Beschreibung

Optoelektronisches Bauelement, Verfahren, zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zu einem

Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und ein

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen

Bauelementes bereitgestellt.

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,

beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light

emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete

Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle .

Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED - veranschaulicht in Fig.5, kann eine Anode 510 und eine Kathode 514 mit einem organischen funktionellen

Schichtensystem 512 dazwischen, auf einem Substrat 502 aufweisen. Die Elektroden 512, 514 sind mittels elektrisch isolierender Strukturen 504 elektrisch voneinander getrennt. Die

Elektroden 510, 514 sind herkömmlich in den Randbereichen des optoelektronischen Bauelementes mittels Kontaktleisten 506 und Kontaktpads 516 elektrisch kontaktierba .

Das organische funktionelle Schichtensystem 512 kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur/en aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichten

(„Charge generating layer", CGL) zur

Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer

Elektronenblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Locht ransportschient /en („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht/en {„electron transport layer" - ETL) , um den Stromf luss zu richten.

Zum Schutz vor Wasser und Sauerstoff wird das

optoelektronische Bauelement herkömmlich mit einer bezüglich Wasser und Sauerstoff hermetisch dichten Verkapselung

, umgeben . Die Verkapselung weist herkömmlich eine

Dünnfilmverka selung 508 ( thin film encapsulation) und ein mittels eines Klebstoffes 522 auflaminiertes Deckglas 524 auf . Weiterhin kann eine herkömmliche Verkapselung auch als eine Kavitätsglasverkapselung (Cavity-Verkapslung}

ausgebildet sein.

Flächenlichtquellen, beispielsweise OLEDs , sind sehr anfällig gegenüber Störungen wie Partikeln 518. Die Partikel 518 können eine Abmessung in der Größenordnung auf eisen, die gleich ist wie oder größer ist als die Schichtdicken der Schichten des optoelektronischen Bauelementes . Die Partikel 518 können auch auf der Dünnfilmverkapselung 508 liegen und mechanisch durch die Schichten des optoelektronischen

Bauelementes durchgedrückt werden . Partikel 518 können sehr häufig im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes zu einem Kurzschluss führen, bei dem durch eine mechanische Belastung des Partikels mittels einer Belastung des

Deckglases 524 die Kathode 514 mit der Anode 510 kontaktiert werden. Dadurch kann es zu einem zeitlich nicht bestimmbaren Spontanausfall des Leuchtmittels kommen .

In einem herkömmlich Verfahren zum Reduzieren der

Partikelkontamination werden organische Leuchtdioden in Reinräumen mit kleinstmöglicher Partikelbelastung gefertigt , besonders bei der Fertigung des Substrates 502 und der

Verkapselung 508 , 522 , 524 der organischen Leuchtdioden . Die Reinraumklasse , beispielsweise nach ISO 14644-1, kann dazu prinzipiell nicht gut genug sein, beispielsweise eine geringere Partikelkonzentration als in ISO 1 nach ISO 14644-1. Somit ist bedingt durch Partikelkontaminationen beim

Herstellen optoelektronischer Bauelemente mit einem

unbestimmten Ausbeuteverlust zu rechnen. In einem herkömmlich Verfahren zum Reduzieren der

Partikelkontamination wird die Leuchtfläche diskretisiert und eine Kurzschlusssicherung in der Leuchtfläche integriert .

In einem herkömmlich Verfahren zum Reduzieren der

Partikelkontamination wird ein Partikel-Screening-Verfahren (Partikel -Raster-Verfahren) im Reinraum verwendet, um die Partikelkontamination beim Herstellen der Leuchtdioden zu detektieren. Dieses Verfahren ist j edoch aufwendig und reduziert nur den Ausbeuteverlust beim Herstellen .

In einem herkömmlich Verfahren zum Reduzieren der

Partikelkontamination werden die Bauteile in elektrooptischen Partikel-Screening-Verfahren getestet . Betroffene Bauteile können j edoch nicht zu 100% aus der Ausbeute eliminiert werden, typischerweise nur zu 98 - 99% .

In einem herkömmlich Verfahren zum Reduzieren der

Partikelkontamination werden die OLEDs mit einem Kavitätsglas verkapselt , wobei auf dem organischen funktionellen

Schichtenstapel in der Kavität ein Schichtfolgesystem aus harten und weichen Schichten aufgebracht wird, um Partikel einzubinden. Weiterhin werden dicke Dünnfilmverkapselungen verwendet mit einer Dicke von 3 μτα bis 5 μν . Weiterhin werden Isolationsöle , Pasten bzw. Kleber als Puffer auf dem

organischen funktionellen Schichtenstapel angeordnet .

Weiterhin ist bekannt , dass Kondensatoröle in Kondensatoren bei Temperaturen um 1000 K zu Selbstheilungsprozessen führen. Weiterhin sind Feststoff -Oxidationsmittel zum Reduzieren der Kurzschlussgefahr bei Partikelkontaminationen bekannt . Die möglichen Materialien sind auf bestimmte Materialien

eingeschränkt sind, die vor/nach dem Prozess als Edukt/Produkt nichtleitend, und ungiftig sind. Zur Wirksamkeit ist eine gewisse Mindesttemperatur am potentiellen

Kurzschluss erforderlich, um die Reaktion einzuleiten. In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zu einem

Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und ein

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen

Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist,

Spontanausfäile von optoelektronischen Bauelementen zu reduzieren, so dass die Austauschrate von defekten

Leuchtmitteln reduziert werden kann.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein

optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das

optoelektronische Bauelement aufweisend; eine erste Elektrode mit einem ersten elektrisch leitfähigen Stoff, eine zweite Elektrode mit einem zweiten elektrisch leitfähigen Stoff, und wenigstens einen aktiven Stoff, wobei der aktive Stoff in einem Strompfad der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode ausgebildet ist; und wobei der aktive Stoff

ausgebildet ist, den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff in einen elektrisch nicht -leitenden Stoff oder Bereich umzuwandeln.

Der elektrisch nicht-leitende Stoff kann ein dielektrischer bzw. ein elektrisch isolierender Stoff sein, Der elektrisch nicht-leitende Stoff kann jedoch auch ein elektrisch

leitfähiger Stoff sein, beispielsweise halbleitender Stoff, bei dem die elektronische Bandstruktur mittels des chemischen Umwandeins derart verändert ist, dass die Bandstruktur keine, wenige oder lokalisierte Elektronenzustände aufweist, die ein Leiten eines elektrischen Stromes durch den elektrisch nichtleitenden Stoff, das elektrisch nicht -leitende Stoffgemisch bzw. der elektrisch nicht- leitende Bereich ermöglichen könnten . in einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff ein chemisch aktiver Stoff sein. Ein chemisch aktiver Stoff kann einen elektrisch leitfähigen Stoff chemisch in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff, Stoffgemisch oder Bereich umwandeln, beispielsweise indem der chemisch aktive Stoff den elektrisch leitfähigen Stoff in einen dielektrischen Stoff umwandelt, beispielsweise mittels einer Oxidation oder einer Reduktion.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff ein physikalisch aktiver Stoff sein. Ein physikalisch aktiver Stoff kann einen elektrisch leitfähigen Stoff physikalisch in einen elektrisch nicht-leitenden Bereich oder ein elektrisch nicht-leitendes Stoffgemisch umwandeln, beispielsweise indem der physikalisch aktive Stoff den elektrisch leitfähigen Stoff elektrisch isoliert , beispielsweise indem der physikalisch aktive Stoff den Strompfad zu dem elektrisch leitfähigen Stoff unterbricht oder sich derart mit dem elektrisch aktiven Stoff verbindet, in beispielsweise umgibt , dass dieser elektrisch nichtleitend wird .

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff ein chemisch aktiver Stoff und/oder ein physikalisch aktiver Stoff sein.

In einer Ausgestaltung kann de erste elektrisch leitfähige Stoff transparent oder transluzent sein.

In einer Ausgestaltung kann der erste elektrisch leitfähige Stoff ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet sein .

In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff transparent oder transluzent sein.

In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leit ähige Stoff ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff ein Edelmetall aufweisen oder daraus gebildet sein . In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitf hige Stoff ein Halbedelmetall aufweisen oder daraus gebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff transparent oder transluzent sein hinsichtlich wenigstens eines sichtbaren Lichtes .

I einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff dielektrisch sein . In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff

elektrisch leitfähig und/oder elektrisch nicht-leitend sein.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff elektrisch leitf hig und/oder elektrisch nicht- leitend sein, nach dem der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff chemisch umgewandelt sind/ist .

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff ein Oxidationsmittel sein .

In einer Ausgestaltung kann das Oxidationsmittel zwei oder mehr Oxidationsstufen aufweisen.

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff ein Metalloxid, ein Metallnitrid und/oder ein Metalloxynitrid aufweisen oder ist daraus gebildet sein. Das Metalloxid, das Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid können/kann

verschiedene Oxidationsstufen oder Reduktionsstufen aufweisen. Bei verschiedenen Temperaturen kann das Metalloxid, das Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid Sauerstoff oder Stickstoff freisetzten und somit als

Oxidationsmittel oder Reduktionsmittel wirken. Der

freigesetzte Sauerstoff bzw. Stickstoff kann mit einem elektrisch leitfähigen Stoff des optoelektronischen

Bauelementes chemisch reagieren und diesen in einen

elektrisch nicht- leitenden, elektrisch isolierenden bzw.

elektrisch nicht -leitenden Stoff oder Bereich umwandeln. In einer Ausgestaltung können/kann das Metalloxid, das

Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid nach dem chemischen Aktiveren direkt mit dem elektrisch leitfähigen Stoff reagieren und diesen chemisch umwandeln . In einer

Ausgestaltung kann das Metalloxid, das Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid nach dem Freisetzten von Sauerstoff oder Stickstoff direkt mit dem elektrisch lei fähigen Stoff reagieren und diesen chemisch umwandeln .

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff einen der folgenden Stoffe oder Stoffteile auf eisen oder daraus gebildet sein: Mangan , Osmium, Kupfer, Vanadium, Natrium, Titan, Kalium, Permanganat , Dichromat, Percarbonat , Oxid, Nitrid, Oxynitrid beispielsweise Manganoxid, Titanoxid, Vanadiumoxid , Kupferoxid, Osmiumoxid; Aminoxide,

beispielsweise N-Methylmorpholin-N-oxid . Der chemisch aktive Stoff kann mit verschiedenen Stoffen einer elektrisch leitfähigen Schicht chemisch reagieren, beispielsweise bei unterschiedlichen Temperaturen , beispielsweise bei einer Elektrode bzw. einer elektrisch leitf higen Schicht der organischen funktionellen Schichten Struktur, die mehrere elektrisch leitfähige Stoffe aufweist .

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff ein Reduktionsmittel sein. Beispielsweise kann der aktive Stoff als Reduktionsmittel das Material der Anode umwandeln, beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement , das als ein Top-Emitter ausgebildet ist . In einer Ausgestaltung kann das Reduktionsmittel zwei oder mehr Reduktionsstufen aufweisen.

In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff schmelzbar sein, beispielsweise ein Thermoplast sein oder aufweisen .

In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff agglomerierbar sein, beispielsweise thermisch agglomerierbar sein.

In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Alkythiol , beispielweise Dithioerythrit

(Schmelzpunkt : 40 °C bis 80 °C) , Hexadecanthiol (Schmelzpunkt 20 °C) ; ein lineares Polyethylen niederer Dichte (LLD-PE) (Schmelztemperatur 40 °C bis 120 °C, können bei

Temperaturerhöhungen ab 30 °C schmelzen) ; Blockcopolymere , ein Thermoplast - können bei Überschreiten einer bestimmten Temperatur schmelzen, beispielsweise Polypropylen ab 160 °C; ein Duroplaste - können bei überschreiten einer gewissen Temperatur zerfallen.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner Nanopartikel aufweisen, wobei die Nanopartikel den aktiven Stoff aufweisen oder daraus gebildet sind.

In einer Ausgestaltung können die Nanopartikel einen Kern und eine Schale aufweisen, wobei der Kern von der Schale umgeben ist , und wobei der Kern den chemisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist .

In einer Ausgestaltung kann die Schale ausgebildet sein, den chemisch aktiven Stoff vor einer chemischen Reaktion

abzuschirmen. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff einen physikalisc aktiven Stoff und einen chemisch aktiven Stoff aufweisen . In einer Ausgestaltung können die Nanopartikel derart

ausgebildet sein, dass die Schale einen physikalisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist und der Kern einen chemisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist . In einer Ausgestaltung können die Nanopartikel derart

ausgebildet sein, dass die Schale thermisch von dem Kern ablösbar ist derart, dass der Kern thermisch freilegbar ist .

In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff aktivierbar ausgebildet sein derart, dass der erste

elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff nach einem Aktivieren des physikalisch aktiven Stoffs wenigstens teilweise in einen nicht- leitenden Bereich umgewandelt sind/ist , beispielsweise elektrisch isoliert sind/ist , beispielsweise lokal in einem Bereich um den physikalisc aktiven Stoff .

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff aktivierbar ausgebildet sein derart , dass der erste

elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitf hige Stoff nach einem Aktivieren des chemisch aktiven Stoffs chemisch in einen elektrisch nicht-leitenden Stoff oder Bereich umwandelbar sind/ist . In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln thermisch aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann das thermische Aktivieren mittels eines Erwärmens erfolgen, beispielsweise mittels eines elektrischen Kurzschlusses . In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff in einem

Temperaturbereich von ungefähr 20 ° C bis ungefähr 1500 ° C chemisch aktivierbar sein. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels einer

elektromagnetischen Strahlung aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines

Magnetfeldes aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines

elektrischen Feldes aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines Änderns des pH-Wertes in der Umgebung des aktiven Stoffs aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines

elektrischen Stromes aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode derart angeordnet sein, dass die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode den chemisch aktiven Stoff chemisch aktivieren, beispielsweise mittels eines körperlichen Kontaktes des ersten elektrisch leitfähigen Stoffs und/oder des zweiten elektrisch leitfähigen Stoffs mit dem aktiven Stoff.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode derart angeordnet sein, dass der aktive Stoff selbstpassivierend ist bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten

Elektrode. Mit anderen Worten: die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode aktivieren den aktiven Stoff, wodurch der aktive Stoff den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff lokal in einen nicht-leitenden Stoff umwandelt. Dadurch kann der Stromfluss zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode wenigstens lokal unterbrochen, reduziert und/oder umgelenkt werden.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff in der ersten Elektrode verteilt sein derart, dass die erste Elektrode den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff in der zweiten Elektrode verteilt sein derart, dass die zweite Elektrode den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Schichtstruktur aufweisen, wobei die

Schichtstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist und den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff in der

Schichtstruktur verteilt sein derart, dass die

Schichtstruktur den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung kann die Schichtstruktur eine Schicht aufweisen, wobei die Schicht den aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist. In einer Ausgestaltung kann die Schichtstruktur eine

organische funktionelle Schichtstruktur sein.

In einer Ausgestaltung kann die organische funktionelle Schichtstruktur eine optisch aktive Schicht aufweisen, wobei die optisch aktive Schicht zum Emittieren und/oder

absorbieren einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff auf oder über der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode

ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff in zwei oder mehr Schichten auf oder über der ersten Elektrode und/oder zweiten Elektrode angeordnet sein.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff als

Zwischenschicht in der ersten Elektrode und/oder in der zweiten Elektrode ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der elektrisch nicht-leitende Stoff transparent oder transluzent sein hinsichtlich eines sichtbaren Lichtes.

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff derart ausgebildet und in dem Strompfad angeordnet sein, dass der elektrisch nicht-leitende Stoff wenigstens einen Strompfad zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode unterbricht, umlenkt und/oder reduziert.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine Leuchtdiode, ein Fotodetektor und/oder eine

Solarzelle ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zu einem Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt, wobei das optoelektronische Bauelement gemäß einer der oben dargestellten Ausgestaltungen ausgebildet ist; das Verfahren aufweisend: Aktivieren des aktiven Stoffes derart, dass der wenigstens eine aktive Stoff einen

elektrisch leitfähigen Stoff in einem Strompfad der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode in einen elektrisch nicht-leitenden Stoff oder Bereich umwandelt.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Aktivieren ein Anlegen einer Überspannung an das optoelektronische

Bauelement aufweisen. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement konditioniert werden, indem partikelbelastete Stellen in dem optoelektronischen Bauelement in der Nähe von aktivem Stoff in elektrisch nicht- leitende Bereiche

umgewandelt werden, beispielsweise chemisch umgewandelt •werden. Eine Überspannung ist eine Spannung die höher ist als die Betriebsspannung des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise in Form eines kurzen Spannungspulses mit einer hohen Pulshöhe, beispielsweise ein Spannungspuls mit einer Pulsweite in einem Bereich von ungefähr 10 με bis ungefähr 100 ms und einer Pulshöhe in einem Bereich von ungefähr 200 V bis ungefähr 10 kV.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Aktivieren ein Bestrahlen des aktiven Stoffs aufweisen, beispielsweise mit einer elektromagnetischen Strahlung, einem elektrischen Feld und/oder einem Magnetfeld.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Bestrahlen des aktiven Stoffs strukturiert erfolgen, beispielsweise um eine Information mittels des umgewandelten elektrisch nichtleitenden Bereiches darzustellen, beispielsweise nachdem die Verkapselungsstruktur auf dem elektrisch aktiven Bereich ausgebildet ist. Dadurch kann der umgewandelte Bereich des optoelektronischen Bauelementes im optisch aktiven und/oder im optisch inaktiven Zustand ein anderes Erscheinungsbild aufweisen als der nichtstrukturierte Bereich, beispielsweise einen Färb- und/oder Helligkeitskontrast aufweisen. Dadurch kann in der Leuchtfläche eines optoelektronischen

Bauelementes beispielsweise ein Schriftzug, ein Symbol, ein Ideogramm und/oder ein Piktogramm dargestellt werden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

bereitgestellt , das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer ersten Elektrode mit einem ersten elektrisch leitfähigen Stoff , Ausbilden einer zweiten Elektrode mit einem zweiten elektrisch leitfähigen Stoff , wobei die zweite Elektrode über der ersten Elektrode ausgebildet wird; und Ausbilden

wenigstens eines aktiven Stoffs , wobei der aktive Stoff in einem Strompfad der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode ausgebildet wird; und wobei der aktive Stoff ausgebildet wird, den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich umzuwandeln.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff ein chemisch aktiver Stoff sein .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff ein physikalisch aktiver Stoff sein .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste

elektrisch leitf hige Stoff transparent oder transluzent sein.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste

elektrisch leitfähige Stoff ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste

Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff transparent oder transluzent sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite

elektrisch leitfähige Stoff ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite

Elektrode transparent oder transluzent ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite

elektrisch leitfähige Stoff ein Metall aufweisen oder daraus gebildet werden«

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite

elektrisch leitf hige Stoff ein Edelmetall auf eisen oder daraus gebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der zweite

elektrisch leitfähige Stoff ein Halbedelmetall aufweisen oder daraus gebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff transparent oder transluzent sein hinsichtlich wenigstens eines sichtbaren Lichtes .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff dielektrisch sein .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff dielektrisch oder elektrisch nicht- leitend sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff dielektrisch oder elektrisch nicht-leitend sein, nach dem der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite

elektrisch leitfähige Stoff chemisch umgewandelt worden sind/ist .

In einer Ausgestaltung des Verf hrens kann der chemisch aktive Stoff ein Oxidationsmittel sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

Oxidationsmittel zwei oder mehr Oxidationsstufen aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff ein Mangan aufweisen oder daraus gebildet sein .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff einen der folgenden Stoffe oder Stoffteile aufweisen oder daraus gebildet sein: Mangan, Osmium, Kupfer, Vanadium, Natrium, Titan, Kalium, Permanganat , Dichromat, Percarbonat , Oxid, Nitrid, Oxynitrid; beispielsweise

Manganoxid, Titanoxid, Vanadiumoxid, Kupferoxid, Osmiumoxid; Aminoxide , beispielsweise N-Methylmorpholin-N-oxid.

ein Manganoxid aufweisen oder daraus gebildet sein.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff ein Reduktionsmittel sein.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

Reduktionsmittel zwei oder mehr Reduktionsstufen aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der physikalisch aktive Stoff schmelzbar sein, beispielsweise ein Thermoplast sein oder aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der physikalisch aktive Stoff agglomerierbar sein, beispielsweise thermisch aggolmerierbar sein. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der physikalisch aktive Stoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Aikythiol , beispielweise Dithioerythrit (Schmelzpunkt : 40 °C bis 80 °C) , Hexadecanthiol (Schmelzpunkt 20 °C) ; ein lineares Polyethylen niederer Dichte (LLD-PE) (Schmelztemperatur 40 °C bis 120 °C, können bei

Temperaturerhöhungen ab 30 °C schmelzen) ; Blockcopolymere , ein Thermoplast - können bei Überschreiten einer bestimmten Temperatur schmelzen, beispielsweise Polypropylen ab 160 °C; ein Duroplaste - können bei überschreiten einer gewissen

Temperatur zerfallen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Anordnen von Nanopartikel aufweisen, wobei die

Nanopartikel den aktiven Stoff aufweisen oder daraus gebildet sind.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Nanopartikel einen Kern und eine Schale aufweisen, wobei der Kern von der Schale umgeben ist, wobei der Kern den chemisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Schale

ausgebildet sein, den chemisch aktiven Stoff vor einer chemischen Reaktion, abzuschirmen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff einen physikalisch aktiven Stoff und einen chemisch aktiven Stoff aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Nanopartikel derart ausgebildet sein, dass die Schale einen physikalisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist und der Kern den chemisch aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet ist,

In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Nanopartikel derart ausgebildet sein, dass die Schale thermisch von dem Kern ablösbar ist derart, dass der Kern thermisch freilegbar ist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der physikalisch aktive Stoff aktivierbar ausgebildet sein derart, dass der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite

elektrisch leitfähige Stoff nach einem Aktivieren des

physikalisch aktiven Stoffs wenigstens teilweise in einen nicht- leitenden Bereich umgewandelt werden/wird, beispielsweise elektrisch isoliert sind/ist, beispielsweise lokal in einem Bereich um den physikalisch aktiven Stoff.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der chemisch aktive Stoff aktivierbar ausgebildet sein derart, dass der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff nach einem Aktivieren des chemisch aktiven Stoffs chemisch in einen elektrisch nichtleitenden Stoff oder Bereich umgewandelt werden/wird.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln thermisch aktivierbar ist . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das thermische Aktivieren mittels eines Erwärmens erfolgen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff in einem Temperaturbereich von ungefähr 20 ° C bis ungefähr 1500 ° C chemisch aktivierbar sein.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels einer elektromagnetischen Strahlung aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines Magnetfeldes aktivierbar ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines elektrischen Feldes aktivierbar ist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines elektrischen Stromes aktivierbar ist. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels eines Änderns des pH-Wertes in der Umgebung des aktiven Stoffs aktivierbar ist .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode derart angeordnet werden, dass die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode den chemisch aktiven Stoff chemisch aktivieren.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode derart angeordnet werden, dass der aktive Stoff

selbstpassivierend ist bezüglich der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff in der ersten Elektrode verteilt werden derart, dass die erste Elektrode den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff in der zweiten Elektrode verteilt werden derart, dass die zweite Elektrode den aktiven Stoff aufweist,

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Schichtstruktur aufweisen, wobei die Schichtstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet wird und den aktiven Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff in der Schichtstruktur verteilt werden derart, dass die Schichtstruktur den aktiven. Stoff aufweist.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der Schichtstruktur ein Ausbilden einer Schicht aufweisen, wobei die Schicht den aktiven Stoff aufweist oder daraus gebildet wird.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die

Schichtstruktur als eine organische funktionelle

Schichtstruktur ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische funktionelle Schichtstruktur eine optisch aktive Schicht aufweisen, wobei die optisch aktive Schicht zum Emittieren und/oder absorbieren einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet wird.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff auf oder über der ersten Elektrode und/oder der zweiten

Elektrode ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff in zwei oder mehr Schichten auf oder über der ersten

Elektrode und/oder zweiten Elektrode angeordnet oder

ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff als Zwischenschicht in der ersten Elektrode und/oder in der zweiten Elektrode ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der elektrisch nicht- leitende Stoff transparent oder transluzent sein hinsichtlich eines sichtbaren Lichtes.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein und in dem Strompfad angeordnet werden, dass der elektrisch nicht-leitende Stoff wenigstens einen Strompfad zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode unterbricht, umlenkt und/oder reduziert. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement als ein Flächenbauelement ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

optoelektronische Bauelement als ein organisches

optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das

optoelektronische Bauelement als eine Leuchtdiode, ein

Fotodetektor und/oder eine Solarzelle ausgebildet werden.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen

Figuren 1A, B schematische Darstellungen optoelektronischer

Bauelemente gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen; eine schematische Darstellung zu einem

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figuren 3A-C schematische Darstellungen eines chemisch

aktiven Stoffs gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figuren 4A-F schematische Darstellungen optoelektronischer

Bauelemente gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und Figur 5 ein herkömmliches optoelektronisches

Bauelement . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet- Da

Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern, nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der

Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches

Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich eines optoelektronischen Bauelementes kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden, d.h. umwandeln; oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren, in verschiedenen Äusführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV- Strahlung (A-C) , sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist.

Unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung

verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten

Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden.

Unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung kann ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Aufnehmen von

elektromagnetischer Strahlung kann als ein Absorbieren von elektromagnetischer Strahlung und Ausbilden eines Fotostromes aus der absorbierten elektromagnetischen Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Absorbieren einer

elektromagnetischen Spannung kann als ein Umwandeln einer elektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom und/oder eine elektrische Spannung verstanden werden . Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine e1ektromagnetische Strahlung emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode , als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht (im sichtbaren Bereich) , UV-Strahlung und/oder Infrarot-Strahlung sein . In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung

emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode , OLED) , als Licht emittierender Transistor oder als organischer Licht emi tierender Transistor ausgebildet sein. Das

elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten

Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von

elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen

vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine

optoelektronische Struktur als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , ein organischer

Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind . Eine optoelektronische Struktur kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische funktionelle

Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer

elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom ausgebildet ist .

Ein optoelektronisches Bauelement mit einem optisch aktiven Bereich kann eine oder mehrere optisch aktive Seiten

aufweisen. Ein flächiges Bauelement , welches zwei flächige , optisch aktive Seiten aufweist , kann in der

Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein. Ein flächiges Bauelement kann auch als ein planares Bauelement bezeichnet werden . Der optisch aktive Bereich kann j edoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bot om-Emitter

ausgebildet ist . Die optisch inaktive Seite kann beispielsweise mit einer Spiegeistruktur , beispielsweise einer Spiegelstruktur mit einer elektrisch schaltbaren

Reflektivität und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein, beispielsweise zur Wärmeverteilung; wodurch der Strahlengang des Bauelementes gerichtet werden kann, in verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das

optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode, ein organischer Fotodetektor oder eine organische Solarzelle ausgebildet sein.

Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom- Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den

Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.

Ein Top- Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen

Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein chemisch aktiver Stoff einen anderen Stoff chemisch oxidieren oder chemisch

reduzieren und/oder selbst chemisch oxidiert oder chemisch reduziert werden. Ein chemisch aktiver Stoff kann

beispielsweise ein Stoff sein, der eine Elektrode chemisch oxidiert bzw. reduziert.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem chemischen ümwandeln das Ausbilden eines zweiten Stoffs oder eines zweiten Stoffgemisches aus einem ersten Stoff oder einem ersten Stoffgemisch verstanden werden. Das chemische

ümwandeln kann als eine Oxidation oder eine Reduktion des ersten Stoffs oder des ersten Stoffgemisches erfolgen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem physikalisch Umwandeln das Ausbilden eines elektrisch isolierenden Stoffs oder eines elektrisch isolierenden Stoffgemisches verstanden werden, wodurch eine bestehende elektrisch Verbindung

unterbrochen, umgelenkt oder reduziert wird. Das

physikalische Umwandeln kann als ein Ausbilden eiern

elektrischen Isolierung im Strompfad eines elektrischen

Stromes erfolgen, beispielsweise mittels eines Agglomerierens eines verteilten und elektrisch durchlässigen elektrisch isolierenden Stoffs.

Das optoelektronische Bauelement 100 (veranschaulicht in

Fig.1A und Fig.lB) kann beispielsweise als ein

Flächenbauelement ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein. Das

optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise als eine Leuchtdiode, ein Fotodetektor und/oder eine Solarzelle ausgebildet sein.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann eine erste

Elektrode 110 mit einem ersten elektrisch leitfähigen Stoff, eine zweite Elektrode 114 mit einem zweiten elektrisch lei fähigen Stoff, und wenigstens einen aktiven Stoff 136 aufweisen.

Der aktive Stoff 136 kann in einem Strompfad der ersten

Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein. Der aktive Stoff 136 kann ausgebildet sein den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich 140 umzuwandeln (in Fig.lB angedeutet mittels der gestrichelten Linie um eine schematisch dargestellte partikelbelastete Stelle 138) .

Der aktive Stoff 136 kann in Form eines Feststoffes auf und/oder in den Schichten des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise angeordnet sein. Der aktive Stoff 136 kann aktiviert werden derart, dass er den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich umwandeln kann .

Das Aktivieren des aktiven Stoffs 136 kann beispielweise mittels eines Zuführens von Energie erfolgen, beispielsweise einem Erwärmen des aktiven Stoffs 136. Eine Wärmequelle für das Erwärmen des aktiven Stoffs 136 kann beispielsweise ein Laser und/oder eine partikelbelastete Stelle 138 in dem optoelektronischen Bauelement 100 sein.

Bei einer partikelbelasteten Stelle 138 kann die erste

Elektrode 110 einen geringeren Abstand zu der zweiten

Elektrode 114 aufweisen als im übrigen Bereich der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114. Dadurch kann im Bereich der partikelbelasteten Stelle 138 ein größerer elektrischer Strom fließen. Der höhere elektrische Strom kann zu einem Erwärmen der partikelbelasteten Stelle 138 führen . Die dadurch erzeugte Wärme kann dazu führen, dass der aktive Sto f 136 in der Nähe der partikelbelasteten Stelle 138 aktiviert wird, dass heißt der (potentiell) aktive Stoff wird aktiv . Der aktive Stoff 136 kann nach der Aktivierung den elektrisch leitfähigen Stoff in der Umgebung des aktivierten Stoffs umwandeln in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich. Beispielsweise kann der aktive Stoff 136 die Hitzeentwicklung in der partikelbelasteten Stelle 138 dazu nutzen, im Bereich der partikelbelasteten Stelle 138 als Oxidationsmittel zu wirken und die partikelbelasteten Schicht 138 zu oxidieren, die dann nicht-leitend werden kann .

Der aktive Stoff 138 , beispielsweise in Form eines

Oxidationsmittels, eines Reduktionsmittels und/oder eines elektrischen Isoliermi tels, sollte folgende Eigenschaften aufweisen : es sollte zu keiner Reaktion mit den Schichten des optoelektronischen Bauelementes 100 kommen, bevor der aktive Stoff 136 aktiviert wird, beispielsweise nicht mit dem hermetisch dichten Substrat 128, der ersten Elektrode 110, der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112, der zweiten Elektrode 114, der zweiten Barrieredünnschicht 108 dem Deckglas 124 und/oder dem Klebstoff 122 reagieren;

beispielsweise erst bei Auftreten eines Kurzschlusses.

Bei einem Erhöhen der Temperatur des aktiven Stoffs 136, beispielsweise bei überschreiten einer kritischen Temperatur, sollte der aktive Stoff 136 mit mindestens einem Stoff einer Schicht des optoelektronischen Bauelementes 100 chemisch reagieren, beispielsweise unter Abspaltung eines oxidierenden Teiles, der die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114 an der jeweils betroffenen Stelle 138 oxidieren kann. Die betroffene Stelle sollte zu einem Nichtleiter, beispielsweise dielektrisch werden. Nicht abreagierte Restbestandteile des aktiven Stoffs 136 sollten idealerweise ebenfalls Nichtleiter sein, beispielsweise dielektrisch sein. Beispielsweise sollten alle chemischen Produkte nach dem Umwandeln des ersten elektrisch leitfähigen Stoffs und/oder des zweiten elektrisch leitfähigen Stoffs nicht-leitend sein, d.h. den Stromfluss unterbrechen, reduzieren und/oder umlenken, beispielsweise ist auch der aktive Stoff 136 elektrisch nicht-leitend.

Der aktive Stoff 136 sollte eine sehr große Kontaktfläch mit dem umzuwandelnden Stoff aufweisen. Beispielsweise kann ein chemisch aktiver Stoff 136 in Form von Nanopartikeln, beispielsweise Kern-Schale-Nanopartikeln, in und/oder auf wenigstens einem Teil der Schichten des optoelektronischen Bauelementes 100 aufgebracht werden.

Der aktive Stoff 136 sollte bei einer Aktivierung einer partikelbelasteten Stelle 138, beispielsweise beim Ausbilden eines Kurzschlusses, die Wärmegenerierung und/oder

Temperaturerhöhung (Hitzeentwicklung} und die sehr große reaktive Oberfläche dazu nutzen können, im Bereich der partikelbelasteten Stelle 138, beispielsweise mittels eines Abschmelzens der Schale der Kern-Schale-Nanopartikel , den chemisch aktiven Stoff schon bei relativ niedriger

Temperatur, beispielsweise in einem Temperaturbereich von ungefähr 100 °C bis ungefähr 150 °C chemisch zu aktivieren, d.h. in diesem Beispiel , freizusetze . Die Temperatur, bei der der chemisch aktive Stoff aktiviert wird, sollte größer sein als die im Betrieb oder der Lagerung des

optoelektronischen Bauelementes regulär auftretende maximale Temperatur . Die betroffene Schicht bzw. die partikelbelastete Stelle 138 kann chemisch umgewandelt werden, beispielsweise chemisch reduziert oder oxidiert ; und/oder elektrisch isoliert werden. Der chemisch umgewandelte Bereich sollte elektrisch nicht - leitend sein, beispielsweise dielektrisch. Alternativ können im Bereich des Schadens einfache

Nanopartikel bei höheren Temperaturen, beispielsweise mehr als 200 °C, mittels einer chemische Reaktion als chemisch aktiver Stoff 136 wirken und die belastete Stelle 138 elektrisch isolieren.

Alternativ kann der aktive Stoff 136 in Form von elektrisch nicht-leitenden Nanopartikeln nach der Aktivierung zu elektrisch isolierenden größeren Bereichen konglomerieren bzw. aggregieren, beispielsweise mittels eines

Zusammenfließens des aktiven Stoffs 136 und somit einen elektrischen Kurzschluss elektrisch isolieren.

Ausführungsbeispiele des aktiven Stoffs werden unten weiter beschrieben.

Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement 100 ein hermetisch dichtes Substrat 128 , einen aktiven Bereich 106 und eine Verkapselungsstruktur 126 aufweisen. Das hermetisch dichte Substrat 126 kann einen Träger 102 und eine erste BarriereSchicht 104 aufweisen . Der aktive Bereich 106 ist ein elektrisch aktiver Bereich 106 und/oder ein optisch aktiver Bereich 106. Der aktive Bereich 106 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird.

Der elektrisch aktive Bereich 106 kann die erste Elektrode 110, eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweiten Elektrode 114 und den chemisch aktiven Stoff 136 aufweisen.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische

funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116, eine Zwischenschichtstruktur 118 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 aufweisen.

Die Verkapseiungsstruktur 128 kann eine zweite

Barriereschicht 108, eine schlüssige Verbindungsschicht 122 und eine Abdeckung 124 aufweisen.

Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein

Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen ( PE ) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff

Polyvinylchlorid ( PVC ) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) ,

Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl.

Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.

Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.

Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.

Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder

absorbierten elektromagnetischen Strahlung des

optoelektronischen Bauelementes 100.

Die erste Barriereschicht 104 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:

Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,

Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.

Die erste Barriereschicht 104 kann mittels eines der

folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten

Atomlagenabscheideverfahrens {Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses

Atomlageabscheideverfahren { Plasma- less Atomic Layer

Deposition ( PLALD ) ) ; ein chemisches Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma- less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren.

Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere

Teilschichten aufweist, können partiell oder alle

Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD- Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Bei einer ersten Barriereschicht 104, die mehrere

Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere

Teilschichten der ersten Barriereschicht 104 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverf hrens .

Die erste Barriereschicht 104 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.

Die erste Barriereschicht 104 kann ein oder mehrere

hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste

Barriereschicht 104 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht

ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist. Die erste Elektrode 104 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen

Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die

beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen- eilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus

halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges

Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren

Komposite. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien, Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden

Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:

beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären

MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnÜ ₂ , oder In ₂ Ü3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn ₂ SnÜ ₄ , CdSnO _ß , ZnSn0 ₃ , Mgl^O^.,

Galn0 ₃ , Z^I^Qs oder In ₄ Sn ₃ 0]_ ₂ oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin

entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein. Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine

Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO MultiSchichten . Die erste Elektrode 104 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,

beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.

Der erste elektrisch leitf hige Stoff kann transparent oder transluzent sein. Der erste elektrisch leitf hige Stoff kann beispielsweise ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. Die erste Elektrode kann transparent oder transluzent ausgebildet sein.

In Fig .1 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 116 und einer zweite organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 120 dargestellt . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70,

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 und die optional weiteren organischen funktionellen

Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder

unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120, oder die -weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen

Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 116 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine Lochinjektionsschicht, eine

Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine

Elektronentransportschicht und eine

Elektroneninjektionsschicht aufweisen.

In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein. Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-C , Cu(l) FBz, MoO _x , W0 _X , V0 _X , ReO _x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, FlGCuPc NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) TPD (N, ' -Bis (3 -methylphenyl) -N, N ¹ -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;

Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis {phenyl) -Spiro) ; DMFL-TPD N, * -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; D FL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) - 9 , 9-dimethyl- fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -N, N ' -bis (phenyl) -9 , 9-dipheny1- fluore ) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dipheny1- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9, 9 ' -spirobifluoren) ; 9,9-Bis[4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis -naphthalen- 2 - yl -N, N ¹ -bis -phenyl-amino) -phenyl] - 9H- fluor;

N, ' -bis (phenanthren- 9-yl) - , ' -bis (phenyl) -benzidin;

2 , 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, N-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4 - (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan;

2,2' ,7,7' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' , ' -tetra-naphthalen-2 -yl-benzidin .

Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungef hr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.

Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine

LochtransportSchicht ausgebildet sein . Die

Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-1-yl ) -N, ¹ -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ' -Bis (naphthalen-2 -yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -N, ¹ -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl- fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, -bis-biphenyl-4 -yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-Ν,Ν' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;

Ν,Ν' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, N ' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N,N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, -di-phenyl -amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N-ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N,

Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder

Polyethylendioxythiophen .

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.

Auf oder über der LochtransportSchicht kann eine

Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen

funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 , 120 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern . Eine Emitterschicht kann organische Polymere , organische Oligomere , organische Monomere , organische kleine , nicht - po.lymere Moleküle („small mo.lecu.les" ) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein . Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer

Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5 -difluoro- 2 - ( 2-pyridy1 ) pheny1- (2- carboxypyridyl ) - iridium III) , grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) ₃ (Tris (2 -phenylpyridin) iridium III) , rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg ) (Tris [4,4' -di-tert- butyl - (2,2' ) -bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi ( , -Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] iphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer

technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.

Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig ( zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen . Alternativ kann die

Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind, Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 116 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.

Auf oder über der Emitterschicht kann eine

Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein.

Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18 ; 2, 2 ' , 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4 -tert -butylpheny1 ) - 1, 3 , -oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4 - (Naphthalen-l-yl) -3, 5 -diphenyl -4H- 1 , 2 , 4 - triazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo-5-yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl -1,2, 4 -triazole; Bis (2-methyl - 8 - quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5 - (biphenyl-4-yl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10 -di (naphthalen-2-yl) -anthracene ; 2 , -Bis [2- (2,2'- bipyridine - 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1 , 3 -Bis [2- (4 -tert-butylphenyl) -1,3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2 - (naphthalen- 2 -yl ) -4 , 7-diphenyl-l , 10-phenanthro1ine ; 2,9- Bis {naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ;

Tris {2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthrolin Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlinte racarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und

Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr

50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine

Elektroneninj ektionsschicht ausgebildet sein. Die

Elektroneninj ektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs ₂ C0 ₃ , Cs ₃ P0 ₄ , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiP;

2 , 2 ' , 2 " -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4 -tert-butylphenyl) - 1, 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2 , -triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10 -phenanthroline (BPhen) ; 3- ( -Biphenylyl) -4- phenyl -5 - tert- utyIphenyl - 1 , 2 , 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4 - (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- ( ipheny1 -4 -yl ) -1,3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl- 9, 10 -di {naphthalen- 2 -yl ) -anthracene ,- 2, 7-Bis [2- (2,2*- bipyridine- 6 -yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- ( 4 -tert -butyIphenyl ) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 2- (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen- 2 -yl ) -4,7- dipheny1 - 1 , 10 -phenanthroline ;

Tris (2,4 , 6-trimethyl-3- (pyridin- 3 -yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H- imidazo [4,5- f] [1,10] phenanthro1ine ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide ; Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.

Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 116, 120, kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 120 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 116 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten 116, 120 kann eine

Zwischenschichtstruktur 118 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 118 als eine Zwischenelektrode 118 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der

Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine

Zwischenelektrode 118 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 118 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 118 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 118 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 118 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 kann eine oder mehrere

elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende

Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 118 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-

Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann . Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 118 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine

Diffusionsbarriere aufweisen .

Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 116 , 120 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μνα , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μτ , beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungef hr 300 nm.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die

Funktionalität und damit die E fizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.

Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen

Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode ,

Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann transparent oder transluzent sein. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. Die zweite Elektrode kann transparent oder transluzent

ausgebildet sein. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff ein Edelmetall aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der zweite elektrisch leitfähige Stoff ein Halbedelmetall aufweisen oder daraus gebildet sein.

Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches

Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle

bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die

Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 ¥, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Ein Anschluss einer der Elektroden 110, 114 kann eine

elektrische Kontaktzuführung 132 und/oder eine

Kontaktierungsstruktur 134 aufweisen. Die elektrische Kontak Zuführung 132 kann beispielsweise transparent, transluzent oder opak sein bezüglich sichtbaren Lichtes. Die elektrische KontaktZuführung 132 beispielsweise ein Mehrschichtsystem sein. Die elektrische KontaktZuführung 132 kann beispielsweise eine oder mehrere Schicht/en Mo, AI, Cr, Ag und/oder Mg aufweisen, beispielsweise Mo/Al/Mo,

Cr/Al/Cr, Ag/Mg, AI.

Die Kontaktierungsstruktur 134 kann beispielsweise eine

Kontaktierungsschicht und/oder eine Kontaktierungsfolie aufweisen, beispielsweise lötbar, klebbar, oder schweißbar sein, beispielsweise für eine elektrisch leitfähige

Klebstoff -Bindung (anisotropic conductive film bonding - ACF- Bonden) . Die erste Elektrode 110 kann von der zweiten Elektrode 114 elektrisch isoliert ausgebildet sein, beispielsweise mittels einer elektrischen Isolierung 130. Die elektrische Isolierung 130 kann beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein . Die elektrische Isolierung 130 kann bei einem strukturierten Ausbilden der Elektroden 110 , 114 optional sein .

Der aktive Stoff 136 kann ein chemisch aktiver Stoff und/oder ein physikalisch aktiver Stoff sein. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff einen physikalisch aktiven Stoff und einen chemisch aktiven Stoff aufweisen .

Der aktive Stoff 136 kann als ein Feststoff , beispielsweise als Feststoff -Oxidationsmittel ; und/oder als Nanopartikel in die OLED eingebracht werden - in Fig.1A veranschaulicht als Nanopartikel 136 auf der zweiten Elektrode 114. Ein chemisch aktiver Stoff 136 kann bei einer Redox-Reaktion elektrisch nicht -leitende Produkte erzeugen. Dadurch kann beispielsweise ein Kurzschluss in dem optoelektronischen Bauelement 100 isoliert werden. Dadurch kann eine

partikelbelastete Stelle 138 eines optoelektronischen

Bauelementes 100 beim/kurz vor dem Auftreten eines

Kurzschlusses automatisch elektrisch isoliert werden . Dadurch kann ein weiterer Stromfluss in der partikelbelasteten Stelle 138 unterdrückt werden.

Die Abmessung der elektrisch isolierten partikelbelasteten Stelle kann so klein sein, dass sie nicht als dunkler Fleck mit dem Auge wahrnehmbar ist oder mittels einer

Auskoppelstruktur verwischt werden . Beispielsweise kann eine Streustruktur den dunklen Fleck lateral im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung umgeben . Die Abmessung kann beispielsweise mittels der chemischen Reaktivität und/oder der Anzahl der verfügbaren Reaktionsstufen des chemisch aktiven Stoffs , beispielsweise der Anzahl an

Oxidationsstufe , eingestellt werden.

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff derart ausgebildet sein, dass der aktive Stoff und/oder der

umgewandelte , elektrisch nicht-leitende Stoff 140 transparent oder transluzent sind/ist hinsichtlich wenigstens eines sichtbaren Lichtes . Dadurch ist die elektrisch isolierte partikelbelastete Stelle beispielsweise im ausgeschalteten Zustand nicht sichtbar . Der aktive Stoff kann dielektrisch, elektrisch nicht-leitend und/oder elektrisch leitfähig sein. In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff dielektrisch oder elektrisch nicht-leitend werden, nachdem der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff chemisch umgewandelt sind/ ist .

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff 136 ein Oxidationsmittel sein . Das Oxidationsmi tel kann zwei oder mehr Oxidationsstufen aufweisen, Der chemisch aktive Stoff kann einen der folgenden Stoffe oder Stoffteile aufweisen oder daraus gebildet sein: Mangan, Osmium, Kupfer, Vanadium, Natrium, Titan, Kalium, Permanganat , Dichromat, Percarbonat , Oxid, Nitrid, Oxynitrid beispielsweise Manganoxid,

Titanoxid, Vanadiumoxid, Kupferoxid, Osmiumoxid; Aminoxide, beispielsweise N-Methylmorpholin-N-oxid .

Der chemisch aktive Stoff kann mit verschiedenen Stoffen einer elektrisch leitfähigen Schicht chemisch reagieren, beispielsweise bei unterschiedlichen Temperaturen,

beispielsweise bei einer Elektrode bzw. einer elektrisch leitfähigen Schicht der organischen funktionellen Schichten Struktur, die mehrere elektrisch leitfähige Stoffe aufweist .

Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement

unterschiedliche chemisch aktive Stoffe 136 aufweisen, die unterschiedliche elektrisch leitf hige Stoffe chemisch umwandeln können und/oder unter unterschiedlichen Bedingungen chemisch aktiviert werden können.

In einer Ausgestaltung kann der chemisch aktive Stoff ein Reduktionsmittel sein. Das Reduktionsmittel kann zwei oder mehr Reduktionsstufen aufweisen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der chemisch aktive Stoff ein Metalloxid, ein Metalinitrid und/oder ein Metalloxynitrid auf oder ist daraus gebildet . Das Metalloxid, das Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid weist

verschiedene Oxidationsstufen oder Reduktionsstufen auf .

Bei verschiedenen Temperaturen kann das Metalloxid, das

Metallnitrid und/oder das Metalloxyni rid Sauerstoff oder Stickstoff freisetzten und somit als Oxidationsmittel oder Reduktionsmittel wirken. Der freigesetzte Sauerstoff bzw. Stickstoff kann mit einem elektrisch leitfähigen Stoff des optoelektronischen Bauelementes chemisch reagieren und diesen in einen elektrisch nicht- leitenden, elektrisch isolierenden bzw. elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich umwandeln.

In einem Ausführungsbeispiel können/kann das Metalloxid, das Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid nach dem chemischen Aktiveren direkt mit dem elektrisch leitfähigen Stoff

reagieren und diesen chemisch umwandeln.

In einem Ausführungsbeispiel kann das Metalloxid, das

Metallnitrid und/oder das Metalloxynitrid nach dem.

Freisetzten von Sauerstoff oder Stickstoff direkt mit dem elektrisch leitfähigen Stoff reagieren und diesen chemisch umwandeln . Der aktive Stoff kann aktivierbar ausgebildet sein derart, dass der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff nach einem Aktivieren des aktiven Stoffs umwandelbar sind/ist. In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff derart

ausgebildet sein, dass das Umwandeln thermisch aktivierbar ist. Das thermische Aktivieren kann mittels eines Erwärmens erfolgen. Der chemisch aktive Stoff kann in einem

Temperaturbereich von ungefähr 20 °C bis ungefähr 1500 °C chemisch aktivierbar sein, beispielsweise bei einer

Temperatur größer als 100 °C.

Beispielsweise kann der chemisch aktive Stoff Mn02 aufweisen oder daraus gebildet sein.

MnÖ ₂ reagiert bei Erhitzen auf über 450 °C unter Abgabe von

Sauerstoff zu Manga (III) -Oxid (Mn ₂ 0 ₃ ) :

ΔΤ

(I) 4 Mn0 ₂ > 2 Mn ₂ 0 ₃ + 0 ₂

Mn0 ₂ reagiert bei Erhitzen auf über 600 °C unter Abgabe von Sauerstoff zu Manga (II, III) -Oxid (Mn ₃ 0 ₄ ) :

ΔΤ

(II) 3 Mn0 ₂ >Mn ₃ Q ₄ +0 ₂ Der in ( I ) und ( II ) gebildete Sauerstoff kann mit den

elektrisch leitfähigen Stoffen der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und/oder der Elektroden 110, 114 chemisch weiter reagieren, beispielsweise diese in elektrisch nicht-leitende und/oder dielektrische Stoffe umwandeln.

Manganoxid kann unter Betriebsbedingungen bzw.

Lagerbedingungen des optoelektronischen Bauelementes 100 keinen Sauerstoff abgeben. Sauerstoff kann bei erhöhter

Temperatur abgespalten werden. Der abgespaltene Sauerstoff kann beispielsweise mit dem Stoff der zweiten Elektrode, beispielsweise Aluminium, chemisch reagieren und dieses in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich

umwandeln, beispielswiese A10 _x . Der chemisch aktive Stoff kann derart ausgebildet sein, dass die chemisch Aktivierung und chemische Umwandlung eines elektrisch leitfähigen Stoffs erfolgen kann, bevor beispielsweise ein Kurzschluss erfolgen kann. Der chemisch reagierte chemisch aktive Stoff kann elektrisch nicht-leitend sein, beispielsweise dielektrisch.

Bei MnO _x kann bei steigender Temperatur vermehrt Sauerstoff freigesetzt werden und damit die Umwandlung, beispielsweise bei einem Kurzschluss, beschleunigt werden, d.h. die Bildung des elektrischen Isolators kann beschleunigt werden mittels höherer Temperaturen.

Der chemisch aktive Stoff, beispielsweise MnO _x , kann in einer Schicht in dem elektrisch aktiven Bereich 106 im Strompfad der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.1A, siehe auch

Fig.4A-F) , beispielsweise auf, über und/oder unter der zweiten Elektrode 114. Die Schicht mit/aus aktivem Stoff kann eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 2 μπι aufweisen. Die laterale Ausdehnung der Schicht mit/aus aktivem Stoff 136 kann an die Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes 100 angepasst sein, Beispielsweise kann der aktive Stoff 136 vermehrt bzw. nur on Bereichen ausgebildet werden, die besonders anfällig für Partikelkontaminationen sind,

beispielsweise im geometrischen Randbereich; und/oder in denen mittels des wenigstens einen aktiven Stoffs eine

Information dargestellt werden soll, beispielsweise mittels der Umwandlung ein Schriftzug, ein Piktogramm, ein Symbol und/oder ein Ideogramm.

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff in Form einer Schicht ausgebildet sein, d.h. keine Körnung aufweisen und {voll} flächig ausgebildet sein _? und/oder in Form von Nanopartikeln ausgebildet sein, beispielsweise als eine

Nanopartikelschicht , beispielsweise mit einer Dicke von kleiner als 1 nm bis zu ungefähr 2 μτ . Beispielsweise können Nanopartikel eines ersten aktiven Stoffs in einer Schicht eines zweiten aktiven Stoffs (ohne oder mit anderer Körnung) verteilt sein. Der erste aktive Stoff kann gleich oder unterschiedlich sein zu dem zweiten aktiven Stoff.

Beispielswiese kann der erste aktive Stoff ein chemisch aktiver Stoff sein und der zweite Stoff ein physikalisch aktiver Stoff sein. Mittels der Körnung, d.h. der

Partikelgröße des aktiven Stoffs, kann die Größe der

Oberfläche je Stoffmenge und damit die

Reaktionsgeschwindigkeit auf die Aktivierung des aktiven Stoffs verändert werden. Der chemisch aktive Stoff kann derart ausgebildet und/oder ausgewählt sein, dass er unterschiede Materialien chemisch umwandeln kann, beispielsweise die oben genannten Stoffe der ersten Elektrode 110, der zweiten Elektrode 114 und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112,

beispielsweise AI , Ag , Mg.

In einer Ausgestaltung kann der aktive Stoff 136 derart ausgebildet sein, dass das Umwandeln mittels einer elektromagnetischen Strahlung aktivierbar, eines Magnetfeldes, eines elektrischen Feldes und/oder eines elektrischen Stromes sind/ist. Der aktive Stoff 136 kann bezüglich der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 derart angeordnet sein, dass die erste Elektrode 110 und/oder die zweite Elektrode 114 den aktiven Stoff aktivieren, beispielsweise indem der aktive Stoff bei einem körperlichen Kontakt mit dem ersten elektrisch leifähigen Stoff und/oder dem zweiten elektrisch leitfähigem Stoff chemisch reagiert, Der aktive Stoff 136 kann bezüglich der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 derart angeordnet sein, dass der aktive Stoff 136 selbstpassivierend ist bezüglich der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114.

Der nichtleitende Stoff 140 kann transparent oder transluzent sein hinsichtlich eines sichtbaren Lichtes.

In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff schmelzbar sein, beispielsweise ein Thermoplast sein oder aufweisen, In einer Ausgestaltung kann der physikalisch aktive Stoff agglomerierbar sein, beispielsweise thermisch aggolmerierbar sein .

Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 108 ausgebildet sein.

Die zweite Barriereschicht 108 kann auch als

Dünnschichtverkapselung {thin film encapsulation TFE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 108 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 104 ausgebildet sein. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite

Barriereschicht 108 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 124, beispielsweise eine

Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .

Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen

zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfoiie auf oder über dem Träger 102 und/oder der Abdeckung 124 {nicht dargestellt ) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im

Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der

mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die

elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise

kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 108) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 108 eine schlüssige

Verbindungsschicht 122 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen

Verbindungsschicht 122 kann eine Abdeckung 124 auf der zweiten Barriereschicht 108 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.

Eine schlüssige Verbindungsschicht 122 aus einem

transparenten Material kann beispielsweise Partikel

aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,

beispielsweise Iichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der

Auskoppeleffizienz führen.

Als lichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (Si02 ) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga ₂ O _x ) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 122 verschieden ist _. , beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.

Die schlüssige Verbindungsschicht 122 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μτη aufweisen, beispielsweise eine

Schichtdicke von mehreren μνα. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 122 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.

Die schlüssige VerbindungsSchicht 122 kann derart

eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem

Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der

Brechungsindex der Abdeckung 124. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist . Der Klebstoff kann j edoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise

hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex auf eist , der

ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch

funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht,

beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 1, 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.

In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht

dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 rart bis ungefähr 3,5 μτα, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μχα, um elektrisch instabile Materialien zu

schützen, beispielsweise während eines nasschemischen

Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige VerbindungsSchicht 122 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 124 direkt auf der zweiten Barriereschicht 108 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 124 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.

Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur,

beispielsweise eine lateral strukturierte Getter- Schicht , angeordnet sein (nicht dargestellt) .

Die Getter- Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 106 sind, absorbiert und bindet . Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann

transluzent , transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein.

Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μχα aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μχη. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 122 eingebettet sein. Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschiebt 122 kann eine Abdeckung 124 ausgebildet sein. Die Abdeckung 124 kann mittels der schlüssigen VerbindungsSchicht 122 mit dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 124 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 124, eine

Metallfolienabdeckung 124 oder eine abgedichtete

unststofffolien-Abdeckung 124 sein. Die Glasabdeckung 124 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen

Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 108 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 106 schlüssig verbunden werden. Die Abdeckung 124 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 122 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren 200 zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelements 100

bereitgestellt - veranschaulicht in Fig.2.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann als ein

Flächenbauelement ausgebildet werden. Das optoelektronische Bauelement 100 kann als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden. Das optoelektronische

Bauelement 100 kann als eine Leuchtdiode, ein Fotodetektor und/oder eine Solarzelle ausgebildet werden. Das Verfahren 200 kann ein Ausbilden 202 einer ersten

Elektrode 110 mit einem ersten elektrisch leitfähigen Stoff aufweisen. Der erste elektrisch leitfähige Stoff kann transparent oder transluzent sein. Der erste elektrisch leitfähige Stoff kann beispielsweise ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid sein. Die erste Elektrode kann transparent oder transluzent ausgebildet werden, siehe auch weitere Ausführungsbeispiele oben.

Weiterhin kann das Verfahren 200 ein Ausbilden 204 einer zweiten Elektrode 114 mit einem zweiten elektrisch

leitfähigen Stoff aufweisen. Die zweite Elektrode 114 kann auf, über oder neben der ersten Elektrode 110 ausgebildet werden. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann

transparent oder transluzent sein. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann ein transparentes elektrisch

leitfähiges Oxid sein. Die zweite Elektrode kann transparent oder transluzent ausgebildet werden. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet werden. Der zweite elektrisch leitfähige Stoff kann ein Edelmetall aufweisen oder daraus gebildet werden. Der zweite elektrisch ieitfähige Stoff kann ein Halbedelmetall aufweisen oder daraus gebildet werden.

Weiterhin kann das Verfahren 200 ein Ausbilden 206 wenigstens eines aktiven Stoffs 136 aufweisen.

Der aktive Stoff kann chemisch aktiv und/oder physikalisch aktiv sein. Der aktive Stoff kann transparent oder

transluzent sein hinsichtlich wenigstens eines sichtbaren Lichtes. Der aktive Stoff kann dielektrisch, elektrisch nicht-leitend oder elektrisch leitfähig sein. In einem

Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff dielektrisch oder elektrisch nicht-leitend werden, nachdem der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff chemisch umgewandelt worden sind/ist. Der aktive Stoff kann gemäß einer der oben oder unten beschriebenen

Ausführungsbeispielen ausgebildet sein.

Der aktive Stoff kann in einem Strompfad der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden. In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann das

Ausbilden 206 wenigstens eines aktiven Stoffs 136 ferner ein Anordnen von Nanopartikel aufweisen, wobei die Nanopartikel den aktiven Stoff aufweisen oder daraus gebildet sind. Die Nanopartikel könne einen Kern 302 und eine Schale 304 aufweisen. Die Schale 304 kann derart ausgebildet sein, dass der Kern 302 von der Schale 304 umgeben ist. Dadurch kann die Schale 304 einen Kern mit einem chemisch aktiven Stoff 136 vor einer chemischen Reaktion abschirmen. Die Nanopartikel können derart ausgebildet sein, dass die Schale 304 thermisch von dem Kern 302 ablösbar ist derart, dass der Kern 302 thermisch freilegbar ist.

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 ausgebildet werden, indem der aktive Stoff 136 in der ersten Elektrode 110 verteilt wird derart, dass die erste Elektrode 110 den aktiven Stoff aufweist. In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 ausgebildet werden, indem der aktive Stoff 136 in der zweiten Elektrode 114 verteilt wird derart, dass die zweite Elektrode 114 den aktiven Stoff

aufweist .

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren 200 ferner ein Ausbilden einer Schichtstruktur 112 aufweisen, beispielsweise einer organischen funktionellen

Schichtenstruktur 112 , wobei die Schichtstruktur 112

zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet wird und den aktiven Stoff 136 aufweist . Der aktive Stoff 136 kann in der Schichtstruktur 112 verteilt werden derart , dass die Schichtstruktur den aktiven Stoff 136 aufweist . Das Ausbilden der Schichtstruktur 112 kann ein Ausbilden einer Schicht aufweisen, wobei die Schicht den aktiven Stoff 136 aufweist oder daraus gebildet wird . In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann der aktive Stoff auf oder über der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden. In einem

Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann der aktive Stoff in zwei oder mehr Schichten auf oder über der ersten Elektrode 110 und/oder zweiten Elektrode 114 angeordnet werden. In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann der aktive Stoff 136 als Zwischenschicht in der ersten

Elektrode 110 und/oder in der zweiten Elektrode 114

ausgebildet werden.

Der aktive Stoff 136 kann derart ausgebildet werden, dass er den ersten elektrisch leitfähigen Stoff und/oder den zweiten elektrisch leitfähigen Stoff in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich 140 umwandeln kann,

beispielsweise chemisch und/oder physikalisch.

In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 200 kann der aktive Stoff 136 aktivierbar ausgebildet sein derart, dass der erste elektrisch leitfähige Stoff und/oder der zweite elektrisch leitfähige Stoff nach einem Aktivieren des aktiven Stoffs 136 umwandelbar sind/ist. Das Aktivieren des

Umwandeins und/oder das Aktivieren der Eigenschaft des aktiven Stoffs zum Umwandeln kann mittels wenigstens einer der nachfolgenden Verfahren erfolgen: ein thermisches

Aktivieren, beispielsweise mittels eines Erwärmens,

beispielsweise auf eine Temperatur in einem Temperaturbereich von ungefähr 20 °C bis ungefähr 1500 ° C , beispielsweise bei einer Temperatur größer als 100 °C; mittels eines

Einstrahlens einer elektromagnetischen Strahlung,

beispielsweise einer UV-Strahlung und einem Bilden chemischer Radikale, einer Infrarot und/oder Mikrowellenstrahlung zum thermischen Aktivieren; mittels eines Einstrahlens eines (Wechsel-) Magnetfeldes, beispielsweise mittels eines

magnetisch induzierten Erwärmens; mittels eines Einstrahlens eines elektrischen Feldes, beispielsweise mittels einer

Diffusion polarer und/oder polarisierter Partikel,

beispielsweise Nanopartikel ; mittels eines elektrischen

Stromes, beispielsweise einem von einem Ohm' sehen Widerstand erzeugten Erwärmen; mittels eines körperlichen Kontaktes des ersten elektrisch leitfähigen Stoffs und/oder des zweiten elektrisch leitfähigen Stoffs mit dem chemisch aktiven Stoff , beispielsweise indem eine chemisch abschirmende Schale 304 von Nanopartikeln entfernt wird und der Kern 302 der

Nanopartikel aus einem chemisch aktiven Stoff freigelegt wird. In einem Ausführungsbeispie1 kann der chemisch aktive Stoff bezüglich der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten

Elektrode 114 derart angeordnet werden, dass der chemisch aktive Stoff 136 selbstpassivierend ist bezüglich der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114, Eine

Selbstpassivierung kann beispielsweise ein automatisches ünterbrechen einer elektrischen Verbindung bei Überschreiten einer kritischen Temperatur sein, indem die kritische

Temperatur die Umwandlung des elektrisch leitfähigen Stoffs in einen elektrisch nicht-leitenden Stoff oder Bereich einleitet. Für eine solche Selbstpassivierung sollte der chemisch aktive Stoff 136 in der körperlichen Nähe der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 sein. Der aktive Stoff 136 sollte derart ausgebildet sein und in dem Strompfad angeordnet werden, dass der elektrisch nicht- leitende Stoff 140 wenigstens einen Strompfad zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114

unterbricht, reduziert und/oder umlenkt.

Der aus der Umwandlung des ersten elektrisch leitfähigen Stoffs und/oder des zweiten elektrisch leitfähigen Stoffs gebildete elektrisch nicht- leitende Stoff 140 kann

transparent oder transluzent sein hinsichtlich eines

sichtbaren Lichtes. In verschiedenen Au führungsbeispielen wird ein Verfahren zu einem Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes 100 einer der oben dargestellten Ausgestaltungen bereitgestellt. Das Verfahren kann ein Aktivieren des aktiven Stoffes aufweisen derart, dass der wenigstens eine aktive Stoff einen elektrisch leitfähigen Stoff in einem Strompfad der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode in einen elektrisch nicht- leitenden Stoff oder Bereich umwandelt. Das Aktivieren kann ein Anlegen einer Überspannung an das optoelektronische Bauelement 100 aufweisen. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement 100 konditioniert werden, indem partikelbelastete Stellen 138 in dem optoelektronischen

Bauelement 100 in der Nähe von aktivem Stoff in elektrisch nicht- leitende Bereich umgewandelt werden, beispielsweise chemisch umgewandelt werden . Eine Überspannung ist eine

Spannung die höher ist als die Betriebsspannung des

optoelektronischen Bauelementes , beispielsweise in Form eines kurzen Spannungspulses mit einer hohen Pulshöhe,

beispielsweise ein Spannungspuls mit einer Pulsweite in einem Bereich von ungefähr 10 μ3 bis ungefähr 100 ms und einer Pulshöhe in einem Bereich von ungef hr 200 V bis ungefähr 10 kV.

Das Aktivieren kann ein Bestrahlen des aktiven Stoffs 136 aufweisen, beispielsweise mit einer elektromagnetischen

Strahlung, einem elektrischen Feld und/oder einem Magnetfeld . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Bestrahlen des aktiven Stoffs 136 strukturiert erfolgen, beispielsweise um eine Information mittels der umgewandelten elektrisch nichtleitenden Bereiches darzustellen, beispielsweise nachdem die Verkapselungsstruktur 126 auf dem elektrisch aktiven Bereich ausgebildet ist . Dadurch kann der umgewandelte Bereich des optoelektronischen Bauelementes 100 im optisch aktiven und/ode im optisch inaktiven Zustand ein anderes

Erscheinungsbild aufweisen als der nichtstrukturierte

Bereich, beispielsweise einen Färb- und/oder

Helligkeitskontrast aufweisen. Dadurch kann in der

Leucht läche eines optoelektronischen Bauelementes 100 beispielsweise ein Schriftzug, ein Symbol , ein Ideogramm und/oder ein Piktogramm dargestellt werden. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 Nanopartikel 136 aufweisen - veranschaulicht in Fig . 3A- C für Nanopartikel 136 in der zweiten Elektrode 114. Die

Nanopartikel können den chemisch aktiven Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Nanopartikel 136 können einen Kern 302 und eine Schale 304 aufweisen - veranschaulicht in

Fig.3A. Der Kern 302 kann von der Schale 304 umgeben sein. Der Kern 302 kann den chemisch aktiven Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.

Die Schale 304 kann ausgebildet sein, den chemisch aktiven Stoff vor einer chemischen Reaktion abzuschirmen,

beispielsweise vor einer chemischen Reaktion mit dem Stoff der zweiten Elektrode 114.

Die Nanopartikel 136 können derart ausgebildet sein, dass die Schale 304 thermisch von dem Kern 302 ablösbar ist derart, dass der Kern 302 thermisch freilegbar ist - veranschaulicht in Fig.3B . Durch das thermische Freilegen kann der chemisch aktive Stoff 136 mit dem zweiten elektrisch leitfähigen Stoff der zweiten Elektrode 114 chemisch reagieren, beispielsweise indem der chemisch aktive Stoff 136 in einem körperlichen Kontakt mit dem umgebenden elektrisch leitfähigen Stoff gelangt. Der elektrisch leitfähige Stoff kann dadurch in einen elektrisch nicht-leitenden Stoff oder Bereich 140 umgewandelt werden - veranschaulicht in Fig.3C.

Beispielsweise kann der chemisch aktive Stoff den elektrisch leitfähigen Stoff der zweiten Elektrode oxidieren. Dadurch kann der chemisch aktive Stoff einen Stromfluss in dem elektrisch leitfähigen Stoff unterbrechen und/oder umlenken.

Dadurch kann beispielsweise der Stromf luss durch eine partikelbelastete Stelle 138 in dem optoelektronischen

Bauelement 100 unterbrochen werden bzw. der Stromfluss um die partikelbelastete Stelle 138 herum umgelenkt werden. Bei einer partikelbelasteten Stelle 138 kann ein elektrischer Kurzschluss auftreten, durch den Wärme in der

partikelbelasteten Stelle 138 generiert werden kann.

Eine partikelbelastete Stelle 138 kann mittels des aktiven Stoffs, beispielsweise in Form einkomponentiger Nanopartikel und/oder mehrkomponentiger Nanopartikel, schon bei niedrigen Temperaturen mittels chemischer Reaktionen elektrisch

isoliert werden. Dadurch kann kein elektrischer Stromfluss mehr durch die partikelbelastete Stelle 138 erfolgen. Somit erfolgt keine weitere Energiezufuhr in die partikelbelastete Stelle 138 und es kann ein Spontanausfall des

optoelektronischen Bauelementes vermieden werden.

Einkomponentige Nanopartikel können aus dem chemisch aktiven Stoff gebildet sein und keine Schale 304 bzw. Hülle 304 aufweisen. Einkomponentige Nanopartikel aus chemisch aktivem Stoff können somit nur einen chemisch aktiven Kern 302 aufweisen. Der chemisch aktive Kern 302 bzw. die

einkomponentigen chemisch aktiven Nanopartikel 136 können ein Metalloxid, ein Metallnitrid oder ein Metalloxynitrid mit mehreren Oxidationsstufen und/oder mehreren Reduktionsstufen aufweisen, beispielsweise MnO _x oder TiO _x .

Mehrkomponentige Nanopartikel können beispielsweise Kern- Schale -Nanopartikel sein . Die mehrkomponentigen Nanopartikel können eine chemisch inaktive Schale 304, beispielsweise eine physikalisch aktive Schale 30 ; und/oder eine oder mehrere chemisch aktive Bereiche aufweisen, beispielsweise einen chemisch aktiven Kern 302 und/oder eine oder mehrere chemisch aktive Schalen (nicht veranschaulicht) . Der chemisch aktive Kern 302 der mehrkomponentigen chemisch aktiven Nanopartikel 136 können ein Metalloxid, ein Metallnitrid oder ein

Metalloxynitrid mit mehreren Oxidationsstufen und/oder mehreren Reduktionsstufen als Kern 302 aufweisen,

beispielsweise MnO _x oder TiO _x . Als chemisch aktive Schale bzw. chemisch aktive Hülle können die Nanopartikel einen

Stoff gemäß einer der Ausgestaltungen der Stoffe des Kerns 302 aufweisen . Als chemisch inaktive Schale 304 bzw. chemisch inaktive Hülle 304 bzw. physikalisch aktive Hülle 304 können die Nanopartike1 einen niedrig schmelzenden, chemisch inerten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise : ein Alkythiol , beispielweise Dithioerythrit (Schmelzpunk : 40 °C bis 80 °C) , Hexadecanthiol (Schmelzpunkt 20 °C) ; ein lineares Polyethylen niederer Dichte (LLD-PE)

(Schmelztemperatur 40 °C bis 120 °C, können bei

Temperaturerhöhungen ab 30 °C schmelzen) ; Blockcopolymere , ein Thermoplast - können bei Überschreiten einer bestimmten Temperatur schmelzen, beispielsweise Polypropylen ab 160 °C; ein Duroplaste - können bei überschreiten einer gewissen Temperatur zerfallen.

Die einkomponentigen und mehrkomponentigen Nanopartikel können einen Durchmesser in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 100 nm aufweisen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der aktive Stoff 136 in Form von Partikeln ausgebildet sein. Die Partikel können in dem elektrisch aktiven Bereich 106 ausgebildet sein (siehe oben) . Die Partikel mit wenigstens einem aktiven Stoff können eine optische Wirkung aufweisen .

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel mit

wenigstens einem aktiven Stoff einen anorganischen Stoff oder ein anorganisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein .

In einem Ausführungsbeispiel kann wenigstens eine Art

Partikel mit wenigstens einem aktiven Stoff einen Stoff oder ein Stoffgemisch oder eine stöchiometrische Verbindung aufweisen oder daraus gebildet sein aus der Gruppe der

Stoffe : MnO _x , V0 _X , CuO _x , OsO _x , TiO _x , CeO _x , BiO _x , ZnO _x , SnO _x , A10 _X , SiO _Xi Y0 _X , ZrO _x .

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel als

Nanopartikel ausgebildet sein, siehe Beschreibung oben.

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel eine gewölbte Oberfläche aufweisen, beispielsweise ähnlich oder gleich einer optischen Linse . In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel eine der folgenden geometrische Formen und/oder einen Teil einer der folgenden geometrischen Formen aufweisen: sphärisch,

asphärisch beispielsweise prismatisch, ellipsoid, hohl , kompakt, plättchen oder stäbchenförmig.

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel eine

mittlere Korngröße in einem Bereich von ungefähr 0 , 0001 μν bis ungefähr 10 μτη, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 μνα bis ungefähr 1 μτη aufweisen.

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel auf oder über dem Träger 102 in einer Schicht eine Lage mit einer Dicke von ungefähr 0 , 1 μτη bis ungef hr 100 μτα aufweisen.

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel mehrere Lagen übereinander auf oder über dem Träger 102 ausbilden, wobei die einzelnen Lagen unterschiedlich ausgebildet sein können .

In einem Ausführungsbeispiel kann in den Lagen der Partikel , die mittlere Größe der partikelförmigen Partikel von der Oberfläche des Substrates her abnehmen . In einem Ausführungsbeispiel können die einzelnen Lagen der Partikel eine unterschiedliche mittlere Größe der

artikelförmigen Partikel und/oder eine unterschiedliche Transmission für elektromagnetische Strahlung in wenigstens einem Wellenlängenbereich aufweisen, beispielsweise mit einer Wellenlänge kleiner ungefähr 400 nm.

In einem Ausführungsbeispiel können die einzelnen Lagen der Partikel eine unterschiedliche mittlere Größe der Partikel und/oder einen unterschiedlichen Brechungsindex für

elektromagnetische Strahlung aufweisen .

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel als

Streupartikel für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, eingerichtet sein, wobei die Partikel einen zur umgebenden Schicht unterschiedlichen

Brechungsindex, beispielsweise einen Unterschied des

Brechungsindexes der streuenden Partikel zum Brechungsindex der umgebenden Schicht von größer als ungefähr 0,05 aufweisen und einen Durchmesser aufweisen, der ungefähr der Größe der Wellenlänge der zu streuenden elektromagnetischen Strahlung entspricht. Die streuende Wirkung kann elektromagnetische Strahlung betreffen, die von der organischen funktionellen Schichtenstruktur emittiert oder absorbierten wird,

beispielsweise um die Lichtauskopplung oder Lichteinkopplung zu erhöhen.

In einem Ausführungsbeispiel kann eine Art Partikel als ein Farbstoff eingerichtet sein. Der Stoff der Partikel kan beispielsweise elektromagnetische Strahlung in einem

anwendungsspezifisch nicht relevanten Wellenlängenbereich absorbieren, beispielsweise größer ungefähr 700 nm. Dadurch das optische Erscheinungsbild des optoelektronischen

Bauelementes verändert werden, beispielsweise das

optoelektronische Bauelement 100 einfärben ohne die Effizienz in einem für die Anwendung des optoelektronischen

Bauelementes technisch nicht relevanten Bereich zu

verschlechtern .

In einem Ausführungsbeispiel kann eine Art Partikel als eine Art UV-absorbierender Zusatz eingerichtet sein.

In einem Ausführungsbeispiel kann eine Art Partikel als wellenlängenkonvertierender Zusatz, beispielsweise als

Leuchtstoff, ausgebildet sein.

In einem Ausführungsbeispiel kann eine Art Partikel der Kopplungsschicht als Getter eingerichtet sein.

In einem Ausführungsbeispiel können die Partikel

elektromagnetische Strahlung streuen, UV-Strahlung

absorbieren, die Wellenlänge von elektromagnetischer Strahlung konvertieren, das optoelektronische Bauelement einfärben und/oder schädliche Stoffe binden.

Partikel, die beispielsweise elektromagnetische Strahlung streuen können und keine UV-Strahlung absorbieren können, können beispielsweise A10 _x , SiO _x , YO _x oder ZrO _x aufweisen oder daraus gebildet sein _

In einem Ausführungsbeispiel kann die Schicht mit chemisch aktivem Stoff strukturiert sein, beispielsweise

topographisch, beispielsweise lateral und/oder vertikal ;

beispielsweise mittels einer unterschiedlichen stofflichen Zusammensetzung der Schicht mit chemisch aktivem Stoff , beispielsweise lateral und/oder vertikal , beispielsweise mit einer unterschiedlichen lokalen Konzentration an chemisch aktiven Stoff .

In einem Ausführungsbeispiel kann die Konzentration der an chemisch aktiven Stoff in wenigstens einem Bereich kleiner oder größer sein als im optisch aktiven Bereich.

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 derart ausgebildet und in dem Strompfad angeordnet sein, dass der elektrisch nicht- leitende Stoff 140 wenigstens einen

Strompfad zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 unterbricht, reduziert und/oder umlenkt - einige Ausführungsbeispiele sind in Fig.1A, Fig .4A-F

veranschaulicht - zur besseren Übersicht ohne

Verkapselungsstruktur .

Ein aktiver Stoff 136 kann in j eder der Schichten und/oder in j edem Bereich des elektrischen aktiven Bereiches 106

verteilt , eingebettet und/oder angeordnet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann mehrere

unterschiedliche aktive Stoffe aufweisen, beispielsweise chemisch aktive Stoffe und/oder physikalisch aktive Stoffe . Die mehreren aktiven Stoffe können beispielsweise auf die jeweilige Materialzusammensetzung der den jeweiligen aktiven Stoff umgebenden funktionalen Schicht des elektrisch aktiven Bereiches 106 angepasst sein.

Der aktive Stoff oder die mehreren aktiven Stoffe können in einem optoelektronischen Bauelement 100 in einer oder

mehreren Schichten angeordnet sein, beispielswiese in einer oder mehreren Schichten des elektrisch aktiven Bereiches 106.

Der aktive Stoff 136 oder die mehreren aktiven Stoffen können in unterschiedlicher Form in dem optoelektronischen

Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als Nanopartikel mit aktiven Stoff , als Schicht aus aktivem Stoff und/oder als Schicht mit aktiven Stoff .

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 in der ersten Elektrode 110 verteilt sein derart , dass die erste Elektrode 110 den chemisch aktiven Stoff 136 aufweist . In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 in der zweiten Elektrode 114 verteilt sein derart , dass die zweite Elektrode 114 den aktiven Stoff 136 aufweist (veranschaulicht in Fig.4A und Fig.4F) , Beispielsweise kann eine Elektrode 110 , 114 aus einem Stoffgemisch aus aktiven Stoff 136 und elektrisch leitfähigen Stoff der Elektrode ausgebildet werden (veranschaulicht in Fig.4F) , beispielsweise als Mischung aus AI und MnO _x , beispielsweise indem MnO _x direkt in das AI , beispielswiese in eine Aluminiumpaste zum Ausbilden von AI, eingebracht werden. Die Mischung mit elektrisch leitfähigem Stoff und aktiven Stoff 136 zum Ausbilden einer der

Elektroden 110 , 114 ist in verschiedenen Konzentrationen des aktiven Stoffs möglich. Beispielsweise können in lateral und/oder vertikal unterschiedlichen Bereichen des

optoelektronischen Bauelementes 100 verschiedene

Konzentrationen vorgesehen sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 Vol . % bis ungefähr 50 Vol . % bezüglich des Gesamtvolumens der Elektrode, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 Vol.% bis ungefähr 30 Vol.%,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 15 Vol.% bis 25 Vol.%. Weiterhin können in der Mischung verschiedene aktive Stoffe vorgesehen sein.

In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 auf oder über der ersten Elektrode 110 (veranschaulicht in

Fig.4B, Fig.4D und Fig.4E) und/oder der zweiten Elektrode 114 (veranschaulicht in Fig.4C) ausgebildet sein.

In einem Ausführungsbeispiel kann aktiver Stoff 136 in zwei oder mehr Schichten auf oder über der ersten Elektrode 110 und/oder zweiten Elektrode 114 angeordnet sein

(veranschaulicht in Fig.4D und Fig.4E) . In einem

Ausführungsbeispiel kann aktiver Stoff 136 als

Zwischenschicht in der ersten Elektrode 110 und/oder in der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.4E) .

In einem Ausführungsbeispiel kann das optoelektronische

Bauelement 100 ferner eine Schichtstruktur aufweisen, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112, wobei die Schichtstruktur zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet ist und aktiven Stoff 136 aufweist (veranschaulicht in Fig.4A) . In einem Ausführungsbeispiel kann aktiver Stoff 136 in der

Schichtstruktur 112 verteilt sein derart, dass die

Schichtstruktur 112 aktiven Stoff 136 aufweist

(veranschaulicht in Fig .4A) . In einem Ausführungsbeispiel kann die Schichtstruktur 112 eine Schicht aufweisen, wobei die Schicht chemisch aktiven Stoff 136 aufweist oder daraus gebildet ist. In einem Ausführungsbeispiel kann der aktive Stoff 136 in Form von Partikeln, als eine Schicht und/oder in einer

Schicht verteilt ausgebildet sein (veranschaulicht in Fig.4C) , beispielsweise als Schicht ^' aus Nanopartikeln mit aktivem Stoff.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine Schicht aus oder mit aktivem Stoff 136 auf eine Elektrode 110, 114 bzw. als Substrat für eine Elektrode 110, 114 ausgebildet werden, beispielsweise mittels einer physikalisch

Gasphasenabscheidung (pyhsical vapor deposition) , einem

Kathodenze stäuben (Sputtern) und/oder einem Drucken,

Der aktive Stoff 136 kann in einer oder mehreren Schicht/en in verschiedenen Ebenen des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet werden, beispielsweise auf und/oder in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 und/oder auf, über und/oder in den Elektroden 110, 114, beispielsweise als Mehrschichtsysteme (Multilayer) auf und/oder in einer

Elektrode 110, 114; und/oder als Mischungen aus chemisch aktiven Stoff und einem Stoff der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder einer Elektrode 110, 114.

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zu einem

Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes und ein

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen

Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist,

Spontanausfälle von optoelektronischen Bauelementen zu reduzieren, so dass die Austauschrate von defekten

Leuchtmitteln reduziert werden kann. Dadurch können Frühausfälle von optoelektronischen Bauelement vermieden oder reduziert werden.

Weiterhin kann die Ausbeute beim Herstellen von

optoelektronischen Bauelementen erhöht werden.

Weiterhin kann der Testaufwand für potentielle Schadstellen vermindert werden, wobei idealerweise eine Testprozedur entfällt. Weiterhin kann die notwendige Reinraumklasse für das

Hersteilen der optoelektronischen Bauelemente reduziert

werden, wodurch Kostenersparnis erreicht werden kann .

Weiterhin können die optoelektronischen Bauelemente

konditioniert werden, indem KurzSchlussgebiete

ausgebrannt/abreagiert werden . Damit wird eine verbesserte Qualitätskontrolle ermöglicht, beispielsweise mittels einer Vorselektierung verbessert mit einem reduzierten Schlupf .

Weiterhin kann ein chemisch aktiver Stoff , beispielsweise als Oxidationsmittel , in fester Form als Nanopartike1n oder

Zugabe beim Ausbilden von Schichten des optoelektronischen Bauelementes die Verarbeitung verbessert werden - im

Gegensatz zu Ölen bzw. Pasten in z.B. PVD Prozessen. Somit ist eine Unterbrechung des Vakuums optional . Damit kann ein einheitlicher Prozessfluss ermöglicht werden. Weiterhin ermöglichen die Nanopartikel mit chemisch aktivem Stoff eine sehr schnelle Reaktion in den OLED Schichten ohne den optischen Eindruck des optoelektronischen Bauelementes zu beeinträchtigen . Somit kann die gesamte reaktive Oberfläche sehr s ark erhöht werden.

Weiterhin ist mit den Nanopartikel mit dem chemisch ak iven Stoff eine größere Materialvielfalt an potentiellen

Oxidationsmittel möglich. So sind auch solche Mittel möglich, die ohne Hülle der Nanopartikel sofort mit der entsprechenden Umgebung reagieren würden . Die Reaktion des chemisch aktiven Stoffs kann somit beispielsweise durch Schmelztemperatur /Zersetzungstemperatur der Hülle eingeleitet werden .

Weiterhin können die Nanopartikel mit chemisch aktivem Stoff ohne optische Störung in verschiedene OLED-Schichten

eingebracht werden, bzw. auch so groß sein, dass sie

beabsichtigt eine optische Wirkung aufweisen. Beispielsweise können die Nanopartikel eine Farbändernde Wirkung, eine Streuwirkung, eine Spiegelwirkung, und/ oder eine Däm f ung sw i r kung aufweisen .