Lors de la recherche à la fois d'une miniaturisation, d'une augmentation des performances et de réalisation d'architectures modulaires à bas coût des disjoncteurs actuels, se pose le problème l'une mauvaise isolation post-coupure entre l'entrée et la sortie des disjoncteurs basse tension après un essai de court- circuit de service.

La cause de ce problème est principalement due à deux phénomènes :

Premièrement, il se produit pendant le phénomène de coupure de courant de court circuit, une ablation des matériaux situés dans la chambre de coupure au voisinage des contacts. Les éléments contribuant à ce phénomène sont les éléments conducteurs non oxydés lors de la coupure (principalement l'argent) et les éléments carbonés résultant de la combustion des parois isolantes. Les éléments Fe, Cu, W, Ni présents contribuent peu à la dégradation de l'isolation diélectrique.

Deuxièmement, il se produit une condensation des éléments vaporisés décrits ci- dessus dans les zones éloignées de la zone dite de coupure. Ces zones de condensation sont principalement situées dans les interstices entre les différents boîtiers constituant le disjoncteur.

Les matériaux constituant ces zones « froides » sont soumis à de nombreuses contraintes thermiques et mécaniques ne permettant pas de choisir les matériaux les plus performants d'un point de vue diélectrique.

Pour remédier à ce problème, et obtenir un courant de fuite minimal, des artifices sont utilisés afin de diminuer les effets néfastes de cette recondensation. On réalise ainsi des dépôts de peintures, de vernis, ou d'huile à base de silicone ou de PTFE.

Les inconvénients majeurs de tels produits sont une non maîtrise de la composition exacte de ces composants, une volatilité de certains composants lors de la mise en œuvre du dépôt, des problèmes d'adhésion sur une surface mal préparée et l'exigence d'une compatibilité avec les exigences Rohs et Reach.

La présente invention résout ces problèmes et propose un procédé permettant de réduire la conductivité des surfaces des parois situées dans des zones froides d'un appareil de protection électrique, de manière à répondre aux exigences diélectriques post coupure en permettant de prendre en compte principalement les contraintes thermiques et mécaniques du matériau de ces parois au vu des exigences de réussite en coupure de l'arc. A cet effet, la présente invention a pour objet un procédé de traitement du genre précédemment mentionné, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser sur cette surface une micro-texturation de manière à favoriser une inhomogénéité de la recondensation des résidus de coupure par une croissance des dépôts de ces résidus sur la surface de manière à créer des îlots de résidus et ainsi limiter la conductivité du dépôt résultant.

De préférence, l'on réalise une croissance des dépôts suivant une direction sensiblement perpendiculaire au plan de ladite surface. Selon une caractéristique particulière, l'on réalise grâce à ce procédé de micro texturation une surface de type super hydrophobe, ce procédé étant optimisé de manière à réduire très sensiblement les tensions superficielles sur la surface, ce qui permet de réduire le nombre de sites de nucléation et favorise une croissance des dépôts suivant l'axe vertical.

Selon une autre caractéristique, ce procédé est un procédé de micro texturation au laser. Selon une autre caractéristique, ce procédé est un procédé de micro texturation par laser dont la durée de puise est inférieure à 1 nano secondes et délivrant une puissance crête supérieure à 10 GW. Selon une autre caractéristique, la micro-texturation de surface précitée est réalisée directement sur la paroi précitée ou bien est obtenue par moulage de la pièce comportant la paroi précitée par l'intermédiaire d'un moule dont la micro texturation de surface est l'opposé de la micro texturation souhaitée sur la pièce. Selon une autre caractéristique, cette paroi est réalisée dans un matériau plastique.

La présente invention a encore pour objet un appareil de protection électrique comportant au moins une paroi située dans une zone de recondensation éloignée de la zone d'arc et dont la surface a été modifiée par un procédé de traitement comportant les caractéristiques précédemment mentionnées prises seules ou en combinaison, de manière à améliorer l'isolation post-coupure de l'appareil.

Selon une autre caractéristique particulière, l'appareil précité est un disjoncteur électrique basse tension.

Selon une autre caractéristique, cet appareil est un appareil multipolaire comportant plusieurs blocs unipolaires de coupure, et la paroi précitée appartient à une entretoise située entre deux blocs unipolaires juxtaposés ou bien appartient à un écran diélectrique disposé entre d'une part, les séparateurs et d'autre part, l'organe de contact mobile en position ouverte des contacts.

Mais d'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux dans la description détaillée qui suit et se réfère aux dessins annexés donnés uniquement à titre d'exemple et dans lesquels :

-La figure 1 est une vue partielle en perspective et éclatée d'un disjoncteur selon l'invention comportant plusieurs parois dont la surface est destinée à être microtexturée au moyen du procédé selon l'invention, -La figure 1 a est une vue partielle, en perspective et éclatée montrant plus précisément plusieurs de ces parois, -La figure 2 est une vue en coupe du disjoncteur selon la figure 1 , selon un plan sensiblement perpendiculaire au plan de fixation de l'appareil,

-La figure 3 est une vue schématique, illustrant la réalisation de la cartographie topographique de la surface micro texturée selon l'invention au moyen d'un microscope à force atomique,

-La figure 4 illustre la réalisation de la cartographie résistive de la surface micro texturée et polluée par la recondensation des polluants de coupure afin d'optimiser la micro texturation de la surface, et

-La figure 5 illustre une coupe transversale de la surface microtexturée après la coupure, avec un dépôt discontinu de billes de matériau conducteur sur la surface, Sur la figure 1 , on voit un disjoncteur D basse tension multipolaire connu en soi tel que décrit dans le brevet FR 2 682 531 et constitué par l'assemblage de blocs unipolaires 3,4,5,6, chacun constitué par un boîtier 1 en matière isolante moulée et à l'intérieur duquel sont logés des contacts en forme de pont de contacts mobiles, coopérant avec deux contacts fixes et deux chambres de coupure. Le pont de contacts est porté par un tronçon de barreau, et les différents tronçons de barreau sont solidarisés mécaniquement par des barres de liaison 2 excentrées, commandées par un mécanisme M commun à l'ensemble des blocs unipolaires 3. Cette figure montre deux exemples de parois situées dans des zones dites froides c'est-à-dire éloignées de l'arc électrique lorsque celui-ci se produit, et dont la surface représente une surface de recondensation des gaz de coupure. Ces surfaces comprennent une face latérale 7 d'un bloc unipolaire 6 et une surface extérieure 8 appartenant à une entretoise 9 interposée entre deux blocs unipolaires juxtaposés 5,6. Sur la figure 1 a, on voit un ensemble de trois blocs unipolaires de coupure 3,4,5 agencé selon une orientation opposée à l'orientation du disjoncteur de la figure 1 . Cette figure montre d'autres parois latérales de blocs unipolaires et de plaques entretoise comportant des surfaces extérieures 10,1 1 ,12 constituant des surfaces de recondensation des gaz de coupure.

Sur la figure 2, on voit un pôle appartenant à un disjoncteur électrique, muni d'une chambre d'extinction d'arc tel que décrit dans le brevet FR 2 803 686.

Ce pôle comprend un organe de contact fixe 13, un organe de contact mobile 14, et une chambre d'extinction d'arc 15, comportant deux flasques latéraux, des séparateurs 16, une ouverture antérieure située à proximité de la zone de contact de l'organe de contact fixe et une paire d'écrans diélectriques latéraux 17 limitant latéralement l'ouverture antérieure de la chambre. Chaque écran diélectrique latéral est disposé de manière à s'interposer latéralement entre les séparateurs 16 et l'organe de contact mobile en position ouverte. La surface extérieure 17a de ces écrans constitue un autre exemple d'application du procédé selon l'invention, ce procédé allant être décrit dans ce qui suit.

Le procédé selon l'invention consiste à modifier la surface concernée par la recondensation des gaz de coupure en vue d'obtenir une conductivité surfacique minimale après le dépôt de la pollution due à la coupure d'un arc électrique dans un disjoncteur basse tension. Selon une réalisation particulière de l'invention, l'on rend cette surface super hydrophobe par un procédé de micro-texturation de surface favorisant ainsi une inhomogénéité de la recondensation des résidus de coupure par une croissance des dépôts de ces résidus sur la surface de manière à créer des îlots de résidus et ainsi limiter la conductivité du dépôt résultant.

On se reportera avantageusement à la figure 5 qui illustre la surface micro- texturée 18 et les îlots 19 de résidus, ces îlots étant constitués de billes de matériau tel l'argent au moyen d'une coupe représentant la longueur d'onde I de la texture en fonction de la distance d sur l'échantillon.

Avantageusement, on réalise cette surface super hydrophobe par un procédé de micro texturation.

La géométrie retenue pour la micro texturation sera optimisée en mesurant la résistance superficielle de la couche en surface, la surface optimum étant la surface la plus inhomogène d'un point de vue diélectrique après dépôt de la pollution. C'est-à-dire que l'on cherche à obtenir une surface sur laquelle les éléments de décomposition de la coupure, lesquels sont conducteurs (en particulier l'argent sous forme non oxydé) se recombinent de manière non homogène de manière à diminuer le courant de fuite entre deux bornes testées (Phase/phase ou entrée/sortie d'un appareil).

Avantageusement, la technologie choisie sera un procédé de micro texturation de la surface par un laser de type femtoseconde dont la durée de puise est très petite (typiquement inférieure à 1 ns) et délivrant une puissance crête très élevée (>10GW). Dans ces conditions, tous les matériaux peuvent être sublimés, et ceci sans aucun effet thermique, et en particulier les matériaux plastiques dont sont constitués les parois concernées par cette modification de surface.

L'optimisation de la texture pourra être réalisée avec l'aide d'un microscope à force atomique permettant de réaliser simultanément la cartographie topographique et la cartographie résistive d'un même échantillon.

Cette technique utilisant un microscope à force atomique est illustrée schématiquement sur la figure 3, et étant connue en soi, ne sera pas décrite plus en détail. Cette technique utilise un levier en silicium 20, des tubes piézoélectriques 21 , un laser 22, une pointe 23 intégrée au levier, un photodétecteur de position 24 du levier, un dispositif de régulation 25, un système de contrôle 26.

La figure 4 illustre la mesure de courant dans la couche de surface, cette mesure représentant une manière parmi d'autres d'évaluer la résistance superficielle sur cette surface, de manière à réaliser une surface optimum.

On notera que les modifications de texture porteront uniquement sur les surfaces de recondensation éloignées de la zone d'arc.

En effet, ces modifications sont sans intérêt sur les surfaces proches de l'arc car celles-ci sont fortement ablatées par l'arc.

Ce type de traitement laser permet d'obtenir une micro texturation de la surface plastique et en particulier dans des zones de condensation dites zones froides. La modification de la texture pourra être réalisée soit directement sur la pièce, soit sur le moule dont la micro texturation de surface sera le négatif de la micro texturation souhaitée. Cette micro texturation est optimisée pour réduire très sensiblement les tensions superficielles en surface, en créant une surface super hydrophobe, ce qui réduit le nombre de sites de nucléation et favorise une croissance des dépôts suivant un axe sensiblement perpendiculaire à la surface de la paroi à texturer, tel que ceci est particulièrement visible sur la figure 3. Ceci conduit à une inhomogénéité de la recondensation des résidus de coupure par la croissance des dépôts par ilôts isolés et non par la croissance d'un film continu, ce qui permet de limiter ainsi la conductivité du dépôt résultant.

L'invention consiste donc à modifier directement la texture de surface du matériau dont est constituée la paroi de façon à répondre aux exigences diélectriques en permettant de prendre en compte principalement les contraintes thermiques et mécaniques du matériau pour ce qui concerne les exigences de réussite en coupure. L'invention s'applique à toute surface extérieure de paroi dont on veut diminuer la conductivité et située dans une zone de recondensation des éléments de décomposition conducteurs générés lors d'une coupure électrique.

Bien entendu, l'invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit et illustré qui n'a été donné qu'à titre d'exemple.

Au contraire, l'invention comprend tous les équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci sont réalisées suivant son esprit.