Optoelektronische Anordnung Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische An ^¬ ordnung gemäß Patentanspruch 1.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 101 154.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Optoelektronische Anordnungen, beispielsweise Leuchtdioden- Anordnungen, werden für verschiedene Beleuchtungsanwendungen genutzt. Dabei können die optoelektronischen Anordnungen kor- rosiven Gasen wie Schwefelwasserstoff oder Stickoxid ausge ^¬ setzt sein. Dies ist beispielsweise bei in Automobilen und an Straßen und in Tunneln eingesetzten optoelektronischen Anordnungen der Fall. Es ist bekannt, dass derartige korrosive Ga ^¬ se metallische Komponenten der optoelektronischen Anordnungen angreifen können. Besonders anfällig sind Komponenten, die

Silber aufweisen, beispielsweise silberhaltige Leitkleber und Silberbeschichtungen .

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine optoelektronische Anordnung bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch eine optoelektronische Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Eine optoelektronische Anordnung umfasst ein erstes Element und eine Opferanode. Das erste Element weist ein korrodierba ^¬ res erstes Material auf. Die Opferanode weist ein zweites Ma ^¬ terial auf, das unedler als das erste Material ist. Das erste Element und die Opferanode sind elektrisch leitend miteinan- der verbunden. Vorteilhafterweise bewirkt die Opferanode die ^¬ ser optoelektronischen Anordnung einen Korrosionsschutz des ersten Elements. Durch die Opferanode wird eine Korrosion des ersten Elements beispielsweise auch unter dem Einfluss korro- siver Gase verhindert. Dadurch eignet sich die optoelektronische Anordnung vorteilhafterweise für einen Einsatz in Umge ^¬ bungen, die korrosiven Medien, etwa korrosiven Gasen wie Stickoxiden und Schwefelwasserstoff, ausgesetzt sind. Bei- spielsweise eignet sich die optoelektronische Anordnung für einen Einsatz in Kraftfahrzeugen und an Straßen und in Straßentunneln. Da das erste Element der optoelektronischen Anordnung durch die Opferanode vor einer Korrosion geschützt wird, kann das erste Element vorteilhafterweise ein korro- dierbares Material wie Silber aufweisen, welches kostengüns ^¬ tig erhältlich ist und für viele Einsatzbereiche besonders geeignete Eigenschaften aufweist.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist das erste Material Ag, Cu oder Ni auf. Das zweite Mate ^¬ rial weist dabei Cu, AI, Mg, Zn, Ti, V, Fe, Sn, Ni oder In auf. Dabei sollte stets sichergestellt sein, dass das zweite Material unedler als das erste Material, in der elektrochemi ^¬ schen Spannungsreihe (Redoxreihe) also negativer, ist. Vor- teilhafterweise ermöglicht es der Schutz des ersten Elements durch die Opferanode, das erste Material des ersten Elements für einen konkreten Anwendungsfall optimal zu wählen, ohne dabei eine mögliche Korrosionsanfälligkeit des ersten Materi ^¬ als berücksichtigen zu müssen.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist diese eine weitere Opferanode auf. Dabei sind die Op ^¬ feranode und die weitere Opferanode der optoelektronischen Anordnung über einen optoelektronischen Halbleiterchip elektrisch miteinander verbunden. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED- Chip) sein. Vorteilhafterweise werden dadurch mit beiden Polen des optoelektronischen Halbleiterchips der optoelektronischen Anordnung verbundene Elemente der optoelektronischen Anordnung durch die Opferanode und die weitere Opferanode vor einer Korrosion geschützt. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung um- fasst diese ein ein Gehäusematerial aufweisendes Gehäuse und einen zumindest teilweise in das Gehäusematerial eingebette ^¬ ten Träger. Dabei wird die Opferanode durch einen an dem Trä- ger angeordneten Opferabschnitt gebildet. Die optoelektronische Anordnung kann dabei als optoelektronisches Bauelement (Package) ausgebildet sein. Vorteilhafterweise ergibt sich durch die Ausbildung der Opferanode als an dem Träger angeordneter Opferabschnitt eine besonders kompakte Gestaltung der optoelektronischen Anordnung.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist der Träger das zweite Material auf. Dabei ist der Trä ^¬ ger in dem Opferabschnitt unbeschichtet. Vorteilhafterweise wird die Opferanode bei dieser optoelektronischen Anordnung durch das zweite Material des Trägers selbst gebildet.

Dadurch ist die optoelektronische Anordnung vorteilhafterweise besonders einfach und kostengünstig herstellbar. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist der Träger in dem Opferabschnitt mit dem zweiten Material be ^¬ schichtet. Vorteilhafterweise kann die optoelektronische An ^¬ ordnung auch in dieser Ausführungsform einfach und kostengünstig hergestellt werden.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das zweite Material in dem Opferabschnitt in pastöser Form auf dem Träger angeordnet. Das zweite Material kann dabei beispielsweise durch Nadeldosieren (Dispensen) auf dem Träger angeordnet werden. Vorteilhafterweise ermöglicht auch dies eine einfache und kostengünstige Herstellung der optoelektro ^¬ nischen Anordnung. Außerdem kann dabei vorteilhafterweise eine große Menge des zweiten Materials vorhanden sein, wodurch die Opferanode eine lange Lebensdauer aufweisen kann.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist der Träger eine Vorderseite auf, auf der ein optoelekt ^¬ ronischer Halbleiterchip angeordnet ist. Dabei ist auch der Opferabschnitt an der Vorderseite des Trägers angeordnet. Vorteilhafterweise können dadurch an der Vorderseite des Trä ^¬ gers zur Verfügung stehende Flächenbereiche zur Ausbildung des Opferabschnitts genutzt sein.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist das Gehäuse eine erste Kavität auf. Dabei ist der opto ^¬ elektronische Halbleiterchip in der ersten Kavität angeord ^¬ net. Auch der Opferabschnitt ist in der ersten Kavität ange- ordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine kompakte Ge ^¬ staltung der optoelektronischen Anordnung.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist das Gehäuse eine erste Kavität und eine zweite Kavität auf. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip in der ersten Kavität angeordnet. Der Opferabschnitt ist in der zweiten Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise muss dadurch in der ersten Kavität kein Platz für den Opferabschnitt der Opferanode reserviert sein. Dies ermöglicht es beispielswei- se, die erste Kavität vollständig reflektierend auszubilden.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist der Träger eine Vorderseite und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite auf. Dabei ist auf der Vordersei- te ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der Opferabschnitt ist an der Rückseite angeordnet. Vorteilhafter ^¬ weise werden dadurch für den Opferabschnitt der Opferanode an der Rückseite des Trägers zur Verfügung stehende Volumina ge ^¬ nutzt .

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist der Träger eine Vorderseite und eine an die Vorderseite anschließende Seitenfläche auf. Dabei ist auf der Vorderseite ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der Opfer- abschnitt ist an der Seitenfläche angeordnet. Der an der Sei ^¬ tenfläche des Trägers angeordnete Opferabschnitt der Opfer ^¬ anode kann dabei beispielsweise während des Vereinzeins der optoelektronischen Anordnung in einem Sägeprozess freigelegt werden. Dadurch ist vorteilhafterweise kein gesonderter Prozessschritt erforderlich, um den Opferabschnitt der Opferano ^¬ de mit der Atmosphäre in Kontakt zu bringen. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist der Opferabschnitt zumindest teilweise durch das Gehäusemate ^¬ rial bedeckt. Dabei kann das Gehäusematerial ein Elektrolyt bilden, das einen Ionentransport zwischen dem ersten Material des ersten Elements und dem zweiten Material der Opferanode bewirkt. Vorteilhafterweise ist der Opferabschnitt der Opfer ^¬ anode bei dieser optoelektronischen Anordnung von außen nicht sichtbar, wodurch sich ein gefälliges äußeres Erscheinungs ^¬ bild der optoelektronischen Anordnung ergibt. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das erste Element ein mit dem ersten Material beschichteter Abschnitt des Trägers. Beispielsweise kann das erste Element durch einen spiegelnd beschichteten Abschnitt des Trägers ge ^¬ bildet sein. Das erste Material kann dabei beispielsweise Silber aufweisen. Vorteilhafterweise wird durch die Opferano ^¬ de der optoelektronischen Anordnung eine Korrosion der Spiegelfläche verhindert, wodurch auch eine Verschlechterung der Reflexionseigenschaften der Spiegelfläche verhindert wird. In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist das erste Element ein Leitkleber. Der Leitkleber kann beispielsweise zur Befestigung eines optoelektronischen Halbleiterchips der optoelektronischen Anordnung dienen. Der Leitkleber kann beispielsweise Silber aufweisen. Vorteilhaf- terweise wird durch die Opferanode der optoelektronischen Anordnung eine Korrosion des Leitklebers und eine damit einher ^¬ gehende Erhöhung eines thermischen Widerstands des Leitkle ^¬ bers und eine Reduzierung einer Festigkeit des Leitklebers verhindert .

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist diese eine Leiterplatte auf. Dabei ist mindestens ein optoelektronisches Bauelement auf der Leiterplatte angeord- net. Die Opferanode ist ebenfalls an der Leiterplatte ange ^¬ ordnet. Vorteilhafterweise können bei dieser optoelektroni ^¬ schen Anordnung auch optoelektronische Bauelemente ohne in das jeweilige optoelektronische Bauelement integrierte Opfer- anoden vor einer Beschädigung durch Korrosion geschützt sein.

In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist diese einen Kühlkörper zur Kühlung mindestens eines optoelektronischen Bauelements der optoelektronischen Anord- nung auf. Dabei ist die Opferanode auf dem Kühlkörper ange ^¬ ordnet. Vorteilhafterweise können auch bei dieser optoelekt ^¬ ronischen Anordnung optoelektronische Bauelemente ohne inte ^¬ grierte Opferanoden vor einer Beschädigung durch Korrosion geschützt sein.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht eines ersten opto- elektronischen Bauelements;

Fig. 2 eine Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauele ^¬ ment ; Fig. 3 eine Aufsicht auf Leiterrahmenabschnitte des ersten optoelektronischen Bauelements;

Fig. 4 eine Aufsicht auf ein zweites optoelektronisches Bau ^¬ element ;

Fig. 5 eine Aufsicht auf Leiterrahmenabschnitte des zweiten optoelektronischen Bauelements; Fig. 6 eine Aufsicht auf ein drittes optoelektronisches Bau ^¬ element ;

Fig. 7 eine Aufsicht auf Leiterrahmenabschnitte des dritten optoelektronischen Bauelements;

Fig. 8 eine Aufsicht auf ein viertes optoelektronisches Bau ^¬ element ; Fig. 9 eine Aufsicht auf Leiterrahmenabschnitte des vierten optoelektronischen Bauelements;

Fig. 10 eine rückseitige Ansicht des vierten optoelektroni ^¬ schen Bauelements;

Fig. 11 eine Aufsicht auf Rückseiten der Leiterrahmenab ^¬ schnitte des vierten optoelektronischen Bauelements;

Fig. 12 eine Aufsicht auf ein fünftes optoelektronisches Bau- element;

Fig. 13 eine Seitenansicht des fünften optoelektronischen Bauelements ; Fig. 14 eine Aufsicht auf ein sechstes optoelektronisches Bauelement ;

Fig. 15 eine Aufsicht auf Leiterrahmenabschnitte des sechsten optoelektronischen Bauelements;

Fig. 16 eine Aufsicht auf eine optoelektronische Bauelemen ^¬ teanordnung; und

Fig. 17 eine Seitenansicht einer weiteren optoelektronischen Bauelementeanordnung.

Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei ^¬ nes ersten optoelektronischen Bauelements 10. Fig. 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauelement 10. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann aber auch ein Laser-Bauelement, ein Lichtsensor oder ein anderes optoelektronisches Bauelement sein. Das erste optoelektroni ^¬ sche Bauelement 10 kann auch als Package bezeichnet werden.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist einen ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und einen zweiten Leiterrahmenab ^¬ schnitt 200 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 weist eine Vorderseite 101 und eine der Vorderseite 101 gegenüber ^¬ liegende Rückseite 102 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist eine Vorderseite 201 und eine der Vorderseite 201 gegenüberliegende Rückseite 202 auf. Fig. 3 zeigt eine sche ^¬ matische Aufsicht auf die Vorderseiten 101, 201 der Leiter ^¬ rahmenabschnitte 100, 200.

Die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall. Bei ^¬ spielsweise können der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 Cu aufweisen. Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenab ^¬ schnitt 200 sind voneinander beabstandet und elektrisch ge- geneinander isoliert.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrah ^¬ menabschnitt 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 sind in ein Gehäuse 300 des ersten optoelektronischen Bauele- ments 10 eingebettet. Das Gehäuse 300 weist ein elektrisch isolierendes Gehäusematerial 303 auf, das beispielsweise ein Kunststoffmaterial , etwa ein Epoxidharz, ein Silikon oder eine Keramik, sein kann. Das Gehäuse 300 kann beispielsweise durch einen Formprozess (Moldprozess ) hergestellt sein. Dabei werden der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite

Leiterrahmenabschnitt 200 bevorzugt bereits während der Her ^¬ stellung des Gehäuses 300 in das Gehäusematerial 303 des Ge ^¬ häuses 300 eingebettet. Das Gehäuse 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Ober ^¬ seite 301 gegenüberliegende Unterseite 302 auf. An der Unter ^¬ seite 302 des Gehäuses 300 sind Teile der Rückseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und Teile der Rückseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 zugänglich und bilden dort elektrische Anschlussflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Die an der Unterseite 302 des Gehäuses 300 freiliegenden Teile der Rückseiten 102, 202 der Leiter- rahmenabschnitte 100, 200 können beispielsweise für eine Oberflächenmontage geeignete Lötkontaktflächen bilden.

An seiner Oberseite 301 weist das Gehäuse 300 eine erste Ka- vität 310 und eine zweite Kavität 320 auf. In der ersten Ka- vität 310 des Gehäuses 300 ist ein Teil der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 zugänglich. In der zweiten Kavität 320 des Gehäuses 300 ist ein Teil der Vorder ^¬ seite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 zugänglich. In der ersten Kavität 310 des Gehäuses 300 ist ein optoelekt ^¬ ronischer Halbleiterchip 400 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) , ein Laser-Chip, eine Photodiode oder ein anderer optoelektronischer Halbleiterchip sein. Der optoelekt- ronische Halbleiterchip 400 weist eine Oberseite 401 und eine der Oberseite 401 gegenüberliegende Unterseite 402 auf. Die Unterseite 402 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist mittels eines elektrisch leitenden Befestigungselements 410 derart an der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenab- Schnitts 100 befestigt, dass eine elektrisch leitende Verbin ^¬ dung zwischen einer an der Unterseite 402 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 besteht. Eine an der Ober- seite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 angeord ^¬ nete weitere elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist mittels eines Bonddrahts 420

elektrisch leitend mit dem in der zweiten Kavität 320 des Ge- häuses 300 zugänglichen Teil der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 verbunden.

Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 bildet eine Strahlungsdurchtrittsflache des optoelektroni ^¬ schen Halbleiterchips 400. Im Betrieb des ersten optoelektro ^¬ nischen Bauelements 10 wird an der Oberseite 401 des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 400 elektromagnetische Strah ^¬ lung emittiert oder absorbiert.

Über der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 ist ein Konverterelement 430 angeordnet. In Fig. 2 ist das Konverterelement 430 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt. Das Konverterelement 430 ist dazu vorgesehen, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Beispielsweise kann das Konverterelement 430 dazu ausgebildet sein, durch den optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravio ^¬ letten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Das Konverterelement 430 kann eingebettete wellenlängenkonvertie ^¬ rende Partikel umfassen, die beispielsweise einen organischen Leuchtstoff, einen anorganischen Leuchtstoff und/oder Quan- tenpunkte aufweisen. Das Konverterelement 430 kann auch ent ^¬ fallen .

Der optoelektronische Halbleiterchip 400, das Konverterele ^¬ ment 430 und zumindest Teile des Bonddrahts 420 sind in einen Verguss 440 eingebettet, der die erste Kavität 310 des Gehäu ^¬ ses 300 ausfüllt. In der Darstellung der Fig. 2 ist der Verguss 440 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. Der Ver ^¬ guss 440 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Der Verguss 440 dient einem Schutz des optoelektronischen Halb- leiterchips 400, des Konverterelements 430 und des Bonddrahts 420 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Der Verguss 440 kann auch entfallen. Das Befestigungselement 410 zur Befestigung des optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 400 an der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 in der ersten Kavität 310 des Ge ^¬ häuses 300 kann beispielsweise als Leitkleber ausgebildet sein. Das Befestigungselement 410 kann ein korrodierbares Ma ^¬ terial 411 aufweisen, beispielsweise Silber.

Das korrodierbare Material 411 des Befestigungselements 410 könnte unter dem Einfluss eines korrosiven Mediums, bei- spielsweise eines korrosiven Gases wie Schwefelwasserstoff oder Stickoxid, korrodieren. Beispielsweise könnte in dem korrodierbaren Material 411 des Befestigungselements 410 ent ^¬ haltenes Silber unter dem Einfluss von Schwefelwasserstoff zu Silbersulfid korrodieren. In diesem Fall könnte das Befesti- gungselement 410 eine schwarze Farbe annehmen, was das opti ^¬ sche Erscheinungsbild des ersten optoelektronischen Bauele ^¬ ments 10 nachteilig beeinflussen würde. Außerdem könnte sich durch die Korrosion des korrodierbaren Materials 411 des Befestigungselements 410 mechanische und thermische Eigenschaf- ten des Befestigungselements 410 nachteilig verändern. Insbe ^¬ sondere könnte durch eine Korrosion des korrodierbaren Materials 411 des Befestigungselements 410 ein thermischer Wider ^¬ stand des Befestigungselements 410 erhöht und eine Festigkeit der Anbindung des optoelektronischen Halbleiterchips 400 an die Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 re ^¬ duziert werden. Dadurch könnte sich die Lebensdauer des ersten optoelektronischen Bauelements 10 reduzieren.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 des ersten optoelektroni- sehen Bauelements 10 kann ein erstes korrodierbares Element 110 aufweisen, das seinerseits ein erstes korrodierbares Ma ^¬ terial 111 aufweist. Das erste korrodierbare Material 111 ist ein Material, das unter dem Einfluss eines korrosiven Medi ^¬ ums, etwa unter dem Einfluss eines korrosiven Gases wie

Schwefelwasserstoff oder Stickoxid, korrodieren kann. Das erste korrodierbare Material 111 kann beispielsweise Silber aufweisen . Das erste korrodierbare Element 110 kann beispielsweise durch eine an der Vorderseite 101 und/oder der Rückseite 102 ange ^¬ ordnete Beschichtung des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 oder durch den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 selbst gebil- det sein. Falls das erste korrodierbare Element 110 durch ei ^¬ ne Beschichtung des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 mit dem ersten korrodierbaren Material 111 gebildet ist, kann das erste korrodierbare Element 110 dazu dienen, eine optische Reflektivität des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 zu erhö- hen.

Würde das erste korrodierbare Material 111 des ersten korro ^¬ dierbaren Elements 110 korrodieren, beispielsweise durch eine Bildung von Silbersulfid, so würde die Reflektivität des ers- ten Leiterrahmenabschnitts 100 reduziert. Außerdem könnte im Fall einer Korrosion des ersten korrodierbaren Materials 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 eine Anhaftung des Vergusses 440 und/oder anderer Komponenten des ersten optoelektronischen Bauelements 10 reduziert werden.

Um eine Korrosion des ersten korrodierbaren Materials 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 und/oder eine Korrosion des korrodierbaren Materials 411 des Befestigungselements 410 zu verhindern, weist das erste optoelektronische Bauelement 10 eine erste Opferanode 120 auf. Die erste Opferanode 120 ist elektrisch leitend mit dem ersten korrodierbaren Element 110 und mit dem Befestigungselement 410 verbunden.

Die erste Opferanode 120 wird durch einen ersten Opferab- schnitt 121 gebildet, der an dem in der ersten Kavität 310 zugänglichen Teil der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet ist. Der erste Opferabschnitt

121 der ersten Opferanode 120 weist ein erstes Opfermaterial

122 auf. Im in Figuren 1 bis 3 dargestellten Beispiel wird der erste Opferabschnitt 121 der ersten Opferanode 120 durch mehrere voneinander getrennte Flächenabschnitte der Vorder ^¬ seite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 gebildet. Die Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 kann in dem ersten Opferabschnitt 121 der ersten Opferanode 120 mit dem ersten Opfermaterial 122 beschichtet sein. Der erste Lei ^¬ terrahmenabschnitt 100 kann jedoch auch selbst das erste Op ^¬ fermaterial 122 aufweisen, welches in diesem Fall im Bereich des ersten Opferabschnitts 121 der ersten Opferanode 120 freiliegt. Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 kann in dem ersten Opferabschnitt 121 der ersten Opferanode 120 auch ge ^¬ zielt mit dem ersten Opfermaterial 122 versetzt sein. Das erste Opfermaterial 122 ist unedler als das erste korro ^¬ dierbare Material 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 und als das korrodierbare Material 411 des Befestigungsele ^¬ ments 410. Dies bedeutet, dass das erste Opfermaterial 122 der ersten Opferanode 120 in der elektrochemischen Spannungs- reihe (Redoxreihe) negativer ist als das erste korrodierbare Material 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 und als das korrodierbare Material 411 des Befestigungselements 410. Dadurch wird unter dem Einfluss eines korrosiven Mediums anstelle des ersten korrodierbaren Materials 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 und anstelle des korrodierbaren

Materials 411 des Befestigungselements 410 das erste Opferma ^¬ terial 122 der ersten Opferanode 120 korrodiert. Als Elektro ^¬ lyt kann dabei beispielsweise eine in umgebender Luft enthal ^¬ tene Feuchtigkeit, der Verguss 440 und/oder das Gehäusemate- rial 303 des Gehäuses 300 dienen. Durch die Korrosion des ersten Opfermaterials 122 der ersten Opferanode 120 wird eine Korrosion des ersten korrodierbaren Materials 111 des ersten korrodierbaren Elements 110 und eine Korrosion des korrodierbaren Materials 411 des Befestigungselements 410 verhindert. Das erste korrodierbare Element 110 und das Befestigungsele ^¬ ment 410 werden also durch die erste Opferanode 120 ge ^¬ schützt .

Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist ein zweites korro- dierbares Element 210 auf, das ein zweites korrodierbares Ma ^¬ terial 211 aufweist. Das zweite korrodierbare Element 210 kann beispielsweise durch eine Beschichtung des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 oder durch einen an der Vorderseite 201 und/oder der Rückseite 202 freiliegenden Abschnitt des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 selbst gebildet sein.

Um eine Korrosion des zweiten korrodierbaren Materials 211 des zweiten korrodierbaren Elements 210 zu verhindern, weist der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 eine zweite Opferanode 220 auf, die elektrisch leitend mit dem zweiten korrodierba ^¬ ren Element 210 verbunden ist. Die zweite Opferanode 220 wird durch einen zweiten Opferabschnitt 221 gebildet, der in einem in der zweiten Kavität 320 des Gehäuses 300 zugänglichen Teil der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 an der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet ist. Die zweite Opferanode 220 weist ein zweites Opfermaterial 222 auf, das unedler als das zweite korrodierbare Material 211 des zweiten korrodierbaren Elements 210 ist. Das zweite Op ^¬ fermaterial 222 der zweiten Opferanode 220 kann das gleiche Material sein wie das erste Opfermaterial 122 der ersten Op- feranode 120. Die zweite Opferanode 220 kann durch eine Be- schichtung der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenab ^¬ schnitts 200 mit dem zweiten Opfermaterial 222 im zweiten Op ^¬ ferabschnitt 221 gebildet sein. Der zweite Leiterrahmenab ^¬ schnitt 200 kann aber auch selbst das zweite Opfermaterial 222 aufweisen und/oder gezielt mit dem zweiten Opfermaterial 222 versetzt sein. In diesem Fall wird die zweite Opferanode 220 durch einen im zweiten Opferabschnitt 221 freiliegenden Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 gebildet. Die erste Opferanode 120 des ersten optoelektronischen Bau ^¬ elements 10 kann zum Schutz anderer oder weiterer Elemente als dem ersten korrodierbaren Element 110 und dem Befestigungselement 410 vor Korrosion dienen. Dabei müssen die ande ^¬ ren oder weiteren zu schützenden korrodierbaren Elemente elektrisch leitend mit der ersten Opferanode 120 verbunden sein. Die zweite Opferanode 220 kann zum Schutz anderer oder weiterer korrodierbarer Elemente als dem zweiten korrodierbaren Element 210 vor Korrosion dienen. Die anderen oder weite- ren zu schützenden Elemente müssen dabei elektrisch leitend mit der zweiten Opferanode 220 verbunden sein. Wahlweise kann entweder die erste Opferanode 120 oder die zweite Opferanode 220 entfallen.

Das erste korrodierbare Material 111 des ersten korrodierba ^¬ ren Elements 110, das korrodierbare Material 411 des Befesti ^¬ gungselements 410 und das zweite korrodierbare Material 211 des zweiten korrodierbaren Elements 210 können beispielsweise Ag, Cu oder Ni aufweisen. Das erste Opfermaterial 122 der ersten Opferanode 120 und das zweite Opfermaterial 222 der zweiten Opferanode 220 können beispielsweise Cu, AI, Mg, Zn, Ti, V, Fe, Sn, Ni oder In aufweisen. Dabei muss das Opfermaterial 122, 222 jeder Opferanode 120, 220 unedler sein als das korrodierbare Material 111, 411, 211 des durch die jewei ^¬ lige Opferanode 120, 220 zu schützenden korrodierbaren Ele ^¬ ments 110, 410, 210.

Der in Figuren 1 bis 3 dargestellte Aufbau des ersten opto- elektronischen Bauelements 10 mit den in das Gehäusematerial 303 des Gehäuses 300 eingebetteten Leiterrahmenabschnitten 100, 200 ist lediglich beispielhaft zu verstehen. Das erste optoelektronische Bauelement 10 könnte anstelle der Leiter ^¬ rahmenabschnitte 100, 200 auch einen keramischen Träger, ei- nen als Platine ausgebildeten Träger oder einen anderen Träger aufweisen.

Anhand der Figuren 4 bis 15 werden nachfolgend weitere opto ^¬ elektronische Bauelemente erläutert, die jeweils nur geringe Unterschiede zu dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 aufweisen. Für gleiche und gleich wirkende Komponenten werden in Figuren 4 bis 15 dieselben Bezugszeichen verwendet wie in Figuren 1 bis 3. Die folgende Beschreibung konzentriert sich auf die Abweichungen zwischen dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und den weiteren optoelektronischen Bauelementen. Ähnliche oder entsprechende Teile werden nicht erneut detailliert beschrieben. Es ist möglich, die nachfolgend an- hand der Figuren 4 bis 15 beschriebenen Merkmale in anderer Zusammenstellung miteinander zu kombinieren.

Fig. 4 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein zweites opto- elektronisches Bauelement 20. Fig. 5 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten opto ^¬ elektronischen Bauelement 10 dadurch, dass das Gehäuse 300 an seiner Oberseite 301 zusätzlich zu der ersten Kavität 310 und der zweiten Kavität 320 eine dritte Kavität 330 und eine vierte Kavität 340 aufweist. In der dritten Kavität 330 des Gehäuses 300 ist der die erste Opferanode 120 bildende erste Opferabschnitt 121 der Vorderseite 101 des ersten Leiterrah- menabschnitts 100 zugänglich. In der vierten Kavität 340 des Gehäuses 300 ist der die zweite Opferanode 220 bildende zwei ^¬ te Opferabschnitt 221 der Vorderseite 201 des zweiten Leiter ^¬ rahmenabschnitts 200 zugänglich. Der erste Opferabschnitt 121 der ersten Opferanode 120 und der zweite Opferabschnitt 221 der zweiten Opferanode 220 sind bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 ausgebildet wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10. Insbesondere ist die erste Opferanode 120 elektrisch leitend mit dem ersten korrodierbaren Element 110 und mit dem Befesti ^¬ gungselement 410 verbunden. Die zweite Opferanode 220 ist elektrisch leitend mit dem zweiten korrodierbaren Element 210 verbunden . Dadurch, dass der die erste Opferanode 120 bildende erste Op ^¬ ferabschnitt 121 bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 in der dritten Kavität 330 und nicht in der ersten Kavität 310 angeordnet ist, kann der gesamte in der ersten Kavität 310 freiliegende Teil der Vorderseite 110 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 vorteilhafterweise optisch reflektierend be ^¬ schichtet sein. Fig. 6 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein drittes opto ^¬ elektronisches Bauelement 30. Fig. 7 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des dritten optoelektronischen Bauelements 30. Bei dem dritten optoelekt- ronischen Bauelement 30 liegt der die erste Opferanode 120 bildende erste Opferabschnitt 121 der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 nicht in der ersten Kavität 310 des Gehäuses 300 frei, sondern ist durch das Gehäusemate ^¬ rial 303 des Gehäuses 300 bedeckt. Entsprechend liegt auch der die zweite Opferanode 220 bildende zweite Opferabschnitt 221 der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 nicht in der zweiten Kavität 320 des Gehäuses 300 frei, sondern ist durch das Gehäusematerial 303 des Gehäuses 300 bedeckt. Davon abgesehen sind die erste Opferanode 120 und die zweite Opferanode 220 bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 ausgebildet wie bei dem ersten optoelektroni ^¬ schen Bauelement 10.

Dadurch, dass die erste Opferanode 120 und die zweite Opfer- anode 220 bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 durch das Gehäusematerial 303 des Gehäuses 300 abgedeckt sind, führt eine durch Korrosion der ersten Opferanode 120 und der zweiten Opferanode 220 verursachte optische Verände ^¬ rung der ersten Opferanode 120 und der zweiten Opferanode 220 bei dem dritten optoelektronischen Bauelement 30 vorteilhaf ^¬ terweise nicht zu einer optischen Beeinträchtigung des dritten optoelektronischen Bauelements 30.

Fig. 8 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein viertes opto- elektronisches Bauelement 40. Fig. 9 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des vierten optoelektronischen Bauelements 40. Fig. 10 zeigt eine schema ^¬ tische rückwärtige Ansicht des vierten optoelektronischen Bauelements 40, in der die Unterseite 302 des Gehäuses 300 und die Rückseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100,

200 sichtbar sind. Fig. 11 zeigt eine schematische rückwärti ^¬ ge Ansicht der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des vierten optoelektronischen Bauelements 40, in der die Rückseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 sichtbar sind.

Das vierte optoelektronische Bauelement 40 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass der die erste Opferanode 120 bildende erste Opferabschnitt 121 an der Rückseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet ist. Entsprechend ist auch der die zweite Op ^¬ feranode 220 bildende zweite Opferabschnitt 221 an der Rück- seite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet.

Der erste Opferabschnitt 121 und der zweite Opferabschnitt 221 liegen an den Rückseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 frei, sind also nicht durch das Gehäusema- terial 303 des Gehäuses 300 bedeckt. Es wäre aber auch mög ^¬ lich, die Opferabschnitte 121, 221 an den Rückseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 durch das Gehäusematerial 303 des Gehäuses 300 zu bedecken. Im Übrigen sind die erste Opferanode 120 und die zweite Opferanode 220 bei dem vierten optoelektronischen Bauelement 40 wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 ausgebildet.

Fig. 12 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein fünftes optoelektronisches Bauelement 50. Fig. 13 zeigt eine schema- tische Seitenansicht des fünften optoelektronischen Bauele ^¬ ments 50. In der in Fig. 13 dargestellten Seitenansicht ist eine sich von der Oberseite 301 des Gehäuses 300 zu der Un ^¬ terseite 302 des Gehäuses 300 erstreckende Seitenfläche des Gehäuses 300 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 sichtbar. An der Seitenfläche des Gehäuses 300 liegen eine Seitenfläche 103 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und eine Seitenfläche 203 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 frei. Die Seitenflächen 103, 203 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 können beispielsweise während eines Vereinzeins des fünften opto ^¬ elektronischen Bauelements 50 durch einen Sägeprozess freige ^¬ legt worden sein. Im Unterschied zu dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 ist der die erste Opferanode 120 bildende erste Opferab ^¬ schnitt 121 bei dem fünften optoelektronischen Bauelement 50 an der Seitenfläche 103 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet. Entsprechend ist der die zweite Opferanode 220 bildende zweite Opferabschnitt 221 an der Seitenfläche 203 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet. Davon ab ^¬ gesehen sind die erste Opferanode 120 mit dem ersten Opferab ^¬ schnitt 121 und die zweite Opferanode 220 mit dem zweiten Op- ferabschnitt 221 bei dem fünften optoelektronischen Bauelement 50 ausgebildet wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10.

Fig. 14 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein sechstes optoelektronisches Bauelement 60. Fig. 15 zeigt eine schema ^¬ tische Aufsicht auf die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des sechsten optoelektronischen Bauelements 60. Wie bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 weist das Gehäuse 300 auch bei dem sechsten optoelektronischen Bauelement 60 an seiner Oberseite 301 eine dritte Kavität 330 und eine vierte Kavität 340 auf. Der die erste Opferanode 120 bildende erste Opferabschnitt 121 ist an einem in der dritten Kavität 330 des Gehäuses 300 zugänglichen Teil der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet. Der die zweite Opferanode 220 bildende zweite Opferabschnitt 221 ist an ei ^¬ nem in der vierten Kavität 340 zugänglichen Teil der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet.

Bei dem sechsten optoelektronischen Bauelement 60 ist die erste Opferanode 120 allerdings nicht durch eine Beschichtung der Vorderseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 mit dem ersten Opfermaterial 122 und auch nicht durch einen das erste Opfermaterial 122 aufweisenden freiliegenden Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 gebildet. Entsprechend ist auch die zweite Opferanode 220 nicht durch eine Beschichtung der Vorderseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 mit dem zweiten Opfermaterial 222 und auch nicht durch einen das zweite Opfermaterial 222 aufweisenden und freiliegenden Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 gebildet. Statt ^¬ dessen ist das erste Opfermaterial 122 bei dem sechsten opto ^¬ elektronischen Bauelement 60 als pastöses Material in der dritten Kavität 330 über dem ersten Opferabschnitt 121 ange- ordnet, um die erste Opferanode 120 zu bilden. Entsprechend ist das zweite Opfermaterial 222 in der vierten Kavität 340 als pastöses Material über dem zweiten Opferabschnitt 221 an ^¬ geordnet, um die zweite Opferanode 220 zu bilden. Das pastöse erste Opfermaterial 122 und das pastöse zweite Opfermaterial 222 können beispielsweise durch Nadeldosieren (Dispensen) in den Kavitäten 330, 340 angeordnet worden sein. Vorteilhafterweise ist es dadurch möglich, dass die erste Op ^¬ feranode 120 eine vergleichsweise große Menge des ersten Op- fermaterials 122 aufweist. Entsprechend kann auch die zweite Opferanode 220 eine vergleichsweise große Menge des zweiten Opfermaterials 222 aufweisen.

Fig. 16 zeigt eine schematische Darstellung einer optoelekt- ronischen Bauelementeanordnung 500. Die optoelektronische

Bauelementeanordnung 500 kann beispielsweise eine Leuchtdio ^¬ den-Anordnung sein. Die optoelektronische Bauelementeanord ^¬ nung 500 kann für einen Einsatz in einem Kraftfahrzeug oder an einer Straße oder in einem Tunnel vorgesehen sein.

Die optoelektronische Bauelementeanordnung 500 weist eine Leiterplatte 510 auf. Auf einer Oberseite der Leiterplatte 510 ist eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 520 angeordnet. Die optoelektronischen Bauelemente 520 sind mittels auf der Leiterplatte 510 angeordneter Leiterbahnen 511 in einer elektrischen Reihenschaltung miteinander verschaltet. Die optoelektronischen Bauelemente 520 können auch als Packages bezeichnet werden. Jedes optoelektronische Bauelement 520 weist mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip 521 auf, der beispielsweise als Leuchtdiodenchip, als Laserchip oder als Fotosensor ausgebildet sein kann. Ferner weist jedes optoelektronische Bauelement 520 ein ers ^¬ tes korrodierbares Element 522 und ein zweites korrodierbares Element 524 auf. Das erste korrodierbare Element 522 jedes optoelektronischen Bauelements 520 weist ein erstes korro ^¬ dierbares Material 523 auf. Das zweite korrodierbare Element 524 jedes optoelektronischen Bauelements 520 weist ein zwei ^¬ tes korrodierbares Material 525 auf. Die optoelektronischen Bauelemente 520 können wie das erste optoelektronische Bauelement 10 ausgebildet sein. Allerdings weisen die optoelektronischen Bauelemente 520 keine Opferano ^¬ den 120, 220 zum Schutz der korrodierbaren Elemente 522, 524 auf .

Stattdessen sind bei der optoelektronischen Bauelementeanordnung 500 auf der Leiterplatte 510 mehrere Opferanoden ange ^¬ ordnet. Eine erste Opferanode 530, die ein erstes Opfermate ^¬ rial 531 aufweist, ist elektrisch leitend mit einem ersten Abschnitt der Leiterbahn 511 an einem ersten Ende der Reihenschaltung von optoelektronischen Halbleiterchips 521 verbunden. Eine zweite Opferanode 540, die ein zweites Opfermateri ^¬ al 541 aufweist, ist elektrisch leitend mit einem zweiten Ab ^¬ schnitt der Leiterbahn 511 an einem zweiten Längsende der Reihenschaltung von optoelektronischen Halbleiterchips 521 verbunden. Jeder zwischen zwei optoelektronischen Halbleiterchips 521 der Reihenschaltung von optoelektronischen Halbleiterchips 521 angeordnete Abschnitt der Leiterbahn 511 ist elektrisch leitend mit je einer weiteren Opferanode 550 ver- bunden, die ein weiteres Opfermaterial 551 aufweist.

Damit ist jedes korrodierbare Element 522, 524 jedes opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 521 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 500 derart unmittelbar elektrisch lei- tend mit einer der Opferanoden 530, 540, 550 verbunden, dass sich das jedes korrodierbare Element 522, 524 und die jewei ^¬ lige Opferanode 530, 540, 550 auf gleichem elektrischen Po ^¬ tential befinden. Damit ist jedes korrodierbare Element 522, 524 durch die jeweils zugeordnete Opferanode 530, 540, 550 vor einer Korrosion geschützt.

Die Opfermaterialien 531, 541, 551 der Opferanoden 530, 540, 550 sind jeweils unedler als die korrodierbaren Materialien 523, 525 der korrodierbaren Elemente 522, 524. Die Opfermate ^¬ rialien 531, 541, 551 der Opferanoden 530, 540, 550 können ausgebildet sein wie die Opfermaterialien 122, 222 der Opferanoden 120, 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Figuren 1 bis 3. Die korrodierbaren Materialien 523, 525 der korrodierbaren Elemente 522, 524 können ausgebildet sein wie die korrodierbaren Materialien 111, 211, 411 der korrodierbaren Elemente 110, 210, 410 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Figuren 1 bis 3.

Fig. 17 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer optoelektronischen Bauelementeanordnung 600. Die optoelektronische Bauelementeanordnung 600 kann beispielsweise eine Leuchtdiodenanordnung sein. Die optoelektronische Bau- elementeanordnung 600 kann beispielsweise für einen Einsatz in einem Kraftfahrzeug, an einer Straße oder in einem Stra ^¬ ßentunnel vorgesehen sein.

Die optoelektronische Bauelementeanordnung 600 weist eine Leiterplatte 610 auf. Die Leiterplatte 610 ist auf einem

Kühlkörper 613 angeordnet. Die Leiterplatte 610 weist eine Mehrzahl von Metallisierungen 611 auf, die sich jeweils von einer Oberseite der Leiterplatte 610 durch die Leiterplatte 610 bis zu einer Unterseite der Leiterplatte 610 erstrecken und elektrisch und thermisch leitend mit dem Kühlkörper 613 verbunden sind. An der Oberseite der Leiterplatte 610 ist je ^¬ de Metallisierung 611 der Leiterplatte 610 über eine Leitverbindung 612 elektrisch leitend mit je einem optoelektronischen Bauelement 620 verbunden. Die optoelektronischen Bau- elemente 620 sind somit in einer Parallelschaltung angeord ^¬ net . Die optoelektronischen Bauelemente 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 können jeweils wie die optoelektro ^¬ nischen Bauelemente 520 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 500 der Fig. 16 ausgebildet sein. Insbesondere weist jedes optoelektronische Bauelement 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip auf. Außerdem weist jedes optoelektronische Bauelement 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 mindestens ein korrodierbares Element mit einem korro- dierbaren Material auf. Das korrodierbare Element ist dabei über die Leitverbindung 612 und die Metallisierung 611 derart elektrisch leitend mit dem Kühlkörper 613 verbunden, dass sich der Kühlkörper 613 und das korrodierbare Element auf ei ^¬ nem gemeinsamen Potential befinden.

Zum Schutz der korrodierbaren Elemente der optoelektronischen Bauelemente 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 weist der Kühlkörper 613 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 eine Opferanode 630 mit einem Opfermateri- al 631 auf. Die Opferanode 630 ist derart elektrisch leitend mit dem Kühlkörper 613 verbunden, dass sich die Opferanode 630 auf dem gleichen elektrischen Potential befindet wie die korrodierbaren Elemente der optoelektronischen Bauelemente 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600.

Das Opfermaterial 631 ist unedler als das korrodierbare Mate ^¬ rial der korrodierbaren Elemente der optoelektronischen Bauelemente 620. Das Opfermaterial 631 kann beispielsweise wie die Opfermaterialien 122, 222, 411 des ersten optoelektroni- sehen Bauelements 10 ausgebildet sein. Das korrodierbare Ma ^¬ terial der korrodierbaren Elemente der optoelektronischen Bauelemente 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 kann wie die korrodierbaren Materialien 111, 211, 411 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Figuren 1 bis 3 ausgebildet sein.

Die optoelektronischen Bauelemente 620 der optoelektronischen Bauelementeanordnung 600 können weitere korrodierbare Elemen- te aufweisen, die sich auf anderen elektrischen Potentialen als die bisher genannten korrodierbaren Elemente der optoelektronischen Bauelemente 620 befinden. In diesem Fall kann die optoelektronische Bauelementeanordnung 600 weitere Opfer- anoden aufweisen, die sich auf gemeinsamem Potential mit den weiteren korrodierbaren Elementen befinden.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.

Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

Bezugs zeichenliste

10 erstes optoelektronisches Bauelement

20 zweites optoelektronisches Bauelement 30 drittes optoelektronisches Bauelement

40 viertes optoelektronisches Bauelement

50 fünftes optoelektronisches Bauelement

60 sechstes optoelektronisches Bauelement 100 erster Leiterrahmenabschnitt

101 Vorderseite

102 Rückseite

103 Seitenfläche

110 erstes korrodierbares Element

111 erstes korrodierbares Material

120 erste Opferanode

121 erster Opferabschnitt

122 erstes Opfermaterial 200 zweiter Leiterrahmenabschnitt

201 Vorderseite

202 Rückseite

203 Seitenfläche

210 zweites korrodierbares Element

211 zweites korrodierbares Material

220 zweite Opferanode

221 zweiter Opferabschnitt

222 zweites Opfermaterial 300 Gehäuse

301 Oberseite

302 Unterseite

303 Gehäusematerial

310 ersten Kavität

320 zweite Kavität

330 dritte Kavität

340 vierte Kavität 400 optoelektronischer Halbleiterchip

401 Oberseite

402 Unterseite

410 Befestigungselement

411 korrodierbares Material

420 Bonddraht

430 Konverterelement

440 Verguss 500 optoelektronische Bauelementeanordnung

510 Leiterplatte

511 Leiterbahn

520 optoelektronisches Bauelement

521 optoelektronischer Halbleiterchip 522 erstes korrodierbares Element

523 erstes korrodierbares Material

524 zweites korrodierbares Element

525 zweites korrodierbares Material

530 erste Opferanode

531 erstes Opfermaterial

540 zweite Opferanode

541 zweites Opfermaterial

550 weitere Opferanode

551 weiteres Opfermaterial

600 optoelektronische Bauelementeanordnung

610 Leiterplatte

611 Metallisierung

612 Leitverbindung

613 Kühlkörper

620 optoelektronisches Bauelement

630 Opferanode

631 Opfermaterial