以下、添付図面を参照して本発明の実施形� ��について図を参照して説明する。
 図1は、本発明に係るSr-Ti-O系膜の成膜方法� �実施に用いることができる成膜装置の概略� �成を示す断面図である。図1に示す成膜装置1 00は、例えばアルミニウムなどにより円筒状� ��るいは箱状に成形された処理容器1を有して おり、処理容器1内には、被処理基板である� �導体ウエハWが載置される載置台3が設けられ ている。載置台3は厚さ1mm程度の例えばカー� �ン素材、窒化アルミニウムなどのアルミニ� �ム化合物等により構成される。

 載置台3の外周側には、処理容器1底部よ� �起立させた円筒体状の例えばアルミニウム� �りなる区画壁13が形成されており、その上端 を例えばL字状に水平方向へ屈曲させて屈曲� �14を形成している。このように、円筒体状の 区画壁13を設けることにより、載置台3の裏面 側に不活性ガスパージ室15が形成される。屈� ��部14の上面は、載置台3の上面と実質的に同� ��の平面上にあり、載置台3の外周から離間し ており、この間隙に連結棒12が挿通されてい� ��。載置台3は、区画壁13の上部内壁より延び� ��3本(図示例では2本のみ記す)の支持アーム4� �より支持されている。

 載置台3の下方には、複数本、例えば3本� �L字状のリフタピン5(図示例では2本のみ記す) がリング状の支持部材6から上方に突出する� �うに設けられている。支持部材6は、処理容� ��1の底部から貫通して設けられた昇降ロッド 7により昇降可能となっており、昇降ロッド7� ��処理容器1の下方に位置するアクチュエータ 10により上下動される。載置台3のリフタピン 5に対応する部分には載置台3を貫通して挿通� ��8が設けられており、アクチュエータ10によ� ��昇降ロッド7および支持部材6を介してリフ� �ピン5を上昇させることにより、リフタピン5 をこの挿通穴8に挿通させて半導体ウエハWを� ��ち上げることが可能となっている。昇降ロ� ��ド7の処理容器1への挿入部分はベローズ9で� ��われており、その挿入部分から処理容器1内 に外気が侵入することを防止している。

 載置台3の周縁部には、半導体ウエハWの� �縁部を保持してこれを載置台3側へ固定する� ��め、例えば円板状の半導体ウエハWの輪郭形 状に沿った略リング状の例えば窒化アルミニ ウムなどのセラミック製のクランプリング部 材11が設けられている。クランプリング部材1 1は、連結棒12を介して上記支持部材6に連結� �れており、リフタピン5と一体的に昇降する� ��うになっている。リフタピン5や連結棒12等� ��アルミナなどのセラミックスにより形成さ� ��る。

 リング状のクランプリング部材11の内周� �の下面には、周方向に沿って略等間隔で配� �された複数の接触突起16が形成されており、 クランプ時には、接触突起16の下端面が、半� ��体ウエハWの周縁部の上面と当接してこれを 押圧するようになっている。なお、接触突起 16の直径は1mm程度であり、高さは略50μm程度� �あり、クランプ時にはこの部分にリング状� �第1ガスパージ用間隙17を形成する。なお、� �ランプ時の半導体ウエハWの周縁部とクラン� ��リング部材11の内周側とのオーバラップ量(� ��1ガスパージ用間隙17の流路長さ)L1は数mm程� �である。

 クランプリング部材11の周縁部は、区画� �13の上端屈曲部14の上方に位置され、ここに� ��ング状の第2ガスパージ用間隙18が形成され� ��。第2ガスパージ用間隙18の幅は、例えば500� �m程度であり、第1ガスパージ用間隙17の幅よ� ��も10倍程大きい幅とされる。クランプリン� �部材11の周縁部と屈曲部14とのオーバラップ� ��(第2ガスパージ用間隙18の流路長さ)は、例� �ば略10mm程度である。これにより、不活性ガ� ��パージ室15内の不活性ガスは、両間隙17、18� ��ら処理空間側へ流出できるようになってい� ��。

 処理容器1の底部には、上記不活性ガスパ ージ室15に不活性ガスを供給する不活性ガス� ��給機構19が設けられている。このガス供給� �構19は、不活性ガス例えばArガスを不活性ガ� ��パージ室15に導入するためのガスノズル20と 、不活性ガスとしてのArガスを供給するため� ��Arガス供給源21と、Arガス供給源21からガス� �ズル20にArガスを導くガス配管22とを有して� �る。また、ガス配管22には、流量制御器とし てのマスフローコントローラ23および開閉バ� ��ブ24,25が設けられている。不活性ガスとし� �Arガスに替えてHeガス等を用いてもよい。

 処理容器1の底部の載置台3の直下位置に� �、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓30が 気密に設けられており、この下方には、透過 窓30を囲むように箱状の加熱室31が設けられ� �いる。この加熱室31内には、加熱手段として 複数個の加熱ランプ32が、反射鏡も兼ねる回� ��台33に取り付けられている。回転台33は、回 転軸を介して加熱室31の底部に設けられた回� ��モータ34により回転される。したがって、� �熱ランプ32より放出された熱線が透過窓30を� ��過して載置台3の下面を照射してこれを加熱 する。

 また、処理容器1底部の周縁部には、排気 口36が設けられ、排気口36には図示しない真� �ポンプに接続された排気管37が接続されてい る。そして、この排気口36および排気管37を� �して排気することにより処理容器1内を所定� ��真空度に維持し得るようになっている。ま� ��、処理容器1の側壁には、半導体ウエハWを� �入出する搬入出口39と、搬入出口39を開閉す� ��ゲートバルブ38が設けられる。

 一方、載置台3と対向する処理容器1の天井� �には、ソースガスなどを処理容器1内へ導入� ��るためシャワーヘッド40が設けられている� �シャワーヘッド40は、例えばアルミニウム等 により構成され、内部に空間41aを有する円盤 状をなす本体41を有している。本体41の天井� �にはガス導入口42が設けられている。ガス導 入口42には、SrTiO ₃ 膜のようなSr-Ti-O系膜の成膜に必要な処理ガ� �を供給する処理ガス供給機構50がその配管51� ��よって接続されている。ヘッド本体41の底� �には、ヘッド本体41内へ供給されたガスを処 理容器1内の処理空間へ放出するための多数� �ガス噴射孔43が全面に亘って配置されており 、半導体ウエハWの全面にガスを放出するよ� �になっている。また、ヘッド本体41内の空間 41aには、多数のガス分散孔45を有する拡散板4 4が配設されており、半導体ウエハWの表面に� ��より均等にガスを供給可能となっている。� ��らに、処理容器1の側壁内およびシャワーヘ ッド40の側壁内およびガス噴射孔43の配置さ� �たウエハ対向面内には、それぞれ温度調整� �ためのカートリッジヒータ46,47が設けられて おり、ガスとも接触する側壁やシャワーヘッ ド部を所定の温度に保持できるようになって いる。

 処理ガス供給機構50は、Sr原料を貯留する Sr原料貯留部52と、Ti原料を貯留するTi原料貯� ��部53と、酸化剤を供給する酸化剤供給源54と 、処理容器1内のガスを希釈するためのアル� �ンガス等の希釈ガスを供給する希釈ガス供� �源55とを有している。

 シャワーヘッド40に接続されている配管51 には、Sr原料貯留部52から延びる配管56、Ti原� ��貯留部53から延びる配管57、酸化剤供給源54� ��ら延びる配管58が接続されており、配管51に は上記希釈ガス供給源55が接続されている。� ��管51には、流量制御器としてのマスフロー� �ントローラ(MFC)60とその前後の開閉バルブ61,6 2が設けられている。また、配管58には、流量 制御器としてのマスフローコントローラ(MFC)6 3とその前後の開閉バルブ64,65が設けられてい る。

 Sr原料貯留部52には、Ar等のバブリングの� ��めのキャリアガスを供給するキャリアガス� ��給源66が配管67を介して接続されている。配 管67には、流量制御器としてのマスフローコ� ��トローラ(MFC)68とその前後の開閉バルブ69,70� ��設けられている。また、Ti原料貯留部53にも 、Ar等のキャリアガスを供給するキャリアガ� ��供給源71が配管72を介して接続されている。 配管72には、流量制御器としてのマスフロー� ��ントローラ(MFC)73とその前後の開閉バルブ74, 75が設けられている。Sr原料貯留部52、Ti原料� ��留部53には、それぞれヒータ76、77が設けら� ��ている。そして、Sr原料貯留部52に貯留され たSr原料およびTi原料貯留部53に貯留されたTi� ��料は、これらヒータ76、77で加熱された状態 で、バブリングにより処理容器1に供給され� �ようになっている。なお、図示してはいな� �が、Sr原料やTi原料を気化した状態で供給す� ��配管にもヒータが設けられている。

 処理容器1の側壁上部には、クリーニングガ スであるNF ₃ ガスを導入するクリーニングガス導入部81が� ��けられている。このクリーニングガス導入� ��81にはNF ₃ ガスを供給する配管82が接続されており、こ� ��配管82にはリモートプラズマ発生部83が設け られている。そして、このリモートプラズマ 発生部83において配管82を介して供給されたNF ₃ ガスがプラズマ化され、これが処理容器1内� �供給されることにより処理容器1内がクリー� ��ングされる。なお、リモートプラズマ発生� ��をシャワーヘッド40の直上に設け、クリー� �ングガスをシャワーヘッド40を介して供給す るようにしてもよい。また、NF ₃ の代わりにF ₂ を用いてもよいし、リモートプラズマを使用 せず、ClF ₃ 等によるプラズマレスの熱クリーニングを行 うようにしてもよい。

 成膜装置100はマイクロプロセッサ(コンピ ュータ)からなるプロセスコントローラ90を有 しており、成膜装置100の各構成部がこのプロ セスコントローラ90に接続されて制御される� ��成となっている。また、プロセスコントロ� ��ラ90には、オペレータが成膜装置100の各構� �部を管理するためにコマンドの入力操作な� �を行うキーボードや、成膜装置100の各構成� �の稼働状況を可視化して表示するディスプ� �イ等からなるユーザーインターフェース91が 接続されている。さらに、プロセスコントロ ーラ90には、成膜装置100で実行される各種処� ��をプロセスコントローラ90の制御にて実現� �るための制御プログラムや、処理条件に応� �て成膜装置100の各構成部に所定の処理を実� �させるための制御プログラムすなわち処理� �シピや、各種データベース等が格納された� �憶部92が接続されている。処理レシピは記憶 部92の中の記憶媒体に記憶されている。記憶� ��体は、ハードディスク等の固定的に設けら� ��ているものであってもよいし、CDROM、DVD、� �ラッシュメモリ等の可搬性のものであって� �よい。また、他の装置から、例えば専用回� �を介して処理レシピを適宜伝送させるよう� �してもよい。

 そして、必要に応じて、ユーザーインタ� ��フェース91からの指示等にて任意の処理レ� �ピを記憶部92から呼び出してプロセスコント ローラ90に実行させることで、プロセスコン� ��ローラ90の制御下で、成膜装置100での所望� �処理が行われる。

 次に、以上のように構成された成膜装置を� ��いて行われる成膜処理方法の実施形態につ� ��て説明する。
 <第1の実施形態>
 第1の実施形態においては、まず、ゲートバ ルブ38を開にして搬入出口39から、半導体ウ� �ハWを処理容器1内に搬入し、載置台3上に載� �する。載置台3はあらかじめ加熱ランプ32に� �り放出され透過窓30を透過した熱線により加 熱されており、その熱により半導体ウエハW� �加熱する。そして、希釈ガス供給源55から希 釈ガスとして例えばArガスを100~800mL/sec(sccm)の 流量で供給しつつ、図示しない真空ポンプに より排気口36および排気管37を介して処理容� �1内を排気することにより処理容器1内の圧力 を39~665Pa程度に真空排気する。この際の半導� ��ウエハWの加熱温度は、例えば200~400℃に設� �される。

 そして、希釈用ガス、例えばArガスの流� �を100~500mL/sec(sccm)としつつ、処理容器1内の圧 力を成膜圧力である6~266Paに制御し、実際の� �膜を開始する。なお、処理容器1内の圧力調� ��は、排気管37に設けられた自動圧力制御器(A PC)によりなされる。

 本実施形態では、実際の成膜に際して、処� ��容器1内にSr原料を供給する工程(ステップ1)� ��処理容器1内をパージする工程(ステップ2)、 処理容器1内に酸化剤を供給してSr原料を分解 するとともに酸化する工程(ステップ3)、処理 容器1内をパージする工程(ステップ4)により� �いSrO膜を形成するSrO膜成膜段階と、処理容� �1内にTi原料を供給する工程(ステップ5)、処� �容器1内をパージして余分なTi原料を除去す� �工程(ステップ6)、処理容器1内に酸化剤を供� ��してTi原料を分解するとともに酸化する工� �(ステップ7)、処理容器1内をパージして余分� ��酸化剤を除去する工程(ステップ8)により薄� ��TiO膜を形成するTiO膜成膜段階を複数回行っ� ��、その後アニールすることによりSr-Ti-O系膜 を成膜するが、その際の成膜条件を制御して 、膜中のSrとTiの比率Sr/Tiが原子数比で1.2以上 3以下になるようにし、成膜後のアニールを0. 001%以上80%以下のO ₂ を含有する雰囲気中、500℃以上の条件で行う 。なお、上記TiO膜成膜段階においては、実際 には膜中の酸素量が変動してTiOx(xは1~2)とな� �が、便宜上、「TiO膜」と表記する。

 使用する基板の表面の状態等によっては、S r-Ti-O系の薄い膜を成膜する際に、化学量論組 成で成膜しても結晶化しない場合がある。例 えば、基板表面がRuの場合には、比較的結晶� ��しやすいが、SiやTiNなどの金属窒化物膜、Al ₂ O ₃ 、ZrO ₂ などのアモルファス酸化物膜の上では結晶化 しにくい。図2に同一プロセスで5nmのSr-Ti-O系� ��をSi基板上、およびRu(50nm)/TiN(30nm)/Si、すな� �ちSi基板上に30nmのTiN膜を成膜し、さらにそ� �上に50nmのRu膜を成膜した構造体の上に成膜� �、O ₂ 含有量0.001%未満のN ₂ 雰囲気において600℃、120minの条件でアニール したときのX線回折パターンを示す。XRF(蛍光X 線法)により測定されたSi上膜のSr/Ti比は1.35で あった。図2によれば、Si上のSr-Ti-O系膜には� �晶化を示唆するSrTiO ₃ のピークが見えないが、Ru上のSr-Ti-O系膜では 32.5度付近に、SrTiO ₃ (110)のピークが得られており、Sr-Ti-O系膜はRu� ��のほうが結晶化しやすいことがわかる。し� ��し、本発明のような手法を採用することに� ��り、基板表面がSiやTiNなどSr-Ti-O系膜が結晶� ��しにくいような材料であっても、また7~20nm� ��いった薄い膜でも安定してSrTiO ₃ 結晶を晶出させることができる。すなわち、 特定のSrリッチ組成で成膜後、O ₂ 存在下でアニールすることにより、Tiが表面� ��移動してSrTiO ₃ 結晶を形成するので、薄い膜であっても結晶 化させることができる。

 ここで、Sr/Tiが原子数比で1.2未満である� �、表面のTiが多くなりすぎて、膜の表面にお いて結晶化が生じ難くなり、3を超えるとTiの 絶対量が少なくなりすぎてやはり結晶化が生 じ難くなる。Sr/Tiのより好ましい範囲は1.4以� ��1.9以下である。

 図3は、製造条件を調整してSi基板上に成膜� ��れ、XRFにより測定されたところのSr/Tiが0.7� �1.1、2.4の3種類のSr-Ti-O系膜のX線回折パター� �を示す図である。なお、これらの膜につい� �は成膜後、O ₂ 濃度10%の雰囲気にて600℃でアニールした。こ の図に示すように、Sr/Tiが上記範囲を満たす2 .4の膜については、SrTiO ₃ 結晶を示すピークが存在し、SrTiO ₃ の結晶が晶出していることが確認された。こ れに対して、Sr/Tiが上記範囲から外れる0.7、1 .1の膜については明確なピークが存在せず、� ��が結晶化していないことが確認された。な� ��、Sr/Tiが0.7、1.1、2.4の3種類のSr-Ti-O系膜の膜 厚は、それぞれ5.5nm、6.6nm、8.2nmであった。

 成膜後のアニールの際の雰囲気中のO ₂ 含有量を0.001%以上80%以下としたのは、0.001%未 満であると、膜中の酸素が不足してSrTiO ₃ 結晶が生じ難くなり、80%を超えると酸素が多 すぎてSr-Ti-O系膜の下地となるRu、TiN、Siなど� ��著しく酸化させるためである。また、温度� ��500℃以上としたのは、結晶化に必要な熱エ� ��ルギーを与えるためである。

 図4は、Sr/TiがXRFにより測定して2.4になるよ� ��にしてSi上に成膜したSr-Ti-O系膜にO ₂ 濃度が10%の雰囲気でアニールした場合とO ₂ 濃度が3ppmよりも低い雰囲気でアニールした� �合とについてSr-Ti-O系膜のX線回折パターンを 比較して示す図である。この図に示すように 、O ₂ 濃度が10%の雰囲気ではSrTiO ₃ 結晶を示すピークが存在し、SrTiO ₃ の結晶が晶出していることが確認された。こ れに対して、O ₂ 濃度が3ppmよりも低い雰囲気では明確なピー� �が存在せず、膜が結晶化していないことが� �認された。

 次に、具体的な製造条件について説明する� ��
 成膜の際にSr/Tiを適切な値にするためには� �Sr原料、Ti原料、酸化剤の選定、流量、供給� ��間、シーケンスの少なくとも1つを調整する ことが挙げられる。

 シーケンスに関しては、典型的には図5に 示すような、SrO膜成膜段階とTiO膜成膜段階と を交互に繰り返すALDの手法が採られる。ただ し、本実施形態ではSrリッチ組成を形成する� ��要があるので、上記SrO膜成膜段階を連続し� ��複数回繰り返すようにすることも有効であ� ��。

 ステップ1においては、Sr原料は、ヒータ76� �より150~230℃程度に加熱されたSr原料貯留部52 からバブリングによりSr原料をシャワーヘッ� ��40を介して処理容器1内に供給される。Sr原� �としては、従来この種の原料として用いら� �ている有機Sr化合物を用いることができ、例 えばSr(DPM) ₂ やSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ 等を好適に用いることができる。これらの中 では、蒸気圧が低く、取り扱いが容易なSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を好適に用いることができる。Sr原料を供給� ��るに際しては、希釈ガス供給源55から希釈� �スとして、例えばArガスを100~500mL/min(sccm)程� �の流量で流し、キャリアガス供給源66からキ ャリアガスとして、例えばArガスを50~500mL/min( sccm)程度の流量で流す。また、Sr原料の供給(� ��テップ1)は、例えば0.1~20sec程度の期間行う� �

 ステップ3のSr原料を酸化する工程において� ��酸化剤は、酸化剤供給源54からシャワーヘ� �ド40を介して処理容器1内に供給される。こ� �により、半導体ウエハWの表面に吸着されて� ��るSr原料が分解されるとともに酸化され、Sr O膜が成膜される。酸化剤の供給(ステップ3)� �際しては、希釈ガス供給源55から希釈ガス、 例えばArガスを100~500mL/min(sccm)程度流した状態 で、例えば0.1~20sec程度の期間行う。酸化剤と しては、O ₃ ガス、O ₂ ガス、H ₂ OやO ₂ ガスのプラズマを好適に用いることができる 。酸化剤としてO ₃ ガスを用いる場合には、酸化剤供給源54とし� ��オゾナイザーを用いて、50~200g/Nm ³ 程度の流量で供給する。この際にO ₂ ガスを併用することができ、その際のO ₂ ガスの流量は100~1000mL/min(sccm)程度である。酸� ��剤としてH ₂ Oを用いる場合には、その流量は2~50mL/min(sccm)� ��度とすることが好ましい。

 ステップ5においては、Ti原料は、ヒータ77� �より加熱されたTi原料貯留部53からバブリン� ��によりTi原料をシャワーヘッド40を介して処 理容器1内に供給される。Ti原料としては、Ti( OiPr) ₄ やTi(OiPr) ₂ (DPM) ₂ 等を好適に用いることができる。この場合に 、Ti原料貯留部53の加熱温度は、Ti(OiPr) ₄ では50~70℃程度、Ti(OiPr) ₂ (DPM) ₂ では150~230℃程度とされる。Ti原料を供給する に際しては、希釈ガス供給源55から希釈ガス� ��して、例えばArガスを100~500mL/min(sccm)程度の� ��量で流し、キャリアガス供給源71からキャ� �アガスとして、例えばArガスを100~500mL/min(sccm )程度の流量で流す。また、Ti原料の供給(ス� �ップ5)は、例えば0.1~20sec程度の期間行う。

 Ti原料供給後の酸化工程(ステップ7)は、� �テップ3と同様の条件で、希釈ガス供給源55� �ら希釈ガスを流した状態で、酸化剤供給源54 から酸化剤をシャワーヘッド40を介して処理� ��器1内に供給する。これにより、Ti原料が分� ��されるとともに酸化され、TiO膜が形成され� ��。

 ステップ2、4、6、8のパージ工程において は、従前のSr原料ガス、Ti原料ガス、または� �化剤の供給を停止して、希釈ガス供給源55か らの希釈ガス、例えばArガスを処理容器内に� ��給することにより行うことができる。この� ��に、ガス流量は200~1000mL/min(sccm)程度とする� �また、ガスを流さずに引ききりとしてもよ� �。この工程は、例えば0.1~20sec程度の期間行� �。

 ステップ1~4のSrO膜成膜段階とステップ5~8� ��TiO成膜段階を、20回以上、例えば100回繰り� �してSr/Tiが原子数比で1.2以上3以下になるよ� �なSr-Ti-O系膜を所定の厚さで成膜する。

 このように膜を形成した後、酸化剤供給源5 4から例えばO ₂ ガスを所定流量で供給して、膜を確実に酸化 させた後、全てのガスを停止し、処理容器内 を真空引きし、その後、搬送アームにより処 理容器1内の半導体ウエハWを搬出する。

 その後、半導体ウエハWに対し、上述のよう な条件のO ₂ 雰囲気でのアニールを行う。アニールは、RTA (Rapid Thermal Anneal)や通常の加熱炉を用いて行 うことができる。

 以上のシーケンスにおけるバルブやマス� ��ローコントローラ等の制御は、記憶部92に� �憶されているレシピに基づいてプロセスコ� �トローラ90により行われる。

 次に、本実施形態に基づいて実際に成膜し� ��実施例について示す。
 上記図1の装置において、ランプパワーを調 節して、載置台の温度を成膜温度である320℃ に設定し、搬送ロボットのアームを用いて処 理容器内に200mmSiウエハを搬入し、Sr-Ti-O系膜� ��成膜した。Sr原料としてはSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用い、これを160℃に加熱した容器に保持し 、Arガスをキャリアガスとしてバブリング法� ��処理容器に供給した。Ti原料としてはTi(OiPr) ₄ を用い、これを45℃に加熱した容器に保持し� ��同様にArガスをキャリアガスとしてバブリ� �グ法で処理容器に供給した。また、酸化剤� �しては、O ₂ ガスを500mL/min(sccm)、N ₂ ガスを0.5mL/min(sccm)をオゾナイザーに通すこと によって生成された180g/m ³ の濃度のO ₃ を用いた。

 そして、Siウエハをアームにより載置台� �設置した後、希釈Arガスを300mL/min(sccm)の流量 で30secフローさせつつ133Pa(1Torr)の圧力でSiウ� �ハを成膜温度に昇温後、上述のステップ1~8� �より成膜を行った。なお、ウエハ温度は290� �とした。

 ステップ1のSr原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を50mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量� ��200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機構 を全開として排気する状態として10secの期間� ��い、ステップ2のパージでは、引ききり状態 (ガスを通流せずに処理容器1の圧力制御機構� ��全開として排気する状態)として10secの期間� ��った。

 ステップ3のSr原料の酸化工程は、酸化剤と� ��て上記O ₃ ガスを用い、処理容器1の圧力制御機構を全� �として排気する状態として10secの期間行った 。ステップ4のパージは引ききり状態として10 secの期間行った。

 ステップ5のTi原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を200mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量 を200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機� �を全開として排気する状態として10secの期間 行い、ステップ6のパージは、ステップ2と同� ��、引ききり状態として10secの期間行った。

 ステップ7のTi原料の酸化工程とステップ8 のパージは、ステップ3およびステップ4と全� ��同様の条件で行った。

 ステップ1~8をとおして、処理容器1の圧力 制御機構を全開としているが、処理容器内の 圧力は、通流されるガスの有無、流量により 異なり、一例としてステップ1は0.36Torr、ステ ップ2、4、6、8は0Torr、ステップ3は0.52Torr、ス テップ5は0.39Torrとなった。

 そして、ステップ1~4のSrO膜成膜段階を2回繰 り返し、次いでステップ5~8のTiO膜成膜段階を 2回繰り返すというシーケンスを25回繰り返し た後、O ₂ ガスを300mL/min(sccm)の流量で10sec流しつつ、圧� ��を40Pa(0.3Torr)に制御し、その後ガスを停止し た状態で100secの間、処理容器内を真空に引き きり保持し、その後Siウエハを処理容器から� ��出した。

 以上のようなシーケンスにより形成され� ��Sr-Ti-O膜の厚さを測定したところ、13nmであ� �た。この膜をXRD(X線回折法)により測定した� �ころ、結晶を示すピークは見られなかった� �この膜の組成をXRF(蛍光X線法)で測定したと� �ろ、Sr/Ti比は原子数比で2.2であった。

 次いで、上記Sr-Ti-O系膜が形成されたSi基板� ��RTA装置に搬入し、0.2%のO ₂ ガスを含むN ₂ ガス常圧雰囲気で600℃のRTAを施し、その後、 XRD(X線回折法)により測定したところ、SrTiO ₃ の結晶ピークが見られ、SrTiO ₃ の結晶が晶出していることが確認された。

 <第2の実施形態>
 第2の実施形態においても、第1の実施形態� �同様、まず、ゲートバルブ38を開にして搬入 出口39から、半導体ウエハWを処理容器1内に� �入し、あらかじめ加熱ランプ32により加熱さ れた載置台3上に載置し、半導体ウエハWを所� ��温度、例えば200~400℃に加熱する。そして、 希釈ガス供給源55から希釈ガスとして例えばA rガスを100~800mL/sec(sccm)の流量で供給しつつ、� ��示しない真空ポンプにより排気口36および� �気管37を介して処理容器1内を排気すること� �より処理容器1内の圧力を6~665Pa程度に真空排 気する。そして、希釈用ガス、例えばArガス� ��流量を100~500mL/sec(sccm)としつつ、処理容器1� �の圧力を成膜圧力である13~266Paに制御し、実 際の成膜を開始する。

 本実施形態では、実際の成膜に際して、� ��理容器1内にSr原料を供給する工程(ステップ 1)、処理容器1内をパージする工程(ステップ2) 、処理容器1内に酸化剤を供給してSr原料を分 解するとともに酸化する工程(ステップ3)、処 理容器1内をパージする工程(ステップ4)によ� �薄いSrO膜を形成するSrO膜成膜段階と、処理� �器1内にTi原料を供給する工程(ステップ5)、� �理容器1内をパージする工程(ステップ6)、処� ��容器1内に酸化剤を供給してTi原料を分解す� ��とともに酸化する工程(ステップ7)、処理容� ��1内をパージする工程(ステップ8)により薄い TiO膜を形成するTiO膜成膜段階を複数回行って Sr-Ti-O系膜を成膜するが、SrO膜成膜段階同士� �たはTiO膜成膜段階同士またはこれこれら両� �が複数回続けて行われるようなシーケンス� �含むようにする。

 上述したALD法においては、原料の組み合� ��せによっては吸着阻害等が生じ、成膜後の� ��成が所望の組成にならない場合があるが、� ��のようなシーケンスを採ることにより、SrO� ��成膜段階またはTiO膜成膜段階同士を繰り返� ��ている間は、吸着阻害を避けることができ� ��所望の組成に近い組成にすることが可能と� ��る。また、このような手法を採用すること� ��より、Srリッチ組成からTiリッチ組成まで、 所望の組成のSr-Ti-O系膜を成膜することが可� �となる。

 Sr原料としてSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用い、Ti原料としてはTi(OiPr) ₄ を用いて、図6に示すように、従来のALDの手� �で、上記ステップ1~4のSrO膜成膜段階と、上� �ステップ5~8のTiO膜成膜段階とを交互に20回繰 り返してSr-Ti-O系膜を成膜したところ(SrO:TiO=1: 1)、膜厚が4.5nm、Sr/Tiの組成比が原子数比で0.4 となり、Srが少ない結果となった。すなわち� ��Sr原料の吸着阻害が生じていた。

 これに対して、同様の原料を用い、図7に 示すように、上記ステップ1~4のSrO膜成膜段階 を2回繰り返し、引き続き上記ステップ5~8のTi O膜成膜段階を2回繰り返し、このセットを20� �繰り返してSr-Ti-O系膜を成膜したところ(SrO:Ti O=2:2)、膜厚が8.7nm、Sr/Tiの組成比が原子数比� �1.0となり、ほぼ化学量論組成となった。こ� �ことから、同じ原料の成膜段階を複数回繰� �返すことにより、このような成膜阻害が解� �されることが確認された。

 また、図8に示すように、上記ステップ1~4 のSrO膜成膜段階を2回繰り返し、引き続き上� �ステップ5~8のTiO膜成膜段階を3回繰り返し、� ��のセットを20回繰り返してSr-Ti-O系膜を成膜� ��たところ(SrO:TiO=2:3)、膜厚が8.6nm、Sr/Tiの組� �比が原子数比で0.7となり、同じ原料の成膜� �階の繰り返し数を変化させることにより、� �望の組成比が得られることが確認された。

 ステップ1~8の具体的な内容に関しては、第1 の実施形態と同様である。そして、上述のよ うにしてSrO膜成膜段階および/またはTiO膜成� �段階を連続して複数回繰り返すようなシー� �ンスを採用してSr-Ti-O系膜を成膜した後、酸� ��剤供給源54から例えばO ₂ ガスを所定流量で供給して、膜を確実に酸化 させる。その後、全てのガスを停止し、処理 容器内を真空引きした後、搬送アームにより 処理容器1内の半導体ウエハWを搬出する。

 以上のシーケンスにおけるバルブやマス� ��ローコントローラ等の制御は、第1の実施形 態と同様、記憶部92に記憶されているレシピ� ��基づいてプロセスコントローラ90により行� �れる。

 次に、本実施形態に基づいて実際に成膜し� ��実施例について示す。
 上記図1の装置において、ランプパワーを調 節して、載置台の温度を成膜温度である320℃ に設定し、搬送ロボットのアームを用いて処 理容器内に200mmSiウエハを搬入し、Sr-Ti-O系膜� ��成膜した。Sr原料としてはSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用い、これを160℃に加熱した容器に保持し 、Arガスをキャリアガスとしてバブリング法� ��処理容器に供給した。Ti原料としてはTi(OiPr) ₄ を用い、これを45℃に加熱した容器に保持し� ��同様にArガスをキャリアガスとしてバブリ� �グ法で処理容器に供給した。また、酸化剤� �しては、O ₂ ガスを500mL/min(sccm)、N ₂ ガスを0.5mL/min(sccm)をオゾナイザーに通すこと によって生成された180g/m ³ の濃度のO ₃ を用いた。

 そして、Siウエハをアームにより載置台� �設置した後、希釈Arガスを300mL/min(sccm)の流量 で30secフローさせつつ133Pa(1Torr)の圧力でSiウ� �ハを成膜温度に昇温後、上述のステップ1~8� �より成膜を行った。なお、ウエハ温度は290� �とした。

 ステップ1のSr原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を50mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量� ��200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機構 を全開として排気する状態として10secの期間� ��い、ステップ2のパージでは、引ききり状態 として10secの期間行った。

 ステップ3のSr原料の酸化工程は、酸化剤と� ��て上記O ₃ ガスを用い、処理容器1の圧力制御機構を全� �として排気する状態として10secの期間行った 。ステップ4のパージは引ききり状態として10 secの期間行った。

 ステップ5のTi原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を200mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量 を200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機� �を全開として排気する状態として10secの期間 行い、ステップ6のパージは、ステップ2と同� ��、引ききり状態として10secの期間行った。

 ステップ7のTi原料の酸化工程とステップ8 のパージは、ステップ3およびステップ4と全� ��同様の条件で行った。

 そして、ステップ1~4のSrO膜成膜段階と、ス� ��ップ5~8のTiO膜成膜段階とを交互に20回繰り� �した後、圧力を40Pa(0.3Torr)に維持しつつ、O ₂ ガスを300mL/min(sccm)の流量で20sec流し、その後� ��スを停止した状態で20secの間、処理容器内� �真空に引ききり保持し、その後Siウエハを処 理容器から搬出した。

 以上のようなシーケンスにより形成され� ��Sr-Ti-O膜の厚さを測定したところ、4nmであっ た。この膜の組成をXRF(蛍光X線法)で測定した ところ、Sr/Ti比は原子数比で0.5であった。

 一方、ステップ1~4のSrO膜成膜段階を2回繰り 返し、次いでステップ5~8のTiO膜成膜段階を2� �繰り返すというシーケンスを10回繰り返した 後、O ₂ ガスを300mL/min(sccm)の流量で10sec流しつつ、圧� ��を40Pa(0.3Torr)に制御し、その後ガスを停止し た状態で100secの間、処理容器内を真空に引き きり保持し、その後Siウエハを処理容器から� ��出した。形成されたSr-Ti-O膜の厚さを測定し たところ、5nmであった。この膜の組成をXRF(� �光X線法)で測定したところ、Sr/Ti比は原子数� ��で1.0であった。

 このように、本発明に従って、同じ成膜� ��階を連続して繰り返すシーケンスを採用す� ��ことにより、吸着阻害の影響を受けずに、� ��望の組成のSr-Ti-O系膜が得られることが確認 された。

 <第3の実施形態>
 第3の実施形態においても、第1の実施形態� �同様、まず、ゲートバルブ38を開にして搬入 出口39から、半導体ウエハWを処理容器1内に� �入し、あらかじめ加熱ランプ32により加熱さ れた載置台3上に載置し、半導体ウエハWを所� ��温度、例えば200~400℃に加熱する。そして、 希釈ガス供給源55から希釈ガスとして例えばA rガスを100~800mL/sec(sccm)の流量で供給しつつ、� ��示しない真空ポンプにより排気口36および� �気管37を介して処理容器1内を排気すること� �より処理容器1内の圧力を39~665Pa程度に真空� �気する。そして、希釈用ガス、例えばArガス の流量を100~500mL/sec(sccm)としつつ、処理容器1� ��の圧力を成膜圧力である39~266Paに制御し、� �際の成膜を開始する。

 本実施形態では、実際の成膜に際して、処� ��容器1内にSr原料を供給する工程(ステップ1)� ��処理容器1内をパージする工程(ステップ2)、 処理容器1内に酸化剤を供給してSr原料を分解 するとともに酸化する工程(ステップ3)、処理 容器1内をパージする工程(ステップ4)により� �いSrO膜を形成するSrO膜成膜段階と、処理容� �1内にTi原料を供給する工程(ステップ5)、処� �容器1内をパージする工程(ステップ6)、処理� ��器1内に酸化剤を供給してTi原料を分解する� ��ともに酸化する工程(ステップ7)、処理容器1 内をパージする工程(ステップ8)により薄いTiO 膜を形成するTiO膜成膜段階を複数回行ってSr- Ti-O系膜を成膜するが、酸化剤としてO ₃ およびH ₂ Oを用いる。

 ALD法では各原料および酸化剤の供給時間は� ��膜厚が飽和する時間に設定されるが、酸化� ��としてO ₃ を用いた場合には、Sr原料として用いる有機S r化合物の種類によっては、飽和点に至るま� �に長時間かかり、飽和したときの1サイクル� ��たりの膜厚が0.3~0.4nmと非常に厚くなって、� ��望のSrOを成膜することができない場合があ� ��。すなわち、酸化剤としてO ₃ のみを用い、Sr原料として特定の有機Sr化合� �、例えばSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用いた場合には、Sr原料として用いる有機S r化合物の有機部分中の結合を切断した後にSr Oを形成するように作用するので、切断が飽� �するまでに時間がかかってしまう。

 これに対して、酸化剤としてH ₂ Oを用いることにより、有機部分の中の結合� �あまり切断せずに、主にSrと有機部分との切 断に寄与するので早期に飽和する。しかし、 酸化剤としてH ₂ Oのみを用いるとSr(OH) ₂ が形成されて好ましくない結果をもたらして しまう。そこで、本実施形態では、H ₂ OによりSrと有機部分とを切断した後、O ₃ を作用させてSrOを形成することにより、良好 なSrO膜を得る。

 以下、この点について詳細に説明する。
 図9は、Sr原料としてSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用い、Ti原料としてTi(OiPr) ₄ を用いた場合における、各原料のドーズ時間 とSrO膜およびTiO膜の単膜の厚さとの関係を示 す図である。この図に示すように、各原料は 5sec程度で飽和しているが、膜厚はTiO膜よりSr O膜のほうが厚くなる。なお、このときのウ� �ハ温度は290℃とした。

 図10は、酸化剤としてO ₃ を用いた場合における、O ₃ のドーズ時間とSrO膜およびTiO膜の単膜の厚さ との関係を示す図である。この図に示すよう に、TiO膜は短時間で飽和するが、SrO膜は60sec� ��も飽和しない。なお、このときのSr原料お� �びTi原料のドーズ時間は10sec、ウエハ温度を2 90℃とした。

 図11は、パージを引ききりとした場合にお� �る、パージ時間とSrO膜およびTiO膜の単膜の� �さとの関係を示す図である。この図に示す� �うに、パージを引ききりとしてもパージ時� �の増加にともなってSrO膜の膜厚が厚くなっ� �しまう。そして、引ききりパージを行った� �合の結果も加味した際のO ₃ のドーズ時間とSrO膜およびTiO膜の単膜の厚さ との関係を図12に示すが、パージ方法を変え� ��もO ₃ ドーズ時間にともなうSrO膜の増膜は抑制する ことができないことが確認された。

 このように増膜するのは、酸化時間が長く� ��ると、有機Sr原料をO3で酸化する際に、有機 Sr原料に存在する有機部分、例えば(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ がすみやかにSrから分離されず、この有機部� ��の分解が進行し、次回のSr原料のドーズの� �にSr原料がより多く吸着するためと考えられ る。

 そこで、本実施形態では、酸化剤として、S rと有機部分との結合を優先的に切断可能なH ₂ Oを用い、ある程度有機部分が分離されてか� �、O ₃ を供給して酸化を進行させるのである。

 次に、具体的な製造条件について説明する� ��
 シーケンスに関しては、典型的にはSrO膜成� ��段階とTiO膜成膜段階とを交互に繰り返すALD� ��手法が採られる。

 ステップ1~8の具体的な内容に関しては、� ��テップ3の酸化工程における酸化剤および酸 化工程の手順が異なる他は、第1の実施形態� �同様である。

 本実施形態では、Sr原料を酸化するステッ� �3は、最初に酸化剤としてH ₂ O蒸気を用いた酸化処理を行い(ステップ3-1)、 次いでO ₃ を用いた酸化処理を行う(ステップ3-2)。ステ� ��プ3-1は、例えばH ₂ Oの流量を2~50mL/min(sccm)程度として0.1~5sec程度� �う。ステップ3-2は、例えば酸化剤供給源54と してオゾナイザーを用いて、50~200g/Nm ³ 程度の流量で供給する。この際にO ₂ ガスを併用することができ、その際のO ₂ ガスの流量は100~1000mL/min(sccm)程度である。こ� ��ステップ3-2は0.1~10sec程度行う。H ₂ OとO ₃ とを同時に流してもよいし、O ₂ の露点を0~40℃に調整してオゾナイザーに通� �させてもよい。また、H ₂ とO ₂ をリモートプラズマに通流させたものを酸素 源として用いてもよい。
 本実施形態の具体的なシーケンスは、図13� �示すようになる。

 そして、上述のようにしてSrO膜成膜段階お� ��びTiO膜成膜段階を交互に繰り返してSr-Ti-O系 膜を成膜した後、酸化剤供給源54から例えばO ₂ ガスを所定流量で供給して、膜を確実に酸化 させる。その後、全てのガスを停止し、処理 容器内を真空引きした後、搬送アームにより 処理容器1内の半導体ウエハWを搬出する。

 以上のシーケンスにおけるバルブやマス� ��ローコントローラ等の制御は、第1の実施形 態と同様、記憶部92に記憶されているレシピ� ��基づいてプロセスコントローラ90により行� �れる。

 次に、本実施形態に基づいて実際に成膜し� ��実施例について示す。
 上記図1の装置において、ランプパワーを調 節して、載置台の温度を成膜温度である320℃ に設定し、搬送ロボットのアームを用いて処 理容器内に200mmSiウエハを搬入し、Sr-Ti-O系膜� ��成膜した。Sr原料としてはSr(C ₅ (CH ₃ ) ₅ ) ₂ を用い、これを160℃に加熱した容器に保持し 、Arガスをキャリアガスとしてバブリング法� ��処理容器に供給した。Ti原料としてはTi(OiPr) ₄ を用い、これを40℃に加熱した容器に保持し� ��同様にArガスをキャリアガスとしてバブリ� �グ法で処理容器に供給した。また、酸化剤� �しては、H ₂ Oを40℃に加熱し、50℃に加熱した高温マスフ� ��ーコントローラにて流量制御したものと、O ₂ ガスを500mL/min(sccm)、N ₂ ガスを0.5mL/min(sccm)をオゾナイザーに通すこと によって生成された180g/m ³ の濃度のO ₃ を用いた。

 そして、Siウエハをアームにより載置台� �設置した後、希釈Arガスを300mL/min(sccm)の流量 で30secフローさせつつ133Pa(1Torr)の圧力でSiウ� �ハを成膜温度に昇温後、上述のステップ1~8� �より成膜を行った。なお、ウエハ温度は290� �とした。

 ステップ1のSr原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を50mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量� ��200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機構 を全開として排気する状態として10secの期間� ��い、ステップ2のパージでは、引ききり状態 として10secの期間行った。

 ステップ3のSr原料を酸化する工程は、まず� ��ステップ3-1としてH ₂ O蒸気をフローさせる処理を3sec行い、次いで� ��ステップ3-2としてO ₃ をフローさせる処理を5secの期間行った。こ� �らの工程は処理容器1の圧力制御機構を全開� ��して排気する状態として行った。ステップ4 のパージは引ききり状態として10secの期間行� ��た。

 ステップ5のTi原料供給工程は、キャリアA rガスの流量を200mL/min(sccm)、希釈Arガスの流量 を200mL/min(sccm)とし、処理容器1の圧力制御機� �を全開として排気する状態として10secの期間 行い、ステップ6のパージは、ステップ2と同� ��、引ききり状態として10secの期間行った。

 ステップ7のTi原料の酸化工程は、酸化剤と� ��て上記O ₃ ガスを用い、処理容器内を引き切り状態とし て10secの期間行った。ステップ8のパージは、 ステップ4と全く同様の条件で行った。

 そして、ステップ1~4のSrO膜成膜段階と、ス� ��ップ5~8のTiO膜成膜段階とを交互に50回繰り� �した後、O ₂ ガスを300mL/min(sccm)の流量で20sec流して圧力を4 0Pa(0.3Torr)に制御し、その後ガスを停止した状 態で20secの間、処理容器内を真空に引ききり� ��持し、その後Siウエハを処理容器から搬出� �た。形成されたSr-Ti-O膜の厚さを測定したと� ��ろ、12nmであった。X線光電子分光分析(XPS)で 膜のC量を測定したところ、検出限界(1%)以下� ��あった。すなわち、Sr原料の有機部分が酸� �剤によりほとんど分解されていないことが� �認された。

 なお、本発明は上記実施形態に限定されず� ��々限定可能である。
 例えば、以上の成膜装置においては、バブ� ��ングによる原料供給を行う処理ガス供給機� ��50を用いたが、それに代えて図14に示すよう な気化器を用いた原料供給を行う処理ガス供 給機構50″を用いることもできる。処理ガス� ��給機構50″は、Sr原料を溶剤に溶解させた状 態で貯留するSr原料貯留部52″と、Ti原料を溶 剤に溶解させた状態で貯留するTi原料貯留部5 3″と、酸化剤を供給する酸化剤供給源54″と 、Sr原料およびTi原料を気化させる気化器101� �を有している。Sr原料貯留部52″から気化器1 01までは配管102が設けられており、Ti原料貯� �部53″から気化器101までは配管103が設けられ ている。Sr原料貯留部52″およびTi原料貯留部 53″から液体が圧送ガスまたはポンプ等によ� ��て気化器101に供給される。配管102には流量� ��御器としての液体マスフローコントローラ( LMFC)104とその前後の開閉バルブ105,106が設けら れている。また、配管103には液体マスフロー コントローラ(LMFC)107とその前後の開閉バルブ 108,109が設けられている。Sr原料貯留部52″、T i原料貯留部53″には、それぞれヒータ76″、7 7″が設けられている。そして、Sr原料貯留部 52″に貯留された、溶媒に溶解された状態のS r原料、およびTi原料貯留部53″に貯留された� ��溶媒に溶解された状態のTi原料は、これら� �ータ76″、77″で所定の温度に加熱され、ポ� ��プやガス圧送等により液体の状態で気化器1 01に供給されるようになっている。なお、図� ��してはいないが、Sr原料やTi原料を通流する 配管にもヒータが設けられている。

 気化器101にはシャワーヘッド40に至る前� �配管51″が接続されている。気化器101には、 Arガス等のキャリアガスを供給するキャリア� ��ス供給源110から延びる配管111が接続されて� ��り、キャリアガスを気化器101に供給して、� ��化器101内で例えば100~200℃に加熱されて気化 されたSr原料およびTi原料を配管51″およびシ ャワーヘッド40を介して処理容器1内に導くよ うになっている。配管111には、流量制御器と してのマスフローコントローラ(MFC)112とその� ��後の開閉バルブ113,114が設けられている。酸 化剤供給源54″から配管51″までは配管115が� �けられており、酸化剤を配管115から配管51″ およびシャワーヘッド40を経て処理容器1内へ 導くようになっている。配管115には、流量制 御器としてのマスフローコントローラ(MFC)116� ��その前後の開閉バルブ117,118が設けられてい る。ガス供給機構50″は、また、処理容器1内 のガスを希釈するためのアルゴンガス等の希 釈ガスを供給する希釈ガス供給源55″を有し� ��いる。この希釈ガス供給源55″には、配管51 ″に至る配管119が設けられており、希釈用ア ルゴンガスを配管119から配管51″およびシャ� ��ーヘッド40を経て処理容器1内へ導くように� ��っている。配管119には、流量制御器として� ��マスフローコントローラ(MFC)120とその前後� �開閉バルブ121,122が設けられている。

 ガス供給機構50″を用いてSr-Ti-O系膜を成� ��する場合には、上記ステップ1のSr原料供給� ��よびステップ5のTi原料供給が異なる以外は� ��基本的に上記シーケンスと同様にして成膜� ��理が実施される。

 ステップ1のSr原料供給においては、Sr原� �貯留部52″において、Sr原料をオクタンやシ� ��ロヘキサン等の溶媒に溶解させる。このと� ��の濃度は好ましくは0.05~1mol/Lである。これ� �100~200℃に加熱した気化器101に供給し気化さ� ��る。この際の希釈ガス供給源55″からの希� �ガス、例えばArガスの流量は100~500mL/min(sccm)� �キャリアガス供給源110からのキャリアガス� �例えばArガスの流量は100~500mL/min(sccm)程度で� �る。そして、この工程を上記バブリング供� �の場合と同程度の期間行う。

 ステップ1のTi原料フローにおいては、Ti� �料貯留部53″において、Ti原料をオクタンや� ��クロヘキサン等の溶媒に溶解させ150~230℃に 加熱した気化器101に搬送し気化させる。この ときの濃度は好ましくは0.05~1mol/Lである。こ� ��際の希釈ガス供給源55″からの希釈ガス、� �えばArガスの流量は100~500mL/min(sccm)、キャリ� �ガス供給源110からのキャリアガス、例えばAr ガスの流量は100~500mL/min(sccm)程度である。そ� �て、この工程を上記バブリング供給の場合� �同程度の期間行う。

 また、上記実施形態では、成膜装置とし� ��ランプ加熱で被処理基板を加熱するものを� ��したが、抵抗加熱ヒータで加熱するもので� ��ってもよい。また、上記実施形態では被処� ��基板として半導体ウエハを用いた場合を示� ��たが、半導体ウエハに限らず、FPD用ガラス� ��板等の他の基板を用いてもよい。

 さらに、上記実施形態では、成膜中、処� ��容器の圧力制御機構を全開として排気する� ��を多く示したが、圧力制御機構を働かせて1 3~266Paの範囲内の所望の圧力に保持してもよ� �。また、パージの際にガスを流さない引き� �り状態とする例を示したが、100~1000mL/min(sccm) 程度の不活性ガス、例えばArガスを通流させ� ��状態で圧力制御機構を全開として排気した� ��、20~266Paに圧力保持したりしてもよい。

 さらにまた、前記各実施形態を適宜組み� ��わせて実施しても本発明の範囲内であるこ� ��はいうまでもない。