OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER OPTOELEKTRONISCHEN BAUGRUPPE

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen

Baugruppe . Eine herkömmliche organisch optoelektronische Baugruppe, beispielsweise eine OLED, weist auf einem Träger eine Anode, ein organisch funktionelles Schichtensystem auf der Anode und eine Kathode auf dem organisch funktionellen Schichtensystem auf. Das organisch funktionelle Schichtensystem weist eine oder mehrere Emitterschicht/en mit einem

elektrolumineszierenden Material auf. Die organisch

optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Bottom- Emitter-Bauweise eingerichtet sein, bei der die Kathode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch eine transparente Anode und einen transparenten Träger emittiert wird. Alternativ kann die organisch

optoelektronische Baugruppe in der sogenannten Top-Emitter- Bauweise eingerichtet sein, bei der die Anode aus einem hochreflektiven Material gebildet ist und das Licht durch die transparente Kathode emittiert wird.

Als hochreflektive Elektrode sind Mischstrukturen aus

Ag/Mg/Al bekannt, beispielsweise auch in mehreren Lagen mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 2 nm bis 200 nm. Das Ausbilden dieser Mischstruktur ist jedoch aufwendig im

Prozess und ein gleichmäßiges Ausbilden einer solchen

Mischstruktur ist im Beschichtungsprozess schwierig. Zudem ist die maximale Reflektivität einer derartigen Elektrode maximal 95 %.

In der Bottom-Emitter-Bauweise besteht das Problem, dass eine Dünnfilmverkapselungsschicht, die zu einem Verhindern einer Eindiffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die organisch optoelektronische Baugruppe eingerichtet ist und auf der hochreflektiven Kathode ausgebildet ist, auf der Kathode eine geringe Haftung (Adhäsion) aufweist und zur Delamination neigt. Alternativ weist die Dünnfilraverkapselungsschicht eine hohe Haftung mit der Kathode auf, so dass die

Dünnfilmverkapselungsschicht durch Verspannungen zusammen mit der Kathode delaminiert .

Die Aufgabe der Erfindung ist es, eine Flächenlichtquelle mit einer gesteigerten Effizienz bereitzustellen, beispielsweise ohne dass es zu Delamination kommt.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die eine transparente Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur aufweist. Die

Spiegelstruktur ist im körperlichen Kontakt auf einem Träger angeordnet. Die Spiegelstruktur weist wenigstens eine erste Schicht und eine zweite Schicht auf. Die erste Schicht ist im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht angeordnet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. Die Elektrodenschicht ist eine für das Licht transparente Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht ist im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht angeordnet. Die Spiegelstruktur ist zu einem

Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet ist, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird. In verschiedenen Weiterbildungen weisen Schichten bzw.

Strukturen, die miteinander im Körperlichen Kontakt sind, eine gemeinsame Grenzfläche auf.

Die optoelektronische Baugruppe kann in der sogenannten Top- Emitter-Bauweise ausgebildet sein, bei der Licht nicht durch den Träger emittiert wird, sondern der dem Träger

gegenüberliegenden Seite der Baugruppe. Das funktionale Auftrennen (funktionale Trennung) von

spiegelnder Wirkung und Stromleitung einer herkömmlichen unteren Elektrode einer optoelektronischen Baugruppen in eine Spiegelstruktur und eine transparente Elektrode ermöglicht eine hochreflektive Baugruppenseite mit einer Reflektivität für sichtbares Licht, die größer ist als die Reflektivität von Silber, beispielsweise größer als 95%.

Mit anderen Worten: es kann durch die funktionale Trennung der Eigenschaften der elektrischen Stromleitung und der

Reflexion von Licht eine extrem hohe Reflexion der

spiegelnden Baugruppenseite im gesamten sichtbaren Bereich des Lichtspektrums erreicht werden. Dies ermöglicht eine unabhängige Optimierung von Reflektivität und

Stromleitungeeigenschaft, beispielsweise für großflächige, optoelektronische Baugruppen-Strukturen.

Die funktionale Trennung ermöglicht eine spiegelnde

Baugruppenseite, die im Wesentlichen unabhängig von den

Eigenschaften des Trägere eingestellt werden kann. Dadurch können für die optoelektronische Baugruppe

unterschiedlichste Materialien verwendet werden,

beispielsweise Metall, Glas, Kunststofffolien. Der Träger ist zudem analog zu herkömmlichen Verfahren bearbeitbar.

Die Spiegelstruktur ist zudem vor Umgebungseinflüssen

geschützt, so dass die Reflektivität der Spiegelstruktur nicht in dem Maße der Alterung bzw. Oxidation unterliegt, wie beispielsweise bei einer herkömmlichen Elektrode aus Silber. Zudem kann die Spiegelstruktur als eine Barrierestruktur ausgebildet werden, beispielsweise für eine organisch

funktionelle Schichtenstruktur auf der transparenten

Elektrodenschicht bezüglich einer Diffusion eines schädlichen Stoffes in die organisch funktionelle Schichtenstruktur von der Seite des Trägers her. Bei einer herkömmlichen

spiegelnden Elektrode besteht die Gefahr der Delamination. Mittels der funktionalen Trennung kann die Barrierewirkung der Spiegelstruktur unabhängig von den elektrischen Eigenschaften und den Verkapselungseigenschaften der

transparenten Elektrodenschicht optimiert werden. Die

Barrierewirkung der Spiegelstruktur kann beispielsweise mittels der Schichtenanzahl, der Dicke der (Teil-) Schichten und der verwendeten Prozesse zum Ausbilden der

(Teil-) Schichten optimiert werden. Dadurch kann die

Barrierewirkung dieser Baugruppenseite bei gleichzeitig geringerer Delaminationsgefahr optimiert werden. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht ein Stapel von Schichten, d.h. ein Schichtenstapel, wird jedoch synonym als erste Schicht bezeichnet.

Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als ein

Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von sichtbarem Licht ausgebildet. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichte. Beispielsweise können mittele eines Bragg-Spiegels Aus-Zustande (off-state) von Farbbereichen des Lichts eingestellt werden, wobei die Aus-Zustände die

abhängig vom Blickwinkel auf die optoelektronische Baugruppe sind.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens eine erste Teilschicht und eine zweite Teilschicht auf. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht auf der zweiten Teilschicht angeordnet. Die erste Teilschicht ist im körperlichen Kontakt mit der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht ein Optimieren der

Barrierewirkung und der Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht eine

Schichtenfolge von erster Teilschicht und zweiter Teilschicht auf. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel aus erster Teilschicht und zweiter Teilschicht übereinander gestapelt. Dies ermöglicht ein Löschen von wenigstens einem Farbbereich des Lichte und/oder ein Optimieren der

Barrierewirkung der Spiegeletruktur.

Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schicht wenigstens die erste Teilschicht, die zweite Teilschicht und eine dritte Teilschicht auf. Die zweite Teilschicht ist im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht angeordnet. Dies

ermöglicht ein Optimieren der Barrierewirkung und der

Reflektivität der Spiegelstruktur unabhängig von der

transparenten Elektrodenschicht oder der zweiten Schicht.

Gemäß einer Weiterbildung ist die erste Schicht als eine einzige Schicht ausgebildet. Dies ermöglicht auf einfache Weise eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten

Elektrodenschicht .

Gemäß einer Weiterbildung ist die gemeinsame Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht eingerichtet, im

Wesentlichen das gesamte Licht zu reflektieren, das durch die erste Schicht zu der zweiten Schicht transmittiert wird. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung an der gemeinsamen Grenzfläche von erster Schicht und zweiter Schicht und der Stromleitung in der transparenten

Elektrodenschicht. Zudem können dadurch die Reflektivität der Spiegelstruktur mittels der Eigenschaften der gemeinsamen Grenzfläche und der ersten Schicht optimiert werden. Gemäß einer Weiterbildung weist die Spiegelstruktur in der gemeinsamen Grenzfläche der ersten Schicht mit der zweiten Schicht eine optisch funktionale Strukturierung auf. Die optisch funktionale Strukturierung ist beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches

Gitter. Dies ermöglicht eine funktionale Trennung von

Strahlformung des einfallenden und reflektierbaren Lichts, und der Stromleitung in der transparenten Elektrodenschicht. Gemäß einer Weiterbildung ist die zweite Schicht im

körperlichen Kontakt auf dem Träger angeordnet. Dies

ermöglicht eine unmittelbare elektrische Verbindung der zweiten Schicht bei einem elektrisch leitfähigen Träger; oder ein Verkapseln eines Trägere, der hermetisch nicht dicht ist, mittels der zweiten Schicht beispielsweise einer

Kunststofffolie.

Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die

optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise als eine

Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.

Gemäß einer Weiterbildung ist die optoelektronische Baugruppe eine organisch optoelektronische Baugruppe.

Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische

Baugruppe ferner eine organisch funktionelle

Schichtenstruktur auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ist. Die optoelektronische Baugruppe weist ferner eine weitere, für das Licht transparente Elektrodenschicht auf, die im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der

organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ist.

Mit anderen Worten: die transparente Elektrodenschicht, die organisch funktionelle Schichtenstruktur und die weitere, transparente Elektrodenschicht sind über der Spiegelstruktur übereinander gestapelt angeordnet.

Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer

optoelektronische Baugruppe, bei dem eine transparente

Elektrodenschicht auf einer Spiegelstruktur ausgebildet wird. Das Verfahren weist ein Ausbilden einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger auf. Die

Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht ausgebildet. Die zweite Schicht weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder wird daraus gebildet. Die erste Schicht ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht oder wird derart ausgebildet. Das Ausbilden der Elektrodenschicht ist ein Ausbilden einer für das Licht transparenten

Elektrodenschicht. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet, das durch die transparente Elektrodenschicht zu der Spiegelstruktur transmittiert wird.

Die funktionale Trennung von spiegelnder Wirkung und

Stromleitung ermöglicht eine Fertigung der Spiegelstruktur vor dem Ausbilden empfindlicher Strukturen auf der

Spiegelstruktur. Eine derartige empfindliche ist

beispielsweise eine organisch funktionelle

Schichtenstruktur auf der transparenten Elektrodenschicht. Dies ermöglicht, dass der Träger mit Spiegelstruktur

kompatibel zu herkömmlichen Herstellungsverfahren ist.

Dadurch ist eine Rücksichtnahme bezüglich der

Verfahrensbedingung beim Ausbilden der Spiegelstruktur auf die Verfahrensbedingung beim Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf der transparenten

Elektrodenschicht nicht notwendig.

Gemäß einer Weiterbildung wird die optoelektronische

Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.

Gemäß einer Weiterbildung weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere, transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen: Figur 1 eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe;

Figuren 2A und 2B Schnittdarstellungen eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe

Figur 3 eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe;

Figur 4 eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe;

Figur 5 eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe; Figur 6 ein Diagramm zur Reflektivität von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels;

Figur 7 eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe; und Figur 8 ein Ablaufdiagramm eines

Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen

Baugruppe .

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser

Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben*, „unten*, „vorne*, „hinten", „vorderes*, „hinteres*, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Aueführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Kontaktflächen sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Baugruppen aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr

elektronische Baugruppen aufweisen. Ein elektronisches

Bauelement kann beispielsweise eine aktive und/oder eine passive Baugruppe aufweisen. Eine aktive elektronische

Baugruppe kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder' Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Eine passive elektronische Baugruppe kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.

Eine optoelektronische Baugruppe kann eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe oder eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe sein oder aufweisen. Eine elektromagnetische Strahlung absorbierende Baugruppe kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein.

Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe kann in verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen eine

elektromagnetische Strahlung emittierende

Halbleiter-Baugruppe sein und/oder als eine

elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organisch elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organisch elektromagnetische Strahlung

emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung, die auch als Licht bezeichnet wird, kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann die elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe beispielsweise als lichtemittierende Diode (light emitting diode, LED) als organisch

lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als lichtemittierender Transistor oder als organisch

lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Die

lichtemittierende Baugruppe kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden

Baugruppen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Unter dem Begriff „transluzent" bzw. _" transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,

beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer

Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem

Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine

Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte

Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann

Unter dem Begriff „transparent* oder „transparente Schicht* kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist

(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des

Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird,

FIO.l zeigt eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe.

Die optoelektronische Baugruppe 100 weist auf einem Träger 102 eine Spiegelstruktur 104 auf. Die Spiegelstruktur 104 weist eine erste Schicht 116 und eine zweite Schicht 114 auf. Die zweite Schicht 114 ist auf oder über dem Träger 102 angeordnet. Die erste Schicht 116 ist auf der zweiten Schicht 114 angeordnet. Die zweite Schicht 114 ist in einem

körperlichen Kontakt mit der ersten Schicht 116 angeordnet, d.h. die erste Schicht 116 und die zweite Schicht 114 weisen eine gemeinsame Grenzfläche 122 auf. Die erste Schicht 116 ist elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht 124. Die erste Schicht 116 ist somit ein elektrischer

Isolator gegenüber der Umwelt, beispieleweise gleichzeitig zu der Wirkung als Teil der Spiegelstruktur 104. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf oder ist daraus gebildet.

Direkt auf der Spiegelstruktur 104 ist eine für ein Licht 124 transparente Elektrodenschicht 106 ausgebildet. Die

transparente Elektrodenschicht 106 kann auch als erste

Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die erste Schicht 116 ist in einem körperlichen Kontakt mit der ersten

Elektrodenschicht 106 angeordnet.

Ein Licht 124, das durch die erste Elektrodenschicht 106 und die erste Schicht 116 auf die gemeinsame Grenzfläche 122 auftrifft, wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122

reflektiert, gestreut oder gespiegelt.

Mittels der ersten Schicht 116 der Spiegelstruktur 104 kann der Grad der Umlenkung, Reflektivität, Spiegelung oder

Streuung des Lichts 124, d.h. die Reflektivität in der optoelektronischen Baugruppe 100 an der Seite des Träger 102, unabhängig von den elektrischen Eigenschaften der ersten Elektrodenschicht 116 eingestellt werden. Dies ermöglicht eine höhere Gestaltungsfreiheit bei der Ausgestaltung der optoelektronischen Baugruppe 100.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 108; ein weitere, für das Licht transparente

Elektrodenschicht 110 und eine Verkapselungsstruktur 112, wie nachfolgend ausführlicher beschrieben wird.

Die weitere, transparente Elektrodenschicht 110 kann auch als zweite Elektrodenschicht bezeichnet werden. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 ist elektrisch leitfähig und elektrisch leitend gekoppelt mit der ersten Elektrodenschicht 106 und der zweiten Elektrodenschicht 110 ausgebildet .

Die erste Elektrodenschicht 106, die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 und die zweite Elektrodenschicht 110 bilden einen elektrisch aktiven Bereich 118 der

optoelektronischen Baugruppe 100. Der elektrisch aktive

Bereich 118 ist zu einem Emittieren einer elektromagnetischen Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist der elektrisch aktive Bereich 118 zu einem Erzeugen eines elektrischen

Stromes und/oder einer elektrischen Spannung aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet.

Die optoelektronische Baugruppe 100 kann als ein

Flächenbauelement ausgebildet sein, beispielsweise als eine Flächenlichtquelle und/oder ein Display. Die optoelektronische Baugruppe ist beispielsweise zu einem Emittieren eines Lichtes 126 ausgebildet, wobei das Licht in der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 erzeugt wird. Ein erster Teil 120 des emittierten Lichts 126 ist direkt bzw. unmittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar. Ein zweiter Teil 124 des emittierten Lichts 126 ist indirekt bzw. mittelbar durch die zweite Elektrodenschicht 110 und die Verkapselungsstruktur 112 emittierbar, indem der zweite Teil 124 zunächst aus der organisch funktionellen

Schichtenstruktur 108 in Richtung des Trägers 102 emittiert wird und an der gemeinsamen Grenzfläche 122 von erster

Schicht 116 und zweiter Schicht 114 der Spiegelstruktur 104 in Richtung der zweiten Elektrodenschicht 110 und/oder

Verkapselungsstruktur 112 umgelenkt, gestreut oder

reflektiert wird.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 ein Glas oder einen Kunststoff auf oder ist daraus gebildet. Der Träger 102 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein, beispielsweise als eine Metallfolie oder ein Glas- oder Kunststoffträger mit einer Leiterstruktur. Der Träger 102 weist Glas, Quarz, eine Keramik und/oder ein

Halbleitermaterial auf oder ist daraus gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann transparent ausgebildet sein bezüglich des von der

optoelektronischen Baugruppe 100 absorbierten und/oder emittierten Lichte 124.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102

mechanisch flexibel ausgebildet, beispielsweise biegbar, knickbar oder formbar. Beispielsweise ist der Träger 102 als eine Folie oder ein Blech eingerichtet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 102 wenigstens einen mechanisch rigiden, nicht-flexiblen Bereich auf.

In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 in wenigstens einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts intransparent ist. In verschiedenen Weiterbildungen ist der Träger 102 intransparent ist für sichtbares Licht.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 zu einem Reflektieren von elektromagnetischer Strahlung 124 ausgebildet. Zusätzlich weist die Spiegelstruktur 104 in verschiedenen Weiterbildungen optisch funktionelle Schichten bzw. Strukturen auf, beispielsweise in der gemeinsamen

Grenzfläche oder der ersten Schicht 116, beispielsweise zur Strahlformung des emittierten Lichts 126 oder zum Erzeugen eines winkelabhängigen Aus-Zustandes des emittierten Lichts 126. Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise ein

optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel, einen photonischen Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche aufweisen. Die Spiegelstruktur 104 kann beispielsweise als erste Schicht 116 eine dielektrische Schicht oder ein dielektrisches

Schichtensystem und als zweite Schicht 114 eine

Metallbeschichtung aufweisen.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 als Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw.

atmosphärischen Stoffen, beispielsweise gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff ausgebildet. Mit anderen

Worten: die Spiegelstruktur 104 ist derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. In verschiedenen Weiterbildungen ist die Spiegelstruktur 104 im Wesentlichen auf der ganzen Oberfläche einer Seite des Trägers 102 ausgebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die optoelektronische Baugruppe 100 bezüglich einer Hauptemissionsrichtung des emittierten Lichts 126 auf dem Träger 102 einen optisch aktiven Bereich und einen optisch inaktiven Bereich auf. Die Spiegelstruktur 104 ist im optisch aktiven Bereich

ausgebildet. Mit anderen Worten: der optisch inaktive Bereich ist frei von Spiegelstruktur 104.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 vollständig oder teilweise durchlässig ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines ersten

Wellenlängenbereiches des Lichts 124. Alternativ oder

zusätzlich ist die erste Schicht 116 vollständig oder

teilweise reflektierend ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches des Lichts 124, beispielsweise als eine teildurchlässige Spiegelstruktur 104, beispielsweise als ein dichroitischer Spiegel. Die

teildurchlässige erste Schicht 116 ist beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel. Die erste Schicht 116 kann beispielsweise einen ersten Teil der auf sie einfallenden elektromagnetischen Strahlung 124 reflektieren. Ein zweiter Teil der einfallenden elektromagnetischen

Strahlung 124 tritt durch die teildurchlässige erste Schicht 116 hindurch und wird an der gemeinsamen Grenzfläche 122 reflektiert .

Mit anderen Worten:

Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116, wie ausführlicher in den nachfolgenden Figuren beschrieben wird, können gemäß verschiedener

Weiterbildung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116) können aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer

Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen.

Die erste Schicht 116 oder die einzelnen Teilschichten der ersten Schicht 116 sind gemäß verschiedener Weiterbildung als elektrisch nicht-leitende Schicht/en ausgebildet.

Beispielsweise sind/ist die erste Schicht 116 (oder die einzelnen Teilschichten der erste Schicht 116) aus einem dielektrischen Material (oder einer Materialkombination, die elektrisch nicht-leitend ist) gebildet.

Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2. Mit anderen Worten: In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet.

Gemäß einer alternativen Weiterbildung kann die erste Schicht 116 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten: In verschiedenen

Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als Schichtenstapel (Stack) ausgebildet, wie beispielsweise ausführlicher in FIG.3 bis FIG.6 veranschaulicht ist. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein Bragg-Spiegel für wenigstens einen Teil von

sichtbarem Licht ausgebildet. In verschiedenen

Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als ein

dichroitischer Spiegel für wenigstens einen Teil von

sichtbarem Licht ausgebildet.

Die erste Schicht 116 oder wenigstens eine Teilschicht der ersten Schicht kann gemäß einer Weiterbildung eine

Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Weiterbildung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Weiterbildung. Gemäß einer Weiterbildung, bei der die erste Schicht 116 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen.

Gemäß einer anderen Weiterbildung können die einzelnen

Teilschichten der ersten Schicht 116 unterschiedliche

Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von

Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid,

Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid

Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen

derselben.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Schicht 116 oder (im Falle eines Schichtenstapele mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der ersten Schicht 116 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungeindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die zweite Schicht 114 im körperlichen Kontakt auf dem Träger 102 ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen unterscheiden sich der Träger 102 und die zweite Schicht 114 in wenigstens einer

Eigenschaft, beispielsweise den Materialien aus denen sie gebildet sind.

Die gemeinsame Grenzfläche 122 kann in verschiedenen

Weiterbildungen ein optisches Gitter, einen metallischen Spiegel bzw. Spiegel oder eine totalreflektierende

Grenzfläche aufweisen.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die gemeinsame

Grenzfläche 122 von erster Schicht 116 und zweiter Schicht 114 eingerichtet, im Wesentlichen das gesamte Licht 124 zu reflektieren, dass durch die erste Schicht 116 zu der zweiten Schicht 114 transmittiert wird.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 in der Grenzfläche 122 der ersten Schicht 116 mit der zweiten Schicht 114 eine optisch funktionale Strukturierung auf, beispielsweise ein Mikrolinsenfeld, eine Streustruktur oder ein optisches Gitter. In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste

Elektrodenschicht 106 transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 124 ausgebildet. In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste

Elektrodenschicht 106 ein transparentes elektrisch

leitfähiges Oxid auf oder ist daraus gebildet. In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Elektrodenschicht 106 ein elektrisch leitfähiges Polymer oder eine elektrisch leitfähige Polymermischung auf oder ist daraus gebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die erste

Elektrodenschicht 106 aus einem Metall oder einer

Metalllegierung gebildet und weist eine Schichtdicke auf die kleiner als ungefähr 100 nm ist.

Mit anderen Worten:

Die erste Elektrodenschicht 106 weist ein elektrisch

leitfähiges Material auf, beispielsweise ein Metall.

Alternativ oder zusätzlich weist die erste Elektrodenschicht 106 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Die erste Elektrodenschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von einer Monolage bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm,

beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 ist zu einem Emittieren eines Lichts aus einer bereitgestellten

elektrischen Energie ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 zu einem Erzeugen einer elektrischen Energie aus einem absorbierten Licht ausgebildet. Die organisch funktionelle

Schichtenstruktur 108 weist eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine

Elektronentransportschicht und eine

Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 sind zwischen den Elektrodenschichten 106, 110 derart angeordnet, dass im Betrieb elektrische Ladungsträger von der ersten

Elektrodenschicht 106 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur 108 hindurch in die zweite

Elektrodenschicht 110 fließen können, und umgekehrt.

Die zweite Elektrodenschicht 110 ist transparent bezüglich des von der organisch funktionellen Schichtenstruktur 108 emittierten und/oder absorbierten Lichts 126 ausgebildet.

Die erste Elektrodenschicht 106 und die zweite

Elektrodenschicht 110 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein. Die zweite Elektrodenschicht 110 ist als Anode, also als löcherinjizierende Elektrodenschicht

ausgebildet oder als Kathode, also als eine

elektroneninjizierende Elektrode. In verschiedenen Weiterbildungen ist der elektrisch aktive Bereich 118 mittels der Verkapselungsstruktur 112 hermetisch abgedichtet bezüglich einer Eindiffusion von wenigstens einem Stoff, der für den elektrisch aktiven Bereich 118 schädlich ist, beispielsweise Wasser, Schwefel, Sauerstoff und/oder deren Verbindung. Eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Verkapselungsstruktur 112 ist eine im

Wesentlichen hermetisch dichte Struktur. Eine hermetisch dichte Struktur kann beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/(m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger 102 kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 ^-4 g/ (m ² d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 ^-4 g/(m ² d) bis ungefähr 10 ^-10 g/ (m ² d) , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 ^-4 g/ (m ² d) bis ungefähr 10 ^-6 g/ (m ² d) .

Weiterbildungen der Verkapselungsstruktur 112 sind in FIG.7 noch ausführlicher beschrieben.

FIG.2A und 2B zeigen Schnittdarstellungen von

Aueführungsbeispielen 200, 210 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend dem in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiel einer

optoelektronischen Baugruppe 100 entsprechen kann. Gemäß einer Weiterbildung kann die erste Schicht 116 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A und FIG.2B. Mit anderen Worten: In verschiedenen

Weiterbildungen ist die erste Schicht 116 als eine einzige Schicht ausgebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die Spiegelstruktur 104 und/oder der elektrisch aktive Bereich 118 eine Vielzahl elektrischer Durchkontakte 202, 206 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A und FIG.2B. Die Durchkontakte 202, 204 weisen ein elektrisch leitfähiges Material auf. Die

Durchkontakte 202, 204 können mittels eines herkömmlichen Strukturierungs- und/oder Beschichtungsverfahren ausgebildet werden. Die Durchkontakte 202, 204 können eine oder beide Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch mit dem Träger 102 und/oder der zweiten Schicht 114 verbinden. Dadurch kann beispielsweise eine Kontaktierung der ersten

Elektrodenschicht 106 und/oder der zweiten Elektrodenschicht 110 durch den Träger 102 erfolgen, was die Kontaktierung der optoelektronischen Baugruppe 100 vereinfacht.

Beispielsweise ist die erste Elektrodenschicht 106 mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 202 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in FIG.2A.

Beispielsweise ist die zweite Elektrodenschicht mittels einer Vielzahl an Durchkontakten 204 mit der zweiten Schicht 114 elektrisch verbunden, beispielsweise veranschaulicht in

FIG.2B.

Die Vielzahl an Durchkontakte 202 ,204 oder ein Teil der Vielzahl an Durchkontakten 202, 204 kann mittele einer elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 von einer elektrisch leitfähigen Struktur oder Schicht elektrisch isoliert sein, wenn eine elektrische Verbindung mit dieser Schicht oder Struktur nicht vorgegeben ist. Die elektrisch nicht-leitende Struktur 206 kann beispielswiese ein Resist sein,

beispielsweise ein Polyiraid. Im Fall einer einzelnen, ersten Schicht 116 aus einem elektrisch nicht-leitenden Material ist eine elektrisch nicht-leitenden Struktur 206 in der ersten Schicht 116 nicht notwendig.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um auf, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um auf, und ist aus Α10 _x , ΤiO _x , ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet, beispielsweise einem

transparenten nichtleitenden Oxid. FIG.3 zeigt eine Schnittdarstellung eines

Ausführungebeispiels 300 einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten

Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 wenigstens eine erste Teilschicht 302 und eine zweite

Teilschicht 304 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.3. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der zweiten Teilschicht 304 auf der zweiten Teilschicht 304 angeordnet. Die erste Teilschicht 302 ist im körperlichen Kontakt mit der Elektrodenschicht 106.

In verschiedenen Weiterbildungen weisen/weist die erste

Teilschicht 302 und/oder die zweite Teilschicht 304

wenigstens eines der folgenden Materialien auf oder sind/ist daraus gebildet: ein Polymer, ein Metalloxid, ein Metallnitrid, ein Metallcarbid oder ein Metalloxinitrid.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist eine erste Teilschicht 302 und eine zweite Teilschicht 304 auf. Die erste Teilschicht 302 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um und aus ΑΙΟχ gebildet. Die zweite Teilschicht 304 ist mit einer

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um aus TiO _x , ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet,

beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid. FIG.4 zeigt eine Schnittdarstellung eines

Ausführungebeispiels 400 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungebeispiele einer optoelektronischen

Baugruppe entsprechen kann.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 eine Schichtenfolge von erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 auf, beispielsweise veranschaulicht in FIG.4. In der Schichtenfolge sind zwei oder mehr Stapel (Stapel 1 bis n, mit n einer natürlichen Zahl) aus erster Teilschicht 402 und zweiter Teilschicht 404 übereinander gestapelt; siehe auch FIG.6.

In verschiedenen Weiterbildungen können die Teilschichten der ersten Schicht 116 gemäß einer der beschriebenen

Weiterbildungen der ersten Schicht 116 ausgebildet sein.

In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht 114 eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 1 um auf und ist aus Silber gebildet. Die erste Schicht 116 weist einen Schichtenstapel mit n Stapeln mit jeweils

wenigstens einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf. Die erste Teilschicht 402 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis 1 um und aus ΑΙΟχ gebildet. Die zweite Teilschicht 404 ist mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis 1 um aus TiOx, ZrOx oder einem ähnlichen Material gebildet,

beispielsweise einem transparenten nichtleitenden Oxid.

FIG.5 zeigt eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels 500 eines Teils einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungebeispiele einer optoelektronischen

Baugruppe entsprechen kann.

In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Schicht 116 zusätzlich zu der ersten Teilschicht 502 und der zweiten Teilschicht 504 wenigstens eine dritte Teilschicht 506 auf, wobei die zweite Teilschicht 504 im körperlichen Kontakt auf der dritten Teilschicht 506 angeordnet ist, beispielsweise veranschaulicht in FIG.5.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 gleich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen ist die dritte Teilschicht 506 wenigstens in einer Eigenschaft unterschiedlich zu der ersten Teilschicht 502 ausgebildet, beispielsweise bezüglich des Materials und/oder der Dicke der Teilschichten.

FIG.6 zeigt ein Diagramm 600 zur simulierten Reflektivität 602 als Funktion der Wellenlänge 604 für einfallendes Licht von optoelektronischen Baugruppen eines Ausführungsbeispiels, das beispielsweise weitgehend einem in FIG.3 bzw. FIG.4 gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. In einer ersten Weiterbildung 606 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 einen Stapel mit einer ersten Teilschicht 302 und einer zweiten Teilschicht 304 auf (siehe auch FIG.3) .

In einer zweiten Weiterbildung 608 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 zwei Stapel (n = 2 - siehe auch FIG.4) mit jeweils einer ersten Teilschicht 402 und einer zweiten Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind. In einer dritten Weiterbildung 610 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 drei Stapel (n = 3 - siehe auch FIG.4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter

Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind (siehe auch FIG.4) .

In einer vierten Weiterbildung 612 der Spiegelstruktur 104 weist die erste Schicht 116 vier Stapel (n = 4 - siehe auch FIG.4) aus jeweils erster Teilschicht 402 und zweiter

Teilschicht 404 auf, wobei die Stapel übereinander gestapelt sind.

Die erste Teilschicht 302, 402 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 66 nm auf und ist aus Ti02 gebildet. Die zweite Teilschicht 304, 404 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine

Schichtdicke von ungefähr 60 nm auf und ist aus AI ₂ O ₃

gebildet. Die zweite Schicht 114 weist in den Weiterbildungen 606, 608, 610, 612 eine Schichtdicke von ungefähr 200 nm auf und ist aus Ag gebildet.

Aus dem Diagramm 600 ist ersichtlich, dass im

Wellenlängenbereich von 450 nm bis 650 nm, d.h. ungefähr im sichtbaren Wellenlängenbereich von Licht, die Spiegelstruktur 104 eine mittlere Reflektivität aufweist: bei der ersten Weiterbildung 606 von ungefähr 97,70 %; bei der zweiten

Weiterbildung 608 von ungefähr 98,50 %; bei der dritten Weiterbildung 610 von ungefähr 98,70 %; und bei der vierten Weiterbildung 612 von ungefähr 98,10 %.

Silber weist eine mittlere Reflektivität von ungefähr 95 % auf. Aus dem Diagramm 600 ist somit ersichtlich, dass die Spiegelstruktur 104 mit erster Schicht 116 die Reflektivität einer einfachen Silberschicht, wie sie herkömmlich auch als spiegelnde Elektrode verwendet wird, erhöht. FIG.7 zeigt eine Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe 700, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten

Ausführungsbeispiele einer optoelektronischen Baugruppe entsprechen kann.

Die Verkapselungsstruktur 112 weist in verschiedenen

Weiterbildungen eine Barrieredünnschicht 716, eine

Auskoppelschicht, eine Verbindungsschicht 718, einen Getter und/oder eine Abdeckung 720 auf; beispielsweise

veranschaulicht in FIG.7. Die Verkapselungsstruktur 112 umgibt den elektrisch aktiven Bereich 118 wenigstens

teilweise .

Die Barrieredünnschicht 716 weist eines der nachfolgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: Aluminiumoxid,

Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.

Die Ein-/Auskoppelschicht weist eine Matrix und darin

verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen

Strahlung auf, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht) in der organisch optoelektronischen Baugruppe vorgesehen sein.

Die Verbindungsschicht 718 ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet. In einer Weiterbildung weist eine

Verbindungsschicht 718 aus einem transparenten Material

Partikel auf, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch wirkt die Verbindungsschicht 718 als Streuschicht, was zu einer

Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führt.

In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten

Elektrodenschicht 110 und der Verbindungsschicht 718 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis

ungefähr 1,5 um, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 um, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses.

Die Schicht mit Getter weist ein Material auf oder ist daraus gebildet, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff. Ein Getter weist

beispielsweise ein Zeolith-Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Schicht mit Getter- weist eine

Schichtdicke von größer als ungefähr 1 um auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um.

Auf oder über der Verbindungsschicht 718 ist die Abdeckung 720 ausgebildet oder angeordnet. Die Abdeckung 720 wird mittels der Verbindungsschicht 718 mit dem elektrisch aktiven Bereich 118 verbunden und schützt diesen vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung 720 ist beispielsweise eine

Glasabdeckung, eine Metallfolienabdeckung oder eine

abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung. Die Glasabdeckung ist beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organisch optoelektronischen Bauelementes verbunden.

Weiterhin veranschaulicht in FIG.7 sind Kontaktflächen 724, 728 mittels derer die optoelektronische Baugruppe 700 mit einer Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle (nicht veranschaulicht) verbunden werden kann. Die Kontaktflächen 724, 728 sind außerhalb der Verkapselungsstruktur 112

angeordnet und durch die Verkapselungsstruktur 112 mit den Elektrodenschichten 106, 110 elektrisch verbunden,

beispielsweise mittele elektrisch leitfähiger und elektrisch leitender Verbindungsschichten 722, 726. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 sind beispielsweise transparent oder auch intransparent. Die elektrisch leitenden Verbindungsschichten 722, 726 weisen beispielsweise eine Schichtenfolge auf, beispielsweise: Mo/AI/Mo; Cr/AI/Cr oder Ag/Mg; oder sind aus einer einzelnen Schicht gebildet, beispielsweise AI. Die Kontaktflächen 724, 728 können gemäß einer herkömmlichen Ausgestaltung eingerichtet sein,

beispielsweise eine herkömmliche, sogenannte ACF-PCB Folie sein oder aufweisen.

An der ersten Kontaktfläche 728, die mit der ersten

Elektrodenschicht 106 verbunden ist, ist ein erstes

elektrisches Potential anlegbar. Das erste elektrische

Potential wird von der Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt, beispielsweise einer

Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt und der ersten Elektrodenschicht 106 durch den Träger 102, die Spiegelstruktur 104 und die

Durchkontakte 202 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential. An der zweiten Kontaktfläche 724, die mit der zweiten

Elektrodenschicht 110 verbunden ist, ist ein zweites

elektrisches Potential anlegbar. Das zweite elektrische

Potential wird von der gleichen oder einer anderen

Baugruppen-externen elektrischen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential. Das zweite elektrische Potential weist

beispielsweise einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.

In verschiedenen Weiterbildungen sind einzelne elektrisch leitfähige Schichten, die nicht unmittelbar einen

körperlichen Kontakt aufweisen sollen, aber mittelbar

elektrisch miteinander verbunden sein sollen, mittele einer elektrischen Isolierstruktur 714 körperlich voneinander getrennt. Die Isolierstruktur 714 weist beispielsweise ein Resist auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise ein

Polyimid. PIO.8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Aueführungebeispiels eines Verfahrene 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend einem der oben gezeigten Ausführungsbeispiele entsprechen kann. Das Verfahren 800 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe weist ein Ausbilden 802 einer Spiegelstruktur im körperlichen Kontakt auf einem Träger 102 auf. Die

Spiegelstruktur wird mit wenigstens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht ausgebildet. Die erste Schicht 116 wird im körperlichen Kontakt auf der zweiten Schicht 114

ausgebildet. Die zweite Schicht 114 weist ein Metall oder eine Metalllegierung auf. Die erste Schicht 116 ist

elektrisch nicht-leitend und transparent für ein Licht. In verschiedenen Weiterbildungen erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in einer Vorfertigung, beispielsweise

außerhalb von Vakuum, beispielsweise bei Normaldruck. Alternativ erfolgt das Ausbilden der Spiegelstruktur in

Vakuum, beispielsweise in einem integrierten Prozess vor dem Ausbilden des elektrisch aktiven Bereiches der

optoelektronischen Baugruppe. Das Verfahren weist zudem ein Ausbilden 804 einer für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen Kontakt auf der ersten Schicht 116 ausgebildet. Die Spiegelstruktur wird zu einem Reflektieren von wenigstens einem Teil des Lichts ausgebildet wird, das durch die erste Elektrodenschicht zu der

Spiegelstruktur transmittiert wird.

In verschiedenen Weiterbildungen wird die optoelektronische Baugruppe als eine Flächenlichtquelle ausgebildet. Die optoelektronische Baugruppe wird beispielsweise als eine Allgemeinbeleuchtung oder ein Display ausgebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen weist das Verfahren ferner ein Ausbilden einer organisch funktionellen Schichtenstruktur auf. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der transparenten Elektrodenschicht angeordnet ausgebildet. Ferner weist das Verfahren ein Ausbilden einer weiteren, für das Licht transparenten Elektrodenschicht auf. Die weitere,

transparente Elektrodenschicht wird im körperlichen und elektrischen Kontakt auf der organisch funktionellen

Schichtenstruktur angeordnet ausgebildet.

In verschiedenen Weiterbildungen können/kann die erste

Schicht 116 oder eine oder mehrere Teilschichten der ersten Schicht 116 mittele eines geeigneten Abscheideverfahrene gebildet werden, z.B. mittels eines

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Weiterbildung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen

Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer

Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen

Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) gemäß einer anderen Weiterbildung, z.B. eines

plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) } oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less

Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Gemäß einer

Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine

Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat* bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Weiterbildung können bei einer ersten Schicht 116, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere

Teilschichten der ersten Schicht 116 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines

Gasphasenabscheideverfahrens . Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen

Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe als eine Solarzelle oder ein Fotodetektor ausgebildet werden.

BEZÜGSZEICHENLISTE

100, 200, 210, 300, 400, 500, 700 optoelektronische

Baugruppe

102 Träger

104 Spiegelstruktur

106 erste Elektrodenschicht

108 organisch funktionelle Schichtstruktur

110 zweite Elektrodenschicht

112 Verkapselungsstruktur

114 zweite Schicht

116 erste Schicht

118 elektrisch aktiver Bereich

120, 124, 126 Licht

122 gemeinsame Grenzfläche

202, 204 Durchkontakte

206 elektrisch nicht-leitenden Struktur

302, 402-1/n, 502 erste Teilschicht

304, 404-1/n, 504 zweite Teilschicht

506 dritte Teilschicht

600 Diagramm

602 Reflektivität

604 Wellenlänge

606, 608, 610, 612 Weiterbildungen

714 Isolierstruktur

716 Barrieredünnschicht

718 Verbindungeschicht

720 Abdeckung

722, 726 elektrisch leitende Verbindungsschichten 724, 728 Kontaktflächen

800 Verfahren

802, 804 Verfahrensschritte