以下、本発明を詳細に説明する。尚、本� ��細書において、「(メタ)アクリル」とは、� �アクリル」、「メタクリル」のどちらか一� �或いは両方を示す。

 本発明における感放射線性樹脂組成物は� ��重合体(A)、酸不安定基を含有する樹脂(B)、� ��放射線性酸発生剤(C)、及び溶剤(D)を含有す� ��ものである。また、この樹脂組成物は、波� ��193nmにおける屈折率が空気よりも高い液浸� �光用液体(例えば、水等)をレンズとレジスト 被膜との間に介して放射線照射する液浸露光 を含むレジストパターン形成方法において、 前記レジスト被膜を形成するために好適に用 いられる。

<重合体(A)>
 本発明における重合体(A)は、下記一般式(1)� ��表される繰り返し単位〔以下、「繰り返し� ��位(1)」ともいう。〕を含有している。

 〔一般式(1)において、R ¹ は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチ ル基を示し、Zは光照射により酸を発生する� �造を含有する基を示す。〕

 前記一般式(1)におけるZは、光照射により 酸を発生する構造を含有する基を示しており 、具体的には、例えば、オニウム塩を含有す る基、ハロゲンを含有する基、ジアゾケトン 構造を有する基、スルホン構造を含有する基 、スルホン酸構造を有する基等を挙げること ができる。

 また、前記繰り返し単位(1)は、下記一般� ��(1-1)で表される繰り返し単位〔以下、「繰� �返し単位(1-1)」ともいう。〕、及び下記一般 式(1-2)で表される繰り返し単位〔以下、「繰� ��返し単位(1-2)」ともいう。〕のうちの少な� �とも一方であることが好ましい。

 〔一般式(1-1)において、R ⁴ は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチ ル基を示し、R ⁵ 、R ⁶ 及びR ⁷ は、それぞれ独立に置換基を有してもよい、 炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキ� �基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のア� ��コキシル基、又は炭素数3~10のアリール基を 示し、nは0~3の整数を示し、Aはメチレン基、� ��素数2~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキレ ン基、又は炭素数3~10のアリーレン基を示し� �X ^- はS ⁺ の対イオンを示す。〕

 〔一般式(1-2)において、R ⁸ は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチ ル基を示し、Rfはフッ素原子又は炭素数1~10の 直鎖状若しくは分岐状のパーフルオロアルキ ル基を示し、A’は単結合又は2価の有機基を� ��し、M ^m+ は金属イオン若しくはオニウム陽イオンを示 し、mは1~3の整数を示し、nは1~8の整数を示す� ��〕

 前記一般式(1-1)におけるR ⁵ 、R ⁶ 及びR ⁷ の置換基を有してもよい炭素数1~10の直鎖状� �しくは分岐状のアルキル基としては、例え� �、メチル基、エチル基、n‐プロピル基、i‐ プロピル基、n‐ブチル基、2-メチルプロピル 基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、ペン� �ル基、ヘキシル基、ヒドロキシメチル基、� �ドロキシエチル基、トリフルオロメチル基� �挙げられる。尚、このアルキル基は、ハロ� �ン原子等の置換基を有していてもよい。即� �、ハロアルキル基であってもよい。

 また、前記R ⁵ 、R ⁶ 及びR ⁷ の置換基を有してもよい炭素数1~10の直鎖状� �しくは分岐状のアルコキシル基としては、� �えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキ シ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチ ルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-� �トキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチ ルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチ� �オキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘ� ��シルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシル オキシ基等が挙げられる。尚、このアルコキ シル基は、ハロゲン原子等の置換基を有して いてもよい。

 更に、前記R ⁵ 、R ⁶ 及びR ⁷ の置換基を有してもよい炭素数3~10のアリー� �基としては、例えば、フェニル基、ナフチ� �基等が挙げられる。尚、このアリール基は� �ハロゲン原子等の置換基を有していてもよ� �。

 前記一般式(1-1)におけるR ⁵ 及びR ⁶ は、それぞれ、上述した1価の有機基(アルキ� ��基、アルコキシル基及びアリール基)のなか でも、化合物としての安定性に優れるという 観点から、フェニル基、ナフチル基であるこ とが好ましい。
 また、前記一般式(1-1)におけるR ⁷ は、上述した1価の有機基のなかでも、メト� �シ基等のアルコキシル基であることが好ま� �い。尚、一般式(1-1)におけるnは、0であるこ� ��が好ましい。

 また、前記一般式(1-1)におけるAは、炭素� ��が10以下の2価の有機基(メチレン基、アルキ レン基又はアリーレン基)であり、この炭素� �が10を超える場合には、十分なエッチング耐 性が得られないおそれがある。

 前記Aにおける炭素数2~10の直鎖状若しく� �分岐状のアルキレン基としては、例えば、� �チレン基、1,3-プロピレン基若しくは1,2-プロ ピレン基などのプロピレン基、テトラメチレ ン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基 、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノ ナメチレン基、デカメチレン基、1-メチル-1,3 -プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2 -メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチ� �ン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられ� ��。また、アリーレン基としては、フェニレ� ��基、ナフチレン基、アントリレン基、フェ� ��ントリレン基等が挙げられる。これらのな� ��でも、化合物としての安定性に優れるとい� ��観点から、エチレン基、プロピレン基等が� ��ましい。

 また、前記Aにおける炭素数3~10のアリー� �ン基としては、例えば、フェニレン基、ナ� �チレン基等が挙げられる。

 前記一般式(1-1)におけるX ^- はS ⁺ の対イオンを示しており、例えば、スルホネ ートイオン、カルボキシレートイオン、ハロ ゲンイオン、BF ^4- イオン、PF ^6- イオン、テトラアリールボロニウムイオン等 が挙げられる。
 前記スルホネートイオン及びカルボキシレ� ��トイオンとしては、それぞれ、アルキル基� ��アリール基、アラルキル基、脂環式アルキ� ��基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置� ��アリール基、ハロゲン置換アラルキル基、� ��素原子置換脂環式アルキル基又はハロゲン� ��換脂環式アルキル基を含むものが好ましい� ��尚、置換基としてのハロゲンは、フッ素原� ��が好ましい。
 また、前記ハロゲンイオンとしては、塩化� ��イオン、臭化物イオンが好ましい。
 更に、前記テトラアリールボロニウムイオ� ��としては、BPh ^4- 、B〔C ₆ H ₄ (CF ₃ ) ₂ 〕 ^4- イオンが好ましい。

 ここで、前記繰り返し単位(1-1)を与える� �ましい単量体としては、以下に示す(1-1-1)等� ��挙げられる。

 また、前記式(1-1-1)における具体的なX ^- としては、以下に示す(1a-1)~(1a-26)等が挙げら� ��る。

 前記一般式(1-2)におけるRfの炭素数1~10の� �鎖状若しくは分岐状のパーフルオロアルキ� �基としては、トリフルオロメチル基、ペン� �フルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピ� �基、ノナフルオロブチル基、ウンデカフル� �ロペンチル基、トリデカフルオロヘキシル� �、ペンタデカフルオロヘプチル基、ヘプタ� �カフルオロオクチル基、ノナデカフルオロ� �ニル基、ヘンエイコサデシル基等の直鎖状� �ーフルオロアルキル基、(1-トリフルオロメ� �ル)テトラフルオロエチル基、(1-トリフルオ� ��メチル)ヘキサフルオロプロピル基、1,1-ビ� �トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチ� ��基等の分岐したパーフルオロアルキル基等� ��挙げることができる。

 また、前記Rfは、優れた解像度を得ること� �できるという観点から、フッ素原子又はト� �フルオロメチル基であることが好ましい。
 尚、式(1-2)中、2つのRfは、同一であっても� �いし、異なっていてもよい。

 また、前記一般式(1-2)におけるnは1~8の整� ��であり、好ましくは1又は2である。

 前記一般式(1-2)におけるA’の2価の有機基と しては、例えば、2価の炭化水素基、-CO-基、- SO ₂ -基等が挙げられる。
 前記2価の炭化水素基としては、鎖状又は環 状の炭化水素基を挙げることができ、好まし い例としては、例えば、メチレン基、エチレ ン基、1,3-プロピレン基若しくは1,2-プロピレ� ��基等のプロピレン基、テトラメチレン基、� ��ンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプ� ��メチレン基、オクタメチレン基、ノナメチ� ��ン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン� ��、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基� ��テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレ� ��基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメ� ��レン基、オクタデカメチレン基、ノナデカ� ��チレン基、インサレン基、1-メチル-1,3-プロ ピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチ ル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基 、2-メチル-1,4-ブチレン基、メチリデン基、� �チリデン基、プロピリデン基、又は、2-プロ ピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基、1,3-シ� �ロブチレン基などのシクロブチレン基、1,3-� ��クロペンチレン基などのシクロペンチレン� ��、1,4-シクロヘキシレン基等のシクロヘキシ レン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロ� �クチレン基等の炭素数3~10のシクロアルキレ� ��基などの単環式炭化水素環基、1,4-ノルボル ニレン基若しくは2,5-ノルボルニレン基等の� �ルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6- アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の 2~4環式の炭素数4~30の炭化水素環基等の架橋� �式炭化水素環基等が挙げられる。

 特に、前記Aは、単結合であるか、-CO-基� �メチレン基、エチレン基、又はノルボルニ� �ン基であることが好ましい。

 前記一般式(1-2)におけるM ^m+ の金属イオンとしては、ナトリウム、カリウ ム、リチウム等のアルカリ金属イオン、マグ ネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属 イオン、鉄イオン、アルミニウムイオン等が 挙げられる。これらのなかでも、スルホン酸 塩へ容易にイオン交換が行えるという観点か ら、ナトリウムイオン、カリウムイオン、リ チウムイオンが好ましい。

 また、前記M ^m+ のオニウム陽イオンとしては、スルホニウム カチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニ ウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、アン モニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等 のオニウムカチオンが挙げられる。これらの なかでも、下記一般式(2a)で表されるスルホ� �ウムカチオン、下記一般式(2b)で表されるヨ� ��ドニウムカチオンが好ましい。

 〔一般式(2a)において、R ¹¹ 、R ¹² 及びR ¹³ は、相互に独立に置換若しくは非置換の炭素 数1~10のアルキル基、又は置換若しくは非置� �の炭素数4~18のアリール基を示すか、或いはR ¹¹ 、R ¹² 及びR ¹³ のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して� �中の硫黄原子と共に環を形成している。〕
 〔一般式(2b)において、R ¹⁴ 及びR ¹⁵ は、相互に独立に置換若しくは非置換の炭素 数1~10のアルキル基、又は置換若しくは非置� �の炭素数4~18のアリール基を示すか、或いはR ¹⁴ とR ¹⁵ とが相互に結合して式中のヨウ素原子と共に 環を形成している。〕

 前記一般式(2a)及び(2b)におけるR ¹¹ ~R ¹⁵ の非置換の炭素数1~10のアルキル基としては� �直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が挙げ� �れる。具体的には、例えば、メチル基、エ� �ル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチ� �基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル� ��、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基� ��1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基� ��n-ヘキシル基、i-ヘキシル基、1,1-ジメチル� �チル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、i-オ� �チル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n -デシル基等が挙げられる。

 また、前記R ¹¹ ~R ¹⁵ の置換の炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状� �アルキル基としては、上述の非置換のアル� �ル基における少なくとも1つの水素原子を、� ��リール基、直鎖状、分岐状若しくは環状の� ��ルケニル基、ハロゲン原子、酸素原子、窒� ��原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子等� ��ヘテロ原子を含む基等により置換したもの� ��挙げることができる。具体的には、例えば� ��ベンジル基、メトキシメチル基、メチルチ� ��メチル基、エトキシメチル基、エチルチオ� ��チル基、フェノキシメチル基、メトキシカ� ��ボニルメチル基、エトキシカルボニルメチ� ��基、アセチルメチル基、フルオロメチル基� ��トリフルオロメチル基、クロロメチル基、� ��リクロロメチル基、2-フルオロプロピル基� �(トリフルオロアセチル)メチル基、(トリク� �ロアセチル)メチル基、(ペンタフルオロベン ゾイル)メチル基、アミノメチル基、(シクロ� ��キシルアミノ)メチル基、(トリメチルシリ� �)メチル基、2-フェニルエチル基、2-アミノエ チル基、3-フェニルプロピル基等が挙げられ� ��。

 一般式(2a)及び(2b)におけるR ¹¹ ~R ¹⁵ の非置換の炭素数4~18のアリール基としては� �例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフ� ��ル基、1-アントリル基、1-フェナントリル基 、フラニル基、チオフェニル基等が挙げられ る。

 また、前記R ¹¹ ~R ¹⁵ の置換の炭素数4~18のアリール基としては、� �述の非置換のアリール基における少なくと� �1つの水素原子を、直鎖状、分岐状若しくは� ��状のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子� ��窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原� ��等のヘテロ原子を含む基等により置換した� ��のを挙げることができる。具体的には、例� ��ば、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、4 -ヒドロキシフェニル基、4-メトキシフェニル 基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル 基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシ リル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、4-� �ルオロフェニル基、4-トリフルオロメチルフ ェニル基、4-クロロフェニル基、4-ブロモフ� �ニル基、4-ヨードフェニル基等が挙げられる 。

 また、一般式(2a)において、R ¹¹ 、R ¹² 及びR ¹³ のうちのいずれか2つ以上が相互に結合して� �中の硫黄原子と共に形成する環としては、� �えば、5~7員の環構造等を挙げることができ� �。
 更に、一般式(2b)において、R ¹⁴ 及びR ¹⁵ が相互に結合して式中のヨウ素原子と共に形 成する環としては、例えば、5~7員の環構造等 を挙げることができる。

 また、前記一般式(2a)で表されるスルホニ ウムカチオンの好ましい具体例(2a-1)~(2a-64)、� ��び一般式(2b)で表されるヨードニウムカチオ ンの好ましい具体例(2b-1)~(2b-39)を以下に示す� ��

 ここで、前記繰り返し単位(1-2)を与える� �ましい単量体としては、以下に示す(1-2-1)、( 1-2-2)及び(1-2-3)等が挙げられる。

 尚、本発明における重合体(A)は、繰り返� ��単位(1)を1種のみ含有していてもよいし、2� �以上含有していてもよい。

 また、本発明における重合体(A)は、下記� ��般式(2)で表される繰り返し単位〔以下、「� ��り返し単位(2)」ともいう。〕を含有してい� ��。

 〔一般式(2)において、R ² は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチ ル基を示し、R ³ は少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原 子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分 岐状のアルキル基、又は少なくとも一つ以上 の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数 4~20の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体� �示す。〕

 前記一般式(2)におけるR ³ の少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原 子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分 岐状のアルキル基としては、例えば、メチル 基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基� �1-ブチル基、2-ブチル基、2-(2-メチルプロピ� �)基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチ� ��基、1-(2-メチルブチル)基、1-(3-メチルブチ� �)基、2-(2-メチルブチル)基、2-(3-メチルブチ� �)基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキ シル基、3-ヘキシル基、1-(2-メチルペンチル)� ��、1-(3-メチルペンチル)基、1-(4-メチルペン� �ル)基、2-(2-メチルペンチル)基、2-(3-メチル� �ンチル)基、2-(4-メチルペンチル)基、3-(2-メ� �ルペンチル)基、3-(3-メチルペンチル)基等の� ��ルキル基の、部分フッ素化アルキル基又は� ��ーフルオロアルキル基等が挙げられる。

 また、前記R ³ の少なくとも一つ以上の水素原子がフッ素原 子で置換された炭素数4~20の脂環式炭化水素� �若しくはその誘導体としては、例えば、シ� �ロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1- (1-シクロペンチルエチル)基、1-(2-シクロペン チルエチル)基、シクロヘキシル基、シクロ� �キシルメチル基、1-(1-シクロヘキシルエチル )基、1-(2-シクロヘキシルエチル基)、シクロ� �プチル基、シクロヘプチルメチル基、1-(1-シ クロヘプチルエチル)基、1-(2-シクロヘプチル エチル)基、2-ノルボルニル基等の脂環式炭化 水素基若しくはその誘導体の、部分フッ素化 炭化水素基或いはパーフルオロ炭化水素基等 が挙げられる。

 前記繰り返し単位(2)を与える好ましい単� ��体としては、例えば、トリフルオロメチル( メタ)アクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオ� �エチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフル オロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パー� ��ルオロn-プロピル(メタ)アクリル酸エステル 、パーフルオロi-プロピル(メタ)アクリル酸� �ステル、パーフルオロn-ブチル(メタ)アクリ� ��酸エステル、パーフルオロi-ブチル(メタ)ア クリル酸エステル、パーフルオロt-ブチル(メ タ)アクリル酸エステル、2-(1,1,1,3,3,3-ヘキサ� �ルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル� �1-(2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル)(メ� �)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロ� ��キシルメチル(メタ)アクリル酸エステル、1- (2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル)(メタ)アク� ��ル酸エステル、1-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10, 10-ヘプタデカフルオロデシル)(メタ)アクリル 酸エステル、1-(5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5 ,6,6,6-オクタフルオロヘキシル)(メタ)アクリ� �酸エステル等が挙げられる。

 尚、本発明における重合体(A)は、繰り返� ��単位(2)を1種のみ含有していてもよいし、2� �以上含有していてもよい。

 また、本発明における重合体(A)は、下記一� ��式(3)で表される繰り返し単位〔以下、「繰� ��返し単位(3)」ともいう。〕を更に含有して� ��ることが好ましい。この繰り返し単位(3)を� ��有することにより、露光時における後退接� ��角をより高くすることができ、現像する際� ��アルカリ溶解性をより向上させることがで� ��る。即ち、露光時には一般式(3)の構造を保� ��、フッ素原子を有する前記繰り返し単位(1)� ��び(2)を重合体中に含有することによる効果� ��ほとんど失うことがないため、後退接触角� ��より高くすることができ、その後、酸の作� ��により一般式(3)の構造から-C(R ¹⁰ ) ₃ 部分が脱離することでアルカリ溶解性をより 高めることができる。

 〔一般式(3)において、R ⁹ は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチ ル基を示す。R ¹⁰ は相互に独立に炭素数4~20の1価の脂環式炭化� ��素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の� ��鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。� ��、いずれか2つのR ¹⁰ が相互に結合して、それぞれが結合している 炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化� ��素基若しくはその誘導体を形成していても� ��い。〕

 前記一般式(3)におけるR ¹⁰ の炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基として� ��、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカ� ��、テトラシクロドデカン、アダマンタンや� ��シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ� ��サン、シクロヘプタン、シクロオクタン等� ��シクロアルカン類等に由来する脂環族環か� ��なる基等が挙げられる。
 また、この脂環式炭化水素基の誘導体とし� ��は、上述の1価の脂環式炭化水素基を、例え ば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-� �ロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基� ��1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数 1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の 1種以上或いは1個以上で置換した基等を挙げ� ��ことができる。
 これらのなかでも、ノルボルナン、トリシ� ��ロデカン、テトラシクロドデカン、アダマ� ��タン、シクロペンタン又はシクロヘキサン� ��由来する脂環族環からなる脂環式炭化水素� ��や、この脂環式炭化水素基を前記アルキル� ��で置換した基等が好ましい。

 また、いずれか2つのR ¹⁰ が相互に結合して、それぞれが結合している 炭素原子(酸素原子に結合している炭素原子)� ��共に形成する炭素数4~20の2価の脂環式炭化� �素基若しくはその誘導体としては、例えば� �シクロブチル基、シクロペンチル基、シク� �ヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げら� �る。
 また、この2価の脂環式炭化水素基の誘導体 としては、上述の2価の脂環式炭化水素基を� �例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基 、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピ ル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の� �素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ� �基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が 挙げられる。
 これらのなかでも、シクロペンチル基、シ� ��ロヘキシル基や、この2価の脂環式炭化水素 基を前記アルキル基で置換した基等が好まし い。

 前記R ¹⁰ の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキ ル基としては、例えば、メチル基、エチル基 、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、 2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t- ブチル基等を挙げることができる。

 ここで、前記一般式(3)における-C(R ¹⁰ ) ₃ の好ましい例としては、t-ブチル基、1-n-(1-エ チル-1-メチル)プロピル基、1-n-(1,1-ジメチル)� ��ロピル基、1-n-(1,1-ジメチル)ブチル基、1-n-(1 ,1-ジメチル)ペンチル基、1-(1,1-ジエチル)プロ ピル基、1-n-(1,1-ジエチル)ブチル基、1-n-(1,1-� �エチル)ペンチル基、1-(1-メチル)シクロペン� ��ル基、1-(1-エチル)シクロペンチル基、1-(1-n- プロピル)シクロペンチル基、1-(1-i-プロピル) シクロペンチル基、1-(1-メチル)シクロヘキシ ル基、1-(1-エチル)シクロヘキシル基、1-(1-n-� �ロピル)シクロヘキシル基、1-(1-i-プロピル)� �クロヘキシル基、1-{1-メチル-1-(2-ノルボニル )}エチル基、1-{1-メチル-1-(2-テトラシクロデ� �ニル)}エチル基、1-{1-メチル-1-(1-アダマンチ� ��)}エチル基、2-(2-メチル)ノルボニル基、2-(2- エチル)ノルボニル基、2-(2-n-プロピル)ノルボ ニル基、2-(2-i-プロピル)ノルボニル基、2-(2-� �チル)テトラシクロデカニル基、2-(2-エチル)� ��トラシクロデカニル基、2-(2-n-プロピル)テ� �ラシクロデカニル基、2-(2-i-プロピル)テトラ シクロデカニル基、1-(1-メチル)アダマンチル 基、1-(1-エチル)アダマンチル基、1-(1-n-プロ� �ル)アダマンチル基、1-(1-i-プロピル)アダマ� �チル基や、これらの脂環族環からなる基を� �例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基 、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピ ル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の� �素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキ� �基の1種以上或いは1個以上で置換した基等を 挙げることができる。

 尚、本発明における重合体(A)は、繰り返� ��単位(3)を1種のみ含有していてもよいし、2� �以上含有していてもよい。

 また、本発明における重合体(A)は、前記繰� ��返し単位(1)~(3)以外にも、他の繰り返し単位 を1種又は2種以上含有していてもよい。
 前記他の繰り返し単位としては、アルカリ� ��解性を高めることができるラクトン骨格や� ��ドロキシル基、カルボキシル基等を有する� ��り返し単位、基板からの反射を抑えること� ��できる芳香族炭化水素基若しくはその誘導� ��を有する繰り返し単位、エッチング耐性を� ��めることができる芳香族炭化水素基若しく� ��その誘導体や脂環式炭化水素基若しくはそ� ��誘導体を有する繰り返し単位等が挙げられ� ��。これらの他の繰り返し単位のなかでも、� ��クトン骨格を有する繰り返し単位、脂環式� ��化水素基若しくはその誘導体を有する繰り� ��し単位が好ましい。

 前記ラクトン骨格を有する繰り返し単位� ��以下、「繰り返し単位(4)」ともいう。)を与 える好ましい単量体としては、例えば、下記 の単量体(4-1)~(4-6)等を挙げることができる。

 〔一般式(4-1)~(4-6)の各式において、R ¹⁶ は水素原子又はメチル基を示し、R ¹⁷ は水素原子又は炭素数1~4の置換基を有しても よいアルキル基を示し、R ¹⁸ は水素原子又はメトキシ基を示し、Aは単結� �又はメチレン基を示し、Bは酸素原子又はメ� ��レン基を示し、lは1~3の整数を示し、mは0又� ��1である。〕

 また、前記脂環式炭化水素基若しくはそ� ��誘導体を有する繰り返し単位としては、具� ��的には、下記一般式(5)で表される繰り返し� ��位〔以下、「繰り返し単位(5)」ともいう。� ��を挙げることができる。

 〔一般式(5)において、R ¹⁹ は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメ チル基を示し、Xは炭素数4~20の置換若しくは� ��置換の脂環式炭化水素基を示す。〕

 前記一般式(5)におけるXの炭素数4~20の非置� �の脂環式炭化水素基としては、例えば、シ� �ロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ� �、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オ クタン、トリシクロ[5.2.1.0 ^2,6 ]デカン、テトラシクロ[6.2.1.1 ^3,6 .0 ^2,7 ]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.1 ^3,7 ]デカン等のシクロアルカン類に由来する脂� �族環からなる炭化水素基が挙げられる。
 また、前記Xの置換の脂環式炭化水素基とし ては、上述の非置換の脂環式炭化水素基にお ける少なくとも1つの水素原子を、メチル基� �エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-� �チル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロ� ��ル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、� �岐状又は環状のアルキル基、ヒドロキシル� �、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキ� ��基、カルボキシル基、酸素原子等の1種以上 或いは1個以上により置換したものを挙げる� �とができる。

 ここで、本発明における重合体(A)が含有す� ��全繰り返し単位の合計を100モル%とした場合 の、上述の各繰り返し単位の好ましい含有割 合を以下に示す。
 前記繰り返し単位(1)の含有割合は、1~20モル %であることが好ましく、より好ましくは2~15� ��ル%、更に好ましくは3~10モル%である。この� ��有割合が1モル%未満である場合には、酸の� �足によりフッ素樹脂層の十分な脱保護が引� �起こされないおそれがある。一方、20モル%� �超える場合には、十分な後退接触角が得ら� �なくなるおそれがある。
 前記繰り返し単位(2)の含有割合は、5~50モル %であることが好ましく、より好ましくは10~40 モル%、更に好ましくは15~30モル%である。こ� �含有割合が5モル%未満である場合には、十分 に高い後退接触角が得られなくなるおそれが ある。一方、50モル%を超える場合には、フッ 素樹脂の溶解性の低下により良好なパターン 形状が得られないおそれがある。
 前記繰り返し単位(3)の含有割合は、通常95� �ル%以下、好ましくは30~90モル%、更に好まし� ��は40~85モル%である。この含有割合が95モル%� ��下である場合には、十分に高い後退接触角� ��得ることができる。
 前記他の繰り返し単位の含有割合の合計は� ��通常70モル%以下、更に好ましくは1~65モル%� �ある。他の繰り返し単位の合計が70モル%を� �える場合には、十分な後退接触角が得られ� �かったり、アルカリ溶解性が低下するおそ� �がある。

 また、本発明における重合体(A)は、例え� ��、所定の各繰り返し単位に対応する重合性� ��飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジ� ��ルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキ� ��ド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤� ��使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下� ��適当な溶媒中で重合することにより製造す� ��ことができる。

 前記重合に使用される溶媒としては、例え� ��、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-� �クタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類; シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオ クタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロ アルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン� �エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水� �類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジ� ��ロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド� ��クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類; 酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、� �ロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エス� �ル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペン タノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒ ドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキ シエタン類等のエーテル類;メタノール、エ� �ノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4 -メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等� �挙げることができる。これらの溶媒は、単� �で又は2種以上を混合して使用することがで� ��る。
 前記重合における反応温度は、通常、40~150� ��、好ましくは50~120℃であり、反応時間は、� ��常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。

 また、本発明における重合体(A)のゲルパー� ��エーションクロマトグラフィ(GPC)によるポ� �スチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」� �いう。)は、好ましくは1000~50000、より好まし くは1000~40000、更に好ましくは1000~30000である� ��この重合体(A)のMwが1000未満では、十分な後� ��接触角が得られないおそれがある。一方、� ��のMwが50000を超えると、レジストとした際の 現像性が低下する傾向がある。
 また、重合体(A)のMwとGPCによるポリスチレ� �換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)と� ��比(Mw/Mn)は、通常1~5、好ましくは1~4である。

 尚、重合体(A)は、ハロゲン、金属等の不純� ��が少ないほど好ましく、それにより、レジ� ��トとした際の感度、解像度、プロセス安定� ��、パターン形状等を更に改善することがで� ��る。
 前記重合体(A)の精製法としては、例えば、� ��洗、液々抽出等の化学的精製法や、これら� ��化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物� ��的精製法との組み合わせ等を挙げることが� ��きる。

 また、本発明における感放射線性樹脂組� ��物は、前記重合体(A)を1種のみ含有していて もよいし、2種以上含有していてもよい。

 本発明において、重合体(A)はレジストの� ��加剤として用いられるが、その使用量は、� ��ジストとしての感度、焦点深度、現像性等� ��基本性能を確保する観点から、後述する樹� ��(B)100質量部に対して、通常0.1~40質量部であ� ��、好ましくは0.5~35質量部である。この使用� ��が0.1質量部未満の場合には、重合体(A)の効� ��が現れずレジスト被膜の後退接触角が低下� ��る傾向がある。一方、40質量部を超える場� �には、矩形のレジストパターンを得られ難� �なったり、焦点深度が小さくなる傾向があ� �。

<樹脂(B)>
 本発明における酸不安定基を含有する樹脂( B)〔以下、単に「樹脂(B)」ともいう。〕は、� ��感放射線性樹脂組成物が重合体(A)の効果(高 後退角、低溶出、及び現像欠陥の抑制)を発� �するために特に限定されないが、酸の作用� �よりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性� �はアルカリ難溶性の樹脂を用いることが好� �しい。
 尚、ここでいう「アルカリ不溶性又はアル� ��リ難溶性」とは、樹脂(B)を含有する感放射� ��性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜� ��らレジストパターンを形成する際に採用さ� ��るアルカリ現像条件下で、当該レジスト被� ��の代わりに樹脂(B)のみを用いた被膜を現像� ��た場合に、当該被膜の初期膜厚の50%以上が� ��像後に残存する性質を意味する。

 前記樹脂(B)としては、例えば、ノルボル� ��ン誘導体等を重合して得られる主鎖にノル� ��ルナン環等の脂環式骨格を有する樹脂、ノ� ��ボルネン誘導体と無水マレイン酸を共重合� ��て得られる主鎖にノルボルナン環及び無水� ��レイン酸誘導体を有する樹脂、ノルボルネ� ��誘導体と(メタ)アクリル化合物を共重合し� �得られる主鎖にノルボルナン環と(メタ)アク リル骨格が混在する樹脂、ノルボルネン誘導 体と無水マレイン酸、(メタ)アクリル化合物� ��共重合して得られる主鎖にノルボルナン環� ��無水マレイン酸誘導体と(メタ)アクリル骨� �が混在する樹脂、(メタ)アクリル化合物を共 重合して得られる主鎖が(メタ)アクリル骨格� ��樹脂等が挙げられる。

 特に、前記樹脂(B)としては、主鎖が(メタ )アクリル骨格の樹脂であることが好ましく� �ラクトン骨格を含有する前述の繰り返し単� �(4)を1種又は2種以上含有しているものが好ま しい。この樹脂(B)は、繰り返し単位(4)以外に 、更に前述の繰り返し単位(3)を1種又は2種以� ��含有していることが好ましい。尚、樹脂(B)� ��含有する繰り返し単位(3)及び(4)を与える好� ��しい単量体としては、それぞれ、前述の説� ��をそのまま適用することができる。

 ここで、本発明における樹脂(B)が含有する� ��繰り返し単位の合計を100モル%とした場合の 、上述の各繰り返し単位の好ましい含有割合 を以下に示す。
 前記繰り返し単位(4)の含有割合は、5~85モル %であることが好ましく、より好ましくは10~70 モル%、更に好ましくは15~60モル%である。こ� �含有割合が5モル%未満である場合には、現像 性、露光余裕が悪化する傾向にある。一方、 85モル%を超える場合には、樹脂の溶剤への溶 解性、解像度が悪化する傾向にある。
 また、前記繰り返し単位(3)の含有割合は、1 0~70モル%であることが好ましく、より好まし� ��は15~60モル%、更に好ましくは20~50モル%であ� ��。この含有割合が10モル%未満である場合に� ��、レジストとしての解像度が低下するおそ� ��がある。一方、70モル%を超える場合には、� ��光余裕が悪化するおそれがある。

 また、本発明における樹脂(B)は、例えば� ��所定の各繰り返し単位に対応する重合性不� ��和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジア� ��キルパーオキシド類、ジアシルパーオキシ� ��類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を� ��用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、� ��当な溶媒中で重合することにより製造する� ��とができる。

 前記重合に使用される溶媒としては、例え� ��、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-� �クタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類; シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオ クタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロ アルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン� �エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水� �類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジ� ��ロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド� ��クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類; 酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、� �ロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エス� �ル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペン タノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒ ドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキ シエタン類等のエーテル類等を挙げることが できる。これらの溶媒は、単独で又は2種以� �を組み合わせて使用することができる。
 前記重合における反応温度は、通常、40~150� ��、好ましくは50~120℃であり、反応時間は、� ��常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。

 また、本発明における樹脂(B)のGPCによるMw� �、特に限定されないが、好ましくは1000~100000 、より好ましくは1000~30000、更に好ましくは10 00~20000である。この樹脂(B)のMwが1000未満では� ��レジストとした際の耐熱性が低下する傾向� ��ある。一方、このMwが100000を超えると、レ� �ストとした際の現像性が低下する傾向にあ� �。
 また、樹脂(B)のMwとGPCによるMnとの比(Mw/Mn)� �、通常1~5であり、好ましくは1~3である。

 また、樹脂(B)においては、この樹脂(B)を調� ��する際に用いられる単量体由来の低分子量� ��分の含有量が固形分換算にて、この樹脂100� ��量%に対して0.1質量%以下であることが好ま� �く、より好ましくは0.07質量%以下、更に好ま しくは0.05質量%以下である。この含有量が0.1� ��量%以下である場合には、液浸露光時に接触 した水等の液浸露光用液体への溶出物の量を 少なくすることができる。更に、レジスト保 管時にレジスト中に異物が発生することがな く、レジスト塗布時においても塗布ムラが発 生することなく、レジストパターン形成時に おける欠陥の発生を十分に抑制することがで きる。
 前記単量体由来の低分子量成分としては、� ��ノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー� ��挙げられ、Mw500以下の成分とすることがで� �る。このMw500以下の成分は、例えば、水洗、 液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学 的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精 製法との組み合わせ等により除去することが できる。また、樹脂の高速液体クロマトグラ フィー(HPLC)により分析することができる。
 尚、樹脂(B)は、ハロゲン、金属等の不純物� ��少ないほど好ましく、それにより、レジス� ��とした際の感度、解像度、プロセス安定性� ��パターン形状等を更に改善することができ� ��。
 また、樹脂(B)の精製法としては、例えば、� ��洗、液々抽出等の化学的精製法や、これら� ��化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物� ��的精製法との組み合わせ等を挙げることが� ��きる。

 また、本発明における感放射線性樹脂組� ��物は、前記樹脂(B)を1種のみ含有していても よいし、2種以上含有していてもよい。

<感放射線性酸発生剤(C)>
 本発明における感放射線性酸発生剤(C)(以下 、単に「酸発生剤(C)」ともいう。)は、露光� �より酸を発生するものであり、露光により� �生した酸の作用によって、樹脂成分中に存� �する繰り返し単位(3)が有する酸解離性基を� �離させ(保護基を脱離させ)、その結果レジス ト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性と なり、ポジ型のレジストパターンを形成する 作用を有するものである。
 このような酸発生剤(C)としては、下記一般� ��(6)で表される化合物を含むものが好ましい� ��

 一般式(6)において、R ²⁰ は、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシル基 、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �ル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状の� ��ルコキシル基、又は炭素数2~11の直鎖状若し くは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す 。
 また、R ²¹ は、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のア� �キル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状� ��アルコキシル基、又は炭素数1~10の直鎖状、 分岐状若しくは環状のアルカンスルホニル基 を示す。
 更に、R ²² は独立に炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状� �アルキル基、置換されていてもよいフェニ� �基又は置換されていてもよいナフチル基を� �すか、或いは2個のR ²² が互いに結合して、置換されていてもよい炭 素数2~10の2価の基をしている。
 また、kは0~2の整数であり、X ^- は式:R ²³ C _n F _2n SO ₃ ^- (式中、R ²³ は、フッ素原子又は置換されていてもよい炭 素数1~12の炭化水素基を示し、nは1~10の整数で ある。)で表されるアニオンを示し、rは0~10の 整数である。

 一般式(6)において、R ²⁰ 、R ²¹ 及びR ²² の炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �ル基としては、例えば、メチル基、エチル� �、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基� �2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t -ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、 n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、 2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基 等を挙げることができる。これらのアルキル 基のなかでも、メチル基、エチル基、n-ブチ� ��基、t-ブチル基等が好ましい。

 また、R ²⁰ 及びR ²¹ の炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアル� �キシル基としては、例えば、メトキシ基、� �トキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基� ��n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メ� ��ルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチル オキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシ� ��オキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチル オキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノ� �ルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げるこ とができる。これらのアルコキシル基のなか でも、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキ� ��基、n-ブトキシ基等が好ましい。

 また、R ²⁰ の炭素数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアル� �キシカルボニル基としては、例えば、メト� �シカルボニル基、エトキシカルボニル基、n- プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカル� ��ニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチル プロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキ� ��カルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n- ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチル オキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカル� ��ニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n- オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキ� ��ルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカ� �ボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を 挙げることができる。これらのアルコキシカ ルボニル基のなかでも、メトキシカルボニル 基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカル� ��ニル基等が好ましい。

 また、R ²¹ の炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状� �アルカンスルホニル基としては、例えば、� �タンスルホニル基、エタンスルホニル基、n- プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル� ��、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスル ホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘ� ��サンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル� �、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサ� ��スルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカ ンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル 基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げる ことができる。これらのアルカンスルホニル 基のなかでも、メタンスルホニル基、エタン スルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-� �タンスルホニル基、シクロペンタンスルホ� �ル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好� �しい。

 また、前記一般式(6)におけるrとしては、 0~2が好ましい。

 前記一般式(6)におけるR ²² の置換されていてもよいフェニル基としては 、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリ� �基、p-トリル基、2,3-ジメチルフェニル基、2, 4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル 基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフ� ��ニル基、3,5-ジメチルフェニル基、2,4,6-トリ メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-t- ブチルフェニル基、4-シクロヘキシルフェニ� ��基、4-フルオロフェニル基等のフェニル基� �又は炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環� ��のアルキル基で置換されたフェニル基;これ らのフェニル基又はアルキル置換フェニル基 を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シア ノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキ シアルキル基、アルコキシカルボニル基、ア ルコキシカルボニルオキシ基等の少なくとも 一種の基1個以上で置換した基等を挙げるこ� �ができる。

 フェニル基及びアルキル置換フェニル基� ��対する置換基のうち、前記アルコキシル基� ��しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基� ��n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキ� ��基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポ キシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキ� ��基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数1~20 の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ ル基等を挙げることができる。

 また、前記置換基のうち、前記アルコキシ� ��ルキル基としては、例えば、メトキシメチ� ��基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル� �、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基� ��2-エトキシエチル基等の炭素数2~21の直鎖状� ��分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル� ��等を挙げることができる。
 更に、前記置換基のうち、前記アルコキシ� ��ルボニル基としては、例えば、メトキシカ� ��ボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロ� �キシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル 基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロ� �キシカルボニル基、1-メチルプロポキシカル ボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロ� ��ンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシ� ��オキシカルボニル等の炭素数2~21の直鎖状、 分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル 基等を挙げることができる。
 また、前記置換基のうち、前記アルコキシ� ��ルボニルオキシ基としては、例えば、メト� ��シカルボニルオキシ基、エトキシカルボニ� ��オキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ� �、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブト� ��シカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボ� �ルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボ� �ル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等� �炭素数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状の� ��ルコキシカルボニルオキシ基等を挙げるこ� ��ができる。

 これらの置換されていてもよいフェニル� ��のなかでも、フェニル基、4-シクロヘキシ� �フェニル基、4-t-ブチルフェニル基、4-メト� �シフェニル基、4-t-ブトキシフェニル基等が� ��ましい。

 また、前記R ²² の置換されていてもよいナフチル基としては 、例えば、1-ナフチル基、2-メチル-1-ナフチ� �基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフ� ��ル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナ フチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1 -ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、2,3-ジ� �チル-1-ナフチル基、2,4-ジメチル-1-ナフチル� ��、2,5-ジメチル-1-ナフチル基、2,6-ジメチル-1 -ナフチル基、2,7-ジメチル-1-ナフチル基、2,8- ジメチル-1-ナフチル基、3,4-ジメチル-1-ナフ� �ル基、3,5-ジメチル-1-ナフチル基、3,6-ジメチ ル-1-ナフチル基、3,7-ジメチル-1-ナフチル基� �3,8-ジメチル-1-ナフチル基、4,5-ジメチル-1-ナ フチル基、5,8-ジメチル-1-ナフチル基、4-エチ ル-1-ナフチル基2-ナフチル基、1-メチル-2-ナ� �チル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-� ��フチル基等のナフチル基又は炭素数1~10の直 鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基で置 換されたナフチル基;これらのナフチル基又� �アルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル� �、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、� �ルコキシル基、アルコキシアルキル基、ア� �コキシカルボニル基、アルコキシカルボニ� �オキシ基等の少なくとも1種の基1個以上で置 換した基等を挙げることができる。

 前記置換基であるアルコキシル基、アル� ��キシアルキル基、アルコキシカルボニル基� ��びアルコキシカルボニルオキシ基としては� ��例えば、前記フェニル基及びアルキル置換� ��ェニル基について例示した基を挙げること� ��できる。

 これらの置換されていてもよいナフチル� ��のなかでも、1-ナフチル基、1-(4-メトキシナ フチル)基、1-(4-エトキシナフチル)基、1-(4-n-� ��ロポキシナフチル)基、1-(4-n-ブトキシナフ� �ル)基、2-(7-メトキシナフチル)基、2-(7-エト� �シナフチル)基、2-(7-n-プロポキシナフチル)� �、2-(7-n-ブトキシナフチル)基等が好ましい。

 また、2個のR ²² が互いに結合して形成した炭素数2~10の2価の� ��としては、一般式(6)中の硫黄原子と共に5員 又は6員の環、特に好ましくは5員の環(即ち、 テトラヒドロチオフェン環)を形成する基が� �ましい。

 また、前記2価の基に対する置換基としては 、例えば、前記フェニル基及びアルキル置換 フェニル基に対する置換基として例示したヒ ドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、 ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキ ル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ カルボニルオキシ基等を挙げることができる 。
 特に、一般式(6)におけるR ²² としては、メチル基、エチル基、フェニル基 、4-メトキシフェニル基、1-ナフチル基、2個� ��R ²² が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒド ロチオフェン環構造を形成する2価の基等が� �ましい。

 一般式(6)のX ^- で表されるR ²³ C _n F _2n SO ₃ ^- アニオン中のC _n F _2n ^- 基は、炭素数nのパーフルオロアルキレン基� �あるが、この基は直鎖状であってもよいし� �分岐状であってもよい。ここで、nは1、2、4� ��は8であることが好ましい。
 また、R ²³ における置換されていてもよい炭素数1~12の� �化水素基としては、炭素数1~12のアルキル基� ��シクロアルキル基、有橋脂環式炭化水素基� ��好ましい。
 具体的には、メチル基、エチル基、n-プロ� �ル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチル� �ロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基� ��n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル 基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オ� �チル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n -デシル基、ノルボルニル基、ノルボニルメ� �ル基、ヒドロキシノルボルニル基、アダマ� �チル基等を挙げることができる。

 また、一般式(6)の好ましい具体例として� ��、トリフェニルスルホニウムトリフルオロ� ��タンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェニ� ��スルホニウムトリフルオロメタンスルホネ� ��ト、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニル� ��ルホニウムトリフルオロメタンスルホネー� ��、4-メタンスルホニルフェニル-ジフェニル� ��ルホニウムトリフルオロメタンスルホネー� ��、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テ� �ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ� �スルホネート、1-(4-n-ブトキシナフチル)テト ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン スルホネート、

 トリフェニルスルホニウムパーフルオロ- n-ブタンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェ� ��ルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスル� ��ネート、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェ� ��ルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスル� ��ネート、4-メタンスルホニルフェニル-ジフ� ��ニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンス� ��ホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェ ニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフル� �ロ-n-ブタンスルホネート、1-(4-n-ブトキシナ� ��チル)テトラヒドロチオフェニウムパーフル オロ-n-ブタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウムパーフルオロ- n-オクタンスルホネート、トリ-tert-ブチルフ� ��ニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタン� ��ルホネート、4-シクロヘキシルフェニル-ジ� ��ェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタ� ��スルホネート、4-メタンスルホニルフェニ� �-ジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オ� ��タンスルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロ キシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム� �ーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-(4-n-� ��トキシナフチル)テトラヒドロチオフェニウ ムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2 .1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2,2-テトラフルオロエ� �ンスルホネート、トリ-tert-ブチルフェニル� �ルホニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル) -1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、 4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニルスルホ ニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2, 2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メ� �ンスルホニルフェニル-ジフェニルスルホニ� ��ム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1,2,2-� �トラフルオロエタンスルホネート、1-(3,5-ジ� ��チル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチ オフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イ� �)-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート� ��1-(4-n-ブトキシナフチル)テトラヒドロチオ� �ェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1, 1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、

 トリフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2 .1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスル ホネート、トリ-tert-ブチルフェニルスルホニ ウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジ� �ルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシ ルフェニル-ジフェニルスルホニウム2-(ビシ� �ロ[2.2.1]ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタ� ��スルホネート、4-メタンスルホニルフェニ� �-ジフェニルスルホニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘ プタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホネ ート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)� ��トラヒドロチオフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1] ヘプタ-2’-イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホ ネート、1-(4-n-ブトキシナフチル)テトラヒド� ��チオフェニウム2-(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2’- イル)-1,1-ジフルオロエタンスルホネート等が 挙げられる。

 尚、本発明において、これらの酸発生剤( C)は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用 することができる。

<溶剤(D)>
 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、� ��の使用に際して、全固形分濃度が、通常、1 ~50質量%、好ましくは1~25質量%となるように、 溶剤に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度の フィルターでろ過することによって、組成物 溶液として調製される。
 前記溶剤(D)としては、例えば、2-ブタノン� �2-ペンタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘキ� �ノン、4-メチル-2-ペンタノン、3-メチル-2-ペ� ��タノン、3,3-ジメチル-2-ブタノン、2-ヘプタ� ��ン、2-オクタノン等の直鎖状若しくは分岐� �のケトン類;シクロペンタノン、3-メチルシ� �ロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メチル シクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキ� �ノン、イソホロン等の環状のケトン類;プロ� ��レングリコールモノメチルエーテルアセテ� ��ト、プロピレングリコールモノエチルエー� ��ルアセテート、プロピレングリコールモノ- n-プロピルエーテルアセテート、プロピレン� ��リコールモノ-i-プロピルエーテルアセテー� ��、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエー� ��ルアセテート、プロピレングリコールモノ- i-ブチルエーテルアセテート、プロピレング� ��コールモノ-sec-ブチルエーテルアセテート� �プロピレングリコールモノ-t-ブチルエーテ� �アセテート等のプロピレングリコールモノ� �ルキルエーテルアセテート類;2-ヒドロキシ� �ロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン 酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-プロ� �ル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-プロピル、2 -ヒドロキシプロピオン酸n-ブチル、2-ヒドロ� ��シプロピオン酸i-ブチル、2-ヒドロキシプロ ピオン酸sec-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン 酸t-ブチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸ア� �キル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メ トキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロ� ��オン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エ� �ル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類 のほか、

 n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコ ール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコ� �ル、シクロヘキサノール、エチレングリコ� �ルモノメチルエーテル、エチレングリコー� �モノエチルエーテル、エチレングリコール� �ノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコー� �モノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコ� �ルジメチルエーテル、ジエチレングリコー� �ジエチルエーテル、ジエチレングリコール� �-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコー� �ジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコール� �ノメチルエーテルアセテート、エチレング� �コールモノエチルエーテルアセテート、エ� �レングリコールモノ-n-プロピルエーテルア� �テート、プロピレングリコールモノメチル� �ーテル、プロピレングリコールモノエチル� �ーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロ� �ルエーテル、トルエン、キシレン、2-ヒドロ キシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ 酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒド� ��キシ-3-メチル酪酸メチル、3-メトキシブチ� �アセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセ テート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオ� ��ート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレー� �、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチ� ��、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、� ��ルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N-メ� �ルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N ,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエ ーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレン グリコールモノメチルエーテル、ジエチレン グリコールモノエチルエーテル、カプロン酸 、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノー� �、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安� �香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン� �ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレ� �、炭酸プロピレン等を挙げることができる� �

 これらのなかでも、直鎖状若しくは分岐状� ��ケトン類、環状のケトン類、プロピレング� ��コールモノアルキルエーテルアセテート類� ��2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-ア ルコキシプロピオン酸アルキル類、γ-ブチロ ラクトン等が好ましい。
 これらの溶剤は、単独で又は2種以上を混合 して使用することができる。

<窒素含有化合物(E)>
 また、本発明の感放射線性樹脂組成物には� ��添加剤として、窒素含有化合物(以下、「窒 素含有化合物(E)」ともいう。)を配合しても� �い。
 前記窒素含有化合物(E)は、露光により酸発� ��剤から生じる酸のレジスト被膜中における� ��散現象を制御し、非露光領域における好ま� ��くない化学反応を抑制する作用を有する成� ��である。このような酸拡散制御剤を配合す� ��ことにより、得られる感放射線性樹脂組成� ��の貯蔵安定性が向上する。また、レジスト� ��しての解像度が更に向上するとともに、露� ��から露光後の加熱処理までの引き置き時間( PED)の変動によるレジストパターンの線幅変� �を抑えることができ、プロセス安定性に極� �て優れた組成物が得られる。

 前記窒素含有化合物(E)としては、例えば� ��3級アミン化合物、他のアミン化合物、アミ ド基含有化合物、ウレア化合物、及びその他 含窒素複素環化合物等を挙げることができる 。

 前記窒素含有化合物(E)は、単独で又は2種以 上を組み合わせて使用することができる。
 この酸拡散制御剤(E)の配合量は、重合体(A)� ��び樹脂(B)の合計100質量部に対して、通常、1 5質量部以下、好ましくは10質量部以下、更に 好ましくは5質量部以下である。この場合、� �拡散制御剤の配合量が15質量部を超えると、 レジストとしての感度が低下する傾向がある 。尚、酸拡散制御剤の配合量が0.001質量部未� ��であると、プロセス条件によっては、レジ� ��トとしてのパターン形状や寸法忠実度が低� ��するおそれがある。

 <他の添加剤>
 本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要� ��応じて、脂環族添加剤、界面活性剤、増感� ��等の各種の他の添加剤を配合することがで� ��る。

 前記脂環族添加剤は、ドライエッチング耐� ��、パターン形状、基板との接着性等を更に� ��善する作用を示す成分である。
 このような脂環族添加剤としては、例えば� ��1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノ ン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-ア ダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニル� ��チル、1-アダマンタンカルボン酸α-ブチロ� �クトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボ� ��酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル 、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニル� �チル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2 ,5-ジメチル-2,5-ジ(アダマンチルカルボニルオ キシ)ヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デ� ��キシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t- ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール 酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シ� �ロヘキシルオキシエチル、デオキシコール� �3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸 テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メ バロノラクトンエステル等のデオキシコール 酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコ ール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコ� ��ル酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シク ロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オ� ��ソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒ� ��ロピラニル、リトコール酸メバロノラクト� ��エステル等のリトコール酸エステル類;アジ ピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジ ピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn-ブチル、� ��ジピン酸ジt-ブチル等のアルキルカルボン� �エステル類や、3-〔2-ヒドロキシ-2,2-ビス(ト� ��フルオロメチル)エチル〕テトラシクロ[4.4.0 .1 ^2,5 .1 ^7,10 ]ドデカン等を挙げることができる。これら� �脂環族添加剤は、単独で又は2種以上を組み� ��わせて使用することができる。

 また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリ� ��ーション、現像性等を改良する作用を示す� ��分である。
 このような界面活性剤としては、例えば、� ��リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ� ��キシエチレンステアリルエーテル、ポリオ� ��シエチレンオレイルエーテル、ポリオキシ� ��チレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリ� �キシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポ リエチレングリコールジラウレート、ポリエ チレングリコールジステアレート等のノニオ ン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341( 信越化学工業株式会社製)、ポリフローNo.75、 同No.95(共栄社化学株式会社製)、エフトップEF 301、同EF303、同EF352(トーケムプロダクツ株式� ��社製)、メガファックスF171、同F173(大日本イ ンキ化学工業株式会社製)、フロラードFC430、 同FC431(住友スリーエム株式会社製)、アサヒ� �ードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102� ��同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106(旭硝子株 式会社製)等を挙げることができる。これら� �界面活性剤は、単独で又は2種以上を組み合� ��せて使用することができる。

 また、前記増感剤は、放射線のエネルギー� ��吸収して、そのエネルギーを酸発生剤(C)に� ��達し、それにより酸の生成量を増加する作� ��を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみ� ��けの感度を向上させる効果を有する。
 このような増感剤としては、カルバゾール� ��、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、� ��フタレン類、フェノール類、ビアセチル、� ��オシン、ローズベンガル、ピレン類、アン� ��ラセン類、フェノチアジン類等を挙げるこ� ��ができる。これらの増感剤は、単独で又は2 種以上を組み合わせて使用することができる 。
 また、染料或いは顔料を配合することによ� ��、露光部の潜像を可視化させて、露光時の� ��レーションの影響を緩和でき、接着助剤を� ��合することにより、基板との接着性を改善� ��ることができる。更に、前記以外の添加剤� ��しては、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の� ��護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御� ��、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消� ��剤等を挙げることができる。

 <レジストパターンの形成方法>
 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化� ��増幅型レジストとして有用である。前記化� ��増幅型レジストにおいては、露光により酸� ��生剤から発生した酸の作用によって、樹脂� ��分〔主に、樹脂(B)〕中の酸解離性基が解離� ��て、カルボキシル基を生じ、その結果、レ� ��ストの露光部のアルカリ現像液に対する溶� ��性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液� ��よって溶解、除去され、ポジ型のレジスト� ��ターンが得られる。
 本発明の感放射線性樹脂組成物からレジス� ��パターンを形成する際には、樹脂組成物溶� ��を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の� ��宜の塗布手段によって、例えば、シリコン� ��ェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等� ��基板上に塗布することにより、レジスト被� ��を形成し、場合により予め加熱処理(以下、 「PB」という。)を行ったのち、所定のレジス トパターンを形成するように、このレジスト 被膜に露光する。その際に使用される放射線 としては、使用される酸発生剤の種類に応じ て、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷� �粒子線等を適宜選定して使用されるが、ArF� �キシマレーザー(波長193nm)或いはKrFエキシマ� ��ーザー(波長248nm)で代表される遠紫外線が好 ましく、特にArFエキシマレーザー(波長193nm)� �好ましい。
 また、露光量等の露光条件は、感放射線性� ��脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応� ��て適宜選定される。本発明においては、露� ��後に加熱処理(PEB)を行うことが好ましい。� �のPEBにより、樹脂成分中の酸解離性基の解� �反応が円滑に進行する。このPEBの加熱条件� �、感放射線性樹脂組成物の配合組成によっ� �変わるが、通常、30~200℃、好ましくは50~170� �である。

 本発明においては、感放射線性樹脂組成� ��の潜在能力を最大限に引き出すため、例え� ��、特公平6-12452号公報(特開昭59-93448号公報)� �に開示されているように、使用される基板� �に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成� �ておくこともできる。また、環境雰囲気中� �含まれる塩基性不純物等の影響を防止する� �め、例えば、特開平5-188598号公報等に開示さ れているように、レジスト被膜上に保護膜を 設けることもできる。更に、液浸露光におい てレジスト被膜からの酸発生剤等の流出を防 止するため、例えば特開2005-352384号公報等に� ��示されているように、レジスト被膜上に液� ��用保護膜を設けることもできる。尚、これ� ��の技術は併用することができる。

 次いで、露光されたレジスト被膜を現像� ��ることにより、所定のレジストパターンを� ��成する。この現像に使用される現像液とし� ��は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ� ��ウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム� ��メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エ� ��ルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルア� �ン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミ� �、メチルジエチルアミン、エチルジメチル� �ミン、トリエタノールアミン、テトラメチ� �アンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピ� �リジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7 -ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノ� �ン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を� ��解したアルカリ性水溶液が好ましい。前記� ��ルカリ性水溶液の濃度は、通常、10質量%以� ��である。この場合、アルカリ性水溶液の濃� ��が10質量%を超えると、非露光部も現像液に� ��解するおそれがあり好ましくない。

 また、前記アルカリ性水溶液からなる現像� ��には、例えば有機溶媒を添加することもで� ��る。前記有機溶媒としては、例えば、アセ� ��ン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチル� �トン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ� �、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチル� �クロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコ� ��ル、エチルアルコール、n-プロピルアルコ� �ル、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコ� ��ル、t-ブチルアルコール、シクロペンタノ� �ル、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオ� ��ル、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコー ル類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の� �ーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i- アミル等のエステル類;トルエン、キシレン� �の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセ� �ニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を� �げることができる。これらの有機溶媒は、� �独で又は2種以上を組み合わせて使用するこ� ��ができる。この有機溶媒の使用量は、アル� ��リ性水溶液に対して、100容量%以下が好まし い。この場合、有機溶媒の使用量が100容量%� �超えると、現像性が低下して、露光部の現� �残りが多くなるおそれがある。また、前記� �ルカリ性水溶液からなる現像液には、界面� �性剤等を適量添加することもできる。
 尚、アルカリ性水溶液からなる現像液で現� ��したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥す� ��。