Halbleiterchips durch die erste Ausnehmung entfernt. Damit kann eine Lichtauskopplung und Effizienz des Halbleiterchips besonders hoch ausgebildet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip dritte Ausnehmungen, die die reflektierende Schichtenfolge und den aktiven Bereich vollständig durchbrechen. Jede dritte Ausnehmung ist bevorzugt durch die erste Ausnehmung gebildet. Das heißt, die dritten Ausnehmungen können mit dem hier beschriebenen Verfahren hergestellt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip zweite Ausnehmungen, die in der reflektierenden Schichtenfolge angeordnet sind.

Die zweiten Ausnehmungen durchbrechen die reflektierende Schichtenfolge bevorzugt vollständig. Durchmesser der zweiten Ausnehmungen sind jeweils bevorzugt wenigstens 1 Mikrometer und höchstens 5 Mikrometer groß. Besonders bevorzugt sind die Durchmesser jeweils wenigstens 2 Mikrometer und höchstens 4 Mikrometer groß. Die Durchmesser der zweiten Ausnehmungen entsprechen hier jeweils einer maximalen Ausdehnung einer zweiten Ausnehmung in lateraler Richtung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Abstand von direkt benachbarten dritten Ausnehmungen mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Abstand von direkt benachbarten zweiten Ausnehmungen mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die dritten Ausnehmungen an ersten Gitterpunkten eines ersten Gitters angeordnet. In diesem Fall sind die dritten Ausnehmungen matrixartig, insbesondere entlang Zeilen und Spalten angeordnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die zweiten Ausnehmungen an zweiten Gitterpunkten eines zweiten Gitters angeordnet. In diesem Fall sind die zweiten Ausnehmungen matrixartig, insbesondere entlang Zeilen und Spalten angeordnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das erste Gitter lateral zu dem zweiten Gitter verschoben. Bevorzugt weisen die ersten Gitterpunkte zu benachbarten zweiten Gitterpunkten einen Abstand von mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer auf. Durch eine solche Anordnung der zweiten Ausnehmungen und der dritten Ausnehmungen kann der Halbleiterchip besonders gut, insbesondere besonders homogen, bestromt werden. In Kombination mit den besonders klein ausgebildeten dritten Ausnehmungen ist so möglich, die Effizienz des Halbleiterchips bei typischen Stromdichten von etwa 350 mA/mm ² bis 1 A/mm ² um etwa 1 % bis 2 % im Vergleich zu einem herkömmlichen Halbleiterchip zu verbessern.

Weiterhin kann die Effizienz des Halbleiterchips bei Stromdichten von etwa 5 A/mm ² bis 10 A/mm ² um mehr als 2 % im Vergleich zu einem herkömmlichen Halbleiterchip verbessert sein.

Durch die dritten Ausnehmungen ist es mit Vorteil möglich, die erste Halbleiterschicht besonders homogen zu bestromen und eine besonders gute Stromaufweitung zu erreichen. Vorteilhafterweise kann so auch ein Dotiergrad der ersten Halbleiterschicht beispielsweise verkleinert ausgebildet sein, ohne die Stromaufweitungseigenschaften im Bereich der ersten Halbleiterschicht zu reduzieren.

Nachfolgend werden das Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und der strahlungsemittierende Halbleiterchip unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

Figuren 1, 2, 3, 4, 5 und 6 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensstadien eines Verfahrens zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel, und

Figur 7 schematische Darstellung in Draufsicht eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel .

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1, 2, 3, 4, 5 und 6 wird eine Halbleiterschichtenfolge 2 bereitgestellt, über der eine transparente elektrisch leitende Schicht 13 aufgebracht ist, wie in Figur 1 gezeigt. Die Halbleiterschichtenfolge 2 umfasst eine erste Halbleiterschicht 4 eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Halbleiterschicht 5 eines vom ersten Leitfähigkeitstyp verschiedenen zweiten Leitfähigkeitstyps.

In diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Halbleiterschicht 4 n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. In diesem Fall ist die zweite Halbleiterschicht 5 p-dotiert und damit p- leitend ausgebildet. Ein aktiver Bereich 3, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, ist zwischen der ersten Halbleiterschicht 4 und der zweiten Halbleiterschicht 5 angeordnet.

Weiterhin ist über der transparenten elektrisch leitenden Schicht 13 eine Teilschicht einer reflektierenden Schichtenfolge 7 aufgebracht. Die transparente elektrisch leitende Schicht 13 ist in diesem Ausführungsbeispiel durch ITO gebildet und weist bevorzugt eine Dicke von etwa 15 Nanometern auf. Die Teilschicht der reflektierenden Schichtenfolge 7 ist hier durch AlgO gebildet und weist bevorzugt eine Dicke von etwa 30 Nanometern auf.

Ferner ist die Halbleiterschichtenfolge 2 epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat 6 gewachsen. Das Aufwachssubstrat 6 ist in diesem Fall durch Saphir gebildet und weist eine Dicke von in etwa 1000 Mikrometern auf. Weiterhin ist die Halbleiterschichtenfolge 2 in etwa 5,8 Mikrometer dick ausgebildet. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die Halbleiterschichtenfolge 2 ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial .

In einem weiteren Verfahrensschritt wird die reflektierende Schichtenfolge 7 über der Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht (Figur 2). In diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich bei der reflektierenden Schichtenfolge 7 um einen Bragg-Spiegel . Der Bragg-Spiegel umfasst hier abwechselnd angeordnete Teilschichten eines hochbrechenden und eines niedrigbrechenden Materials. Zwischen den äußersten zwei Teilschichten, die jeweils aus AlgO gebildet sind, sind SiOg Teilschichten und NbgOg Teilschichten alternierend angeordnet. Eine Schichtenfolge ergibt sich in diesem Ausführungsbeispiel von der transparenten elektrisch leitenden Schicht 13 aus gesehen wie folgt: AlgO , SiOg mit einer Dicke von in etwa 350 Nanometer, NbgOg, SiOg mit einer Dicke von in etwa 89 Nanometern, NbgOg, SiOg mit einer Dicke von in etwa 30 Nanometern, AI2O3. Die AI2O3 Teilschichten weisen jeweils eine Dicke von etwa 30 Nanometer auf. Die Nb2C>5 Teilschichten weisen jeweils eine Dicke von etwa 48 Nanometern auf.

Die AI2O3 Teilschichten werden jeweils mittels

Atomlagenabscheidung (englisch: „atomic layer deposition", kurz „ALD") aufgebracht. Die restlichen Teilschichten werden durch Sputtern aufgebracht.

Weiterhin werden zweite Ausnehmungen 14 in der reflektierenden Schichtenfolge 7 erzeugt, die die reflektierende Schichtenfolge 7 vollständig durchbrechen. Die zweiten Ausnehmungen 14 legen die transparente elektrisch leitende Schicht 13 im Bereich der zweiten Ausnehmungen 14 frei. Die Bodenflächen der zweiten Ausnehmungen 14a sind durch die transparente elektrisch leitende Schicht 13 gebildet und die Seitenflächen der zweiten Ausnehmungen 14b sind durch die reflektierende Schichtenfolge 7 gebildet.

Die AI2O3 Teilschichten und die restlichen Teilschichten werden jeweils mittels eines separaten Prozesses entfernt.

Die AI2O3 Teilschichten werden beispielsweise mit einem nasschemischen Ätzprozess entfernt und die restlichen Teilschichten mit einem trockenchemischen Ätzprozess.

Nachfolgend wird eine zweite metallische Kontaktschichtenfolge 15 über der reflektierenden Schichtenfolge 7 und der transparenten elektrisch leitenden Schicht 13, insbesondere in den zweiten Ausnehmungen, aufgebracht (siehe Figur 3). In diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite metallische Kontaktschichtenfolge 15 nicht in einem Bereich angeordnet, in dem eine erste Ausnehmung 8 erzeugt werden soll. Die zweite metallische

Kontaktschichtenfolge 15 bedeckt hierbei die reflektierende Schichtenfolge 7 nur zu großen Teilen. Zu großen Teilen heißt hierbei insbesondere, dass die zweite metallische Kontaktschichtenfolge 15 eine der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandte Außenfläche der reflektierenden Schichtenfolge 7 zu mindestens 90 %, insbesondere zu mindestens 95 %, bedeckt.

Die zweite metallische Kontaktschichtenfolge 15 umfasst hier eine erste Schicht und eine zweite Schicht. Die an die transparente elektrisch leitende Schicht direkt angrenzende erste Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge 15 umfasst in diesem Ausführungsbeispiel Silber und weist eine Dicke von in etwa 200 Nanometern auf. Die darüber angeordnete zweite Schicht der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge 15 umfasst bevorzugt Titanwolfram und bildet eine Sperrschicht. Die Sperrschicht weist hier eine Dicke von in etwa 20 Nanometern auf. Die beiden Schichten der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge 15 füllen die zweiten Ausnehmungen 14 damit nicht vollständig aus.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird eine metallische Zwischenschicht 18 auf der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge 15 angeordnet (Figur 4). Die metallische Zwischenschicht 18 füllt die zweiten Ausnehmungen 14 vollständig aus und überragt die zweiten Ausnehmungen 14 in vertikaler Richtung 20 und lateraler Richtung 21. In diesem Ausführungsbeispiel ist die metallische Zwischenschicht 18 nicht in einem Bereich angeordnet, in dem eine erste Ausnehmung 8 erzeugt werden soll. Die metallische Zwischenschicht 18 weist hier folgende Schichtenabfolge auf, ausgehend von der zweiten metallischen Kontaktschichtenfolge 15: Ti mit einer Dicke von in etwa 1 Nanometer, Pt mit einer Dicke von in etwa 40 Nanometern, Au mit einer Dicke von in etwa 550 Nanometern, Ti mit einer Dicke von in etwa 10 Nanometern .

Weiterhin werden eine Passivierungsschicht 16 und eine weitere reflektierende Schichtenfolge 17 über der reflektierenden Schichtenfolge 7, insbesondere auf die metallische Zwischenschicht 18, aufgebracht. Die Passivierungsschicht 16 ist hier durch AlgO mit einer Dicke von in etwa 30 Nanometern gebildet. Die Passivierungsschicht 16 kann durch einen ALD-Prozess aufgebracht werden.

Zudem handelt es sich bei der weiteren reflektierenden Schichtenfolge 17 um einen Bragg-Spiegel. Dieser Bragg- Spiegel umfasst bevorzugt alternierend angeordnete SiOg und SigONg Schichten. Weiterhin kann über diesen Bragg-Spiegel eine Beschichtung zum Schutz gegen äußere Umwelteinflüsse mittels eines PECVD Verfahrens aufgebracht werden.

In einem nächsten Verfahrensschritt wird eine erste Ausnehmung 8 durch eine Öffnung 9 einer Maske 10 erzeugt (Figur 5). Die erste Ausnehmung 8 durchbricht in diesem Ausführungsbeispiel die weitere reflektierende Schichtenfolge 17, die Passivierungsschicht 16, die reflektierende Schichtenfolge 7, die transparente elektrisch leitende Schicht 13, die zweite Halbleiterschicht 5 und den aktiven Bereich 3 vollständig. Die erste Ausnehmung 8 erstreckt sich bis in die erste Halbleiterschicht 4 hinein. Die erste Ausnehmung 8 legt die erste Halbleiterschicht 4 frei, sodass eine Bodenfläche der ersten Ausnehmung 8a durch die erste Halbleiterschicht 4 gebildet ist. Eine Seitenfläche der ersten Ausnehmung 8b ist hier durch die weitere reflektierende Schichtenfolge 17, die Passivierungsschicht 16, die reflektierende Schichtenfolge 7, die transparente elektrisch leitende Schicht 13, die zweite Halbleiterschicht 5 und den aktiven Bereich 3 gebildet. Ein Durchmesser der ersten Ausnehmung 8 ist in diesem Ausführungsbeispiel wenigstens 3 Mikrometer und höchstens 6 Mikrometer groß.

Die so erzeugte Seitenfläche der ersten Ausnehmung 8b schließt mit der Haupterstreckungsebene der

Halbleiterschichtenfolge 2 einen Winkel kleiner 90° ein. In diesem Ausführungsbeispiel verjüngt sich ein Abstand in lateraler Richtung 21 zwischen zwei sich gegenüberliegenden Innenflächen der dielektrischen Spiegelschicht 8 zu der Halbleiterschichtenfolge 2 hin.

Die Maske 10 ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Fotolackmaske, die als positiver Fotolack ausgebildet ist. Weiterhin umfasst die Fotolackmaske die Öffnung 9. Die nicht von dem positiven Fotolack überdeckten Bereiche werden hier mittels eines Ätzprozesses, insbesondere eines Trockenätzprozesses beispielsweise durch induktiv gekoppeltes reaktives Plasma-Ionenätzen (englisch „inductively coupled plasma - reactive ion etching", kurz „ICP-RIE"), entfernt.

Die Bodenfläche der ersten Ausnehmung 8a und die Seitenfläche der ersten Ausnehmung 8b können nach dem Ätzprozess mittels Kaliumhydroxid bei einer Temperatur von 40 °C gereinigt werden.

Nachfolgend wird eine dielektrische Spiegelschicht 11 in der ersten Ausnehmung 8 durch dieselbe Öffnung 9 derselben Maske 10 aufgebracht. Die dielektrische Spiegelschicht 8 bedeckt die Seitenflächen der ersten Ausnehmung 8b und die Bodenflächen der ersten Ausnehmung 8a vollständig. Die erste Ausnehmung 8 ist hier nicht vollständig von der dielektrischen Spiegelschicht 11 gefüllt. In diesem Ausführungsbeispiel ist die dielektrische Spiegelschicht 11 durch SiOg gebildet. Die SiOg-Schicht wird hier durch einen PECVD-Prozess aufgebracht. Bei der „PECVD" wird die dielektrische Spiegelschicht unter Verwendung von Tetraethylorthosilikat (TEOS) hergestellt. Das TEOS ist hier die Quelle des Siliziums.

Die so erzeugte dielektrische Spiegelschicht 11 wird an der Bodenfläche der ersten Ausnehmung 8a derart entfernt, dass dort die erste Halbleiterschicht 4 freigelegt wird. Das Entfernen der dielektrischen Spiegelschicht 11 ist über ein anisotropes Ätzverfahren realisiert. Das anisotrope Ätzverfahren weist eine höhere Ätzrate in vertikaler Richtung 20 auf als in lateraler Richtung 21. Damit wird die dielektrische Spiegelschicht 11 im Bereich der Bodenfläche der ersten Ausnehmung 8a vollständig entfernt, während die dielektrische Spiegelschicht 11 auf der Seitenfläche der ersten Ausnehmung 8b verbleibt. Die dielektrische Spiegelschicht 11 weist nach dem Ätzprozess eine Dicke in lateraler Richtung 21 von in etwa 500 Nanometern auf.

Eine derartige dielektrische Spiegelschicht 11 ist nur in der ersten Ausnehmung 8 angeordnet und überragt die erste Ausnehmung 8 in Draufsicht in lateraler Richtung 21 nicht. In diesem Ausführungsbeispiel überlappen die reflektierende Schichtenfolge 7 und die dielektrische Spiegelschicht 11 in Draufsicht in lateraler Richtung 21 teilweise. Die reflektierende Schichtenfolge 7 und die dielektrische Spiegelschicht 11 überlappen hier in Draufsicht im Bereich einer Grenzfläche zwischen der reflektierenden Schichtenfolge 7 und der dielektrischen Spiegelschicht 11.

Weiterhin überragt die dielektrische Spiegelschicht 11 die reflektierende Schichtenfolge 7 in vertikaler Richtung 20.

Ein der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandter überragender Bereich der dielektrische Spiegelschicht 11 überlappt ebenfalls mit der reflektierenden Schichtenfolge 7 in Draufsicht.

Nachfolgend wird eine erste Kontaktschichtenfolge 12 in der ersten Ausnehmung 8 nach dem Entfernen der dielektrischen Spiegelschicht 11 durch dieselbe Öffnung 9 derselben Maske 10 erzeugt (Figur 6). Die erste Kontaktschichtenfolge 12 füllt die erste Ausnehmung 8 hier nicht vollständig. Die erste Kontaktschichtenfolge 12 bedeckt die dielektrische Spiegelschicht 11 vollständig. Weiterhin bedeckt die erste Kontaktschichtenfolge 12 die freigelegte

Halbleiterschichtenfolge 2, insbesondere die freigelegte erste Halbleiterschicht 4, vollständig.

Die erste Kontaktschichtenfolge 12 steht mit der freigelegten ersten Halbleiterschicht 4 in direktem Kontakt. Weiterhin steht die erste Kontaktschichtenfolge 12 in direktem elektrisch leitenden Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 4. Damit kann ein Strom durch die erste Kontaktschichtenfolge 12 in die erste Halbleiterschicht 4 eingeprägt werden.

In diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Kontaktschichtenfolge 12 durch folgende Schichtenabfolge gebildet, ausgehend von der dielektrischen Spiegelschicht:

Ti, Pt, Ag, ZnO. In diesem Fall bildet die ZnO-Schicht eine freiliegende Außenfläche der ersten metallischen Kontaktschichtenfolge . Diese freiliegende Außenfläche der ersten metallischen Kontaktschichtenfolge ist von außen kontaktierbar .

Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 7 umfasst dritte Ausnehmungen 19, die eine reflektierende Schichtenfolge 7 und einen aktiven Bereich 3 vollständig durchbrechen. Jede dritte Ausnehmung 19 ist in diesem Ausführungsbeispiel durch eine erste Ausnehmung 8 gebildet. Weiterhin sind in jeder der dritten Ausnehmungen 19 eine dielektrische Spiegelschicht 11 und eine erste Kontaktschichtenfolge 12 angeordnet.

Die dritten Ausnehmungen 19 sind in diesem Ausführungsbeispiel an ersten Gitterpunkten eines ersten Gitters angeordnet. Hier ist das erste Gitter ein regelmäßiges Vierecksgitter. Weiterhin sind zweite Ausnehmungen 14 an zweiten Gitterpunkten eines zweiten Gitters angeordnet. Auch das zweite Gitter ist ein regelmäßiges Vierecksgitter. Alternativ können das erste Gitter und das zweite Gitter auch andere Gitterformen aufweisen, wie beispielsweise ein Dreiecksgitter oder ein hexagonales Gitter.

In diesem Ausführungsbeispiel ist das erste Gitter lateral zu dem zweiten Gitter verschoben. Hierbei weisen die dritten Ausnehmungen 19 zu direkt benachbarten zweiten Ausnehmungen 14 einen Abstand von mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer auf. Weiterhin weisen direkt benachbarte dritte Ausnehmungen 19 einen Abstand von mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer auf. Auch direkt benachbarte zweite Ausnehmungen 14 weisen Abstand von mindestens 10 Mikrometer und höchstens 20 Mikrometer auf. Die dritten Ausnehmungen 19 weisen hier einen Durchmesser von in etwa 5 Mikrometer auf. Ein Durchmesser der zweiten Ausnehmungen 14 ist kleiner ausgebildet als der Durchmesser der dritten Ausnehmungen 19. Der Durchmesser der zweiten Ausnehmungen 14 ist in etwa 3 Mikrometer.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019121178.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren

Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen . Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der

Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugszeichenliste

1 strahlungsemittierender Halbleiterchip

2 Halbleiterschichtenfolge

3 aktiver Bereich

4 erste Halbleiterschicht

5 zweite Halbleiterschicht

6 Aufwachssubstrat

7 reflektierende Schichtenfolge

8 ersten Ausnehmung

8a Bodenfläche der ersten Ausnehmung 8b Seitenfläche der ersten Ausnehmung

9 Öffnung

10 Maske

11 dielektrische Spiegelschicht

12 erste Kontaktschichtenfolge

13 transparente elektrisch leitende Schicht

14 zweite Ausnehmung

14a Bodenfläche der zweiten Ausnehmung 14b Seitenfläche der zweiten Ausnehmung

15 zweite metallische Kontaktschichtenfolge

16 Passivierungsschicht

17 weitere reflektierende Schichtenfolge

18 metallische Zwischenschicht

19 dritte Ausnehmungen

20 vertikale Richtung

21 laterale Richtung