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【발명의 명칭】

신규한화합물및 이를이용한유기발광소자

【기술분야】

관련출원（들）과의 상호인용

본 출원은 2017년 11월 24일자 한국 특허 출원 제 10 2017

0158934호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된모든내용은본명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은신규한 화합물 및 이를포함하는 유기 발광소자에 관한 것이다.

【배경기술】

일반적으로유기 발광현상이란유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각， 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동전압및 응답속도특성이 우수하여 많은연구가진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을포함하는구조를가진다. 상기 유기물층은유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두전극사이에 전압을걸어주게 되면 양극에서는정공이, 음극에서는 전과가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤（ ₆ 1； ₀₁₁ ）이 형성되며， 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로요구되고있다.

【선행기술문헌】

【특허문헌】 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

(특허문헌 0001)한국특허 공개번호제 10-2000-0051826호

【발명의 내용】

【해결하려는과제】

본 발명은신규한화합물 및 이를 포함하는 유기 발광소자에 관한 것이다.

【과제의 해결수단】

본발명은하기 화학식 1로표시되는화합물을제공한다:

[화학식 1]

상기 화학식 1에서，

XI내지 ₄ 중에서， XI및 ¾, ¾및 ¾, 또는 ¾및 ₄ 가하기 화학식 2의 _* 와연결되고， 나머지 하나는수소이고, 나머지 하나는 ¾이고，

[화학식 2]

¾및 ¾는각각독립적으로수소; 중수소; 할로겐; 시아노; 아미노; 치환 또는 비치환된 0 _1-60 알킬 ; 치환 또는 비치환된 0 _1-60 할로알킬 ; 치환 또는 비치환된 0 _1-60 알콕시 ; 치환 또는 비치환된 0：- ₆₀ 할로알콕시 ; 치환 또는 비치환된 0 ₃ -60사이클로알킬 ; 치환 또는 비치환된 0 ₂ -60 알케닐 ; 치환 또는 비치환된 0 ₆ -60 아릴 ; 치환 또는 비치환된 0 ₆ -60 아릴옥시 ; 또는 치환 또는 비치환된 0 및 로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를

1개 이상포함하는 0 ₂ -60헤테로고리기이고，

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¾ 내지 요 ₆ 는 각각 독립적으로, 수소， 중수소， 시아노， 치환 또는 비치환된 0 _1-60 알킬， 치환 또는 비치환된 0 _3-60 사이클로알킬， 치환 또는 비치환된 0 _6-60 아릴 , 또는 치환 또는 비치환된 0 및 로 구성되는 군으로부터 선택되는적어도하나를포함하는。 _2-60 헤테로아릴이고，

II은 0내지 2의 정수이다. 또한， 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1전극과상기 제 2전극사이에 구비된 1층이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로표시되는화합물을포함하는, 유기 발광소자를제공한다.

【발명의 효과】

상술한화학식 1로표시되는화합물은유기 발광소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며， 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압및/또는수명 특성을향상시킬 수 있다. 특히， 상술한화학식 1로 표시되는화합물은정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송， 발광, 전자수송， 또는전자주입 재료로사용될수있다.

【도면의 간단한설명】

도 1은 기판 (1)， 양극 (2) , 발광층 (3) , 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광소자의 예를도시한것이다.

도 2는 기판 (1) , 양극 (2) , 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한것이다.

도 3은 기판 (1) , 양극 (2)， 정공주입층 (5) , 정공수송층 (6) , 전자억제층 (9)， 발광층 (7) , 전자수송층 (8) , 전자주입층 (10) 및 음극 (4)로 이루어진유기 발광소자의 예를도시한것이다. 이와같은구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층， 발광층 및 전자수송층중 1층이상에 포함될수있다.

【발명을실시하기 위한구체적인내용】

이하， 본발명의 이해를돕기 위하여 보다상세히 설명한다. 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

본발명은상기 화학식 1로표시되는화합물을제공한다.

본명세서에서， 는다른치환기에 연결되는결합을의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된” 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기 ; 아미노기 ; 포스핀옥사이드기 ; 알콕시기 ; 아릴옥시기 ; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기 ; 사이클로알킬기 ; 알케닐기 ; 아릴기 ; 아르알킬기 ; 아르알케닐기 ; 알킬아릴기 ; 알킬아민기 ; 아랄킬아민기 ; 헤테로아릴아민기 ; 아릴아민기 ; 아릴포스핀기; 또는 0 및 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된치환기 중 2이상의 치환기가연결된 치환또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된치환기로해석될수있다. 본명세서에서 카보닐기의 탄소수는특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로하기와같은구조의 화합물이 될 수있으나， 이에 한정되는것은아니다.

본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215 본 명세서에 있어서 , 이미드기의 탄소수는특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될수있으나， 이에 한정되는것은아니다.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기， 트리에틸실릴기， 부틸디메틸실릴기， 비닐디메틸실릴기 _, 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서 , 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기， 트리에틸붕소기， 부틸디메틸붕소기， 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브롬 또는 요오드가있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는메틸， 에틸， 프로필， _11- 프로필， 이소프로필， 부틸, ₁₁ -부틸, 이소부틸， 1 ₆ _부틸, 크 -부틸， 1 -메틸-부틸, 1 -에틸-부틸， 펜틸, ₁₁ _펜틸， 이소펜틸, 네오펜틸, 라卜펜틸, 핵실， ₁₁ -핵실， 1 -메틸펜틸， 2 -메틸펜틸，

4 -메틸- 2 -펜틸, 3 , 3 -디메틸부틸, 2 -에틸부틸， 헵틸， II -헵틸, 1 -메틸핵실, 사이클로펜틸메틸,사이클로핵틸메틸, 옥틸, 옥틸， 1 _61·! ：-옥틸， 1 -메틸헵틸， 2 -에틸핵실， 2 -프로필펜틸, _11- 노닐, 2,2 -디메틸헵틸， 1 -에틸-프로필, 1, 1- 디메틸-프로필， 이소핵실， 2 -메틸펜틸, 4 -메틸핵실, 5 -메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는직쇄 또는분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다： 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐， 1 -프로페닐, 이소프로페닐， 1 -부테닐， 2 -부테닐, 3 -부테닐， 1 -펜테닐, 2 -펜테닐, 3 -펜테닐, 3 -메틸- 1 -부테닐, 1， 3 -부타디에닐, 알릴，

1 -페닐비닐- 1 -일， 2 -페닐비닐- 1 -일， 2,2 -디페닐비닐- 1 -일， 2 -페닐- 2- （나프틸- 1 -일）비닐- 1 -일， 2, 2 -비스（디페닐- 1 -일）비닐- 1 -일， 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며， 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3 -메틸사이클로펜틸， 2,3 - 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3 -메틸사이클로핵실， 4 - 메틸사이클로핵실， 2, 3 -디메틸사이클로핵실， 3,4,5 -트리메틸사이클로핵실 , 4아 ₆ -부틸사이클로핵실， 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는다환식 아릴기일수있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수있으나， 이에 한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우，

수있다. 다만， 이에 한정되는것은아니다. 본명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종원소로 0, ， 및 £중 1개 이상을포함하는헤테로고리기로서， 탄소수는특별히 한정되지 않으나， 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기, 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기， 아크리딜기， 피리다진기 , 피라지닐기， 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기 , 퀴녹살리닐기 , 프탈라지닐기， 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기， 이소퀴놀린기， 인돌기 , 카바졸기， 벤조옥사졸기， 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

벤조이미다졸기， 벤조티아졸기， 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기 , 페난쓰롤린기（ _6113111 ：1 _{1101 ½} ） , 이소옥사졸릴기， 티아디아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만한정되는것은아니다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 알킬아릴기, 알킬아민기 중알킬기는전술한알킬기의 예시와같다. 본명세서에 있어서， 헤테로아릴아민중헤테로아릴은전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴텐은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴텐은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한설명이 적용될수있다. 상기 화학식 1에서， 화학식 2의 결합위치에 따라, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1， 1-2， 1-3， 1-4， 또는 1-5로표시된다:

[화학식 1-1]

2019/103423 1»（：1/10公018/014215

[화학식 1-4] 2019/103423 1 ^» （：1/10公018/014215

바람직하게는，요 ₂ 는수소， 메틸， 이다. 바람직하게는， ¾ 내지 ¾는 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 0 _1-60 알킬이다. 보다바람직하게는，묘 ₄ 내지요 ₆ 는메틸이다. 상기 화학식 1로표시되는화합물의 대표적인 예는다음과같다:







 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

화합물의 제조방법을제공한다.

[반응식 1] 2019/103423 1»(：1/10公018/014215

상기 제조방법은후술할실시예에서 구체화할수있다.

5 또한， 본 발명은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함하는유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물증 중 1증 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광소자를제공한다. 본발명의 유기 발광소자의 유기물층은단층구조로이루어질수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 - 수의 유기층을포함할수있다. - 또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 특히， 본 발명에 따른 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

화합물은발광층의 도펀트로사용할수있다. 또한， 상기 유기물 층은 전자수송층， 또는 전자주입층을 포함할수 있고， 상기 전자수송층, 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을포함한다. 또한， 상기 전자수송층， 전자주입층， 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는층은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함한다. 또한， 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고， 상기 전자수송층은상기 화학식 1로표시되는화합물을포함할수있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 ( ₁₁₀ 대 1 1 ? ₆₎ 의 유기 발광소자일 수 있다. 또한， 본 발명에 따른유기 발광소자는 기판상에 음극， 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 1 _?6) 의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른유기 발광소자의 구조는도 1및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 (1)， 양극 (2) , 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로표시되는화합물은상기 발광층에 포함될수있다. 도 2는 기판 (1) , 양극 (2) , 정공주입층 (5) , 정공수송층 (6) , 발광층 (7) , 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층， 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될수있다. 도 3은 기판 (1) , 양극 (2) , 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6) , 전자억제층 (9)， 발광층 (7) , 전자수송층 (8) , 전자주입층 (10) 및 음극 (4)로 이루어진유기 발광소자의 예를도시한것이다. 이와같은구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은상기 정공주입층, 정공수송층， 발광층 및 전자수송층중 1층이상에 포함될수있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는재료와방법으로제조될수 있다. 또한, 상기 유기 발광소자가복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은동일한 물질또는다른물질로형성될수있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자빔 증발법 (e시 aeam evaporat ion)과 같은 PVD(physical Vapor Deposi t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는유기물층을형성한후， 그위에 음극으로사용할수 있는물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수있다. 또한, 상기 화학식 1로표시되는화합물은유기 발광소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법， 롤 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로한정되는것은아니다. 이와같은방법 외에도， 기판상에 음극물질로부터 유기물층， 양극 물질을차례로증착시켜 유기 발광소자를제조할수 있다 0 2003/012890) . 다만, 제조방법이 이에 한정되는것은아니다. 일례로, 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 제 2 전극은 음극이거나， 또는상기 제 1전극은음극이고, 상기 제 2전극은양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가큰물질이 바람직하다. 상기 양극물질의 구체적인 예로는 바나둠， 크롬， 구리， 아연, 금과같은금속또는이들의 합금; 아연산화물， 인둠 산화물， 인둠주석 산화물（ ⑴， 인듐아연 산화물（1¥）과 같은 금속 산화물; ¾0:사 또는 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리（3- 메틸티오펜）， 폴리［3, 4-（에틸렌- 1,2 -디옥시）티오펜］ 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가작은물질인 것이 바람직하다. 상기 음극물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘， 나트륨, 칼륨， 티타늄， 인듐， 이트륨, 리튬， 가돌리늄， 알루미늄, 은， 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 니 /시 또는 니0 ₂ ᆻ1과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공주입층은전극으로부터 정공을주입하는층으로， 정공주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공주입효과， 발광층 또는발광재료에 대하여 우수한정공주입 효과를갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한， 박막 형성 능력이 우수한화합물이 바람직하다 _. 정공주입 물질의 HOMOChighest occupi ed molecular orbi tal）가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 증의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린（porphyr in） , 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

퀴나크리돈（（ _{¾11 30} （1 _01½ ）계열의 유기물， 페릴렌 아 比 ） 계열의 유기물, 안트라퀴논및 폴리아닐린과폴리티오펜 계열의 전도성 고분자등이 있으나， 이들에만한정 되는것은아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로 양극이나정공 주입층으로부터 정공을수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만한정되는것은아니다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8 -히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 1 _¾ ）; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴（ ₁₁₁₆₁ ^ ₂₆ （1 ） 화합물; 8쇼1（ _{1 ; 1} 0- 히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸， 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리（I） -페닐렌비닐렌）（?1 ） 계열의 고분자; 스피로 山 ） 화합물; 폴리플루오렌， 루브렌 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트재료는축합방향족환유도체 또는헤테로환함유화합물등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체， 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸유도체， 디벤조퓨란유도체, 래더형 퓨란화합물, 피리미딘유도체등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도펀트재료로는방향족아민유도처ᅵ， 스트릴아민화합물, 붕소착체, 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피랜, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로， 아릴기， 실릴기， 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민， 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체， 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를수취하여 발광층까지 전자를수송하는층으로 전자수송 물질로는음극으로부터 전자를 잘주입 받아 발광증으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8 -히드록시퀴놀린의 쇼1 착물; 쇼1다 ₃ 를 포함한착물; 유기 라디칼화합물; 히드록시플라본-금속착물등이 있으나, 아들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘, 이테르븀및사마륨이고, 각경우알루미늄층또는실버층이 뒤따른다. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과， 발광층또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광증에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고， 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논， 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸 , 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속착체 화합물및 질소함유 5원환유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

상기 금속착체 화합물로서는 8 -하이드록시퀴놀리나토리륨, 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）아연, 비스（8 -하이드록시퀴놀리나토）구리， 비스（8- 하이드록시퀴놀리나토）망간， 트리스（8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄 , 트리스（2 -메틸- 8 -하이드록시퀴놀리나토）알루미늄， 트리스（8- 하이드록시퀴놀리나토）갈륨， 비스（10 -하이드록시벤조［비퀴놀리나토）베릴륨， 비스（10 -하이드록시벤조 ］퀴놀리나토）아연 , 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）클로로갈륨, 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（ _{0 -} 크레졸라토）갈륨, 비스（2 -메틸- 8 -퀴놀리나토）（ 1 -나프톨라토）알루미늄， 비스（2 -메틸- 8- 퀴놀리나토）（2 -나프톨라토）갈륨등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본발명에 따른유기 발광소자는사용되는재료에 따라전면발광형, 후면발광형 또는양면발광형일수있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양전지 또는유기 트랜지스터에 포함될수있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는것은아니다.

［제조예］

제조예 1-1：화합물쇼1및 의 제조 2019/103423 1»（：1/10公018/014215

1）화합물사의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2 -브로모피리딘（60 _§, 0.38

가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을사용해 녹인 후 물로씻어주고 황산마그네슘과산성백토를 넣고 교반후 여과하여 감압농축시켰다. 이후 에틸아세테이트:핵산 = 1:50（ _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해

2）화합물 1- 의 제조

둥근 바닥 플라스크에 이리듐클로라이드（20 요, 66 11111101）와 화합물 사（22.8 ₁ 0.146 _1¥1 ）을 2 -에톡시에탄올（2000 ） 및 증류수（660 ）에 넣고 24시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여

3）화합물바의 제조

화합물 1 1 ₈ （19.4당, 18 _ ₀₁ ）를 메틸렌클로라이드（1000 ）에 녹인

차단한 상태로 상온에서 교반하였다. 24시간 후, 필터하여 걸러진 여액의 용매를 날리고 톨루엔으로 침전시켜 추가 정제없이 화합물 을 얻었다（수율 95%） . 2019/103423 1»(：1/10公018/014215

1)화합물쇼2의 제조

2 -브로모피리딘 대신 2 -브로모- 5 -메틸피리딘 (50.0 己 0.30 1 )을 사용한 것을 제외하고 화합물사을 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물요2를제조하였다.

2)화합물 1-11)의 제조

화합물 사 대신 화합물 쇼2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1_ 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 1-내를제조하였다.

3)화합물표2의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 1_ 를사용한것을 제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물요2를제조하였다.

2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

1）화합물 1-1（：의 제조

질소분위기에서 둥근바닥플라스크에 2, 5 -브로모피리딘（60 _{§ , 0} .25 ₁₁ ） ₀ 1）, 페닐보로닉산（32 당, 0.27 ₀₁ （）1）을 아세토나이트릴（250 ）과 메탄올（250 ）에 녹인 후 2 탄산칼륨수용액（200 ）을 첨가하고, 테트라키스-（트리페닐포스핀）팔라듐（5.8 5.0 _ ₀ 1）을 넣은 후 20시간 동안 50°（：에서 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한뒤 유기층의 용매를제거하였다. 클로로포름을사용해 녹인후물로 씻어주고 황산마그네슘과 산성백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 핵산:메틸렌클로라이드 = 100: 1（ _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 1-1（：를 제조하였다（47 용, 수율

80%） .

2）화합물 1-1（3의 제조

질소분위기에서 둥근바닥플라스크에 5 -브로보- 2 -페닐피리딘（47요, 0.2 1）을다이에틸이써（500 ）에 녹인후 -781：에서 2.5 1\1 11_加니（84 ,

0.21 ₀₁₀ 1）를 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. -781：에서 트리에틸보레이트（37 0.25 ₁ « ₀ 1）를 넣은 후 상온에서 4시간 동안 교반하였다. 2 하이드로클로라이드수용액（200 ₁ ）을 첨가하고 30분 동안 교반한 후 20%소듐하이드록사이드수용액（200 ）으로 중화하였다. 수층을 분리한뒤 유기층의 용매를제거하였다. 핵산:메틸렌클로라이드 = 50: 1 ） 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 1-1（1를 제조하였다（26 용, 수율 76%） .

3）화합물쇼3의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 （6 -페닐피리딘- 3- 일）보로닉산（26 용， 0.13 1）, 아이오도메테인- ¾（29 0.20 1）을 테트라하이드로퓨란（150 ）과 메탄올（75 ）에 녹인 후 2 탄산칼륨수용액（100 ）을 첨가하고， 테트라키스-

（트리페닐포스핀）팔라듐（ 2.6 _■ ）을 넣은후 401：에서 24시간동안 가열 및 교반하였다. 클로로포름을 사용해 녹인 후 물로 씻어주고 2019/103423 1»(：1/10公018/014215

황산마그네슘과산성백토를 넣고 교반후 여과하여 감압농축시켰다. 이후 핵산:에틸아세테이트 = 50: 1（ _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한화합물요3를제조하였다 수율 67%） . 4）화합물 1-比의 제조

화합물 쇼1 대신 화합물 쇼3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1_1크를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 1- 를제조하였다.

5）화합물요3의 제조

화합물 1 ^_ 1 _¾ 대신 화합물 1- 를사용한것을 제외하고화합물묘1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 63를제조하였다.

1）화합물 1-打의 제조

페닐보로닉산 대신 （4-（메틸-선3）페닐）보로닉산을 사용한 것을 제외하고화합물 1-1（：를 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물 1 - 打를제조하였다.

2）화합물 1-1용의 제조

화합물 1-1 ₀ 대신 화합물 1사^를 사용한 것을 제외하고 화합물 1 - 1（1를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 1_¾를제조하였다. 2019/103423 1»(：1^1{2018/014215

3)화합물쇼3의 제조

화합물 1-1(1대신 화합물 1-1 _§ 를사용한것을제외하고화합물쇼3을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물요4를제조하였다. 4)화합물 1- 의 제조

화합물 쇼1 대신 화합물 요4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1_ 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 1-11 ₁ 를제조하였다.

5)화합물묘4의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 1- 를사용한것을 제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 ¾를제조하였다.

1)화합물 2- 의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 1,2 -다이브로모벤젠 (30 용， 0.13 ，1 )을 테트라하이드로퓨란 (400 )에 녹인 후 _78ᄃ에서 2.51« _11- 加니(57 0 ₁ 1 , 0.14 ₁ ^ ₀ 1 )을 첨가한 후 온도를 유지한 채 1시간 동안 교반하였다. -78ᄃ에서 클로로트리메틸실레인 ( ₍ 土1 _01'01 ； ₁ ^ ₁₁₁₆₁ 上 ₇ 1 ₃ 11 _{31½) ( 1} 5 g, 0.14 ₀₁₀ 1 )를 넣은 후 상온에서 10시간 동안 교반하였다. 메틸렌클로라이드를사용해 유기층을추출한후 황산마그네슘과산성백토를 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 핵산:에틸아세테이트 = 50: 1（ _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 2- 를 제조하였다 수율 64%） . 2）화합물 2-11）의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥플라스크에 3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2- 아민（30 0.14 1）， （2 -메톡시페닐）보로닉산（23 0.15 1）을 테트라하이드로퓨란（300 ）에 녹인 후 2 탄산칼륨수용액（150 ）을 첨가하고, 테트라키스-（트리페닐포스핀）팔라듐（3.2 _§ ） 2.8 ₁ ^ ₀₁ ）을 넣은후 6시간 동안 40°（：에서 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을사용해 녹인 후물로씻어주고 황산마그네슘과산성백토를 넣고교반후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 에틸아세테이트:핵산 = 1: 100（＞: _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 2-比를 제조하였다（27 수율 82%） .

3）화합물 2-1（：의 제조

화합물 2-比（27용， 0.14미 ₀₁ ）를 테트라하이드로퓨란（200 ）에 녹인 후 아세트산（0.3 ¾1, 250 ）을 넣고 0°（：로 온도를 낮추었다. 터트_ 뷰틸나이트라 比 ₆ ）（26용, 0.25 11101）를천천히 떨어뜨린 후이에서 2시간동안교반하고서서히 상온으로올렸다. 5시간후반응을 종료하였다. 에틸아세테이트:핵산 = 1: 1000: _\ 0 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 2-比를 제조하였다（20 수율 抑%） .

4）화합물 2-1（1의 제조

둥근바닥 플라스크에 화합물 2-1 ₀ （20 0.1 미이）, 4,4, 5,5- 테트라메틸- [1,3, 2]-디옥사보롤란（51 0.2 ₁₁₁₀₁ ）， （1（（¾ £）（：1 ₂ （1.5 2

_ ₀₁ ）， 다이옥산（400 ）을 넣은 후 18시간 동안 환류 조건에서 교반을 진행하였다. 상온으로 온도를 낮추고 용매를 감압 농축하였다. 상기 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

농축액을 클로로포름에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 생성물이 녹아있는 용액을감압농축하면서 에탄올에 침전시켜 화합물 2-1（1를제조하였다（27 g, 수율 92%） . 5）화합물아의 제조

3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2 -아민과 （2 -메톡시페닐）보로닉산 대신 각각 화합물 2- 와 화합물 2-1（1를 사용한 것을 제외하고， 화합물 2- 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물다을제조하였다. 6）화합물 2-1 ₆ 의 제조

화합물 사 대신 화합물 을 사용한 것을 제외하고 화합물 1- 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1근를제조하였다.

7）화합물이의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 比를사용한것을제외하고화합물요1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물이를제조하였다.

1）화합물 2- 의 제조

3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2 -아민 대신 4 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2- 아민을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-］上를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 화합물 2- 를제조하였다. 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

2）화합물 2-1 _§ 의 제조

화합물 2- 대신 화합물 2- 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 뇨를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 _§ 를제조하였다.

3）화합물 2-11 ₁ 의 제조

화합물 2-1 ₀ 대신 화합물 2-1 _§ 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 1（1를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-11를제조하였다. 4）화합물 02의 제조

화합물 2-1（1대신 화합물 2-11 ₁ 를사용한것을제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 02를제조하였다.

5）화합물 2-11의 제조

화합물 사 대신 화합물 02를 사용한 것을 제외하고 화합물 1_ 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 ₁ 를제조하였다.

6）화합물敗의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 2-11를사용한것을제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 02를제조하였다.

2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

1）화합물 2-니의 제조

3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2 -아민 대신 5 -브로모- 2 -클로로피리딘- 4- 아민을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-11）를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 화합물 2-1』를제조하였다.

5

2）화합물 2-1뇨의 제조

화합물 2-1 대신 화합물 2- 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1뇨를제조하였다.

10 3）화합물 2-11의 제조

화합물 2-1 ₀ 대신 화합물 2_1뇨를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 1（1를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-11을제조하였다.

4）화합물 03의 제조

15 화합물 2-1（1대신 화합물 2-11를사용한것을제외하고화합물다을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 03를제조하였다.

5）화합물 2-1 ₁₁₁ 의 제조

화합물 사 대신 화합물 03를 사용한 것을 제외하고 화합물 1_ 를

20 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 ₁₁₁ 을제조하였다.

6）화합물 의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 2- 을사용한것을제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 03를제조하였다.

25

제조예 2-4：화합물 04및 의 제조 2019/103423 1»(：1/10公018/014215

3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2 -아민 대신 3 -브로모- 2 -클로로피리딘- 4- 아민을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-11 ₃ 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 화합물 2_1! ₁ 을제조하였다.

2)화합물 2-1 ₀ 의 제조

화합물 2_1 대신 화합물 2-1 ₁₁ 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 뇨를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 ₀ 를제조하였다.

3)화합물 2-切의 제조

화합물 2-1 ₀ 대신 화합물 2-1 ₀ 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 1(1를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 ₁₎ 을제조하였다. 4)화합물 04의 제조

화합물 2-1(1대신 화합물 2-1 _{) 를사용한것을 제외하고화합물 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 04를제조하였다.

5)화합물 2-1( ₁ 의 제조

화합물 쇼1 대신 화합물 04를 사용한 것을 제외하고 화합물 1- 를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1( ₁ 을제조하였다.

6)화합물 4의 제조 2019/103423 1»(：1/10公018/014215

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 2-1( ₁ 을사용한것을 제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 를제조하였다.

1)화합물 2-1 ₁ 의 제조

3 -브로모- 6 -클로로피리딘- 2 -아민 대신 4 -브로모- 2 -클로로피리딘- 3- 아민을 사용한 것을 제외하고 화합물 2- 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로상기 화합물 2-1 _1· 을제조하였다.

2)화합물ᅡ 의 제조

화합물 2-比 대신 화합물 2-1! ₁ 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2-1 ₀ 를제조하였다.

3)화합물 2- 의 제조

화합물 2-1 ₀ 대신 화합물 요- 를 사용한 것을 제외하고 화합물 2 - 1(1를제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2- 을제조하였다.

4)화합물 04의 제조

화합물 2-1(1대신 화합물 2-11를사용한것을제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 05를제조하였다.

5)화합물 2_1 ₁₁ 의 제조 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

화합물 쇼1 대신 화합물 05를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1크를 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2- 을제조하였다.

6）화합물 의 제조

화합물 1-1 ₃ 대신 화합물 2-1 ₁ ：를사용한것을 제외하고화합물 을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물예를제조하였다.

［실시^！］

실시예 1：화합물 1의 제조

질소 분위기에서 화합물 31（9.5 용， 13 _01）과 화합물 01（10 당， 33 11^01）, 메탄올（100 1111） , 에탄올（100 ）을 넣고 801：에서 40시간동안가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 필터하고 에탄올로 세척한 후 메틸렌클로라이드:메탄올 = 50: 1（ 조건에서 컬럼크로마토그래피를통해 분리한화합물 1을제조하였다（수율 42%） .

3 : ［¾!내］ ⁺ = 818.2 실시예 2：화합물 2의 제조

화합물 아 대신 화합물 02를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 2를제조하였다（수율 38%） . [¾1+비 ⁺ = 818.2 실시예 3： 화합물 3의 제조 2019/103423 1»（：1/10公018/014215

화합물 01 대신 화합물 03를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 3를제조하였다（수율 39%） .

［1«내］ ⁺ = 818.2

화합물 01 대신 화합물 04를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 4를제조하였다（수율 41%） .

: ［ᅵ\1州］ ⁺ = 818.2 실시예 5：화합물 5의 제조

제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 5를제조하였다（수율 47%） .

［¾1내］+ = 818.2. 실시예 6： 화합물 6의 제조 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

화합물 대신 화합물 요3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 6를제조하였다（수율 47%） .

［¾1내］ ⁺ = 852.3 실시예 7：화합물 7의 제조

화합물 61과화합물 01대신 화합물요3와화합물€2를사용한것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7을 제조하였다（수율 44%）.

화합물 과화합물 대신 화합물 83와화합물 02를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8을 제조하였다（수율 32%） .

¾梅: 州］ ⁺ = 852.3 실시예 9：화합물 9의 제조

화합물요1과화합물 01 대신 화합물요3와화합물 04를사용한 것을 제외하고, 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9를 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215

제조하였다（수율 32%）.

화합물 과화합물다 대신 화합물표3와화합물 05를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한방법으로상기 화합물 10을 제조하였다（수율 37%）.

3: [¾1+}1] ⁺ = 852.3 실시예 11:화합물 11의 제조

화합물 대신 화합물 표4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는방법과동일한방법으로상기 화합물 11을제조하였다（수율 35%）.

화합물라과화합물 01 대신 화합물표4와화합물 02를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물 12를 제조하였다（수율 41%）. 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215 내］ ⁺ = 886.3 실시예 13: 화합물 13의 제조

화합물라과화합물（：1 대신 화합물표4와화합물 03를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한방법으로상기 화합물 13을 제조하였다（수율 46%） .

화합물묘1과화합물 01 대신 화합물요4와화합물 04를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물 14를 제조하였다（수율 44%）.

¾犯: ［¾1+비 ⁺ = 886.3 실시예 15:화합물 15의 제조

화합물 과화합물（：1 대신 화합물요4와화합물 05를사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한방법으로상기 화합물 15를 제조하였다（수율 40%） .

州］ ⁺ = 886.3 2019/103423 1»（：1^1{2018/014215 실시예 16:화합물 16의 제조

화합물 과화합물 01 대신 화합물이과화합물사을사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물 16를 제조하였다（수율 49%）.

화합물 과 화합물（：1 대신 화합물的와화합물사을사용한 것을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한 방법으로상기 화합물 17을 제조하였다（수율 51%） .

태］ ⁺ = 980.3 실시예 18:화합물 18의 제조 을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18을 제조하였다（수율 37%） .

13： ¾대］ ⁺ = 980.3 2019/103423 1»（：1/10公018/014215

실시예 19:화합물 19의 제조

화합물요1과화합물 01 대신 화합물 4와화합물쇼1을사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19를 제조하였다（수율 33%） .

: ［¾1내］ ⁺ = 980.3 실시예 20：화합물 20의 제조

을 제외하고， 화합물 1을 제조하는 방법과동일한방법으로상기 화합물 20을 제조하였다（수율 35%）.

13： ［¾1태］ ⁺ = 980.3 ［실험예］

실험예 1

比이比 ™ ₁₁ （« 가 1，300入의 두께로박막코팅된유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때， 세제로는 피셔사作 此라 0 ₀ .） 제품을 사용하였으며， 증류수로는 밀리포어사（附11 ^ ₀ 0 ₀ .） 제품의 필터（ ）로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. 0를 30분간세척한후증류수로 2회 반복하여 초음파세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜, 아세톤， 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한， 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간세정한후 진공증착기로기판을수송시켰다. 2019/103423 1»（：1/10公018/014215

상기와같이 준비된 110투명 전극위에 하기 111-1화합물을 50人의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물을 250入의 두께로 열 진공 증착하여 정공수송층을 형성하고， }{^-1 증착막 위에 하기 \iT~-2 화합물을 50쇼의 두께로 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 ᅮ 증착막 위에 호스트로서 하기 III 화합물과 하기 112 화합물， 및 인광 도펀트인 앞서 제조한화합물 1을 44:44: 12의 중량비로공증착하여 400人두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 _1 화합물을 250人의 두께로 진공 증착하고， 추가로 하기 牌-2 화합물을 100人 두께로 2% 중량비의 니과 공증착하여 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 1000 두께로알루미늄을증착하여 음극을형성하였다.

타-2

타-1 2019/103423 1»(：1^1{2018/014215

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 0.7 入八 를 유지하였고， 알루미늄은 2 ᅀ八 의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 유지하였다. 실험예 2내지 8

발광층 형성시 인광도펀트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과 동일한 방법으로수행하여 실시예 2내지 8의 유기 발광소자를각각제조하였다. 비교실험예 1및 2

발광층 형성시 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상:기 실험예 1과 동일한 방법으로 수행하여 유기 발광소자를 제조하였다. 하기 표 1에서， 화합물 및 E2 화합물은각각하기와같다.

상기 실험예 및 비교실험예에서 제조된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압, 효율， 색좌표， 및 수명（¾ ₅ ）을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 휘도가초기 휘도에서 95%로감소되는데 소요되는 시간을의미한다.

【표 11

2019/103423 1»(：1^1{2018/014215

상기 표 1에 나타난 바와 같이， 본 발명의 화합물을 인광 도판트 물질로 사용한 경우， 비교실험예에 비하여 수명 측면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 특히， 실험예 2， 6， 7 및 8을 비교실험예 2와 비교하였을 때， 실릴 치환기의 유무에 따라 수명이 최대 350%까지 증가하였다. 상기와 같은 결과로부터 실릴 치환기의 도입은 수명을 크게 개선시킨다는것을확인할수있었다.

【부호의 설명】

1： 기판 2： 양극

3： 발광층 4： 음극

5： 정공주입층 6： 정공수송층

7： 발광층 8： 전자수송층

9 : 전자억제층 10 : 전자주입층