本発明の放射線画像変換パネルにおいて� ��、請求の範囲1~5のいずれか1項に規定される 構成とすることにより、輝度、鮮鋭性が高く 、且つ、経時特性に優れている放射線画像変 換パネルを得ることができた。

 以下、本発明に係る各構成要素について� ��明する。

 本発明の放射線画像変換パネルの一態様� ��ある図1を参照しながら説明する。

 図1は、本発明の放射線画像変換パネルの 一態様を示す断面図である。図1に示す通り� �放射線画像変換パネル1は、支持体2上に、ア ルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する 輝尽性蛍光体層3が形成された蛍光体プレー� �4を有している。

 支持体2は、短形状を呈しており、支持体 2は、高分子材料、ガラス、金属等で構成さ� �ており、特に、セルロースアセテートフィ� �ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレン� �レフタレート、ポリアミドフィルム、ポリ� �ミドフィルム、トリアセテートフィルム、� �リカーボネートフィルム等の有機高分子フ� �ルム、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化� �ラス等の板ガラス、またはアルミニウム、� �、銅、クロム等の金属シート若しくはそれ� �金属酸化物の被覆層を有する金属シートで� �成されているものが挙げられるが、中でも� �X線透過性や断裁適性の観点から好ましく用� ��られるのは有機高分子フィルムである。

 また、支持体2の表面2a(図1中上面)は滑面� ��あってもよいし、マット面であってもよい� ��支持体2の表面2a(図1中上面)は輝尽性蛍光体� ��3との接着性を向上させる目的でマット面で もよく、表面2a上には輝尽性蛍光体層3との接 着性を向上させる目的で下引層を設けてもよ いし、また、表面2a上には支持体2を透過して 輝尽性蛍光体層3に励起光が入射するのを防� �する目的で光反射層(図示していない)が設け られていてもよい。

 輝尽性蛍光体層3は、少なくとも1層の層� �構造を有することが好ましく、また、その� �厚は50μm以上が好ましく、更に好ましくは100 μm~500μmの範囲である。

 輝尽性蛍光体層3は、後述するアルカリ金 属ハロゲン化物系蛍光体から構成された多数 の柱状結晶3が互いに間隔をあけて並んだ柱� �構造を有していてもよい。

 《アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体》
 ここで、本発明の放射線画像変換パネルの� ��尽性蛍光体層3に含有されるアルカリ金属ハ ロゲン化物系蛍光体について説明する。

 本発明者等は上記の問題点を種々検討し� ��結果、下記の態様1または態様2に構成を有� �ることにより、本発明に記載の効果が得ら� �ることを見出した。

 即ち、
 態様1:支持体上に気相堆積法により設けら� �たアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が、� �状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の� �活剤の存在比率が0.7~20である。

 態様2:支持体上に気相堆積法により設け� �れたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が� �柱状結晶を有し、該柱状結晶内におけるカ� �ードルミネッセンスによる輝度分布が50%以� �である。

 ここで、本発明に係るアルカリ金属ハロ� ��ン化物系蛍光体は、後述する気相堆積法に� ��り作製されるが、上記の態様1の表面/内部� �賦活剤の存在比率を0.7~20に調整する手段、� �記の態様2のカソードルミネッセンスによる� ��度分布を50%以下に調整する手段については� ��後述するアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光� ��の製造のところで、詳細に説明する。

 まずは、態様1に記載の表面/内部の賦活� �の存在比率の測定について説明する。

 《柱状結晶の表面、柱状結晶内部における� ��賦活剤存在比率の測定》
 アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面/ 内部賦活剤存在比率の測定は、Pysical Electroni cs社製TRIFT-IIを用いて行った。

 測定手順・条件を下記に示す。

 (a)アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を柱� ��結晶に沿って割断すると柱状の側面が露出� ��る、
 (b)露出した割断面を一次イオン種:In、加速� ��圧:15kV、測定エリア:60μm角、測定時間:3分の 条件にて測定した。

 (c)得られたスペクトルのEu二次イオン強� �(Mass:151+)をCs二次イオン強度(Mass:133+)で除し� �値を表面賦活剤存在量とした。

 (d)次に、アルカリ金属ハロゲン化物蛍光� ��を柱状結晶に沿った面での研磨断面を作製� ��た。この場合は割断面と異なり柱状結晶の� ��部が露出する。研磨にはクロスセクション� ��リッシャ(日本電子製:SM-09010、加速電圧6kV、 研磨時間:6時間)を使用した。

 (e)前記(b)と同様に測定を行い、得られた� ��ペクトルの賦活剤フラグメント強度をアル� ��リフラグメント強度で除した値を内部賦活� ��存在量とした。

 上記の表面賦活剤存在量を内部賦活剤存在� ��で除した値を表面/内部賦活剤存在比率と定 義した。即ち、
 (表面/内部賦活剤存在比率)
 =(表面賦活剤存在量)/(内部賦活剤存在量)×10 0(%)
 次いで、態様2に記載のカソードルミネッセ ンス輝度分布の測定について説明する。

 《カソードルミネッセンス輝度分布の測定� ��
 アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のカソ� ��ドルミネッセンス輝度分布の測定は、JSM-700 0F(日本電子製)、MP-32(HORIBA製)を用いて行った� ��

 測定手順・条件を以下に示す。

 アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の空� ��を前処理用樹脂にて包埋した後、クロスセ� ��ションポリッシャにて基板と平行な面の研� ��面を作製した。

 この面について、
 JSM-7000F側条件、
 倍率:5000倍、
 加速電圧:3kV、
 試料電流:2nAにて走査し、
 MP-32側条件、
 取り込み:640point、
 デュアルタイム:2m秒/point、440nmでのマッピ� �グをおこなった。

 各測定点における輝度について変動係数� ��求め、カソードルミネッセンスによる輝度� ��布とした。

 また、更に、アルカリ金属ハロゲン化物� ��蛍光体のハライドの主成分がBrまたはIであ� ��、且つ、Fの含有率が0ppm~10ppmであることで� �本発明に記載の効果が更に好ましく得られ� �ことを見出した。

 (蛍光体中のハライドの主成分及びFの含有� �の測定)
 蛍光体中のハライドの主成分(ここで、主成 分とは蛍光体中の全ハライド含量の50質量%以 上のものを表す。)の特定、ハライド中のF含� ��量の定量を行った。

 以下に、イオンクロマトグラフの測定条� ��を示す。

 主成分の定量は試料約100mgを超純水で100ml に仕上げ、更に超純水で適宜希釈した後、DIO NEX社製DX-500にてアニオングラジェント分析に より行った。

 Fの定量は試料約250mgを超純水で25mlに仕上 げた後、固相カートリッジ(DIONEX社製 OnGuard-A g)で妨害となるBrイオンを除去した。

 その後DIONEX社製DX-500にてアニオングラジ� ��ント分析を行った。

 イオンクロマトグラフ DIONEX社製 DX500
 分離カラム      DIONEX社製 IonPac AS11
 ガードカラム     DIONEX社製 IonPac AG11
 溶離液        A:超純水
            B:100mM NaOH
            時間(分)  0  1  5 15 25  35
            A(%)  99 99 98 88 70 70
            B(%)   1  1  2 12 30 30
 流量         1ml/分、
 サプレッサ      ASRS-ULTRA(300mA)
 モード        エクスターナルモード
 再生液        超純水(高純度窒素10psiで 送液)
 検出         電気伝導度検出
 《一般式(1)で表される化合物》
 本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物系� ��光体(輝尽性蛍光体ともいう)としては、下� �一般式(1)で表される化合物が好ましい。

 一般式(1)
 M ¹ X・aM ² X″ ₂ ・bM ³ X′ ₃ :eA
 ここで、M ¹ は、Li、Na、K、Rb及びCsから選ばれる少なくと も一種のアルカリ金属原子を表し、好ましく は、K、Rb及びCsから選ばれる少なくとも一種� ��アルカリ金属原子で挙げられるが、特に好� ��しくは、Csである。

 M ² は、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiから選 ばれる少なくとも一種の二価の金属原子であ り、特に、Be、Mg、Ca、Sr、及びBaから選ばれ� �少なくとも一種の二価の金属原子であるこ� �が好ましい。

 M ³ は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、 Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInから選ばれ る少なくとも一種の三価の金属原子であり、 特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びIn� �ら選ばれる少なくとも一種の三価の金属原� �であることが好ましい。

 X、X″及びX′は、F、Cl、Br及びIから選ば� ��る少なくとも一種のハロゲン原子であり、� ��にXは、Br及びIから選ばれる少なくとも一種 のハロゲン原子であることが好ましい。

 Aは、Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho� ��Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びM gから選ばれる少なくとも一種の金属原子で� �り、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaから選ばれる少� ��くとも一種の金属原子であることが好まし� ��。

 a、b、eは、それぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0 <e≦0.2の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦1 0 ^-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。

 《一般式(2)で表される化合物》
 上記一般式(1)で表される化合物の中でも、� ��記一般式(2)で表される化合物が好ましく、� ��に好ましくは、CsBr:Euで表される化合物であ る。

 一般式(2)
 CsX:A
 ここで、Xは、F、Cl、BrまたはIを表し、AはEu 、In、GaまたはCeを表す。特にEuを賦活剤とす� ��とX線変換効率が向上することができ好まし い。

 《アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の製� ��》
 上記の一般式(1)または一般式(2)で表される� ��アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、例� ��ば下記(a)~(d)の蛍光体原料を用いて以下に述 べる製造方法により製造される。

 (a)LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、 KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl� �CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種もしく は2種以上の化合物。

 (b)BeF ₂ 、BeCl ₂ 、BeBr ₂ 、BeI ₂ 、MgF ₂ 、MgCl ₂ 、MgBr ₂ 、MgI ₂ 、CaF ₂ 、CaCl ₂ 、CaBr ₂ 、CaI ₂ 、SrF ₂ 、SrCl ₂ 、SrBr ₂ 、SrI ₂ 、BaF ₂ 、BaCl ₂ 、BaBr ₂ 、BaI ₂ 、ZnF ₂ 、ZnCl ₂ 、ZnBr ₂ 、ZnI ₂ 、CdF ₂ 、CdCl ₂ 、CdBr ₂ 、CdI ₂ 、CuF ₂ 、CuCl ₂ 、CuBr ₂ 、CuI ₂ 、NiF ₂ 、NiCl ₂ 、NiBr ₂ 及びNiI ₂ から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上� ��化合物。

 (c)ScF ₃ 、ScCl ₃ 、ScBr ₃ 、ScI ₃ 、YF ₃ 、YCl ₃ 、YBr ₃ 、YI ₃ 、LaF ₃ 、LaCl ₃ 、LaBr ₃ 、LaI ₃ 、CeF ₃ 、CeCl ₃ 、CeBr ₃ 、CeI ₃ 、PrF ₃ 、PrCl ₃ 、PrBr ₃ 、PrI ₃ 、NdF ₃ 、NdCl ₃ 、NdBr ₃ 、NdI ₃ 、PmF ₃ 、PmCl ₃ 、PmBr ₃ 、PmI ₃ 、SmF ₃ 、SmCl ₃ 、SmBr ₃ 、SmI ₃ 、EuF ₃ 、EuCl ₃ 、EuBr ₃ 、EuI ₃ 、GdF ₃ 、GdCl ₃ 、GdBr ₃ 、GdI ₃ 、TbF ₃ 、TbCl ₃ 、TbBr ₃ 、TbI ₃ 、DyF ₃ 、DyCl ₃ 、DyBr ₃ 、DyI ₃ 、HoF ₃ 、HoCl ₃ 、HoBr ₃ 、HoI ₃ 、ErF ₃ 、ErCl ₃ 、ErBr ₃ 、ErI ₃ 、TmF ₃ 、TmCl ₃ 、TmBr ₃ 、TmI ₃ 、YbF ₃ 、YbCl ₃ 、YbBr ₃ 、YbI ₃ 、LuF ₃ 、LuCl ₃ 、LuBr ₃ 、LuI ₃ 、AlF ₃ 、AlCl ₃ 、AlBr ₃ 、AlI ₃ 、GaF ₃ 、GaCl ₃ 、GaBr ₃ 、GaI ₃ 、InF ₃ 、InCl ₃ 、InBr ₃ 及びInI ₃ から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上� ��化合物。

 (d)Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd 、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgか ら選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の� ��属原子。

 上記(a)~(d)の蛍光体原料を一般式(1)のa、b� ��eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混 合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサ ーミル等を用いて充分に混合してもよい。

 次に、得られた混合液のpH値Cを0<C<7� �調整するように所定の酸を加えた後、水分� �蒸発気化させる。

 次に、得られた原料混合物を石英ルツボ� ��たはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填� ��て電気炉内で焼成を行う。焼成温度は500℃~ 1000℃が好ましく、焼成時間は原料混合物の� �填量、焼成温度等によって異なるが、0.5時� �~6時間の範囲が好ましい。

 焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含� ��窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む� ��酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガ� ��雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲� ��または少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲� ��が好ましい。

 尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、� ��成物を電気炉から取り出して粉砕し、しか� ��後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填し� ��電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼� ��を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高� ��ることができ、また、焼成物を焼成温度よ� ��室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取� ��出して空気中で放冷することによっても所� ��の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼� ��時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気ま� ��は弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい� ��

 また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷� ��部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰� ��気または弱酸化性雰囲気で急冷することに� ��り、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発� ��輝度をより一層高めることができる。

 上記のアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光� ��を用いて、図1の輝尽性蛍光体層3が形成さ� �、輝尽性蛍光体層3及び支持体2により蛍光体 プレート4が構成される。

 ここで、本発明に係るアルカリ金属ハロ� ��ン化物系蛍光体は、後述する気相堆積法に� ��り作製されるが、上記の態様1の表面/内部� �賦活剤の存在比率を0.7~20に調整する手段、� �記の態様2のカソードルミネッセンスによる� ��度分布を50%以下に調整する手段については� ��蛍光体蒸着のプロセス条件を最適化するこ� ��や、蒸着後に後処理を施すことにより調整� ��ることができる。

 ハロゲンガスを導入し直接置換する方法� ��もよく、ハロゲン放出剤を加熱などにより� ��ロゲンを放出させ、置換する方法でもよい� ��

 ハロゲンガスは、HCl、HBr、HIなどであり� �これらは腐食性が強いため特殊容器が必要� �ある。ハロゲン放出剤としては、加熱など� �よりハロゲンを放出する物質全般を使用す� �ことができる。

 例えば、炭化水素化合物において水素原� ��の少なくとも1つがCl、Br、I等のハロゲンに� ��する原子で置換された化合物である。

 前記ハロゲン放出剤は構造的には各元素� ��士の結合が飽和結合だけで構成された化合� ��であってもよいし、不飽和結合を含む化合� ��であってもよいし、環状の化合物であって� ��よいし、鎖状の化合物であってもよいし、� ��合物中の原子または分子が水酸基、エーテ� ��基、カルボキシ基で置換された化合物であ� ��てもよい。

 態様1の手段としては、後処理時の圧力、 時間、ガス種の影響が特に大きく、態様2の� �段としては、蒸着プロセスの影響が特に大� �いことを見出した。

 《輝尽性蛍光体層の形成方法》
 支持体上に、アルカリ金属ハロゲン化物系� ��光体を含有する輝尽性蛍光体層を設ける手� ��としては気相堆積法が用いられる。

 《気相堆積法》
 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍� ��体層の形成に用いられる気相堆積法につい� ��説明する。

 本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物� ��蛍光体を支持体に気相堆積させる方法とし� ��は(真空)蒸着法、スパッタ法及びCVD法等が� �る。

 (蒸着法)
 蒸着法は基板を蒸着装置内に設置したのち� ��装置内を排気して1.333×10 ^-4 Pa程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の� ��なくとも1つを抵抗加熱法、エレクトロンビ ーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面 に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。

 この方法により、バインダーを含有しな� ��輝尽性蛍光体層が形成され、前記蒸着工程� ��は複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成す� ��ことも可能である。

 また、前記蒸着工程にて複数の抵抗加熱� ��或いはエレクトロンビームを用いて蒸着を� ��うことも可能である。

 本発明に用いられる蒸着法においては、� ��尽性蛍光体蒸発源を複数の抵抗加熱器或い� ��エレクトロンビームを用いて蒸着し、支持� ��(基板ともいう)上で目的とする輝尽性蛍光� �を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成� �ることも可能である。

 更に蒸着法においては、蒸着時に必要に� ��じて基板を冷却或いは加熱してもよい。ま� ��、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理� ��てもよい。

 (スパッタ法)
 スパッタ法は上記蒸着法と同様に支持体(基 板ともいう)をスパッタ装置内に設置した後� �装置内を一旦排気して1.333×10 ^-4 Pa程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガ� ��としてAr、Ne等の不活性ガスを装置内に導入 して1.333×10 ^-1 Pa程度のガス圧とする。

 次に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光� ��をターゲットとして、スパッタリングする� ��とにより支持体(基板)表面に輝尽性蛍光体� �所望の厚さ堆積させる。このスパッタリン� �工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝� �性蛍光体層を形成することも可能であるし� �それぞれを用いて同時または順次、ターゲ� �トをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を� �成することも可能である。

 また、スパッタリング法では、複数の輝尽� ��蛍光体蒸発源をターゲットとして用い、こ� ��を同時或いは順次スパッタリングして、支� ��体(基板)上で目的とする輝尽性蛍光体層を� �成する事も可能であるし、必要に応じてO ₂ 、H ₂ 等のガスを導入して反応性スパッタを行って もよい。更に、スパッタリング法においては 、スパッタ時必要に応じて基板を冷却或いは 加熱してもよい。また、スパッタリング終了 後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。

 (CVD法)
 CVD法は目的とするアルカリ金属ハロゲン化� ��系蛍光体(輝尽性蛍光体ともいう)またはア� �カリ金属ハロゲン化物系蛍光体(輝尽性蛍光� ��)を蒸発源として含有する有機金属化合物を 熱、高周波電力等のエネルギーで分解するこ とにより、支持体(基板)上に結着剤を含有し� ��い輝尽性蛍光体層を得るものであり、いず� ��も輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対� ��て特定の傾きをもって独立した細長い柱状� ��晶に気相成長させることができる。

 上記により形成される輝尽性蛍光体層の� ��厚は目的とする放射線画像変換パネルの放� ��線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等に� ��って異なるが、10μm~1000μmの範囲が好ましく 、更に好ましくは、20μm~800μmである。

 《蒸着装置》
 上記の蒸着法を適用するに当り、本発明で� ��、図2に示すような蒸着装置を好適に用いる ことができる。

 図2に示すように、蒸着装置30は真空容器4 1と真空容器41内に設けられてアルカリ金属ハ ロゲン系蛍光体を加熱して蒸発または昇華さ せ、支持体2に蒸着させる蒸発源42と支持体2� �保持する支持体ホルダ43と、支持体ホルダ43� ��蒸発源42に対して回転させる支持体回転機� �14aと真空容器41内の排気及び大気の導入を行 う真空ポンプ15等を備えている。

 蒸着装置30においては、支持体回転機構14 aにより支持体ホルダ43を回転させながら支持 体2上に蒸発源42からの蒸気を蒸着させて輝尽 性蛍光体層3を形成することができる。

 蒸発源42は、アルカリ金属ハロゲン系蛍� �体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、� �ータを巻いたアルミナ製のルツボから構成� �ても良いし、ボートや、高融点金属からな� �ヒータから構成しても良い。

 またアルカリ金属ハロゲン系蛍光体を加� ��する方法は、抵抗加熱法以外にも電子ビー� ��による加熱や高周波誘導による加熱等の方� ��でもよいが、本発明では比較的簡単な構成� ��取り扱いが容易、安価、かつ非常に多くの� ��質に適用可能である点から抵抗加熱法が好� ��しい。

 また、蒸発源42は分子源エピタキシャル� �による分子線源でも良い。

 真空度の調節にはAr、Heなどの不活性気体 を用いることが好ましい(図示略)。

 更に、支持体2と蒸発源42の間に、蒸発源4 2から支持体2に至る空間を遮断するシャッタ( 図示略)を設けても良い。

 シャッタを設けることによりアルカリ金� ��ハロゲン系蛍光体の表面に付着した目的物� ��外の物質が蒸発初期の段階で蒸発し、支持� ��2に付着するのを防ぐことができる。

 支持体ホルダ43には、支持体2を加熱する� ��熱ヒータ(図示略)を備えることが好ましい� �支持体2を加熱することによって、支持体2の 表面の吸着物を離脱・除去し、支持体2の表� �とアルカリ金属ハロゲン系蛍光体との間に� �純物層の発生を防止し、密着性の強化や輝� �性蛍光体層の膜質調整を行うことができる� �

 支持体回転機構14aは、例えば、支持体ホ� ��ダ43を支持するとともに支持体ホルダ43を回 転させる支持体回転軸44と、真空容器41外に� �置されて支持体回転機構14aの駆動源となる� �ータ(図示略)等から構成されている。

 《蒸着装置を用いての輝尽性蛍光体層形成� ��
 このように構成された蒸着装置30を使用し� �、輝尽性蛍光体層を設ける一例を説明する� �例えば、以下に示す手順により支持体2に輝� ��性蛍光体層3を形成することができる。

 まず、支持体ホルダ43に支持体2を取り付� ��る。

 次いで、真空容器41内を真空排気し、所� �の真空度に調整する。その後、支持体回転� �構14aにより支持体ホルダ43を蒸発源30に対し� ��回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器41� �達した後、加熱された蒸発源42から輝尽性蛍 光体を蒸発させて、支持体2表面に輝尽性蛍� �体を所望の厚さに成長させる。

 この場合において、支持体2と蒸発源42と� ��間隔は、100mm~1500mmに設置するのが好ましい� ��

 尚、前記蒸着工程では複数回に分けて輝� ��性蛍光体層3を形成することも可能である。 更に、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或 いは電子ビームを用いて共蒸着し、支持体2� �で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同� �に輝尽性蛍光体層3を形成することも可能で� ��る。

 また、蒸着法においては、蒸着時、必要� ��応じて、被蒸着体(支持体2、保護層または� �間層など)を冷却或いは加熱しても良い。

 更に、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層3を加熱 処理しても良い。また蒸着法においては必要 に応じてO ₂ 、H ₂ 等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行 っても良い。

 上記気相堆積法による輝尽性蛍光体層3の 形成にあたり、輝尽性蛍光体層3が形成され� �支持体の温度は、室温(rtともいい、大体24℃ 前後である)~300℃に設定することが好ましく� ��更に好ましくは50℃~200℃である。

 好ましい真空度Pとしては、1.0×10 ^-3 Pa<P<5.0×10 ^-1 Pa、より好ましくは3.0×10 ^-3 Pa<P<3.0×10 ^-1 Paである。

 以上のように、アルカリ金属ハロゲン系� ��光体を含有する輝尽性蛍光体層3が形成され 、輝尽性蛍光体層3及び支持体2は蛍光体プレ� ��ト4を構成することができる。

 《保護層》
 本発明の放射線画像変換パネルに用いられ� ��保護層について図1を用いて説明する。

 図1においては、放射線画像変換パネル1� �蛍光体プレート4を保護する目的で保護層が� ��けられている。

 保護層としては、2枚の防湿性の保護フィ ルムを有しており、蛍光体プレート4は、図1� ��示すように輝尽性蛍光体層3の上側に配置さ れた第1の防湿性保護フィルム10と、支持体2� �下側に配置された第2の防湿性保護フィルム2 0との間に介在されるようになっている。

 第1の防湿性保護フィルム10は、蛍光体プ� ��ート4の輝尽性蛍光体層3と実質的に接着し� �いない状態でその周縁部が蛍光体プレート4� ��周縁部より外側に延出している。

 「第1の防湿性保護フィルム10が輝尽性蛍� ��体層3と実質的に接着していない状態」とは 、第1の防湿性保護フィルム10と輝尽性蛍光体 層3とが光学的に一体化していない状態をい� �、具体的には、第1の防湿性保護フィルム10� �輝尽性蛍光体層3との接触面積が輝尽性蛍光� ��層3の表面(第1の防湿性保護フィルム10に対� �する面)の面積の10%以下である状態をいう。

 他方、第2の防湿性保護フィルム20も、そ� ��周縁部が蛍光体プレート4の周縁部より外側 に延出している。

 放射線画像変換パネル1では、第1、第2の� ��湿性保護フィルム10、20の各周縁部同士が全 周にわたって融着されており、第1,第2の防湿 性保護フィルム10、20で蛍光体プレート4を完� ��に封止した構成を有している。

 第1、第2の各防湿性保護フィルム10、20は� ��蛍光体プレート4を封止することにより、蛍 光体プレート4への水分の浸入を確実に防止� �て当該蛍光体プレート4を保護する。

 本発明に用いられる防湿性保護フィルムは� ��蛍光体プレートの水分の侵入を確実に防止� ��る観点から、JIS K 7126-1987に準拠した方法� �測定された酸素透過度が1×10 ^-3 ml/(m ² ・24h・MPa)以下、JIS K 7129-1992に準拠した方法 で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対� ��度(90±2)%RH)が、1×10 ^-3 g/(m ² ・24h)以下のものであることが好ましい。

 図1中、上部の拡大図に示す通り、第1の� �湿性保護フィルム10は、第1の層11、第2の層12 、第3の層13の3層を積層した積層構造を有し� �いる。

 第1の層11は、空気層14を介して蛍光体プ� �ート4の輝尽性蛍光体層3と対向する層であり 、熱融着性を有する樹脂で構成されている。 「熱融着性を有する樹脂」としては、エチレ ン酢酸ビニルコポリマー(EVA)、キャスティン� ��ポリプロピレン(CPP)、ポリエチレン(PE)等が� ��げられる。

 第2の層12は、アルミナ、シリカ等の金属� ��化物で構成された層であり、従来公知の蒸� ��法により第3の層13下に蒸着されている。第2 の層12は、第1の防湿性保護フィルム10の防湿� ��能を強化するものとして用いることができ� ��。

 第3の層13は第2の層12上に積層されており� ��ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂� �構成されている。

 このように、金属酸化物で構成された第2 の層12を有する第1の防湿性保護フィルム10は� ��加工性や透明性に優れており、防湿性及び� ��素透過性の性質の面で温度や湿度の影響を� ��けにくい。そのため、当該第1の防湿性保護 フィルム10は、環境によらずに安定した画像� ��質が要求される輝尽性蛍光体利用型の医療� ��放射線画像変換パネル1に好適である。

 尚、第3の層13上には、第1の層11と同様の� ��、第2の層12と同様の層、第3の層13と同様の� ��または第1の層11、第3の層13とは異なる樹脂� ��構成された層が1層または2層以上積層され� �もよい。

 特に、第3の層13上に、アルミナ、シリカ� ��の金属酸化物で構成された第2の層12と同様� ��層を積層すると、第1の防湿性保護フィルム 11は、その第2の層12に相当する層の積層数に� ��じた最適な防湿性を発揮するようになって� ��る。

 第2の層12またはこれと同様の層の積層方� ��としては、周知の方法であればどのような� ��法でも適用可能であるが、ドライラミネー� ��方式に従う方法を適用するのが作業性の面� ��好ましい。

 図1中、下部の拡大図に示す通り、第2の� �湿性保護フィルム20は、第1の層21、第2の層22 、第3の層23の3層を積層した積層構造を有し� �いる。第1の層21は、空気層24を介して蛍光体 プレート4の支持体2と対向している。

 第1の層21は、第1の防湿性保護フィルム10� ��第1の層11と同様の樹脂で構成され、その周� ��部において上記第1の防湿性保護フィルム10� ��第1の層11と融着している。

 第2の層22は、第1の層21下にラミネートさ� ��た層であり、アルミニウムで構成されてい� ��。第2の層22は、第2の防湿性保護フィルム20� ��おける防湿性能を向上させるものとして用� ��ることができる。

 第3の層23は、第2の層22下に積層されてお� ��、PET等の樹脂で構成されている。

 尚、第3の層23下には、第1の層21と同様の� ��、第2の層22と同様の層、第3の層23と同様の� ��または第1の層11、第3の層13とは異なる樹脂� ��構成された層が1層または2層以上積層され� �もよい。