本実施の形態を説明するための全図にお� ��て同一機能を有するものは同一の符号を付� ��ようにし、その繰り返しの説明は原則とし� ��省略する。また、本実施の形態を説明する� ��めの全図においては、各部材の構成をわか� ��やすくするために、平面図であってもハッ� ��ングや模様を付す場合がある。以下、本発� ��の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明� ��る。

 (実施の形態1)
 <PDPの基本構造>
 まず、図1および図2を用いて本実施の形態1� ��PDPの構造の一例について交流面放電型のPDP� ��例に説明する。図1は本実施の形態1のPDPの� �部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図� �図2は図1に示す電極群、隔壁、およびP粒子� �加機能層の平面的位置関係を示す表示面側� �らみた要部拡大平面図である。

 なお、図2ではPDPの有する電極群、隔壁、 およびP粒子増加機能層の位置関係を判りや� �く示すため、その他の部材は図示を省略し� �いる。

 図1において、PDP1は前面構造体(第1基板構 造体)11と背面構造体(第2基板構造体)12とを有� ��ている。前面構造体11と背面構造体12とは互 いに対向した状態で組み合わされ、その間に 放電空間24を有している。

 前面構造体11はPDP1の表示面を有し、表示� ��側には主にガラスで構成される前面基板(基 板、第1基板)13を有している。前面基板13の表 示面と反対側の面(第1の面)にはPDP1の表示電� �であるX電極(第2電極、維持電極、サステイ� �電極)14と、Y電極(第1電極、走査電極、スキ� �ン電極)15とがそれぞれ複数(図2参照)形成さ� �ている。

 X電極14およびY電極15は維持放電(表示放電 、あるいはサステイン放電とも呼ばれる)を� �うための電極対を構成し、例えば、行方向(� ��方向)に延在するようにそれぞれ交互に配置 されている。この一対のX電極14とY電極15とが PDP1における表示の行を構成する。

 このX電極14およびY電極15は一般に例えば� ��ITO(Indium Tin Oxide)などの透明な電極材料で� �成されるX透明電極(透過部)14a、Y透明電極(透 過部)15aと、各透明電極に電気的に接続され� �Xバス電極(遮光部)14b、Yバス電極(遮光部)15b� �で構成される。

 このX透明電極14a、Y透明電極15aとXバス電� ��14b、Yバス電極15bとは後述する蛍光体部23か� ��発光される可視光に対する透過性が異なる� ��

 このX透明電極14a、Y透明電極15aは、維持� �電の安定化や放電効率の向上のため、例え� �図2に示すように、一対の電極対間の最短距� ��(放電ギャップと呼ばれる)がセル25の位置に 対応して局所的に近づくようにXバス電極14b� �Yバス電極15bからそれぞれ対向する方向に突� ��して形成される。このX透明電極14a、Y透明� �極15aが突出して形成される位置は、PDP1(図1� �照)のセル25に該当するため、後述する蛍光� �部23から発光される可視光を透過させるため に、X透明電極14a、Y透明電極15aは透明の電極� ��料で形成される。

 なお、図2ではX透明電極14a、Y透明電極15a� ��それぞれ有する突出部の形状の一例としてT 型の形状を示しているが、この形状に限定さ れる訳ではなく、種々の変形例に適用するこ とができる。

 一方、Xバス電極14bおよびYバス電極15bは� �X電極14およびY電極15の電気抵抗を低減する� �めに形成され、透明電極よりも電気抵抗の� �いCuやAgなどの金属材料で形成されている。� ��た、この金属材料は単一成分に限定される� ��ではなく、例えばCuを用いる場合には、Cuの 酸化防止やITOなどへの接着性向上のためにCr/ Cu/Crを順に積層した構造とすることもできる� ��

 このようにXバス電極14b、Yバス電極15bは� �属材料で形成されるため、可視光に対する� �光性が前面基板13およびX透明電極14a、Y透明� ��極15aと比較して高い。つまり可視光の透過� ��が低い。また、Xバス電極14bおよびYバス電� �15bの表面は外光の反射を防止ないしは抑制� �るため、黒色あるいは暗色の色調となるよ� �に形成されている。

 このため、この前面基板構造体11の厚さ� �向に一様な可視光を照射すると、Xバス電極1 4b、Yバス電極15bが配置される箇所では光が吸 収され、X透明電極14a、Y透明電極15aが配置さ� ��る箇所のうち、Xバス電極14b、Yバス電極15b� �重ならない領域では光が透過する構造とな� �ている。

 また、図1に示すように、これらの電極群 (X電極14、Y電極15)は、誘電体層17で被覆され� �いる。また、誘電体層17の表面には、MgO(酸� �マグネシウム)などの金属酸化物で構成され� ��保護層18が形成されている。保護層18は誘電 体層17の一方の表面を覆うように形成されて� ��る。

 保護層18には高いスパッタ耐性と2次電子� ��出係数が要求されるため、一般にMgOを用い� ��が、材料はこれに限定されない。例えば、M gOにCaO(酸化カルシウム)を混合した複合材料� �してもよい。CaOを混合することにより、保� �層18のスパッタ耐性を向上させることができ る。あるいは2次電子放出係数がMgOよりも高� �SrOなどの材料を用いても良い。

 また、保護層18の表面にはP(プライマリ)� �子増加機能層(第1粉体層)16が形成されている 。このP粒子増加機能層16は、例えばMgOなど結 晶体である複数の結晶体粒子が保護層18の表� ��に凝集して形成された粉体凝集層である。� ��のP粒子増加機能層16の詳細な構造および機� ��については後述する。

 一方、図1に示す背面構造体12は、主にガ� ��スで構成される背面基板(基板、第2基板)19� �有している。背面基板19の前面基板構造体11� ��対向する面(第2の面)上には、複数のアドレ� ��電極(第3電極)20が形成されている。各アド� �ス電極20は、X電極14およびY電極15が延在する 方向と交差する(略直角)の列方向(縦方向)に� �延在するように形成されている。また、各� �ドレス電極20は、互いに沿って(略平行)とな� ��ように所定の配置間隔を持って配置されて� ��る。

 このアドレス電極20と、前面基板構造体11 に形成されたY電極15とは、セル25の点灯/非点 灯を選択するための放電であるアドレス放電 を行うための電極対を構成する。つまり、Y� �極14は維持放電用の電極としての機能とアド レス放電用の電極としての機能とを併せ持っ ている。

 アドレス電極20は、誘電体層21で被覆され ている。誘電体層21上には背面構造体12の厚� �方向に伸びる複数の隔壁(第1の隔壁、縦リブ )22が形成されている。隔壁22はアドレス電極2 0が延在する方向に沿ってライン状に延在す� �ように形成されている。また、隔壁22の平面 上の位置は、図2に示すように隣り合うアド� �ス電極20の間に配置されている。隔壁22を隣� ��合うアドレス電極20の間に配置することに� �り、各アドレス電極の位置に対応して誘電� �層21の表面を列方向に区分けする放電空間24� ��形成される。

 また、アドレス電極20上の誘電体層21上面 、および隔壁22の側面には、真空紫外線によ� ��励起されて赤(R),緑(G),青(B)の各色の可視光� �発生する蛍光体部23r、23g、23bがそれぞれ所� �の位置に形成されている。

 また、図1に示す前面構造体11と背面構造� ��12とは、保護層18が形成された面と隔壁22が� ��成された面とが対向した状態で固定されて� ��る。また、図示しないPDP1の周囲部は、例え ばフリットとよばれる低融点ガラス材料など の封着材により封着され、放電空間24内に、� ��電ガスと呼ばれるガス(例えばNeとXeの混合� �ス)が所定の圧力で封入されている。

 図2に示すように一対のX電極14とY電極15と アドレス電極20との交差に対応して1個のセル 25が構成される。セル25の平面積は一対のX電� ��14とY電極15の配置間隔と、隔壁22の配置間隔 により規定される。

 また、各セル25には、図1に示す赤用の蛍� ��体部23r、緑用の蛍光体部23g、または青用蛍� ��体部23bのいずれかがそれぞれ形成されてい� ��。

 このR,G,Bの各セル25のセットにより画素(� �クセル)が構成される。つまり、各蛍光体部2 3r、23g、23bはPDP1の発光素子であり維持放電に よって発生する所定波長の真空紫外線に励起 されて赤(R),緑(G),青(B)の各色の可視光を発光� ��る。

 PDP1は、このセル25毎に維持放電を発生さ� ��て、維持放電により発生する真空紫外線に� ��りR、G、Bの各蛍光体部23を励起して発光さ� �る構造となっている。

 <PDPの駆動方式>
 次に図1~図3を用いてPDP1の基本的な駆動方式 (サブフィールド法及びアドレス表示分離方� �)、駆動波形の例、セル点灯プロセス等につ� ��て説明する。図3は図1に示すPDPの駆動波形� �例を示す説明図である。

 図1に示すPDP1が組み込まれたPDP装置では� �駆動制御回路(図示は省略)から送られる表示 データ等に基づき、PDP1の電極群(X電極14、Y電 極15、アドレス電極20)へ駆動波形を印加する� ��とにより駆動する。PDP1の画面に対応するフ ィールド(フィールド期間)は、所定の輝度の� ��み付けが与えられた複数のサブフィールド( SF)から構成される。サブフィールド(サブフ� �ールド期間)は、例えばリセット、アドレス� ��サステインといった概略3つの動作期間で構 成され、これらの反復により所望のセル(サ� �ピクセル)25(図2参照)を点灯(発光)させる。ま た、フィールド中の点灯するサブフィールド を選択し組み合わせることで、画素(ピクセ� �)の輝度(階調)が表現される。図3ではサブフ� ��ールド(SF)における図2に示す各電極(X電極14� ��Y電極15、アドレス電極20)に対する駆動波形� ��(PX,PY,PA)を示している。

 第1のステップとして、リセット動作期間 (TR)では、表示電極対であるX電極14(図2参照)� �Y電極15(図2参照)に駆動波形を印加すること� �より、表示電極(X電極14、Y電極15)対での放電 (リセット放電)を発生させて、全セルの初期� ��(次のアドレス動作期間に備える状態にする こと)を行う。

 第2のステップとして、アドレス動作期間 (TA)では、点灯させることを選択するセル25(� �2参照)に対し、アドレス電極20及びY電極15へ� ��駆動波形(アドレスパルス、走査パルス)を� �加することにより、アドレス電極20(図2参照) とY電極15との間での放電(アドレス放電)、及� ��それに続く表示電極(X電極14、Y電極15)対で� �放電(維持放電、表示放電)を発生させる。

 第3のステップとして、サステイン動作期 間(TS)では、表示電極(X電極14、Y電極15)群への 駆動波形(サステインパルス)の印加により、� ��前のアドレス動作で選択されているセルで� ��表示電極(X電極14、Y電極15)対の間での放電(� ��持放電、表示放電、サステイン放電)を発生 させ、当該セルでの発光が行われる。

 図2に示す各セル25内の蛍光体部23(図1参照 )は、サステイン放電動作の結果、放電ガス� �ら放射される紫外線によって励起され、対� �する色で発光する。各色の発光が、表示面� �へ透過されて取り出されることで、表示の� �度となる。

 図3において、リセット動作期間(TR)では� �まず、前半(a)、X電極14に、負の書き込み電� �が印加され、Y電極15に、正の書き込み電圧(� ��やかに上昇する波形)が印加される。これに より、セル25の発光を抑えながら、表示電極( X電極14、Y電極15)対に、正と負の壁電荷がそ� �ぞれ蓄積される。

 次に、後半(b)、X電極14に、正の調整電圧� ��印加され、Y電極15に、負の調整電圧(鈍波)� �印加される。これにより、壁電荷の量が減� �とともに、全てのセル25の壁電荷がほぼ等し くなる。

 アドレス動作期間(TA)では、選択対象(点� �させることを選択する対象)のセル25に対し� �X電極14に、正の走査電圧が印加され、Y電極1 5に、負の走査パルスが印加され、アドレス� �極20に、正のアドレスパルスが印加される。 これにより選択されたセルは、放電(アドレ� �放電)を開始する。

 図3に示す駆動方式の場合、アドレス放電 時において、駆動波形PYには負の走査パルス� ��印加され、駆動波形PAに正のアドレスパル� �が印加される。つまり、アドレス放電時に� �いて図1に示すY電極15が陰極、アドレス電極2 0が陽極となる。

 なお、駆動方式は図3に示す方法に限定さ れず、例えば上記アドレスパルスの正負を逆 転して印加することもできる。この場合、ア ドレス放電時のY電極15は陽極、アドレス電極 20は陰極として動作することとなる。

 サステイン動作期間(TS)では、表示電極(X� ��極14、Y電極15)対の群に、まず、負及び正の� ��持パルスが印加される(c)。これにより、点� ��することを選択されたセル25の放電状態が� �持される。続いて、表示電極(X電極14、Y電極 15)対の群に、互いに極性の異なる維持パルス が繰り返し印加される(d)。これにより、点灯 することを選択されたセル25での放電が繰り� ��し行われる。維持パルスの印加後(e)には、� ��えば次のリセット動作期間(TR)につながる調 整の波形が表示電極(X電極14、Y電極15)に印加� ��れる。

 <P粒子増加機能層の詳細構造>
 次に図1~図3を用いてP粒子増加機能層16の詳� ��な構造と機能について説明する。

 図3を用いて説明したように、アドレス動 作期間(TA)では選択対象(点灯させることを選� ��する対象)のセル25(図2参照)に対し、Y電極15( 図2参照)に、負の走査パルスが印加され、ア� ��レス電極20(図2参照)に、正のアドレスパル� �が印加される。

 ここで、Y電極15に走査パルスを印加して� ��アドレス電極20にアドレスパルスを印加し� �時に、放電空間24(図1参照)内の選択されたセ ル25に対応する位置に存在するP粒子(プライ� �ング粒子、荷電粒子)の量によって、アドレ� ��放電が開始されるまでの時間がばらつく問� ��がある。すなわち、放電空間24内にP粒子が� ��分に存在する場合、走査パルスおよびアド� ��スパルスを印加してからアドレス放電が開� ��されるまでの時間(アドレス放電遅れ)は短� �が、P粒子の存在量が少ない場合、アドレス� ��電遅れは長くなってしまうという問題であ� ��。

 そこで、本実施の形態1では、前面基板構 造体11(図1参照)の放電空間24に露出する面にP� ��子増加機能層(第1粉体層)16を形成した。

 このP粒子増加機能層16は、例えば気相法� ��形成された金属(詳しくは2価の金属)酸化物� ��晶体粒子の粉体が凝集して形成された(2価� �)金属酸化物結晶体粒子凝集層である。この� ��うな結晶粉体として例えば、MgO結晶粉体が� ��る。また、酸化カルシウム結晶粉体、酸化� ��トロンチウム結晶粉体、あるいは酸化バリ� ��ム結晶粉体などもMgO結晶粉体と構成が類似� ��ているため用いることができると考えられ� ��。

 このP粒子増加機能層16が放電空間24内のP� ��子をどのようなメカニズムにより増加させ� ��のかは現時点では詳細には解明されていな� ��。しかし、P粒子増加機能層16を放電空間24� �露出させて形成することにより、該露出し� �領域周辺のP粒子(詳しくは電子)の量が増加� �ることは実験的に判っている。

 また本発明者の実験により、P粒子増加機 能層16の露出面積を大きくする程、P粒子(電� �)の量を多くすることが出来ることも判った� ��

 しかし、P粒子増加機能層16は略立方体の� ��晶体粒子が凝集して形成された層であるた� ��、図1に示す保護層18の全面に形成すると、� ��光体部23から発光された可視光がP粒子増加� ��能層16で乱反射してPDP1の発光効率が低下し� ��しまう。

 また、図3に示すサステイン動作期間(TS)� �、表示電極(X電極14、Y電極15)対の群に、維持 パルスを印加しても、P粒子増加機能層16によ って放電の広がりが阻害され易くなる。この ため、適正な維持放電を行うために印加する 電圧量が高くなるのでマージンの悪化を引き 起こす原因となる。

 そこで、本発明者は、アドレス放電遅れ� ��ばらつく問題を解決するために必要な量のP 粒子を確保しつつP粒子増加機能層16の形成面 積を最小限とするための構造について検討を 行った。

 図2に示すように、本実施の形態1では、P� ��子増加機能層16を保護層18の表面全体に形成 するのではなく、保護層18の表面であって、Y バス電極15aと重なる位置に選択的に形成して いる。

 ここで、P粒子増加機能層16の例として例� ��した各結晶粉体はP粒子としての電子を増加 させる機能を有している。つまり、負の電気 的極性を有するP粒子を増加させる。一方、Y� ��ス電極15b(Y電極15)は前述の通りアドレス放� �時に陰極となる。したがって、P粒子増加機� ��層16は、アドレス放電時にP粒子と同じ電気� ��極性となるYバス電極15bと重なる位置に選択 的に形成されている。

 このようにP粒子が電子である場合、アド レス放電遅れのばらつきを抑制するためには 、アドレス放電時に陰極となる電極近傍の放 電空間24、すなわち本実施の形態1ではY電極15 が形成された領域近傍の放電空間24のP粒子が 十分に存在していれば良い。

 つまり、P粒子増加機能層16を、Yバス電極 15bと重なる位置に選択的に形成することによ りアドレス放電遅れのばらつきを抑制するこ とができる。

 また、P粒子増加機能層16の背面基板構造� ��12と対向する主面16aは、放電空間24に露出し ている。このように、P粒子増加機能層16の側 面のみではなく、主面16aも放電空間24に露出� ��せることにより、P粒子増加機能層16が放電� ��間24内のP粒子を増加させる機能を向上させ� ��ことができる。つまり、アドレス放電遅れ� ��ばらつきを防止ないしは抑制することがで� ��る。

 また、P粒子増加機能層16を、Yバス電極15b と重なる位置に選択的に形成することにより 、P粒子増加機能層16の形成面積を最小限に抑 えることができる。このため、蛍光体部23か� ��発光された可視光はP粒子増加機能層16を形� ��していない領域を透過するので、上記したP DP1の発光輝度の低下を抑制することができる 。

 なお、P粒子増加機能層16を形成した領域� ��、可視光に対する遮光性が高いYバス電極15b と重なる領域であるため、P粒子増加機能層16 の有無に係わらず可視光は遮光される領域で ある。したがって、Yバス電極15bと重なる領� �にP粒子増加機能層16を形成したことによる� �光効率の低下は無視できるほど小さい。

 本実施の形態1では、アドレス放電時に図 1に示すY電極15が陰極となる駆動回路を有し� �P粒子増加機能層16が増加させるP粒子が負の� ��気的極性を有する電子であるため、Yバス電 極15bと重なる領域にP粒子増加機能層16を形成 した。しかし、上記構成には種々の変形例が ある。

 例えば、アドレス放電時に図1に示すY電� �15が陽極となる駆動回路を有し、P粒子増加� �能層16が増加させるP粒子が正の電気的極性� �有する荷電粒子(例えば陽イオン)である場合 であっても、Yバス電極15bと重なる領域にP粒� ��増加機能層16を形成することにより、アド� �ス放電遅れを抑制しつつ、発光輝度の低下� �抑制することができる。

 また、本実施の形態1ではアドレス電極20� ��背面基板構造体12側に形成したが、アドレ� �電極20を前面基板構造体11側に形成する場合� ��ある。例えば、図2に示す各電極群(X電極14� �Y電極15、アドレス電極20)と同様な平面的な� �置構造を有しつつ、図1に示す誘電体層17と� �護層18との間にアドレス電極20とこれを被覆� ��る第2の誘電体層を形成する場合がある。

 この構造において、アドレス放電時に図1 に示すY電極15が陽極となる駆動回路を有し、 P粒子増加機能層16が増加させるP粒子が負の� �気的極性を有する電子である場合には、ア� �レス放電時に陰極となるアドレス電極20と重 なる領域にP粒子増加機能層16を形成すること により、アドレス放電遅れを抑制しつつ、発 光輝度の低下を抑制することができる。

 また、この構造において、アドレス放電� ��に図1に示すY電極15が陰極となる駆動回路を 有し、P粒子増加機能層16が増加させるP粒子� �正の電気的極性を有する荷電粒子(例えば陽� ��オン)である場合には、アドレス放電時に陽 極となるアドレス電極20と重なる領域にP粒子 増加機能層16を形成することにより、アドレ� ��放電遅れを抑制しつつ、発光輝度の低下を� ��制することができる。

 ただし、アドレス電極20が図1に示すよう� ��背面基板構造体20に形成される構成におい� �、このアドレス放電時のアドレス電極20の電 気的極性がP粒子の電気的極性と同じである� �合、上記した発光輝度の低下の問題は発生� �ないのでこの構成は除かれる。

 <PDPの製造方法の概要>
 次に、本実施の形態1のPDP1の製造方法の概� �について図1を用いて説明する。本実施の形� ��1のPDP1の製造方法は以下の工程を有してい� �。

 (a)まず、図1に示す前面基板構造体11(P粒� �増加機能層16を除く)を形成する。前面基板� �造体11は例えば以下のように形成される。

 まず、前面基板(第1基板)13を用意して表� �面の反対側となる第1の面にX透明電極(透明� �)14aおよびY透明電極(透明部)15aを例えば図2に 示すような所定のパターンで形成する。また 、X透明電極14a、Y電極15a上にそれぞれXバス電 極(遮光部)14b、Yバス電極(遮光部)15bを形成す� ��。

 次に、前面基板13上に、X電極14およびY電� ��(第1電極)15を被覆する誘電体層17、保護層18� ��順次積層して形成する。なお、保護層18は� �えばMgOで構成され、例えば蒸着法により形� �することができるが、保護層18を構成するMgO などの金属酸化物は雰囲気中の水分などを吸 着しやすい性質を有している。このため、本 保護層形成工程は真空(減圧)雰囲気中で行い� ��保護層18への水分の付着を防止ないしは抑� �することが好ましい。

 (b)また、図1に示す背面基板構造体12を形� ��する。背面基板構造体12は例えば以下のよ� �に形成される。

 まず、背面基板19を用意して一方の面(第2 の面)にアドレス電極20を所定のパターンで形 成する。次に背面基板19の表面にアドレス電� ��20を覆うように誘電体層21を形成する。次に 誘電体層21の表面に放電空間24を区画する隔� �22を形成する。隔壁22は、アドレス電極20に� �って延在するように形成する。次に、隔壁22 で区画された各放電空間24内に蛍光体部23を� �布、加熱して形成する。

 なお、背面基板構造体12は、必ずしもこ� �段階で用意する必要はなく、後述する(d)工� �の前に用意すれば良い。

 (c)次に前面基板構造体11の第1の面側の表� ��(つまり保護層18の表面)であって、Y電極15が 形成される位置と重なる領域にP粒子増加機� �層16を選択的に形成する。本工程については 後で詳細に説明する。

 (d)次に前面基板構造体11の第1の面側と第2 基板構造体の第2の面側とを対向させた状態� �重ね合わせて組み立てる。

 この工程では、各基板構造体11、12のいず れかに形成された電極群(X電極14、Y電極15、� �ドレス電極20)が、例えば図2に示すような所� ��の位置関係となるように位置合わせされた� ��、重なった状態で固定され、各基板構造体1 1、12の外周を図示しない封着剤(例えばシー� �フリット)などで封着する。

 各基板構造体11、12の外周が封着された後 、少なくともいずれか一方の基板構造体11、1 2に形成された図示しない通気孔を介して放� �空間24の内部空間のガスが排出する。また、 その後該通気孔を介して所定の放電ガスが所 定の圧力で封入される。放電ガスが封入され た後、通気孔を封止して図1に示すPDP1が得ら� ��る。

 <P粒子増加機能層を選択的に形成する工� �>
 ところで、上記<P粒子増加機能層の詳細� �造>で説明した気相法で形成したMgO結晶体� ��子などの結晶体粒子の凝集体は、不安定な( 反応性の高い)物質である。このため、図1お� ��び図2に示すP粒子増加機能層16を選択的に形 成する方法として、樹脂ペースト化した結晶 体粒子粉体を選択的に塗布する方法を用いる と、ペースト化させる工程中、あるいは、塗 布したペーストを焼成してバインダ樹脂成分 を蒸発させる工程中に変質してしまう問題が あった。つまり、現在までP粒子増加機能層16 を所望の位置に選択的に形成する技術は確立 されていなかった。

 以下で、本実施の形態1のP粒子増加機能� �16を形成する工程を示す断面図である図4~図7 を用いて、本発明者が検討および実験を行っ た結果確立したP粒子増加機能層16を選択的に 形成する技術について説明する。

 図4は本実施の形態1の前面基板構造体にP� ��子を増加させる機能を有する結晶体粒子が� ��散されたスラリを塗布した状態を示す要部� ��大断面図、図5は図4に示す前面構造体のP粒� ��増加機能層を形成したい領域に選択的に光� ��照射した状態を示す要部拡大断面図である� ��また、図6は図5に示す前面構造体に光を照� �することによりスラリの中に分散された結� �体粒子が移動する様子を模式的に示す要部� �大断面図、図7は図6に示す有機溶媒が完全に 蒸発してP粒子増加機能層が形成された状態� �示す要部拡大断面図である。

 なお、図4~図7に示す各断面図は、図2に示 すA-A線に沿った前面基板構造体の断面図であ って、表示面側を下面側とした状態で示して いる。

 (c1)まず、図1に示すP粒子増加機能層16を� �成する結晶体粒子(第1粒子)30(図4参照)が、有 機溶媒31(図4参照)中に分散されたスラリ32を� �備する(スラリ準備工程)。

 スラリ32の原料となる結晶体粒子30は上記 <P粒子増加機能層の詳細構造>で説明した 例えばMgOなど(2価の)金属酸化物結晶体粒子を 粉体化したものである。この結晶体粒子30の� ��製方法は特に限定されないが、例えば、MgO� ��結晶体粒子30の場合、マグネシウム蒸気と� �素を反応させる気相法で製造することがで� �る。結晶体粒子30を気相法で製造することに より、純度の高い単結晶粉体が得られる。

 また、気相法で製造する際に結晶体粒子3 0の1次粒子が凝集している場合には、予め解� ��しておくことが好ましい。結晶体粒子30の� �集体である2次粒子の粒子径が大きいと、ス� ��リ32中でこの凝集体が沈降する場合がある� �、予め解砕しておくことによりこれを防止� �きる。

 次に、結晶体粒子30を有機溶媒31中に混合 、分散させてスラリ32が得られる。この有機� ��媒31は、結晶体粒子30を分散させることが可 能な液状のものであって、後述する有機溶媒 蒸発工程で蒸発させることができるものであ れば特に限定されない。例えば、アルコール 系の有機溶媒を用いることができる。

 ただし、粉体粒子をペースト化する際に� ��般にバインダ樹脂として用いられるポリマ� ��機化合物は含まないようにすることが好ま� ��い。ポリマ有機化合物を含んでいる場合、� ��述する有機溶媒蒸発工程で、蒸発させるた� ��に高温で焼成する必要が生じる。この焼成� ��に結晶体粒子30が蒸発前の有機化合物等と� �応して変質する場合があるからである。

 (c2)次に、図4に示すようにスラリ32を前面 基板構造体11の前記した第1の面側の表面、す なわち保護層18の表面に塗布する(スラリ塗布 工程)。

 この工程ではスラリ32を保護層18の表面全 体に塗布すれば良く、結晶体粒子30が特定の� ��域に集まるように塗布する必要はない。し� ��がって、塗布手段は特に限定されない。例� ��ば、スプレーガンを用いてスラリ32を保護� �18の表面に吹付ける手段を用いることができ る。

 また、例えば、スクリーン印刷装置や、� ��ロットコータなどを用いて保護層18の表面� �スラリ32を塗布しても良い。ただし、スクリ ーン印刷法やスロットコート法を用いる場合 には、スプレー法と比較してスラリ32が厚く� ��布される。したがって保護層18の外側にス� �リ32がこぼれることを防止するために、保護 層18の外周を枠状に取り囲む壁となる治具を� ��いることが好ましい。

 (c3)次に図5に示すように、前面基板構造� �11に光を照射して、図6に示すYバス電極15bが� ��成された領域の温度を選択的に上昇させた� ��態でスラリ32の有機溶媒31を蒸発させる(有� �溶媒蒸発工程)。

 この工程では、例えば、図5に示す前面基 板構造体11のスラリ32が塗布された面側から� �透明な材料である前面基板13やY透明電極15a� �保護層18は透過するが、遮光部であるYバス� �極15bには吸収されるような光35を照射する。 図5では波長が約400nm~約800nm程度の可視光を例 えばレーザ光のように指向性や収束性を高め た状態で集光した光35をYバス電極15bが形成さ れた領域に沿って選択的に照射している状態 を示している。

 光35が遮光部であるYバス電極15bに照射さ� ��ると、Yバス電極15bは光35を吸収して加熱さ� ��る。そして、図6に示すYバス電極15bの周辺� �第1領域36はその他の領域と比較して温度が� �くなる。つまり、Yバス電極15bが形成された� ��域の温度が選択的に上昇する。この結果、� ��護層18の表面上には、Yバス電極15bと重なる� ��域と、その他の領域とで温度差が生じる。

 このため、Yバス電極15bと重なる領域に塗 布されたスラリ32の有機溶媒31は他の領域よ� �も活発に蒸発することとなる。つまり有機� �媒31の単位時間蒸発量はYバス電極15bと重な� �領域が他の領域と比較して多くなる。

 ここで、本発明者は有機溶媒31のように� �度が低く、高い流動性を有する液体中に分� �された結晶体粒子30は、図6に示すように単� �時間当りの有機溶媒31の蒸発量が多い領域に 集まるように移動することを実験的に確認し た。

 この現象は、以下の理由によるものと考� ��られる。すなわち、単位時間蒸発量がその� ��囲と比較して局所的に多い領域が形成され� ��と、該領域の有機溶媒31の残存量が周辺領� �よりも早く少なくなる。このため、この周� �領域の有機溶媒31が単位時間蒸発量の多い領 域に向かって移動する流れができる。図6に� �すようにスラリ32中の結晶体粒子30はこの有� ��溶媒31の流れに同伴されて、単位時間蒸発� �の多い領域、すなわちYバス電極15bと重なる� ��域に向かって移動するためと考えられる。

 本実施の形態1では図5に示す光35として可 視光を用いた。可視光には、略透明な材料で 構成される前面基板13やY透明電極15a、保護層 18などは透過するが、遮光部である金属材料� ��構成されるYバス電極15bには吸収される性質 を持っている。

 このため、集光された光35の少なくとも� �部が、Yバス電極15bに照射されればYバス電極 15bが加熱される。一方、前面基板13やY透明電 極15a、保護層18などの部材に光35が照射され� �場合であっても光35は透過するため、これら の部材は加熱されず、結果として上記した温 度差が生じることとなる。

 したがって、光35の集光の程度およびYバ� ��電極15bの配置位置に対する位置合わせ(アラ イメント)精度は厳密なものでなくても良く� �少なくとも光35の一部がYバス電極15bに照射� �れていれば良い。

 ただし、照射する光35のエネルギー効率� �考慮する場合、Yバス電極15bに照射されない� ��35はYバス電極15bの加熱に寄与しないので、� ��きる限り少なくすることが好ましい。つま� ��、集光した光35をYバス電極15bに沿って選択� ��に照射することが好ましい。また、光35を� �射する領域が、Yバス電極15bが形成された領� ��と同一である場合、理論上照射する光35の� �ネルギー効率は最大となる。

 光35の変形例として例えば赤外線など可� �光よりも波長が長い光を用いることもでき� �。ただし、赤外線など可視光よりも波長が� �い光は、前面基板13やY透明電極15a、保護層18 なども吸収するので、これを用いる場合は可 視光を用いる場合よりも収束性を高めたレー ザ光を用いる必要がある。また、Yバス電極15 bの配置位置に対する位置合わせ(アライメン� ��)精度も向上させる必要がある。

 また、光35は、Yバス電極15bと重なる領域� ��その他の領域において温度差が生じ、塗布� ��れたスラリ32の有機成分31が活発に蒸発する のに十分な強度を有している。

 ところで、上記(c2)工程と(c3)工程とはか� �らずしも順番に実施する必要はなく、並行� �て進行させることもできる。以下図8を用い� ��説明する。

 図8は、本実施の形態1の(c2)工程および(c3) 工程を並行して進行させる方法の一例を示す 説明図であって、図4~図7に示す前面基板構造 体の斜視図である。

 本実施の形態1の(c2)工程および(c3)工程を� ��行して進行させる場合、図4に示すスラリ32� ��、例えばスプレー法などを用いてYバス電極 15bが形成された位置に沿ってスキャンしなが ら塗布する。図8では、スラリ32を塗布するス キャン方向37の例を矢印で示している。

 スラリ32はスプレーガン(塗布装置)38がス� ��ャン方向37に通過することにより、Yバス電� ��15b(図4)に沿って塗布される。ここで、スラ� ��32に含まれる有機溶媒31(図4参照)は、例えば アルコール系の有機化合物であり、揮発性が 高い。このため、スラリ32の塗布が完了した� ��の放置時間が長くなると、雰囲気の温度に� ��って揮発してしまう場合がある。

 そこで、図8に示すように、例えばスプレ ーガン38の後を光照射装置39が追従するよう� �構成とする。つまり、スラリ32の塗布が完了 した領域に対して逐次的に光35を照射する。

 このように(c2)工程および(c3)工程を並行� �て進行させて、スラリ32の塗布が完了した領 域に対して逐次的に光35(図5参照)を照射する� ��とにより、スラリ32を塗布した後の放置時� �は大幅に短縮される。このため、スラリ32に 含まれる有機溶媒31の揮発を防止ないしは抑� ��することができる。

 この(c3)工程が完了すると、スラリ32中に� ��散されていた結晶体粒子30は図7に示すよう� ��保護層18の表面であって、Yバス電極15bと重� ��る領域に凝集してP粒子増加機能層16が選択� ��に形成される。

 以上説明したように、本実施の形態1によ れば、前面基板構造体11の保護層18の表面で� �って、Yバス電極15bと重なる領域にP粒子増加 機能層16を選択的に形成することができる。

 また、保護層18の表面に塗布するスラリ32 中の結晶体粒子30は特定の場所に固まって配� ��されている必要はなく、分散されていれば� ��い。結晶体粒子30が分散された状態であっ� �も自動的に所定の領域に結晶体粒子30が凝集 する。したがって、製造工程を簡略的なもの とすることができる。

 また、保護層18の表面であって、Yバス電� ��15bと重なる領域にP粒子増加機能層16を形成� ��、P粒子増加機能層16の背面基板構造体12と� �向する主面16aが放電空間24に露出する構造と することにより、アドレス放電遅れのばらつ きを防止ないしは抑制することができる。

 また、Yバス電極15bと重なる領域にP粒子� �加機能層16を形成する領域を選択的に形成す ることにより、蛍光体部23から発光される可� ��光を散乱させる現象、あるいは維持放電時� ��放電の広がりを阻害する現象を最小限に留� ��ることができるので、発光効率の低下を抑� ��することができる。

 <本実施の形態1の変形例>
 図1~図8では、Yバス電極15bと重なる領域のみ にP粒子増加機能層16を選択的に形成する構成 について説明した。しかし、P粒子増加機能� �16を形成する領域はYバス電極15bと重なる領� �のみに限定される訳ではない。

 以下図9~図11を用いて本実施の形態1の第1� ��変形例について説明する。図9は本実施の形 態1の変形例であるPDPの要部拡大組み立て要� �拡大組み立て斜視図、図10は図9に示す電極� �、隔壁、およびP粒子増加機能層の平面的位� ��関係を示す表示面側からみた要部拡大平面� ��である。また、図11は図9に示すPDPが維持放� ��をする様子を模式的に示す図であって図10� �示すB-B線に沿った前面基板構造体の要部拡� �断面図である。

 図9に示すPDP1aと図1に示すPDP1との相違点� �、P粒子増加機能層16が第1の面側の表面、す� ��わち保護層18の表面であって、Yバス電極15b� ��重なる領域に加えて、Xバス電極14bと重なる 領域にも形成されている点である。

 このXバス電極14bが構成するX電極14は、前 述の通り、蛍光体部23を励起するための放電� ��ある維持放電時に、Y電極15と対をなす電極� ��ある。また、このXバス電極14bはYバス電極15 bと同様の材料で形成されており、可視光に� �する遮光性は前面基板13よりも高く、P粒子� �加機能層16の有無に係わらず蛍光体部23から� ��可視光は遮光される領域である。このため� ��Yバス電極15bと重なる領域にP粒子増加機能� �16を形成したことによる発光効率の低下は無 視できるほど小さい。

 また、Xバス電極14bと重なる領域に形成し たP粒子増加機能層16の背面基板構造体と対向 する面である主面16aも放電空間24に露出して� ��る。このため放電空間24内のP粒子をさらに� ��加させることができる。

 また、Xバス電極14b、Yバス電極15bの各々� �重なる領域にP粒子増加機能層16を形成する� �とにより図1~図8を用いて説明した効果に加� �て以下の効果が得られる。

 図11において、X電極14、Y電極15で維持放� �を行う場合、まず、X電極14、Y電極15とが最� �近づく領域、すなわち放電ギャップ(詳しく� ��X透明電極14aとY透明電極15aとが互いに対向� �る側の先端間の領域)で維持放電の初期放電4 0が発生する。この初期放電40は徐々に周囲に 拡大して、本放電41の大きさとなる。

 ここで、前述の通り、保護層18の表面上� �形成されるP粒子増加機能層16はこの放電の� �大を阻害する要因となる。拡大を阻害され� �本放電41は例えば図11に示す大きさで維持さ� ��ることとなる。

 ところで、PDPの点灯/非点灯の単位である セル25平面積は図10に示すように一対のX電極1 4とY電極15の配置間隔と、隔壁22の配置間隔に より規定される。

 図11に示す本放電41の大きさは図10に示す� ��ル25の端部周辺まで拡大した所で維持され� �。つまり、セル25内における透過率の高い領 域(Xバス電極14b、Yバス電極15b、隔壁22などと� ��ならない領域)まで、維持放電の本放電41を� ��率的に拡大させて、セル25内を超えて拡大� �ることを抑制することができる。

 このため、維持放電によって放電ガスか� ��放射される紫外線は図9に示す蛍光体部23に� ��率的に照射され、PDP1aの発光に寄与しない� �域に照射される紫外線の量を抑制すること� �できるので、PDP1aの発光効率を向上させるこ とができる。

 図9~図11に示すPDP1aは、図1に示すPDP1と略� �様に製造することができる。相違点は、前� �の(c3)工程で、図5に示す光35をYバス電極15bに 沿って照射する際に、Xバス電極14bに沿って� �射する工程も追加すればよい。また、保護� �18の表面に凝集させる結晶体粒子30の量が増� ��るため、前述した(c1)工程では、予めスラリ 32中に分散させる結晶体粒子30の量を(好まし� ��は2倍以上に)増やしておくことが好ましい� �

 (実施の形態2)
 前記実施の形態1では、前面基板構造体11の� ��護層18の表面であって、Yバス電極15bと重な� ��領域にP粒子増加機能層16を選択的に形成す� ��方法として、Yバス電極15bに沿って集光した 光35を照射する構成について説明した。

 本実施の形態2では、前面基板構造体11全� ��に光を照射する方法について説明する。な� ��、本実施の形態2のPDPの構造は前記実施の形 態1で説明した図9に示すPDP1aと同様の構造で� �る。したがって、本実施の形態2では必要に� ��じて前記実施の形態1で説明した図9~図11を� �照し、繰り返しの説明は原則として省略す� �。

 図9に示す本実施の形態2のPDP1aと前記実施 の形態1で説明した図1に示すPDP1はその製造方 法が異なる。より詳しくは、前記実施の形態 1で説明した(c)工程での光の照射方法が異な� �。以下に本実施の形態2のPDPの製造方法のう� ��、(c)工程の相違点について図12~図14を用い� �説明する。

 図12は本実施の形態2の前面基板構造体にP 粒子を増加させる機能を有する結晶体粒子が 分散されたスラリを塗布した状態を示す要部 拡大断面図、図13は図12に示す前面構造体の� �体に光を照射した状態を示す要部拡大断面� �である。また、図14は図13に示す前面構造体� ��光を照射することによりスラリの中に分散� ��れた結晶体粒子が移動する様子を模式的に� ��す要部拡大断面図である。

 まず、(c1)工程において、前記実施の形態 1との相違点は、スラリ32中に分散させる結晶 体粒子30の量である。前記実施の形態1で説明 したように、PDP1aは保護層18の表面であって� �Yバス電極15bと重なる領域に加えて、Xバス電 極14bと重なる領域にも形成する。このため図 1に示すPDP1と比較して保護層18の表面に凝集� �せる結晶体粒子30の量が増える。したがって 、前述した(c1)工程では、例えば、図12に示す ように予めスラリ32中に分散させる結晶体粒� ��30の量を増やしておくことが好ましい。

 次に、(c2)工程においては、前記実施の形 態1との相違点は、特にない。

 次に、(c3)工程においては、前記実施の形 態1との相違点は、光の照射方法である。

 前記実施の形態1では図5に示すように集� �した光35を照射した。本実施の形態2では、� �13に示すように、例えば、図13に示す前面基� ��構造体11のスラリ32が塗布された面側から略 透明な材料である前面基板13やY透明電極15a、 保護層18は透過するが、遮光部であるXバス電 極14bおよびYバス電極15bには吸収されるよう� �光45を前面基板構造体11の面全体に照射する� ��

 光45は、波長が約400nm~約800nm程度の可視光 である。この可視光は前述の通り、略透明な 材料で構成される前面基板13やY透明電極15a、 保護層18などは透過するが、遮光部である金� ��材料で構成されるXバス電極14bおよびYバス� �極15bには吸収される性質を持っている。

 このため、前面基板構造体11の全面に光45 を照射しても、Xバス電極14bおよびYバス電極1 5bが選択的に加熱され、その他の領域よりも� ��温になる。つまり、前記実施の形態1で説明 したように、保護層18の表面上には、Yバス電 極15bと重なる領域およびXバス電極14bと重な� �領域と、その他の領域とで温度差が生じる� �

 したがって、結晶体粒子30は図14に示すよ うに有機溶媒31の単位時間蒸発量が多い領域� ��すなわちYバス電極15bおよびXバス電極14bと� �なる領域に向かって集まるように移動し、� �集する。

 本実施の形態2では、前記実施の形態1と� �較して前面基板構造体11を透過する光45の量� ��多い。このため、光の照射エネルギー効率� ��観点からは前記実施の形態1の方が好ましい 。

 しかし、本実施の形態2では、前面基板構 造体11の全面に光45を照射しても自動的にYバ� ��電極15bおよびXバス電極14bと重なる領域に選 択的にP粒子増加機能層16を形成することがで きるため、位置合わせ(アライメント)を行う� ��要がなくなる。製造工程を簡略化して、製� ��効率を向上させることができる。

 また、結晶体粒子30は、前述の通り、変� �しやすいためこのP粒子増加機能層16を形成� �る工程は減圧(真空)雰囲気中で行うことが好 ましい。このように減圧(真空)雰囲気中で製� ��作業を行う場合、一般に製造装置の機構は� ��来る限り単純化することが好ましい。装置� ��小型化や低塵化に寄与するからである。

 本実施の形態2では、光45を照射する際の� ��置合わせが不要となるので、装置を単純化� ��ることができる。

 また、製造工程の簡略化および製造装置� ��単純化を図る観点からは、本実施の形態2の (c3)工程は、(c2)工程で前面基板構造体11の保� �層18の表面全体にスラリ32を塗布した後で行� ��方が好ましい。前記実施の形態1で説明した ように(c2)工程および(c3)工程を並行して進行� ��せて、スラリ32の塗布が完了した領域に対� �て逐次的に光35を照射する方法と比較して、 製造工程の簡略化および製造装置の単純化が 可能となるからである。

 またこの場合、スラリ32に含まれる有機� �媒31は揮発し易いので、スラリ32を厚く塗布� ��来る方法(例えば、前記実施の形態1で説明� �たようにこぼれ防止用の枠状の治具を用い� �スクリーン印刷法やスロットコート法)を用� ��ることが好ましい。

 この(c3)工程が完了すると、スラリ32中に� ��散されていた結晶体粒子30は図11に示すよう に保護層18の表面であって、Xバス電極14bおよ びYバス電極15bと重なる領域に凝集して形成� �れる。

 なお、前記実施の形態1で説明した効果は 、製造方法の違いによる効果の程度の差はあ るが本実施の形態2でも得られることは言う� �でもない。

 (実施の形態3)
 前記実施の形態1、2では、前面基板構造体11 の保護層18の表面であって、Yバス電極15bと重 なる領域にP粒子増加機能層16を選択的に形成 する方法として、前面基板構造体11に光35、45 を照射する構成について説明した。

 本実施の形態3では、Yバス電極15bを通電� �せることにより加熱する方法について説明� �る。なお、本実施の形態3のPDPの構造は前記� ��施の形態1、2で説明した図1に示すPDP1あるい は図9に示すPDP1aと同様の構造である。したが って、本実施の形態3では必要に応じて前記� �施の形態1、2で説明した図1~図14を参照し、� �り返しの説明は原則として省略する。

 本実施の形態3の製造方法と前記実施の形 態1、2で説明した製造方法は図1、図9に示すY� ��ス電極15b(およびXバス電極14b)の加熱手段が� ��なる。つまり、前記実施の形態1、2で説明� �た製造方法とは、(c3)工程が異なる。

 より詳しくは、前記実施の形態1、2では� �35、45を照射することにより加熱したのに対� ��、本実施の形態3では、Yバス電極15b(およびX バス電極14b)に通電することにより加熱する� �

 (c3)本実施の形態3では、図7あるいは図14� �示すYバス電極15b(およびXバス電極14b)に電圧� ��印加して通電する。電圧を印加する際に通� ��用の電極端子が必要な場合は、例えば、前� ��実施の形態1、2で説明した(c2)工程の前に、� ��2あるいは図10に示すYバス電極15b(およびXバ� ��電極14b)の端部に図示しない電極端子を形成 しておく。この通電用の電極端子はP粒子増� �機能層16を形成した後(例えば前面基板構造� �11と背面基板構造体12とを組み立てた後)で切 り落としても良い。

 ところで、Yバス電極15b(およびXバス電極1 4b)はY透明電極15a(およびX透明電極14a)と電気� �に接続されているが、通電した場合、電気� �抗の低い部材であるYバス電極15b(およびXバ� �電極14b)に殆どの電流が流れる。

 このため、通電した結果Yバス電極15b(お� �びXバス電極14b)が加熱され、その他の領域よ りも高温になる。つまり、前記実施の形態1� �説明したように、保護層18の表面上には、Y� �ス電極15b(およびXバス電極14b)と重なる領域� �重なる領域と、その他の領域とで温度差が� �じる。

 したがって、結晶体粒子30は図14に示すよ うに有機溶媒31の単位時間蒸発量が多い領域� ��すなわちYバス電極15b(およびXバス電極14b)と 重なる領域に向かって集まるように移動し、 凝集する。つまり、P粒子増加機能層16を保護 層18の表面であってYバス電極15b(およびXバス� ��極14b)と重なる領域に選択的に形成すること ができる。

 本実施の形態3では、光を透過させる訳で はないので、略透明な材料で形成される前面 基板13、Y透明電極15a、保護層18や遮光部であ� ��Xバス電極14b、Yバス電極15bの光の透過率を� �慮する必要がない。

 したがって、前記実施の形態1で説明した 効果に加えて設計上の自由度を向上させるこ とができる。

 なお、本実施の形態3では、通電させる電 極を適宜選択することにより、図1に示すPDP1� ��製造することもできるし、図9に示すPDP1aを� ��成することができることは言うまでもない� ��

 以上、本発明者によってなされた発明を� ��施の形態に基づき具体的に説明したが、本� ��明は前記発明の実施の形態に限定されるも� ��ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種� ��変更可能である。

 例えば、PDPは、要求性能や駆動方式など� ��応じて各種構造が存在し、実施の形態1~3で� ��明したPDP1、PDP1aとは異なる構造のPDPにも適� ��することができる。

 例えば、実施の形態1ではPDPの構造例とし て放電空間24をライン状(縦方向)に伸びる隔� �(第1の隔壁、縦リブ)22で区画されるストライ プリブと呼ばれる構造について説明した。

 しかし、輝度を向上させるなどの目的で� ��この隔壁22と略直交方向に交差する横隔壁(� ��2の隔壁、横リブ)を複数形成し、セル25毎に 隔壁22と横隔壁で区画するボックスリブと呼� ��れる構造もある。

 このようにボックスリブ構造のPDPに適用� ��る場合は、前面基板構造体の表面(例えば保 護層の表面)であってYバス電極(およびXバス� �極)が形成された領域と重なる領域が、横隔� ��と重ならないような構造とすれば良い。こ� ��ような電極配置構造とすることにより、P粒 子増加機能層の背面基板構造体と対向する主 面が放電空間に露出することとなり、アドレ ス放電遅れのばらつきを抑制することができ る。またP粒子増加機能層は選択的に形成さ� �るので、発光効率の低下も抑制することが� �きる。

 また、例えば、外光の反射を抑制して明� ��コントラストを向上させるため、図2に示す 上段のセル25と下段のセル25との間の非表示� �域(前面基板構造体側)に黒色あるいは暗色の 遮光部を形成する構造(一般に黒帯あるいは� �ラックストライプと呼ばれる)がある。

 この構造のPDPに例えば、実施の形態2で説 明した製造方法を適用すると、上記非表示領 域に形成した遮光部と重なる領域にもP粒子� �加機能層16が形成されることとなる。しかし 、非表示領域にP粒子増加機能層16が形成され てもPDPの発光効率の低下には繋がらないため 、本構造にも適用できることは言うまでもな い。