本发明的实施例涉及一种 OLED像素限定结构、其制作方法以及阵列基 板。 背景技术

有机发光二极管 (Organic Light Emitting Diode, OLED)具有自发光、快速 响应、 宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点， 以 OLED为基础的显示器 正成为显示领域的主流。

OLED显示背板包括 TFT基板、 ITO(Indium Tin Oxide, 铟锡氧化物)像 素电极、 发光层和阴极等。 在 TFT基板上制作像素界定层， 其每个像素限定 区对应一个像素电极。 每个像素限定区和每个像素限定区对应的像素 电极越 细小越密集， 产品的分辨率也就越高， 但是细化的像素界定区却受到打印技 术的限制。 以像素限定区的尺寸 30μηιχ90μηι为例， 当打印机喷墨头形成的 液滴直径等于 30μηι时， 此时与像素的尺寸处于同一水平， 在用喷墨打印机 制备 OLED器件时， 需要控制液滴精确下落到像素限定区， 并且落入像素限 定区内的液滴在干燥后薄膜厚度均一。

现有技术中， 控制液滴精确下落到像素限定区， 需要高对位精度的打印 设备， 这需要增加设备投入， 导致成本较高； 并且由于像素限定区的尺寸较 小， 液体流动性较差，很难形成厚度均一的薄膜， 影响显示背板的发光质量。 发明内容

本发明实施例提供一种 OLED像素限定结构， 该像素限定结构包括像素 界定层， 所述像素界定层中包括对应于不同颜色的亚像 素的多个开口， 每个 开口形成对应颜色的亚像素限定区， 其中同种颜色的至少两个亚像素限定区 连通。

本发明实施例提供一种 OLED像素限定结构的制作方法， 该方法包括： 在像素电极上涂覆一层光刻胶， 形成像素限定光刻胶薄膜； 对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理， 形成像素界定层； 其中将像素 界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进 行连通。

本发明实施例中的 OLED像素限定结构包括像素界定层； 像素界定层包 括不同颜色的亚像素限定区， 其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通。 由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像 素限定区连通， 液滴落入连通 的亚像素限定区内，通过液体的流动性，使连 通的亚像素限定区内充满液体； 且由于至少两个亚像素限定区连通， 增加了液体的流动性， 在亚像素限定区 内更易形成厚度均匀的薄膜； 从而提高了显示背板的发光质量。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 筒单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图 仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。

图 1为本发明实施例中一种 OLED像素限定结构的示意图；

图 2为本发明实施例中一个亚像素限定区通过通� �与同种颜色的亚像素 限定区连通的示意图；

图 3为本发明实施例中相互连通的两个同种颜色� �亚像素限定区之间没 有像素界定层的示意图；

图 4 为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素 电极部分重叠的 OLED像素限定结构的示意图；

图 5 为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素 电极全部重叠的 OLED像素限定结构的示意图；

图 6为本发明实施例中亚像素限定区的亚像素发� �层的示意图； 图 7为本发明实施例中 OLED像素限定结构的显示示意图；

图 8为本发明实施例中基板上涂覆像素限定光刻� �薄膜的剖面示意图。 具体实施方式

为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案 进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提 下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

本发明实施例中的 OLED像素限定结构包括像素界定层； 像素界定层包 括不同颜色的亚像素限定区， 其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通。 由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像 素限定区连通， 液滴落入连通 的亚像素限定区内，通过液体的流动性，使连 通的亚像素限定区内充满液体。 另外， 由于至少两个亚像素限定区连通， 增加了液体的流动性， 在亚像素限 定区内更易形成厚度均匀的薄膜， 从而提高了显示背板的发光质量。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步 详细描述。

如图 1所示， 为本发明实施例中一种 OLED像素限定结构， 以像素限定 结构中每一列的亚像素限定区为同种颜色的亚 像素限定区， 且亚像素限定区 包括红色亚像素限定区 R,绿色亚像素限定区 G,蓝色亚像素限定区 B为例， 其他情况与之类似； 该像素限定结构包括像素界定层 110, 像素界定层 110 包括不同颜色的亚像素限定区 101。 同种颜色的至少两个亚像素限定区 101 连通， 图中虚线所示为一个亚像素限定区， 实线所示为连通后的亚像素限定 区。

同种颜色的至少两个亚像素限定区 101连通包括两种情况， 下面分别进 行介绍。

情况一、一个亚像素限定区 101通过通道与同种颜色的亚像素限定区 101 连通， 亚像素限定区之间的通道宽度小于亚像素限定 区的宽度。

如图 2所示， 以同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定 区为例， 图 中 R代表红色亚像素限定区， G代表绿色亚像素限定区， B代表蓝色亚像素 限定区。 一个亚像素限定区 101通过通道与相邻的同种颜色的亚像素限定区 101连通， 每个亚像素限定区 101通过通道至多与相邻的两个同种颜色的亚 像素限定区 101连通； 或同种颜色的亚像素限定区 101通过通道互相连通， 即一个亚像素限定区 101至少与两个同种颜色的亚像素限定区 101连通； 不 同列的同种颜色的亚像素限定区 101也可以通过通道连通。 其他方式排列的 亚像素限定区通过小于亚像素限定区的宽度的 通道的连通方式， 与同列亚像 素限定区的连通方式类似， 在此不再赘述。

情况二、 相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区 101之间的通道 宽度等于亚像素限定区的宽度。

如图 3所示， 以同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定 区为例， 将 相邻的同列同种颜色的两个亚像素限定区 101之间的像素界定层去除， 形成 一个亚像素限定区集合， 或将相邻的同列同种颜色的亚像素限定区 101之间 的像素界定层去除， 形成两个或两个以上亚像素限定区集合。 不同列的同种 颜色的亚像素限定区集合可以通过通道连通。 其他方式排列的亚像素限定区 通过等于亚像素限定区的宽度的通道的连通方 式， 与同列亚像素限定区的连 通方式类似， 在此不再赘述。

在一个示例中， 各个亚像素限定区为形成于像素界定层内的多 个开口。 每个开口对应于一个亚像素限定区。 多个开口可以以二维阵列的形式形成于 基板上。 对于连通相同颜色的不同亚像素限定区的通道 ， 其也是通过去除部 分像素界定层而得到的。 通道的深度可以等于开口的深度。 然而， 通道的深 度也可以小于开口的深度， 只不过为了保证所连通的亚像素限定区内有机 发 光材料的流动， 开口的深度于通道的深度之差优选小于要形成 于亚像素限定 区内的有机发光层的厚度。

该像素限定结构还包括处于亚像素限定区 101下的像素电极 120; 像素 电极 120和亚像素限定区 101——对应， 亚像素限定区 101与对应的像素电 极 120部分重叠或全部重叠。 如图 4所示， 为亚像素限定区 101与对应的像 素电极 120部分重叠的情况， 该像素限定结构包括像素界定层 110、 像素电 极 120、 TFT基板 130, 其中像素界定层 110中包括亚像素限定区 101 ; 像素 电极 120在 TFT基板 130之上， 亚像素限定区 101位于像素电极 120之上， 亚像素限定区 101与像素电极 120部分重叠； TFT基板 130未被像素电极 120 覆盖的区域， 以及像素电极 120未被亚像素限定区 101覆盖的区域上为像素 界定层 110。 如图 5所示， 为亚像素限定区 101与对应的像素电极 120全部 重叠的情况， 像素限定结构包括像素界定层 110, 像素电极 120, TFT基板 130, 其中像素界定层 110中包括亚像素限定区 101 ; 像素电极 120在 TFT 基板 130之上， 亚像素限定区 101位于 TFT基板 130之上， 亚像素限定区 101与像素电极 120完全重叠； TFT基板 130未被像素电极 120覆盖的区域 上为像素界定层 110。

现有喷墨打印技术中， 由于喷墨液滴尺寸的限制以及打印机本身打印 精 度的局限， 制备高分辨率、 高质量的显示器件非常困难。 本发明实施例中， 相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区 101之间没有像素界定层， 形 成亚像素限定区集合时， 可以减小喷墨打印设备打印精度误差带来的不 利影 响， 从而提高显示背板的发光质量。 在一个亚像素限定区集合中， 亚像素限 定区集合的发光面积， 由像素电极的面积进行控制； 当一个像素电极处于打 开状态， 则该像素电极对应的亚像素限定区集合中对应 的区域被点亮； 亚像 素限定区集合中的其它区域， 若对应的像素电极未打开则不发光。

如图 6所示， 亚像素限定区 101中含有有机发光材料形成的亚像素发光 层 102, 由于至少两个同种颜色的亚像素限定区连通， 因此更易形成厚度均 一的亚像素发光层； 并且不同颜色的亚像素发光层 102的厚度可以不同。

较佳地， 在亚像素发光层上形成第二电极。 如图 7所示， 为本发明实施 例中， 相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区 之间去除像素界定层后 的像素限定结构的显示示意图，其中 701为覆盖有第二电极的亚像素发光层， 702为基板。

本发明实施例中， 以 OLED像素限定结构中， 一列亚像素限定区为相同 颜色的亚像素限定区为例， 其他情况， 如一行亚像素限定区为相同颜色的亚 像素限定区， 或相邻亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定 区的情况与之类 似， 在此不再赘述。

另外， 根据本发明的实施例还提供了一种 OLED阵列基板。 该阵列基板 包括基板、 形成于基板上的根据上述任一实施例的像素限 定结构、 以及形成 于亚像素限定区内的亚像素发光层。

基于同一发明构思， 本发明实施例还提供了一种 OLED像素限定结构的 制作方法， 由于制作方法解决问题的原理与本发明实施例 一种 OLED像素限 定结构相似， 因此方法的实施可以参见装置的实施， 重复之处不再赘述。

本发明实施例中一种 OLED像素限定结构的制作方法， 该方法包括： 步骤 801 : 在像素电极上涂覆一层光刻胶， 形成像素限定光刻胶薄膜； 步骤 802: 对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理， 形成像素界定层； 其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像 素限定区进行连通。

其中步骤 801在像素电极上涂覆一层光刻胶之前， 还包括： 在基板上形 成像素电极。 步骤 801具体包括： 在含有像素电极的基板上旋涂或刮涂聚合物光 刻胶 溶液， 在低温条件下去除溶液中的溶剂， 形成像素限定光刻胶薄膜。 如图 8 所示， 901为基板， 902为像素电极， 903为像素限定光刻胶薄膜。

步骤 802中对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理包 括： 像素限定光刻 胶薄膜经过曝光、 显影形成像素限定区， 其中， 同种颜色的至少两个亚像素 限定区连通。

如图 2、 图 3所示， 同种颜色的至少两个亚像素限定区连通包括两 种情 况： 情况一、 一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像 素限定区连通， 亚像素限定区之间的通道宽度小于亚像素限定 区的宽度。 一个亚像素限定区 通过通道与相邻的同种颜色的亚像素限定区连 通， 每个亚像素限定区通过通 道至多与相邻的两个同种颜色的亚像素限定区 连通； 或同种颜色的亚像素限 定区通过通道互相连通， 即一个亚像素限定区至少与两个同种颜色的亚 像素 限定区连通； 不同列的同种颜色的亚像素限定区也可以通过 通道连通。

情况二、 相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区 之间的通道宽度 等于亚像素限定区的宽度。 同列同种颜色的亚像素限定区形成一个亚像素 限 定区集合， 或同列同种颜色的亚像素限定区形成两个或两 个以上亚像素限定 区集合。 不同列同种颜色的亚像素限定区集合可以通过 通道连通。

步骤 802中对光刻胶薄膜图形化处理后， 形成像素界定层， 对像素界定 层进行高温退火处理， 其中像素界定层中含有不同颜色的亚像素限定 区。

步骤 802还包括： 将不同颜色的有机发光材料溶液滴入对应的亚 像素限 定区中， 由于连通的亚像素限定区更有利于液体的流动 ， 因此同色的有机发 光材料溶液的成膜厚度也易于趋于一致， 去除有机发光材料溶液中的溶剂， 形成如图 5所示的厚度均一的亚像素发光层， 其中不同颜色的亚像素发光层 的厚度不同。 有机发光材料溶液滴落在连通的亚像素限定区 内， 就可以通过 液体的流动性形成厚度均一的亚像素发光层， 因此对设备的精确度要求降低， 也降低了设备成本。

本发明实施例中， 一种 OLED像素限定结构的具体制作方法， 该方法包 括：

步骤 1001 : 在基板上形成所需数量的像素电极；

步骤 1002: 在像素电极和未被像素电极覆盖的基板上旋涂 光刻胶溶液； 步骤 1003: 在低温条件下去除光刻胶溶液中的溶剂， 形成像素限定光刻 胶薄膜；

步骤 1004: 对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理， 将同种颜色的像素 限定光刻胶薄膜对应的至少两个亚像素限定区 连通；

步骤 1005: 形成含有不同颜色的亚像素限定区的像素界定 层；

步骤 1006: 将有机发光材料溶液滴入亚像素限定区；

步骤 1007:去除有机发光材料溶液中的溶剂，形成亚� ��素限定区发光层； 步骤 1008: 通过蒸镀、 打印在亚像素限定区发光层上沉积第二电极。 以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护范 围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。