以下、図面を参照して、本発明のPDP(プラズ マディスプレイパネル)の具体的な実施の形� �を説明する。
 本発明のPDPの一実施の形態の概略構成図を� ��図1及び図2に示す。図1は、PDPの分解斜視図� ��示している。図2は、PDPの断面図を示してい る。

 図1及び図2に示すように、このPDPは、前� �側基板と背面側基板10とが対向して配置され 、これらの基板の間に放電空間が形成されて いる。

 背面側基板10は、基板11上にストライプ状の アドレス電極12が形成され、このアドレス電� ��12を被覆して、誘電体層13が形成されている 。そして、誘電体層13の上には、2つのアドレ ス電極12の間の部分において、ストライプ状� ��アドレス電極12と平行に、リブ(隔壁)14が形� ��されている。また、リブ(隔壁)14の側面及び 2つのリブ14の間の空間の底面に、蛍光体15が� ��成されており、この蛍光体15によって蛍光� �を構成している。
 前面側基板は、ガラス基板1と、ストライプ 状に形成された、サステインバス電極2及び� �キャンバス電極3と、これらの電極2,3を被覆� ��る誘電体層4とを有している。また、図11A及 び図11Bに示した構成と同様に、誘電体層4の� �面に、島状の電極(島電極)5が形成されてい� �。

 ここで、図1及び図2に示した本実施の形態� �PDPの要部の斜視図を図3Aに示し、前面側基板 の断面図を図3Bに示す。
 本実施の形態のPDPにおいては、図2に示した ように、前面側基板の島電極5を覆って、カ� �ーガラス6が設けられている。
 さらに、図3A及び図3Bに示すように、ストラ イプ状のサステインバス電極2及びスキャン� �ス電極3と直交する方向に並ぶ、2つの島電極 5の間において、カバーガラス6に誘電体層4に 達する開口部8が形成されており、この開口� �8の側壁7に島電極5の側面が臨んでいる構成� �なっている。

 本実施の形態のPDPは、このように構成され� ��いることにより、開口部8を挟んで対向し、 側面が開口部8に露出している2つの島電極5の 間で、図2に太い矢印で示す主放電を生じる� �即ち、面放電型構造ではなく、対向放電型� �造となっている。この主放電は、サステイ� �バス電極2及びスキャンバス電極3の間に、図 2に示すようなパルス電圧を印加することに� �り、発生させることができる。
 また、背面側基板10のアドレス電極12と、ス キャンバス電極3側にある島電極5との間で、� ��ドレス放電を生じる。

 そして、本実施の形態のPDPにおいては、図4 Aに示すように、放電前の電界は、側面が開� �部8に露出している2つの島電極5の間で生じ� �ので、対向する基板10の影響を受けない、こ れにより、強い電界強度が得られるので、放 電電圧を低くすることが可能になる。
 また、放電後、即ち負グローを形成した後� ��おいて、図4Bに示すように、負グロー20、陽 光柱が直線状に並び、電流の流れが阻害され ないので、放電の効率が良くなる。

 本実施の形態のPDPにおいて、前面側基板の� ��層の材料としては、それぞれ、以下に挙げ� ��材料を使用することができる。
 サステインバス電極2及びスキャンバス電極 3には、Ag,Ni,Cu等の導電性金属材料を用いるこ とができる。
 誘電体層4には、低融点ガラス等を用いるこ とができる。
 島電極5には、導電性であって、二次電子放 出能力が高く、イオン衝撃に強い材料を用い る。島電極5には、LaB6,Ni,Al,Ba等の導電性材料� ��用いることができる。
 カバーガラス6には、低融点ガラス等を用い ることができる。なお、カバーガラス6は誘� �体層4と同じ低融点ガラスでなくても構わな� ��。

 背面側基板10のガラス基板11、アドレス電極 12、誘電体層13、リブ14、蛍光体15には、従来� ��PDPに用いられている材料と、同様の材料を� ��いることができる。
 なお、図1及び図2では、リブ14が誘電体層13� ��は別に形成されているが、リブ14を誘電体� �13と同じ材料により、誘電体層13と一体化し� ��形成しても構わない。例えば、板状の低融� ��ガラスに対して、エッチング等によってス� ��ライプ状の溝を形成することにより、リブ1 4及び誘電体層13を一体化して形成することが 可能である。

 次に、本実施の形態のPDPにおける、画素の� ��列の一形態を、図5A及び図5Bの断面図を参照 して説明する。図5A及び図5Bは、いずれも島� �極5を通る断面における断面図であり、図5A� �アドレス電極12に平行な断面における断面図 を示し、図5Bは図5AのX-X(バス電極2,3に平行な� ��面)における断面図を示している。
 この図5A及び図5Bに示す画素の配列では、隣 接する画素とバス電極2,3を共通に形成してい る。
 そのため、この画素の配列の場合には、PDP� ��インターレース駆動によって駆動される。� ��ち、画素が一つ飛びに駆動される。

 この画素の配列の場合の、PDPの平面図を、� ��6Aに示す。また、図6Aの平面図に対応した、 図5Bと同様のバス電極2,3に平行な断面におけ� ��断面図を、図6Bに示す。
 図1及び図3Aでは、島電極5及びカバーガラス 6の開口部8を、いずれも、アドレス電極12と� �行な方向に長い矩形状のパターンとしてい� �。
 この図6Aに示す配列の場合には、島電極5が� ��方形に近いパターンとなっており、カバー� ��ラス6の開口部8がバス電極2,3に平行な方向� �長い矩形状のパターンとなっている。その� �の位置関係は、図1及び図3Aと同様である。

 続いて、本実施の形態のPDPの製造方法につ� ��て説明する。
 本実施の形態のPDPは、例えば以下のように� ��て、製造することができる。

 まず、図7Aに示すように、ガラス基板上� �、サステインバス電極2及びスキャンバス電� ��3を、ストライプ状のパターンに形成する。 例えば、スクリーン印刷により、Ag,N1,Cu等の� ��電性材料を形成する。

 次に、図7Bに示すように、サステインバ� �電極2及びスキャンバス電極3を覆って、誘電 体層4を形成する。例えば、スクリーン印刷� �より、低融点ガラスを形成する。

 次に、図7Cに示すように、誘電体層4上に� ��島電極5となる導電性材料21を、バス電極2,3� ��直交する方向のストライプ状に形成する。� ��えば、スクリーン印刷により、LaB6,Ni等の導 電性材料を形成する。

 次に、図8Dに示すように、導電性材料21を 覆って、カバーガラス6を形成する。例えば� �スクリーン印刷やコーティングにより、低� �点ガラスを形成する。

 次に、図8Eに示すように、サンドブラス� �やエッチング等により、カバーガラス6及び� ��の下の導電性材料21を除去する加工を行っ� �、誘電体層4に達する開口部8を形成する。こ れにより、ストライプ状であった導電性材料 21が島状に分離されて、この導電性材料21か� �成る島電極5が形成されると共に、島電極5の 側面が開口部8の側壁に露出する。

 そして、図示しないが、従来のPDPの製造工� ��と同様にして、背面側基板10を作製し、そ� �後、前面側基板と背面側基板とを組み立て� �。
 このようにして、本実施の形態のPDPを製造� ��ることができる。

 次に、図5~図6に示した配列とした場合の、� ��動方法の一形態を説明する。
 図5~図6に示した配列では、隣接する画素と� ��ス電極2,3を共用しているので、前述したよ� ��に、インターレース駆動を行う。

 図9の断面図に示すように、サステインバス 電極2のうち、第1のサステインバス電極SUS1、 第3のサステインバス電極SUS3、・・・という� ��うに、奇数番目のサステインバス電極2が、 奇数のサステイン配線(SUS Odd)に共通に接続� �れている。また、サステインバス電極2のう� ��、第2のサステインバス電極SUS2、図示しな� �第4のサステインバス電極SUS4、・・・という ように、偶数番目のサステインバス電極2が� �偶数のサステイン配線(SUS Even)に共通に接続 されている。
 一方、スキャンバス電極3(SCAN1,SCAN2,・・・)� ��、それぞれ独立している。
 それぞれのサステインバス電極SUS1,SUS2,SUS3,� ��・・及びスキャンバス電極SCAN1,SCAN2,・・・� ��、その下の島電極5との間には、静電容量C� �形成される。

 第1のサステインバス電極SUS1と、第1のスキ� ��ンバス電極SCAN1との間にある、第1の画素P1� �は、背面側基板10のアドレス電極12と第1のス キャンバス電極SCAN1との間でアドレス放電を� ��じ、第1のサステインバス電極SUS1の下の島� �極5と第1のスキャンバス電極SCAN1の下の島電� ��5との間で主放電を生じる。
 奇数番目のサステインバス電極2(SUS1,SUS3,・� ��・)が共通のサステイン配線SUS Oddに接続さ� ��ているので、この第1の画素P1の第1のサステ インバス電極SUS1に電圧が供給されていると� �に、第3のサステインバス電極SUS3にも電圧が 供給されているので、第3のサステインバス� �極SUS3の両側の第4の画素P4と第5の画素P5(図示 せず)についても、スキャンバス電極3への電� ��供給を行って、放電による画像表示を行う� ��とができる。
 一方、偶数番目のサステインバス電極2(SUS2, ・・・)の共通のサステイン配線SUS Evenに電� �が供給されているときには、偶数番目のサ� �テインバス電極2の両側の第2の画素P2及び第3 の画素P3について、スキャンバス電極3への電 圧供給を行って、放電による画像表示を行う ことができる。

 上述の本実施の形態によれば、前面側基板� ��島電極5を覆って、カバーガラス6が設けら� �、ストライプ状のサステインバス電極2及び� ��キャンバス電極3と直交する方向に並ぶ、2� �の島電極5の間において、カバーガラス6に誘 電体層4に達する開口部8が形成されており、� ��の開口部8の側壁7に島電極5の側面が臨んで� ��る構成となっている。
 これにより、開口部8を広く取れるので、放 電空間を広く確保して、輝度を高くすること ができる。
 また、開口部8に側面が臨む2つの島電極5の� ��で主放電を生じるので、負グロー20及び陽� �柱が、これら2つの島電極5の間で直線的に並 び、放電維持に必要な負グロー20が効率良く� ��成させる。さらに、負グロー20及び陽光柱� �、共に背面側基板10の蛍光体15を効率良く発� ��させることができる。

 そして、島電極5とバス電極2,3との間の誘電 体層4に形成される静電容量Cに蓄積された電� ��が、開口部8に望む側面という限定された面 積から、放電電流として放電空間に放出され るため、放電を安定して発生させることがで きる。
 さらに、開口部8の間のカバーガラス6で覆� �れた部分によって、隣接する画素と放電空� �が分離され、電界が2つの島電極5の間で直線 的に発生し、電界が上下方向に広がらない。 これにより、放電動作が隣接する画素と干渉 せず、また紫外線によるクロストークが発生 しないようにして、クロストークによる解像 度の低下を防止することができる。

 さらにまた、図7A~図8Eで説明した本実施� �形態の製造工程によれば、ストライプ状に� �成した導電性材料21及びその上のカバーガラ ス6を加工して、開口部8を形成することによ� ��、バス電極2,3と導電性材料21から成る島電� �5とを、位置合わせ精度良く形成することが� ��きる。

 上述の実施の形態では、隣接する画素で島� ��極5を共用しているが、本発明のPDPにおいて 、隣接する画素で島電極をそれぞれ独立して 形成することも可能である。
 その場合の実施の形態を、次に示す。

 本発明のPDPの他の実施の形態の概略構成図( 断面図)を、図10に示す。
 本実施の形態においては、特に、島電極5を 画素毎に独立させている点で、先の実施の形 態とは構成が異なっている。
 島電極5を画素毎に独立させたので、図示の 開口部8の左右にある、カバーガラス6に覆わ� ��ている部分のそれぞれに、2つの島電極5と� �1つのサステインバス電極2と、1つのスキャ� �バス電極3が設けられている。

 この図10の場合、開口部8の左のカバーガラ� ��6内のサステインバス電極2と、開口部8の右� ��カバーガラス6内のスキャンバス電極3とに� �それぞれ電圧を供給することにより、各電� �2,3の下にあって開口部8に臨んで対向する2つ の島電極5の間で、主放電を生じることにな� �。
 このようにして各画素で独立して駆動させ� ��ことができるため、インターレース駆動が� ��要になる。

 その他の構成は、先に示した実施の形態� ��同様であるので、重複説明を省略する。

 本実施の形態のPDPを製造する場合には、図7 A~図8Eに示した先の実施の形態の製造工程を� �部変更する必要がある。
 図7Aに示したバス電極2,3を形成する工程に� �いて、ストライプ状の導電性材料が2つずつ� ��接して並行するように形成する。
 図7Cに示した工程において、ストライプ状� �導電性材料21が、近接して並行するバス電極 2,3の間で分離されたパターンに形成する。そ のようなパターンでスクリーン印刷する方法 や、繋がったパターンに形成してから分離す る方法を、採用することが可能である。
 このように製造工程を一部変更するので、� ��や製造工程が難しくなる。

 なお、上述の各実施の形態では、島電極5 を前面側基板に配置して、蛍光体15を背面側� ��板10に形成した所謂反射型構造としている� �、本発明は、蛍光体を前面側に配置し、島� �極を背面側に配置した透過型構造のPDPにも� �用することができる。

 また、上述の各実施の形態では、開口部8を 誘電体層4に達するように形成していたが、� �らに誘電体層4をも除去して、ガラス基板1に 達するように開口部8を形成することも可能� �ある。
 ただし、この場合、バス電極2,3の周囲が誘� ��体層4に覆われた状態で残るように、誘電体 層4を除去する。
 なお、島電極5を前面側基板に配置した反射 型構造においては、このように誘電体層4を� �去した構成とすると、放電空間となる開口� �8において誘電体層4が除去されていることに より、放電により発光した光に対する、誘電 体層4の透過率の影響をなくすことができる� �これにより、誘電体層4の透過率を考慮する� ��要がなくなり、誘電体層4の材料の選択の幅 を広げることができる。

 また、島電極5の形状は、上述の各実施の形 態のような矩形状に限定されるものではなく 、他の形状も可能である。
 島電極5を矩形状とすると、図7C~図8Eに示し� ��各工程で、容易に島電極5を形成することが できる、という利点を有する。

 また、上述の各実施の形態では、島電極5を 覆ってカバーガラス6を形成していたが、本� �明において島状の電極を覆う被覆材は、絶� �性の被覆材であれば、その他の材料を使用� �ることも可能である。
 特に、放電空間となる開口部には被覆材が� ��成されていないので、被覆材の透過率の影� ��がないため、透過率の低い絶縁性材料を被� ��材に使用することも可能である。

 また、上述の各実施の形態では、リブ(隔 壁)14をストライプ状に形成していたが、本発 明においては、隔壁を、放電空間を画素毎に 分離するように、ボックス状や格子状に形成 しても構わない。

 本発明は、上述の実施の形態に限定され� ��ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない� ��囲でその他様々な構成が取り得る。