Herstellung von Justagestrukturen fuer eine strukturierte Schichtabscheidung auf einem Wafer der Mikrosystemtechnik.

Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von Justagestrukturen für eine strukturierte Schichtabscheidung auf einem Wafer der Mikrosystemtechnik. Verwendet wird dafür eine Durchdampfmaske, durch welche Schichten oder Schichtabschnitte erhaben aufgetragen werden können. Andere Herstellverfahren sind auch erfasst, ebenso ein Set von Komponenten (kit of parts), welche zur Zusammenarbeit angepasst sind.

In Waferprozessen der Mikrosystemtechnik ist es sehr häufig notwendig, dass im Verlauf oder am Ende der Fertigung komplexer mikroelektromechanischer Strukturen die Halbleiterscheiben (Wafer) bzw. Chipstrukturen teilweise (strukturiert oder selektiv) mit Schichten versehen werden. Dabei ist die klassische Mehrschichttechnologie, die auf dem ganzflächigen Abscheiden der Schicht und ihrer anschließenden fotochemischen Strukturierung beruht, nicht einsetzbar, da entweder bestimmte Teilbereiche der Wafer/Chips gar nicht erst beschichtet werden dürfen (z.B. können diese Schichten mikromechanische Strukturen unbrauchbar machen) und/oder eine fotochemische Strukturierung nicht möglich ist (Oberflächenprofil, nicht ätzbare Schichten) oder der Aufwand zu groß wird.

Lange bekannt sind Durchdampfmasken, welche öffnungen für das abzuscheidende Material besitzen. Solche Masken, z.B. aus Metall, sind problematisch, als es bei sehr profilierten Oberflächen zu Fehllagen kommt und die abzuscheidenden (selektiven) Strukturen dadurch nicht scharf begrenzt sind. Nachteile bezüglich der Qualität, der Ausbeute und der Packungsdichte entstehen auf diese Weise. In gleicher Weise nachteilig wirkt sich die schlechte Justierbarkeit solcher Hartmasken bei Mikrostrukturen aus.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Genauigkeit der Abscheidung strukturierter Schichten auf prozessierten Mikrosystemtechnikwafern zu verbessern.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung von Justagestrukturen für eine selektive Materialabscheidung auf einem Wafer der Mikrosystemtechnik unter Verwendung einer Durchdampfmaske.

In dem Verfahren werden zwei oder mehr erhabene oder eingesenkte Wafer- Justagestrukturen auf dem Mikrosystemtechnik-Wafer unter Anwendung einer bestimmten Strukturierungstechnik erzeugt (Anspruch 1 ). Zwei oder mehr eingesenkte oder erhabene Masken-Justagestrukturen werden auch auf einer Maskenscheibe erzeugt, die den gleichen Durchmesser wie der Mikrosystemtechnik-Wafer aufweist. Die bestimmte Strukturierungstechnik kommt zur Anwendung. Durchdampföffnungen werden in der Maskenscheibe gebildet, um die Durchdampfmaske zu erzeugen. Die Durchdampföffnungen eignen sich dazu, definierte Bereiche auf dem Mikrosystemtechnik-Wafer für die selektive Materialabscheidung frei (oder zugänglich) zu lassen, wenn die Maske - bspw. selbst justierend - auf den Wafer aufgelegt wird. Die Justierung erfolgt durch die - komplementären - Justageelemente an/am Wafer bzw. Maske.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann somit eine geeignete Durchdampfmaske herstellen, die eine strukturierte Schichtabscheidung auf der Bauteilscheibe (kurz "Wafer") mit selbstjustierender Eigenschaft bei der mechanischen Kopplung der Justagestrukturen und der Maskenjustagestrukturen ermöglicht, so dass die Beschichtung durch die Durchdampföffnungen erfolgen kann, die die zu beschichtenden Bereiche der Bauteilscheibe freilegt und die nicht zu beschichtenden Bereiche abdeckt, wobei die genaue Lagejustierung der Durchdampföffnungen durch die Justagestrukturen des Wafers und Masken-Justagestrukturen festgelegt ist.

Die Genauigkeit der Lagejustierung wird erreicht, indem die Herstellung der Justagestrukturen auf der Bauteilscheibe und der Maskenjustagestrukturen auf der Durchdampfmaske von einem gleichen Strukturierungsverfahren hergestellt werden, so dass aufgrund der gleichen Durchmesser beider Substrate relativ gleichmäßige Prozessbedingungen herrschen, die somit zu einer präzisen Formgebung und Positionierung der jeweiligen Justagestrukturen beitragen.

Aufgrund der gleichen Durchmesser kann eine geeignete Handhabung des Systems aus Wafer und Durchdampfmaske während der Prozessführung erreicht werden.

Auch ein Verfahren zur selektiven Materialabscheidung (Anspruch 21 ) wird vorgeschlagen. Auf einem Mikrosystemtechnikwafer unter Verwendung einer Durchdampfmaske und mit Justagestrukturen zwischen dem Wafer der Mikrosystemtechnik und der Maske. Es beinhaltet das Bilden von zumindest zwei Justagestrukturen am Mikrosystemtechnikwafer unter Anwendung einer bestimmten Strukturierungstechnik. Auch Ausgebildet werde zumindest zwei im Wesentlichen komplementären Masken-Justagestrukturen auf einer Maskenscheibe, die den gleichen Durchmesser aufweist wie der Wafer der Mikrosystemtechnik, wobei die Ausbildung der Justagestrukturen unter Anwendung derselben Strukturierungstechnik erfolgt. Es werden Durchdampföffnungen in die Maskenscheibe zur Bildung der Durchdampfmaske eingebracht. Die Durchdampföffnungen lassen bei selbstjustierendem Auflegen der Durchdampfmaske auf den Wafer der Mikrosystemtechnik definierte Bereiche auf diesem Wafer bei frei, zur selektiven Materialabscheidung auf dem Mikrosystemtechnikwafer durch die Durchdampföffnungen der Maske. Diese erfolgt dann auch.

Der auch vorgeschlagene kit of parts (Bausatz aus Komponenten, Anspruch 24) besteht aus einem Mikrosystemtechnikwafer und einer Durchdampfmaske gemeinsam angepasst und vorgesehen zur (hoch)genauen selektiven Materialabscheidung mittels Justagestrukturen an der Durchdampfmaske und dem Mikrosystemtechnikwafer. Zumindest zwei erhabene oder eingesenkte Justagestrukturen sind am Mikrosystemtechnikwafer vorgesehen, entstanden unter Anwendung einer vorbestimmten Strukturierungstechnik. Zumindest zwei im Wesentlichen komplementär eingesenkte oder erhabene Maskenjustagestrukturen sind auf einer Maskenscheibe angeordnet, die den gleichen Durchmesser wie der Mikrosystemtechnikwafer aufweist. Die Entstehung erfolgt unter Anwendung der vorbestimmten Strukturierungstechnik. Durchdampföffnungen sind in der Maskenscheibe vorgesehen, um die Durchdampfmaske zu erzeugen. Die Durchdampföffnungen erlauben es, definierte Bereiche auf dem Mikrosystemtechnikwafer für die selektive Materialabscheidung freizulegen.

In weiteren vorteilhaften Ausführungsformen kann die vorbestimmte Strukturierungstechnik eine zeitgesteuerte Kaliumhydroxidätzung von Silizium beinhalten, das als Ausgangsmaterial für die Bauteilscheibe und die Durchdampföffnung verwendet wird. Aufgrund einer speziellen Kristallorientierung, beispielsweise einer [100] Orientierung, ergibt sich bekanntermaßen ein anisotropes ätzverhalten, so dass für Erhebungen und Einsenkungen Flankenwinkel von genau estimmter Größe erreicht werden können, so dass ein präzises aufeinander Abgleiten

der jeweiligen geneigten Flächen bei der mechanischen Justierung der Bauteilscheibe und der Durchdampfmaske erreicht wird

In weiteren vorteilhaften Ausführungsformen wird wiederum Siliziummaterial als Basismaterial für die Bauteilscheibe und auch die Durchdampfmaske ausgewählt, wobei die entsprechenden Justagestrukturen unter Anwendung eines plasmachemischen ätzverfahrens erzeugt werden, so dass sich ebenso aufgrund der nahezu identischen Prozessbedingungen sehr ähnliche Abmessungen für die komplementären Strukturen auf der Bauteilscheibe und der Durchdampfmaske ergeben. Auch dadurch wird eine sehr genaue Justierung der Durchdampfmaske relativ zur Bauteilscheibe gewährleistet.

In weiteren vorteilhaften Ausführungsformen wird als Ausgangsmaterial für die Durchdampfmaske eine Glasscheibe gewählt, die dann aufgrund der ähnlichen Eigenschaften im Hinblick auf die Oberflächenrauhigkeit, die Ebenheit, und dergleichen, unter Anwendung einer plasmachemischen ätzung strukturiert werden kann, die in gleicher Weise auch für die Bauteilscheibe eingesetzt wird, so dass sich auch in dieser Ausführungsform ein hohes Maß an Genauigkeit bei der Erzeugung der komplementären Justagestrukturen ergibt.

In weiteren Ausführungsformen dient eine Verbundscheibe aus Silizium und Glas als Ausgangsmaterial für die Durchdampfmaske.

Durch die erfindungsgemäße Herstellung der ersten Justagestrukturen und der zweiten Masken-Justagestrukturen (an Wafer bzw. Maske) gelingt die Schaffung spezieller Strukturen für die Durchdampfmaske und die Mikrosystemtechnikscheiben, so dass im Zusammenwirken eine genaue und stabile Lage der Durchdampfmaske während des Prozesses der Beschichtung erreicht wird.

Aufgrund der hohen Genauigkeit bei der Erzeugung der komplementären Justagestrukturen ergibt sich nicht nur ein sehr präzises Justieren der nicht zu beschichtenden Bereiche und der zu beschichtenden Bereiche auf den Bauteilscheiben (Wafern), sondern diese können nach dem Abscheidprozess auch zuverlässig voneinander getrennt werden, ohne dass unerwünschte mechanische Einwirkungen auf die Bauteilscheiben und die Durchdampfmaske erfolgen. Die Durchdampfmaske kann so für viele Bauteilscheiben verwendet werden.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den weiteren abhängigen Patentansprüchen aufgezeigt und gehen auch deutlich aus der folgenden Beschreibung hervor.

In einer Variante wird ein Verfahren zur selbst justierender Justagestrukturen für eine strukturierte Schichtabscheidung auf einem Wafer der Mikrosystemtechnik unter Verwendung einer Beschichtungsmaske bzw. Durchdampfmaske bereitgestellt, wobei die Beschichtung durch öffnungen in einer auf den Wafer aufgesetzten mehrfach verwendbaren Durchdampfmaske erfolgt, welche die nicht zu beschichtenden Bereiche des Wafers abdeckt und die genaue Lagejustierung über die Justagestrukturen erfolgt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Justagestrukturen auf der Beschichtungsmaske als aus der Oberfläche herausragende und auf dem Mikrosystemtechnikwafer als gegenüber der Oberfläche eingesenkte Strukturen, (exakt) passend zueinander erzeugt werden, so dass die Strukturen während der Beschichtung ineinander greifen und nach der Beschichtung wieder zu trennen sind.

In einer weiteren Variante wird ein Verfahren zur selbst justierender Justagestrukturen für eine strukturierte Schichtabscheidung auf einem Mikrosystemtechnik-Wafer unter Verwendung einer Beschichtungsmaske bzw. Durchdampfmaske bereitgestellt, wobei die Beschichtung durch öffnungen in einer auf den Wafer aufgesetzten mehrfach verwendbaren Durchdampfmaske erfolgt, welche die nicht zu beschichtenden Bereiche des Wafers abdeckt und die genaue Lagejustierung über die Justagestrukturen erfolgt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Justagestrukturen auf der Beschichtungsmaske als in die Oberfläche eingesenkte und auf dem Wafer der Mikrosystemtechnik als gegenüber der Oberfläche herausragende Strukturen, (exakt) passend zueinander erzeugt werden, so dass die Strukturen während der Beschichtung ineinander greifen und nach der Beschichtung wieder zu trennen sind.

Die Höhe der Strukturen ist so vorgesehen, dass keine Belastung oder Behinderung beim Justieren entsteht. Der Kit of parts (Anspruch 28) hat bevorzugt Flankenwinkel, welche zwischen 50° und 70° Steigung aufweisen. Gegenüberliegende Flanken von Maske und Wafer bei den Justageelementen sind aufeinander in der Steigung abgestimmt. Bei einer KOH-ätzung der Flanken ergibt sich eine Steigung von 54,74°.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen unter Zuhilfenahme der Zeichnungen weiter erläutert und ergänzt.

In den Figuren zeigen:

Figur 1a schematisch eine vertikale Schnittsansicht einer

Durchdampfmaske 8 und einer Bauteilscheibe als Wafer 7 mit entsprechenden Justagestrukturen 5, 6 oder 5', 6', bevor diese verwendet werden, um die relative Position der Durchdampfmaske und der Bauteilscheibe durch Kontakt der Justagestrukturen festzulegen,

Figur 1 b, 1 c eine Aufsicht bzw. eine Querschnittsansicht einer erfindungsgemäßen Justagestruktur, die durch eine KOH-ätzung einer (100) Siliziumscheibe erzeugt wird, wobei die Justagestruktur auf der Mikrosystemtechnikscheibe in Form einer pyramidalen (pyramidenförmigen) Einsenkung vorgesehen ist, ohne Spitze,

Figur 1d, 1 e eine Aufsicht bzw. eine Querschnittsansicht einer

Maskenjustagestruktur gemäß einem Beispiel der Erfindung, wobei als Basismaterial für die Durchdampföffnung ebenfalls eine (100) Siliziumscheibe dient,

Figur 2 schematisch eine Querschnittsansicht eines Ausschnitts der zusammengefügten Justagekomponenten gem. Figur 1 b bis 1 e,

Figur 3a,

3b und 3c entsprechend Querschnittsansichten eines weiteren Beispiels von

Wafer-Justagestrukturen und Masken-Justagestrukturen, die durch plasmachemisches ätzen hergestellt sind, wobei Figur 3a eine Schnittdarstellung einer Justagestrukturform einer Einsenkung, Figur 3b eine Schnittdarstellung der Maskenjustagestruktur in Form einer Erhebung und Figur 3c die Justagekomponenten in der zusammengefügten Anordnung (Position) zeigt.

Figur 1a zeigt eine Querschnittsansicht eines Mikrosystemtechnikwafers 7, der Bauelemente 10a, 10b, 10c aufweist, bspw. in Form sensibler Strukturen 10a, 10b, 10c, wie MEMS oder dergleichen. Ferner sind zwei oder mehr Justagestrukturen 5,5', bspw. in Form von Einsenkungen in einer Substratscheibe 7a vorgesehen. Eine Durchdampfmaske 8, die mit Durchdampföffnungen 9, 9' versehen ist, legt gewisse Bereiche des Wafers 7 frei, auf denen ein Material selektiv aufzubringen ist, ohne einen oder mehrere sensible Bereiche 10, bspw. das Element 10a, der Abscheideatmosphäre auszusetzen.

In der gezeigten Ausführungsform ist die Durchdampfmaske 8 ebenfalls aus einer Siliziumscheibe hergestellt, die korrespondierend zu den Justagestrukturen 5 dazu komplementäre Maskenjustagestrukturen 6 aufweist, die somit als Erhebungen ausgebildet sind. Entsprechend an anderer Stelle, neben dem empfindlichen Bereich 10 die Justagestrukturen 5', 6'.

Es ist zu beachten, dass in den beschriebenen Ausführungsformen auch die Justagestrukturen 5 auf dem Wafer 7 als Erhebungen und die Maskenjustagestrukturen 6 in der Durchdampfmaske als Einsenkungen vorgesehen werden können.

In einer Ausführungsform sind die Scheiben 8a und 7a aus Silizium mit einer (100) Oberflächenorientierung aufgebaut. Sowohl der Wafer 7 der Mikrosystemtechnik als auch die Durchdampfmaske 8 sind auf der Grundlage einer (100) Si-Scheibe hergestellt, wodurch eine hohe Genauigkeit bei der Erzeugung der Justagestrukturen durch ätzungen erreicht werden, deren ätzrate von der Kristallorientierung abhängt.

Generell werden zur Erreichung einer hohen Genauigkeit der Lage der Durchdampfmaske und der Strukturabbildung (der Anordnung oder Platzierung der Durchdampföffnungen 9, 9' bzw. Durchdampflöcher im Mikrometerbereich) Verfahren der Mikrosystemtechnik verwendet. Es kommen für die Durchdampfmaske unstrukturierte Wafer aus Silizium oder Glas als Ausgangsrohling zum Einsatz, da diese mit den erwähnten Verfahren bearbeitbar sind und hinsichtlich Dicke, Dickentoleranz, Ebenheit und Oberflächengüte beste Voraussetzungen mitbringen. Zudem lassen sie sich in Ihrer Größe an die Prozessanwendung anpassen.

Die öffnungen 9, 9' sind in einer Ausführung individuell, nicht verbunden, oder in einer anderen Ausbildung durchgehend als eine zusammenhängende öffnung zu sehen, bspw. als Kreisring oder Quadrat. In einer Maske 8 sind zumeist mehrere öffnungen

o

und mehrere empfindliche Bereiche 10 auf dem Wafer, so dass der Plural der "öffnungen" auch für weitere, nicht gesondert dargestellte öffnungen gilt.

Es wird im Wesentlichen derselbe Durchmesser wie beim Systemwafer 7, der beschichtet werden soll, verwendet. Prinzipiell sind alle Verfahren geeignet, mit denen sich sehr genau die durchgehenden Durchdampföffnungen 9 und die mechanischen Justagestrukturen 5 und Maskenjustagestrukturen 6 erzeugen lassen. Dabei wird in vorteilhaften Ausführungsformen dafür gesorgt, dass die korrespondierenden mechanischen Justagestrukturen 5, 6 oder 5', 6' des System- und des Beschichtungsmaskenwafers 7a, 8a mit der gleichen Technologie hergestellt werden, um eine genaue Ausrichtung zu erreichen. Die Durchdampflöcher 9 hingegen können ggf. auch in mit einer anderen Technologie erzeugt werden. Von den Justagestrukturen 5, 6 werden mindestens zwei auf jeder der Waferoberflächen 7a, 8a vorgesehen, um eine genaue Justierung zu ermöglichen in der X- und Y-Richtung sowie für die Winkelrichtung. Mehr als zwei Strukturen erhöhen die Aushchtbarkeit und Genauigkeit und verhindern ein mögliches Verrutschen nach dem Ausrichten.

Figur 1b und 1c zeigen eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht eines Abschnitts des Wafers 7. Wie gezeigt, ist die Justagestruktur 5 in Form einer pyramidenförmigen Einsenkung in einer Oberfläche 1 der Scheibe 7a vorgesehen, wobei geätzte Flanken 2, die kristallographische Flächen repräsentieren, sich verjüngen und in einem tief geätzten Bereich 3 münden, der flach ist. Die Pyramide hat hier keine Spitze, sondern ist ein solcher Stumpf.

Figur 1d und 1e zeigen eine Aufsicht bzw. eine Querschnittsansicht eines Teils der Durchdampfmaske 8. Wie gezeigt, ist die Justagestruktur 6 in Form einer pyramidenförmigen Erhebung auf einer Oberfläche 1 a der Scheibe 8a vorgesehen, wobei geätzte Flanken 2a, die kristallographische Flächen repräsentieren, sich verjüngen und in einem höher liegenden flachen Endbereich 3a münden. Die Pyramide hat hier keine Spitze, sondern ist ein solcher Stumpf.

In dieser Ausführungsform wird die gleiche exakte Ausrichtung der azimutalen Kristallorientierung der Kristallwafer 7a, 8a verwendet, die jeweils durch eine an jedem Wafer angebrachte kristallographisch orientierte Anlegekante gekennzeichnet ist. Bei der Bearbeitung der Scheiben 7a, 8a wird bei der Herstellung der Justagestrukturen 5, 5' und 6', 6 die identische horizontale Orientierung der Scheiben 7a, 8a angewendet, so dass die Flanken 2, 2a als identische Kristallflächen erzeugt werden.

Es versteht sich, dass aufeinander in Geometrie und Lage exakt angepasste ätzmasken bei der Herstellung der Justagestrukturen angewendet werden. Zum ätzen werden Hartmasken aus einer Oxid-Nitrid-Doppelschicht verwendet, wobei das Oxid auf dem Silizium aufgebracht ist und das Nitrid als oberste Schicht vorgesehen wird, woraufhin diese Maske fotochemisch strukturiert wird. Das ätzen erfolgt zeitkontrolliert, somit lassen sich Lochtiefe (die Absenkung des Bereichs 3) und Stempelhöhe (die Höhe des Bereichs 3a) genau aufeinander anpassen.

Die ätzrate für viele Prozessrezepte ist bekannt oder kann effizient durch Experiment bestimmt werden. Mehrfach-ätzungen sind möglich, wodurch sich die Möglichkeit einer verbesserten Steuerung des Prozessresultats ergibt.

In einer Ausführungsform bilden sich durch eine KOH-ätzung (Kaliumhydroxid) von einkristallinem Silizium kristallographisch bedingte Flächen, bspw. die Flanken 2, 2a, aus. Die schrägen Flächen 2 der Löcher bzw. Einsenkungen 3 der Justagestrukturen 5 und die schrägen Flächen 2a der hervorstehenden Teile 3a der Masken- Justagestrukturen 6 haben so die gleichen Flankenwinkel von bevorzugt 54,74°.

Die Flankenwinkel der äußere Ecken 4 werden beim ätzen mit Kompensationsstrukturen geschützt. Da sich an den Ecken 4, 4* oder 4', 4" schneller ätzende Kristallebenen befinden, werden vorzugsweise an diese in der ätzmaske winkel- oder federartige Strukturen angebracht werden, die beim ätzen unterätzt werden, aber dennoch die ätzung der Ecke so stark verlangsamen, dass sich am Ende rechtwinklige oder nur leicht abgerundete Ecken ergeben.

Die Stempel bzw. Erhebungen 3a passen bei genauer Auslegung der ätzmasken für die Erzeugung der Justagestrukturen 6 mit hoher Präzision exakt ineinander, da Loch 3 und Stempel 3a konisch sind sich so gut fügen lassen. Eine Steuerung der ätzprozesse für die Justagestrukturen 5, 6 kann geeignet durch rechnergestützte Verfahren zur Bestimmung der Maskengröße und ätzsimulation erfolgen.

Figur 2 zeigt die Durchdampfmaske 8 und den Wafer 7 im gefügten Zustand. Die durch den genau gesteuerten ätzprozess geschaffenen konischen Strukturen mit der hohen Präzision haben somit eine gute Wirkung der Selbstjustage, da die Flanken 2, 2a auch bei einem lateralen Versatz bei der Fügung sich selbst zentrieren. Um Zwang bzw. einen Anschlag beim Fügen zu vermeiden, wird in einer anschaulichen Ausführungsform die erhabene Maskenjustagestruktur 6 so gestaltet, dass diese den

Grund 3 der Einsenkung 5 nicht berührt. Dies führt dazu, dass die Masken aufgrund der geringen mechanischen Belastung sehr oft wieder verwendet werden können.

Die in den Figuren 3 gezeigten Strukturen beziehen sich auch auf Siliziumwafer.

In Figur 3a ist die Justagestruktur 5* in Form einer Einsenkung gezeigt, wobei die Flanken 2* entsprechend den ätzbedingungen eingestellt werden können.

Figur 3b zeigt die Durchdampfmaske 8 mit der komplementären Masken- Justagestruktur θ.

Figur 3c zeigt die Durchdampfmaske 8 und den Wafer 7 im gefügten Zustand, wobei auch hier in der gezeigten Ausführungsform die Erhebung der Justagestruktur 6 nicht den Grund der Einsenkung 5 erreicht, um den Fügevorgang zu verbessern, wie dies auch zuvor beschrieben ist.

Bei der Herstellung der in Figur 3 gezeigten Justagestrukturen kommt plasmachemisches Siliziumätzen, so Advanced Silicon Etching, BOSCH-Prozess, zur Anwendung. Mit diesem ätzprozess lassen sich senkrechte und auch leicht konische Strukturen im Silizium erzeugen, die als Justagestrukturen 5 und 6 dienen können. Letzteres erreicht man durch Prozessvariation. Die konischen Strukturen 5, 6 lassen sich besser fügen. Die kristallographische Orientierung spielt hier keine Rolle. Es werden keine Eckkompensationsstrukturen verwendet. Es handelt sich um ein einfacheres ätzmasken-Design.

Runde oder vieleckige Strukturen sind möglich. Zum ätzen ist eine Lackmaske ausreichend.

Die Justagestrukturen können auch mittels Sandstrahlen auf Glas-, Silizium- oder Verbundwafern aus beiden Materialien erzeugt werden. Dazu wird eine Hartmaske verwendet. Die Positioniergenauigkeit ist jedoch nicht so hoch wie bei den ätzvarianten. In anderen Ausführungsformen wird auch ein Mikrobohren und ein Mikrofräsen angewendet. Eine Hartmaske wird hierfür nicht benötigt. Die erzielbare Genauigkeit ist bei Anwendung eines CNC-Prozesses hoch.

Auch zur Realisierung der Durchdampflöcher 9, 9' lassen sich die vier oben beschriebenen Prozesse einsetzen, wobei wieder das KOH-ätzen eine sehr vorteilhafte Variante ist, da es sehr ökonomisch ist und die konischen Löcher 9, z. B. für das

Bedampfen sehr günstig sind, da der Dampf in das Loch 9 hinein geleitet wird. Doch auch mit den anderen Technologien lassen sich geeignete Durchdampflöcher 9 realisieren. Prinzipiell lassen sich die Technologien für die Lochstrukturen 9, 9' und Justagestrukturen 5, 6, 5', 6' beliebig kombinieren. Im Hinblick auf Prozesseffizienz es vorteilhaft, die gleichen Prozesse zu verwenden. Werden Maskenprozesse für die Strukturierung von Justagestrukturen 6 und Durchdampföffnungen 9 eingesetzt, ist es vorteilhaft, wenn die Masken vor dem ersten ätzen auf die beiden Seiten des Maskenwafer 8a aufgebracht werden. Es ist aber auch denkbar, die ätzungen sequentiell von einer Seite aus durchzuführen.

Es ist zu beachten, dass in den beschriebenen Ausführungsformen auch die Justagestrukturen 5 auf dem Wafer 7 als Erhebungen und die Masken- Justagestrukturen 6 in der Durchdampfmaske als Einsenkungen vorgesehen werden können.

In Varianten werden Verfahren zur selbstjustierender Justagestrukturen für eine strukturierte Schichtabscheidung auf einem Mikrosystemtechnikwafer unter Verwendung einer Beschichtungsmaske bzw. Durchdampfmaske bereitgestellt, wobei die Beschichtung durch öffnungen in einer auf den Wafer aufgesetzten mehrfach verwendbaren Durchdampfmaske erfolgt, welche die nicht zu beschichtenden Bereiche des Wafers abdeckt und die genaue Lagejustierung über die Justagestrukturen erfolgt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Justagestrukturen auf der Beschichtungsmaske als aus der Oberfläche herausragende und auf dem Mikrosystemtechnikwafer als gegenüber der Oberfläche eingesenkte Strukturen oder umgekehrt, exakt passend zueinander erzeugt werden, so dass die Strukturen während der Beschichtung ineinander greifen und nach der Beschichtung wieder zu trennen sind.

Bezugszeichen (Auszug)

(gleiche Bezeichnungen für gleiche Elemente in unterschiedlichen Figuren)

1 Oberfläche bzw. Boden der Einsenkung 1 a Oberfläche der Erhebung

2 geätzte Flanke (kristallographische Fläche) der Justagestruktur des Wafers

2a geätzte Flanke (kristallographische

Fläche) der Durchdampfmaske

3 tief geätzter Bereich

3a Oberfläche des erhabenen Bereichs

4 Ort der Kompensationsstrukturen

5, 5' Justagestruktur, bspw. in Form einer

Justageeinsenkung

6, 6' Maskenjustagestruktur, bspw. in Form einer Erhebung

7 Mikrosystemtechnikwafer

7a Basisscheibe (z.B. Silizium)

8 Durchdampfmaske

8a Basisscheibe (z.B. Silizium)

9, 9' Durchdampföffnungen

10 Bauelementstrukturbereich

10a, 10b, 10c Bauelemente (MEMS)