OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN

BAUTEILS

Es werden ein optoelektronischer Halbleiterchip, ein

optoelektronisches Bauteil sowie ein Verfahren zur

Herstellung eines optoelektronischen Bauteils angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen

optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der besonders effizient betrieben werden kann. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauteil mit einem solchen optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben. Weiter besteht eine Aufgabe darin, ein Verfahren zur

Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauteils

anzugeben .

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich

beispielsweise um einen strahlungsemittierenden

Halbleiterchip handeln, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, erzeugt. Bei dem

optoelektronischen Halbleiterchip kann es sich dann

insbesondere um einen Leuchtdiodenchip handeln. Ferner ist es möglich, dass es sich bei dem optoelektronischen

Halbleiterchip um einen strahlungsempfangenden Halbleiterchip handelt, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung

detektiert. Bei dem optoelektronischen Halbleiterchip handelt es sich dann beispielsweise um einen Photodiodenchip. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip ein Substrat, das

strahlungsdurchlässig ist. Bei dem Substrat handelt es sich um die mechanisch tragende Komponente des optoelektronischen Halbleiterchips, welche die weiteren Komponenten des

optoelektronischen Halbleiterchips mechanisch trägt und stützt. Bei dem Substrat kann es sich beispielsweise um ein Aufwachssubstrat handeln, auf das weitere Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips zum Beispiel epitaktisch abgeschieden sind. Ferner kann es sich bei dem Substrat um einen Träger handeln, auf den weitere Schichten des

optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht sind. Das Substrat ist strahlungsdurchlässig ausgebildet. Das heißt, das Substrat ist insbesondere für im Betrieb im

optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte oder zu

detektierende elektromagnetische Strahlung durchlässig. Dabei kann das Substrat beispielsweise klarsichtig transparent oder diffus streuend ausgebildet sein. Das Substrat ist zum

Beispiel mit Glas und/oder Saphir gebildet oder besteht aus einem dieser Materialien.

Das Substrat kann beispielsweise zylinderförmig oder

quaderförmig ausgebildet sein. Das Substrat weist eine

Deckfläche, eine Bodenfläche und zumindest eine Seitenfläche auf, welche die Deckfläche und die Bodenfläche miteinander verbinden. Beispielsweise auf die Deckfläche können

nachfolgende Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips aufgebracht sein. Durch die nicht von weiteren Schichten des optoelektronischen Halbleiterchips bedeckten Bereiche der Außenfläche des Substrats kann die im optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte elektromagnetische Strahlung

austreten oder die zu detektierende elektromagnetische

Strahlung kann eintreten. Bereichsweise oder vollständig können diese Flächen glatt ausgebildet sein oder aufgeraut sein. Durch eine Aufrauung der für den Strahlungsaustritt oder für den Strahlungseintritt vorgesehenen Außenfläche des Substrats kann eine Wahrscheinlichkeit für den Lichtaustritt oder den Lichteintritt erhöht sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip eine

Halbleiterschichtenfolge mit einem ersten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps , einem zweiten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einem aktiven Bereich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich. Beispielsweise kann es sich bei dem ersten Bereich um einen n-dotierten Bereich und bei dem zweiten Bereich um einen p-dotierten Bereich handeln. Im Betrieb des optoelektronischen

Halbleiterchips wird im aktiven Bereich die abzustrahlende elektromagnetische Strahlung erzeugt oder die zu

detektierende elektromagnetische Strahlung detektiert. Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise auf einem III-V- Verbindungshalbleitermaterial , wie beispielsweise einem

Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial , basieren .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip einen ersten Kontaktsteg zur Bestromung des ersten Bereichs. Der Kontaktsteg ist

elektrisch leitend mit dem ersten Bereich verbunden. Der erste Kontaktsteg kann beispielsweise direkt mit dem ersten Bereich in Verbindung stehen oder es ist zumindest eine

Durchkontaktierung zwischen dem ersten Kontaktsteg und dem ersten Bereich angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip einen zweiten Kontaktsteg zur Bestromung des zweiten Bereichs. Der zweite Kontaktsteg ist elektrisch leitend mit dem zweiten Bereich verbunden. Beispielsweise steht der zweite Kontaktsteg in direktem

Kontakt mit dem zweiten Bereich oder es ist zumindest eine weitere Stromaufweitungsschicht zwischen dem zweiten

Kontaktsteg und dem zweiten Bereich angeordnet.

Beide Kontaktstege sind länglich ausgebildet. Das heißt, die Kontaktstege weisen eine Haupterstreckungsrichtung auf, entlang derer sie länger sind als sie in einer Richtung senkrecht dazu breit oder dick sind. Die Breite der

Kontaktstege wird beispielsweise in einer Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung und senkrecht zu einer

Stapelrichtung, in der die Bereiche der

Halbleiterschichtenfolge aufeinander aufgebracht sind, gemessen. Ferner zeichnen sich die Kontaktstege insbesondere durch eine Dicke, gemessen parallel zur Stapelrichtung, aus, die klein gegen die Breite und die Länge der Kontaktstege ist. Beispielsweise ist die Länge eines Kontaktstegs um wenigstens den Faktor 5, insbesondere wenigstens den Faktor 10 größer als seine Breite und die Breite des Kontaktstegs ist vorzugsweise wenigstens um den Faktor 5, insbesondere wenigstens den Faktor 10 größer als die Dicke des

Kontaktstegs .

Die Kontaktstege sind vorzugsweise metallisch. Insbesondere können die Kontaktstege mit besonders duktilen Metallen oder Metalllegierungen gebildet sein. Die Kontaktstege können dafür Metalle wie beispielsweise Nickel, Kupfer und/oder Gold umfassen oder aus einem dieser Materialien bestehen.

Insgesamt können die Kontaktstege aufgrund ihrer Geometrie und ihrer Beschaffenheit hinsichtlich des Materials, aus dem sie bestehen, besonders flexibel sein, was einen Bruch unter mechanischer Belastung und/oder bei Temperaturschwankungen verhindern kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip eine erste Anschlussstelle zur Kontaktierung des ersten Kontaktstegs von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips und eine zweite

Anschlussstelle zur Kontaktierung des zweiten Kontaktstegs von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips. Über die Anschlussstellen ist es beispielsweise möglich, den optoelektronischen Halbleiterchip mittels einer

Oberflächenmontagetechnik zu montieren. Der optoelektronische Halbleiterchip ist in diesem Fall oberflächenmontierbar. Die Anschlussstellen sind beispielsweise dazu vorgesehen, auf einem Träger, wie beispielsweise einer Leiterplatte,

aufgelötet oder elektrisch leitend geklebt zu werden. Die Anschlussstellen können beispielsweise eine Montagefläche aufweisen, mit der der optoelektronische Halbleiterchip am Bestimmungsort aufliegt. Insbesondere ist es möglich, dass der optoelektronische Halbleiterchip genau zwei

Anschlussstellen, eine einzige erste und eine einzige zweite Anschlussstelle, umfasst.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips erstrecken sich der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg jeweils über wenigstens 50 % der Länge des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip weist beispielsweise eine Haupterstreckungsrichtung auf, die senkrecht zur

Stapelrichtung der Halbleiterschichtenfolge verläuft. Entlang der Haupterstreckungsrichtung weist der Halbleiterchip dann seine größte laterale Erstreckung auf. Die Kontaktstege können parallel zur Haupterstreckungsrichtung verlaufen und sich jeweils eine Länge von jeweils 50 % der Länge des

Halbleiterchips erstrecken. Kontaktstege mit einer solch großen Länge erlauben eine möglichst großflächige Bestromung der Bereiche der Halbleiterschichtenfolge. Dadurch ist es möglich, die Bestromung des optoelektronischen

Halbleiterchips über wenige Kontaktstege, im Extremfall genau über einen ersten und genau einen zweiten Kontaktsteg, zu bewirken. Der optoelektronische Halbleiterchip kann damit mit geringem Herstellungsaufwand hergestellt werden und ist dennoch besonders effizient zu betreiben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein

optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit

einem Substrat, das strahlungsdurchlässig ist,

einer Halbleiterschichtenfolge mit einem ersten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps , einem zweiten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einem aktiven Bereich zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich,

einem ersten Kontaktsteg zur Bestromung des ersten

Bereichs ,

einem zweiten Kontaktsteg zur Bestromung des zweiten Bereichs ,

einer ersten Anschlussstelle zur Kontaktierung des ersten Kontaktstegs von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips, und

einer zweiten Anschlussstelle zur Kontaktierung des zweiten Kontaktstegs von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterchips, wobei

sich der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg jeweils über wenigstens 50 % der Länge des Halbleiterchips erstrecken . Ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip eignet sich beispielsweise zum Einsatz in einem LED- Leuchtfaden (englisch: LED filaments) . In einem solchen

Leuchtfaden sind optoelektronische Halbleiterchips entlang einer Haupterstreckungsrichtung des Leuchtfadens auf einem Träger aufgebracht. Ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip kann nun besonders lang, rechteckig und mit großem geometrischem Aspektverhältnis (das Verhältnis Länge zu Breite) ausgebildet werden. Auf diese Weise kann ein einziger hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip mehrere kleine Chips ersetzen. Dadurch muss der Träger des Lichtfadens mit weniger Chips bestückt werden. Der hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchip eignet sich dabei für besonders effizienten Niederstrombetrieb.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips überlappt der erste Kontaktsteg vertikal mit der zweiten Anschlussstelle und/oder der zweite Kontaktsteg überlappt vertikal mit der ersten Anschlussstelle. Dabei ist es insbesondere möglich, dass der erste Kontaktsteg auch mit der ersten Anschlussstelle überlappt und der zweite

Kontaktsteg mit der zweiten Anschlussstelle überlappt. Damit ist es insbesondere möglich, dass sich beide Kontaktstege so weit erstrecken, dass sie mit beiden Anschlussstellen

überlappen. „Vertikal überlappen" bedeutet dabei, dass die vertikal überlappenden Elemente in einer vertikalen Richtung, die parallel zur Stapelrichtung der Halbleiterschichtenfolge verläuft, direkt übereinander angeordnet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips überlappen der erste Kontaktsteg und der zweite Kontaktsteg vertikal. Das heißt, die beiden

Kontaktstege sind im Halbleiterchip übereinander angeordnet. Dies ermöglicht einen optoelektronischen Halbleiterchip, bei dem durch die Kontaktstege besonders wenig elektromagnetische Abstrahlung abgeschirmt wird. Dadurch ist es insbesondere möglich, dass der optoelektronische Halbleiterchip

elektromagnetische Strahlung nicht nur durch die Außenflächen des Substrats emittiert oder empfängt, sondern auch durch die dem Substrat abgewandte Bodenfläche des Halbleiterchips, an der auch die Kontaktstege ausgebildet sind. Der

optoelektronische Halbleiterchip kann auf diese Weise fast über seine gesamte Außenfläche elektromagnetische Strahlung empfangen oder emittieren. Dies ermöglicht beispielsweise das Anbringen eines Konversionselements, welche die im

optoelektronischen Halbleiterchip erzeugte Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge umwandeln kann, an der dem Substrat abgewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge, beispielsweise zwischen der ersten und der zweiten Anschlussstelle.

Die vertikal überlappenden Kontaktstege können beispielsweise eine gleiche Breite aufweisen. Auf diese Weise ist es

möglich, dass sie zumindest stellenweise deckungsgleich übereinander angeordnet sind.

Insbesondere ist es möglich, dass sich zumindest eine

Durchkontaktierung, insbesondere eine Vielzahl von

Durchkontaktierungen, vom ersten Kontaktsteg durch den zweiten Kontaktsteg hindurch in den ersten Bereich erstreckt. Über die Durchkontaktierung ist der erste Kontaktsteg dann elektrisch leitend mit dem ersten Bereich der

Halbleiterschichtenfolge verbunden .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips weist das Substrat eine Dicke von wenigstens 300 ym auf. Beispielsweise weist das Substrat eine Dicke von wenigstens 300 und höchstens 700 ym auf. Das Substrat besteht dabei zum Beispiel aus Saphir oder einem Glas. Die Verwendung von so dicken Substraten ist beispielsweise durch spezielle Trenntechniken zum Vereinzeln der optoelektronischen

Halbleiterchips ermöglicht. Beispielsweise werden die

Halbleiterchips durch ein laserunterstütztes Via-Bohren vereinzelt. Für einen strahlungsemittierenden

optoelektronischen Halbleiterchip verbessert sich die

Lichtauskopplung durch die Außenfläche des Substrats mit der zunehmenden Dicke des Substrats. Die große Dicke des

Substrats erlaubt es weiterhin, die Außenfläche des

Substrats, die frei von der Halbleiterschichtenfolge ist, aufzurauen, beispielsweise durch gekoppeltes Plasmaätzen. Auf diese Weise kann die Wahrscheinlichkeit für einen

Lichtaustritt oder einen Lichteintritt weiter erhöht werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der optoelektronische Halbleiterchip einen Spiegel, der zwischen dem ersten Kontaktsteg und der ersten Anschlussstelle und/oder zwischen dem zweiten

Kontaktsteg und der zweiten Anschlussstelle angeordnet ist. Der Spiegel kann sich dabei lediglich in vertikaler Richtung oberhalb der Anschlussstellen befinden. Ferner ist es

möglich, dass sich der Spiegel ganzflächig an der dem

Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge erstreckt. In diesem Fall ist ein Lichteintritt und/oder Lichtaustritt an dieser Seite des Halbleiterchips nicht möglich, sondern es wird besonders viel elektromagnetische Strahlung zu der nicht bedeckten Außenfläche des Substrats reflektiert . Der Spiegel umfasst dabei insbesondere eine erste Spiegelschicht, die metallisch ist, eine zweite

Spiegelschicht, die ein Bragg-Spiegel ist, und eine dritte Spiegelschicht, die ein Bragg-Spiegel ist. Beispielsweise folgt von einer Anschlussstelle die erste Spiegelschicht an der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite der

Anschlussstelle, dann die zweite Spiegelschicht an der der Anschlussstelle abgewandten Seite der ersten Spiegelschicht und dann die dritte Spiegelschicht an der der Anschlussstelle abgewandten Seite der zweiten Spiegelschicht. Bei der zweiten und der dritten Spiegelschicht kann es sich jeweils um Bragg- Spiegel (DBR - „Distributed Bragg Reflection" Spiegel) mit je acht Paaren von Schichten aus Ti02 und Si02 handeln, die abwechselnd übereinander angeordnet sind. Die erste

Spiegelschicht kann beispielsweise Silber und/oder Aluminium enthalten oder aus einem dieser Materialien bestehen.

Mit anderen Worten folgt an der dem aktiven Bereich

abgewandten Seite des zweiten Bereichs der

Halbleiterschichtenfolge der Spiegel. Zwischen dem Spiegel und dem zweiten Bereich, der zum Beispiel p-leitend ist, kann eine Stromaufweitungsschicht angeordnet sein, die mit einem transparenten, leitenden Oxid (TCO - transparent conductive oxide) wie ITO oder ZnO gebildet ist. Nachfolgend können die beiden Bragg-Spiegel angeordnet sein, die vom Metallspiegel abgedeckt sein können.

Ferner ist es möglich, dass sich der Spiegel von der ersten Anschlussstelle zur zweiten Anschlussstelle entlang der

Kontaktstege erstreckt. Insbesondere können der Spiegel und die Kontaktstege dann vertikal überlappen. Das heißt, der Spiegel kann mit jedem der Kontaktstege vertikal überlappen. Der Spiegel kann dann auch eine Breite aufweisen, die bis auf eine Abweichung von höchstens ± 10 % der Breite des zugeordneten Kontaktstegs entspricht. Auf diese Weise wird Licht lediglich im Bereich der Kontaktstege reflektiert, wodurch eine Absorption von elektromagnetischer Strahlung an den Kontaktstegen reduziert ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips erstreckt sich die erste Spiegelschicht durch Öffnungen in der zweiten Spiegelschicht und der dritten

Spiegelschicht und vermittelt eine elektrisch leitende

Verbindung zwischen dem ersten Kontaktsteg und der ersten Anschlussstelle und/oder zwischen dem zweiten Kontaktsteg und der zweiten Anschlussstelle. Das heißt, die erste

Spiegelschicht hat in diesem Fall eine Doppelfunktion: Zum einen reflektiert sie elektromagnetische Strahlung, die im aktiven Bereich erzeugt oder detektiert wird, und zum anderen dient sie zur elektrisch leitenden Verbindung zwischen der Anschlussstelle und dem der Anschlussstelle zugeordneten Kontaktsteg. Die Durchführungen durch die zweite und die dritte Spiegelschicht, das heißt die Öffnungen zum Anschluss der Kontaktstege an die Anschlussstellen, können dabei als längliche Gräben oder zylinderförmig ausgebildet sein.

Es wird ferner ein optoelektronisches Bauteil angegeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauteil zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, im Betrieb

elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Insbesondere kann es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip handeln. Das heißt, sämtliche für einen hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterchip beschriebenen Merkmale sind auch für das optoelektronische Bauteil offenbart und

umgekehrt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst das optoelektronische Bauteil ein erstes Konversionselement an einer dem Substrat des

optoelektronischen Halbleiterchips abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge zwischen der ersten Anschlussstelle und der zweiten Anschlussstelle und/oder ein zweites

Konversionselement an einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Substrats. Das heißt, der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauteils umfasst wenigstens ein Konversionselement, das der Halbeiterschichtenfolge an ihrer dem Substrat abgewandten Seite nachfolgt oder das an einer Außenseite des Substrats aufgebracht ist. Dabei ist es insbesondere auch möglich, dass der optoelektronische Halbleiterchip beide dieser

Konversionselemente aufweist. Für den Fall, dass das

optoelektronische Bauteil zwei oder mehr optoelektronische Halbleiterchips aufweist, können zumindest manchen von diesen ein erstes und/oder ein zweites Konversionselement in der beschriebenen Weise nachgeordnet sein.

„Zumindest manche" heißt hier und im Folgenden, dass der Verfahrensschritt für zumindest eine, mehr als eine oder alle der Komponenten erfolgen kann.

Die Verwendung eines ersten Konversionselements an einer dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge zwischen der ersten Anschlussstelle und der zweiten

Anschlussstelle ist besonders vorteilhaft möglich, wenn die Kontaktstege des Halbleiterchips vertikal überlappend

angeordnet sind. In diesem Fall wird durch die Kontaktstege besonders wenig elektromagnetische Strahlung abgeschirmt und besonders viel elektromagnetische Strahlung gelangt zu der dem Substrat abgewandte Unterseite der

Halbleiterschichtenfolge und kann dort aus dem

optoelektronischen Halbleiterchip austreten.

Die Konversionselemente sind jeweils dazu eingerichtet, vom optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb erzeugte

Primärstrahlung in Sekundärstrahlung aus einem größeren Wellenlängenbereich als die Primärstrahlung umzuwandeln. Die ersten und die zweiten Konversionselemente können dabei insbesondere unterschiedliche Leuchtstoffe aufweisen, sodass sie Sekundärstrahlung in unterschiedlichen

Wellenlängenbereichen emittieren. Beispielsweise ist das erste Konversionselement dazu eingerichtet, Primärstrahlung aus dem Wellenlängenbereich von blauem oder ultraviolettem Licht zumindest teilweise in Sekundärstrahlung im

Wellenlängenbereich von rotem Licht umzuwandeln. Das zweite Konversionselement kann dazu eingerichtet sein, die

Primärstrahlung in Sekundärstrahlung aus dem

Wellenlängenbereich von gelbem und/oder grünem Licht

zumindest teilweise umzuwandeln. Alternativ ist es möglich, dass das zweite Konversionselement Sekundärstrahlung aus dem Wellenlängenbereich von rotem Licht emittiert und das erste Konversionselement Sekundärstrahlung aus dem

Wellenlängenbereich von gelbem und/oder grünem Licht

emittiert .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils umfasst dieses einen Träger, auf dem eine Vielzahl der optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist. Die Halbleiterchips können insbesondere entlang einer

Haupterstreckungsrichtung des Trägers hintereinander angeordnet sein. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn die Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterchips im Rahmen der Herstellungstoleranz parallel zur Haupterstreckungsrichtung des Trägers verläuft. Auf diese Weise werden zum Bestücken eines länglichen Trägers, beispielsweise zur Bildung eines Lichtfadens, besonders wenige optoelektronische

Halbleiterchips benötigt.

Der Träger kann insbesondere stellenweise

strahlungsdurchlässig, zum Beispiel klarsichtig transparent oder diffus streuend, ausgebildet sein. Dazu kann der Träger beispielsweise mit einem Glas, einem Kunststoff oder Saphir gebildet sein. Ferner umfasst der Träger Kontakte und

gegebenenfalls Durchkontaktierungen oder Leiterbahnen zum elektrischen Anschließen der optoelektronischen

Halbleiterchips .

Das Substrat kann beispielsweise mit Saphir gebildet sein oder aus Saphir bestehen. Ferner ist es möglich, dass das Substrat mit Glas gebildet ist oder aus Glas besteht.

Es wird weiter ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Bauteils angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes optoelektronisches

Bauteil hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das hier beschriebene optoelektronische Bauteil offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.

Das Verfahren umfasst einen Verfahrensschritt, bei dem ein Träger mit Kontakten bereitgestellt wird. Der Träger kann beispielsweise ein strahlungsdurchlässiges Grundmaterial aufweisen, auf das die Kontakte aufgebracht sind. Zum

Beispiel kann der Träger mit Glas gebildet sein. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt werden erste

Konversionselemente auf den Träger zwischen zumindest manchen der Kontakte aufgebracht. Das Aufbringen der

Konversionselemente kann beispielsweise durch einen

Druckprozess erfolgen. Die Konversionselemente können dazu zum Beispiel ein druckbares Matrixmaterial wie Silikon oder ein Sol-Gel-Material aufweisen, in welches Teilchen oder Partikel eines Leuchtstoffes eingebracht sind. Dabei ist es insbesondere auch möglich, dass an unterschiedlichen Stellen des Trägers Konversionselemente aufgebracht werden, die voneinander unterschiedliche Leuchtstoffe aufweisen.

In einem nächsten Verfahrensschritt werden zumindest manche der Kontakte mit Anschlussstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips verbunden, sodass bei zumindest manchen der optoelektronischen Halbleiterchips ein erstes

Konversionselement an einer dem Substrat abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge zwischen der ersten

Anschlussstelle und der zweiten Anschlussstelle des

optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist. Dabei ist es möglich, dass der Halbleiterchip und das zugeordnete erste Konversionselement voneinander beabstandet sind, in dem

Sinne, dass sich ein Spalt zwischen dem ersten

Konversionselement und dem darüber angeordneten

optoelektronischen Halbleiterchip befindet. Ferner ist es möglich, dass das Konversionselement so dick ausgebildet ist, dass ein direkter Kontakt zwischen dem Halbleiterchip und dem zugeordneten ersten Konversionselement erzeugt wird.

Als optoelektronischer Halbleiterchip eignet sich hierbei insbesondere ein hier beschriebener optoelektronischer

Halbleiterchip, sodass sämtliche für den optoelektronischen Halbleiterchip offenbarten Merkmale auch für das Verfahren offenbart sind und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf zumindest manche der optoelektronischen Halbleiterchips ein zweites Konversionselement an einer dem Träger abgewandten Seite aufgebracht.

Das hier beschriebene Verfahren kann dabei insbesondere in der hier beschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden.

Insbesondere der Verfahrensschritt des Aufbringens des ersten Konversionselements auf den Träger erfolgt gemäß einer

Ausführungsform des Verfahrens vor dem Verbinden der

optoelektronischen Halbleiterchips mit zumindest mancher der Kontakte des Trägers. Mit anderen Worten werden die

Konversionselemente dann zeitlich vor den Halbleiterchips am Träger befestigt. Die zweiten Konversionselemente können vor oder nach Bestücken des Trägers an den Halbleiterchips befestigt werden. Dem Verfahren liegt dabei unter anderem die Idee zugrunde, dass wenige, besonders lang ausgebildete optoelektronische Halbleiterchips weniger Montageschritte bei der Herstellung von beispielsweise Leuchtfäden notwendig machen als dies für viele, kurze optoelektronische

Halbleiterchips der Fall wäre. Die Serienschaltung solcher langen optoelektronischen Halbleiterchips erfordert niedrige Betriebsspannungen. Bei dem optoelektronischen Bauteil kann es sich daher mit besonderem Vorteil um einen LED-Leuchtfaden handeln .

Im Folgenden werden die hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips, die hier beschriebenen optoelektronischen Bauteile und die hier beschriebenen Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .

Die Figuren 1A, 1B, 2A, 2B, 2C, 2D zeigen schematische Darstellungen zur Erläuterung von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips.

Die Figuren 3A, 3B zeigen schematische Darstellungen zur Erläuterung von hier beschriebenen optoelektronischen

Bauteilen .

Die schematischen Darstellungen der Figuren 4A, 4B, 4C, 4D, 4E zeigen Verfahrensschritte zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips eines weiteren Ausführungsbeispiels.

Die Figur 5 zeigt eine schematische Schnittdarstellung zur Erläuterung eines Ausführungsbeispiels eines hier

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips.

Die schematischen Darstellungen der Figuren 6, 7, 8A, 8B, 9 zeigen Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen

optoelektronischen Bauteilen.

Die Figuren 10A, 10B, 10C zeigen anhand schematischer

Darstellungen Verfahrensschritte eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils.

Die Figur 11 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen

optoelektronischen Bauteils. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren

dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere

Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur 1A zeigt eine schematische Perspektivdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterchips 10.

Der optoelektronische Halbleiterchip 10 umfasst ein Substrat 11, das zum Beispiel aus Saphir besteht, und eine Dicke d in vertikaler Richtung v, die parallel zur Stapelrichtung einer Halbleiterschichtenfolge 12 verläuft. Die Dicke beträgt beispielsweise wenigstens 300 ym. Ferner kann die Dicke beispielsweise höchstens 700 ym betragen.

An einer Unterseite des Substrats 11 ist die

Halbleiterschichtenfolge 12 aufgebracht, die beispielsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial basiert. Die Halbleiterschichtenfolge 12 umfasst einen ersten Bereich 12a, der zum Beispiel n-leitend ausgebildet ist, einen zweiten Bereich 12b, der beispielsweise p-leitend ausgebildet ist, und einen aktiven Bereich 12c.

Der zweite Kontaktsteg 14b kann über eine

Stromaufweitungsschicht 13, die beispielsweise mit einem TCO (transparent conductive oxide) -Material wie ITO gebildet ist, elektrisch leitend mit dem zweiten Bereich 12b der

Halbleiterschichtenfolge 12 verbunden sein. Der dargestellte optoelektronische Halbleiterchip 10 ist über die erste Anschlussstelle 17a, die beispielsweise zur

Kontaktierung des ersten Bereichs 12a vorgesehen ist, und die zweite Anschlussstelle 17b, die beispielsweise zur

Kontaktierung des zweiten Bereichs 12b vorgesehen ist, oberflächenmontierbar ausgebildet .

Die schematische Darstellung der Figur 1B zeigt für das Ausführungsbeispiel der Figur 1A die Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips. Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst erste Kontaktstellen 16a, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten

Anschlussstelle 17a und dem ersten Bereich 12a hersteilen. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip zweite Kontaktstellen 16b, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Anschlussstelle 17b und dem zweiten Bereich 12b hersteilen. Manche der ersten und zweiten

Kontaktstellen 16a, 16b sind mit zugehörigen ersten

Kontaktstegen 14a beziehungsweise zugehörigen zweiten

Kontaktstegen 14b verbunden. Die Kontaktstege 14a, 14b erstrecken sich längs einer Haupterstreckungsrichtung 1 des optoelektronischen Halbleiterchips 10 über wenigstens 50 % der Länge L des optoelektronischen Halbleiterchips.

Die ersten und zweiten Kontaktstellen 16a, 16b bilden

Kontaktstifte, die besonders hoch ausgebildet sein können. Insbesondere kann die Höhe der Kontaktstellen 16a, 16b in vertikaler Richtung v groß sein gegen den Durchmesser.

Beispielsweise sind die Kontaktstellen 16a, 16b

zylinderförmig ausgebildet. Die Kontaktstellen 16a, 16b können mit einem duktilen Metall gebildet sein, welches beispielsweise Nickel und/oder Kupfer und/oder Gold umfassen kann. Die zugeordneten Kontaktstege 14a, 14b können mit dem gleichen Material gebildet sein. Die Kontaktstellen 16a, 16b und/oder die Kontaktstege 14a, 14b können auf diese Art mechanische Kräfte, die auf den Halbleiterchip 10 wirken, gut auf einen Träger übertragen werden, auf dem die

Halbleiterchips 10 befestigt werden, und brechen bei

Temperaturänderung des Halbleiterchips 10 nicht.

An der der Halbleiterschichtenfolge 12 zugewandten Oberseite der zweiten Kontaktstege 14b sowie der zweiten Kontaktstellen 16b befindet sich jeweils eine Blockierschicht 15 für Strom, die eine Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung

unmittelbar oberhalb der zweiten Kontaktstellen 16b und der zweiten Kontaktstege 14b unterbindet.

Die Blockierschicht 15 kann beispielsweise mit Si02 gebildet sein, wobei die Blockierschicht 15 durch Ätzen strukturiert sein kann.

In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 2A, 2B, 2C und 2D ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips erläutert. Im Unterschied zum optoelektronischen

Halbleiterchip 10 der Figuren 1A und 1B sind die ersten

Kontaktstege 14a und die zweiten Kontaktstege 14b in der vertikalen Richtung v übereinander, also vertikal überlappend zueinander, angeordnet. Dazu können sich vom ersten

Kontaktsteg 14a, der beispielsweise zur n-seitigen

Kontaktierung vorgesehen ist, Durchkontaktierungen 18a durch den zweiten Kontaktsteg 14b hindurch in den ersten Bereich 12a der Halbleiterschichtenfolge 12 hinein erstrecken. Dabei können die Durchkontaktierungen 18a durch eine Isolierung 18b ummantelt sein und derart vom zweiten Kontaktsteg 14b

elektrisch isoliert sein. Die Durchkontaktierungen können dabei aus dem gleichen Material wie die Kontaktstellen 16a, 16b ausgebildet sein. Beide Kontaktstege 14a, 14b können sich über fast die gesamte Länge des optoelektronischen

Halbleiterchips 10 erstrecken. Beispielsweise erstreckt sich jeder Kontaktsteg 14a, 14b über wenigstens 90 % der Länge L des optoelektronischen Halbleiterchips 10.

Zumindest bereichsweise kann der optoelektronische

Halbleiterchip an seiner dem Substrat 11 abgewandten

Unterseite einen Spiegel 19 aufweisen, der zur Reflexion von im Halbleiterchip erzeugter oder zu detektierender

elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Der Spiegel 19 kann dabei zwischen den Anschlussstellen 17a und 17b

großflächig an der Unterseite des Halbleiterchips ausgebildet sein und diese vollständig bedecken oder der Spiegel 19 ist lediglich im Bereich der Kontaktstege 14a, 14b angeordnet und überlappt vertikal mit diesen.

Wie beispielsweise aus der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2D ersichtlich ist, können sich die

Durchkontaktierungen 18a zur mechanischen Stabilisierung des optoelektronischen Halbleiterchips bis in das Substrat 11 hinein erstrecken. Sie verankern dann die Schichtenfolge 12 am Substrat 11.

In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 3A und 3B sind zwei Ausführungsbeispiele eines hier

beschriebenen optoelektronischen Bauteils näher erläutert. Im Ausführungsbeispiel der Figur 3A umfasst das

optoelektronische Bauteil 1 einen optoelektronischen

Halbleiterchip 10, wie er beispielsweise in Verbindung mit den Figuren 1 oder 2 beschrieben ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 10 ist an seinen Seitenflächen und an seiner der Halbleiterschichtenfolge 12 abgewandten Oberseite des Substrats 11 mit einem zweiten Konversionselement 22 umgeben. Das zweite Konversionselement 22 umfasst beispielsweise ein Matrixmaterial, in welches Partikel eines Leuchtstoffes eingebracht sind. Beispielsweise handelt es sich bei dem Matrixmaterial um ein Silikon.

An der dem Substrat 11 abgewandten Unterseite der

Halbleiterschichtenfolge 12 ist ein erstes Konversionselement 1 in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip zwischen den beiden Anschlussstellen 17a und 17b angeordnet. Die beiden Konversionselemente 21, 22 können sich dabei hinsichtlich der verwendeten Leuchtstoffe voneinander unterscheiden.

Insbesondere das erste Konversionselement 21 kann ein

Material aufweisen, das besonders gut wärmeleitend ist und damit zur Wärmeabfuhr aus dem optoelektronischen

Halbleiterchip 10 beitragen.

Das erste Konversionselement 21 ist beispielsweise zur

Emission von grüner Sekundärstrahlung eingerichtet, das zweite Konversionselement 22 ist dann zur Emission von roter Sekundärstrahlung eingerichtet. Im aktiven Bereich 12c des optoelektronischen Halbleiterchips 10 wird beispielsweise blaues Licht erzeugt. Dadurch, dass die gesamte Außenfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 10 im

Ausführungsbeispiel der Figur 3A von Material eines der

Konversionselemente 21, 22 umgeben ist, tritt kein blaues Nebenleuchten (sogenanntes blue piping) auf.

Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 3A ist im Ausführungsbeispiel der Figur 3B lediglich an der der

Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Substrats 11 das zweite Konversionselement 22 aufgebracht. Die Seitenflächen des Substrats 11 bleiben in diesem Ausführungsbeispiel frei von Konversionsmaterial. Das erste Konversionselement 21 verbleibt an der Unterseite des

optoelektronischen Halbleiterchips. Ein solches

optoelektronisches Bauteil ist besonders einfach herstellbar.

Es hat sich herausgestellt, dass die räumliche Trennung von unterschiedlichen Konversionselementen, also vorliegend dem ersten Konversionselement 21 und dem zweiten

Konversionselement 22, die Effizienz bei der Lichterzeugung erhöht. Durch diese räumliche Trennung hat bereits

konvertiertes Licht eine geringere Wahrscheinlichkeit, in einem weiteren unelastischen Streuprozess an einem anderen Konversionselement Energie zu verlieren. Auch die Entwärmung der Konversionselemente ist vorliegend durch den

großflächigen Kontakt am optoelektronischen Halbleiterchip 1 optimiert .

In Verbindung mit den schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 4A bis 4E ist ein Ausführungsbeispiel eines

Verfahrens zur Herstellung eines hier beschriebenen

Halbleiterchips näher erläutert.

Bei dem Verfahren wird zunächst ein Substrat 11

bereitgestellt, bei dem es sich um ein Aufwachssubstrat handeln kann, das mit Saphir gebildet ist. Auf das Substrat 11 wird die Halbleiterschichtenfolge 12 umfassend den ersten Bereich 12a, den zweiten Bereich 12b und dazwischen den aktiven Bereich 12c epitaktisch abgeschieden.

An der dem Substrat 11 abgewandten Oberseite der

Halbleiterschichtenfolge 12 wird eine Blockierschicht 15 aufgebracht . Im nächsten Verfahrensschritt, Figur 4B, erfolgt eine

Beschichtung mit Material der Stromaufweitungsschicht 13, die beispielsweise mit ITO gebildet ist. Nachfolgend erfolgt eine Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge 12, sodass stellenweise der erste Bereich 12a freigelegt wird. Die

Strukturierung erfolgt zum Beispiel durch Ätzen.

Im in Verbindung mit der Figur 4C beschriebenen

Verfahrensschritt erfolgt mit Hilfe einer Fototechnik das Aufbringen von Metallen für die Kontaktstege 14a, 14b sowie die Kontaktstellen 16a, 16b.

Im nächsten Verfahrensschritt, Figur 4D, wird der Spiegel 19 aufgebracht und durch Ätzen strukturiert. Schließlich, Figur 4E, werden die erste Anschlussstelle 17a und die zweite

Anschlussstelle 17b erzeugt und elektrisch leitend mit den Kontaktstegen 14a, 14b sowie den Kontaktstellen 16a, 16b verbunden .

Anhand der schematischen Schnittdarstellung der Figur 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel ist der Spiegel 19 mit drei

Spiegelschichten, der ersten Spiegelschicht 19a, der zweiten Spiegelschicht 19b und der dritten Spiegelschicht 19c gebildet. Dabei umfasst der Spiegel 19 mit der zweiten

Spiegelschicht 19b und der dritten Spiegelschicht 19c zwei Bragg-Spiegel . Die zweite Spiegelschicht 19b und die dritte Spiegelschicht 19c sind mit der ersten Spiegelschicht 19a, bei der es sich um eine metallische Schicht handelt,

kombiniert . Beispielsweise ist die erste Spiegelschicht 19a mit Aluminium gebildet. Die erste Spiegelschicht 19a kann eine oder beide der Anschlussstellen, in der Figur 5 ist die erste

Anschlussstelle 17a gezeigt, großflächig metallisieren. Dies begünstigt die Entwärmung des optoelektronischen

Halbleiterchips im Betrieb. Über Öffnungen in der zweiten Spiegelschicht 19b und der dritten Spiegelschicht 19c ist die erste Spiegelschicht 19a zum zugeordneten Kontaktsteg, vorliegend dem ersten Kontaktsteg 14a, geführt. Die Öffnungen können dabei zylinderförmig sein oder längliche Gräben bilden .

Die zweite Spiegelschicht und die dritte Spiegelschicht sind beispielsweise jeweils durch Bragg-Spiegel mit je acht Paaren Ti02/Si02 gebildet. Bei einem solchen Spiegel 19 dient die erste Spiegelschicht 19a zur Entwärmung des Chips, zur elektrischen Verbindung zwischen Kontaktsteg und

Anschlussstelle sowie zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung .

In Verbindung mit der schematischen Darstellung in Figur 6 ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Bauteils gezeigt. Bei dem

optoelektronischen Bauteil sind mehrere optoelektronische Halbleiterchips hintereinander auf einem länglichen Träger 3 ausgebildet, der beispielsweise strahlungsdurchlässig ist.

Den optoelektronischen Halbleiterchips 10 ist dabei jeweils kein Konversionselement nachgeordnet. Insgesamt bildet das optoelektronische Bauteil 1 des Ausführungsbeispiels der Figur 6 beispielsweise einen blau leuchtenden LED-Leuchtfaden aus . Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 6 ist im Ausführungsbeispiel der Figur 7 ein optoelektronisches

Bauteil 1 gezeigt, bei dem jedem optoelektronischen

Halbleiterchip 10 ein erstes Konversionselement 21 und ein zweites Konversionselement 22, wie beispielsweise in

Verbindung mit der Figur 3B beschrieben, nachgeordnet ist. Dabei ist es möglich, dass die Materialien zur Bildung der ersten Konversionselemente 21 und der zweiten

Konversionselemente 22 abwechselnd vertauscht werden. Das heißt, für den ganz links dargestellten Halbleiterchip 10 kann das erste Konversionselement 21 beispielsweise rotes Licht re-emittieren und das zweite Konversionselement 22 kann grünes Licht re-emittieren. Für den rechts davon

dargestellten Halbleiterchip kann dies vertauscht sein, sodass das erste Konversionselement 21 grünes Licht re- emittiert und das zweite Konversionselement 22 rotes Licht re-emittiert . Diese Abfolge kann fortgesetzt werden. Auf diese Weise erfolgt im Träger 3, bei dem es sich

beispielsweise um einen Glasstab handeln kann, besonders gute Lichtmischung, sodass das optoelektronische Bauteil 1 besonders homogen weißes Mischlicht emittieren kann.

Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 7 sind die Halbleiterchips 10 im Ausführungsbeispiel der Figuren 8A und 8B liegend auf den Träger 3 montiert. Sie sind beispielsweise über Verbindungsmittel 32 elektrisch leitend mit den

Kontakten 31 des Trägers 3 verbunden. Beispielsweise kann es sich bei den Verbindungsmitteln 32 um ein Lot handeln.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 9 sind die Halbleiterchips 10 mit dem ersten und zweiten Konversionselement auf einen Träger 3 montiert, der einen die Halbleiterchips 10 lateral umgebenden Reflektor aufweist. Auf diese Weise kann das optoelektronische Bauteil 1 beispielsweise ein Leuchtmittel bilden, das in einer Spot-Lampe zum Einsatz kommen kann.

In Verbindung mit den schematischen Darstellungen der Figuren 10A bis 10C ist ein Ausführungsbeispiel eines hier

beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines

optoelektronischen Bauteils näher erläutert. Bei diesem

Verfahren wird zunächst ein Träger 3, bei dem es sich um eine Glasplatte mit Kontakten 31 handeln kann, bereitgestellt.

Dies ist in der Figur 10A schematisch dargestellt.

Nachfolgend, Figur 10 B, können erste Konversionselemente 21 beispielsweise durch Drucken auf den Träger 3 zwischen benachbarten Kontakten 31 aufgebracht werden. Nachfolgend werden optoelektronische Halbleiterchips 10 derart auf den Träger 3 gesetzt und befestigt, dass die Anschlussstellen 17a, 17b mit zugehörigen Kontakten 31 des Trägers 3

elektrisch leitend verbunden sind und die ersten

Konversionselemente 21 zwischen dem Substrat 11 und dem

Träger 3 an der Unterseite der Halbleiterchips 10 angeordnet sind .

In einem vorherigen oder nachfolgenden Verfahrensschritt können zweite Konversionselemente 22 auf die Halbleiterchips 10 aufgebracht werden, es resultiert ein optoelektronisches Bauteil 1, wie es in Verbindung mit der Figur 10C gezeigt ist .

In Verbindung mit der Figur 11 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Bauteils 1 näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel sind mehrere Halbleiterchips 10

ganzflächig von einem Konversionselement 21, 22 umhüllt. Der Träger 3 bleibt frei vom Konversionsmaterial. Da sich das Konversionselement 21, 22 auch an der Unterseite der

Halbleiterchips 10 zwischen den Halbleiterchips und dem

Träger 3 befindet, kann eine Umhüllung der gesamten

Anordnung, also Halbleiterchips 10 mit Träger 3, mit

Konversionsmaterial entfallen, ohne dass weniger homogenes Licht abgestrahlt wird. Dabei kann Lichtmischung auch im Träger 3 erfolgen, der als Glasstab ausgebildet sein kann. Da ein solcher Glasstab ein großes Emissionsvolumen darstellt, ist die Abstrahlung im Fernfeld homogen, das heißt vom

Betrachter wird homogenes weißes Mischlicht wahrgenommen.

Die in den in Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren

Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind.

Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren

beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102018119438.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugszeichenliste

I optoelektronisches Bauteil

10 optoelektronischer Halbleiterchip

II Substrat

12 Halbleiterschichtenfolge

12a erster Bereich (zum Beispiel n-leitend)

12b zweiter Bereich (zum Beispiel p-leitend)

12c aktiver Bereich

13 Stromaufweitungsschicht

14a erster Kontaktsteg (zum Beispiel n-leitend)

14b zweiter Kontaktsteg (zum Beispiel p-leitend)

15 Blockierschicht für Strom

16a erste Kontaktstelle (zum Beispiel n-leitend)

16b zweite Kontaktstelle (zum Beispiel p-leitend) 17a erste Anschlussstelle (zum Beispiel n-leitend) 17b zweite Anschlussstelle (zum Beispiel p-leitend) 18a Durchkontaktierung

18b Isolierung

19 Spiegel

19a erste Spiegelschicht

19b zweite Spiegelschicht

19c dritte Spiegelschicht

19d Öffnung

21 erstes Konversionselement

22 zweites Konversionselement

3 Träger

31 Kontakt

32 Verbindungsmittel

33 Reflektor d Dicke des Substrats

v vertikale Richtung

1 Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterchips

L Länge des Halbleiterchips