Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls.

Ein herkömmliches Halbleitermodul umfasst einen Träger, einen oder mehrere leitfä- hige Sektoren auf dem Träger und einen oder mehrere Halbleiterchips, die auf den Sektoren montiert sind. Der Träger kann ein Substrat mit doppelseitiger Kupferbe- schichtung (DBC-Substrat) oder ein isoliertes Metallsubstrat (IMS) umfassen oder daraus bestehen. Die Halbleiterchips können durch eine oder mehrere elektronische Komponenten gesteuert werden, um das Halbleitermodul, insbesondere die Halb- leiterchips, anzutreiben. Die Halbleiterchips können als Hochleistungs- und/oder Hochgeschwindigkeitsschaltvorrichtungen konfiguriert sein.

Bei einem herkömmlichen Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls wird eine elektrisch leitfähige Scheibe auf dem Träger angeordnet und die Scheibe wird bei ei- ner hohen Temperatur gegen den Träger gedrückt, sodass die Scheibe nach dem Ausüben des entsprechenden Drucks an dem Träger befestigt ist. Nach diesem Be- festigungsschritt wird die Scheibe so geätzt, dass die Scheibe in Sektoren getrennt wird, auf denen die Halbleiterchips angeordnet werden, wobei die Sektoren elektrisch voneinander isoliert sind und wobei die Sektoren in einem gegebenen Abstand von- einander angeordnet sind.

In Bezug auf die Halbleiterchips ist es vorteilhaft, eine dicke Scheibe als Auflage für die Halbleiterchips zu haben, da die dicke Scheibe zu einer guten Wärmeableitung weg von den Halbleiterchips beiträgt. Durch das Ätzen der dicken Scheibe werden jedoch Lücken zwischen den Sektoren gebildet, wobei jede der Lücken eine trapez- förmige Form aufweist, wobei sich die lange Seite des entsprechenden Trapezes auf der von dem Träger abgewandten Seite befindet und wobei die Länge mit einer zu- nehmenden Dicke der Scheibe zunimmt. Tatsächlich sind die Abstände zwischen den Sektoren, die durch das Ätzen aus der dicken Scheibe gebildet werden, relativ groß im Vergleich zu den entsprechenden Abständen, die durch das Ätzen einer dünnen Scheibe erzeugt werden. Was dazu führt, dass eine Größe des Halbleitermo- duls, das eine dicke Scheibe aufweist, relativ groß wird im Vergleich zu dem Halb- leitermodul, das die dünne Scheibe aufweist. Von daher muss der Fachmann einen Kompromiss finden zwischen einer guten Wärmeableitung, die von der dicken Scheibe bereitgestellt wird, und einem relativ kleinen Halbleitermodul.

KR 10-2017-060523 A zeigt ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls, bei dem Sektoren eines Substrats des Halbleitermoduls teilweise voneinander getrennt werden, wobei die Sektoren zunächst über Brücken miteinander verbunden bleiben. Die Brücken erstrecken sich von einer Seite des Substrats zu einer anderen Seite des Substrats und zwischen den Brücken sind die Sektoren vollständig voneinander getrennt.

KR 10-2020-077156 A zeigt ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls, bei dem Sektoren eines Substrats des Halbleitermoduls vollständig voneinander getrennt werden.

Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls bereitzustellen, das mindestens einen Halbleiterchip umfasst, der es ermöglicht, ein sehr kompaktes Halbleitermodul bereitzustellen, und das dazu bei- trägt, dass die Wärme während des Betriebs des Halbleitermoduls auf angemessene Weise von dem Halbleiterchip abgeleitet wird.

Das Ziel wird durch den Gegenstand des unabhängigen Anspruchs erreicht. Vorteil- hafte Ausführungsformen werden in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Ein Aspekt bezieht sich auf ein Verfahren zum Bilden eines Halbleitermoduls, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen einer elektrisch leitfähi- gen ersten Scheibe; Bilden mindestens einer Kerbe in einer ersten Seite der

Scheibe, sodass die Kerbe die erste Scheibe teilweise in einen ersten Sektor und ei- nen zweiten Sektor unterteilt und sodass ein Bodenabschnitt der Kerbe, der nicht entfernt wird, wenn die Kerbe gebildet wird, den ersten und den zweiten Sektor ver- bindet; Anordnen der ersten Scheibe mit der Kerbe auf einer elektrisch isolierenden zweiten Scheibe, sodass die erste Seite mit der Kerbe der zweiten Scheibe zuge- wandt ist; Anordnen der Scheiben in einer Presse und Ausüben eines Drucks durch die Presse auf die Scheiben in einer Richtung senkrecht zu den Scheiben, sodass die Scheiben durch den Druck aneinander befestigt werden; Entfernen der Scheiben aus der Presse; Trennen des ersten Sektors von dem zweiten Sektor, sodass der erste Sektor von dem zweiten Sektor elektrisch isoliert und beabstandet ist; und An- ordnen mindestens eines Halbleiterchips auf dem zweiten Sektor und elektrisches Verbinden des Halbleiterchips mit dem ersten Sektor.

Das Bilden der Kerbe in der ersten Scheibe vor dem Ätzschritt trägt dazu bei, dass die Lücke, die der Kerbe entspricht, nach dem Ätzen relativ klein ist im Vergleich zu den Lücken, die aus dem Stand der Technik bekannt sind, und dass ein Abstand zwi- schen den Sektoren über die gesamte Höhe der Kerbe relativ konstant ist. Zum Bei- spiel kann ein Querschnitt der Kerbe nach dem Ätzen relativ nahe an einem Recht- eck anstat eines Trapezes sein, wie es in dem Stand der Technik bereitgestellt wird. Dies ermöglicht es, eine sehr dicke erste Scheibe bereitzustellen, und ermöglicht dadurch eine sehr gute Wärmeableitung weg von dem Halbleiterchip, während es auch ermöglicht wird, ein sehr kompaktes Halbleitermodul bereitzustellen.

Die Kerbe kann durch ein Sägen gebildet werden. Vor dem obigen Pressschritt sind der erste und der zweite Sektor durch einen Teil der ersten Scheibe miteinander ver- bunden, der nicht entfernt wird, wenn die Kerbe gebildet wird. Insbesondere kann ein Bodenabschnitt der Kerbe den ersten und den zweiten Sektor verbinden, bevor der erste und der zweite Sektor vollständig voneinander getrennt werden. Der Press- schritt kann bei einer hohen Temperatur ausgeführt werden. Nach dem Pressschritt können der erste und der zweite Sektor fest mit der zweiten Scheibe verbunden sein. Danach, wenn der erste und der zweite Sektor vollständig voneinander getrennt sind, kann der erste Sektor über die zweite Scheibe indirekt mit dem zweiten Sektor ver- bunden werden. Die erste und die zweite Scheibe können Schichten einer DBC oder einer IMS sein.

Der Halbleiterchip kann drei oder mehr elektrische Kontakte, z.B. einen Drain, eine

Source und ein Gate umfassen. Der Drain kann zum Beispiel an einer Unterseite des Halbleiterchips angeordnet sein, sodass der Drain mit dem zweiten Sektor elektrisch verbunden wird, wenn der Halbleiterchip auf dem zweiten Sektor angeordnet wird. Die Source und das Gate können an der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet werden, sodass sie von dem zweiten Sektor abgewandt sind. Bei dieser Ausfüh- rungsform können die Source und/oder das Gate z.B. durch zwei oder mehr Draht- bondverbindungen mit dem ersten Sektor verbunden sein. Alternativ kann die Source an der Unterseite des Halbleiterchips angeordnet sein und der Drain kann an der Oberseite des Halbleiterchips angeordnet sein. Alternativ können alle elektrischen Kontakte des Halbleiterchips an der Oberseite angeordnet sein. Der Halbleiterchip kann ein Hochleistungshalbleiterchip sein. Der Halbleiterchip kann zum Beispiel kon- figuriert sein, um Ströme von mehr als 10 A zu bewältigen.

Gemäß einer Ausführungsform wirt der erste Sektor durch ein Ätzen von dem zwei- ten Sektor getrennt. Das Ätzen kann zu einer genauen Trennung des ersten Sektors von dem zweiten Sektor beitragen. Bei diesem Ätzschrit wird ein Teil der ersten Scheibe, der den ersten Sektor mit dem zweiten Sektor verbindet, d.h. der Bodenab- schnitt der Kerbe, entfernt.

Gemäß einer Ausführungsform wird der erste Sektor durch ein Ätzen von dem zwei- ten Sektor so getrennt, dass eine Ätzchemikalie während des Ätzens in die Kerbe eindringt und den Bodenabschnit der Kerbe entfernt. Bei dieser Ausführungsform muss die Ätzchemikalie nicht nur das Material der ersten Scheibe von einer zweiten Seite der ersten Scheibe aus auflösen, wobei die zweite Seite von der zweiten Scheibe abgewandt ist, sondern auch von der ersten Seite aus durch die Kerbe. In anderen Worten wird der Boden der Kerbe von beiden Seiten der ersten Scheibe aus, d.h. der ersten und der zweiten Seite, entfernt. Dies stellt ein doppelseitiges Ät- zen dar, was zu einer sehr schnellen Trennung des ersten Sektors von dem zweiten Sektor und zu einer sehr kleinen Lücke zwischen den Sektoren beiträgt.

Gemäß einer Ausführungsform wird der erste Sektor von dem zweiten Sektor ge- trennt, indem so geätzt wird, dass die Ätzchemikalie während des Atzens in die Kerbe eindringt, den Bodenabschnitt der Kerbe entfernt und dadurch den ersten Sek- tor von der ersten Seite der ersten Scheibe und von der zweiten Seite der ersten Scheibe aus, die von der zweiten Scheibe abgewandt ist, von dem zweiten Sektor trennt. Dies stellt das doppelseitige Ätzen dar, was zu der sehr schnellen Trennung des ersten Sektors von dem zweiten Sektor beiträgt

Gemäß einer Ausführungsform wird die Kerbe durch ein Sägen gebildet. Insbeson- dere kann die Kerbe vor dem Pressschritt durch ein Sägen gebildet werden. Die Kerbe kann durch ein Sägen von der ersten Seite aus so gebildet werden, dass die Kerbe die erste Scheibe teilweise in den ersten Sektor und den zweiten Sektor trennt. „Teilweise“ kann in diesem Zusammenhang bedeuten, dass der Bodenab- schnitt der Kerbe noch vorhanden sein kann und den ersten und den zweiten Sektor miteinander verbinden kann.

Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Scheibe eine Dicke zwischen 0,1 mm und 10 mm, zum Beispiel zwischen 0,5 mm und 5 mm auf. Diese Dicke kann relativ groß sein im Vergleich zu Halbleitermoduten, die aus dem Stand der Technik be- kannt sind, und sie kann zu einer sehr guten Wärmeableitung von dem Halbleiterchip weg beitragen.

Gemäß einer Ausführungsform weist die zweite Scheibe eine Wärmeleitfähigkeit zwi- schen 1 W/(m K) und 100 W/(m-K), zum Beispiel zwischen 10 W/(m-K) und 50 W/(m-K) auf. Alternativ oder zusätzlich weist die zweite Scheibe 26 eine Durch- bruchspannung zwischen 1 kV-DC und 10 kV-DC, zum Beispiel zwischen 4 kV-DC und 6 kV-DC auf.

Gemäß einer Ausführungsform liegt ein maximaler Druck, der von der Presse bereit- gestellt wird, zwischen 0,5 MPa und 50 MPa, zum Beispiel zwischen 1 MPa und 20 MPa. Alternativ oder zusätzlich liegt eine maximale Temperatur während des Pressens zwischen 60° C und 500° C, zum Beispiel zwischen 100° C und 250° C.

Die Temperatur kann durch die Presse oder durch eine separate Heizvorrichtung be- reitgestellt werden.

Gemäß einer Ausführungsform wird vor dem Anordnen der ersten Scheibe mit der ersten Kerbe auf der zweiten Scheibe mindestens eine weitere Kerbe in der ersten Seite der ersten Scheibe gebildet, sodass die weitere Kerbe einen dritten Sektor der ersten Scheibe von dem ersten Sektor und dem zweiten Sektor trennt und sodass ein Bodenabschnitt der weiteren Kerbe, der nicht entfernt wird, wenn die weitere Kerbe gebildet wird, den dritten Sektor mit dem ersten und/oder zweiten Sektor ver- bindet. Optional können eine oder mehrere weitere Kerben vor dem Pressschrit, ins- besondere durch ein Sägen, bereitgestellt werden, sodass entsprechend mehr Sek- toren der ersten Scheibe definiert und gebildet werden.

Gemäß einer Ausführungsform wird der dritte Sektor während des Ätzschrits von dem ersten und dem zweiten Sektor getrennt. Wenn weitere Kerben und entspre- chend mehr Sektoren vorhanden sind, werden diese Sektoren auch während des Ätzschritts von dem ersten und dem zweiten Sektor getrennt.

Gemäß einer Ausführungsform wird der drite Sektor während des Ätzschrits von dem ersten und dem zweiten Sektor so getrennt, dass die Ätzchemikalie in die wei- tere Kerbe eindringt und den Bodenabschnitt der weiteren Kerbe entfernt. Wenn wei- tere Kerben vorhanden sind, kann die Ätzchemikalie auch in die weiteren Kerben ein- dringen. Dies kann ein doppelseitiges Ätzen der weiteren Kerben darstellen.

Gemäß einer Ausführungsform wird der drite Sektor während des Ätzschritts von dem ersten und dem zweiten Sektor getrennt, indem so geätzt wird, dass die Ätzche- mikalie in die weitere Kerbe eindringt, den Bodenabschnitt der weiteren Kerbe ent- fernt und dadurch den dritten Sektor von der ersten Seite der ersten Scheibe und von einer zweiten Seite der ersten Scheibe aus, die von der zweiten Scheibe abgewandt ist, von dem ersten und dem zweiten Sektor trennt. Dies kann zu einer sehr schnel- len T rennung der Sektoren voneinander beitragen.

Gemäß einer Ausführungsform ist mindestens ein weiterer Halbleiterchip auf dem zweiten Sektor angeordnet und ist mit dem dritten Sektor elektrisch verbunden. Der weitere Halbleiterchip kann drei oder mehr weitere elektrische Kontakte, z.B. einen Drain, eine Source und ein Gate umfassen. Der Drain kann zum Beispiel an einer Unterseite des weiteren Halbleiterchips angeordnet sein, sodass der Drain mit der ersten Scheibe elektrisch verbunden wird, wenn der Halbleiterchip auf dem zweiten Sektor angeordnet wird. Die Source und das Gate können an der Oberseite des wei- teren Halbleiterchips angeordnet werden, sodass sie von dem zweiten Sektor abge- wandt sind. Bei dieser Ausführungsform können die Source und/oder das Gate z.B. durch zwei oder mehr Drahtbondverbindungen mit dem driten Sektor verbunden sein. Alternativ kann die Source an der Unterseite des weiteren Halbleiterchips ange- ordnet sein und der Drain kann an der Oberseite des weiteren Halbleiterchips ange- ordnet sein. Alternativ können alle elektrischen Kontakte des weiteren Halbleiterchips an der Oberseite angeordnet sein.

Gemäß einer Ausführungsform kann die erste Scheibe und/oder die zweite Scheibe Kupfer umfassen oder daraus gefertigt sein.

Bevor die Scheiben in der Presse angeordnet werden, können die erste Scheibe und die zweite Scheibe gemäß einer Ausführungsform auf einer elektrisch leitfähigen drit- ten Scheibe angeordnet werden, sodass die zweite Scheibe zwischen der ersten Scheibe und der dritten Scheibe eingeklemmt wird, und wobei die dritte Scheibe mit der ersten und der zweiten Scheibe in der Presse angeordnet wird. Die dritte Scheibe kann als eine Wärmesenke und/oder ein Kühlkörper funktionieren. Die erste, die zweite und die dritte Scheibe können eine DBC bilden.

Diese und weitere Aspekte werden aus den nachfolgend beschriebenen Ausfüh- rungsformen offensichtlich und in Bezug auf diese erläutert. Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefüg- ten Zeichnungen ausführlicher beschrieben.

Fig. 1 zeigt eine Seitenansicht einer beispielhaften Ausführungsform einer elektrisch leitfähigen ersten Scheibe eines Halbleitermoduls.

Fig. 2 zeigt eine Seitenansicht der ersten Scheibe, die auf einer zweiten Scheibe an- geordnet ist.

Fig. 3 zeigt die Scheiben, wenn sie in einer Presse angeordnet sind. Fig. 4 zeigt eine Seitenansicht einer Fotolackschicht auf den gepressten Scheiben.

Fig. 5 zeigt eine Seitenansicht der Scheiben nach einem Ätzschrit.

Fig. 6 zeigt eine Seitenansicht einer beispielhaften Ausführungsform des Halbleiter- moduls.

Die in den Zeichnungen verwendeten Bezugszeichen und ihre Bedeutungen sind in einer übersichtlichen Form in der Bezugszeichenliste aufgelistet. Im Prinzip werden in den Figuren gleiche Bauteile mit dem gleichen Bezugszeichen bereitgestellt.

Die Figuren 1 bis 6 zeigen unterschiedliche Zustände eines Halbleitermoduls 70 (siehe Fig. 6) während eines Verfahrens zum Bilden des Halbleitermoduls 70. Außer- dem werden die Figuren 1 bis 6 verwendet, um die verschiedenen Schritte des Ver- fahrens zu beschreiben. Das Halbteitermodul 70 kann ein Halbbrückenmodul und/oder ein Leistungsmodul sein oder als eines derselben verwendet werden.

Fig. 1 zeigt eine Seitenansicht einer beispielhaften Ausführungsform einer elektrisch leitfähigen ersten Scheibe 20 des Halbleitermoduls 70. Die erste Scheibe 20 umfasst eine erste Seite 22 und eine zweite Seite 24. In der ersten Seite 22 der ersten Scheibe 20 wird mindestens eine Kerbe, z.B. eine erste Kerbe 30 und eine zweite Kerbe 32 gebildet. Die Kerben 30, 32 können so gebildet werden, dass die erste Kerbe 30 die erste Scheibe 20 teilweise in einen ersten Sektor 50 und einen zweiten Sektor 52 trennt und dass die zweite Kerbe 32 einen driten Sektor 54 der ersten Scheibe 20 von dem ersten Sektor 50 und dem zweiten Sektor 52 trennt. Der erste und der zweite Sektor sind noch durch einen Teil der ersten Scheibe 20 miteinander verbunden, der nicht entfernt wird, wenn die Kerben 30, 32 gebildet werden. Insbe- sondere verbinden die Bodenabschnite der Kerben 30, 32 noch immer die Sektoren 50, 52, 54 miteinander. Die Kerben 30, 32 können durch ein Sägen gebildet werden. Die erste Scheibe 20 kann eine Dicke zwischen 0,1 mm und 10 mm, zum Beispiel zwischen 0,5 mm und 5 mm aufweisen. Fig. 2 zeigt eine Seitenansicht der ersten Scheibe 20, die auf einer zweiten Scheibe 26 angeordnet ist. Die zweite Scheibe 26 kann elektrisch isolierende Eigenschaften aufweisen und/oder kann durch ein Harz und/oder ein dielektrisches Material gebildet sein. Die zweite Scheibe 26 kann eine Wärmeleitfähigkeit zwischen 1 W/(m-K) und 100 W/(m-K), zum Beispiel zwischen 10 W/(m K) und 50 W/(m-K) aufweisen. Die zweite Scheibe 26 kann eine Durchbruchspannung zwischen 1 kV-DC und 10 kV- DC, zum Beispiel zwischen 4 kV-DC und 6 kV-DC aufweisen.

Die erste Scheibe 20 mit den Kerben 30, 32 kann auf der elektrisch isolierenden zweiten Scheibe 26 so angeordnet sein, dass die erste Seite 22 der ersten Scheibe 20 und/oder die Kerben 30, 32 der zweiten Scheibe 26 zugewandt sein können. Opti- onal kann eine dünne Schicht eines thermisch leitfähigen Klebstoffs oder eines Wär- meleitmaterials (Thermal Interface Material, TIM) zwischen der ersten und der zwei- ten Scheibe 20, 26 angeordnet sein. Die erste und die zweite Scheibe 20, 26 können eine IMS bilden.

Die zweite Scheibe 26 kann optional auf einer elektrisch leitfähigen dritten Scheibe 28 angeordnet sein. Die dritte Scheibe 28 kann eine Wärmesenke bereitstellen. Opti- onal kann eine dünne Schicht eines thermisch leitfähigen Klebstoffs oder eines Wär- meleitmaterials (Thermal Interface Material, TIM) zwischen der driten und der zwei- ten Scheibe 28, 26 angeordnet sein. Die Scheiben 20, 26, 28 können eine DBC bil- den.

Fig. 3 zeigt die Scheiben 20, 26, 28, wenn sie in einer Presse 40 angeordnet sind. Auf die Scheiben 20, 26, 28 wird durch die Presse 40 ein Druck in einer Richtung senkrecht zu den Scheiben 20, 26, 28, insbesondere senkrecht zu den Hauptflächen der Scheiben 20, 26, 28 ausgeübt, sodass die Scheiben 20, 26, 28 durch den Druck aneinander befestigt werden. Außerdem kann eine Temperatur durch die Presse 40 oder eine separate (nicht gezeigte) Heizvorrichtung erhöht werden, sodass die Schei- ben 20, 26, 28 bei einer hohen Temperatur aneinandergepresst werden.

Ein maximaler Druck, der von der Presse 40 während des Pressschrits bereitgestellt wird, kann zwischen 0,5 MPa und 50 MPa, zum Beispiel zwischen 1 MPa und 20 MPa liegen. Eine maximale Temperatur während des Pressschritts kann zwischen 10° C und 500° C, zum Beispiel zwischen 100° C und 250° C liegen.

Nach dem Pressschritt können die erste Scheibe 20, insbesondere die Sektoren 50, 52, 54 fest mit der zweiten Scheibe 26 verbunden sein und in dem Fall, dass die dritte Scheibe 28 bereitgestellt wird, kann die zweite Scheibe 26 fest mit der dritten Scheibe 28 verbunden sein.

Fig. 4 zeigt eine Seitenansicht einer Fotolackschicht 56 auf den gepressten Scheiben 20, 26, 28. Insbesondere können die Scheiben 20, 26, 28 nach dem Befestigen der ersten und der zweiten Scheibe 20, 26 und optional der driten Scheibe 28 aneinan- der aus der Presse 40 entfernt werden. Danach kann die Fotolackschicht 56 insbe- sondere eine strukturierte Schicht des Fotolacks für das Ätzen der ersten Scheibe 20 auf der zweiten Seite 24 der ersten Scheibe 20, d.h. auf einer Rückseite des ersten, des zweiten und/oder des dritten Sektors 50, 52, 54 bereitgestellt werden. Alternativ kann die Fotolackschicht 56 bereits vor dem obigen Pressschrit auf der zweiten Seite 24 der ersten Scheibe 20 angeordnet werden. Die Fotolackschicht 56 kann so strukturiert sein, dass die Lücken der Fotolackschicht 56 die Kerben 30, 32 überla- gern, wenn die Scheiben 20, 26, 28 in einer Draufsicht betrachtet werden. In anderen Worten sind die Lücken der Fotolackschicht 56 direkt und/oder vertikal über den Ker- ben 30, 32 angeordnet.

Fig. 5 zeigt eine Seitenansicht der Scheiben 20, 26, 28 nach einem Ätzschrit. Wäh- rend des Ätzschritts wird die erste Scheibe 24 in den ersten Sektor 50 und den zwei- ten Sektor 52 und optional in den dritten Sektor 54 vollständig unterteilt, sodass der erste Sektor 50 durch die erste Lücke 58 von dem zweiten Sektor 52 elektrisch iso- liert und beabstandet ist und dass der zweite Sektor 52 durch eine zweite Lücke 59 von dem driten Sektor 54 elektrisch isoliert und beabstandet ist. Auf diese Weise können die Lücken 58, 59 zwischen den Sektoren 50, 52, 54 durch ein Ätzen, insbe- sondere durch einen Ätzschrit gebildet werden. Die erste Lücke 58 kann aus der ers- ten Kerbe 30 gebildet werden und die zweite Lücke 59 kann aus der zweiten Kerbe 32 gebildet werden. In anderen Worten können die Kerben 30, 32 in Richtung auf die zweite Scheibe 26 ausgedehnt werden, sodass die entsprechenden Lücken 58, 59 gebildet werden.

Die Kerben 30, 32 können so gebildet werden, dass die Ätzchemikalie während des Ätzschrits in die Kerben 30, 32 eindringen kann. Dadurch kann die Ätzchemikalie die Sektoren 50, 52, 54 von der ersten Seite 22 der ersten Scheibe 20 und von der zwei- ten Seite 24 der ersten Scheibe 20 aus voneinander trennen. Dies stellt ein doppel- seitiges Ätzen dar.

Fig. 6 zeigt eine Seitenansicht einer beispielhaften Ausführungsform des Halbleiter- moduls 70. Das Halbleitermodul 70 kann nach dem Ätzschrit fertiggestellt werden. Insbesondere können ein erster Halbleiterchip 60 und optional ein zweiter Halbleiter- chip 62 auf dem zweiten Sektor 52 angeordnet werden. Wenn die Halbleiterchips 60, 62 auf dem zweiten Sektor 52 angeordnet werden, können die Halbleiterchips 60, 62, z.B. durch (nicht gezeigte) elektrische Kontakte der Halbleiterchips 60, 62 an einer Unterseite der entsprechenden Halbleiterchips 60, 62, mit dem zweiten Sektor 52 elektrisch verbunden werden. Die elektrischen Kontakte an den Unterseiten der Halb- leiterchips 60, 62 können zum Beispiel Drains der entsprechenden Halbleiterchips 60, 62 sein. Außerdem kann ein weiterer elektrischer Kontakt des ersten Halbleiter- chips 60, z.B. eine Source des ersten Halbleiterchips 60, durch z.B. eine Drahtbond- verbindung 68 mit dem ersten Sektor 50 elektrisch verbunden werden. Außerdem kann ein elektrischer Kontakt des ersten Halbleiterchips 60, z.B. die Source des ers- ten Halbleiterchips 60, z.B. durch eine weitere Drahtbondverbindung 68 mit dem zweiten Halbleiterchip 60, 62 elektrisch verbunden werden. Darüber hinaus kann ein elektrischer Kontakt des zweiten Halbleiterchips 60, z.B. die Source des zweiten Halbleiterchips 62, z.B. durch eine weitere Drahtbondverbindung 68 mit dem dritten Sektor 54 elektrisch verbunden werden. Alternativ oder zusätzlich können Gates der Halbleiterchips 60, 62 mit einem oder mehreren der Sektoren 50, 52, 54 elektrisch verbunden werden.

Mindestens einer der Haibieiterchips 60, 62 kann ein Hochleistungshalbleiterchip sein. Der Hochleistungshalbleiterchip kann zum Verarbeiten von hohen Spannungen von zum Beispiel mehr als 100 V und/oder von hohen Strömen von zum Beispiel mehr als 10 A konfiguriert sein. Die Halbleiterchips 60, 62 können SiC, GaN oder GaO umfassen. Die Halbleiterchips 24, 26 können Transistoren, z.B. FWDs, IGBTs und/oder MOSFETs sein.

Optional können ein oder mehrere elektrisch leitfähige Kontaktstifte 66 auf der ersten Scheibe 20 insbesondere auf dem ersten und/oder dem driten Sektor 50, 54 ange- ordnet werden. Die Kontaktstifte 66 können für ein mechanisches und/oder elektri- sches Verbinden des Halbleitermoduls 70 mit einer externen Vorrichtung, z.B. einem (nicht gezeigten) Treiber oder einer (nicht gezeigten) Treiberplatine, bereitgestellt werden. Das Halbleitermodul 70 und die Treiberplatine können ein Leistungsmodul bilden. Die Treiberplatine kann eine oder mehrere elektronische Komponenten zum Antreiben der Halbleiterchips 60, 62 umfassen. Die elektronischen Komponenten können über eine oder mehrere elektrische Leitungen der Treiberplatine und über die Kontaktstifte 66 mit den Halbleiterchips 60, 62 verbunden sein.

Optional kann das Halbleitermodul 70, z.B. durch ein Gießen in einen (nicht gezeig- ten) Gussformkörper eingebettet werden. Auf den Gussformkörper kann als ein Ge- häuse des Halbleitermoduls 70 Bezug genommen werden.

Obwohl die Erfindung in den Zeichnungen und der vorangehenden Beschreibung ausführlich dargestellt und beschrieben wurde, sind diese Darstellung und Beschrei- bung nur als veranschaulichend oder beispielhaft, aber nicht als einschränkend zu betrachten. Insbesondere ist die Erfindung nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt. Zum Beispiel können mehr oder weniger Halbleiterchips 60, 62, Schei- ben 20, 26, 28, insbesondere Sektoren 50, 52, 54, entsprechende Kerben 30, 32 und/oder Lücken 58, 59 und/oder entsprechende Drahtbondverbindungen 68 vorhan- den sein. Weitere Variationen der offenbarten Ausführungsformen sind für den Fach- mann selbstverständlich und können von ihm ausgeführt werden, und er kann die be- anspruchte Erfindung durch ein Studium der Zeichnungen, der Offenbarung und der angefügten Ansprüche in die Praxis umsetzen.

In den Ansprüchen schließt das Wort „umfassen“ keine weiteren Elemente aus und der unbestimmte Artikel „ein“, „eine“ oder „einer" schließt eine Mehrzahl nicht aus. Die reine Tatsache, dass bestimmte Maßnahmen in voneinander unterschiedlichen Unteranspriichen wiedergegeben werden, bedeutet nicht, dass eine Kombination dieser Maßnahmen nicht vorteilhaft verwendet werden kann. Alle Bezugszeichen in den Ansprüchen sind nicht als eine Einschränkung des Umfangs der Erfindung aus- zulegen.

erste Scheibe erste Seite zweite Seite zweite Scheibe dritte Scheibe erste Kerbe zweite Kerbe

Presse oberes Werkzeug unteres Werkzeug erster Sektor zweiter Sektor dritter Sektor Fotolackschicht erste Lücke zweite Lücke erster Halbleiterchip zweiter Halbleiterchip Kontaktstift

Drahtbondverbindung Halbleitermodul