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Title:
PLANAR RESIST STRUCTURE, ESPECIALLY AN ENCAPSULATION FOR ELECTRIC COMPONENTS AND A THERMOMECHANICAL METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/1999/057807
Kind Code:
A1
Abstract:
According to the inventive thermomechanical method for planing a resist layer which is applied on a partially raised supporting surface, a resist structure, especially an encapsulation for electronic components, is obtained. To this end, a dry resist film (2) which is comprised of a composite made of a temperature resistant protective film (3) and of a photosensitive layer (4) is applied with the photosensitive layer (4) thereof on the supporting surface (6). The dry resist film (2d) is planed using pressure and heat, whereupon the photosensitive layer is exposed. Afterwards, the protective film (3) is removed and the photosensitive layer is developed.

Inventors:
FUERBACHER BRUNO (DE)
Application Number:
PCT/DE1999/001352
Publication Date:
November 11, 1999
Filing Date:
May 05, 1999
Export Citation:
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Assignee:
SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS (DE)
FUERBACHER BRUNO (DE)
International Classes:
G03F7/004; G03F7/38; H01L21/027; H01L21/56; H03H3/08; H03H9/05; (IPC1-7): H03H9/05; H03H3/08
Foreign References:
US5410789A1995-05-02
DE19548061A11997-07-03
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN & PETER GbR (Postfach 12 10 26 München, DE)
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Claims:
Patentansprüche
1. Elektronisches Bauelement mit auf einem Substrat (1) aufgebrachten erhabenen Struk turen (5), insbesondere mit Metallisierungen oder Leiter bahnstrukturen, <BR> <BR> <BR> mit einer über den erhabenen Strukturen aufgebrachten Re siststruktur (4), <BR> <BR> <BR> wobei die Resiststruktur dicht auf dem Substrat und den erhabenen Strukturen aufliegt und wobei die Resiststruktur eine derartig variierende Schichtdicke aufweist, daß die Oberflächen der Resist struktur annähernd in einer Ebene liegen.
2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Resiststruktur (4) mit einer weiteren Re sistschicht einheitlicher Schichtdicke abgedeckt ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die erste Resiststruktur einen Rahmen bildet bei der die weitere Resistschicht einen auf den Rahmen passenden Deckel ausbildet bei der der Rahmen und und der Deckel zusammen eine kap penförmige Abdeckung darstellen und einen Hohlraum zwi schen Substrat, Rahmen und Deckel umschließen.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 13, bei dem die Resiststruktur und die weitere Resistschicht aus einer Trockenresistfolie gebildet sind.
5. Thermomechanisches Verfahren zum Erzeugen einer planaren Resiststruktur (4) auf einer teils erhabenen Trägerfläche, insbesondere für eine Verkapselung elektronischer Bauelemen te, bei dem eine Trockenresistfolie (2), bestehend aus einem Ver bund von temperaturbeständiger Schutzfolie (3) und fotoemp findlicher Schicht (4), mit ihrer fotoempfindlichen Schicht (4) auf die Trägerfläche (6) aufgebracht wird, bei dem die Trockenresistfolie (2) unter Druck und Wärme so behandelt wird, daß ihre fotoempfindliche Schicht planari siert wird, und bei dem die fotoempfindliche Schicht (4) belichtet, anschlie ßend die Schutzfolie (3) entfernt und die fotoempfindliche Schicht (4) entwickelt wird, wobei die Resiststruktur erhal ten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem eine Trockenresistfolie (12) mit nichttemperaturbe ständiger Schutzfolie (13) verwendet wird, die nach dem Auf trag der Trockenresistfolie (12) von der fotoempfindlichen Schicht (14) abgezogen und durch eine temperaturbeständige Trennfolie (15) ersetzt wird, die auf ihrer zur fotoempfind lichen Schicht (14) gekehrten Oberfläche eine nichthaftende Schicht (17) trägt, daß die Trennfolie (15) samt fotoempfind licher Schicht (14) unter Druck und Wärme so behandelt wird, daß ihre fotoempfindliche Schicht planarisiert wird, daß die Trennfolie (15) entfernt und anschließend die fotoempfindli che Schicht (14) belichtet und entwickelt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 und 6, bei dem auf die entwickelte fotoempfindliche Schicht (4) bzw. (14) eine zweite Trockenresistfolie, bestehend aus einem Ver bund von Schutzfolie und fotoempfindlicher Schicht, mit ihrer fotoempfindlichen Schicht in an sich bekannter Weise auf die entwickelte Schicht (4) bzw. (14) aufgebracht, anschließend die fotoempfindliche Schicht belichtet, danach die Schutzfo lie entfernt und die fotoempfindliche Schicht entwickelt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 5 und 6, bei dem auf die entwickelte fotoempfindliche Schicht (4) bzw. (14) eine zweite Trockenresistfolie, bestehend aus einem Ver bund von Schutzfolie und fotoempfindlicher Schicht, mit ihrer fotoempfindlichen Schicht in an sich bekannter Weise auf die entwickelte Schicht aufgebracht, anschließend die Schutzfolie abgezogen, danach belichtet und entwickelt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 5 bis 8, bei dem nach dem Auftrag und Entwickeln der zweiten fotoemp findlichen Schicht die entwickelten Schichten ausgehärtet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Trockenresistfolie (2) samt Träger (1) zwischen heißen Platten (7,8) angeordnet und zusammengepreßt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der mit der fotoempfindlichen Schicht (14) beschich tete Träger (1) samt Trennfolie (15) zwischen heißen Platten (18,19) angeordnet und zusammengepreßt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, bei dem als temperaturbeständige Schutzund Trennfolie (2) bzw. (15) eine Polyesterfolie verwendet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 612 bei dem als nichttemperaturbeständige Schutzfolie (12) z. B. eine Polyolefinfolie verwendet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem eine Trennfolie (15) verwendet wird, die auf ihrer zur fotoempfindlichen Schicht (14) gekehrten Oberfläche mit einer dem Kleben entgegenwirkenden Schicht, z. B. mit einer Silikonoder PTFESchicht, (17) beschichtet ist.
15. Verwendung des Verfahren nach Anspruch 5 bis 14, zur Herstellung von OberflächenwellenBauelementen mit Wafern als Trager.
Description:
Beschreibung Planare Resiststruktur, insbesondere Verkapselung für elek- tronische Bauelemente undhermomechanisches Verfahren zur Herstellung.

Die Erfindung betrifft eine planare Resiststruktur, insbeson- dere Verkapselung für elektronische Bauelemente und ein ther- momechanisches Verfahren zum Planarisieren einer auf eine teils erhabene Trägerfläche aufgebrachten fototechnisch strukturierbaren Schicht.

Durch Die PCT-Anmeldung, internationale Veröffentlichungsnr.

W095/30276, ist eine anmelderseits als PROTEC bezeichnete Verkapselung für elektronische Bauelemente, insbesondere für mit akustischen Oberflächenwellen arbeitende Bauelemente- OFW-Bauelemente-bekannt, die in Bereichen der Bauelemente- Strukturen, d. h. z. B. in Bereichen der Interdigitalwandler und der ggf. erforderlichen, üblicherweise in Siebdrucktech- nik aufgebrachten akustischen Dämpfungsmassen diese aufneh- mende Ausnehmungen besitzt. Die genannte PCT-Anmeldung sieht hierzu in einem ihrer Ausführungsbeispiele einen auf das Bau- elemente-Substrat, z. B. ein piezoelektrisches Substrat, auf- gebrachten rahmenförmigen Träger und ggf. Stützen vor, auf denen eine Deckschicht angeordnet ist. Der Träger, die Stüt- zen und die Deckschicht können dabei durch eine Folie gebil- det sein, die auf der Seite des Bauelemente-Substrats die Bauelemente-Strukturen überspannende Vertiefungen enthält und z. B. durch Kleben, Schweißen oder Laminieren auf das Bauele- mente-Substrat aufgebracht wird.

Gemäß einem weiteren bekannten Vorschlag nach dieser PCT- Anmeldung wird für den Träger und ggf. die Stützen ein durch Fototechnik strukturierbares Material, d. h. eine sogenannte Trockenresistfolie verwendet. Dies kann beispielsweise ein

Fotolack oder ein durch W-Licht strukturierbares Material sein, das so belichtet wird, daß nach seiner Entwicklung nur die aktiven Bauelemente, insbesondere Filterstrukturen, die akustische Dämpfungsmasse und die für die elektrische Kontak- tierung dieser Bauelemente-Strukturen vorgesehenen Flächen freiliegen. Sodann wird auf den so hergestellten Träger und- falls vorhanden-die Stützen eine zweite Lage, nämlich eine Abdeckschicht aufgebracht, die ebenfalls aus einer Trockenre- sistfolie, d. h. einem durch Fototechnik strukturierbaren Ma- terial der vorstehend genannten Art besteht, das gleichfalls nach seinem Auftrag belichtet und entwickelt wird. Dieses Ma- terial bildet schließlich bei ausreichender Dicke der aus Träger und ggf. Stützen bestehenden ersten Lage zusammen mit dieser die Ausnehmungen.

Diese auch PROTEC genannte Art der Verkapselung, die letzt- lich aus einem aufeinanderfolgenden und jeweils fototechnisch entsprechend behandelten Auftrag von zwei Lagen von Trocken- resistfolien besteht, ist-beachte den kasten-bzw. rahmen- förmigen Aufbau der ersten Lage-für alle die Fälle ungeeig- net, in denen die Trockenresistfolien unmittelbar auf der akustischen Dämpfungsmasse aufliegen sollen.

Die aufgebrachte erste Lage bzw. erste Trockenresistfolie und folglich auch die zweite Lage bzw. zweite Trockenresistfolie folgen nämlich bei standardmäßigem Auflaminieren dem unebenen Höhenprofil der akustischen Dämpfungsmasse.

Der unebene Auftrag der zweiten Trockenresistfolie auf die bereits uneben aufliegende erste Trockenresistfolie ist je- doch nicht hinnehmbar, da bei den technisch sinnvollen Lami- nierbedingungen für die zweite Lage die resultierenden Ver- kapselungen, wie z. B. Abdeckungen für Chips von OFW- Bauelementen durchwegs undicht sind.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Bauelement mit einer Resiststruktur und ein Verfahren zur Herstellung dafür anzugeben, die einen sicheren Auftrag der zweiten Lage bzw.

Trockenresistfolie und damit eine hermetisch dichte Verkapse- lung von Chips elektronischer Bauelemente, insbesondere von OFW-Bauelementen gewährleisten.

Diese Aufgabe wird mit mit einem Bauelement nach Anspruch 1 gelöst. Ein Verfahren zum Herstellen dieses Bauelements sowie vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus weiteren Ansprüchen hervor.

Erst die erfindungsgemäße planare Resiststruktur ermöglicht das konforme Aufbringen einer weiteren Schicht so, daß eine gute Verbindung zur Resiststruktur, ein sicheres Aufliegen auf dieser und in der Folge eine dichte Verkapselung erzeugt werden kann.

Vorausgesetzt die Schutzfolie, die im Verbund mit einer fo- toempfindlichen Schicht die Trockenresistfolie bildet, ist eine temperaturbeständige, d. h. eine auch bei höheren Tempe- raturen nicht zerstörbare Folie, so sieht das erfindungsgemä- ße Verfahren als Lösung vor, daß die Trockenresistfolie mit ihrer fotoempfindlichen Schicht auf die Trägerfläche aufge- bracht wird, daß die Trockenresistfolie unter Druck und Wärme so behandelt wird, daß ihre fotoempfindliche Schicht planari- siert wird, und daß die fotoempfindliche Schicht belichtet, anschließend die Schutzfolie entfernt und die fotoempfindli- che Schicht entwickelt wird.

Wird eine nichttemperaturbeständige Schutzfolie verwendet, so sieht die Erfindung vor, daß diese nach dem Auftrag der Trok- kenresistfolie von der fotoempfindlichen Schicht abgezogen und durch eine temperaturbeständige Trennfolie ersetzt wird, die auf ihrer zur fotoempfindlichen Schicht gekehrten Ober-

fläche eine nichthaftende Schicht trägt, daß die Trennfolie samt fotoempfindlicher Schicht unter Druck und Wärme so be- handelt wird, daß ihre fotoempfindliche Schicht planarisiert wird, und daß anschließend die Trennfolie entfernt und die fotoempfindliche Schicht belichtet und entwickelt wird.

Der Auftrag bzw. das Auflaminieren der Trockenresistfolie für die erste Lage geschieht gemäß den üblichen Standardverfahren und führt zu einer luftblasenfreien Schicht, die der Topogra- phie der z. B. in Siebdrucktechnik aufgebrachten Dämpfungs- masse folgt. Erst durch das Planarisieren, bei dem bei tempe- raturbeständiger Schutzfolie die Trockenresistfolie samt Trä- ger und bei nichttemperaturbeständiger Schutzfolie der mit der fotoempfindlichen Schicht beschichtete Träger samt Trenn- folie zwischen heißen Platten angeordnet und zusammengepreßt werden, verringert sich aufgrund der Temperaturerhöhung die Viskosität des fotoempfindlichen Materials der ersten Lage so weit, daß durch den axial auf den Träger ausgeübten Druck das Material dieser Lage von den Zonen, die sich über dem Sieb- druck befinden, in die Zonen ohne Dämpfungsmasse fließt.

Somit wird die fotoempfindliche Schicht der ersten Lage so weit eingeebnet, daß nach anschließender Fotostrukturierung die zweite Lage Trockenresistfolie in an sich bekannter Weise auflaminiert werden kann und die resultierenden Verkapselun- gen, z. B. von Chips elektronischer Bauelemente, hermetisch dicht sind.

Ein Ankleben des Materials an den heißen Platten oder Preß- vorrichtung wird durch die ohnehin vorhandene, ausreichende Temperaturbeständigkeit der Schutzfolie, z. B. einer Poly- esterfolie, verhindert.

Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteran- sprüchen.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläu- tert. Es zeigt : Figur 1 bis 3 in schematischer und geschnittener Ansicht we- sentliche Verfahrensschritte eines ersten Ausführungsbeispie- les des Gegenstandes nach der Erfindung ; Figur 4 bis 7 in der Darstellung nach Figur 1 bis 3 die we- sentlichen Verfahrensschritte eines zweiten Ausführungsbei- spieles nach der Erfindung.

Gleiche Elemente in den Figuren sind dabei mit gleichen Be- zugszeichen bezeichnet.

Im erstgenannten Ausführungsbeispiel, das die Herstellung ei- nes OFW-Bauelements zeigt-s. Figur 1 bis 3-, wird auf die eine Oberfläche 6 eines Trägers 1 aus piezoelektrischem Mate- rial, d. h. bei üblicher Massenfertigung auf einen Wafer, der in Bereichen seiner einzelnen OFW-Bauelemente jeweils z. B. in Siebdrucktechnik aufgetragene akustische Dämpfungsmassen 5 besitzt, eine Trockenresistfolie 2 in üblicher Weise auflami- niert. Die Trockenresistfolie 2 an sich besteht aus einem Verbund einer temperaturbeständigen Schutzfolie 3, z. B. einer Polyesterfolie, mit einer fotoempfindlichen Schicht 4-s.

Figur l.

In einem weiteren Schritt-s. Figur 2-wird der so be- schichtete Wafer zwischen Heizplatten 7,8 einer Druckvor- richtung angeordnet und die Trockenresistfolie 2 unter Druck -s. Pfeile F-und Warme planarisiert-s. Figur 3-, wobei das fotoempfindliche Material, betrachtet in Pfeilrichtung A, teils in die dämpfungsmassenfreien Zonen fließt.

Anschließend wird die fotoempfindliche Schicht 4 belichtet, die Schutzfolie 3 abgezogen und die belichtete fotoempfindli- che Schicht 4 entwickelt, womit der Herstellungsprozeß für die erste PROTEC-Lage abgeschlossen ist.

Als Ausgangsprodukt für die Erstellung der zur Schaffung der vollständigen Verkapselung erforderlichen zweiten PROTEC-Lage dient wiederum eine Trockenresistfolie vorstehend genannter Beschaffenheit, die mit ihrer fotoempfindlichen Schicht in an sich bekannter Weise auf die entwickelte planare Schicht 4 aufgebracht wird, wonach ihre fotoempfindliche Schicht be- lichtet, die Schutzfolie entfernt und die belichtete fotoemp- findliche Schicht entwickelt wird.

Ersatzweise kann an Stelle vorstehend erwähnter Trockenre- sistfolie für die zweite PROTEC-Lage mit ihrer temperaturbe- ständigen Schutzfolie eine Trockenresistfolie auf die entwik- kelte Schicht 4 aufgetragen werden, die eine nichttemperatur- beständige Schutzfolie, z. B. Polyolefinfolie, besitzt. In diesem Fall kann bei nicht ausreichender Durchlässigkeit für die verwendeten Wellenlängen die Belichtung der fotoempfind- lichen Schicht erst nach Entfernung der Schutzfolie erfolgen.

Zur endgültigen Verkapselung werden nach dem Auftrag und Ent- wickeln der zweiten fotoempfindlichen Schicht die entwickel- ten Schichten z. B. mittels UV-Strahlung und/oder thermisch ausgehärtet.

Beim Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel nach Figur 4 bis 7 wird eine Trockenresistfolie 12 für die erste PROTEC-Lage verwendet, die aus einem Verbund einer nichttemperaturbestän- digen Schutzfolie 13, z. B. einer Polyolefinfolie, mit einer fotoempfindlichen Schicht 14 besteht-s. Figur 4. Aufgrund ihrer nicht ausreichenden Wärmebständigkeit muß diese Schutz- folie vor dem bereits erläuterten Panarisieren entfernt-s.

Figur 5-und durch eine temperaturbeständige Trennfolie 15, z. B. eine Polyesterfolie, ersetzt werden. Diese Trennfolie weist auf ihrer zum Träger 1 gekehrten Oberfläche z. B. eine Silikonschicht oder eine Polytetrafluorethylenschicht (PTFE- Schicht) 17 auf, die beim anschließenden Planarisieren-s.

Figur 6-das Ankleben der fotoempfindlichen Schicht 14 an der Heizplatte 7 verhindert und das spätere Entfernen der Trennfolie 15 von der fotoempfindlichen Schicht 14 ermög- licht.

Nach erfolgtem Planarisieren wird-wie bereits anhand des ersten Ausführungsbeispieles beschrieben wurde-die Trennfo- lie 15 entfernt und anschließend die fotoempfindliche Schicht 14 belichtet und entwickelt, womit die erste PROTEC-Lage der Verkapselung geschaffen ist.

Die zweite PROTEC-Lage wird je nach verwendeter Folie wieder- um in einer der bereits beschriebenen Weisen für das erste Ausführungsbeispiel hergestellt, so daß es sich erübrigt, diese Herstellungsschritte erneut zu erläutern.

Bezugszeichenliste<BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> <BR> 1-Träger 2-Trockenresistfolie 3-Schutzfolie 4-fotoempfindliche Schicht <BR> <BR> <BR> 5-Dämpfungsmasse<BR> <BR> <BR> <BR> 6-Oberfläche 7,8-Heizplatten 12-Trockenresistfolie 13-Schutzfolie 14-fotoempfindliche Schicht 15-Trennfolie 17-Silikonschicht, PTFE-Schicht (Teflin, Fluorpolymere)