以下、本発明を詳細に説明する。
 本発明のシリカ質粉末は、ピリジンのフロ� ��ントリッヒ吸着定数Kが1.3~5.0であるシリカ� �粉末である。塩基性物質であるピリジンは� �シリカ質粉末表面の酸点に吸着するため、� �の物質の吸着定数Kの値が大きいほどシリカ� ��粉末表面の酸点の数が多いことを意味する� ��シリカ質粉末の酸点が多いと、アミノシラ� ��、フェニルアミノシランなどの塩基性シラ� ��カップリング剤との結合点が多くなる。こ� ��ため半導体封止材中のエポキシ樹脂、フェ� ��ール樹脂などの樹脂成分とシリカ質粉末表� ��との密着性がより強固になり、曲げ強度が� ��上するとともに、樹脂成分とシリカ質粉末� ��の界面に水分が入り込みにくくなるため、� ��ハンダクラック性も飛躍的に向上する。

 ピリジンのフロイントリッヒ吸着定数Kが 1.3未満であると、シランカップリング剤とシ リカ質粉末との結合点が少なくなるため、半 導体封止材の曲げ強度や耐ハンダクラック性 を顕著に改善することができない。一方、ピ リジンのフロイントリッヒ吸着定数Kが5.0を� �えると、シリカ質粉末表面の酸点の数が多� �なりすぎ、エポキシ樹脂を硬化させてしま� �。このため半導体封止材を用いて半導体を� �ッケージングする際の封止材の粘度が上昇� �るため、成形性が損なわれてしまうという� �具合が生じてしまう。好ましいピリジンの� �ロイントリッヒ吸着定数Kの値は1.5~4.5、特に 好ましくは2.0~4.3である。これらの値は、従� �のシリカ質粉末のフロイントリッヒ吸着定� �Kの値0.07~0.8と比較すると特異的である。

 ピリジンのフロイントリッヒ吸着定数Kは以 下のような手順で測定することができる。
(1)ピリジン標準溶液の調製:分光分析用ピリ� �ン0.1molを500mlメスフラスコに取り、分光分析 用n-ヘプタンで定容する。次に、前記ピリジ� ��溶液を200mlメスフラスコにそれぞれ、0.25ml� �0.50ml、1.00ml取り、n-ヘプタンで定容し、0.25mm ol/l、0.50mmol/l、1.00mmol/lのピリジン標準溶液を 調製する。
(2)シリカ質粉末への吸着:あらかじめ200℃で2� ��間加熱して乾燥させ、デシケーター中で放� ��しておいたシリカ質粉末各4.00gを、25mlメス� ��ラスコ3本に精秤する。この各メスフラスコ に0.25mmol/l、0.50mmol/l、1.00mmol/lのピリジン標準 溶液20mlを入れ、3分間振り混ぜる。このメス� ��ラスコを25℃に設定した恒温槽に2時間入れ� ��ピリジンをシリカ質粉末に吸着させる。
(3)ピリジン吸着量の測定:ピリジン標準溶液� �シリカ質粉末とを混合した前記メスフラス� �から、それぞれ上澄み液を取り、紫外可視� �光光度計の測定セルに入れ、吸着されずに� �った残留ピリジン濃度を吸光度により定量� �る。
(4)ピリジンのフロイントリッヒ吸着定数Kの� �出: logA=logK+(1/n)logCのフロイントリッヒ吸着� ��によりピリジンのフロイントリッヒ吸着定� ��Kを算出する。すなわち、logAをY軸に、(1/n)lo gCをX軸にしたグラフを描くと、Y軸切片からlo gKが求まり、Kが算出できる。ここで、Aはシ� �カ質粉末1gに吸着したピリジン量(μmol/g)、C� �上澄み液中の残留ピリジン濃度(μmol/ml)、K、 nは定数である。

 なお、測定に使用する紫外可視分光光度� ��を例示すれば、島津製作所社製商品名「紫� ��可視分光光度計 モデルUV-1800」である。ピ� ��ジン標準溶液を調製するのに用いる試薬を� ��示すれば、和光純薬工業社製のピリジン(分 光分析用グレード)、及びn-ヘプタン(分光分� �用グレード)である。また、吸光度の測定波� ��は251nmとし、n-ヘプタンのみを測定しバック グランド補正をした。検量線の作成には、0.0 0mmmol/l、0.25mmol/l、0.50mmol/l、1.00mmol/lのピリジ� ��標準溶液を用いた。

 また、本発明のシリカ質粉末の特徴は、SiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、及びB ₂ O ₃ の含有率(酸化物換算)の合計が99.5質量%以上� �あり、Al ₂ O ₃ 及びB ₂ O ₃ の含有率の合計が0.1~20質量%であることであ� �。SiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、及びB ₂ O ₃ の含有率の合計が99.5質量%未満、すなわち、S iO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、及びB ₂ O ₃ 以外の含有率が0.5質量%を超えると、半導体� �止材とした際に、必要でない不純物となる� �質が増えてしまうため、好ましくない。例� �ばNa ₂ O、Fe ₂ O ₃ などは、一部がイオンとなり溶出し、半導体 チップや配線にダメージを与えてしまう。MgO 、K ₂ O、CaOなどは、シリカ質粉末の熱膨張率を大� �くして、耐ハンダクラック性に悪影響を与� �てしまう。
 SiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、及びB ₂ O ₃ の含有率の合計は、好ましくは99.6質量%以上� ��さらに好ましくは99.7質量%以上である。
 また、シリカ質粉末のAl ₂ O ₃ 及びB ₂ O ₃ の含有率の合計は0.1~20質量%であることが好� �しい。シリカ質粉末中にAl、Bが存在すると� �Al、Bの位置が強い酸点になる。この酸点に� �り、塩基性シランカップリング剤とシリカ� �粉末表面との結合点が増加するため、曲げ� �度、耐ハンダクラック性が改善される。Al ₂ O ₃ 及びB ₂ O ₃ の含有率の合計が0.1質量%未満であると、酸� �の増加が十分でなく、逆に20質量%を超える� �、シリカ質粉末の熱膨張率が大きくなりす� �、耐ハンダクラック性に悪影響を与えてし� �う。より好ましいAl ₂ O ₃ 及びB ₂ O ₃ の含有率の合計は0.2~18質量%、さらに好まし� �は0.3~15質量%である。

 本発明のシリカ質粉末のSiO ₂ 含有率(酸化物換算)は質量減少法、Al ₂ O ₃ 含有率(酸化物換算)は原子吸光分析法、B ₂ O ₃ 含有率(酸化物換算)は、ICP発光分析法を用い� ��、下記のような手順で測定することができ� ��。
(1)SiO ₂ 含有率の測定:シリカ質粉末2.5gを白金皿に精� ��し、試薬特級フッ化水素酸、試薬特級硫酸� ��純水をそれぞれ20ml、1ml、1ml加える。その白 金皿を300℃に加熱されたサンドバス上に15分� ��静置して粉末を溶解、乾固させる。次に、1 000°に加熱されたマッフル炉に白金皿を入れ1 0分間加熱して、フッ化ケイ酸を蒸発させる� �デシケーター内で室温まで放冷後、白金皿� �質量を精秤し、質量減少率からシリカ質粉� �のSiO ₂ の含有率を算出する。

(2)Al ₂ O ₃ 含有率の測定:シリカ質粉末1gを白金皿に精秤 し、試薬特級フッ化水素酸、試薬特級過塩素 酸をそれぞれ20ml、1ml加える。その白金皿を30 0℃に加熱されたサンドバス上に15分間静置し てから室温まで冷却し、25mlメスフラスコに� �しかえ純水で定容する。この溶液中のAl量を 原子吸光光度計を用い検量線法により定量す る。そのAl量をAl ₂ O ₃ に換算しシリカ質粉末中の含有率を算出する 。原子吸光光度計を例示すれば、日本ジャー レルアッシュ社製商品名「原子吸光光度計 � ��デルAA-969」である。検量線を作成するのに� ��いる標準液を例示すれば、関東化学社製原� ��吸光用Al標準液(濃度1000ppm)である。なお、� �定の際のフレームにはアセチレン-亜酸化窒� ��フレームを用い、波長309.3nmにおける吸光度 を測定して定量した。

(3)B ₂ O ₃ 含有率の測定:シリカ質粉末1gを白金皿に精秤 し、試薬特級フッ化水素酸、試薬特級硝酸、 試薬特級マンニトールの1%水溶液をそれぞれ2 0ml、1ml、1ml加え、300℃に加熱されたサンドバ ス上に15分間静置して粉末を溶解、乾固させ� ��。次に、白金皿の乾固物に、試薬特級硝酸� ��純水をそれぞれ1mlずつ加え、再溶解した後� ��25mlメスフラスコに移しかえ純水で定容する 。この溶液中のB量をICP発光分光分析装置を� �い検量線法により定量する。そのB量をB ₂ O ₃ に換算しシリカ質粉末中の含有率を算出する 。ICP発光分光分析装置を例示すれば、セイコ ーインスツルメント社製商品名「モデルSPS-17 00R」であり、249.8nmの波長の発光強度を測定� �る。検量線を作成するのに用いる標準液を� �示すれば、関東化学社製原子吸光用B標準液( 濃度1000ppm)である。

 本発明の樹脂組成物における曲げ強度、及� ��耐ハンダクラック性の向上効果は、シリカ� ��粉末の比表面積が0.5~5m ² /gの範囲、平均粒子径が1~60μmの範囲にあると きにさらに助長される。比表面積が0.5m ² /g未満であると、シランカップリング剤とシ� ��カ質粉末表面との結合面積が小さすぎ、曲� ��強度、耐ハンダクラック性が改善されにく� ��。一方、比表面積が5m ² /gを超えると、シリカ質粉末が小さい粒子を� ��量に含むか、粒子表面の一部又は全部に凹� ��があることを意味し、半導体封止材を用い� ��半導体をパッケージングする際の封止材の� ��度が上昇するため、成形性が損なわれてし� ��う。好ましい比表面積の範囲は、0.6~4.8m ² /g、さらに好ましくは0.7~4.7m ² /gである。

 また、シリカ質粉末の平均粒子径が1μm未 満でも、同様に、半導体封止材を用いて半導 体をパッケージングする際の封止材の粘度が 上昇するため、成形性が損なわれてしまうた め好ましくない。逆に、平均粒子径が60μmを� ��える場合、半導体パッケージの肉厚が非常� ��薄くなっているため、半導体チップに傷を� ��けてしまう問題や、凹凸のない均質なパッ� ��ージが得られないという問題が発生してし� ��う。好ましい平均粒子径の範囲は、2~55μmで あり、さらに好ましい範囲は、3~50μmの範囲� �ある。また、最大粒子径は、196μm以下であ� �ことが好ましく、さらに好ましくは128μm以� �である。

 本発明のシリカ質粉末の平均粒子径は、� ��ーザー回折散乱法による粒度測定に基づい� ��測定する。使用される測定機としては、例� ��ば、シーラス社製商品名「シーラスグラニ� ��ロメーター モデル920」を用い、水にシリ� �質粉末を分散させ、さらに超音波ホモジナ� �ザーで200Wの出力で1分間分散処理してから測 定する。なお、粒度分布測定は、粒子径チャ ンネルが0.3、1、1.5、2、3、4、6、8、12、16、24 、32、48、64、96、128、196μmにて行なう。測定� ��た粒度分布において、累積質量が50%となる� ��子径が平均粒子径、累積質量が100%となる粒 子径が最大粒子径である。

 本発明のシリカ質粉末の比表面積は、BET� ��による比表面積測定に基づいて測定する。� ��表面積測定機を例示すれば、マウンテック� ��製商品名「マックソーブ モデルHM-1208」で� ��る。

 本発明のシリカ質粉末は、他の無機質粉� ��に混合しても、その効果を発現させること� ��できる。無機質粉末中の本発明のシリカ質� ��末の含有率は、0.5質量%以上であることが好 ましく、さらには2質量%以上であることが好� ��しい。無機質粉末の種類としては、シリカ� ��粉末及び/又はアルミナ質粉末であることが 好ましい。これらの粉末は単独で用いてもよ く、また二種類混合してもよい。半導体封止 材の熱膨張率を低くする場合や、金型の摩耗 性を低減する場合にはシリカ質粉末が、熱伝 導性を付与する場合にはアルミナ質粉末が選 択される。なおシリカ質粉末は、後記の方法 で測定された非晶質率の値で95%以上であるこ とが好ましい。

 本発明のシリカ質粉末は、下記方法で測� ��された非晶質率が好ましくは95%以上、特に� ��98%以上であることが好ましい。非晶質率は� ��粉末X線回折装置(例えばRIGAKU社製商品名「� �デルMini Flex」)を用い、CuKα線の2θが26°~27.5� �の範囲においてX線回折分析を行い、特定回� ��ピークの強度比から測定する。シリカ粉末� ��場合、結晶質シリカは、26.7°に主ピークが� ��在するが、非晶質シリカではピークは存在� ��ない。非晶質シリカと結晶質シリカが混在� ��ていると、結晶質シリカの割合に応じた26.7 °のピーク高さが得られるので、結晶質シリ� ��標準試料のX線強度に対する試料のX線強度� �比から、結晶質シリカ混在比(試料のX線回折 強度/結晶質シリカのX線回折強度)を算出し、 式、非晶質率(%)=(1-結晶質シリカ混在比)×100� �ら非晶質率を求める。

 本発明のシリカ質粉末、無機質粉末、及び� ��ルミナ質粉末の平均球形度は好ましくは0.80 以上、特には0.85以上であることが好ましい� �これによって、樹脂組成物の粘度が低下し� �成形性も向上させることができる。平均球� �度は、実体顕微鏡(例えばニコン社製商品名� ��モデルSMZ-10型」)等にて撮影した粒子像を画 像解析装置(例えばマウンテック社製商品名� �MacView」)に取り込み、写真から粒子の投影面 積(A)と周囲長(PM)から測定する。周囲長(PM)に� ��応する真円の面積を(B)とすると、その粒子� ��球形度はA/Bとなるので、試料の周囲長(PM)と 同一の周囲長を持つ真円を想定すると、PM=2π r、B=πr ² であるから、B=π×(PM/2π) ² となり、個々の粒子の球形度は、球形度=A/B=A ×4π/(PM) ² となる。このようにして得られた任意の粒子 200個の球形度を求め、その平均値を平均球形 度とした。

 次に、本発明のシリカ質粉末の製造方法つ� ��て説明する。
 本発明の製造方法は、少なくとも2本のバー ナーを、炉体の中心軸に対して2~10°の角度を つけて炉体に配置し、1本のバーナーからは� �料シリカ質粉末を、少なくとも1本のバーナ� ��からはAl源物質及び/又はB源物質を火炎に噴 射することを特徴とするシリカ質粉末の製造 方法である。原料シリカ質粉末とAl源物質及� ��/又はB源物質とを同一の1本のバーナーから� ��炎に噴射すると、噴射された原料は必ず円� ��状に広がるため、原料シリカ質粉末の表面� ��Al源物質及び/又はB源物質が融着する割合が 少なくなり、Al ₂ O ₃ 及びB ₂ O ₃ の含有率の合計が0.1~20質量%である本発明の� �リカ質粉末を製造することができない。ま� �、原料シリカ質粉末とAl源物質及び/又はB源� ��質とを事前に混合しておいても、噴射時に� ��錐状に広がる際に、分散・分離されるため� ��組成が不均質になってしまう。
 少なくとも2本のバーナーを、炉体の中心軸 に対して2~10°の角度をつけて、焦点を結ぶよ うに炉体に配置し、1本のバーナーからは原� �シリカ質粉末を、少なくとも1本のバーナー� ��らはAl源物質及び/又はB源物質を火炎に噴射 することで、本発明のシリカ質粉末を極めて 効率よく製造することができる。Al源物質及� ��/又はB源物質を噴射するバーナーを複数本� �することで、本発明のシリカ質粉末の組成� �均質性をより一段と高めることができる。� �ましいバーナーの本数は、原料シリカ質粉� �の噴射バーナー1本に対し、Al源物質及び/又� ��B源物質の噴射バーナーが2本の割合である� �また、バーナーの配置角度は、炉体の中心� �に対して2~10°とする必要がある。バーナー� �配置角度が2°未満であると、焦点を結ぶ位� �が火炎の外になってしまい、原料シリカ質� �末の表面にAl源物質及び/又はB源物質が融着� ��る割合が少なくなる。一方、バーナー配置� ��度が10°を超えても、原料シリカ質粉末の表 面にAl源物質及び/又はB源物質が融着する前� �焦点を結んでしまうので好ましくない。よ� �好ましいバーナーの配置角度は、3~8°の範囲 内である。

 本発明においては、Al源物質が酸化アル� �ニウム粉末であることが好ましい。Al源物質 としては、酸化アルミニウム、水酸化アルミ ニウム、硫酸アルミニウム、塩化アルミニウ ム、アルミニウム有機化合物などが挙げられ るが、酸化アルミニウムが原料シリカ質粉末 の融点と近いため、バーナーから噴射した際 に原料シリカ質粉末の表面に融着しやすく、 不純物含有率も少ないため最も好ましい。ま た、酸化アルミニウム粉末の平均粒子径は0.0 1~10μmであることが好ましい。平均粒子径が0. 01μm未満であると、粉末が凝集しやすく、シ� ��カ質粉末と融着した際の組成が不均質にな� ��傾向にあり、同様に10μmを超えてもシリカ� �粉末と融着した際の組成が不均質になる。� �ましい平均粒子径の範囲は、0.03~8μm、さら� �好ましくは0.05~5μmである。

 本発明においては、原料シリカ質粉末のAl ₂ O ₃ 含有率が1質量%以下であることが好ましい。� ��リカ質粉末中のAl、Bのうち、粉末の表面に� ��置するものだけが強い酸点を形成し、塩基� ��シランカップリング剤と結合することがで� ��る。したがって、元来原料シリカ質粉末内� ��に存在するAl ₂ O ₃ は、シリカ質粉末の熱膨張率を上昇させる等 の悪影響を及ぼしてしまう。原料シリカ質粉 末のAl ₂ O ₃ 含有率は、好ましくは0.8質量%以下、さらに� �ましくは0.5質量%以下である。
 原料シリカ質粉末には、前述したAl ₂ O ₃ 以外にもFe ₂ O ₃ 、Na ₂ O、MgO、CaO、B ₂ O ₃ などが含有されていてもよいが、原料シリカ 質粉末のSiO ₂ 含有率は、97質量%以上、さらには、98質量%以 上であることが好ましい。

 原料シリカ質粉末とAl源物質及び/又はB源 物質を火炎に噴射し、融着させ、捕集する装 置としては、例えばバーナーを備えた炉体に 捕集装置が接続されたものが使用される。炉 体は、開放型又は密閉型、あるいは縦型、横 型のいずれであっても良い。捕集装置には、 重力沈降室、サイクロン、バッグフィルター 、電気集塵機等の一つ以上が設けられ、その 捕集条件を調整することによって、製造した シリカ質粉末を捕集することができる。その 一例を示せば、特開平11-57451号公報、特開平1 1-71107号公報などである。

 なお、本発明において、シリカ質粉末のピ� ��ジンのフロイントリッヒ吸着定数Kは、原料 シリカ質粉末の表面に融着させるAl源物質及� ��/又はB源物質のサイズ、シリカ質粉末中のAl ₂ O ₃ 含有量及びB ₂ O ₃ 含有量、シリカ質粉末の比表面積及び平均粒 子径などによって増減が可能である。シリカ 質粉末中のAl ₂ O ₃ 含有率及びB ₂ O ₃ 含有率は、原料シリカ質粉末とAl源物質及び/ 又はB源物質のバーナーへの噴射量の比を調� �することによってそれぞれ増減可能である� �シリカ質粉末の比表面積、平均粒子径など� �、原料シリカ質粉末の粒度構成や火炎温度� �どによって調整可能である。また、平均球� �度、非晶質率は原料シリカ質粉末の火炎へ� �供給量や火炎温度などによって調整可能で� �る。さらには、比表面積、平均粒子径、Al ₂ O ₃ 含有率、B ₂ O ₃ 含有率などが異なるシリカ質粉末を種々製造 しておき、それらの2種以上を適宜混合する� �とによって、フロイントリッヒ吸着定数K、A l ₂ O ₃ 含有量、B ₂ O ₃ 含有量、比表面積、平均粒子径などが更に特 定されたシリカ質粉末を製造することもでき る。

 本発明の樹脂組成物は、本発明のシリカ� ��粉末又は無機質粉末を含有する樹脂組成物� ��ある。樹脂組成物中のシリカ質粉末又は無� ��質粉末の含有率は10~95質量%であり、さらに� ��ましくは30~90質量%である。

 樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコー� ��樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユ� ��ア樹脂、不飽和ポリエステル、フッ素樹脂� ��ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエー� ��ルイミド等のポリアミド、ポリブチレンテ� ��フタレート、ポリエチレンテレフタレート� ��のポリエステル、ポリフェニレンスルフィ� ��、芳香族ポリエステル、ポリスルホン、液� ��ポリマー、ポリエーテルスルホン、ポリカ� ��ボネイト、マレイミド変成樹脂、ABS樹脂、A AS(アクリロニトリル・アクリルゴム・スチレ ン)樹脂、AES(アクリロニトリル・エチレン・� ��ロピレン・ジエンゴム・スチレン)樹脂等を 使用することができる。なかでも、エポキシ 樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が 好ましい。

 これらの中、半導体封止材としては、1分 子中にエポキシ基を2個以上有するエポキシ� �脂が好ましい。例示すれば、フェノールノ� �ラック型エポキシ樹脂;オルソクレゾールノ� ��ラック型エポキシ樹脂;フェノール類とアル デヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化した もの;ビスフェノールA、ビスフェノールF及び ビスフェノールSなどのグリシジルエーテル;� ��タル酸やダイマー酸などの多塩基酸とエポ� ��ロルヒドリンとの反応により得られるグリ� ��ジルエステル酸エポキシ樹脂;線状脂肪族エ ポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;複素環式エ� ��キシ樹脂;アルキル変性多官能エポキシ樹脂 ;β-ナフトールノボラック型エオキシ樹脂;1,6- ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂;2,7-� ��ヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂;ビス ヒドロキシビフェニル型エポキシ樹脂;更に� �難燃性を付与するために臭素などのハロゲ� �原子を導入したエポキシ樹脂;等である。中� ��も、耐湿性や耐ハンダリフロー性の点から� ��、オルソクレゾールノボラック型エポキシ� ��脂、ビスヒドロキシビフェニル型エポキシ� ��脂、ナフタレン骨格のエポキシ樹脂等が好� ��である。

 本発明で用いるエポキシ樹脂は、エポキシ� ��脂の硬化剤、又はエポキシ樹脂の硬化剤と� ��ポキシ樹脂の硬化促進剤を含むものである� ��エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えばフ� ��ノール、クレゾール、キシレノール、レゾ� ��シノール、クロロフェノール、t-ブチルフ� �ノール、ノニルフェノール、イソプロピル� �ェノール、及びオクチルフェノールからな� �群から選ばれた1種又は2種以上をホルムアル デヒド、パラホルムアルデヒド又はパラキシ レンとともに酸化触媒下で反応させて得られ るノボラック型樹脂;ポリパラヒドロキシス� �レン樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノール S等のビスフェノール化合物;ピロガロールや� ��ロログルシノール等の3官能フェノール類;� �水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメ� �ット酸等の酸無水物;メタフェニレンジアミ� ��、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ� ��ェニルスルホン等の芳香族アミン;等を挙げ ることができる。
 エポキシ樹脂と硬化剤との反応を促進させ� ��ために、例えばトリフェニルホスフィン、� ��ンジルジメチルアミン、2-メチルイミダゾ� �ル等の硬化促進剤を使用することができる� �

 本発明の樹脂組成物には、更に以下の成分� ��必要に応じて配合することができる。
 低応力化剤として、シリコーンゴム、ポリ� ��ルファイドゴム、アクリル系ゴム、ブタジ� ��ン系ゴム、スチレン系ブロックコポリマー� ��飽和型エラストマー等のゴム状物質;各種熱 可塑性樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂状物質 ;更にはエポキシ樹脂、フェノール樹脂の一� �又は全部をアミノシリコーン、エポキシシ� �コーン、アルコキシシリコーンなどで変性� �た樹脂;などが挙げられる。
 シランカップリング剤として、γ-グリシド� ��シプロピルトリメトキシシラン、β-(3,4-エ� �キシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシ� ��ン等のエポキシシラン;アミノプロピルトリ エトキシシラン、ウレイドプロピルトリエト キシシラン、N-フェニルアミノプロピルトリ� ��トキシシラン等のアミノシラン;フェニルト リメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ ン、オクタデシルトリメトキシシラン等の疎 水性シラン化合物;メルカプトシランなどが� �げられる。
 表面処理剤として、Zrキレート、チタネー� �カップリング剤、アルミニウム系カップリ� �グ剤などが挙げられる。
 難燃助剤として、Sb ₂ O ₃ 、Sb ₂ O ₄ 、Sb ₂ O ₅ などが挙げられる。
 難燃剤として、ハロゲン化エポキシ樹脂や� ��ン化合物などが挙げられる。
 着色剤として、カーボンブラック、酸化鉄� ��染料、顔料などが挙げられる。
 更には離型剤として、天然ワックス類、合� ��ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミ� ��類、エステル類、パラフィンなどが挙げら� ��る。

 本発明の樹脂組成物は、上記各材料の所� ��量をブレンダーやヘンシェルミキサー等に� ��りブレンドした後、加熱ロール、ニーダー� ��一軸又は二軸押し出し機等により混練した� ��のを冷却後、粉砕することによって製造す� ��ことができる。

 本発明の半導体封止材は、樹脂組成物が� ��ポキシ樹脂を含有するものであり、エポキ� ��樹脂の硬化剤とエポキシ樹脂の硬化促進剤� ��を含む組成物からなるものである。本発明� ��半導体封止材を用いて半導体を封止するに� ��、トランスファーモールド法、真空印刷モ� ��ルド法等の常套の成形手段が採用される。