Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deut schen Patentanmeldung Nr. 102021 103 369.1 vom 12. Februar 2021, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel lung einer Halbleitervorrichtung, ein Halbleiterträgersystem sowie eine Halbleitervorrichtung.

Für die Herstellung von insbesondere flachen Halbleitervor richtungen sind besonders dünne Substrate erforderlich. Dünne Substrate, beispielsweise ein Leadframe mit einer Dicke von ungefähr lOOpm, mit darauf aufgebrachten verhältnismäßig di cken Halbleiterbauteilen, beispielsweise eine Fotodiode mit einer Dicke von ungefähr 220pm, neigen dazu sich wegen unter schiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der Halblei terbauteile durchzubiegen. Sie sind daher schwierig in der Fertigung zu handhaben ohne, dass die Halbleitervorrichtungen beschädigt werden.

Zum gegenwärtigen Zeitpunkt werden insbesondere flachen Halb leitervorrichtungen meist ohne die Verwendung eines sogenann ten Trägersystems prozessiert. Um dabei Beschädigungen und Ausbeuteverluste der Halbleitervorrichtungen zu reduzieren, sind aufwändige und teure Maschinenumbauten, sowie aufwendige manuelle Prozesse sowie Nacharbeit der Halbleitervorrichtungen von Nöten.

Um eine hohe Ebenheit der Substrate vor und nach dem Aufbrin gen der Halbleiterbauteile zu erzielen, ist es wünschenswert, das Substrat auf einem Trägersystem, insbesondere einem stei fen Träger, aufzubringen sodass sich das Substrat während der Prozessierung nicht verbiegen kann. Nach der Prozessierung des Substrates muss dieses jedoch wieder von dem Träger abgelöst werden, was zum Gegenwärtigen Zeitpunkt nur in Verbindung mit teuren Prozessen und/oder der Inkaufnahme von Ausbeutungsver lusten der Halbleitervorrichtungen einhergeht. Ein mögliches Beispiel für eine solches Trägersystem ist bei spielsweise in der US 2007145555 Al gezeigt. Das Trägersystem enthält eine Trägerplatte und einen thermosensitiven Kleb stoff, der an eine obere Oberfläche der Trägerplatte aufge bracht ist. Bei einer vorbestimmten, definierten Temperatur verliert der thermosensitive Klebstoff seine Klebewirkung und kann von der Trägerplatte entfernt werden.

Ein weiteres Beispiel für ein Trägersystem ist in der US 2011024906 Al gezeigt. Das Trägersystem enthält eine Klebefo- lie, die auf eine starre Trägerschicht auflaminiert ist. Die Klebefolie kann beidseitig haftend sein und kann von der Trä gerschicht oder von jeder anderen Schicht oder jedem anderen Material, auf das sie aufgebracht ist, ablösbar sein. Brewer Science schlägt ebenfalls verschiedene Arten von Trä gersystemen vor (siehe www.brewerscience.com), sowie Methoden, um die Halbleitervorrichtungen von dem Trägersystem zu lösen. Zu diesen Methoden zählen unter anderem Laser Releases, chemi sche Release, thermisches Release und mechanische Release Ver- fahren. Diese Verfahren haben es jedoch gemeinsam, dass das Substrat beim Ablösen von dem Trägersystem einer erhöhten me chanischen, thermischen und/oder chemischen Belastung ausge setzt ist. Dies kann zu Beschädigungen und Ausbeuteverluste der Halbleitervorrichtungen führen. Ferner sind die bereits bekannten Verfahren zum Ablösen des Substrats von dem Träger system zumeist teuer.

Der vorliegenden Erfindung liegt entsprechend als eine Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervor- richtung, ein Halbleiterträgersystem sowie eine Halbleitervor- richtung bereitzustellen, bei dem wenigstens einige der oben genannten problematischen Aspekte adressiert werden.

Zusammenfassung der Erfindung

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 1, einem Halbleiterträgersystem mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 19, sowie einer Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruch 30. Ausführungs formen und Weiterbildungen der Erfindung werden in den abhän gigen Ansprüchen beschrieben.

Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Halb- leitervorrichtung umfasst die Schritte eines Bereitstellens eines Hilfsträgers, eines Anordnens oder Aufbringens einer Elastomer Schicht auf dem Hilfsträger, sowie eines Anordnens zumindest eines Werkstücks, insbesondere eines Leadframes, auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht. Ferner umfasst das Verfahren die Schritte eines An ordnens zumindest eines Halbleiterbauteils auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite des Werkstücks, eines Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils mit einem Vergussmaterial derart, dass das wenigstens eine Halbleiter- bauteil von dem Vergussmaterial in lateraler Richtung um schlossen ist, und eines Trennens des zumindest einen Werk stücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger, indem die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich, insbesondere einem Randbereich der Elastomer Schicht, in laterale Richtung mit einer Zugkraft beaufschlagt wird. In diesem Zusammenhang soll unter dem beaufschlagen in zumindest einem ersten Bereich verstanden werden, dass in die sem Bereich die Zugkraft ansetzt, bzw. auf diesen Bereich eine Zugkraft ausgeübt wird. In einer alternativen Ausführungsform kann auch nur ein Wafer unter Zuhilfenahme von Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips prozessiert werden. In einer Ausgestaltung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung vorgeschlagen, dass die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Hilfsträgers; Anordnen oder Aufbringen einer Elastomer Schicht auf dem Hilfsträger; Anordnen zumindest eines Werkstücks, ins besondere einer oder mehrerer metallischer, isolations und/oder Halbleiterschichten, auf einer dem Hilfsträger gegen- überliegenden Seite der Elastomer Schicht; Prozessieren, ins besondere strukturieren, des Werkstücks; und Trennen des zu mindest einen prozessierten Werkstücks von dem Hilfsträger, indem die Elastomer Schicht in zumindest einem ersten Bereich, insbesondere einem Randbereich der Elastomer Schicht, in late- rale Richtung mit einer Zugkraft beaufschlagt wird.

Der Vorteil der Verwendung einer Elastomer Schicht zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück liegt darin, dass das Werk stück zum einem während der Prozessierung auf einem steifen Trägersystem aufgebracht ist, sodass sich das Werkstück wäh rend der Prozessierung nicht oder nur kaum verbiegt, und zum anderen erfolgt das Trennen des zumindest einen prozessierten Werkstücks von dem Hilfsträger ohne, dass der Hilfsträger oder das Werkstück einer erhöhten mechanischen, thermischen und/oder chemischen Belastung ausgesetzt sind. Insbesondere wird der Hilfsträger und/oder das Werkstück nicht gebogen, um das Werkstück, insbesondere nachdem es prozessiert wurde, von dem Hilfsträger zu lösen. Beispielsweise kann durch die aufge brachte Zugkraft nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht in Zugrichtung bewirkt werde, sondern gleichzeitig auch eine Verjüngung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück von die sen beiden löst. In einigen Ausführungsformen werden der Hilfsträger und das zumindest eine Werkstück durch die Elastomer Schicht unter Einwirkung von Druck und Temperatur laminiert. Insbesondere wird in einigen Ausführungsformen das Werkstück unter Zuhilfe nahme der Elastomer Schicht auf den Hilfsträger laminiert, so- dass das Werkstück zur weiteren Bearbeitung auf dem Hilfsträ- ger fixiert ist.

In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht kleb rige Eigenschaften auf, sodass das Werkstück auf der Elastomer Schicht bzw. dem Hilfsträger zur weiteren Bearbeitung fixiert ist.

Durch das Ansetzen oder Ausüben einer Zugkraft auf die den Hilfsträger und das Werkstück verbindende Elastomer Schicht, wird diese in Zugrichtung gedehnt und sie löst sich aufgrund der auftretenden Scherung von dem Hilfsträger und dem Werk- stück. Eine Delamination der Elastomer Schicht von dem Hilfs träger und dem Werkstück erfolgt dadurch ohne dass der Hilfs träger oder das Werkstück einer erhöhten mechanischen, thermi schen und/oder chemischen Belastung ausgesetzt sind. Insbeson dere wird der Hilfsträger und/oder das Werkstück nicht gebo- gen, um das Werkstück, insbesondere nachdem es weiterbearbei tet wurde, von dem Hilfsträger zu lösen. Beispielsweise kann durch die aufgebrachte Zugkraft nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht in Zugrichtung bewirkt werde, sondern gleichzeitig auch eine Verjüngung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück von diesen beiden löst.

Mit der Formulierung „laterale Richtung" kann insbesondere ei ne Richtung verstanden werden, die senkrecht zur Aufbaurich- tung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiterbauteil, ausgebildet ist. Insbesondere kann die Formulierung „laterale Richtung" als eine Richtung verstanden werden, die in seitli che Richtung zur Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elasto- mer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des wenigs tens eine Halbleiterbauteil, weist. Das Werkstück kann beispielsweise durch einen Leadframe, ein Keramiksubstrat, eine Leiterplatte, oder einen Wafer gebildet werden. Insbesondere kann das Werkstück im Vergleich zu der Elastomer Schicht derart ausgebildet sein, dass zumindest eine Halbleiterbauteil auf dem Werkstück angeordnet werden kann und dieses mit dem Werkstück mechanisch verbunden werden kann. Da zu kann das Werkstück im Vergleich zu der Elastomer Schicht beispielsweise ein vergleichsweise hartes bzw. steifes Materi al umfassen.

Das zumindest eine Halbleiterbauteil kann beispielsweise einen LED-Chip (englisch: light emitting diode), eine Fotodiode, ei nen Fotodetektor, einen integrierten Schaltkreis (englisch: integrated circuit IC), einen Sensor, oder einen MEMS-Chip (englisch: microelectromechanical _S ystems) umfassen. Insbeson dere kann das zumindest eine Halbleiterbauteil durch ein opto elektronisches Halbleiterbauteil wie beispielsweise einer LED oder einer Laserdiode gebildet sein. Das zumindest eine Halbleiterbauteil kann beispielsweise der art ausgebildet sein, dass es einen Oberseitenkontakt und ei nen dem Oberseitenkontakt gegenüberliegenden Unterseitenkon takt zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterbauteils auf weist. Das Halbleiterbauteil kann dann beispielsweise über den Unterseitenkontakt mit dem Werkstück und mittels eines Drahtes über den Oberseitenkontakt mit dem Werkstück elektrisch ver bunden sein.

Das Vergussmaterial kann beispielsweise ein Epoxidharz, Ac- rylat, Silikon, einen thermoplastischen Kunstoff, oder einen duroplastischen Kunstoff umfassen. Das Vergussmaterial kann ferner ein Matrixmaterial umfassen, dass mit einem Zusatz, insbesondere einem Füllstoff, versetzt ist, um die mechani schen, elektrischen oder Verarbeitungseigenschaften des Ver- gussmaterials anzupassen. Das Vergussmaterial kann jedoch auch ohne einen Füllstoff vorliegen und somit „ungefüllt" sein. Das Vergussmaterial kann transparente Eigenschaften aufweisen, oder zumindest teilweise für zumindest Licht im sichtbaren Be reich transparent sein. Das Vergussmaterial kann hingegen auch im Wesentlichen Lichtundurchlässig sein bzw. für zumindest Licht im sichtbaren Bereich lichtundurchlässig sein.

In einigen Ausführungsformen kann der Schritt des Vergießens des zumindest einen Halbleiterbauteils ein Trennen des Werk stücks in zumindest zwei Segmente umfassen. Beispielweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden, zu mindest ein Halbleiterbauteil, insbesondere zumindest zwei Halbleiterbauteile, auf dem Werkstück angeordnet werden, das zumindest eine Halbleiterbauteil, insbesondere die zumindest zwei Halbleiterbauteile, mit einem Vergussmaterial vergossen werden, und das Werkstück anschließend in zumindest zwei Seg mente unterteilt werden, insbesondere derart, dass jedes Seg ment ein Halbleiterbauteil umfasst. Das Werkstück kann ferner auch in fünf, zehn, hundert, oder eine andere Anzahl an Seg- menten unterteilt werden. Das Trennen kann beispielsweise mit tels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen und es kann insbesondere die Elastomer Schicht durch das Tren nen nicht beschädigt werden. In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks auf einer dem Hilfsträger ge genüberliegenden Seite der Elastomer Schicht ein Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente. Beispielweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden und das Werkstück anschließend in zumindest zwei Segmente unterteilt werden. Das Werkstück kann ebenfalls in fünf, zehn, hundert, oder in eine andere Anzahl an Segmenten unterteilt werden. Das Trennen kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen und es kann insbesondere lediglich das Werkstück in Segmente getrennt werden ohne dabei die darunterliegende Elastomer Schicht zu beschädigen.

Durch das Trennen des Werkstücks in zumindest zwei Segmente kann verhindert werden, dass sich das Werkstück im Falle eines nachgeordneten Vergießens des zumindest einen Halbleiterbau teils, nicht oder nur wenig durchbiegt und dadurch die Quali tät der Halbleitervorrichtung verbessert werden.

In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens des zumindest einen Werkstücks auf einer dem Hilfsträger ge genüberliegenden Seite der Elastomer Schicht ein Vergießen des Werkstücks mit einem weiteren Vergussmaterial. Beispielsweise kann das Werkstück auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegen den Seite der Elastomer Schicht angeordnet und fixiert werden, das Werkstück in zumindest zwei Segmente unterteilt werden, und anschließend das Werkstück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, mit einem weiteren Vergussmaterial vergossen werden. Das Vergießen erfolgt dabei derart, dass das Werk stück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, von dem wei- teren Vergussmaterial in lateraler Richtung umschlossen sind. Das Werkstück bzw. jedes der Segmente kann beispielsweise in eine Umfangsrichtung um das Werkstück bzw. in eine Umfangs richtung um jedes der Segmente gesehen vollständig von dem weiteren Vergussmaterial umschlossen sein. Die Umfangsrichtung kann sich beispielsweise um eine Achse durch den Schwerpunkt des Werkstücks bzw. um eine jeweilige Achse durch den Schwer punkt eines jeden Segmentes ergeben, die in Richtung der Auf baurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zu mindest einen Werkstücks, und des wenigstens eine Halbleiter- bauteil, ausgebildet ist.

Das weitere Vergussmaterial kann beispielsweise ein Epoxid harz, Acrylat, Silikon, einen thermoplastischen Kunststoff, oder einen duroplastischen Kunststoff umfassen. Das weitere Vergussmaterial kann ferner ein Matrixmaterial umfassen, dass mit einem Zusatz, insbesondere einem Füllstoff, versetzt ist, um die mechanischen, elektrischen oder Verarbeitungseigen schaften des weiteren Vergussmaterials anzupassen. Das weitere Vergussmaterial kann jedoch auch ohne einen Füllstoff vorlie gen und somit „ungefüllt" sein. Das weitere Vergussmaterial weist bevorzugt transparente Eigenschaften auf, oder ist zu mindest teilweise für zumindest Licht im sichtbaren Bereich transparent. Insbesondere weist das weitere Vergussmaterial transparente Eigenschaften auf wenn es sich bei der Halb leitervorrichtung um eine Halbleitervorrichtung mit optoelekt ronischen Halbleiterbauteilen handelt. Das weitere Vergussma terial kann jedoch auch im Wesentlichen Lichtundurchlässig sein bzw. für zumindest Licht im sichtbaren Bereich lichtun durchlässig sein.

In einigen Ausführungsformen schließt das weitere Vergussmate rial im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger gegenüberlie genden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks plan ab. Das weitere Vergussmaterial kann beispielsweise einen Verguss bil den in dem das Werkstück bzw. die zumindest zwei Segmente ein gebettet sind, sodass sich eine Platte aus einzelnen vergossen Werkstück Segmenten bzw. Leadframe Segmenten ergeben, auf de nen jeweils zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet werden kann.

In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Anordnens zumindest eines Halbleiterbauteils auf dem Werkstück ein elektrisches Verbinden, insbesondere Bonden, des zumindest ei nen Halbleiterbauteils mit dem Werkstück.

Das Werkstück bzw. jedes der zumindest zwei Segmente des Werk stücks können derart ausgebildet sein, dass sie jeweils einen ersten und einen zweiten, vom ersten elektrisch isolierten, elektrischen Kontakt aufweisen. Zumindest ein Halbleiterbau teil kann pro Segment auf einem der beiden elektrischen Kon takte aufgebracht und mit diesem elektrisch verbunden sein und über einen Drahtbond kann das Halbleiterbauteil mit dem ande- ren noch nicht kontaktierten elektrischen Kontakt elektrisch verbunden sein.

In einigen Ausführungsformen werden zumindest zwei Halbleiter bauteile auf einer dem Hilfsträger gegenüberliegenden Seite des zumindest einen Werkstücks angeordnet. Beispielsweise kann auf jedem der zumindest zwei Segmente des Werkstücks zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet werden.

In einigen Ausführungsformen umfasst das erfindungsgemäße Ver fahren einen weiteren Schritt eines Vereinzeins des zumindest einen Werkstücks mit den darauf angeordneten zumindest zwei Halbleiterbauteilen in zumindest zwei Halbleitervorrichtungen, derart, dass jede Halbleitervorrichtung eines der zumindest zwei Halbleiterbauteile sowie ein Segment des zumindest einen Werkstücks umfasst. Beispielsweise erfolgt der Schritt des Vereinzeins nach dem Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfs träger. Der Schritt des Vereinzeins kann beispielsweise mit tels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfol gen.

In einigen Ausführungsformen wird auf wenigstens einen aus dem Hilfsträger und dem vergossenen Werkstück während des Schrit tes des Trennens des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfsträger eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt. Diese Kraft kann beispielswei se dadurch aufgebracht werden, dass einer aus dem Hilfsträger und dem vergossenen Werkstück während des Schrittes des Tren nens des zumindest einen Werkstücks von dem Hilfsträger fest gehalten bzw. fixiert wird und somit eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt wird. Durch die entgegen der Zugkraft ausge übte Kraft wird verhindert, dass das Trägersystem aus Hilfs träger, Elastomer Schicht, Werkstück, Halbleiterbauteil und Vergussmaterial in Richtung der Zugkraft verschoben wird und dadurch die Zugkraft keine Dehnung in der Elastomer Schicht verursachen kann.

In einigen Ausführungsformen wird auf die Elastomer Schicht in einem ersten Bereich, insbesondere in einem ersten Randbereich der Elastomer Schicht, in laterale Richtung eine erste Zug kraft ausgeübt und in einem zweiten, dem ersten Bereich gegen überliegendem Bereich, insbesondere in einem zweiten dem ers ten Randbereich gegenüberliegendem Randbereich, eine zweite, zur ersten Zugkraft im Wesentlichen entgegengesetzt wirkenden Zugkraft ausgeübt. Die Formulierung „im Wesentlichen entgegen gesetzt wirkenden" kann dabei insbesondere dahingehend ver standen werden, dass sich die Kraftvektoren der ersten und der zweiten Zugkraft im Wesentlichen gegenseitig aufheben.

In einigen Ausführungsformen wird die Elastomer Schicht in ei ner Vielzahl von Bereichen, insbesondere Randbereichen der Elastomer Schicht, jeweils eine Zugkraft ausgeübt, wobei sich die Kraftvektoren der Zugkräfte in Summe im Wesentlichen ge- genseitig aufheben. Beispielsweise kann die Elastomer Schicht in Umfangsrichtung gesehen in zumindest zwei oder vier entge gengesetzt wirkende Richtungen in einem jeweiligen Bereich, insbesondere Randbereiche der Elastomer Schicht, jeweils mit einer Zugkraft beaufschlagt werden, wobei sich die Kraftvekto- ren der Zugkräfte in Summe im Wesentlichen gegenseitig aufhe ben. Dennoch wird die Elastomer Schicht durch die Zugkräfte in unterschiedliche Richtungen gedehnt, so dass sich deren Dicke ändert und so ein Ablösen von dem Werkstück bewirkt. In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht in dem zumindest einem ersten Bereich lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus.

In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht zumin- dest in den Bereichen, in denen eine Zugkraft aufgebracht wird, lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hin aus.

Dies kann von Vorteil sein, da die Elastomer Schicht in den Bereichen, in denen eine Zugkraft ausgeübt wird und in denen sie über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinausragt besser zugänglich sein kann, um beispielsweise die Zugkraft anzusetzen, also beispielsweise die Elastomer Schicht zu grei fen.

In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht ei ne Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbe sondere Streifen. Beispielsweise kann die Elastomer Schicht in Form einer einzigen durchgehenden Schicht auf den Hilfsträger aufgebracht werden, und diese anschließend auf dem Hilfsträger mit beispielsweise einem Messer oder einem Laser in Streifen geschnitten werden. Die Segmente bzw. Streifen der Elastomer Schicht können jedoch auch einzeln auf den Hilfsträger aufge bracht und nebeneinander angeordnet werden.

In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht zu mindest eines aus den Materialen PDMS, Silikon, Gummi, Fluore lastomer, Viton und Polyurethan. In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht ein Dicke von 0,1 mm bis 10 mm oder eine Dicke zwischen 2 mm und 5 mm auf. Beispielswiese können jedoch auch dickere Schichten bevorzugt sein, um Risse in der Elastomer Schicht beim Auf bringen der Zugkraft auf die Elastomer Schicht zu vermeiden.

In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht ein Elastizitätsmodul von kleiner 50 MPa, oder kleiner 5MPa auf. Ein solcher Elastizitätsmodul kann von Vorteil sein, da er im hookschen Bereich einen gewünschten Zusammenhang zwischen me- chanischer Spannung und Dehnung beschreibt. In einigen Ausfüh rungsformen weist die Elastomer Schicht zusätzlich dazu eine Bruchdehnung von größer oder gleich 50%, oder von größer oder gleich 100% auf.

In einigen Ausführungsformen umfasst der Hilfsträger zumindest eines aus den Materialien Stahl, Kupfer, Silizium, Glas, Kera mik, einer Eisen-Nickel-Legierung (FeNi), oder einem schwer entflammbaren und flammenhemmenden Verbundwerkstoff wie FR4. Insbesondere kann der Hilfsträger aus einem harten bzw. stei fen Material bestehen, dass eine entsprechende Stabilität und Ebenheit zur Bearbeitung des Werkstücks bereitzustellen.

In einigen Ausführungsformen weisen der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück in laterale Rich tung gesehen eine rechteckige, quadratische oder runde Form auf. In einigen Ausführungsformen weisen der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück in late rale Richtung gesehen eine im wesentlichen gleiche Form auf, wobei die Elastomer Schicht in laterale Richtung gesehen ins besondere eine größere Fläche aufweist als der Hilfsträger und das Werkstück. Beispielsweise kann der Hilfsträger und/oder die Elastomer Schicht und/oder das Werkstück, insbesondere in Form eines Halbleiterwafers, eine im Wesentlichen runde Form aufweisen. In einigen Ausführungsformen weist der Hilfsträger Öffnungen auf, in die die Elastomer Schicht lateral hineinragt. Insbe sondere sind die Öffnungen in einem Bereich des Hilfsträgers angeordnet, in dem in Aufbaurichtung des Hilfsträgers, der Elastomer Schicht, des zumindest einen Werkstücks, und des we- nigstens eine Halbleiterbauteil gesehen kein Bereich des Werk stücks liegt. Dies kann von Vorteil sein, da auf die Elastomer Schicht in den Bereichen, in denen sie in die Öffnungen hin einragt eine Zugkraft aufgebracht werden kann, da die Elasto mer Schicht aufgrund der Öffnungen in diesen Bereichen besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Werkstück eine Trä gerfolie und einen auf die Trägerfolie aufgebrachten Leadfra me. Durch die Verwendung der Trägerfolie kann eine Adhäsi on/Haftung zwischen der Elastomer Schicht und dem Werkstück bzw. zwischen der Elastomer Schicht und des Leadframes verbes sert werden, um eine weitere Bearbeitung des Werkstücks bzw. des Leadframes zu erleichtern. Die Trägerfolie kann beispiels weise Polyimid umfassen. Ein erfindungsgemäßes Halbleiterträgersystem umfasst einen Hilfsträger, auf dem eine Elastomer Schicht angeordnet ist, und zumindest ein Werkstück, insbesondere einen Leadframe, auf dessen Oberseite zumindest ein Halbleiterbauteil angeordnet ist. Das Werkstück ist dabei auf einer dem Hilfsträger gegen- überliegenden Seite der Elastomer Schicht angeordnet. Ferner umfasst das Halbleiterträgersystem ein Vergussmaterial das das Halbleiterbauteil in lateraler Richtung umschließt.

Das Halbleiterträgersystem kann beispielweises ein Zwischen- produkt im Herstellungsprozess einer erfindungsgemäßen Halb leitervorrichtung sein.

In einigen Ausführungsformen umfasst das zumindest eine Werk stück zumindest zwei voneinander getrennte Segmente, insbe- sondre zwei voneinander getrennte Leadframe Segmente. Jedes

Leadframe Segment kann wiederum einen ersten elektrischen Kon takt und einen vom ersten elektrischen Kontakt elektrisch iso lierten und beabstandeten zweiten elektrischen Kontakt aufwei sen.

In einigen Ausführungsformen weisen die zumindest zwei Segmen te jeweils entlang einer zwischen den beiden Segmenten verlau fenden Trennlinie einen Grat auf. Der Grat kann beispielsweise durch das Trennen des Werkstücks in die zumindest zwei Segmen- te mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen entstanden sein. In einigen Ausführungsformen weist das Halbleiterträgersystem ein weiteres Vergussmaterial auf, dass das zumindest eine Werkstück, insbesondere die zumindest zwei Segmente, in late raler Richtung umschließt. Durch einen Prozessschritt, bei dem das weitere Vergussmaterial aufgebracht wird, insbesondere in Form eines Spritzgussprozesses, kann der Grat, insbesondere durch einen Kontakt mit dem verwendeten Gießwerkzeug, verformt sein. In einigen Ausführungsformen schließt das weitere Vergussmate rial im Wesentlichen mit einer dem Hilfsträger gegenüberlie genden Oberfläche des zumindest einen Werkstücks plan ab.

In einigen Ausführungsformen ragt die Elastomer Schicht in zu- mindest einem ersten Bereich, insbesondere Randbereich der

Elastomer Schicht, lateral über den Hilfsträger und/oder das Werkstück hinaus.

In einigen Ausführungsformen weist die Elastomer Schicht in zumindest dem ersten Bereich eine größere Dicke auf als in ei nem Bereich zwischen dem Hilfsträger und dem Werkstück. Bei spielsweise kann die Elastomer Schicht in zumindest dem ersten Bereich, insbesondere Randbereich der Elastomer Schicht einen dickeren, insbesondere umlaufenden, Rand aufweisen, sodass die Elastomer Schicht in diesem Bereich besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen.

In einigen Ausführungsformen umfasst die Elastomer Schicht ei ne Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten, insbe- sondere Streifen. Die Segmente können ferner auch in Form ei ner A x 2 Matrix auf dem Hilfsträger angeordnet sein, wobei A einer natürlichen Zahl größer oder gleich 1 entsprechen kann. Die Segmente können beispielsweise durch einen Spalt zueinan der beabstandet auf dem Hilfsträger angeordnet sein. Der Spalt kann jedoch sehr klein im Bereich von wenigen pm ausgebildet sein. Eine Segmentierung der Elastomer Schicht kann von Vorteil sein, da zum einen eine geringer Zugkraft zum Trennen des zu mindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halblei terbauteil von dem Hilfsträger erforderlich sein kann, zum an deren ein geringeres Risiko zur Bildung von Rissen in der Elastomer Schicht beim Trennen des zumindest einen Werkstücks mit dem darauf angeordneten Halbleiterbauteil von dem Hilfs träger auftreten kann, und durch das Trennen mittels einzelner Segmente größere Werkstücke von dem Hilfsträger getrennt wer den können.

In einigen Ausführungsformen ragt jeweils zumindest ein Rand bereich der Vielzahl von nebeneinander angeordneten Segmenten der Elastomer Schicht über den Hilfsträger und/oder das Werk stück hinaus, sodass die Elastomer Schicht in diesen Bereichen besser zugänglich sein kann, um die Elastomer Schicht bei spielsweise zu greifen.

In einigen Ausführungsformen weist der Hilfsträger Öffnungen auf, und die Elastomer Schicht ragt lateral in diese Öffnungen hinein. Insbesondere sind die Öffnungen in einem Bereich des Hilfsträgers angeordnet, in dem in Aufbaurichtung der Schich ten des Halbleiterträgersystems gesehen kein Bereich des Werk stücks liegt. Dies kann von Vorteil sein, da die Elastomer Schicht aufgrund der Öffnungen in diesen Bereichen besser zu gänglich sein kann, um die Elastomer Schicht beispielsweise zu greifen. Ferner können die Öffnungen von Vorteil sein, da dadurch eine gute Zugänglichkeit der Elastomer Schicht erzeugt wird und gleichzeitig das Halbleiterträgersystem besser pro zessiert werden kann, da über den Hilfsträger in lateraler Richtung keine Bereiche der Elastomer Schicht hinausragen, die die Prozessierung ggf. stören könnten.

In einigen Ausführungsformen sind zumindest zwei Werkstücke, insbesondere Leadframes, auf einer dem Hilfsträger gegenüber liegenden Seite der Elastomer Schicht nebeneinander angeord- net. Dies kann insbesondere von Vorteil sein, wenn bei Vorgän ger- und/oder Nachfolgeprozessen kleinere Werkstücke zur bes sern Handhabung oder Bearbeitung von Nöten sind.

Ein erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung umfasst einen Lead frame, auf dessen Oberseite ein Halbleiterbauteil angeordnet ist, ein Vergussmaterial das das Halbleiterbauteil in latera ler Richtung umschließt, und ein weiteres Vergussmaterial, das den Leadframe in lateraler Richtung umschließt und im Wesent lichen plan mit der Oberseite des Leadframes abschließt. Seit liche Außenflächen der Halbleitervorrichtung sind dabei nur durch die beiden Vergussmaterialien gebildet.

Als seitliche Außenflächen der Halbleitervorrichtung können insbesondere Flächen der Halbleitervorrichtung verstanden wer den, die die Halbleitervorrichtung in eine Umfangsrichtung um eine Achse entlang der Aufbaurichtung der Schichten der Halb leitervorrichtung, begrenzen.

Dass die seitlichen Außenflächen der Halbleitervorrichtung nur durch die beiden Vergussmaterialien gebildet sind, ergibt sich beispielsweise dadurch, dass beim Vereinzeln mehrerer zusam menhängender Halbleitervorrichtungen ein Vereinzelungsvorgang in Bereichen erfolgt, in denen nur die beiden Vergussmateria lien ausgebildet sind. Entsprechend ergeben sich die seitli chen Außenflächen derart, dass diese nur durch die beiden Ver gussmaterialien gebildet sind. Dies hat insbesondere den Vor teil, dass bei dem Vereinzelungsvorgang ein Trennen nur durch die beiden Vergussmaterialien und beispielsweise kein weiteres Material erfolgt und der Trennvorgang dadurch erleichtert wird. Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,

Fig. 1A bis IE Schritte der Grundidee eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrich tung nach dem vorgeschlagenen Prinzip;

Fig. 2A bis 2F Schritte eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vor geschlagenen Prinzip; Fig. 3A und 3B eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht mehrerer erfindungsgemäßer Halbleitervor richtungen;

Fig. 4A bis 4J jeweils eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht verschiedener Ausführungs beispiele eines Halbleiterträgersystems nach dem vorgeschlagenen Prinzip;

Fig. 5A bis 5C jeweils eine Draufsicht verschiedener wei terer Ausführungsbeispiele eines Halblei terträgersystems nach dem vorgeschlagenen Prinzip; und

Fig. 6A bis 6F Schritte eines weiteren Ausführungsbei spiels eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach dem vor geschlagenen Prinzip. Detaillierte Beschreibung

Die folgenden Ausführungsformen und Beispiele zeigen verschie dene Aspekte und ihre Kombinationen nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Ausführungsformen und Beispiele sind nicht immer maßstabsgetreu. Ebenso können verschiedene Elemente vergrößert oder verkleinert dargestellt werden, um einzelne Aspekte her vorzuheben. Es versteht sich von selbst, dass die einzelnen Aspekte und Merkmale der in den Abbildungen gezeigten Ausfüh- rungsformen und Beispiele ohne weiteres miteinander kombiniert werden können, ohne dass dadurch das erfindungsgemäße Prinzip beeinträchtigt wird. Einige Aspekte weisen eine regelmäßige Struktur oder Form auf. Es ist zu beachten, dass in der Praxis geringfügige Abweichungen von der idealen Form auftreten kön- nen, ohne jedoch der erfinderischen Idee zu widersprechen.

Außerdem sind die einzelnen Figuren, Merkmale und Aspekte nicht unbedingt in der richtigen Größe dargestellt, und auch die Proportionen zwischen den einzelnen Elementen müssen nicht grundsätzlich richtig sein. Einige Aspekte und Merkmale werden hervorgehoben, indem sie vergrößert dargestellt werden. Be griffe wie "oben", "oberhalb", "unten", "unterhalb", "größer", "kleiner" und dergleichen werden jedoch in Bezug auf die Ele mente in den Figuren korrekt dargestellt. So ist es möglich, solche Beziehungen zwischen den Elementen anhand der Abbildun gen abzuleiten.

Fig. 1A bis IE zeigen die Grundidee eines Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervor- richtung. In einem ersten Schritt wird dabei, wie in Fig. 1A dargestellt, ein Stapel aus einem Hilfsträger 2, einer Elasto mer Schicht 3 und einem Werkstück 4 bereitgestellt. Dieser Stapel wird entsprechend der in Fig. 1B dargestellten Pfeile unter Einwirkung von Druck und Temperatur laminiert sodass die einzelnen Schichten zueinander fixiert werden. In einem weite ren Schritt wird dann das Werkstück 4 bearbeitet, siehe Fig. IC. Dazu können unter anderem Schritte zählen wie das Trennen des Werkstücks in Segmente, das Vergießen des Werkstücks mit einem Füllmaterial, das Anordnen von Halbleiterbauteilen auf dem Werkstück, und das Vergießen der Halbleiterbauteile auf dem Werkstück. Das bearbeitete Werkstück 4.1 wird anschlie ßend, wie in Fig. ID dargestellt, von dem Hilfsträger 2 abge löst bzw. delaminiert, indem auf die Elastomer Schicht 3 in einem Randbereich der Elastomer Schicht 3 eine Zugkraft Z aus geübt wird, bzw. dort angreift und sich diese aufgrund der Zugkraft in laterale Richtung dehnt. Durch die aufgebrachte Zugkraft Z wird nicht nur eine Dehnung der Elastomer Schicht 3 in Zugrichtung bewirkt, sondern gleichzeitig auch eine Verjün gung der Dicke der Elastomer Schicht, sodass sich diese im Be reich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem bearbeiteten Werk stück 4.1 von diesen beiden abschert. Nachdem das bearbeitete Werkstück 4.1 von dem Hilfsträger 2 und der Elastomer Schicht 3 abgelöst ist, kann dieses in weiteren nachfolgenden Schrit ten weiter- bzw. nachbearbeitet werden (siehe Fig. IE). Dazu können unter anderem Schritte zählen wie das Vereinzeln des Werkstücks in beispielsweise mehrere Halbleitervorrichtungen.

Fig. 2A bis 2F zeigen Schritte eines Verfahrens nach dem vor geschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervorrich tung. In einem ersten Schritt wird dabei, wie in Fig. 2A dar gestellt, ein Werkstück 4 bereitgestellt. Im vorliegenden Fall liegt das Werkstück 4 in Form eines Leadframes 11 vor, der durch vorangegangene Bearbeitungsschritte mehrere erste und zweite elektrische Kontakte 11.1, 11.2 aufweist, die über so genannte Stützstreben 11.3 miteinander verbunden sind. Die mehreren ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 können beispielsweise über einen oder mehrere vorangegangene Ätzschritte erzeugt worden sein. Der Leadframe weist ferner eine Beschichtung 12 auf, die die mehreren ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 beispielsweise vor Korrosion schützt. Das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 wird in einem weiteren Schritt, wie in Fig. 2B dargestellt, mittels einer Elastomer Schicht 3 auf einen Hilfsträger 2 laminiert. Dies kann bei spielsweise unter Zuhilfenahme von Druck und Temperatur, wie bereits in Fig. 1B dargestellt, erfolgen. Durch den Schritt des Laminierens wird das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 auf dem Hilfsträger fixiert, sodass eine Weiterbearbeitung des Werkstücks 4 bzw. des Leadframes 11 in nachfolgenden Schritten möglich ist. Der Hilfsträger besteht insbesondere aus einem harten bzw. steifen Material, um eine entsprechende Stabilität und Ebenheit zur Weiterbearbeitung des Werkstücks 4 bzw. des Leadframes 11 bereitzustellen.

Nachdem das Werkstück 4 bzw. der Leadframe 11 auf den Hilfs träger 2 laminiert wurde, wird der Leadframe 11 in zumindest zwei Segmente getrennt. Dieser Schritt ist in Fig. 2C darge stellt. Jedes der Segmente umfasst einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt 11.1, 11.2, die voneinander elektrisch isoliert und nebeneinander beabstandet auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet sind. Das Trennen des Leadfra mes 11 in zumindest zwei Segmente erfolgt beispielsweise mit tels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen und die Elastomer Schicht 3 wird durch das Trennen insbesondere nicht beschädigt. Wie in der Figur dargestellt werden die Segmente im Bereich der Stützstreben 11.3 getrennt, indem diese mittels einem der oben genannten Verfahren durchtrennt werden. Exemp larisch ist in der Figur ein Sägeblatt 13 dargestellt, mittels dem die Stützstreben 11.3 durchtrennt werden. Das Sägeblatt 13 wird jedoch lediglich durch die Stützstreben 11.3 geführt und ist nicht in Kontakt mit der Elastomer Schicht 3, um diese nicht zu beschädigen.

Das bearbeitete Werkstück 4.1 bzw. der bearbeitete Leadframe 11 ist in Fig. 2D dargestellt. Durch das Trennen des Leadfra mes 11 in zumindest zwei Segmente, insbesondere durch das Trennen mittels einem Sägeprozess, können die Segmente bzw. die ersten und zweiten elektrischen Kontakte 11.1, 11.2 ent lang einer zwischen den Segmenten verlaufenden Trennlinie ei nen Grat 14 aufweisen, der durch den Trennprozess entsteht.

Fig. 2E zeigt ein Halbleiterträgersystem 10, dass ein Zwi schenprodukt des Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung darstellt. Zur Er zeugung des Zwischenprodukts wird der in Fig. 2D dargestellte bearbeitete Leadframe 11 in einem ersten Schritt mit einem weiteren Vergussmaterial 7 derart vergossen, dass die zumin dest zwei Segmente von dem weiteren Vergussmaterial 7 in late raler Richtung umschlossen sind. Ferner schließt das weitere Vergussmaterial 7 mit einer dem Hilfsträger 2 gegenüberliegen den Oberfläche des Leadframes 11 im Wesentlichen plan ab. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass auf die dem Hilfs träger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des Leadframes 11 ein Werkzeug aufgesetzt wird, und Bereiche zwischen den Segmenten des Leadframes bzw. zwischen den ersten und zweiten elektri schen Kontakten 11.1, 11.2 mit dem weiteren Vergussmaterial hinterfüllt werden. Das Aufsetzen des Werkzeugs auf die dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des Leadframes 11 kann dazu führen, dass der Grat 14, wie in der Figur darge stellt, verformt wird oder sogar abbricht.

Anschließend wird in einem weiteren Schritt auf jedem der Seg mente des Leadframes 11 ein Halbleiterbauteil 5 angeordnet. Im vorliegenden Fall wird je ein Halbleiterbauteil 5 auf einer dem Hilfsträger 2 gegenüberliegenden Oberfläche des ersten elektrischen Kontakts 11.1 des Leadframes 11 angeordnet. Das Halbleiterbauteil kann beispielsweise aufgeklebt oder gelötet werden. In einem weiteren Schritt wird jedes der Halbleiter bauteile 5 mittels eines Drahtbondprozesses mit dem zugehöri gen zweiten elektrischen Kontakt 11.2 über einen Draht 8 elektrisch verbunden. Dann werden die Halbleiterbauteile 5 mit einem Vergussmaterial 6 in lateraler Richtung umschlossen. Dazu wird wie auch im vo rangegangen Vergussprozess ein Werkzeug auf den Leadframe 11 beziehungsweise das weitere Vergussmaterial 7 aufgesetzt und die Halbleiterbauteile 5 mit dem Vergussmaterial 6 eingehaust. Das Vergussmaterial 6 wird derart angeordnet, dass die Halb leiterbauteile 5 zumindest in Umfangsrichtung von dem Verguss material 6 umgeben sind. Zusätzlich wird eine Schicht des Ver gussmaterials über den Halbleiterbauteilen 5 aufgebracht und auch der Draht 8 wird in dem Vergussmaterial 6 vergossen.

Von dem Halbleiterträgersystem 10 wird anschließend der Hilfs träger 2 bzw. die Elastomer Schicht 3 abgelöst, indem eine Zugkraft in laterale Richtung in einem Randbereich der Elasto- mer Schicht 3 aufgebracht wird. Aufgrund der Zugkraft dehnt sich die Elastomer Schicht 3 in laterale Richtung und gleich zeitig verjüngt sich die Dicke der Elastomer Schicht im Be reich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem Leadframe 11, sodass sich diese vom Hilfsträger 2 und dem Leadframe 11 abschert. Um zu verhindern, dass das Halbleiterträgersystem 10 in Richtung der Zugkraft verschoben wird und dadurch die Zugkraft keine Dehnung in der Elastomer Schicht verursachen kann, kann bei spielsweise der Hilfsträger festgehalten werden und dadurch entsprechend eine Kraft entgegen der Zugkraft auf das Halblei- terträgersystem 10 ausgeübt werden. Diese Kraft kann bei spielsweise auch dadurch aufgebracht werden, dass nicht der Hilfsträger 2, sondern beispielsweise der vergossenen Leadfra me 11 während des Schrittes des Trennens des vergossenen Lead frames 11 von dem Hilfsträger 2 festgehalten bzw. fixiert wird und somit eine Kraft entgegen der Zugkraft ausgeübt wird.

Nachdem der vergossene Leadframe 11 von dem Hilfsträger 2 und der Elastomer Schicht 3 abgelöst ist, kann dieser in nachfol genden Schritten weiter- bzw. nachbearbeitet werden. Im vor- liegenden Fall, dargestellt in Figur 2F, wird der vergossen Leadframe 11 mit den darauf angeordneten Halbleiterbauteilen 5 vereinzelt, sodass sich mehrere Halbleitervorrichtungen 1 mit je einem Halbleiterbauteil 5 ergeben. Der Schritt des Verein zeins kann beispielsweise mittels Laserschneiden, Sägen, oder nasschemischem Ätzen erfolgen.

Aufgrund des in Fig. 2C dargestellten vorangegangenen Schrit tes des Trennens des Leadframes 11 in zumindest zwei Segmente ist es möglich den vergossenen Leadframe 11 derart zu verein zeln, dass das Material des Leadframes dabei nicht erneut durchtrennt werden muss. Vielmehr werden bei dem Schritt des Vereinzeins nur die beiden Vergussmaterialien, aber kein wei teres Material durchtrennt. Dadurch kann insbesondere der Trennvorgang erleichtert werden. Im Ergebnis ergeben sich durch den Vereinzelungsprozess mehrere Halbleitervorrichtungen 1, deren seitliche Außenflächen 9 nur durch die beiden Ver gussmaterialien 6, 7 gebildet sind.

Als seitliche Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1 können insbesondere die Flächen der Halbleitervorrichtungen 1 verstanden werden, die die Halbleitervorrichtungen 1 jeweils in Umfangsrichtung begrenzen.

Fig. 3A und 3B zeigen eine Draufsicht sowie eine Schnittan sicht mehrerer durch das erfindungsgemäße Verfahren herge- stellter Halbleitervorrichtungen 1. Exemplarisch sind in Fig. 3A vier nebeneinander angeordnete Halbleitervorrichtungen 1 dargestellt. Dies soll jedoch nicht einschränkend verstanden werden, sondern mittels des Verfahrens können ebenfalls mehr oder auch weniger als vier nebeneinander angeordnete Halb- leitervorrichtungen 1 hergestellt werden.

Entsprechend Fig. 3A umfasst jede Halbleitervorrichtung 1 ei nen Leadframe 11, insbesondere ein Leadframe Segment, welches einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt 11.1, 11.2 aufweist. In den Randbereichen der ersten und zweiten elektri schen Kontakte 11.1, 11.2 sind jeweils Überresten von Stütz- streben 11.3 ausgebildet, die in Richtung der Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1 weisen. Die Stützstreben 11.3 können, wie in der Figur dargestellt, an deren Außenkante je weils einen Grat 14 aufweisen, der beispielsweise durch ein Trennen einer Leadframe Platte in mehrere Leadframe Segmente entstehen kann.

Auf der Oberseite jedes ersten elektrischen Kontakts 11.1 ist ein Halbleiterbauteil 5 angeordnet, und über einen Draht mit dem zweiten elektrischen Kontakt 11.2 elektrisch verbunden. Jedes Leadframe Segment bzw. je ein erster und ein zweiter elektrischer Kontakt 11.1, 11.2 ist von einem Vergussmaterial

7 umgeben und bildet zumindest zum Teil die Außenflächen 9 der Halbleitervorrichtungen 1.

In Fig. 3A ist ferner zu erkennen, dass der in Fig. 2F be schriebene Vereinzelungsprozess mehrere Halbleitervorrichtun gen 1 eine geringere Breite beim Vereinzeln der Halbleitervor richtungen 1 aufweist als der in Fig. 2C dargestellte Schritt des Trennens des Leadframes 11 in Segmente. Beim Trennen des Leadframes 11 in Segmente wird mit anderen Worten im Sinne der Breite der Trennlinie mehr Material des Leadframes entfernt als Material der Vergussmaterialien beim Vereinzeln der Halb leitervorrichtungen 1 entfernt wird. Dadurch ergibt sich wie- derum, dass beim Vereinzeln der Halbleitervorrichtungen 1 nur die beiden Vergussmaterialien 6, 7 durchtrennt werden, da die

Stützstreben 11.3 bereits in einem vorangegangenen Schritt in dem entsprechenden Bereich durchtrennt wurden. Fig. 3B zeigt eine Schnittansicht durch die in Fig. 3A. darge stellten Halbleitervorrichtungen 1 entlang der Schnittlinie A- A'. Die Figur entspricht den in Fig. 2F dargestellten Halb leitervorrichtungen 1, die als Produkt aus dem in den Figuren 2A bis 2F beschrieben Verfahrens resultieren. Fig. 4A bis 4J zeigen jeweils eine Draufsicht sowie eine Schnittansicht verschiedener Ausführungsbeispiele eines Halb leiterträgersystems 10. Jedes der Halbleiterträgersysteme 10 umfasst einen Hilfsträger 2, eine auf dem Hilfsträger 2 aufge- brachte Elastomer Schicht 3 und zumindest ein auf die Elasto mer Schicht 3 aufgebrachtes Werkstück 4. Das Werkstück 4 kann beispielsweise einen Leadframe umfassen und entsprechend einem der vorangegangenen Ausführungsbeispiele ausgebildet bzw. be arbeitet worden sein.

Fig. 4A zeigt eine Elastomer Schicht 3, die in der Draufsicht gesehen im Wesentlichen die gleiche Grundfläche aufweist wie der Hilfsträger 2. Jedoch überragt die Elastomer Schicht 3 das Werkstück 4 entlang einer Seitenkante des Werkstücks 4. Dadurch ist ein Randbereich der Elastomer Schicht 3 nicht von dem Werkstück 4 bedeckt, sodass in diesem Bereich die durch den Pfeil dargestellte Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 aufgebracht werden kann.

Zur besseren Zugänglichkeit des in Fig. 4A dargestellten Rand bereichs der Elastomer Schicht 3 kann, wie in Fig. 4B darge stellt, auch die Grundfläche des Hilfsträgers 2 kleiner als die Grundfläche der Elastomer Schicht 3 sein, sodass der Rand- bereich der Elastomer Schicht 3 sowohl auf dessen Oberseite als auch auf dessen Unterseite nicht von dem Hilfsträger 2 und dem Werkstück 4 bedeckt ist. Dadurch kann beispielsweise die Zugkraft Z in vereinfachter Weise auf die Elastomer Schicht 3 aufgebracht werden.

Die Elastomer Schicht 3 des in Fig. 4C dargestellte Halblei terträgersystem 10 ragt im Vergleich zu dem in Fig. 4B darge stellten Halbleiterträgersystems 10 nicht nur entlang einer Seitenkante des Werkstücks 4 über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinaus, sondern entlang zweier, gegenüberliegen der Seitenkanten des Werkstücks 4. In diesen beiden überste- henden Bereichen ist die Elastomer Schicht 3 sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite nicht von dem Hilfsträ ger 2 und dem Werkstück 4 bedeckt. Zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 wird auf diese beiden Bereiche jeweils die durch den Pfeil dargestellte Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht ausgeübt. Die beiden, durch die Pfeile dargestellten, Zugkräfte wirken in entgegengesetzte Richtung sodass sich de ren Kraftvektoren im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Dadurch wird erreicht, dass keine weitere Kraft zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 auf den Hilfsträger und/oder das Werkstück ausgeübt werden muss.

Fig. 4D zeigt eine Elastomer Schicht 3, die entlang ihres ge samten Umfangs, also im Vergleich zu der in Fig. 4C darge stellten Elastomer Schicht 3 entlang aller vier Seitenkanten der Grundfläche der Elastomer Schicht 3, über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinausragt. An den jeweils gegenüberlie genden Seitenkanten werden zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 jeweils die durch den Pfeil dargestellte entgegengesetzt zueinander wirkende Zugkräfte Z auf die Elastomer Schicht angesetzt. Die an den jeweils gegenüberlie genden Seitenkanten, durch die Pfeile dargestellten, Zugkräfte wirken in entgegengesetzte Richtung, sodass sich deren Kraft vektoren im Wesentlichen gegenseitig aufheben. Dadurch wird erreicht, dass keine weitere Kraft zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 auf den Hilfsträger und/oder das Werk stück ausgeübt werden muss.

Die Elastomer Schicht 3 in Fig. 4E weist im Vergleich zu der Elastomer Schicht in Fig. 4D in dem über den Hilfsträger 2 und das Werkstück 4 hinausragenden Bereich eine größere Dicke auf als in einem Bereich zwischen dem Hilfsträger 2 und dem Werk stück 4. Der dickere Bereich bildet sozusagen einen Rand, an dem die Zugkräfte Z verbessert auf die Elastomer Schicht 3 aufgebracht werden können. Fig. 4F zeigt im Vergleich zu dem in Fig. 4D dargestellten Halbleiterträgersystem 10 mehrere Werkstücke 4, die auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet sind. Im vorliegenden Beispiel sind drei Werkstücke 4 _a , 4 _b und 4 _C nebeneinander und beab- standet zueinander auf der Elastomer Schicht 3 angeordnet. Das Anordnen von mehreren kleineren Werkstücken im Vergleich zu einem größeren Werkstück kann insbesondere von Vorteil sein, wenn für Vorgänger- oder Nachfolgeprozesse kleinere Werkstücke beispielsweise zur besseren Handhabung erforderlich sind.

Die Elastomer Schicht 3 kann, wie in Fig. 4G und 4J darge stellt, mehrere Segmente bzw. Streifen 3 _{a bis n} umfassen, die nebeneinander angeordnet sind. Der Indizes „a bis n" gibt da bei die Anzahl der Streifen an, die nebeneinander angeordnet sind. Im vorliegenden Beispiel sind exemplarisch sechs neben einander angeordnete Streifen dargestellt, jedoch kann die An zahl der Streifen frei gewählt sein und größer oder kleiner als sechs betragen. Die Streifen ragen entlang ihren gegen überliegenden kurzen Seitenkanten über das Werkstück 4 und den Hilfsträger 2 hinaus und an den jeweils gegenüberliegenden

Seitenkanten werden zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 jeweils die durch den Pfeil dargestellte entge gengesetzt zueinander wirkende Zugkräfte Z auf die Segmente der Elastomer Schicht aufgebracht.

Der Spalt zwischen den einzelnen Streifen der Elastomer Schicht kann entsprechend Fig. 4G breiter oder wie in Fig. 4J dargestellt möglichst schmal ausgeführt sein. In einigen Aus führungsformen kann es beispielsweise bevorzugt sein, dass der Spalt zwischen den einzelnen Streifen der Elastomer Schicht nur wenige pm breit ist. Dadurch kann beispielsweise eine mög lichst ebene Fläche der Elastomer Schicht 3 bereitgestellt werden und die Streifen trotzdem einzeln mit einer Zugkraft Z beaufschlagt werden um das Rissrisiko der Elastomer Schicht zu reduzieren. Die Fig. 4H und 41 zeigen ein Trägersystem, das mehrere Werk stücke 4, im dargestellten Fall vier Werkstücke 4, umfasst, die auf der Elastomer Schicht 3 in Form einer m x n Matrix bzw. im dargestellten Fall in Form einer 2x 2 Matrix angeord- net sind. Ferner umfasst die Elastomer Schicht 3 mehrere Seg mente die ebenfalls in Form einer m x n Matrix auf dem Hilfs träger angeordnet sind. Jeweils drei Segmente der Elastomer Schicht sind exemplarisch zwischen dem Hilfsträger 2 und jedem Werkstück 4 nebeneinander derart angeordnet, dass pro Segment ein Randbereich des Segmentes über das zugehörige Werkstück hinausragt.

Die Segmente der Elastomer Schicht 3 der Fig. 4H ragen ferner auch über den Hilfsträger 2 hinaus und die Zugkraft Z zum Trennen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 wird in den je weiligen überstehenden Bereichen auf die Segmente der Elasto mer Schicht 3 ausgeübt. Die Zugkräfte können insbesondere der art an den Segmenten der Elastomer Schicht 3 angesetzt sein, dass sich die Kraftvektoren aller Zugkräfte Z in Summe im We- sentlichen gegenseitig aufheben.

Um zu verhindern, dass die Elastomer Schicht über den Hilfs träger 2 hinausragt und gleichzeitig eine gute Zugänglichkeit der Elastomer Schicht zum Aufbringen der Zugkraft auf die Elastomer Schicht zu ermöglichen, sind in dem Hilfsträger des in Fig. 41 dargestellten Halbleiterträgersystems 10 Öffnungen 15 ausgebildet in die die Segmente der Elastomer Schicht 3 hineinragen. Durch die Öffnungen 15 ist es beispielsweise mög lich, die Segmente der Elastomer Schicht mit einem Werkzeug zu greifen und die Zugkraft Z auf die Elastomer Schicht zum Tren nen des Werkstücks 4 von dem Hilfsträger 2 aufzubringen.

Fig. 5A, 5B und 5C zeigen ein Halbleiterträgersystem 10 bei dem zumindest das Werkstück 4 in Form einer Scheibe bzw. in Form eines Wafers ausgebildet ist. Die Elastomer Schicht 3 in Fig. 5A ist ebenfalls in Form einer Scheibe ausgebildet, die konzentrisch zu dem Werkstück ange ordnet ist und entlang ihres gesamten Umfangs über das Werk stück 4 und den Hilfsträger 2 hinausragt.

Die Elastomer Schicht 3 in Fig. 5B hingegen ist in Form von Kuchensegmenten ausgebildet, die beabstandet zueinander auf dem Hilfsträger angeordnet sind. Im vorliegenden Fall sind exemplarisch vier Kuchensegmente dargestellt, die punktsymmet- risch zum Zentrum des Werkstücks 4 um das Zentrum des Werk stücks 4 auf dem Hilfsträger angeordnet sind. Die Anzahl der Kuchensegmente kann jedoch auch abweichen und größer oder kleiner als vier betragen. Fig. 5C zeigt ein Halbleiterträgersystem 10 umfassend einen rechteckigen Hilfsträger 2 auf dem zwei scheiben- bzw. wafer förmige Werkstücke 4 _a , 4 _b nebeneinander angeordnet sind. Zwi schen den Werkstücken und dem Hilfsträger 2 ist die Elastomer Schicht 3 angeordnet, die in Form von Kuchensegmenten 3 _{a b} is h ausgebildet ist. Je vier Segmente sind dabei punktsymmetrisch zum Zentrum der beiden Werkstücke 4 um das Zentrum des ent sprechenden Werkstücks 4 auf dem Hilfsträger angeordnet.

Fig. 6A bis 6F zeigen die Schritte eines weiteren Ausführungs- beispiels eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiter vorrichtung nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Das Verfahren entspricht dabei weiterstgehend dem in den Fig. 2A bis 2F be schriebenen Verfahren. Ein Unterschied besteht jedoch darin, dass das Werkstück 4 einen Leadframe 11 umfasst der in einem in Fig. 6A gezeigtem Schritt auf eine Trägerfolie 16 laminiert wird. Durch die Verwendung der Trägerfolie 16 kann beispiels weise die Haftung des Leadframes 11 auf der Elastomer Schicht 3 verbessert sein, sodass die Gefahr reduziert ist, dass bei dem in Fig. 6C gezeigten Schritt des Trennens des Leadframes in Segmente die Segmente des Leadframes verschoben werden. Die weiteren Bearbeitungsschritte des in Fig. 2E gezeigten Halb- leiterträgersystems 10 entsprechen im Wesentlichen denen die bereits in den Fig. 2C bis 2E beschrieben wurden.

Von dem in Fig. 6E dargestellten Halbleiterträgersystem 10 wird in einem Trennschritt der Leadframe 11 inklusive der Trä gerfolie 16 und den darauf angeordneten und vergossenen Halb leiterbauteilen 5 von dem Hilfsträger 2 abgelöst. Das entspre chende Zwischenprodukt ist in Fig. 6F dargestellt und kann in einem weiteren Schritt in einzelne Halbleitervorrichtungen 1 vereinzelt werden. Die Trägerfolie 16 kann sowohl auf dem fi nalen Produkt verbleiben kann jedoch auch von den Halbleiter vorrichtungen abgelöst werden.

BEZUGSZEICHENLISTE

1 Halbleitervorrichtung

2 Hilfsträger 3 Elastomer Schicht

4 Werkstück

4.1 bearbeitetes Werkstück

5 Halbleiterbauteil

6 Vergussmaterial 7 weiteres Vergussmaterial

8 Draht

9 Außenfläche

10 Halbleiterträger _S ystem 11 Leadframe 11 . 1 erster elektrischer Kontakt

11.2 zweiter elektrischer Kontakt 11 . 3 Stützstrebe 12 Beschichtung 13 Sägeblatt 14 Grat

15 Öffnung

16 Trägerfolie Z Zugkraft