Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Mehrschichtsystems unter Einsatz von eigeninterferenzfähiger Bearbeitungsstrahlung einer Wellenlänge, für die mindestens eine Schicht des Mehrschichtsystems partiell durchlässig ist.

Stand der Technik

Die Mikrobearbeitung mit Lasern hat sich insbesondere bei Applikationen durchsetzen können, bei denen die hohe Präzision des Abtrags ein notwendiges Kriterium darstellt.

Mit der Verwendung immer kürzerer Pulsdauern kann die Präzision des Abtrags deutlich verbessert und die Schädigung des umliegenden

Materials weiter verringert werden. Dabei steigen die Kosten für ein

Lasersystem mit der Verkürzung der Pulsdauer von Nano- über Pico- bis zu Femtosekunden massiv an. Aus diesem Grund ist die Anzahl

industrieller Applikationen für Pikosekundenlaser noch überschaubar und für Femtosekundenläser minimal.

Ein weiterer Ansatz zur Verringerung der Schädigung umliegenden

Materials wird über eine Anpassung der Wellenlänge des Lasers erreicht. Zum einen steigt mit einer Verkürzung der Wellenlänge bei vielen

Materialien die Absorption an, wodurch gleichzeitig die optische Eindring- tiefe reduziert wird. Das heißt, die Laserpulsenergie wird in einem kleineren Volumen oberflächennah deponiert, wodurch kleinere Abtragstiefen realisiert werden können. Zum anderen kann bei Mehrschichtsystemen, wie z. B. bei Solarzellen, in der Mikroelektronik oder der Bildschirmtechnik oft eine Laserwellenlänge gewählt werden, die stärker in der gewünschten Schicht absorbiert wird und durch andere Schichten transmittiert.

Auch bei der Wellenlänge steigt für Mikrobearbeitungslaser mit guter Strahlqualität der Preis deutlich mit der Verringerung der Wellenlänge an. Da diese meist über Frequenzkonversion erzeugt wird, sind zusätzlich die verfügbaren mittleren Leistungen und Pulsenergien bei grünen oder UV- Lasern deutlich geringer als bei IR-Lasern.

Sehr sensible Prozesse wie z.B. der selektive Schichtabtrag bei organischen Solarzellen stellen selbst mit sehr teuren Ultrakurzpulslasern noch eine große Herausforderung dar.

Bereits in der Vergangenheit wurden für die Bearbeitung von Mehrschichtsystemen mit Laserstrahlung Betrachtungen hinsichtlich der Bedeutung von Interferenz der von verschiedenen Oberflächen des Mehrschichtsystems reflektierten Strahlung angestellt. Derartige Betrachtungen finden sich etwa in der US 2002/0094008, der US 2002/0162973, der US 2005/0212906 oder der US 2008/0173473.

Offenbarung der Erfindung Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 vorgeschlagen, und gemäß einem relativ unabhängigen zweiten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 2 vorgeschlagen. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens gemäß dem ersten und/oder zweiten Aspekt sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Die Erfindung geht von der Überlegung aus, dass neben den weiter oben erwähnten Prozessvariablen bei der Bearbeitung von Mehrschichtsystemen mittels energiereicher Strahlung die Verfügbarkeit einer zusätzlichen Prozessvariablen wünschenswert ist. Mit der Erfindung wird eine Möglich- keit eröffnet, neben der gezielten Vorgabe der mittleren Leistung (bzw., bei gepulster Laserstrahlung, der Impulsdauer oder dem Aspektverhältnis) und der Wellenlänge bzw. dem Wellenlängenspektrum der Bearbeitungsstrahlung und gegebenenfalls deren Einschalt- bzw. Einstrahlwinkel die Strahlungsenergie gezielter und selektiver in ausgewählten Schichten des Systems zu deponieren.

Betrachtet man allgemein ein Schichtsystem, in dem die abzutragende Schicht eine Dicke in der Größenordnung der Laserwellenlänge aufweist, so kann die Interferenzbedingung wie folgt formuliert werden:

2 · n · d = -

2 wobei n der Brechungsindex der Schicht, d die Schichtdicke und λ die Laserwellenlänge darstellt. Diese Gleichung beschreibt die destruktive Interferenz der direkt reflektierten Strahlung mit der Strahlung, die einmal durch die Schicht transmittiert ist und an der nächsten Grenzschicht wieder zurückreflektiert wird.

Die Einhaltung der Interferenzbedingung sorgt dafür, dass die reflektier- ten Strahlen destruktiv interferieren. Dadurch verbleibt diese Energie in der Schicht. Damit steht ein größerer Anteil der Pulsenergie zur Modifikation dieser Schicht zur Verfügung. Ebenso ist es bei einem Mehrschichtsystem möglich, durch positive Interferenz der reflektierten Strahlen in einer Schicht mehr Energie in die darüber liegende Schicht zurück- zureflektieren. Durch eine geschickte Kombination von positiver und negativer Interferenz an übereinander liegenden Schichten kann mithin die Energiedeposition in der gewünschten Schicht stark vergrößert werden, bei gleichzeitiger Minimierung der Energiedeposition in der anderen Schicht. Damit kann z. B. eine Schicht besser abgetragen werden, wobei gleichzeitig eine angrenzende Schicht weniger oder gar nicht geschädigt wird.

Bei einer ersten Ausführung liegt die erste Schicht, bezogen auf die Einstrahlrichtung der Bearbeitungsstrahlung, über der zweiten Schicht. Die Ausführung der Erfindung ist jedoch auch bei Mehrschichtsystemen möglich, die mit mehr als einer ersten Schicht, die zur Ausbildung destruktiver Interferenz bemessen ist, und/oder mehr als einer zweiten Schicht, die zur Ausbildung konstruktiver Interferenz bemessen ist, aufgebaut sind. Hierbei kann also auch eine Schicht vom ersten Typ (wiederum bezogen auf die Einstrahlrichtung) unter einer Schicht vom zweiten Typ liegen und das Verfahren gleichwohl erfindungsgemäß ausgeführt werden.

In einer weiteren Ausführung erfolgt die Verfahrensführung derart, dass dann bei vorgegebener Wellenlänge und Intensität (Fluenz und Pulsdauer) für die vorbestimmten Einfallswinkel der Bearbeitungsstrahlung die erste Schicht mit einer zur Ausbildung destruktiver Interferenz geeigneter Dicke und/oder die zweite Schicht mit einer zur Ausbildung konstruktiver Interferenz geeigneten Dicke erzeugt wird. Mit anderen Worten wird also das Parameter-Ensemble der Bearbeitungsstrahlung als gegeben und für eine bestimmte Mehrschichtstruktur grundsätzlich geeignet angesehen, und wird die Schichtdicke bestimmter Schichten bei deren Erzeugung gezielt eingestellt.

Speziell wird auch, in weiteren Ausführungen, eine im Wesentlichen senkrechte Einstrahlung des Bearbeitungsstrahls auf die Oberfläche des Schichtsystems als zweckmäßig vorgewählt. Unter„im Wesentlichen senkrecht" werden hierbei Einstrahlungen verstanden, bei denen die erfindungsgemäß ausgenutzten Effekte der destruktiven und/oder konstruktiven Interferenz hinreichend wirksam auftreten. In Abhängigkeit von den konkreten Bestrahlungsparametern kommen gegebenenfalls auch deutlich unter 90° liegende Einstrahlwinkel in Betracht.

In einer aus derzeitiger Sicht wichtigen Applikation des Verfahrens handelt es sich bei der Mehrschichtstruktur um diejenige einer Solarzelle, insbesondere einer Dünnschicht-Solarzelle, z. B. organischen Solarzelle o.ä. Hierbei kann speziell vorgesehen sein, dass als eine„erste Schicht" (im Sinne der obigen Bezeichnungen) eine Absorberschicht oder eine leitende Oxidschicht und als eine zweite Schicht eine Kunststoff-Folie oder Pufferschicht vorliegen. Zu dieser wichtigen Applikation ist erläuternd Folgendes anzumerken:

Speziell kann die Absorberschicht bei organischen Solarzellen dergestalt optimiert werden, dass sie der destruktiven Interferenzbedingung der Laserwellenlänge gehorcht.

Eine Herausforderung bei der Pl-Laserablation bei der organischen Photo- voltaik rührt z. B. daher, dass die Abtragsschwelle der transparenten leitenden Oxidschicht höher ist als die der darunter liegenden Kunststoff- Folie.

Liegt unter der transparenten leitenden Oxidschicht noch eine Pufferschicht, so kann die Schichtdicke dahingehend optimiert werden, da sie zur konstruktiven Interferenz führt. Damit kann die Materialmodifikationsschwelle erhöht werden, und ein ungewolltes Modifizieren der Puffer- Schicht wird erschwert. Des Weiteren wird die rückreflektierte Leistung wieder in der darüber liegenden Schicht absorbiert und verringert damit die Ablationsschwelle dieser Schicht. Gleichzeitig transmittiert weniger Leistung in die darunter liegende Schicht, und damit wird diese geschont.

Andere wichtige Anwendungsgebiete sind die allgemeine Halbleitertechno- logie, speziell Schaltkreiskonfigurationen mit strukturierten Mehrschichtsystemen, die besonders dünne bzw. besonders empfindliche Schichten umfassen, sowie organische halbleitende Strukturen, wie sie etwa bei modernen Displays zu finden sind (OLED etc.) eingesetzt werden. Die konkrete Verfahrensführung erfordert neben den oben erwähnten Variab- len jeweils auch die Berücksichtigung des Transmissions- bzw. Absorptionskoeffizienten der einzelnen Schichten des Mehrschichtsystems, bei der spezifischen Bearbeitungsstrahlung sowie der Wärmeleitfähigkeiten, und gegebenenfalls sind bei der Bearbeitung Kühlmittel einzusetzen und deren Einfluss auf den Prozess zu berücksichtigen. Entsprechende

Abschätzungen liegen aber im Rahmen des Könnens des Fachmanns.

Zeichnungen

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Gegenstände werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Querschnittsdarstellung der Anwendung des vorgeschlagenen Verfahrens bei einem Mehrschichtsystem,

Fig. 2 eine schematische Querschnittsdarstellung einer weiteren

Anwendung des Verfahrens bei einem weiteren Mehrschichtsystem und eine perspektivische Schnittansicht des Schichtsystems einer Dünnschicht-Solarzelle als Beispiel für ein erfindungsgemäß herzustellendes strukturiertes Mehrschichtsystem. Fig. 1 zeigt ein Mehrschichtsystem 10 mit einer auf einem Si-Substrat 11 mit einem Brechungsindex nl erzeugten SiN-Schicht 13, die eine Dicke d und einen Brechungsindex n2 hat. Ein Bearbeitungs-Laserstrahl L wird auf das Schichtsystem eingestrahlt und unterliegt an der Oberfläche der Schicht einer ersten Reflexion Rl, wobei ein geschwächter Laserstrahl LI in die Schicht 13 eindringt, und an der Grenzfläche der Schichten 13 und 11 einer zweiten Reflexion R2. Nach dieser verbleibt ein in das Si- Substrat 11 transmittierter Strahlungsanteil L2 und an der Rückseite des Si-Substrats 11 folgt eine weitere Reflexion R3. Bei jedem Schichtdurchgang tritt natürlich auch eine Absorption auf.

Die die Schicht 13 durchsetzenden Strahlungsanteile (speziell R2 und R3) sind interferenzfähig, und durch geeignete Einstellung der Schichtdicke d und der Strahlungsparameter kann unter Nutzung des Effekts der destruktiven Interferenz erreicht werden, dass die in der Schicht 13 in Wärme umgesetzten Strahlungsanteile oberhalb einer schichtspezifischen Modifikationsschwellenenergie liegen, also beispielsweise einen Abtrag oder ein Aufschmelzen von Schichtteilen im Wirkbereich der Laserstrahlung L bewirken. Andererseits ermöglicht es die Nutzung des Effekts der destruktiven Interferenz, d.h. einer auf die Schicht 13 beschränkten Strahlungs- Verstärkung, die primär eingestrahlte mittlere Laserstrahlenergie so gering zu halten, dass der in die Si-Schicht 11 transmittierte Anteil L2 dort mit Sicherheit keine Schädigungen hervorruft.

Fig. 2 zeigt als weiteres Beispiel der Ausführung der Erfindung ein Dreischichtsystem 20 mit einer Substratschicht 21 mit einem Brechungsindex n3, einer Zwischenschicht 23 mit einer Dicke d2 und einem Brechungsindex n2 und einer Deckschicht 25 mit einer Dicke dl und einem Brechungsindex nl. In analoger Weise wie bei Fig. 1 sind die eingestrahlte Strahlung und die transmittierten Strahlungsanteile mit L', LI', L2' und L3' und die an der Oberfläche des Schichtsystems bzw. den weiteren reflektierenden Flächen reflektierten Strahlungsanteilen RO', Rl', R2' und R3' bezeichnet.

Bei diesem Schichtsystem treten Interferenzeffekte sowohl der Zwischenschicht 23 als auch in der Deckschicht 25 auf und können durch Erzeugung ihrer Schichten mit geeigneter Dicke in gewünschter Weise gesteu- ert werden. Speziell kann, wenn die Zwischenschicht 23 aus einem empfindlichen Material besteht und nicht beschädigt werden soll, deren Dicke d2 zur Erzielung der weiter oben erwähnten konstruktiven Interferenz (und hierdurch schichtbezogenen Schwächung der Strahlung) gewählt werden, während zur erfolgreichen Strukturierung der Deck- Schicht 25 bzw. zur Ablation von Schichtanteilen deren Dicke dl gezielt zur Hervorrufung destruktiver Interferenz bemessen wird.

Fig. 3 zeigt schematisch eine organische Photovoltaikzelle 30, die aus mehreren sehr dünnen Schichten (mit Dicken in der Größenordnung der Wellenlänge von kommerziell verfügbaren Bearbeitungs-Lasern) aufgebaut ist und daher in vorteilhafter Weise mit einer geeigneten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens strukturiert werden kann, im bereits strukturierten Zustand. Die Zelle 30 umfasst ein PET-Substrat 31, eine Frontkontaktschicht (ITO) 33, eine organische Absorberschicht 35 und eine Rückkontaktschicht 37.

In an sich bekannter Weise sind zur Strukturierung in diesem Schichtsystem Abtragspuren erzeugt, die üblicherweise als PI, P2 und P3 bezeichnet werden. PI stellt einen Graben in der Frontkontaktschicht 33 (mit in den Graben abgesenkter Absorber- und Rückkontaktschicht), P2 einen Graben in der Absorberschicht mit auf die Frontkontaktschicht abgesenkter Rückkontaktschicht und P3 einen offenen Graben in der Absorber- und Rückkontaktschicht dar, um Schädigungen des empfindlichen PET-Substrats bzw. von Schichten, die bei einer Strukturierung jeweils erhalten bleiben sollen, zu vermeiden, muss die Bearbeitungs- Laserstrahlung der Erzeugung der erwähnten Strukturen in ihren Parame- tern mit höchster Sorgfalt eingestellt werden. Der Technik sind hier enge Grenzen gesetzt, die sich durch geeignete Wahl der Schichtdicken, speziell der Frontkontaktschicht 33 und der Absorberschicht 35, zur Ausnutzung der Effekte der destruktiven Interferenz und/oder konstruktiven Interferenz erheblich weiter ziehen lassen. Dies ermöglicht bei der Her- Stellung von Solarzellen dieser oder ähnlicher Art größere Prozessfenster und führt zu höherer Prozesssicherheit.

Im Rahmen fachmännischen Handelns ergeben sich weitere Ausgestaltungen und Ausführungsformen des hier nur beispielhaft beschriebenen Ver- fahrens.