まず、本発明の研磨方法の工程例の概要を� ��1に基づいて説明する。
 「1stラップ」「エッジ加工」では、ガラス� ��を円形に加工して円形ブランクとし、さら� ��中央部を円形に穿孔して、ドーナツ状のガ� ��ス基板の素材とする。
 「2ndラップ」では、ガラス基板の表裏平面� ��である主表面4(データ面、図2)を機械的研磨 する。この主表面の機械的研磨は、粗研磨に より精密研磨(ポリッシュ)による研磨代を残� ��た所定の寸法まで仕上げる。
 「チャンファーポリッシュ」では、ドーナ� ��状のガラス基板の中央穿孔の内周部端面5(� �2)及び外周部端面6(図2)を機械的研磨する。� �周部端面5とは、円形ガラス板の中央穿孔円� ��側壁7であり、面取部8がある場合はその部� �を含む。外周部端面6とは、円形ガラス板の� ��周部分の側壁7であり、面取部8がある場合� �その部分を含む。
 機械的研磨する方法としては、遊離砥粒を� ��溶液等の液体に分散させた研磨液を使用し� ��軟質又は硬質の研磨用不織布などからなる� ��磨パッドを回転接触、スライド接触させて� ��う。これらの機械的研磨は、所定の表面粗� ��になるまで大径の遊離砥粒から小径のもの� ��と段階的に使い分けて行う。この機械的研� ��終了時において、少なくとも内周部端面の� ��面粗さをRmaxで9nm以下とする。
 「化学的研磨」では、ガラス基板の少なく� ��も内周部端面を化学的研磨する。使用する� ��学的研磨液としては、例えば0.5~5体積%フッ� ��と5~50体積%硫酸を混合した公知の研磨液(室� ��~約70℃)への浸漬により行われる。化学的研 磨による表層の研磨深さは、研磨液の濃度、 温度、時間を適宜変化させることにより容易 に制御できる。
 通常は、化学的研磨は、化学的研磨液にガ� ��ス基板を浸漬して行うので、ガラス基板の� ��面全体が同時に化学研磨される。
 「ポリッシュ」は主表面の最終仕上げ研磨� ��、遊離砥粒を水溶液等の液体に分散させた� ��磨液を使用してガラス基板表面を研磨する� ��遊離砥粒としては、酸化セリウム、マンガ� ��酸化物、チタニア酸化物、珪素酸化物、ダ� ��ヤモンド砥粒などが使用される。この最終� ��上げ研磨では、ウレタン・人工皮革などの� ��磨パッドを貼り付けた上下定盤の間に挟ん� ��ガラス基板を回転させながら研磨する。そ� ��後「洗浄」「最終検査」を経て、ドーナツ� ��の磁気ディスク用ガラス基板が完成する。

 本発明に適用するガラス基板のガラス材料� ��しては、通常の酸化物ガラスを用いること� ��できるが、アルミノシリケートガラス、ソ� ��ダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガ� ��ス、アルミノボロシリケートガラス、ボロ� ��リケートガラス、石英ガラス等が挙げられ� ��。例えば、このような組成のガラスの一例� ��しては、5~15mass%のNa ₂ O、0~10mass%のLi ₂ O、5~15mass%のAl ₂ O ₃ 、0~6mass%のCaO、2~10mass%のTiO ₂ 、53~75mass%のSiO _2、 Nb酸化物および/またはV酸化物をNb ₂ O ₅ 換算またはV ₂ O ₅ 換算で0.1~10mass%含有するガラス材料、5~15mass%� ��Na ₂ O、0~10mass%のLi ₂ O、5~15mass%のAl ₂ O ₃ 、0~6mass%のCaO、2~10mass%のTiO ₂ 、0~5mass%のZrO ₂ 、53~75mass%のSiO _2、 Nb酸化物および/またはV酸化物をNb ₂ O ₅ 換算またはV ₂ O ₅ 換算で0.1~10mass%含有するガラス材料、あるい� ��5~15mass%のNa ₂ O、0~10mass%のLi ₂ O、5~15mass%のAl ₂ O ₃ 、0.5~6mass%のCaO、2~10mass%のTiO ₂ 、0~5mass%のZrO ₂ 、53~75mass%のSiO ₂ を含有し、かつ0~15mass%のB ₂ O ₃ と0~5mass%のK ₂ Oを含有するガラス材料などを挙げることが� �きる。特に、5~15mass%のNa ₂ O、0~10mass%のLi ₂ O、5~15mass%のAl ₂ O ₃ 、0.5~6mass%のCaO、2~10mass%のTiO ₂ 、0~5mass%のZrO ₂ 、53~75mass%のSiO ₂ を含有し、かつ0~15mass%のB ₂ O ₃ と0~5mass%のK ₂ Oを含有するガラス材料を使用すると特に効� �が大きい。