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Patent Searching and Data


Title:
POWER CONVERTER, DISCHARGE LAMP BALLAST AND HEADLIGHT BALLAST
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/130808
Kind Code:
A1
Abstract:
A power converter includes a conversion circuit, a control circuit, a simulation circuit and a detection circuit. The conversion circuit includes a magnet element and a switching element for power conversion and is structured to convert power from a power source into DC power. The control circuit is structured to supply a high frequency signal for turning ON and OFF the switching element to the conversion circuit. The simulation circuit is structured to generate a simulation signal for simulating a state or a change of a magnetic flux of the magnetic element. The detection circuit is structured to correspond to at least one of an input and an output of the conversion circuit, and generate a signal which is superposed on the simulation signal and forms a superposition signal. The control circuit determines an ON-period of the high frequency signal based on the superposition signal.

Inventors:
NAKAMURA TOSHIAKI (JP)
Application Number:
PCT/JP2008/065535
Publication Date:
October 29, 2009
Filing Date:
August 29, 2008
Export Citation:
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Assignee:
PANASONIC ELEC WORKS CO LTD (JP)
NAKAMURA TOSHIAKI (JP)
International Classes:
H02M3/28; H05B41/282
Foreign References:
JPH04322159A1992-11-12
JP2004282962A2004-10-07
JP2004087339A2004-03-18
JP2004531199A2004-10-07
JPH03195362A1991-08-26
JPS6399767A1988-05-02
JP2000340385A2000-12-08
JPH08182314A1996-07-12
JP2004087339A2004-03-18
JP2007238563A2007-09-20
Other References:
See also references of EP 2280474A4
Attorney, Agent or Firm:
NISHIKAWA, Yoshikiyo et al. (JP)
Yoshikiyo Nishikawa (JP)
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Claims:
 電力変換用の磁性素子及びスイッチング素子を含み、(a) 該スイッチング素子が高周波信号に従ってオンしたときに電源からの電流を該磁性素子に供給してエネルギーを該磁性素子に蓄積し、(b) 該スイッチング素子が該高周波信号に従ってオフしたときに該磁性素子に蓄積されたエネルギーを放出し、(c) それにより該電源からの電力を直流電力に変換するように構成される変換回路と、
 該高周波信号を該変換回路に供給するように構成される制御回路と
 を備える電力変換装置であって、
 該電力変換装置は、
 該磁性素子の磁束の状態又は変化を模擬する模擬信号を生成するように構成される模擬回路と、
 該変換回路の入力及び出力の少なくとも一つに対応し、該模擬信号に重畳されて重畳信号を形成する信号を生成するように構成される検知回路と
 を更に備え、
 該制御回路は、該重畳信号に基づいて該高周波信号のオン期間を定める
 電力変換装置。
 該検知回路で生成される該信号は、該磁性素子の磁束の直流成分に対応する請求項1記載の電力変換装置。
 該変換回路の入力又は出力が増大したとき、該検知回路で生成される該信号に加えられる変動の傾きの極性は、該磁性素子の磁束の増大期間における該模擬信号の傾きの極性と同じである請求項1記載の電力変換装置。
 該制御回路は、該重畳信号を指令信号と比較し、該重畳信号のレベルが該指令信号のレベルを超えれば該スイッチング素子をオフするように構成され、
 該磁性素子は巻線を含み、
 該模擬回路は、該巻線の全部又は一部からの信号によって充電及び放電されるキャパシタを含み、
 該重畳信号は、該変換回路の入力及び出力の少なくとも一つに対応する該信号を、該キャパシタの電圧又は該キャパシタの電圧に対応する電圧に重畳することによって生成される
 請求項1記載の電力変換装置。
 該制御回路は、該重畳信号を指令信号と比較し、該重畳信号のレベルが該指令信号のレベルを超えれば該スイッチング素子をオフするように構成され、
 該磁性素子は巻線を含み、
 該模擬回路は、該巻線の全部又は一部からの信号によって充電及び放電されるキャパシタを含み、
 該重畳信号は、該変換回路の入力及び出力の少なくとも一つに対応する該信号によって可変される電流信号を該キャパシタへの充電電流に合成することによって生成される
 請求項1記載の電力変換装置。
 該検知回路で生成される該信号は、該変換回路の入力電流、入力電力、出力電流、出力電圧及び出力電力の少なくとも一つに対応する請求項1記載の電力変換装置。
 請求項1~6の何れか1項に記載の電力変換装置と、
 該電力変換装置からの直流電力を交流電力に変換するように構成されるインバータ回路と
 を備える放電ランプバラスト。
 請求項7の放電ランプバラストと、
 灯体を有し、その中に放電ランプ及びランプソケットを含むヘッドライト本体と
 を備え、
 該放電ランプバラストは、該ソケットを介して該交流電力を該放電ランプに供給するように構成される
 前照灯バラスト。
Description:
電力変換装置、放電ランプバラ ト及び前照灯バラスト

 本発明は一般に電力変換装置、より詳細 は、電力変換用の磁性素子を含む電力変換 置、該電力変換装置を含む放電ランプバラ ト、及び該電力変換装置を含む前照灯バラ トに関するものである。

 日本国特許出願公開番号2000-340385は、放 ランプ(例えば、高輝度放電(HID)ランプ)用バ ストを記載している。該バラスト(以下「第 1従来技術」という)は、DC-DC変換回路、イン ータ回路、始動回路及び出力制御回路を含 、特にDC-DC変換回路及び出力制御回路によっ て特徴付けられる。

 DC-DC変換回路は、DC(直流)電源からの電圧 指定の電圧に変換するフライバックコンバ タであり、1次及び2次巻線を持つトランス スイッチング素子、ダイオード及びキャパ タを有する。1次巻線は第1及び第2端を有し 1次巻線の第1端はDC電源の正端子と接続され 。スイッチング素子は1次巻線の第2端とDC電 源の負端子との間に接続される。2次巻線は 1及び第2端を有し、2次巻線の第1端はダイオ ドのアノードと接続される。キャパシタは 1及び第2端を有し、これらは、それぞれダ オードのカソード及び2次巻線の第2端と接続 される。2次巻線の第2端の極性は、1次巻線の 第1端のそれと同じである。

 出力制御回路は、臨界モード及び連続モ ドの何れかによって、スイッチング素子を ン及びオフするように構成される。

 臨界モードでは、スイッチング素子は、2 次巻線側を流れる2次電流がゼロに達したと にオンされ、1次巻線側を流れる1次電流が、 1次側ピーク電流用の指令値に達したときに フされる。1次側ピーク電流用の指令値は、 流指令値及びDC-DC変換回路の出力電流から られる。電流指令値は、DC-DC変換回路の出力 電圧、即ちキャパシタの電圧から算出される 。

 連続モードでは、2次電流がゼロより大き くても、スイッチング素子は、スイッチング 素子のオフ期間が最大オフ期間を超えたとき にオンされる。高輝度放電ランプでは、ラン プ温度が低くければ、2次電流の(時間軸に対 る)傾きがランプ電圧の低下によって緩やか になり、2次電流がゼロに達するまでのオフ 間が長くなる。それ故に、スイッチング素 のスイッチング周波数が低下し、指定の出 を得るための1次電流のピーク値が増大し、 のことが、該スイッチング素子のピーク電 の増大、該トランスの大型化、及び該キャ シタの大型化を招く。特にその影響は、高 度放電ランプが車両に使用されるときに増 される。ランプ温度が低ければ、光出力を 早く増大させるために、定常状態と比較し 過大な電力を該ランプに印加する必要があ からである。この連続モードでは、スイッ ング周波数の過度な低下を防止することが きる。

 2次電流のゼロ点は直接的及び間接的に検 出することができるが、1次電流は、1次側ピ ク電流用の指令値と比較する必要があるの 、実際の1次電流に対応する信号によって検 出する必要がある。

 一般に、1次電流は抵抗を通じて検出され る。例えば、日本国特許出願公開番号H8-182314 では、1次巻線の電流は、電流センサを通じ 検出され、電流センサは抵抗である。しか 、抵抗を電流センサに使用すれば、電力損 が発生する。特に、高負荷電力及び低入力 圧では、スイッチング電流を流れる電流が 大されるので、大型の抵抗を電流センサに 用しなければならない。低抵抗を電流セン に使用すれば、電力損失を低減することが きるが、センサ信号が低減されて外乱(ノイ )に影響されやすくなる。

 日本国特許出願公開番号2004-87339に記載さ れた放電ランプバラスト(以下「第2従来技術 という)は、該電流センサの課題を解決する ことができる。第2従来技術は、第1従来技術 ものと同様に構成されるDC-DC変換回路を含 、のこぎり歯発振器からの信号(電圧)値及び 指令値に基づいて、DC-DC変換回路のスイッチ グ素子をオン及びオフするように構成され 。詳しくは、指令値は、PWM指令値であり、D C-DC変換回路の出力電圧及び出力電流に応じ 生成される。DC-DC変換回路のスイッチング素 子は、のこぎり歯発振器からの信号値が該指 令値よりも小さければオンされ、そうでなけ ればオフされる。要するに、第2従来技術は DC-DC変換回路の1次側を流れる電流を検出す ための電流センサを必要としない。また、 こぎり歯発振器の出力を高めることができ 外乱の影響を更に低減することができる。

 しかしながら、第2従来技術の連続モード において、入力電圧又は負荷電圧が僅かに変 動するか、スイッチング素子のオフタイミン グがノイズなどによって僅かにずれると、出 力電力が大きく変動し得る。詳しくは、スイ ッチング素子がオフされているときに、出力 電圧が僅かに上昇すれば、2次巻線を流れる 流の傾きが大きくなる。続いて、スイッチ グ素子がオンしたとき、1次巻線を流れる電 の初期値が低下する。スイッチング素子の ン期間は、出力検出の遅延及びフィードバ ク制御の遅延等によって、直ぐには変わら い。そのため、スイッチング素子がオフす とき、1次巻線を流れる電流のピーク値が低 下する。DC-DC変換回路の出力電力は、1次巻線 を流れるピーク電流の2乗に比例するので、 かなピーク電流のずれが出力電力に大きな 響を与える。加えて、負性抵抗特性を持つ 電ランプでは、ランプ電圧は出力低下に応 て上昇する。それにより、DC-DC変換回路の出 力電圧が更に上昇し、出力が低減される。同 様に、出力の増大が大きな変動をもたらす。

 他方、第1従来技術では、DC-DC変換回路の 出力が急変しても、1次側ピーク電流用の指 令値は変わらない。このため、第1従来技術 、出力電力への影響をほとんど持たず、フ ードバック制御の応答性が遅くても小さな 力変動範囲内に収まる。従って、第1従来技 は、第2従来技術と比べて高い出力電力安定 性を持つ。

 第2従来技術は電流センサを持たないので 、出力電力は、DC-DC変換回路の出力電圧及び 力電流に基づいて調整しなければならない 従って、フィードバック制御が遅ければ、 力変動が増大される。このため、フィード ック制御のゲインを増大すれば、応答性を くすることができるが、フィードバック制 の安定性が損なわれる。また、スイッチン 素子の許容電流の増大及びトランスの飽和 回避するために、過電流保護器が電流セン に代えて必要である。

 本発明の目的は、磁性素子の磁束の状態 は変化から得られる模擬信号に基づいて、 ィードバック制御の安定性を確保しながら 特に連続モードにおける出力の変動を抑制 ることにある。

 本願発明の電力変換装置は、変換回路及 制御回路を備える。変換回路は、電力変換 の磁性素子及びスイッチング素子を含む。 た、該変換回路は、(a) 該スイッチング素 が高周波信号に従ってオンしたときに電源 らの電流を該磁性素子に供給してエネルギ を該磁性素子に蓄積し、(b) 該スイッチング 素子が該高周波信号に従ってオフしたときに 該磁性素子に蓄積されたエネルギーを放出し 、(c) それにより該電源からの電力を直流電 に変換するように構成される。該制御回路 、該高周波信号を該変換回路に供給するよ に構成される。本発明の特徴に従って、電 変換装置は、模擬回路及び検知回路を更に える。該模擬回路は、該磁性素子の磁束の 態又は変化を模擬する模擬信号を生成する うに構成される。該検知回路は、該変換回 の入力及び出力の少なくとも一つに対応し 該模擬信号に重畳されて重畳信号を形成す 信号を生成するように構成される。該制御 路は、該重畳信号に基づいて該高周波信号 オン期間を定める。

 この発明では、磁性素子の磁束の状態又 変化から得られる模擬信号に基づいて、フ ードバック制御の安定性を確保しながら、 に連続モードにおける出力の変動を抑制す ことができる。

 一実施形態において、該検知回路で生成 れる該信号は、該磁性素子の磁束の直流成 に対応する。

 一実施形態において、該変換回路の入力 は出力が増大したとき、該検知回路で生成 れる該信号に加えられる変動の傾きの極性 、該磁性素子の磁束の増大期間(即ち、該ス イッチング素子のオン期間)における該模擬 号の傾きの極性と同じである。例えば、該 知回路で生成される該信号(検知信号)が、該 変換回路の出力信号であるとき、幾つかの組 合せがある。該出力信号及び該模擬信号の各 々が正の信号である場合において、該出力信 号が、該重畳信号の増大期間において負荷変 動により増大されれば、該検知信号(出力信 )が更に増大されるので、該重畳信号が更に 大される。なぜなら、該負荷変動によって 検知信号に加えられる変動の傾きの極性が 該磁性素子の磁束の増大期間における該模 信号の傾きの極性と同じであるからである その結果、該スイッチング素子のオン期間 短くなり、該変換回路の出力の増大が抑制 れる。同様に、該出力及び模擬信号が、そ ぞれ負及び正の信号である場合において、 出力信号が、該磁性素子の磁束の増大期間 おいて負荷変動により増大されれば、該重 信号が更に増大される。その結果、該スイ チング素子のオン期間が短くなり、該変換 路の出力の増大が抑制される。該出力及び 擬信号がそれぞれ正及び負の信号であり、 磁性素子の磁束の増大期間における該模擬 号の傾きの極性が負である場合において、 力変換装置を、出力信号が、負荷変動によ て増大するときに負の傾きを持つように構 すれば、該変換回路の出力の変動を抑制す ことができる。ここで、該変換回路の出力 負荷変動により増大するとき、その増大時 は、該スイッチング素子のオン期間よりも めて短い。また、該変換回路の入力が増大 たときも、上記組合せと同様に幾つかの組 せがある。

 一実施形態において、該制御回路は、該 畳信号を指令信号と比較し、該重畳信号の ベルが該指令信号のレベルを超えれば該ス ッチング素子をオフするように構成される 該磁性素子は巻線を含む。該模擬回路は、 巻線の全部又は一部からの信号によって充 及び放電されるキャパシタを含む。該重畳 号は、該変換回路の入力及び出力の少なく も一つに対応する該信号を、該キャパシタ 電圧又は該キャパシタの電圧に対応する電 に重畳することによって生成される。

 一実施形態において、該制御回路は、該 畳信号を指令信号と比較し、該重畳信号の ベルが該指令信号のレベルを超えれば該ス ッチング素子をオフするように構成される 該磁性素子は巻線を含む。該模擬回路は、 巻線の全部又は一部からの信号によって充 及び放電されるキャパシタを含む。該重畳 号は、該変換回路の入力及び出力の少なく も一つに対応する該信号によって可変され 電流信号を該キャパシタへの充電電流に合 することによって生成される。

 一実施形態において、該検知回路で生成 れる該信号は、該変換回路の入力電流、入 電力、出力電流、出力電圧及び出力電力の なくとも一つに対応する。

 本発明の放電ランプバラストは、前記電 変換装置と、該電力変換装置からの直流電 を交流電力に変換するように構成されるイ バータ回路とを備える。

 本発明の前照灯バラストは、前記放電ラ プバラストと、灯体を有し、その中に放電 ンプ及びランプソケットを含むヘッドライ 本体とを備える。該放電ランプバラストは 該ソケットを介して該交流電力を該放電ラ プに供給するように構成される。

 本発明の好ましい実施形態をさらに詳細に 述する。本発明の他の特徴および利点は、 下の詳細な記述および添付図面に関連して 層良く理解されるものである。
本発明の電力変換装置の基本構成を例 する。 関連する技術、即ち2007年9月13日付け日 本国特許出願番号2007-238563、題して“電力変 装置”の概要図である。 該関連する技術の一例を例示する。 該関連する技術の別例を例示する。 該関連する技術の課題の説明図である 本発明の電力変換装置の別の基本構成 例示する。 本発明の第1実施形態による電力変換装 置の概要図である。 電力変換装置の代替例を例示する。 本発明の第2実施形態による電力変換装 置の概要図である。 本発明の第3実施形態による電力変換 置の概要図である。 本発明の第4実施形態による電力変換 置の概要図である。 本発明の第5実施形態による電力変換 置の概要図である。 本発明の第6実施形態による電力変換 置の概要図である。 本発明の第7実施形態による前照灯バ ストの概要図である。

 (基本構成)
 図1は本発明の電力変換装置の基本構成を示 す。該電力変換装置は、DC-DC変換回路1及び制 御回路2を含み、例えば第1従来技術と同様に 放電ランプバラスト又は前照灯バラスト等 組み込むことができる。それらバラストの 々では、インバータ回路、始動回路及び放 ランプ等が更に具備される。第1従来技術と 同様に、インバータ回路は、DC-DC変換回路1の 出力電圧(DC電圧)を交流電圧に変換するため フルブリッジインバータ回路、及び該フル リッジインバータ回路の4つのスイッチング 子用のドライブ回路から構成することがで る。始動回路は、インバータ回路の出力電 を受けて放電ランプを始動するための高電 パルスを発生するように構成することがで る。放電ランプは、例えば高輝度放電ラン であってもよい。なお、これに限らず、負 は、発光ダイオード等でもよい。それらの 成は、当業者に周知であり、ここでは更に 細に説明しない。

 DC-DC変換回路1は、電力変換用の磁性素子 びスイッチング素子を含み、エネルギーを 積及び放出するように構成される。即ち、 路1は、該スイッチング素子が高周波信号に 従ってオンしたときに電源からの電流を該磁 性素子に供給してエネルギーを該磁性素子に 蓄積する。また、回路1は、該スイッチング 子が該高周波信号に従ってオフしたときに 磁性素子に蓄積されたエネルギーを放出す 。図1の例では、回路1は、1次及び2次巻線101 び102を持つトランス10、スイッチング素子11 、ダイオード12及びキャパシタ13を有し、DC( 流)電源7からの電圧を指定の電圧に変換する ように構成される。1次巻線101は第1及び第2端 を有し、1次巻線101の第1端はDC電源7の正端子 接続される。スイッチング素子は1次巻線101 の第2端とDC電源7の負端子との間に接続され 。2次巻線102は第1及び第2端を有し、2次巻線1 02の第1端はダイオード12のカソードと接続さ る。キャパシタ13は第1及び第2端を有し、こ れらは、それぞれダイオード12のアノード及 2次巻線102の第2端と接続される。なお、DC-DC 変換回路1は、図1の構成に限らず、チョッパ 路でもよく、或いはチョッパ回路及びイン ータ回路の複合回路等でもよい。

 制御回路2は、DC-DC変換回路1におけるスイ ッチング素子11の制御端子(ゲート)に高周波 号を供給するように構成される。詳しくは 制御回路2は、発振器20、コンパレータ21、RS リップフロップ22、ドライブ回路23、模擬回 路3、検知回路4及び加算回路6を有し、模擬回 路3及び検知回路4によって特徴付けられる。

 RSフリップフロップ22のセット入力“S” びリセット入力“R”は、それぞれ発振器20 出力及びコンパレータ21の出力と接続される 一方、RSフリップフロップ22の出力“Q”は、 ライブ回路23を介してスイッチング素子11の 制御端子と接続される。一例において、スイ ッチング素子11のスイッチング周期は、DC-DC 換回路1の入力及び出力条件に応じて調整し もよい。スイッチング素子11のオンタイミ グは、磁性素子に蓄積されるエネルギーに って決定してもよい。例えば、スイッチン 素子11を磁束のゼロに応じてオンしてもよい 。

 模擬回路3は、磁性素子(トランス10)の磁 の状態又は変化を近似的に模擬する模擬信 S3を生成するように構成される。検知回路4 、DC-DC変換回路1の入力及び出力の少なくと 一つ(図1では出力)に対応し、加算回路6で模 信号S3に重畳されて重畳信号S21を形成する 号(図1では“S4”)を生成するように構成され る。信号S4の極性は、磁束が増大するときの 号S4の傾きの極性が、出力が例えば負荷変 によって増大するときの出力の傾きの極性 一致するように設定される。重畳信号S21は コンパレータ21の非反転入力に供給される。 また、オン期間の指令信号がコンパレータ21 反転入力に供給される。該指令信号は、ス ッチング素子11のオフタイミング(オン期間) を決めるための信号である。

 該基本構成では、スイッチング素子11の ン期間を重畳信号S21によって調整してDC-DC変 換回路1の出力を制御することができる。し も、重畳信号S21は、信号S3及びS4から得られ ので、トランス又はインダクタ等の磁性素 を流れる電流を直接検出する必要がない。

 ここで、本発明の発明者は、関連する技 、即ち2007年9月13日付け日本国特許出願番号 2007-238563、題して“電力変換装置”を出願し いる。

 図2は該関連する技術の概要図である。該 関連する技術は、DC-DC変換回路1及び制御回路 2を含む。該関連する技術のDC-DC変換回路1は 該基本構成のそれと同様に構成される。他 、該関連する技術の制御回路2は、発振器20 コンパレータ21、RSフリップフロップ22、ド イブ回路23及び模擬回路3を、該基本構成と 様に有するが、検知回路4及び加算回路6にそ れぞれ対応する回路は有さない。つまり、模 擬信号S3のみがコンパレータ21の非反転入力 供給され、スイッチング素子11のオン期間が 定められる。

 図3は該関連する技術の一例を示す。図3 おいて、該関連する技術の模擬回路3は、キ パシタ30、該キャパシタ30を放電するための 電流信号源31、該キャパシタ30を充電するた の電流信号源32、及び電流信号源31及び32の 方をキャパシタ30に接続するためのスイッチ 33から構成される。スイッチ33は、スイッチ グ素子11のスイッチング周波数と同期して制 御される。つまり、スイッチ33は、RSフリッ フロップ22の出力“Q”からのスイッチング 号によって制御される。詳しくは、スイッ ング素子11がオンされると、キャパシタ30は 電流信号源32と接続されて充電される。ス ッチング素子11がオフされると、キャパシタ 30は、電流信号源31と接続されて放電される 要するに、模擬信号S3はキャパシタ30の電圧 あり、これは、電流信号源31及び32による電 流の時間積分に対応する。

 該関連する技術の動作を説明する。発振 20が、スイッチング素子11をオンするための 信号をRSフリップフロップ22のセット入力“S に供給すれば、RSフリップフロップ22の出力 “Q”がHighになる。その結果、スイッチング 子11がドライブ回路23(図示しない)を介して ンされると同時に、キャパシタ30が電流信 源32と接続されて充電される。その後、コン パレータ21は、キャパシタ30から得られる模 信号S3をオン期間の指令信号と比較し、信号 S3のレベルが該指令信号のレベルを超えれば スイッチング素子11をオフするための信号 RSフリップフロップ22のリセット入力“R”に 供給する。それにより、RSフリップフロップ2 2の出力“Q”がLowになる。その結果、スイッ ング素子11が、ドライブ回路23を介してオフ されると同時に、キャパシタ30が電流信号源3 1と接続されて放電される。

 該関連する技術では、模擬信号が磁性素 の電圧の時間積分によって生成され、スイ チング素子11が模擬信号によってオフされ ので、1次巻線を流れる電流を検出するため 電流センサは不要である。磁性素子の電圧 、直接検出してもよく、あるいはDC-DC変換 路1の入力電圧及び出力電圧とスイッチング 子のスイッチング状態等から間接的に検出 てもよい。電流センサは不要であるので、 型の抵抗は不要であり、電力損失を回避す ことができる。また、DC-DC変換回路1の出力 安定性を高めることができる。

 図4は該関連する技術の別例を示す。図4 おいて、該関連する技術の模擬回路3は、キ パシタ30及び抵抗34(ローパスフィルタ)から 成される。キャパシタ30は、2次巻線102の電 によって充電及び放電される。

 しかしながら、該関連する技術では、磁 素子の磁束の直流成分が、模擬信号に現れ い。それ故に、連続モードにおいて、キャ シタ30の電圧が所定電圧に達すると、DC-DC変 換回路1の出力電力は、図5に示すように一定 なる。この場合、模擬信号のレベルがオン 間の指令信号のレベルを超えることができ いので、スイッチング素子11のオフタイミ グを定めることができない。磁束の瞬間的 変動は、連続モードでも模擬信号に現れる で、短時間の出力変動に追随することがで る。しかし、磁束の平均的な変動について 、実際の出力の検出及びフィードバック制 が必要であり、フィードバック制御のゲイ を高速応答のために上げる必要がある。結 、安定性が損なわれる。

 図1の基本構成では、信号S4を磁性素子の 束の直流成分とみなすことができ、その信 S4が模擬信号S3に重畳される。それ故に、模 擬信号が、連続モードでもDC-DC変換回路1の出 力電圧の増大に応じて増大するので、模擬信 号のレベルがオン期間の指令信号のレベルを 超えることができる。積分回路又はローパス フィルタ等で構成される模擬回路3では、模 信号の振幅を模擬回路3の各素子定数を調整 ることによって大きくすることができ、外 の影響を低減することができる。

 図6は本発明の電力変換装置の別の基本構 成を示す。図6の基本構成では、検知回路4が 知回路5と取り替えられる。検知回路5は、DC -DC変換回路1の入力に対応し、加算回路6で模 信号S3に重畳されて重畳信号S21を形成する 号“S5”を生成するように構成される。

 一例において、磁性素子に対する電力、 圧及び電流の少なくとも一つに対応する信 が、信号S4又はS5として利用される。放電ラ ンプバラスト又は前照灯バラストが、図1又 図6の電力変換装置を含み、高輝度放電ラン に使用されるとき、磁性素子を流れる電流 対応する信号を信号S4又はS5として利用する ことが望ましい。ランプ電圧の変動が緩やか である一方、ランプ電流の変動が大きいから である。

 (第1実施形態)
 図7は本発明の第1実施形態による電力変換 置を示す。第1実施形態における電力変換装 は、図1の基本構成を持ち、誤差増幅回路24 更に含む。明瞭のため、同様の要素には、 1で表されたのと同じ符号が割り当てられる 。

 誤差増幅回路24は、外部からの出力指令 応じて、DC-DC変換回路1の出力電圧及び出力 流を検出し、出力電圧及び出力電流の誤差 算によってオン期間の指令信号を生成する うに構成される。DC-DC変換回路1の出力電圧 、ダイオード12及びキャパシタ13の接合点か 例えば分圧器(図示しない)を通じて検出さ る。DC-DC変換回路1の出力電流は、後述の検 回路4から得られる。該指令信号は、コンパ ータ21の反転入力に供給される。

 第1実施形態の特徴において、模擬回路3 、抵抗34及び35及びキャパシタ30を有し、キ パシタ30を、抵抗34を介して得られる2次巻線 102の電圧によって充電及び放電するように構 成される。また、2次巻線102は、第1及び第2端 に加えて中間タップを持ち、2次巻線102の第2 の極性は、1次巻線101の第2端のそれと同じ ある。詳しくは、抵抗34及びキャパシタ30は ーパスフィルタを構成する。抵抗34は第1及 第2端を有し、抵抗34の第1端は、2次巻線102 中間タップと接続される。キャパシタ30は第 1及び第2端を有し、これらは、それぞれ抵抗3 4の第2端及び2次巻線102の第2端と接続される また、抵抗34及びキャパシタ30の接合点はコ パレータ21の非反転入力と接続される。従 て、2次巻線102の電圧の一部が、抵抗34を介 てキャパシタ30に印加される。それ故に、ロ ーパスフィルタの各素子の許容電圧を下げる ことができる。なお、これに限らず、2次巻 102の電圧の全部を、抵抗34を介してキャパシ タ30に印加してもよい。

 キャパシタ30の電圧がDC-DC変換回路1の出力 圧(負電圧)によって負電位に移行するのを防 止するため、抵抗35は、抵抗34及びキャパシ 30の接合点と基準電圧源(V 1 )との間に接続される。即ち、オフセット電 がキャパシタ30に印加される。

 検知回路4は、DC-DC変換回路1の出力(出力 流)に対応し、2次巻線102及び検知回路4の接 点で模擬信号に重畳されて重畳信号S21を形 する信号を生成するように構成される。図7 例では、回路4は、2次巻線102の第2端とDC電 7の負端子との間に接続される抵抗40を持つ 2次巻線102及び抵抗40の接合点は、図1の加算 路6に対応する。

 キャパシタ30の電圧とトランス10の磁束との 関係を説明する。トランス10の磁束φは、
  φ=(1/N 2 )・∫V 2 dt
によって与えられ、ここで、N 2 は2次巻線102の巻数であり、V 2 は2次巻線102の電圧である。従って、トラン 10の磁束φを、2次巻線102の電圧の時間積分に よって模擬することができる。

 スイッチング周期の間の入力及び出力電圧 変動は小さいので、磁束φは、
  φ=V 2 ・t/N 2
によって近似することができ、ここでtは時 である。つまり、トランス10の磁束φは2次巻 線102の電圧と時間との積に比例する。

 スイッチング素子11のオン期間及びオフ期 がローパスフィルタの時定数より小さけれ 、キャパシタ30の電圧変動δVは、
  δV=k・V 2 ・t/(R T ・C T )
によって与えられ、ここで、kは1以下の正の であり、R T はキャパシタ30の静電容量であり、C T は抵抗34の抵抗値である。例えば、該オン期 及びオフ期間は、該時定数の5分の1以下で る。

 電圧変動δVは、磁束φの近似式と同様に 2次巻線102の電圧と時間との積に比例するの 、キャパシタ30の電圧を、該磁性素子(トラ ス10)の磁束の状態又は変化を模擬する模擬 号として利用することができる。

 第1実施形態の動作を説明する。発振器20 、スイッチング素子11をオンするための信 を、RSフリップフロップ22のセット入力“S” に供給すれば、RSフリップフロップ22の出力 Q”がHigh(ターンオン信号)になる。その結果 スイッチング素子11が、ドライブ回路23(図 しない)を介してオンされる。

 スイッチング素子11がオンされれば、ト ンス10の磁束が増大し、またキャパシタ30が 電されて模擬信号を発生する。模擬信号は キャパシタ30の第1端の電位がその第2端の電 位に対して増大するので、時間軸に対して正 の傾きを持つ電圧信号となる。また、電流が 、キャパシタ13の第2端(正端子)、抵抗40、外 回路(例えばインバータ回路)及びキャパシタ 13の第1端(負端子)を流れるので、正電圧が抵 40に発生する。従って、抵抗40、即ち検知回 路4の信号は、DC-DC変換回路1の出力(出力電流) に対応する。抵抗40の信号は模擬信号に重畳 れ、それにより重畳信号S21が生成される。 畳信号S21は、コンパレータ21の非反転入力 供給され、コンパレータ21の反転入力に供給 されるオン期間の指令信号と比較される。そ の後、重畳信号S21のレベルが該指令信号のレ ベルを超えれば、コンパレータ21は、スイッ ング素子11をオフするための信号(リセット 号)を、RSフリップフロップ22のリセット入 “R”に供給する。それにより、RSフリップ ロップ22の出力“Q”がLow(ターンオフ信号)に なる結果、スイッチング素子11がドライブ回 23を介してオフされる。ここで、重畳信号S2 1の増大期間において、DC-DC変換回路1の出力 例えば負荷変動により増大されるとき、抵 40の信号の極性は、模擬信号の極性に対して 加極性である。詳しくは、検知回路4の信号 加えられる変動の傾きの極性は、模擬信号 傾きの極性と同じであり、それらの各々は である。その結果、スイッチング素子11のオ ン期間が短くなり、DC-DC変換回路1の出力の増 大が抑制される。

 スイッチング素子11がオフされれば、負 圧が2次巻線102に発生し、キャパシタ13が充 され、またキャパシタ30が放電される。それ 故に、キャパシタ30の電圧が低下し、キャパ タ30は模擬信号を発生する。該模擬信号は DC-DC変換回路1の出力電圧(スイッチング素子 オフされたときに2次巻線に生じた負の電圧 )に対応した負の傾きを持つ。また、DC-DC変換 回路1の出力電流が抵抗40を流れ、正電圧が抵 抗40に発生するので、DC-DC変換回路1の出力に 応する信号が模擬信号に重畳され、それに り重畳信号S21が生成される。その後、発振 20が、スイッチング素子11をオンするための 信号を、RSフリップフロップ22のセット入力 S”に供給すれば、RSフリップフロップ22の出 力“Q”がHighになり、スイッチング素子11が ンされ、同様の動作が繰り返される。

 第1実施形態では、検知回路4(抵抗40)の信 (出力電流)がトランス10の磁束の直流成分と して利用される。それ故に、連続モードにお いて、模擬信号が磁束の直流成分がカットさ れた信号であっても、スイッチング素子11の ン及びオフタイミングを、トランス10を流 る電流に応じて調整することができる。そ により、DC-DC変換回路1の出力電圧の安定性 高めることができる。また、模擬信号のレ ルを、キャパシタ30の静電容量等を調整する ことによって増大することができるので、外 乱の影響を低減することができる。

 代替例において、図8に示すように、電力 変換装置は、正電圧を外部回路(例えばイン ータ回路)に印加するように構成され、2次側 の各信号の極性は、第1実施形態の対応する 号のそれと逆になる。即ち、2次巻線102の第1 端の極性は、1次巻線101の第2端のそれと同じ あり、ダイオード12のアノード及びカソー は、それぞれ2次巻線102の第1端及びキャパシ タ13の第1端と接続される。この例では、重畳 信号のレベルがオン期間の指令信号のレベル を下回れば、コンパレータ21は、スイッチン 素子11をオフするための信号(リセット信号) をRSフリップフロップ22のリセット入力“R” 供給する。また、抵抗40の信号は負電圧で る。スイッチング素子11のオン期間において 、DC-DC変換回路1の出力が例えば負荷変動によ り増大されるとき、抵抗40の信号の極性は、 擬信号の極性に対して加極性である。詳し は、抵抗40の信号に加えられる変動の傾き 極性は、磁束の増大期間における模擬信号 傾きの極性と同じであり、それらの各々は である。従って、第1実施形態と同様の動作 び効果が得られる。このように、本発明は 複数の組合せに適用可能である(「発明の開 示」参照)。

 (第2実施形態)
 図9は本発明の第2実施形態による電力変換 置を示す。第2実施形態における電力変換装 は、図1の基本構成を持つ。明瞭のため、同 様の要素には、図1及び7で表されたのと同じ 号が割り当てられる。

 第2実施形態の電力変換装置は、第1実施 態のものと異なる検知回路4によって特徴付 られる。即ち、該回路4は、DC-DC変換回路1の 出力(出力電圧)に対応し、抵抗34及びキャパ タ30の接合点で模擬信号S3に重畳されて重畳 号S21を形成する信号S4を生成するように構 される。DC-DC変換回路1の出力が負電圧であ ので、検知回路4は、限定されないが、抵抗4 1~43及び演算増幅器44を有し、これらは反転増 幅器を構成する。抵抗41は第1及び第2端を有 、抵抗41の第1端はダイオード12及びキャパシ タ13の接合点と接続される。また、抵抗41の 2端は、演算増幅器44の反転入力と接続され 。抵抗42は第1及び第2端を有し、これらは、 れぞれ演算増幅器44の反転入力及び出力と 続される。抵抗42は第1及び第2端を有し、抵 42の第1端は演算増幅器44の出力と接続され 。また、抵抗42の第2端は、抵抗34及びキャパ シタ30の接合点と接続される。抵抗34及びキ パシタ30の接合点は、図1の加算回路6に対応 、模擬信号S3への信号S4の重畳比は、抵抗34 び43の電圧分圧比によって定められる。

 第2実施形態では、検知回路4の信号(出力 圧)がトランス10の磁束の直流成分として利 される。それ故に、連続モードにおいて、 擬信号が磁束の直流成分がカットされた信 であっても、スイッチング素子11のオン及 オフタイミングを、トランス10を流れる電流 に応じて調整することができる。

 一例において、検知回路は、DC-DC変換回 1の出力電圧に応じて電流信号を生成し、該 流信号が模擬信号S3に重畳される。模擬信 S3への該電流信号の重畳比は、出力電圧から 電流信号への変換係数及び抵抗34の抵抗値に って決定される。本発明では、図9及び10(下 記参照)に示すように、重畳信号は、DC-DC変換 回路1の入力及び出力の少なくとも一つに対 する信号によって可変される電流信号をキ パシタ30への充電電流に合成することによっ て生成されてもよい。

 一例において、電力変換装置は、負性抵 特性を持つ放電ランプ用のバラストに使用 れる。スイッチング素子11のオン期間にお て、DC-DC変換回路1の出力が例えば負荷変動 より増大されるとき、検知回路の信号の極 は、模擬信号の極性に対して減極性(逆極性) である。図9の例では、反転増幅器は、非反 増幅器と取り替えられる。負性抵抗特性を つ放電ランプ等の負荷では、出力は、出力 圧が減少するほど増大する。

 (第3実施形態)
 図10は本発明の第3実施形態による電力変換 置を示す。第3実施形態における電力変換装 置は、図1の基本構成を持つ。明瞭のため、 様の要素には、図1及び7で表されたのと同じ 符号が割り当てられる。

 第3実施形態の電力変換装置は、第1実施 態のものと異なる検知回路4によって特徴付 られる。また、トランス10は、1次及び2次巻 線101及び102に加えて、補助巻線103を2次側に つ。補助巻線103は第1及び第2端を有し、補助 巻線103の第2端の極性は、1次及び2次巻線101及 び102の第2端のそれらと同じである。補助巻 103の第1及び第2端は、それぞれ抵抗34の第1端 及びキャパシタ30の第2端と接続される。

 第3実施形態の検知回路4は、DC-DC変換回路 1の出力(出力電力)に対応し、抵抗34及びキャ シタ30の接合点で模擬信号S3に重畳されて重 畳信号S21を形成する信号S4を生成するように 成される。例えば、検知回路4は、演算回路 45及び抵抗46を有する。演算回路45は、DC-DC変 回路1の出力電圧及び出力電流からDC-DC変換 路1の出力電力を演算するように構成される 。DC-DC変換回路1の出力電圧は、ダイオード12 びキャパシタ13の接合点から例えば分圧器( 示しない)を通じて検出される。DC-DC変換回 1の出力電流は、低抵抗(例えば図7の抵抗40 照)から得られる。模擬信号S3への信号S4の重 畳比は、抵抗34及び46の電圧分圧比によって められる。

 第3実施形態では、検知回路4の信号(出力 力)がトランス10の磁束の直流成分として利 される。それ故に、連続モードにおいて、 擬信号が磁束の直流成分がカットされた信 であっても、スイッチング素子11のオン及 オフタイミングを、トランス10を流れる電流 に応じて調整することができる。

 (第4実施形態)
 図11は本発明の第4実施形態による電力変換 置を示す。第4実施形態における電力変換装 置は、図6の基本構成を持ち、誤差増幅回路24 を更に含む。また、トランス10は、第3実施形 態と同様に、1次及び2次巻線101及び102に加え 、補助巻線103を2次側に持つ。明瞭のため、 同様の要素には、図6で表されたのと同じ符 が割り当てられる。

 補助巻線103は第1及び第2端を有し、これ は、それぞれ抵抗34の第1端及びキャパシタ30 の第2端と接続される。また、補助巻線103の 2端の極性は、1次及び2次巻線101及び102の第2 のそれらと同じである。

 誤差増幅回路24は、外部からの出力指令 応じて、DC-DC変換回路1の出力電圧及び出力 流を検出し、出力電圧及び出力電流の誤差 算によってオン期間の指令信号を生成する うに構成される。DC-DC変換回路1の出力電圧 、ダイオード12及びキャパシタ13の接合点か 例えば分圧器(図示しない)を通じて検出さ る。DC-DC変換回路1の出力電流は、2次巻線102 びキャパシタ13の接合点とDC電源7の負端子 の間に接続される抵抗40から得られる。DC電 7の負端子は、グランドと接続される。該指 令信号は、コンパレータ21の反転入力に供給 れる。

 第4実施形態の電力変換装置は、検知回路 5によって特徴付けられる。検知回路5は、DC-D C変換回路1の入力(入力電流)に対応し、補助 線103の第2端で模擬信号に重畳されて重畳信 S21を形成する信号を生成するように構成さ る。例えば、検知回路5は、キャパシタ50及 抵抗51を有する。キャパシタ50は、1次巻線10 1及びスイッチング素子11の直列の組と並列に 接続される。抵抗51は第1及び第2端を有し、 抗51の第1端は、キャパシタ50及びスイッチン グ素子11の接合点と接続される。また、抵抗5 1の第2端は、DC電源7の負端子と接続される。

 第4実施形態では、検知回路5の信号(入力 流)がトランス10の磁束の直流成分として利 される。それ故に、連続モードにおいて、 擬信号が磁束の直流成分がカットされた信 であっても、スイッチング素子11のオン及 オフタイミングを、トランス10を流れる電流 に応じて調整することができる。特に、無負 荷状態(ゼロの出力状態)において、過負荷が DC-DC変換回路1が始動した直後の電圧立上が によって発生するのを防止することができ 。

 一例において、逆極性保護用素子(例えば スイッチング素子)又は入力フィルタ等の回 インピーダンスが、抵抗51に代えて利用され る。

 (第5実施形態)
 図12は本発明の第5実施形態による電力変換 置を示す。第5実施形態における電力変換装 置は、図6の基本構成を持つ。明瞭のため、 様の要素には、図6及び11で表されたのと同 符号が割り当てられる。図12において、「出 力電流(検出信号)」は、フィードバック制御 の誤差増幅回路(図示しない)に供給され、 力制御のための指令信号の生成に利用され 。

 トランス10は、1次及び2次巻線101及び102を 持つ。2次巻線102は、第1及び第2端に加えて中 間タップを持つ。抵抗34は第1及び第2端を有 、抵抗34の第1端は、2次巻線102の中間タップ 接続される。キャパシタ30は第1及び第2端を 有し、これらは、それぞれ抵抗34の第2端及び 2次巻線102の第2端と接続される。

 第5実施形態の電力変換装置は、検知回路 4及び5を有し、これらは、DC-DC変換回路1の入 (入力電流)及び出力(出力電流)に対応し、キ ャパシタ30の第2端で模擬信号に重畳されて重 畳信号S21を形成する信号を生成するように構 成される。

 詳しくは、検知回路4は抵抗40を有する。 抗40は第1及び第2端を有し、これらは、それ ぞれDC電源7の負端子及びグランドと接続され る。キャパシタ13の第1端とグランドが、DC-DC 換回路1の出力となる。

 検知回路5は、キャパシタ50及び抵抗51を する。キャパシタ50は、1次巻線101及びスイ チング素子11の直列の組と並列に接続される 。抵抗51は第1及び第2端を有し、抵抗51の第1 は、キャパシタ50及びスイッチング素子11の 合点と接続され、またDC-DC変換回路1のロー イドの接続部になる。また、抵抗51の第2端 、DC電源7の負端子及び抵抗40の第1端と接続 れる。

 第4実施形態では、入力電流が、出力の短 絡状態で微小となるので、検知回路5を通じ 重畳される磁束の直流成分が不十分となる 第5実施形態では、検知回路4の信号も模擬信 号に重畳されるので、出力の短絡状態におけ る制御性能を改善することができる。

 (第6実施形態)
 図13は本発明の第6実施形態による電力変換 置を示す。第6実施形態における電力変換装 置は、図1の基本構成を持つ。明瞭のため、 様の要素には、図1で表されたのと同じ符号 割り当てられる。

 2次巻線102の第2端の極性は、1次巻線101の 2端のそれと同じである。図13において、「 力電流(検出信号)」は、フィードバック制 用の誤差増幅回路(図示しない)に供給され、 出力制御のための指令信号の生成に利用され る。

 第6実施形態の電力変換装置は、模擬回路 3及び検知回路4によって特徴付けられる。模 回路3は、キャパシタ30、抵抗34,36,38及び39、 及び(PNP)トランジスタ37から構成される。キ パシタ30は第1及び第2端を有し、キャパシタ3 0の第1端は、DC電源7の正端子及び1次巻線101の 第1端と接続される。抵抗34は第1及び第2端を し、これらは、それぞれキャパシタ30の第2 及び1次巻線101の第2端と接続される。抵抗36 は第1及び第2端を有し、これらは、それぞれ ャパシタ30及び抵抗34の接合点、及びDC電源7 の負端子と接続される。抵抗38は第1及び第2 を有し、抵抗38の第1端は、DC電源7、キャパ タ30及び1次巻線101の接合点と接続される。 ランジスタ37のエミッタは、抵抗38の第2端と 接続される。トランジスタ37のベースは、キ パシタ30,及び抵抗34及び36の接合点と接続さ れる。トランジスタ37のコレクタは、コンパ ータ21の非反転端子と接続される。トラン スタ37及び抵抗38は、エミッタフォロワ増幅 を構成する。抵抗39は第1及び第2端を有し、 抵抗39の第1端は、トランジスタ37及びコンパ ータの接合点と接続される。抵抗39の第2端 、2次巻線の第2端と接続される。

 該模擬回路3において、キャパシタ30は、 抗34経由の1次巻線101の電圧によって充電及 放電される。キャパシタ30の電圧は、エミ タフォロワ増幅器を通じて、電流に変換さ る。つまり、キャパシタ30の電圧が抵抗38に 加され、電流が、その電圧に応じて、トラ ジスタ37のエミッタからコレクタに流れる その電流(コレクタ電流)が抵抗39を流れ、そ により電圧(即ち模擬信号)が抵抗39に発生す る。

 検知回路4は、DC-DC変換回路1の出力(出力 流)に対応し、抵抗39及び2次巻線102の接合点 該模擬信号に重畳されて重畳信号S21を形成 る信号を生成するように構成される。例え 、検知回路4は、2次巻線102及びキャパシタ13 の接合点とDC電源7の負端子との間に接続され る抵抗40を有する。

 第6実施形態では、検知回路4の信号(出力 流)がトランス10の磁束の直流成分として利 される。それ故に、連続モードにおいて、 擬信号が磁束の直流成分がカットされた信 であっても、スイッチング素子11のオン及 オフタイミングを、トランス10を流れる電流 に応じて調整することができる。特に、放電 ランプバラストにおいて、放電ランプを、DC- DC変換回路1が連続モードで動いている時でも 、安定に動作させることができる。

 (第7実施形態)
 図14は本発明の第7実施形態による前照灯バ スト8を示す。前照灯バラスト8は、ヘッド イト本体80及び電子バラスト81等を有する。 ッドライト本体80は灯体800を有し、その中 放電ランプ(例えばHIDランプ)801及びランプソ ケット802等を含む。放電ランプ801は、ランプ ソケット802を介して電子バラスト81と接続さ る。電子バラスト81は、第1~第6実施形態の れかの電力変換装置、インバータ及びイグ イタ等を含み、スイッチ82及びフューズ83を して直流電源(図8ではバッテリ)7と接続され る。

 放電ランプ801が始動時に冷えていれば、 ンプ電圧は低い。それ故に、光出力を連続 ードで素早く増大させるためには、定常状 と比較して過大な電力を該ランプに印加す 必要がある。第7実施形態では、模擬信号が 、連続モードでもDC-DC変換回路1の出力電圧の 増大に応じて増大するので、模擬信号のレベ ルがオン期間の指令信号のレベルを超えるこ とができる。それ故に、ランプ電圧が低くて も、光出力を連続モードで素早く増大させる ことができる。バッテリ電圧の大きな変動故 に低入力電圧下のスイッチング周波数の過度 の低下を抑制するために、バラスト81を連続 ードで動かしても、該出力の安定性を確保 ることができる。

 本発明を幾つかの好ましい実施形態につ て記述したが、この発明の本来の精神およ 範囲を逸脱することなく、当業者によって 々な修正および変形が可能である。