以下、一般式(I)で表される構造単位を有す� ��重合体を、重合体(A)と表現することもある� ��
 一般式中の各基の定義において、アルキル� ��しては、例えば、直鎖、分枝状、または環� ��の炭素数1~18のアルキルがあげられ、具体的 には、メチル、エチル、プロピル、イソプロ ピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ クチル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタ デシル、シクロプロピル、シクロブチル、シ クロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプ チル、シクロオクチル、シクロデカニル、シ クロドデカニル、アダマンチル、トリシクロ デカニル、テトラシクロドデカニル、ボルニ ル、ノルボルニル、イソノルボルニル、スピ ロヘプチル、スピロオクチル、メンチル等が あげられるが、中でも、炭素数1~6のアルキル が好ましい。

 R ¹ とR ² が隣接する炭素原子と一緒になって形成する シクロアルカン環としては、例えば、炭素数 3~8のシクロアルカン環があげられ、具体的に は、シクロプロパン環、シクロブタン環、シ クロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロ ヘプタン環、シクロオクタン環、シクロペン テン環、1,3-シクロペンタジエン環、シクロ� �キセン環、シクロヘキサジエン環等があげ� �れる。

 アリールとしては、例えば、炭素数6~14のア リールがあげられ、具体的には、フェニルや ナフチル等があげられる。
 アラルキルとしては、例えば、炭素数7~15の アラルキルがあげられ、具体的には、ベンジ ル、フェノチル、ナフチルメチル、ナフチル エチル等があげられる。
 酸素原子もしくは/および硫黄原子を含む複 素環基の好ましい具体例としては、例えば、 フリル基、テトラヒドロフリル基、ピラニル 基、テトラヒロドピラニル基、ジオキソラニ ル基、ジオキサニル基、チエニル基、テトラ ヒドロチエニル基、ジチオラニル基、ジチオ サニル基、オキサチオラニル基、チアントレ ニル基、ラクトニル基、チオラクトニル基、 2-オキソ-1,3-ジオキソラニル基、2-オキソ-1,3-� ��キサチオラニル基、2-チオキソ-1,3-ジオキソ ラニル基、2-チオキソ-1,3-オキサチオラニル� �等があげられる。

 R ² とR ³ が、CH-CH-Aと一緒になって形成する環として� �、好ましくは、5~7員環のものがあげられ、� �トラヒドロチオフェン環、テトラヒドロチ� �ピラン環、チアシクロペンタン環、テトラ� �ドロフラン環、テトラヒドロピラン環等が� �げられる。
 置換アルキルの置換基としては、例えば、� ��ドロキシル、アルコキシ、アルキルチオ、� ��リールオキシ、アリールチオ、アルカノイ� ��、メルカプト、オキソ、シアノ、ニトロ、� ��ロゲン原子、アルコキシカルボニル等があ� ��られる。アルコキシ、アルキルチオおよび� ��ルコキシカルボニルのアルキル部分は、前� ��のアルキルと同義である。アリールオキシ� ��よびアリールチオのアリール部分は、前記� ��アリールと同義である。アルカノイルとし� ��は、例えば、直鎖または分枝状の炭素数1~7� ��アルカノイルがあげられ、具体的には、ホ� ��ミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル� ��イソブチリル、バレリル、イソバレリル、� ��バロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル等� ��あげられる。ハロゲン原子としては、フッ� ��、塩素、臭素、ヨウ素の各原子があげられ� ��。

 置換アリールおよび置換アラルキルの置� ��基としては、例えば、アルキル、ヒドロキ� ��ル、アルコキシ、アルキルチオ、アリール� ��キシ、アリールチオ、アルカノイル、メル� ��プト、シアノ、ニトロ、ハロゲン原子、ア� ��コキシカルボニル等があげられる。ここで� ��アルキル、アルコキシ、アルキルチオおよ� ��アルコキシカルボニルのアルキル部分、ア� ��ールオキシおよびアリールチオのアリール� ��分、アルカノイルならびにハロゲン原子は� ��それぞれ前記と同義である。

 R ¹ とR ² が隣接する炭素原子と一緒になって形成する シクロアルカン環の置換基としては、置換も しくは非置換のアルキル、置換もしく非置換 のアリールまたは置換もしくは非置換のアラ ルキル等があげられ、これらは、それぞれ前 記と同義である。
 酸素原子もしくは/および硫黄原子を含む複 素環基の置換基としては、例えば、オキソ、 チオキソ、アルキル、アルコキシ、アルカノ イル、シアノ、ニトロ、ハロゲン原子、アル コキシカルボニル等があげられる。置換基の 定義において、アルキル、アルコキシおよび アルコキシカルボニルのアルキル部分、アル カノイルならびにハロゲン原子は、それぞれ 前記と同義である。

 重合体(A)において、R ¹ およびR ² が同一または異なって水素原子またはアルキ ルであり、R ³ がアルキルであり、R ⁴ がアルキルであり、R ⁵ およびR ⁶ がともに水素原子であり、nが1であるのが好� ��しい。
 重合体(A)は、例えば、一般式(III)

(式中、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ およびnは、前記と同義である)で表される構� ��単位を有する重合体と対応するビニルエー� ��ル、ビニルスルフィド、アルケニルエーテ� ��もしくはアルケニルスルフィドまたはその� ��ロゲン化物とを反応させることにより得る� ��とができる。
 一般式(III)の構造単位を有する重合体中の� �ドロキシル基と、対応するビニルエーテル� �ビニルスルフィド、アルケニルエーテルも� �くはアルケニルスルフィドまたはそのハロ� �ン化物の当量比(モル比)は、1:0.03~1:2である� �とが好ましい。

 反応温度は、0~150℃であるのが好ましく、� �らには0~100℃であるのが好ましく、さらには 0~50℃であるのがより好ましい。
 反応の際、酸触媒を使用してもよく、該酸� ��媒としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、� ��ン酸等の無機酸、メタンスルホン酸、p-ト� �エンスルホン酸等の有機酸等があげられ、� �でもp-トルエンスルホン酸が好ましい。該酸 触媒は、2種以上を組み合わせてもよい。該� �触媒の使用量は、特に限定されないが、一� �式(III)の構造単位を有する重合体中のヒドロ キシル基に対して、0.0001~0.5当量(モル比)であ るのが好ましく、0.001~0.1当量(モル比)である� ��がより好ましい。

 また、反応の際に、必要に応じて有機溶媒� ��使用してもよい。該有機溶媒としては、例� ��ば、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭� ��水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフ� ��ン等のエーテル系溶媒、アセトン、エチル� ��チルケトン、イソブチルメチルケトン等の� ��トン系溶媒等があげられる。これらは、1種 または2種以上を混合して用いてもよい。
 一般式(III)の構造単位を含有する重合体は� �その多くは市販品として入手可能であるが� �例えば、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-キ シレノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノ� ��ル、2,6-キシレノール、3,4-キシレノール、3, 5-キシレノール、2,3,4-トリメチルフェノール� ��2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチ� ��フェノール等のフェノール類と、例えば、� ��ルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、フル� ��ラル、アセトアルデヒド等のアルデヒド類� ��を酸性触媒(例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リ ン酸等の無機酸、p-トルエンスルホン酸等の� ��機酸等)の存在下、重縮合して製造してもよ い。前記のフェノール類およびアルデヒド類 はそれぞれ単独または2種以上組み合わせて� �いることができる。

 対応するビニルエーテルの具体例として� ��、例えば、エチルビニルエーテル、プロピ� ��ビニルエーテル、イソプロピルビニルエー� ��ル、ブチルビニルエーテル、イソブチルビ� ��ルエーテル、sec-ブチルビニルエーテル、ter t-ブチルビニルエーテル、ペンチルビニルエ� ��テル、ヘキシルビニルエーテル、ヘプチル� ��ニルエーテル、オクチルビニルエーテル、� ��ニルビニルエーテル、デシルビニルエーテ� ��、ドデシルビニルエーテル、シクロヘキシ� ��ビニルエーテル、エチレングリコールモノ� ��ニルエーテル、2-メトキシエチルビニルエ� �テル、2-エトキシエチルビニルエーテル、2-� ��トキシエチルビニルエーテル、パーフルオ� ��(プロピルビニルエーテル)等があげられる� �対応するビニルエーテルまたはそのハロゲ� �化物は、1種または2種以上組み合わせて用い ることができる。

 対応するビニルスルフィドの具体例として� ��、エチルビニルスルフィド、フェニルビニ� ��スルフィド等があげられる。対応するビニ� ��スルフィドまたはそのハロゲン化物は、1種 または2種以上組み合わせて用いることがで� �る。
 対応するアルケニルエーテルの具体例とし� ��は、例えば、1-メトキシ-2-メチルプロペン� �1-エトキシ-2-メチルプロペン、1-プロポキシ- 2-メチルプロペン、1-イソプロポキシ-2-メチ� �プロペン、1-ブトキシ-2-メチルプロペン、1-� ��ソブトキシ-2-メチルプロペン、1-(tert-ブト� �シ)-2-メチルプロペン、1-ペンチルオキシ-2-� �チルプロペン、1-イソペンチルオキシ-2-メチ ルプロペン、1-ネオペンチルオキシ-2-メチル� ��ロペン、1-(tert-ペンチルオキシ)-2-メチルプ� ��ペン、1-ヘキシルオキシ-2-メチルプロペン� �1-イソヘキシルオキシ-2-メチルプロペン、1-( 2-エチルヘキシルオキシ)-2-メチルプロペン、 1-ヘプチルオキシ-2-メチルプロペン、1-オク� �ルオキシ-2-メチルプロペン、1-ノニルオキシ -2-メチルプロペン、1-デカニルオキシ-2-メチ� ��プロペン、1-ドデカニルオキシ-2-メチルプ� �ペン、1-オクタデカニルオキシ-2-メチルプロ ペン、1-[(2-テトラヒドロフリル)メトキシ]-2-� ��チルプロペン、1-[(3-テトラヒドロフリル)メ トキシ]-2-メチルプロペン、1-(2-オキソプロポ キシ)-2-メチルプロペン、1-(3-オキソブトキシ )-2-メチルプロペン、1-メトキシ-2-メチル-1-ブ テン、1-エトキシ-2-メチル-1-ブテン、1-プロ� �キシ-2-メチル-1-ブテン、1-イソプロポキシ-2- メチル-1-ブテン、1-ブトキシ-2-メチル-1-ブテ� ��、1-イソブトキシ-2-メチル-1-ブテン、1-(tert- ブトキシ)-2-メチル-1-ブテン、1-ペンチルオキ シ-2-メチル-1-ブテン、1-イソペンチルオキシ- 2-メチル-1-ブテン、1-ネオペンチルオキシ-2-� �チル-1-ブテン、1-(tert-ペンチルオキシ)-2-メ� �ル-1-ブテン、1-ヘキシルオキシ-2-メチル-1-ブ テン、1-イソヘキシルオキシ-2-メチル-1-ブテ� ��、1-(2-エチルヘキシルオキシ)-2-メチル-1-ブ� ��ン、1-ヘプチルオキシ-2-メチル-1-ブテン、1- オクチルオキシ-2-メチル-1-ブテン、1-ノニル� ��キシ-2-メチル-1-ブテン、1-デカニルオキシ-2 -メチル-1-ブテン、1-ドデカニルオキシ-2-メチ ル-1-ブテン、1-オクタデカニルオキシ-2-メチ� ��-1-ブテン、1-メトキシ-2-エチル-1-ブテン、1- エトキシ-2-エチル-1-ブテン、1-プロポキシ-2-� ��チル-1-ブテン、1-イソプロポキシ-2-エチル-1 -ブテン、1-ブトキシ-2-エチル-1-ブテン、1-イ� ��ブトキシ-2-エチル-1-ブテン、1-(tert-ブトキ� �)-2-エチル-1-ブテン、1-ペンチルオキシ-2-エ� �ル-1-ブテン、1-イソペンチルオキシ-2-エチル -1-ブテン、1-ネオペンチルオキシ-2-エチル-1-� ��テン、1-(tert-ペンチルオキシ)-2-エチル-1-ブ� ��ン、1-ヘキシルオキシ-2-エチル-1-ブテン、1- イソヘキシルオキシ-2-エチル-1-ブテン、1-(2-� ��チルヘキシルオキシ)-2-エチル-1-ブテン、1-� ��プチルオキシ-2-エチル-1-ブテン、1-オクチ� �オキシ-2-エチル-1-ブテン、1-ノニルオキシ-2- エチル-1-ブテン、1-デカニルオキシ-2-エチル- 1-ブテン、1-ドデカニルオキシ-2-エチル-1-ブ� �ン、1-オクタデカニルオキシ-2-エチル-1-ブテ ン、1-(2-メトキシエトキシ)-2-メチルプロペン 、1-(2-エトキシエトキシ)-2-メチルプロペン、 1-(2-ブトキシエトキシ)-2-メチルプロペン、1-[ 2-(2-エトキシ)エトキシエトキシ]-2-メチルプ� �ペン、1-(2-エチルチオエトキシ)-2-メチルプ� �ペン、1-(2-メトキシエトキシ)-2-メチル-1-ブ� �ン、1-(2-エトキシエトキシ)-2-メチル-1-ブテ� �、1-(2-ブトキシエトキシ)-2-メチル-1-ブテン� �1-(2-メトキシエトキシ)-2-エチル-1-ブテン、1- (2-エトキシエトキシ)-2-エチル-1-ブテン、1-(2- ブトキシエトキシ)-2-エチル-1-ブテン、1-シク ロヘキシルオキシ-2-メチルプロペン、1-シク� ��ヘキシルオキシ-2-メチル-1-ブテン、1-シク� �ヘキシルオキシ-2-エチル-1-ブテン、2,3-ジヒ� ��ロフラン、3,4-ジヒドロ-2H-ピラン等があげ� �れる。対応するアルケニルエーテルまたは� �のハロゲン化物は、1種または2種以上組み合 わせて用いることができる。

 対応するアルケニルスルフィドの具体例と� ��ては、1-エチルチオ-2-メチルプロペン、1-フ ェニルチオ-2-メチルプロペン等があげられる 。対応するアルケニルスルフィドまたはその ハロゲン化物は、1種または2種以上組み合わ� ��て用いることができる。
 一般式(I)で表される構造単位を有する重合� ��の重量平均分子量は、1000~100000が好ましく� �1000~50000がより好ましい。

 放射線の照射により酸を発生する化合物� ��しては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩� ��スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオ� �シイミノまたはイミド型光酸発生剤、ベン� �インスルホネート型光酸発生剤、ピロガロ� �ルトリスルホネート型光酸発生剤、ニトロ� �ンジルスルホネート型光酸発生剤、スルホ� �型光酸発生剤、グリオキシム誘導体型の光� �発生剤等があげられ、中でも、スルホニウ� �塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメ� �ン、N-スルホニルオキシイミノまたはイミド 型光酸発生剤等が好ましい。これらは単独で または2種以上にて混合して用いることがで� �る。放射線としては、例えば、電子線、EUV(E xrtreme-ultra Violet)エキシマレーザー、DUV(Deep-ul tra Violet)エキシマレーザー、KrFエキシマレー ザー、ArFエキシマレーザー、g線、h線、i線等 の近紫外線、可視光、遠赤外線等をあげるこ とができる。 

 スルホニウム塩は、スルホニウムカチオ� ��とスルホネートの塩である。スルホニウム� ��チオンとしては、例えば、トリフェニルス� ��ホニウム、(4-tert-ブトキシフェニル)ジフェ� ��ルスルホニウム、ビス(4-tert-ブトキシフェ� �ル)フェニルスルホニウム、トリス(4-tert-ブ� �キシフェニル)スルホニウム、(3-tert-ブトキ� �フェニル)ジフェニルスルホニウム、ビス(3-t ert-ブトキシフェニル)フェニルスルホニウム� ��トリス(3-tert-ブトキシフェニル)スルホニウ� ��、(3,4-ジtert-ブトキシフェニル)ジフェニル� �ルホニウム、ビス(3,4-ジtert-ブトキシフェニ� ��)フェニルスルホニウム、トリス(3,4-ジtert-� �トキシフェニル)スルホニウム、ジフェニル( 4-チオフェノキシフェニル)スルホニウム、(4- tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニ� ��)ジフェニルスルホニウム、トリス(4-tert-ブ� ��キシカルボニルメチルオキシフェニル)スル ホニウム、(4-tert-ブトキシフェニル)ビス(4-ジ メチルアミノフェニル)スルホニウム、トリ� �(4-ジメチルアミノフェニル)スルホニウム、2 -ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチ� �-2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェ ニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェ� ��ルジメチルスルホニウム、トリメチルスル� ��ニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘ� �シルメチルスルホニウム、トリナフチルス� �ホニウム、トリベンジルスルホニウム等が� �げられる。スルホネートとしては、例えば� �トリフルオロメタンスルホネート、ノナフ� �オロブタンスルホネート、ヘプタデカフル� �ロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオ� �エタンスルホネート、ペンタフルオロベン� �ンスルホネート、4-トリフルオロメチルベン ゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスル� ��ネート、トルエンスルホネート、ベンゼン� ��ルホネート、4-(4-トルエンスルホニルオキ� �)ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホ� ��ート、カンファースルホネート、オクタン� ��ルホネート、ドデシルベンゼンスルホネー� ��、ブタンスルホネート、メタンスルホネー� ��等があげられる。

 ヨードニウム塩は、ヨードニウムカチオ� ��とスルホネートの塩である。ヨードニウム� ��チオンとしては、例えば、ジフェニルヨー� ��ニウム、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨード� ��ウム、(4-tert-ブトキシフェニル)フェニルヨ� ��ドニウム、(4-メトキシフェニル)フェニルヨ ードニウム等のアリールヨードニウムカチオ ン等があげられる。スルホネートとしては、 例えば、トリフルオロメタンスルホネート、 ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデ カフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリ フルオロエタンスルホネート、ペンタフルオ ロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメ� ��ルベンゼンスルホネート、4-フルオロベン� �ンスルホネート、トルエンスルホネート、� �ンゼンスルホネート、4-(4-トルエンスルホニ ルオキシ)ベンゼンスルホネート、ナフタレ� �スルホネート、カンファースルホネート、� �クタンスルホネート、ドデシルベンゼンス� �ホネート、ブタンスルホネート、メタンス� �ホネート等があげられる。

 スルホニルジアゾメタンとしては、例え� ��、ビス(エチルスルホニル)ジアゾメタン、� �ス(1-メチルプロピルスルホニル)ジアゾメタ� ��、ビス(2-メチルプロピルスルホニル)ジアゾ メタン、ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニル) ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホ� �ル)ジアゾメタン、ビス(パーフルオロイソプ ロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェ� ��ルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(4-メチル フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4- ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン� �ビス(2-ナフチルスルホニル)ジアゾメタン、( 4-メチルフェニル)スルホニルベンゾイルジア ゾメタン、(tert-ブチルカルボニル)-(4-メチル� ��ェニルスルホニル)ジアゾメタン、(2-ナフチ ルスルホニル)ベンゾイルジアゾメタン、(4-� �チルフェニルスルホニル)-(2-ナフトイル)ジ� �ゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジ� �ゾメタン、(tert-ブトキシカルボニル)-(4-メチ ルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等のビ� �スルホニルジアゾメタン、スルホニルカル� �ニルジアゾメタン等があげられる。

 N-スルホニルオキシイミノ型光酸発生剤� �しては、例えば、[5-(4-メチルフェニルスル� �ニルオキシイミノ)-5H-チオフェン-2-イリデン ]-(2-メチルフェニル)アセトニトリル、(5-プロ ピルスルホニルオキシイミノ-5H-チオフェン-2 -イリデン)-(2-メチルフェニル)アセトニトリ� �(CGI-1397)、(5-カンファースルホニルオキシイ� ��ノ-5H-チオフェン-2-イリデン)-(2-メチルフェ� ��ル)アセトニトリル、α-(9-カンファースルホ ニルオキシイミノ)-4-メトキシベンゼンアセ� �ニトリル、α-(4-メチルフェニルスルホニル� �キシイミノ)ベンゼンアセトニトリル、α-(4-� ��チルフェニルスルホニルオキシイミノ)-4-メ トキシベンゼンアセトニトリル等があげられ る。

 N-スルホニルオキシイミド型光酸発生剤� �しては、例えば、コハク酸イミド、ナフタ� �ンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、� �クロヘキシルジカルボン酸イミド、5-ノルボ ルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、7-オキサビ� �クロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボン酸イミ� �等のイミド骨格とトリフルオロメタンスル� �ネート、ノナフルオロブタンスルホネート� �ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート� �2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペ� �タフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフ ルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フル� ��ロベンゼンスルホネート、トルエンスルホ� ��ート、ベンゼンスルホネート、4-(4-トルエ� �スルホニルオキシ)ベンゼンスルホネート、� ��フタレンスルホネート、カンファースルホ� ��ート、オクタンスルホネート、ドデシルベ� ��ゼンスルホネート、ブタンスルホネート、� ��タンスルホネート等の組み合わせからなる� ��合物等があげられる。

 ベンゾインスルホネート型光酸発生剤とし� ��は、例えば、ベンゾイントシレート、ベン� ��インメシレート、ベンゾインブタンスルホ� ��ート等があげられる。
 ピロガロールトリスルホネート型光酸発生� ��としては、例えば、ピロガロール、フロロ� ��リシン、カテコール、レゾルシノール、ヒ� ��ロキノン等のヒドロキシル基の全てをトリ� ��ルオロメタンスルホネート、ノナフルオロ� ��タンスルホネート、ヘプタデカフルオロオ� ��タンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタ� ��スルホネート、ペンタフルオロベンゼンス� ��ホネート、4-トリフルオロメチルベンゼン� �ルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネー ト、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホ ネート、4-(4-トルエンスルホニルオキシ)ベン ゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート 、カンファースルホネート、オクタンスルホ ネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブ タンスルホネート、メタンスルホネート等で 置換した化合物等があげられる。

 ニトロベンジルスルホネート型光酸発生� ��としては、例えば、2,4-ジニトロベンジルス ルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート� ��2,6-ジニトロベンジルスルホネート等があげ られ、スルホネートとしては、具体的には、 トリフルオロメタンスルホネート、ノナフル オロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオ ロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロ エタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼ ンスルホネート、4-トリフルオロメチルベン� ��ンスルホネート、4-フルオロベンゼンスル� �ネート、トルエンスルホネート、ベンゼン� �ルホネート、4-(4-トルエンスルホニルオキシ )ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホ� �ート、カンファースルホネート、オクタン� �ルホネート、ドデシルベンゼンスルホネー� �、ブタンスルホネート、メタンスルホネー� �等があげられる。またベンジル側のニトロ� �をトリフルオロメチル基で置き換えた化合� �も同様に用いることができる。

 スルホン型光酸発生剤としては、例えば� ��ビス(フェニルスルホニル)メタン、ビス(4-� �チルフェニルスルホニル)メタン、ビス(2-ナ� ��チルスルホニル)メタン、2,2-ビス(フェニル� ��ルホニル)プロパン、2,2-ビス(4-メチルフェ� �ルスルホニル)プロパン、2,2-ビス(2-ナフチル スルホニル)プロパン、2-メチル-2-(p-トルエン スルホニル)プロピオフェノン、2-(シクロヘ� �シルカルボニル)-2-(p-トルエンスルホニル)プ ロパン、2,4-ジメチル-2-(p-トルエンスルホニ� �)ペンタン-3-オン等があげられる。

 グリオキシム誘導体型の光酸発生剤とし� ��は、例えば、ビス-O-(p-トルエンスルホニル) -α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(p-トルエ� �スルホニル)-α-ジフェニルグリオキシム、ビ ス-O-(p-トルエンスルホニル)-α-ジシクロヘキ� ��ルグリオキシム、ビス-O-(p-トルエンスルホ� ��ル)-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス- O-(p-トルエンスルホニル)-2-メチル-3,4-ペンタ� ��ジオングリオキシム、ビス-O-(n-ブタンスル� ��ニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(n-� �タンスルホニル)-α-ジフェニルグリオキシム 、ビス-O-(n-ブタンスルホニル)-α-ジシクロヘ� ��シルグリオキシム、ビス-O-(n-ブタンスルホ� ��ル)-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス- O-(n-ブタンスルホニル)-2-メチル-3,4-ペンタン� ��オングリオキシム、ビス-O-(メタンスルホニ ル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(トリフ ルオロメタンスルホニル)-α-ジメチルグリオ� ��シム、ビス-O-(1,1,1-トリフルオロエタンスル ホニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(ter t-ブタンスルホニル)-α-ジメチルグリオキシ� �、ビス-O-(パーフルオロオクタンスルホニル) -α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(シクロヘ� ��シルスルホニル)-α-ジメチルグリオキシム� �ビス-O-(ベンゼンスルホニル)-α-ジメチルグ� �オキシム、ビス-O-(p-フルオロベンゼンスル� �ニル)-α-ジメチルグリオキシム、ビス-O-(p-ter t-ブチルベンゼンスルホニル)-α-ジメチルグ� �オキシム、ビス-O-(キシレンスルホニル)-α-� �メチルグリオキシム、ビス-O-(カンファース� ��ホニル)-α-ジメチルグリオキシム等があげ� �れる。

 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物にお� ��て、放射線の照射により酸を発生する化合� ��の含有量としては、重合体(A)100重量部に対� ��て0.1~20重量部が好ましく、0.3~10重量部がよ� ��好ましい。上記放射線の照射により酸を発� ��する化合物は単独または2種以上混合して用 いてもよい。
 さらに、本発明のポジ型環放射線性樹脂組� ��物は、光増感剤、例えば、アントラセン類� ��アントラキノン類、クマリン類、ピロメテ� ��類等の色素を必要に応じて含有していても� ��い。

 一般式(II)で表される化合物の具体例とし ては、例えば、オルトギ酸トリメチル、オル トギ酸トリエチル、オルトギ酸ジエチルフェ ニル、オルトギ酸トリプロピル、オルトギ酸 トリイソプロピル、オルトギ酸トリブチル、 オルトギ酸トリイソブチル、オルトギ酸トリ -sec-ブチル、オルトギ酸トリ-tert-ブチル、オ� ��トギ酸トリペンチル、オルトギ酸トリヘキ� ��ル、オルトギ酸トリヘプチル、オルトギ酸� ��リオクチル、オルトギ酸トリノニル、オル� ��ギ酸トリデシル、オルトギ酸トリドデシル� ��オルトギ酸トリオクタデシル、オルト酢酸� ��リメチル、オルト酢酸トリエチル、オルト� ��酸トリプロピル、オルト酢酸トリイソプロ� ��ル、オルト酢酸トリブチル、オルト酢酸ト� ��イソブチル、オルト酢酸トリ-sec-ブチル、� �ルト酢酸トリ-tert-ブチル、オルト酢酸トリ� �ンチル、オルト酢酸トリヘキシル、オルト� �酸トリヘプチル、オルト酢酸トリオクチル� �オルト酢酸トリノニル、オルト酢酸トリデ� �ル、オルト酢酸トリドデシル、オルト酢酸� �リドデシル、オルト酢酸トリオクタデシル� �オルトプロピオン酸トリメチル、オルトプ� �ピオン酸トリエチル、オルトプロピオン酸� �リプロピル、オルトプロピオン酸トリイソ� �ロピル、オルトプロピオン酸トリブチル、� �ルトプロピオン酸トリイソブチル、オルト� �ロピオン酸トリ-sec-ブチル、オルトプロピオ ン酸トリ-tert-ブチル、オルトプロピオン酸ト リペンチル、オルトプロピオン酸トリヘキシ ル、オルトプロピオン酸トリヘプチル、オル トプロピオン酸トリオクチル、オルトプロピ オン酸トリノニル、オルトプロピオン酸トリ デシル、オルトプロピオン酸トリドデシル、 オルトプロピオン酸トリオクタデシル、オル ト酪酸トリメチル、オルト酪酸トリエチル、 オルト酪酸トリプロピル、オルト酪酸トリイ ソプロピル、オルト酪酸トリブチル、オルト 酪酸トリイソブチル、オルト酪酸トリ-sec-ブ� ��ル、オルト酪酸トリ-tert-ブチル、オルト酪� ��トリペンチル、オルト酪酸トリヘキシル、� ��ルト酪酸トリヘプチル、オルト酪酸トリオ� ��チル、オルト酪酸トリノニル、オルト酪酸� ��リデシル、オルト酪酸トリドデシル、オル� ��酪酸トリオクタデシル、オルトイソ酪酸ト� ��メチル、オルトイソ酪酸トリエチル、オル� ��イソ酪酸トリプロピル、オルトイソ酪酸ト� ��イソプロピル、オルトイソ酪酸トリブチル� ��オルトイソ酪酸トリイソブチル、オルトイ� ��酪酸トリ-sec-ブチル、オルトイソ酪酸トリ-t ert-ブチル、オルトイソ酪酸トリペンチル、� �ルトイソ酪酸トリヘキシル、オルトイソ酪� �トリヘプチル、オルトイソ酪酸トリオクチ� �、オルトイソ酪酸トリノニル、オルトイソ� �酸トリデシル、オルトイソ酪酸トリドデシ� �、オルトイソ酪酸トリオクタデシル、オル� �吉草酸トリメチル、オルト吉草酸トリエチ� �、オルト吉草酸トリプロピル、オルト吉草� �トリブチル、オルト吉草酸トリイソブチル� �オルト吉草酸トリ-sec-ブチル、オルト吉草酸 トリ-tert-ブチル、オルト吉草酸トリペンチル 、オルト吉草酸トリヘキシル、オルト吉草酸 トリヘプチル、オルト吉草酸トリオクチル、 オルト吉草酸トリノニル、オルト吉草酸トリ デシル、オルト吉草酸トリドデシル、オルト 吉草酸トリオクタデシル、オルトイソ吉草酸 トリメチル、オルトイソ吉草酸トリエチル、 オルトイソ吉草酸トリプロピル、オルトイソ 吉草酸トリイソプロピル、オルトイソ吉草酸 トリブチル、オルトイソ吉草酸トリイソブチ ル、オルトイソ吉草酸トリ-sec-ブチル、オル� ��イソ吉草酸トリ-tert-ブチル、オルトイソ吉� ��酸トリペンチル、オルトイソ吉草酸トリヘ� ��シル、オルトイソ吉草酸トリヘプチル、オ� ��トイソ吉草酸トリオクチル、オルトイソ吉� ��酸トリノニル、オルトイソ吉草酸トリデシ� ��、オルトイソ吉草酸トリドデシル、オルト� ��ソ吉草酸トリオクタデシル、オルトピバル� ��トリメチル、オルトピバル酸トリエチル、� ��ルトピバル酸トリプロピル、オルトピバル� ��トリイソプロピル、オルトピバル酸トリブ� ��ル、オルトピバル酸トリ-sec-ブチル、オル� �ピバル酸トリ-tert-ブチル、オルトピバル酸� �リペンチル、オルトピバル酸トリヘキシル� �オルトピバル酸トリヘプチル、オルトピバ� �酸トリオクチル、オルトピバル酸トリノニ� �、オルトピバル酸トリデシル、オルトピバ� �酸トリドデシル、オルトピバル酸トリオク� �デシル、オルトヘキサン酸トリメチル、オ� �トヘキサン酸トリエチル、オルトヘキサン� �トリプロピル、オルトヘキサン酸トリイソ� �ロピル、オルトヘキサン酸トリブチル、オ� �トヘキサン酸トリイソブチル、オルトヘキ� �ン酸トリ-sec-ブチル、オルトヘキサン酸トリ -tert-ブチル、オルトヘキサン酸トリペンチル 、オルトヘキサン酸トリヘキシル、オルトヘ キサン酸トリヘプチル、オルトヘキサン酸ト リオクチル、オルトヘキサン酸トリノニル、 オルトヘキサン酸トリデシル、オルトヘキサ ン酸トリドデシル、オルトヘキサン酸トリオ クタデシル、オルトヘプタン酸トリメチル、 オルトヘプタン酸トリエチル、オルトヘプタ ン酸トリプロピル、オルトヘプタン酸トリイ ソプロピル、オルトヘプタン酸トリブチル、 オルトヘプタン酸トリイソブチル、オルトヘ プタン酸トリ-sec-ブチル、オルトヘプタン酸� ��リ-tert-ブチル、オルトヘプタン酸トリペン� ��ル、オルトヘプタン酸トリヘキシル、オル� ��ヘプタン酸トリヘプチル、オルトヘプタン� ��トリオクチル、オルトヘプタン酸トリノニ� ��、オルトヘプタン酸トリデシル、オルトヘ� ��タン酸トリドデシル、オルトヘプタン酸ト� ��オクタデシル、オルトオクタン酸トリメチ� ��、オルトオクタン酸トリエチル、オルトオ� ��タン酸トリプロピル、オルトオクタン酸ト� ��イソプロピル、オルトオクタン酸トリブチ� ��、オルトオクタン酸トリイソブチル、オル� ��オクタン酸トリ-sec-ブチル、オルトオクタ� �酸トリ-tert-ブチル、オルトオクタン酸トリ� �ンチル、オルトオクタン酸トリヘキシル、� �ルトオクタン酸トリヘプチル、オルトオク� �ン酸トリオクチル、オルトオクタン酸トリ� �ニル、オルトオクタン酸トリデシル、オル� �オクタン酸トリドデシル、オルトオクタン� �トリオクタデシル等があげられ、1種または2 種以上組み合わせて用いることができる。

 一般式(II)で表される化合物としては、R ⁷ が水素原子または炭素数1~8のアルキルであり 、R ⁸ 、R ⁹ およびR ¹⁰ が炭素数1~8のアルキルであるのが好ましく、 さらには、R ⁷ が水素原子または炭素数1~8のアルキルであり 、R ⁸ 、R ⁹ およびR ¹⁰ が炭素数1~4のアルキルであるのがより好まし い。 
 一般式(II)で表される化合物の添加量は特に 限定されないが、好ましくは重合体(A)100重量 部に対して0.1~30重量部であり、より好ましく は0.1~20重量部である。

 本発明のポジ型環放射線性樹脂組成物に� ��有される有機溶剤としては、例えば、アセ� ��ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン� ��2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン� ��のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチ ル-3-メトキシブタノール、プロピレングリコ ールモノメチルエーテル、エチレングリコー ルモノメチルエーテル、プロピレングリコー ルモノエチルエーテル、プロピレングリコー ルジメチルエーテル、ジエチレングリコール ジメチルエーテル、エチレングリコール-tert- ブチルエーテルメチルエーテル(1-tert-ブトキ� ��-2-メトキシエタン)、エチレングリコール-te rt-ブチルエーテルエチルエーテル(1-tert-ブト� ��シ-2-エトキシエタン)等の直鎖または分枝状 のエーテル類、ジオキサン等の環状エーテル 類、プロピレングリコールモノメチルエーテ ルアセテート、プロピレングリコールモノエ チルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピル ビン酸エチル、酢酸ブチル、メチル-3-メトキ シプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピ オネート、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert -ブチル、β-メトキシイソ酪酸メチル等のエ� �テル類、キシレン、トルエン等の芳香族系� �剤等があげられる。これらの中では、レジ� �ト成分の溶解性、安全性が優れているプロ� �レングリコールモノメチルエーテルアセテ� �トが好ましく使用される。なお、上記有機� �剤は、単独または2種以上を組み合わせて用� ��ることができる。該有機溶媒の含有量は、� ��発明のポジ型環放射線性樹脂組成物中、0.1~ 80重量%であるのが好ましい。

 さらに本発明のポジ型感放射線性樹脂組� ��物は、例えば、ベンジルエチルエーテル、� ��ヘキシルエーテル、ジエチレングリコール� ��ノメチルエーテル、ジエチレングリコール� ��ノエチルエーテル、ジエチレングリコール� ��ノブチルエーテル、アセトニルアセトン、� ��ソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1-オ� �タノール、1-ノナノール、ベンジルアルコー ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ 酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロ ラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、 酢酸フェニルセロソルブ等の高沸点溶剤を含 有していてもよい。

 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、� ��基性化合物を含有してもよい。塩基性化合� ��の配合により、例えば、レジスト膜中での� ��の拡散速度が抑制されて解像度がより向上� ��、露光後の感度変化が抑制されたり、基板� ��環境依存性が少なくなり、露光余裕度やパ� ��ーンプロファイル等がより向上する。
 塩基性化合物としては、例えば、第一級、� ��二級または第三級の脂肪族アミン類、混成� ��ミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類� ��カルボキシル基を有する含窒素化合物、ス� ��ホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキ� ��フェニル基を有する含窒素化合物、アルコ� ��ル性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド� ��導体等があげられる。

 具体的には、第一級の脂肪族アミン類と� ��ては、アンモニア、メチルアミン、エチル� ��ミン、n-プロピルアミン、イソプロピルア� �ン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec -ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチル アミン、tert-アミルアミン、シクロペンチル� ��ミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルア� ��ン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノ� ��ルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン� ��セチルアミン、メチレンジアミン、エチレ� ��ジアミン、テトラエチレンペンタミン等が� ��示され、第二級の脂肪族アミン類としては� ��ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジn-プ� �ピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジn-ブ チルアミン、ジイソブチルアミン、ジsec-ブ� �ルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペ� �チルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロ� �キシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオク� �ルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミ� �、ジドデシルアミン、ジセチルアミン等が� �示され、第三級の脂肪族アミン類としては� �トリス(2-メトキシエチル)アミン、トリメチ� ��アミン、トリエチルアミン、トリn-プロピ� �アミン、トリイソプロピルアミン、トリn-ブ チルアミン、トリイソブチルアミン、トリsec -ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリ� �クロペンチルアミン、トリヘキシルアミン� �トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチル� �ミン、トリオクチルアミン、トリノニルア� �ン、トリデシルアミン、トリドデシルアミ� �、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチ ルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチ� ��エチレンジアミン等が例示される。

 混成アミン類の具体例としては、ベンジル� ��ミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチ� ��アミン等が例示される。
 芳香族アミン類および複素環アミン類の具� ��例としては、アニリン誘導体(例えば、アニ リン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン� �N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン� �2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メ� �ルアニリン、エチルアニリン、プロピルア� �リン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリ ン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2, 4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、 3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジ� ��、ジフェニル(p-トリル)アミン、メチルジフ ェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニ レンジアミン等)、ナフチルアミン、ジアミ� �ナフタレン、ピロール誘導体(例えば、ピロ� ��ル、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロー� ��、2,5-ジメチルピロール等)、オキサゾール� �導体(例えば、オキサゾール、イソオキサゾ� ��ル等)、チアゾール誘導体(例えば、チアゾ� �ル、イソチアゾール等)、イミダゾール誘導� ��(例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾ� ��ル、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等)、� ��ラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリ� ��誘導体(例えば、ピロリン、2-メチル-1-ピロ� ��ン等)、ピロリジン誘導体(例えば、ピロリ� �ン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン等)� �イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導� �、ピリジン誘導体(例えば、ピリジン、メチ� ��ピリジン、エチルピリジン、プロピルピリ� ��ン、ブチルピリジン、2-ヒドロキシピリジ� �、4-(1-ブチルペンチル)ピリジン、ジメチル� �リジン、トリメチルピリジン、トリエチル� �リジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェ ニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフ� �ニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキ� �ピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシ� �リジン、4-ピロリジノピリジン、2-(1-エチル� ��ロピル)ピリジン、アミノピリジン、ジメチ ルアミノピリジン等)、ピリダジン誘導体、� �リミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾ� �ン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジ� �誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘� �体、インドール誘導体、イソインドール誘� �体、インダゾール誘導体、インドリン誘導� �、キノリン誘導体(例えば、キノリン、3-キ� �リンカルボニトリル等)、イソキノリン誘導� ��、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、� ��ノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プ� ��ン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾー� ��誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリ� ��ン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナ� �トロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノ� �ン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘� �体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が� �示される。

 さらに、カルボキシル基を有する含窒素� ��合物としては、例えば、アミノ安息香酸、� ��ンドールカルボン酸、アミノ酸またはアミ� ��酸誘導体(例えば、ニコチン酸、アラニン、 アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸 、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グ リシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フ ェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-ア� ��ノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニ� ��等)等が例示され、スルホニル基を有する含 窒素化合物としては、例えば、3-ピリジンス� ��ホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウ� �等が例示され、ヒドロキシフェニル基を有� �る含窒素化合物等またはアルコール性含窒� �化合物としては、例えば、アミノクレゾー� �、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタ� �ールヒドレート、ジエタノールアミン、ト� �エタノールアミン、N-エチルジエタノールア ミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリ� �ソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタ� ��ール、2-アミノエタノール、3-アミノ-1-プロ パノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-(2-ヒド� �キシエチル)モルホリン、2-(2-ヒドロキシエ� �ル)ピリジン、1-(2-ヒドロキシエチル)ピペラ� ��ン、1-[2-(2-ヒドロキシエトキシ)エチル]ピペ ラジン、ピペリジンエタノール、1-(2-ヒドロ� ��シエチル)ピロリジン、1-(2-ヒドロキシエチ� ��)-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパ� �ジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオー� ��、8-ヒドロキシユロリジン、3-キヌクリジノ ール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジ� �エタノール、1-アジリジンエタノール、N-(2-� ��ドロキシエチル)フタルイミド、N-(2-ヒドロ� ��シエチル)イソニコチンアミド等が例示され る。アミド誘導体としては、ホルムアミド、 N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムア ミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド� ��N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミ ド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘 導体としては、フタルイミド、サクシンイミ ド、マレイミド等が例示される。

 塩基性化合物は、単独または2種以上を組み 合わせて用いることができ、その配合量は、 重合体(A)100重量部に対して0.01~5重量部である のが好ましく、0.01~2重量部であるのがより好 ましい。
 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、� ��布性を向上させるため、界面活性剤を含有� ��ていてもよい。

 界面活性剤としては、特に限定されるも� ��ではないが、例えば、ポリオキシエチレン� ��ウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ� ��アルエーテル、ポリオキシエチレンセチル� ��ーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー� ��ル等のポリオキシエチレンアルキルエーテ� ��類、ポリオキシエチレンオクチルフェニル� ��ーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニ� ��エーテル等のポリオキシエチレンアルキル� ��リールエーテル類、ポリオキシエチレンポ� ��オキシプロピレンブロックコポリマー類、� ��ルビタンモノラウレート、ソルビタンモノ� ��ルミテート、ソルビタンモノステアレート� ��のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキ� ��エチレンソルビタンモノラウレート、ポリ� ��キシエチレンソルビタンモノパルミテート� ��ポリオキシエチレンソルビタンモノステア� ��ート、ポリオキシエチレンソルビタントリ� ��レエート、ポリオキシエチレンソルビタン� ��リステアレート等のポリオキシエチレンソ� ��ビタン脂肪酸エステル等のノニオン系界面� ��性剤、エフトップEF301、EF303、EF352(いずれも トーケムプロダクツ社製)、メガファックF171� ��F172、F173(いずれも大日本インキ化学工業社� ��)、フロラードFC430、FC431(いずれも住友スリ� ��エム社製)、アサヒガードAG710、サーフロンS -381、S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106 、サーフィノールE1004,KH-10、KH-20、KH-30、KH-40( いずれも旭硝子社製)等のフッ素系界面活性� �、オルガノシロキサンポリマーKP341、X-70-092� ��X-70-093(いずれも信越化学工業社製)、アクリ ル酸系またはメタクリル酸系ポリフローNo.75� ��No.95(いずれも共栄社油脂化学工業社製)等が あげられる。界面活性剤は、単独または2種� �上を組み合わせて用いることができ、その� �合量は、重合体(A)100重量部に対して0.01~2重� �部であるのが好ましく、0.1~1重量部であるの がより好ましい。

 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は、� ��像度をより向上させるために、溶解阻止剤� ��含有していてもよい。
 溶解阻止剤としては、分子内にフェノール� ��ヒドロキシル基を2つ以上有する化合物の該 フェノール性ヒドロキシル基の水素原子がter t-ブチル、tert-ブトキシカルボニル、ブトキ� �カルボニルメチル、2-テトラヒドロピラニル 、2-テトラヒドロフラニル、エトキシエチル� ��エトキシプロピル等の酸不安定基により全� ��として平均10~100モル%の割合で置換された化 合物が好ましい。前記の化合物の重量平均分 子量は、100~1,000であるのが好ましく、150~800� �あるのがより好ましい。溶解阻止剤の配合� �は、重合体(A)100重量部に対して0.01~50重量部� ��あるのが好ましく、5~40重量部であるのがよ り好ましく、さらに好ましくは10~30重量部で� ��り、これらは単独または2種以上を混合して 使用できる。

 溶解阻止剤としては、例えば、ビス[4-(2� �-テトラヒドロピラニルオキシ)フェニル]メ� �ン、ビス[4-(2’-テトラヒドロフラニルオキ� �)フェニル]メタン、ビス(4-tert-ブトキシフェ� ��ル)メタン、ビス(4-tert-ブトキシカルボニル� ��キシフェニル)メタン、ビス(4-tert-ブトキシ� ��ルボニルメチルオキシフェニル)メタン、ビ ス[4-(1’-エトキシエトキシ)フェニル]メタン� ��ビス[4-(1’-エトキシプロピルオキシ)フェニ ル]メタン、2,2-ビス[4’-(2’’-テトラヒドロ� ��ラニルオキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[ 4’-(2’’-テトラヒドロフラニルオキシ)フェ ニル]プロパン、2,2-ビス(4’-tert-ブトキシフ� �ニル)プロパン、2,2-ビス(4’-tert-ブトキシカ� ��ボニルオキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(4 -tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニ ル)プロパン、2,2-ビス[4’-(1’’-エトキシエ� ��キシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4’-(1’� �-エトキシプロピルオキシ)フェニル]プロパ� �、4,4-ビス[4’-(2’’-テトラヒドロピラニル� ��キシ)フェニル]吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス[4 ’-(2’’-テトラヒドロフラニルオキシ)フェ� ��ル]吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス(4’-tert-ブト� ��シフェニル)吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス(4’- tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)吉草 酸tert-ブチル、4,4-ビス(4’-tert-ブトキシカル� ��ニルメチルオキシフェニル)吉草酸tert-ブチ� ��、4,4-ビス[4’-(1’’-エトキシエトキシ)フ� �ニル]吉草酸tert-ブチル、4,4-ビス[4’-(1’’-� ��トキシプロピルオキシ)フェニル]吉草酸tert- ブチル、トリス[4-(2’-テトラヒドロピラニル オキシ)フェニル]メタン、トリス[4-(2’-テト� ��ヒドロフラニルオキシ)フェニル)メタン、� �リス(4-tert-ブトキシフェニル)メタン、トリ� �(4-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル)� �タン、トリス(4-tert-ブトキシカルボニルメチ ルオキシフェニル)メタン、トリス[4-(1’-エ� �キシエトキシ)フェニル]メタン、トリス[4-(1� ��-エトキシプロピルオキシ)フェニル]メタン� ��1,1,2-トリス[4’-(2’’-テトラヒドロピラニ� ��オキシ)フェニル]エタン、1,1,2-トリス[4’-(2 ’’-テトラヒドロフラニルオキシ)フェニル] エタン、1,1,2-トリス(4’-tert-ブトキシフェニ� ��)エタン、1,1,2-トリス(4’-tert-ブトキシカル� ��ニルオキシフェニル)エタン、1,1,2-トリス(4� ��-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェ� ��ル)エタン、1,1,2-トリス[4’-(1’’-エトキシ エトキシ)フェニル]エタン、1,1,2-トリス[4’-( 1’’-エトキシプロピルオキシ)フェニル]エ� �ン等があげられる。

 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は� ��必要に応じて、ハレーションの防止等を目� ��として、紫外線吸収剤、例えば、2,2’,4,4’ -テトラヒドロキシベンゾフェノン、4-ジメチ ルアミノ-2’,4’-ジヒドロキシベンゾフェノ� ��、5-アミノ-3-メチル-1-フェニル-4-(4-ヒドロ� �シフェニルアゾ)ピラゾール、4-ジメチルア� �ノ-4’-ヒドロキシアゾベンゼン、4-ジエチル アミノ-4’-エトキシアゾベンゼン、4-ジエチ� ��アミノアゾベンゼン、クルクミン、1,7-ビス (3-メトキシ-4-ヒドロキシフェニル)-1,6-ヘプタ ジエン-3,5-ジオン、5-ヒドロキシ-4-(4-メトキ� �フェニルアゾ)-3-メチル-1-フェニルピラゾー� ��等を含有していてもよい。紫外線吸収剤は� ��単独でまたは2種以上を組み合わせて用いる ことができ、その配合量は、重合体(A)100重量 部に対して0.01~2重量部であるのが好ましく、 0.01~1重量部であるのがより好ましい。

 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物に他� ��樹脂や改質材あるいは可塑剤を含有させる� ��とにより、該化学増幅型レジスト組成物の� ��撓性を向上させ、レジスト膜に強靭性を付� ��することができる。
 他の樹脂としては、特に限定されるもので� ��ないが、例えば、前記重合性不飽和単量体� ��単独重合体または共重合体、多酸塩基と多� ��基酸の縮合反応によって得られるポリエス� ��ル樹脂、前記フェノールまたはクレゾール� ��アルデヒドとの縮合反応によって得られる� ��ェノール樹脂、ポリオールとイソシアナー� ��から得られるポリウレタン樹脂、環状また� ��非環状アルキル基をもつエポキシ樹脂およ� ��その誘導体等が挙げられる。これらの樹脂� ��単独でもあるいは2種以上混合して用いるこ とができる。また、これらの樹脂の重量平均 分子量は、1,000~1,000,000が好ましく、3,000~600,00 0がより好ましい。

 改質材としては、特に限定されるもので� ��ないが、例えば、ポリエチレングリコール� ��ポリプロピレングリコール、ポリブタジエ� ��ポリオールおよびポリオレフィン系ポリオ� ��ル、α-ヒドロキシエチル-ω-ヒドロキシメチ ルポリ(1-エトキシエチレン)(協和発酵ケミカ� ��(株)製)、ポリテトラメチレンエーテルグリ� ��ール、ポリマーポリオール、ポリエステル� ��リオール、ポリカプロラクトンポリオール� ��ポリカーボネートポリオール等のグリコー� ��、あるいはポリブタジエン系ジカルボン酸� ��の多塩基酸オリゴマー等が挙げられる。こ� ��らのオリゴマーは単独でもあるいは2種以上 混合して用いる事ができる。また、これらの 樹脂の重量平均分子量は、300~30,000が好まし� �、500~10,000がより好ましい。

 可塑剤としては、特に限定されるものでは� ��いが、例えばジオクチルフタレート、ジイ� ��ノニルフタレート、ジイソデシルフタレー� ��、ジトリデシルフタレート等のフタル酸系� ��塑剤 、ジブチルアジペート、ジオクチル� �ジペート等のアジピン酸系可塑剤、あるい� �コハク酸、2,4-ジエチルグルタル酸等の多塩� ��酸エステルが挙げられる。
 他の樹脂や改質材あるいは可塑剤の配合量� ��、本発明の化学増幅型レジスト組成物に対� ��て0.1~50重量%が好ましく、0.5~30重量%がより� �ましい。

 さらに、本発明のポジ型感放射線性樹脂組� ��物は、必要に応じて保存安定剤、消泡剤等� ��含有していてもよい。
 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物を用� ��たレジストパターンの好適な形成方法につ� ��て、以下に説明する。
 例えば、シリコン基板上に、本発明のポジ� ��感放射線性樹脂組成物および必要に応じて� ��基性化合物を均一に溶かして得られる溶液� ��、スピンナー、スリットコーター等で塗布� ��、塗膜を形成する。

 次いで、この塗膜が形成されたシリコン� ��板を60~140℃で加熱乾燥(プリベーク)して感� �層を形成させる。次いで、放射線を発生す� �光源、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、� �高圧水銀灯、キセノンランプなどを用い、� �望のマスクパターンを介して選択的露光を� �う。露光後、塗膜が形成されたシリコン基� �を60~140℃で加熱処理をした後、アルカリ現� �に付することにより、例えば、該シリコン� �板に1~10重量%テトラメチルアンモニウムヒド ロキシド(TMAH)水溶液のようなアルカリ性水溶 液をカーテンフロー方式等により塗布するか 、または、該シリコン基板をアルカリ水溶液 に浸漬等し、洗浄、乾燥することにより、ポ ジ型レジストパターンを形成することができ る。

 アルカリ現像液としては、例えば、水酸� ��ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ� ��ム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム� ��アンモニア水、エチルアミン、n-プロピル� �ミン、ジエチルアミン、ジn-プロピルアミン 、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン 、ジメチルエタノールアミン、トリエタノー ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロ キシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキ シド(TMAH)、コリン、ピロール、ピペリジン等 を水に溶解して得られるアルカリ性水溶液等 が使用される。また該現像液には、水溶性有 機溶媒、例えばメタノール、エタノール等の アルコール類や界面活性剤を適量添加して使 用することもできる。

 なお、実施例においては、ポジ型感放射線� ��樹脂組成物は、液状であるが、フィルム状� ��たはペースト状であってもよい。
 以下、参考例、実施例および試験例により� ��本発明をさらに具体的に説明するが、本発� ��はこれらの実施例等に制限されるものでは� ��い。
合成例1:攪拌機、冷却管および温度計を装着� ��たフラスコに、エチルメチルケトン100g、ノ ボラック樹脂EP-4000B(旭有機材工業株式会社製 )100gを仕込み、室温で溶解させた。その後、1 -クロロ-1-プロポキシ-2-メチルプロパン31.0gお よびトリエチルアミン23.7gを添加し、室温で2 時間反応を行った。反応後、水洗および分液 を行い、得られた油層から溶媒を減圧留去す ることにより目的とする樹脂(P-1)105gを得た。 この樹脂(P-1)の ¹ H-NMR分析より、ヒドロキシル基の保護率は20� �ル%であった。
合成例2:ノボラック樹脂EP-4000B(旭有機材工業� ��式会社製)とエチルビニルエーテルを酸触媒 存在下、公知の方法により反応させて、前記 樹脂のヒドロキシル基が1-エトキシエチル基� ��保護された樹脂(P-2)を得た。この樹脂(P-2)の ¹ H-NMR分析より、ヒドロキシル基の保護率は20� �ル%であった。
合成例3:合成例1において、1-クロロ-1-プロポ� ��シ-2-メチルプロパンのかわりに1-クロロ-1-� �クロヘキシルオキシ-2-メチルプロパンを用� �た以外は同様の条件により反応および後処� �を行うことにより目的とする樹脂(P-3)を得た 。この樹脂(P-3)の ¹ H-NMR分析より、ヒドロキシル基の保護率は20� �ル%であった。
合成例4:合成例1において、1-クロロ-1-プロポ� ��シ-2-メチルプロパンのかわりに1-クロロ-1-(2 -エチルチオ)エトキシ-2-メチルプロパンを用� ��た以外は同様の条件により反応および後処� ��を行うことにより目的とする樹脂(P-4)を得� �。この樹脂(P-4)の ¹ H-NMR分析より、ヒドロキシル基の保護率は20� �ル%であった。