[0001] 本发明属于平板显示技术领域， 尤其涉及一种含有贵金属纳米材料的 QLED及 其制备方法。

背景技术

[0002] 量子点具有发光峰窄、 量子产额高等优点， 加上可利用印刷工艺制备， 所以基 于量子点的发光二极管 (即量子点发光二极管： QLED)近来受到人们的普遍关注 ， 其器件性能指标也发展迅速。 为了提高量子点的发光效率， 通常在 QLED器件 的空穴注入层中惨入贵金属的纳米颗粒或空穴 注入层上旋涂一层纳米颗粒， 利 用贵金属纳米颗粒的局域表面等离子体共振 (LSPR)增强量子点的发光效率。 当 金属纳米颗粒成膜后， 纳米颗粒会相距很近， 这样在入射电场的驱动下， 它们 之间的相互作用无法忽略， 当两个金属纳米颗粒靠得很近吋， 一个偶极子的辐 射场会破坏相邻的偶极子的辐射场， 造成自由电子所受的力的变化， 从而导致 共振频率的变化， 影响其增强效应。 另外， 贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致 电子和空穴无辐射复合， 影响发光效率。 因此， 如何进一步修饰贵金属纳米颗 粒， 更好利用其 LSRP增强效应， 从而提高 QLED器件的发光效率是目前研究的 一个重点。

技术问题

[0003] 本发明的目的在于提供一种含有贵金属纳米材 料的 QLED及其制备方法， 旨在 解决现有含有贵金属纳米材料的 QLED中的贵金属纳米颗粒影响 LSRP增强效应 、 且贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致电子和空 穴无辐射复合， 同吋影响发光 效率的问题。

问题的解决方案

技术解决方案

[0004] 本发明是这样实现的， 一种含有贵金属纳米材料的 QLED， 包括依次层叠设置 的阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 所述 QLED中含有贵 金属纳米材料， 且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构 复合材料， 包括 贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；

[0005] 所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层中的至少一层惨杂有所述纳米贵 金属核壳结构复合材料； 或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米 贵金属 核壳层设置在空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之 间。

[0006] 以及， 一种含有贵金属纳米材料的 QLED的制备方法， 包括以下步骤：

[0007] 制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

[0008] 在空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料中的至少一种中添加所述纳 米贵金属核壳结构复合材料， 制备对应的功能层材料；

[0009] 提供阳极， 依次沉积空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料， 得到对 应的空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层， 在所述电子功能层上形成阴极 ； 或提供阴极， 依次沉积电子功能材料、 量子点发光材料、 空穴功能材料， 得 到对应的电子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层， 在所述空穴功能层上形成 阳极。

[0010] 一种含有贵金属纳米材料的 QLED的制备方法， 包括以下步骤：

[0011] 制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

[0012] 提供阳极， 依次沉积空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料， 得到对 应的空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层， 在所述电子功能层上形成阴极 ， 且在所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之间 沉积有所述纳米贵金属核壳结构复合材料， 形成纳米贵金属核壳层； 或提供阴 极， 依次沉积电子功能材料、 量子点发光材料、 空穴功能材料， 得到对应的电 子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层， 在所述空穴功能层上形成阳极， 且在 所述电子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层的任一相邻两层结构之间沉积有 所述纳米贵金属核壳结构复合材料， 形成纳米贵金属核壳层。

发明的有益效果

有益效果

[0013] 本发明提供的含有贵金属纳米材料的 QLED， 含有纳米贵金属核壳结构复合材 料， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料惨杂在空穴 功能层、 量子点发光层、 电 子功能层中的至少一层中， 或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米 贵金 属核壳层设置在空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构 之间。 贵金属纳米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属 核壳结构， 可以有效调节 贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与 量子点发光材料的距离， 从而有 效发挥贵金属纳米颗粒的 LSRP增强效应； 同吋， 所述纳米贵金属核壳结构复合 材料可以有效减少贵金属纳米颗粒的表面缺陷 ， 减少电子和空穴无辐射复合， 提高 QLED器件的发光效率。

[0014] 本发明提供的含有贵金属纳米材料的 QLED的制备方法， 只需将纳米贵金属核 壳结构复合材料惨杂中空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料的一种 中， 或沉积在所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结 构之间即可， 可采用溶液法加工制备获得， 方法简单易控， 可实现产业化生产

对附图的简要说明

附图说明

[0015] 图 1是本发明实施例 1提供的纳米贵金属核壳结构复合材料惨杂在� �穴注入层中 的 QLED结构示意图；

[0016] 图 2是本发明实施例 2提供的纳米贵金属核壳结构复合材料惨杂在� �子点发光层 中的 QLED结构示意图；

[0017] 图 3是本发明实施例 3提供的纳米贵金属核壳结构复合材料惨杂在� �子传输层中 的 QLED结构示意图。

本发明的实施方式

[0018] 为了使本发明要解决的技术问题、 技术方案及有益效果更加清楚明白， 以下结 合实施例， 对本发明进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施 例仅仅用以解释本发明， 并不用于限定本发明。

[0019] 本发明实施例提供了一种含有贵金属纳米材料 的 QLED， 包括依次层叠设置的 阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 所述 QLED中含有贵金 属纳米材料， 且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构 复合材料， 包括贵 金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；

[0020] 所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层中的至少一层惨杂有所述纳米贵 金属核壳结构复合材料； 或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米 贵金属 核壳层设置在空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之 间。

[0021] 本发明实施例中， 所述空穴功能层可以包括一层或多层结构， 当所述空穴功能 层包括多层结构吋， 应当理解， "空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层中的 至少一层"包含"空穴功能层多层结构中的至少� ��层 "的情形， "空穴功能层、 量子 点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构"包括"空穴功� ��层多层结构中任一相 邻两层结构"的情形。 同样的， 所述电子功能层可以包括一层或多层结构， 当所 述电子功能层包括多层结构吋， 应当理解， "空穴功能层、 量子点发光层、 电子 功能层中的至少一层 "包含 "电子功能层多层结构中的至少一层"的情形， "空穴功 能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构"包括"电子功� ��层多层结 构中任一相邻两层结构"的情形。

[0022] 优选的， 所述空穴功能层包括空穴注入层、 空穴传输层中的至少一层。 当所述 空穴功能层同吋包括空穴注入层、 空穴传输层， 可以在所述空穴注入层、 空穴 传输层中的至少一层惨杂有所述纳米贵金属核 壳结构复合材料； 或所述纳米贵 金属核壳结构复合材料可以作为纳米贵金属核 壳层设置在所述空穴注入层、 空 穴传输之间。

[0023] 优选的， 所述电子功能层包括电子传输层、 电子注入层中的至少一层。 当所述 电子功能层同吋包括电子传输层、 电子注入层吋， 可以再所述电子传输层、 电 子注入层中的至少一层惨杂有所述纳米贵金属 核壳结构复合材料； 或所述纳米 贵金属核壳结构复合材料可以作为纳米贵金属 核壳层设置在所述电子传输层、 电子注入层之间。

[0024] 本发明实施例中， 所述 QLED中含有贵金属纳米材料， 且所述贵金属纳米材料 为纳米贵金属核壳结构复合材料。 本发明实施例所述纳米贵金属核壳结构复合 材料包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层 结构。 [0025] 进一步的， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料中， 所述贵金属核可以是金、 银 、 铜、 铂中的一种， 也可以是金、 银、 铜、 铂形成的合金； 所述壳层结构的材 料为二氧化硅、 二氧化钛、 碳、 高分子材料中的至少一种。 所述高分子材料包 括但不限于聚乙烯吡咯烷酮。

[0026] 优选的， 所述壳层结构的厚度为 l-100nm。 若所述壳层结构的厚度过薄， 则不 能有效增加贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属 纳米颗粒与量子点发光材料的距 离， 因此， LSRP增强效应的发挥依然受限， 且贵金属纳米颗粒的表面缺陷依然 存在， 影响电子和空穴无辐射复合， 进而影响发光效率。 若所述壳层结构的厚 度过厚， 所述贵金属纳米颗粒的间距过大， 会超出相邻贵金属纳米颗粒产生 LSR P增强效应的感应距离， 进而， 不能发挥贵金属纳米颗粒的增强效应。 在上述范 围内， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料的壳层结构 的厚度可调。 从而可以根 据所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂对 象 （如空穴注入层、 空穴传输层 、 量子点发光层、 电子传输层、 电子注入层） 的不同， 而设置成不同厚度的壳 层结构， 进而更有效地调节贵金属纳米颗粒的间距以及 贵金属纳米颗粒与量子 点发光材料的距离， 充分利用贵金属纳米颗粒的 LSRP增强效应。

[0027] 本发明实施例中， 所述贵金属核和所述壳层结构组成的所述纳米 贵金属核壳结 构复合材料的形状没有明确的限定， 可以是球形、 棒状、 立方体或片状或其他 形状。

[0028] 本发明实施例中， 贵金属纳米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属 核壳结构， 可 以有效调节贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属 纳米颗粒与量子点发光材料的距 离， 从而有效发挥贵金属纳米颗粒的 LSRP增强效应； 同吋， 所述纳米贵金属核 壳结构复合材料可以有效减少贵金属纳米颗粒 的表面缺陷， 减少电子和空穴无 辐射复合， 提高 QLED器件的发光效率。

[0029] 具体的， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料在所述 QLED中的设置状态较为灵 活， 既可以作为惨杂组分， 设置在空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层中 的至少一层中， 也可以单独作为纳米贵金属核壳层， 设置在空穴功能层、 量子 点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之间。

[0030] 作为一种实施例情形， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵 金属核壳 层设置在功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之间。

[0031] 作为具体实施例， 所述纳米贵金属核壳层可以可以设置在所述空 穴功能层和所 述量子点发光层之间， 也可以设置在所述量子点发光层和所述电子功 能层之间 。 当所述电子功能层同吋包括多层结构吋， 所述纳米贵金属核壳层可以设置在 任一邻两层电子功能层之间， 如当所述电子功能层同吋包括电子传输层、 电子 注入层吋， 所述述纳米贵金属核壳层可以设置在所述电子 传输层和所述电子注 入层之间。 当所述空穴功能层同吋包括多层结构吋， 所述纳米贵金属核壳层可 以设置在任一邻两层空穴功能层之间， 如当所述空穴功能层同吋包括空穴传输 层、 空穴注入层吋， 所述述纳米贵金属核壳层还可以设置在所述空 穴传输层和 所述空穴注入层之间。

[0032] 优选的， 所述纳米贵金属核壳层的厚度为 1-lOOnm, 从而在保证 LSRP增强效果 的同吋， 不会影响 QLED器件的其他性能。

[0033] 作为另一种实施例情形， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料单独作为纳 米贵金 属核壳层， 设置在空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结 构之间。 本发明实施例中， 将所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层统 称为功能层。

[0034] 进一步优选的， 以被惨杂的功能层的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳 结构复合材料的惨杂重量百分比为 0.1-10%。 若所述纳米贵金属核壳结构复合材 料的惨杂重量百分比过少， 则纳米贵金属颗粒的相对含量过少， 则其发挥 LSRP 增强效应的作用有限； 若所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重 量百分比 过多， 一方面， 功能层的材料会相对减少， 从而降低功能层的作用， 如若所述 纳米贵金属核壳结构复合材料在空穴注入层中 的惨杂重量百分比过多， 空穴注 入层的空穴注入性能降低； 若所述纳米贵金属核壳结构复合材料在电子注 入层 中的惨杂重量百分比过多， 电子注入层的空穴注入性能降低。 另一方面， 所述 纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量百分 比过多还会减弱 QLED器件的发光 效率。

[0035] 作为一个具体实施例， 所述 QLED包括依次层叠设置的阳极、 空穴功能层、 量 子点发光层、 电子功能层和阴极， 其中， 所述空穴功能层包括空穴注入层， 且 所述空穴注入层中惨杂有纳米贵金属核壳结构 复合材料， 且以所述空穴注入层 的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量 百分比为 0.1- 10<¾。

[0036] 作为另一个具体实施例， 所述 QLED包括依次层叠设置的阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 其中， 所述量子点发光层中惨杂有纳米贵 金属核壳结构复合材料， 且以所述量子点发光层的总重量为 100%计， 所述纳米 贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量百分比为 0.1-10%。

[0037] 作为又一个具体实施例， 所述 QLED包括依次层叠设置的阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 其中， 所述电子功能层包括电子传输层， 所述电子传输层中惨杂有纳米贵金属核壳结构 复合材料， 且以所述电子传输层 的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量 百分比为 0.1- 10<¾。

[0038] 作为再一个具体实施例， 所述 QLED包括依次层叠设置的阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 其中， 所述空穴功能层包括空穴传输层， 且所述空穴传输层中惨杂有纳米贵金属核壳结 构复合材料， 且以所述空穴传输 层的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量 百分比为 0 .1-10%。

[0039] 作为再一个具体实施例， 所述 QLED包括依次层叠设置的阳极、 空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层和阴极， 其中， 所述电子功能层包括电子注入层， 且所述电子注入层中惨杂有纳米贵金属核壳结 构复合材料， 且以所述电子注入 层的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料的惨杂重量 百分比为 0 .1-10%。

[0040] 当然， 应当理解， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料可以同吋在 两层或两层以 上的功能层中惨杂， 且以每层功能层的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳 结构复合材料的惨杂重量百分比为 0.1-10%。

[0041] 上述实施例中， 所述阳极可以为 ITO。

[0042] 所述空穴注入层的空穴注入材料包括但不限于 PEDOT:PSS， 所述空穴注入层的 厚度为 10-100nm。 [0043] 所述空穴传输层的空穴传输材料可以采用常规 的空穴传输材料， 包括但不限于 优选为 PVK、 Poly-TPD中的至少一种。 所述空穴传输层的厚度为 10-100nm。

[0044] 所述量子点发光层可以采用常规的量子点发光 材料制成， 厚度可设置城常规厚 度。

[0045] 所述电子传输层可采用常规的电子传输材料， 优选采用具有高的电子传输性能 的 n型氧化锌。 所述电子传输层的厚度优选为 30-60nm。

[0046] 所述电子注入层可采用常规的电子注入材料， 包括低功函数的 Ca、 Ba等金属， 也可以选择 CsF、 LiF、 CsC0 ₃ 等化合物， 还可以是其它电解质型电子传输层材 料。

[0047] 所述阴极可以采用常规的阴极材料制备， 厚度为 60-120nm。

[0048] 本发明实施例提供的含有贵金属纳米材料的 QLED， 含有纳米贵金属核壳结构 复合材料， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料惨杂在空穴 注入层、 空穴传输层 、 量子点发光层、 电子传输层、 电子注入层中的至少一层中， 或所述纳米贵金 属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设 置在空穴注入层、 空穴传输层、 量子点发光层、 电子传输层、 电子注入层的任一相邻两层结构之间。 贵金属纳 米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属核壳结构 ， 可以有效调节贵金属纳米颗粒 的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料 的距离， 从而有效发挥贵金属纳 米颗粒的 LSRP增强效应； 同吋， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料可以有效减 少贵金属纳米颗粒的表面缺陷， 减少电子和空穴无辐射复合， 提高 QLED器件的 发光效率。

[0049] 本发明实施例提供的含有贵金属纳米材料的 QLED， 可以通过下述方法制备获 得。

[0050] 以及， 本发明实施例提供了一种含有贵金属纳米材料 的 QLED的制备方法， 包 括以下步骤：

[0051] S01.制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

[0052] S02.在空穴注入材料、 空穴传输材料、 量子点发光材料、 电子传输材料、 电子 注入材料中的至少一种中添加所述纳米贵金属 核壳结构复合材料， 制备对应的 功能层材料； [0053] S03.提供阳极， 依次沉积空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料， 得 到对应的空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层， 在所述电子功能层上形成 阴极； 或提供阴极， 依次沉积电子功能材料、 量子点发光材料、 空穴功能材料 ， 得到对应的电子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层， 在所述空穴功能层上 形成阳极。

[0054] 具体的， 上述步骤 S01中， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料因贵金属纳 米颗 粒、 壳层材料的不同而异。 可以通过先制备贵金属核， 在进行表面包覆壳层材 料的方式， 两步制备获得； 也可以将贵金属无机盐与壳层原材料共同反应 一次 制备获得。

[0055] 上述步骤 S02中， 可以在一种功能层材料中添加所述纳米贵金属 核壳结构复合 材料， 也可以在两种或两种以上的功能层材料中添加 所述纳米贵金属核壳结构 复合材料。 优选的， 以被惨杂的功能层的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核 壳结构复合材料的惨杂重量百分比为 0.1-10%。

[0056] 具体的， 将所述纳米贵金属核壳结构复合材料分散在被 惨杂的功能层材料中， 搅拌均匀。

[0057] 上述步骤 S03中， 优选的， 将沉积用的电极如所述阳极或所述阴极进行表 面处 理。 所述表面处理包括将阳极基板如 ιτο基板或阴极基板如铝基板用氧气等离子 体处理或紫外 -臭氧处理， 以进一步除去表面附着的有机物并提高阳极或 阴极的 功函数。

[0058] 沉积空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料的方式不受限制， 可以采 用本领域常规方法实现， 优选为溶液加工法实现。 此处， 应当理解， 若某一功 能层为惨杂有纳米贵金属核壳结构复合材料的 材料层， 则将惨杂有纳米贵金属 核壳结构复合材料和对应功能层材料混合均匀 后再行沉积。

[0059] 在所述电子功能层上形成阴极或在所述空穴功 能层上形成阳极可以通过掩膜板 热蒸镀实现。

[0060] 作为一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备方 法包括以下步骤：

[0061] 将干净的 ITO基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理； [0062] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-1(½ 的比例分散在空穴注入材料中 搅拌均匀， 在处理过的 ITO基板表面沉积含有纳米贵金属核壳结构复合 材料的空 穴注入层；

[0063] 将基板置于氮气气氛中， 在所述空穴注入层表面沉积空穴传输层；

[0064] 在所述空穴传输层表面沉积量子点发光层；

[0065] 在所述量子点发光层上依次沉积电子传输层和 电子注入层；

[0066] 将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层阴 极， 得到 QLED器件。

[0067] 作为另一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备 方法包括以下步骤：

[0068] 将干净的阴极基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理；

[0069] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-1(½ 的比例分散在电子注入材料中 搅拌均匀， 在处理过的阴极基板表面沉积含有纳米贵金属 核壳结构复合材料的 电子注入层；

[0070] 将基板置于氮气气氛中， 在所述电子注入层表面沉积电子传输层；

[0071] 在所述电子传输层表面沉积量子点发光层；

[0072] 在所述量子点发光层上依次沉积空穴传输层和 空穴注入层；

[0073] 至所述空穴注入层上制备阳极， 得到 QLED器件。

[0074] 作为一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备方 法包括以下步骤：

[0075] 将干净的 ITO基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理；

[0076] 在处理过的 ITO基板表面沉积空穴注入层；

[0077] 将基板置于氮气气氛中， 在所述空穴注入层表面沉积空穴传输层；

[0078] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-10\^%的比例分散在量子点发光材料 中搅拌均匀， 在所述空穴传输层表面沉积含有纳米贵金属核 壳结构复合材料的 量子点发光层；

[0079] 在所述量子点发光层上依次沉积电子传输层和 电子注入层；

[0080] 将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层阴 极， 得到 QLED器件。

[0081] 作为另一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备 方法包括以下步骤：

[0082] 将干净的阴极基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理；

[0083] 在处理过的阴极基板表面沉积电子注入层；

[0084] 将基板置于氮气气氛中， 在所述电子注入层表面沉积电子传输层；

[0085] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-10\^%的比例分散在量子点发光材料 中搅拌均匀， 在所述空穴传输层表面沉积含有纳米贵金属核 壳结构复合材料的 量子点发光层；

[0086] 在所述量子点发光层上依次沉积空穴传输层和 空穴注入层；

[0087] 在所述空穴注入层上制备阳极， 得到 QLED器件。

[0088] 作为一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备方 法包括以下步骤：

[0089] 将干净的 ITO基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理；

[0090] 在处理过的 ITO基板表面沉积空穴注入层；

[0091] 将基板置于氮气气氛中， 在所述空穴注入层表面沉积空穴传输层；

[0092] 在所述空穴传输层表面沉积量子点发光层；

[0093] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-10\^%的比例分散在电子传输材料中 搅拌均匀， 在所述量子点发光层上沉积含有纳米贵金属核 壳结构复合材料的电 子传输层；

[0094] 在所述电子传输层上沉积电子注入层；

[0095] 将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层阴 极， 得到 QLED器件。

[0096] 作为另一个具体实施例， 一种含有纳米贵金属核壳结构复合材的 QLED的制备 方法包括以下步骤：

[0097] 将干净的阴极基板用氧气等离子体处理或紫外 -臭氧处理；

[0098] 在处理过的阴极基板表面沉积电子注入层；

[0099] 将基板置于氮气气氛中， 在所述电子注入层表面沉积电子传输层；

[0100] 在所述电子传输层表面沉积量子点发光层；

[0101] 将纳米贵金属核壳结构复合材料按照 0.1-10\^%的比例分散在空穴传输材料中 搅拌均匀， 在所述量子点发光层上沉积含有纳米贵金属核 壳结构复合材料的空 穴传输层；

[0102] 在所述空穴传输层上沉积空穴注入层；

[0103] 在所述空穴注入层上制备阳极， 得到 QLED器件。

[0104] 本发明实施例还提供了另一种含有贵金属纳米 材料的 QLED的制备方法， 包括 以下步骤：

[0105] Q01.制备纳米贵金属核壳结构复合材料；

[0106] Q02.提供阳极， 依次沉积空穴注入材料、 空穴传输材料、 量子点发光材料、 电 子传输材料、 电子注入材料， 得到对应的空穴注入层、 空穴传输层、 量子点发 光层、 电子传输层、 电子注入层， 在所述电子注入层上形成阴极， 且在所述空 穴注入层、 空穴传输层、 量子点发光层、 电子传输层、 电子注入层的任一相邻 两层结构之间沉积有所述纳米贵金属核壳结构 复合材料， 形成纳米贵金属核壳 层； 或提供阴极， 依次沉积电子功能材料、 量子点发光材料、 空穴功能材料， 得到对应的电子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层， 在所述空穴功能层上形 成阳极， 且在所述电子功能层、 量子点发光层、 空穴功能层的任一相邻两层结 构之间沉积有所述纳米贵金属核壳结构复合材 料， 形成纳米贵金属核壳层。

[0107] 上述步骤 Q01中， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料因贵金属纳 米颗粒、 壳层 材料的不同而异。 可以通过先制备贵金属核， 在进行表面包覆壳层材料的方式 ， 两步制备获得； 也可以将贵金属无机盐与壳层原材料共同反应 一次制备获得

[0108] 上述步骤 Q02中， 将沉积用的电极如所述阳极或所述阴极进行表 面处理。 所述 表面处理包括将阳极基板如 ITO基板或阴极基板如铝基板用氧气等离子体处 理或 紫外 -臭氧处理， 以进一步除去表面附着的有机物并提高阳极或 阴极的功函数。

[0109] 沉积空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料的方式不受限制， 可以采 用本领域常规方法实现， 优选为溶液加工法实现。 有别于常规的， 本发明实施 例在所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻两层结构之间沉 积有所述纳米贵金属核壳结构复合材料， 形成纳米贵金属核壳层。 具体的， 所 述纳米贵金属核壳层可以通过将所述纳米贵金 属核壳结构复合材料分散在溶液 中， 经溶液加工法制备获得。 [0110] 在所述电子注入层上形成阴极或在所述空穴功 能层上形成阳极可以通过掩膜板 热蒸镀实现。

[0111] 本发明实施例提供的含有贵金属纳米材料的 QLED的制备方法， 只需将纳米贵 金属核壳结构复合材料惨杂中空穴功能材料、 量子点发光材料、 电子功能材料 的一种中， 或沉积在所述空穴功能层、 量子点发光层、 电子功能层的任一相邻 两层结构之间即可， 可采用溶液法加工制备获得， 方法简单易控， 可实现产业 化生产。

[0112] 下面结合具体实施例进行说明。

[0113] 实施例 1

[0114] 一种 Ag@Si0 ₂ 核壳结构复合材料的 QLED， 如图 1所示， 包括依次层叠设置的 阳极 1、 空穴注入层 2、 空穴传输层 3、 量子点发光层 4、 电子传输层 5、 电子注入 层 6和阴极 7， 其中， 所述空穴注入层 2中惨杂有纳米贵金属核壳结构复合材料 A ， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料 A为 Ag@Si0 ₂ 核壳结构复合材料， 且以所述 空穴注入层 2的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料 A的惨杂重 量百分比为 0.1%。

[0115] 上述含有贵金属纳米材料的 QLED， 包括以下步骤：

[0116] Sl l.Ag@Si0 ₂ 核壳纳米颗粒的合成

[0117] S111.银纳米粒子的制备： 将 200 mL的乙二醇倒入 250 mL的三口圆底烧瓶中， 剧烈搅拌下加入 2.5 g聚乙烯吡咯烷酮 （PVP) 和 0.5g硝酸银。 溶解后将三口烧瓶 固定在甲基硅油油浴中， 剧烈搅拌下， 在 25分钟内将反应液升温至 130°C， 然后 在 130°C下反应一个小吋。 冷却至室温后， 加入 800 mL丙酮， 离心 (lOOOOrpm, 3 min)， 所得沉淀分散在 4 mL乙醇溶液中， 得到 0.05 g/mL银纳米粒子乙醇溶液。

[0118] S112.氧化硅包裹银纳米粒子的制备： 将上述所得 2

mL银纳米粒子乙醇溶液 (0.05 g/mL)分散在 80 mL乙醇， 20 mL水和 1 mL氨水溶液 中。 超声分散半小吋后， 搅拌下将 15μί正硅酸乙酯 （TEOS) 在 5秒内缓慢滴入 ， 室温搅拌反应 6小吋。 然后离心， 乙醇和水各洗 3遍， 得到氧化硅包裹银纳米 粒子。 氧化硅包裹的厚度可以通过调节 TEOS的加入量来调控。

[0119] S12.QLED器件制备 [0120] 将图案化的 ITO基板按次序置于丙酮、 洗液、 去离子水以及异丙醇中进行超声 清洗， 以上每一步超声均需持续 15分钟左右。 待超声完成后将 ΙΤΟ放置于洁净烘 箱内烘干备用。

[0121] 待 ΙΤΟ基板烘干后， 用氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理 ΙΤΟ表面 5分钟以进一 步除去 ΙΤΟ表面附着的有机物并提高 ΙΤΟ的功函数。

[0122] 将合成的 Ag@Si0 ₂ 按照 0.1wt%的比列分散在 PEDOT: PSS中并搅拌均匀， 然后 在经过上步处理的 ITO基板上沉积一层分散有 Ag@SiO ₂ 核壳结构复合材料的空穴 注入层， 此层的厚度为 35nm， 并将此复合层置于 150°C的加热台上加热 10分钟以 除去水分， 此步需在空气中完成。

[0123] 将干燥后的涂有复合空穴注入层的基板置于氮 气气氛中， 沉积一层空穴传输层 材料 PVK， 厚度 30nm。 沉积完空穴传输层后需要将其置于 150°C的加热台上加热

10分钟除去溶剂。

[0124] 待上一步处理的片子冷却后， 将量子点发光层沉积在空穴传输层表面， 其厚度 为 20nm。 这一步的沉积完成后将片子放置在 80°C的加热台上加热 10分钟， 除去 残留的溶剂。

[0125] 在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入 层， 其中电子传输层优选具有高 的电子传输性能的 n型氧化锌， 其厚度为 30nm， 电子注入层材料可以选择低功函 数的 Ca金属。

[0126] 将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩 膜板热蒸镀一层 lOOnm的金属银 作为阴极， 得到 QLED器件。

[0127] 实施例 2

[0128] 一种 Ag@C核壳结构复合材料的 QLED， 如图 2所示， 包括依次层叠设置的阳极 1、 空穴注入层 2、 空穴传输层 3、 量子点发光层 4、 电子传输层 5、 电子注入层 6 和阴极 7， 其中， 所述量子点发光层 4惨杂有纳米贵金属核壳结构复合材料 A， 所 述纳米贵金属核壳结构复合材料为 Ag@C核壳结构复合材料， 且以所述量子点发 光层 4的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料 A的惨杂重量百分 比为 0.1%。

[0129] 上述含有贵金属纳米材料的 QLED， 包括以下步骤： [0130] S21.Ag@d¾壳纳米颗粒的合成：

[0131] 称取 1.0 g葡萄糖， 放入烧杯中， 然后加入 20 ml去离子水中， 磁力搅拌， 加入 0.5 ml新配制的 0.1 mol/L硝酸银溶液， 继续磁力搅拌 1 h， 然后把上述溶液转移 到聚四氟乙烯的内胆中， 放入到温度设定为 180°C电热恒温鼓风干燥箱中， 恒温 四小吋， 取出反应釜， 把里面的产品用去离子水和乙醇超声分散、 离心交替清 洗 3次， 把产物放入 60°C恒温干燥箱中干燥 24 h， 得到 Ag@d¾壳结构微球。

[0132] S22.QLED器件制备：

[0133] 将图案化的 ITO基板按次序置于丙酮、 洗液、 去离子水以及异丙醇中进行超声 清洗， 以上每一步超声均需持续 15分钟左右。 待超声完成后将 ITO放置于洁净烘 箱内烘干备用。

[0134] 待 ITO基板烘干后， 用氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理 ITO表面 5分钟以进一 步除去 ITO表面附着的有机物并提高 ITO的功函数。

[0135] 在经过上步处理的 ITO基板上沉积一层空穴注入层 PEDOT: PSS , 此层的厚度 为 30nm， 并将此层置于 150°C的加热台上加热 10分钟以除去水分， 此步需在空气 中完成。

[0136] 将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气 氛中， 沉积一层空穴传输层材料 PVK, 其厚度 30nm。 沉积完空穴传输层后需要将其置于 150°C的加热台上加热 10 分钟除去溶剂。

[0137] 将合成的 Ag@C按照 0.1wt%的比列分散在量子点材料中并搅拌均匀， 待上一步 处理的片子冷却后， 将混合的量子点材料沉积在空穴传输层表面， 其厚度为 30η m。 这一步的沉积完成后将片子放置在 80°C的加热台上加热 10分钟， 除去残留的 溶剂。

[0138] 在量子点表面依次沉积电子传输层和电子注入 层， 其中电子传输层优选具有高 的电子传输性能的 n型氧化锌， 其厚度为 30nm， 电子注入层材料可以选择低功函 数的 Ca金属。

[0139] 将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩 膜板热蒸镀一层 lOOnm的金属银 作为阴极， 得到 QLED器件。

[0140] 实施例 3 [0141] 一种 Ag@PVP核壳结构复合材料的 QLED， 如图 3所示， 包括依次层叠设置的阳 极 1、 空穴注入层 2、 空穴传输层 3、 量子点发光层 4、 电子传输层 5、 电子注入层 6和阴极 7， 其中， 所述电子传输层 5中惨杂有纳米贵金属核壳结构复合材料 A， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料为 Ag@PVP核壳结构复合材料， 且以所述电 子传输层 5的总重量为 100%计， 所述纳米贵金属核壳结构复合材料 A的惨杂重量 百分比为 0.2%。

[0142] 上述含有贵金属纳米材料的 QLED， 包括以下步骤：

[0143] S31.Au@PVP核壳纳米颗粒的合成：

[0144] 将 HAuCl ₄ 溶液 (25.0 mmol/L， 100.0 μί) , PVP (0.5 mol/L, l.OmL)和水 (48.0 mL)一起加入到带有通 N2装置的 150

mL三口圆底烧瓶中， 常温 (25°C)下缓慢搅拌 15min。 然后， 将抗坏血酸 (0.63 mol/L, 1.0 mL)加入瓶中， 还原反应持续 lh。 观察到溶液由淡黄色迅速变为粉红 色， 并在几分钟内慢慢变为酒红色， 说明反应生成了

Au纳米颗粒。 随后， 将 Ν'Ν'-亚甲基双丙烯酰胺 (0.13mol/L， 1.0 mL)加入刚生成 的 Au纳米颗粒溶液中， 搅拌 10min， 接着加入一定量的 H ₂ 0 ₂ (30 wt<¾)引发聚合 ， 反应继续进行 1.5 h。 收集产物， 转移到透析袋中透析三天， 以除去溶液中的 低聚物和残留小分子， 得到 Au@PVP核壳纳米颗粒。

[0145] S32.QLED器件制备：

[0146] 将图案化的 ITO基板按次序置于丙酮、 洗液、 去离子水以及异丙醇中进行超声 清洗， 以上每一步超声均需持续 15分钟左右。 待超声完成后将 ITO放置于洁净烘 箱内烘干备用。

[0147] 待 ITO基板烘干后， 用氧气等离子体处理或紫外-臭氧处理 ITO表面 5分钟以进一 步出去 ITO表面附着的有机物并提高 ITO的功函数。

[0148] 在经过上步处理的 ITO基板上沉积一层空穴注入层 PEDOT: PSS , 此层的厚度 为 30nm， 并将此层置于 150°C的加热台上加热 10分钟以除去水分， 此步需在空气 中完成。

[0149] 将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气 氛中， 沉积一层空穴传输层材料 PVK, 其厚度为 30nm。 沉积完空穴传输层后需要将其置于 150°C的加热台上加热 10分钟除去溶剂。

[0150] 待上一步处理的片子冷却后， 将量子点发光层沉积在空穴传输层表面， 其厚度 为 20nm。 这一步的沉积完成后将片子放置在 80°C的加热台上加热 10分钟， 除去 残留的溶剂。

[0151] 将合成的 Ag@PVP按照质量分数 0.2%的比列分散在电子传输材料 n型氧化锌中

， 并搅拌均匀， 待上一步处理的片子冷却后， 在量子点表面沉积一层分散有 Ag @PVP核壳结构复合材料的 ZnO电子传输层， 厚度为 35nm， 这一步的沉积完成后 将片子放置在 80°C的加热台上加热 10分钟， 除去残留的溶剂。 然后， 沉积一层电 子注入层材料 Ca金属。

[0152] 将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩 膜板热蒸镀一层 lOOnm的金属银 作为阴极， 得到 QLED器件。

[0153] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已， 并不用以限制本发明， 凡在本发明的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明的保 护范围之内。