Sinterpreform, Anordnung mit Sinterverbindung und Verfahren zur Herstellung einer Sinterverbindung

Die vorliegende Erfindung betri f ft eine Sinterpreform, eine Anordnung mit Sinterverbindung und ein Verfahren zur Herstellung einer Sinterverbindung .

In der Verarbeitung, Herstellung und Montage von Halbleitern und Halbleiterkomponenten, z . B . im Bereich der Halbleiterbauteile für elektronische Bauelemente und elektronische Baugruppen, werden zum Montieren und/oder Verbinden verschiedenen Verfahren eingesetzt . Ein vorteilhaftes Verfahren hinsichtlich elektrischer, thermischer und mechanischer Anbindung von Bauelementen auf Baugruppen ist das Drucksinterverfahren . Dieses hat besondere Vorteile im Anwendungsbereich der Herstellung von leistungselektronischen Modulen .

Bei einem derartigen Drucksinterverfahren werden zwei Fügepartner in einem Drucksinterprozess miteinander verbunden . Dazu wird eine Sinterpaste oder Sintermaterial in Chip- oder Pelletform zwischen zwei Fügepartnern aufgetragen oder eine Sinterpreform zwischen zwei Fügepartnern platziert . Danach folgt der Druck- und Temperaturschritt , in dem die beiden Fügepartner miteinander verpresst werden und mittels gleichzeitigen Erwärmens und Annäherung der noch schwach miteinander in Kontakt befindlichen Sinterpartikel vorwiegend durch Festkörperdi f fusion zusammenwachsen, so dass eine Kompaktierung der Sinterschicht erfolgt . Zielstellung ist hierbei zumeist einen möglichst porenarmen Festkörper zu generieren .

Bei bisherigen Drucksinterverfahren im Bereich der Halbleiterbauelemente entstehen durch das Drucksinterverfahren thermomechanische Fehlanpassungen der Sinterschicht relativ zur angrenzenden Fügepartneroberfläche . Derartige thermomechanische Fehlanpassungen passieren in Abhängigkeit der Fügetemperatur im Drucksinterprozess . Besonders im Bereich der sensi- tiven Halbleiterstrukturen können thermomechanische Fehlanpassungen von großem Nachteil sein . Je nach Verformungsbehinderung können sich derartige Fehlanpassungen zwischen Sinterschicht und Fügepartnern in Eigenspannungen oder Wölbungen, also sehr starken Verformungen, auswirken . Derartige Ef fekte können dann wiederum Brüche oder latente Zuverlässigkeitsprobleme bewirken und nach sich ziehen . Typischerweise erhöht eine große Di f ferenz zwischen den Ausdehnungskoef fi zienten der Materialien der beteiligten Werkstof fe eine erhöhte Fehlanpassungsgefahr . Die linearen Ausdehnungskoef fi zienten von Sili zium und Silber beispielsweise unterscheiden sich um ca . 17 x I CH ⁶ Kl ¹ , beides typische Materialien im beschriebenen Anwendungsbereich, Sili zium als Halbleitermaterial einer der Fügepartner und Silber ein bisher bevorzugt eingesetztes Sintermaterial zur Anbindung von Sili ziumhalbleitern auf Baugruppen .

Versuche gehen dahin, Fehlanpassungen beim Drucksinterprozess zu vermindern, indem die Fügetemperaturen möglichst niedrig gehalten werden . Auch wird versucht durch Designanpassungen im Bereich der Fügezonen eine Fehlanpassung zu vermeiden . Beispielsweise werden erhöhte Fügezonen geplant , was die Fügezonenqualität selbst j edoch wiederum vermindern kann . Eine Erhöhung der Fügezone verstärkt insbesondere problematische Einflüsse auf die konstruktiven Eigenschaften der Fügepartner bzw . des zu erzeugenden Bauteils oder der zu bestückenden Baugruppe .

Ausgehend vom zuvor beschriebenen Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde , derartige Fehlanpassungen in einem Sinterprozess bzw . in einem Bauteil mit Sinterverbindung zu vermindern .

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst . Die auf eine Anordnung mit Sinterverbindung bezogene Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 11 und die auf ein Sinterverfahren bezogene Aufgabe wird gelöst durch Merkmale des Anspruchs 13 . In den Unteransprüchen sind weitere vorteilhafte Maßnahmen aufgelistet , die beliebig miteinander kombiniert werden können, um weitere Vorteile zu erzielen .

Die erfindungsgemäße Sinterpreform zur Drucksinterverbindung von zwei Fügepartnern weist einen massiven Sinterkern auf , wobei der Kern wenigstens ein erstes Material sowie beidseitig j e eine unverdichtete Sinterschicht aufweist , und wobei das erste Material einen Längenausdehnungskoef fi zienten unter 20 - l Cü ⁶ K ^-1 aufweist .

Diese erfindungsgemäße Aus führung einer Sinterpreform hat den Vorteil Fehlanpassungen im Sinterprozess zu vermindern und gleichzeitig eine Beibehaltung der bevorzugten Fügezoneneigenschaften, insbesondere der Fügezonengröße beibehalten zu können . Dies ermöglicht daher im Gegensatz zu bisherigen Lösungsansätzen eine Beibehaltung oder sogar Vergrößerung des Prozessraums und auch eine Verbesserung der Funktionalitäten der Anbindungen innerhalb einer Baugruppe oder eines Bauteils .

Ein wesentlicher Vorteil ist , dass bei der erfindungsgemäßen Sinterpreform auf Silber als Kernmaterial verzichtet wird, da dieses einen sehr hohen Längenausdehnungskoef fi zienten aufweist . Des Weiteren ist die Sinterpreform dadurch, insbesondere durch die Materialwahl für den Kern, an die zu verbindenden Fügepartner in ihrer Formausgestaltung anpassbar . Die unverdichteten Sinterschichten dürfen aus Silber sein, beziehungsweise Silber enthalten, können aber auch aus der Materialgruppe mit Längenausdehnungskoef fi zienten unter 20 x 10~ ⁶ K~ ¹ gewählt sein . Die erfindungsgemäße Preform hat den weiteren Vorteil eine ideale thermomechanische Anpassung an die Fügepartner zu gewährleisten und stellt demnach ein Eigenspannung minimierendes Sinterhalbzeug dar .

Die angegebene Sinterpreform kann vorteilhaft auf ihre j eweilige Funktion eingestellt sein, ob sie elektrisch leitfähig sein soll , thermisch leitfähig aber elektrisch isolierend oder ob sie auf eine mechanische Befestigungs funktion abgestellt ist .

Der Sinterkern kann bei der Zielstellung einer elektrisch und thermisch möglichst leitfähigen Sinterverbindung aus thermomechanisch j eweils vorteilhaften Materialien bestehen . Eine Reduzierung des Missmatches zu Sil zium oder auch Sili ziumkarbid ( SiC ) kann hier durch monometallische Kerne aus beispielsweise Molybdän oder Wol fram oder im geringeren Umfang auch Kupfer erzielt werden .

Bei der Zielstellung von thermischer Leitfähigkeit können geeignete I solatormaterialien zum Einsatz kommen . Als Beispiele sind hier Keramiken zu nennen, etwa Sili ziumnitrid ( SisN,} ) - Keramik ( GTE ca . 3 x 10~ ⁶ K ^-1 ) , Aluminiumnitridkeramik ( GTE ca . 2 ... 4 x 10 ⁶ K ^-1 ) oder auch Aluminiumoxidkeramiken ( GTE ca . 8 x 10~ ⁶ K ^-1 ) .

Wenn die mechanische Befestigungs funktion der Verbindung im Fokus steht , können auch weitere , die Bedingungen der Drucks- interprozessierung überstehende , Materialien Verwendung finden .

Bei den nichtmetallischen, insbesondere keramischen Kernen muss gegebenenfalls eine dünne funktionale Schicht zur metallischen Anbindung der eigentlichen Sinterschicht zur Anwendung kommen . Häufig können aber hierfür bereits an den Fügeoberflächen dünn metallisierte Halbzeuge kommerziell bezogen werden .

In einer sehr vorteilhaften Aus führungs form der Erfindung weist der Kern wenigstens ein erstes Material und ein zweites Material auf , wobei das erste Material und das zweite Material einen Längenausdehnungskoef fi zienten unter 20 x 10~ ⁶ K ^-1 aufweisen .

In einer vorteilhaften Aus führungs form der Erfindung ist die Sinterpreform flächig ausgeführt , insbesondere als Plättchen . Darunter ist zu verstehen, dass die Sinterpreform insbesondere eine flache Quaderform aufweist , die in ihrer flächigen Ausdehnung sehr viel größer ist als in ihrer Höhe . Beispiels- weise ist unter einer flächigen Sinterpreform oder einem Sin- terpref ormplättchen ein dreidimensionaler Körper zu verstehen, dessen Grundfläche mindestens das 5-Fache, beispielsweise das 10-Fache, oder auch das 100-Fache der Körperhöhe beträgt. Auch Sinter-Chips oder -Pellets können dem erfindungsgemäßen Aufbau aus Kernmaterial plus Beschichtung mit unverdichtetem Sintermaterial folgen.

In einer vorteilhaften Aus führungs form der Erfindung weist die Sinterpreform Kernmaterialien auf, deren Schmelzpunkte über 1000°C liegen, wobei das zweite Kernmaterial insbesondere einen Schmelzpunkt über 2000°C, bevorzugt über 2500°C aufweist. Unter Schmelzpunkt ist die Temperatur bei Umgebungsdruck zu verstehen, bei der das Material schmilzt, d. h. vom festen in den flüssigen Aggregatszustand übergeht. Die Schmelzpunkte hier sind bei Normaldruck angegeben. Insbesondere liegt die Schmelztemperatur eines der Kernmaterialien oberhalb der Fügetemperatur.

Insbesondere werden für die erfindungsgemäße Sinterpreform als erstes Material ein Metall oder ein Ubergangsmetall verwendet, bevorzugt aus den Gruppen 8 bis 13 des Periodensystems. Das zweite Material des Kerns ist bevorzugt ein Metall oder ein Ubergangsmetall, insbesondere aus den Gruppen 3 bis 8 des Periodensystems.

Besonders bevorzugte Beispiele für ein erstes Material sind Kupfer und für ein zweites Material sind Molybdän. Kupfer hat einen geringeren Längenausdehnungskoeffizienten als Silber, Molybdän hat einen deutlich niedrigeren Längenausdehnungskoeffizienten als Silber, vergleiche Tabelle: In einer besonders bevorzugten Aus führungs form der Erfindung weist die Sinterpreform einen Kern auf , welcher mehrere abwechselnde Schichten des ersten Materials und des zweiten Materials umfasst . Insbesondere liegen mehr als zwei , mehr als vier, mehr als sechs , mehr als acht oder mehr als zehn wechselnde Schichten von erstem und zweitem Material im Kern vor .

In einer alternativen sehr bevorzugten Aus führungs form der Erfindung weist die Sinterpreform einen Kern auf , dessen zweites Material dispergiert im ersten Material vorliegt . Dies kann insbesondere in einer Matrixstruktur vorliegen .

Diese Aus führungs formen haben besondere Vorteile gegenüber der Verwendung einer monometallischen Struktur als Kern . Diese heterogenen Strukturen, welche mindestens zwei verschiedene Materialien umfassen, können als Sandwiches oder als Kom- posit-Strukturen z . B . mit dispergierten Partikeln des zweiten Materials im ersten Material realisiert sein . Derartige Ausgestaltungen des Kerns einer Sinterpreform haben eine besonders gute Anpassungs fähigkeit des massiven Kerns hinsichtlich dessen thermomechanischer Eigenschaften . Gleichzeitig können derartige Sinterpreformkerne analog zur Herstellung von Sinterpref ormen mit monometallischen Halbzeugen weiterverarbeitet werden, insbesondere kann der massive Komposit- kern einseitig oder beidseitig mit einer Sinterschicht versehen werden . Diese wird bevorzugt als getrocknete , aber unverdichtete Sinterpaste aufgetragen .

Derartige Kompositkerne sind an ihre Anwendung, insbesondere an die Fügepartner anpassbar : In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung umfasst die Sinterpreform einen Kern, dessen zweites Material dem veränderlichen Anteil zum ersten Material vorliegt , insbesondere kann das zweite Material graduell abnehmen, von der Grenze zu einer unverdichteten Sinterschicht hin zur Grenze zur anderen unverdichteten Sinterschicht hin . Eine derartige Aus führungs form erlaubt eine ideale Anpassung der Sinterpreform an zwei unterschiedliche Fügepartner . Mit dem veränderlichen Anteil des zweiten Materials dispergiert im ersten Material verändert sich auch der Längenausdehnungskoef fi zient des Sinterpreformkerns .

Insbesondere können auch die Sinterschichten, die insbesondere beidseitig auf den großen Außenflächen des Kerns aufgebracht sind, aus unterschiedlichen Materialien gestaltet sein bzw . unterschiedliche Materialien umfassen .

Die erfindungsgemäße Anordnung mit einer Drucksinterverbindung umfasst zwei Fügepartner, eine Fügeschicht zwischen den Fügepartnern, mittels der die Fügepartner materialschlüssig miteinander verbunden sind, wobei die Fügeschicht ein erstes Material und ein zweites Material aufweist , welches insbesondere vor dem Sinterschritt den Sinterkern der Sinterpreform bildete oder von diesem umfasst war, und wenigstens ein drittes Material aufweist , welches vor dem Sinterschritt insbesondere die wenigstens eine Sinterschicht bildete oder von dieser umfasst war und wobei erstes Material , zweites Material und drittes Material einen Längenausdehnungskoef fi zienten aufweisen, welche an den oder die Längenausdehnungskoef fizienten der beiden Fügepartner angepasst ist , so dass die Di f ferenz der Längenausdehnungskoef fi zienten weniger als 16 x 1 (A ⁶ K ^-1 , insbesondere weniger als 12 x 10~ ⁶ K ^-1 , bevorzugt weniger als 10 x 10~ ⁶ K beträgt . Bei der Materialauswahl und Kerngestaltung der Sinterpreform wird auf eine möglichst minimale Di f ferenz der Längenausdehnungskoef fi zienten von Fügepartner und Sinterpreform geachtet . Zum Vergleich, bisherige Sinterpreforms aus monometallischem Silber bewirken eine Längenausdehnungskoef fi zientendi f ferenz zu einem Sili zium- Fügepartner von nahezu 17 x 10~ ⁶ K ^-1 .

In einer beispielhaften Ausgestaltung der Erfindung umfasst die Anordnung ein drittes und ein viertes Material , welche Materialien vor dem Sinterschritt unterschiedliche Sinterschichten bildeten oder von den unterschiedlichen Sinter- schichten umfasst waren, wobei die unterschiedlichen Materialien Längenausdehnungskoef fi zienten aufweisen, welche an die Längenausdehnungskoef fi zienten der beiden Fügepartner angepasst sind, sodass die Di f ferenzen der Längenausdehnungskoeffi zienten zwischen Fügepartnern und angrenzender Sinterschicht beziehungsweise angrenzender Sinterpref ormoberf läche weniger als 16 x 10~ ⁶ KL ¹ betragen .

Bei der Anordnung mit einer Drucksinterverbindung handelt es sich insbesondere um eine elektronische Baugruppe oder ein elektronisches Bauelement . Besonders bevorzugt wird dieses erfindungsgemäße Drucksintern mit Sinterpreform bei sensiblen Halbleiterbauelementen eingesetzt .

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Drucksinterverbindung von zwei Fügepartnern, bei dem eine Sinter- preform nach einem der vorhergehenden Aus führungs formen der Erfindung eingesetzt wird, werden zwei Fügepartner zwischen zwei Sinterwerkzeugen angeordnet , sodass diese in einem Druck- und Temperaturschritt erwärmt und miteinander verpresst werden . Die Sinterpreform wird im Druck- und Temperaturschritt zu einer Fügeschicht zwischen den Fügepartnern ausgebildet . Die Fügepartner sind darüber dann materialschlüssig miteinander verbunden .

Bei diesem erfindungsgemäßen Verfahren, mit dem Einsatz einer erfindungsgemäßen Sinterpreform, ist von besonderem Vorteil die Temperatur im Druck- und Temperaturschritt niedrig zu halten, was sich wiederum positiv auf alle beteiligten Materialien der Bauelemente auswirkt , da eine Verminderung thermischer Beschädigungen erwirkt wird .

Bevorzugt umfasst das Verfahren einen vorbereitenden Schritt , in dem eine Sinterpreform hergestellt wird, umfassend das Bilden des Kerns aus wenigstens einem ersten Material und einem zweiten Material , sowie ein Appli zieren der wenigstens einen unverdichteten Sinterschicht direkt auf dem Sinterkern, insbesondere mittels Aufbringens als Partikelpaste . Bei der Herstellung des Kerns kann die Kernzusammensetzung aus den wenigstens zwei Materialien auch graduell verändert werden .

In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird in dem Sinterverfahren im Druck- und Temperaturschritt eine Temperatur beispielsweise zwischen 100 ° C und 1000 ° C angewendet , insbesondere zwischen 150 ° C und 700 ° C, bevorzugt zwischen 200 ° C und 500 ° C, besonders bevorzugt unter 300 ° C . Eine bevorzugte Zeitdauer des Druck- und Temperaturschritts im Verfahren kann zwischen einer und fünf Minuten betragen . Der Einsatz der erfindungsgemäßen Sinterpreform bewirkt , dass geringere Temperaturen und geringere Sinterdauern ermöglicht sind .

Beispiele und Aus führungs formen der vorliegenden Erfindung werden noch in exemplarischer Weise mit Bezug auf die Figuren 1 bis 4 der angehängten Zeichnung beschrieben :

Figur 1 zeigt die Ausgangssituation in einer Schnittansicht , wie bisher ein Drucksinteraufbau mit monometallischer Fügeschicht 12 realisiert wurde . Dabei ist zwischen zwei behei zten Druckstempeln einer Sinterpresse 19 eine Basis 18 , beispielsweise aus einer Keramik wie Aluminiumoxid AI2O3, oder Aluminiumnitrid AIN oder auch einer Basis aus metallischem Aluminium oder Kupfer gezeigt , auf der ein sogenanntes Topmetall , eine Metallschicht 18 aufgebracht ist , welche das Substrat oder den ersten Fügepartner 16 darstellt . Als Substrat oder erster Fügepartner 16 kann beispielsweise eine DCB- Keramik eingesetzt werden, welche eine Struktur der Aufbau- und Verbindungstechnik ist , die eine besonders enge elektrisch-thermische Verbindung elektronischer Bauteile und Chips mittels Kupfer ermöglicht . Besonders in der Leistungselektronik ist die elektrisch-thermische Anbindung von besonderer Bedeutung für einen ef fektiven Wärmeabtransport . In der DCB Aufbau- und Verbindungstechnik wird Kupfer besonders bevorzugt als Leiterschicht , Leiterbahnstrukturen oder als Kontaktflächen eingesetzt . Auf dieses Substrat 16 , welches den ersten Fügepartner darstellt , wird dann eine Sinterpreform 10 aufgelegt , die in der Figur 1 noch aus einem monometallischen Kern 12 und zweiseitig angebrachten Sintermetallschichten 11 besteht . Auf diese wiederum wird der zweite Fügepartner 17 aufgebracht , beispielsweise ein Leistungshableiter wie Silizium Si , Sili ziumcarbid SiC oder Galliumnitrid GaN . Die Fügepartner 16 , 17 sind im Sinterzeitpunkt entsprechend ihrer Zwangslage zwischen den Sinterwerkzeugen 19 in ihrer Ausrichtung bzw . Ausdehnung beschränkt : Bei Abkühlung kommt es dann zur Auswirkung der hohen CTE-Di f f erenz in Verformungen und Fehlanpassungen zwischen der Sinterpreform 10 und den Fügepartnern 16 , 17 .

Des Weiteren ist durch zwei Pfeile angedeutet , dass im Sinterschritt die Sinterwerkzeuge 19 zusammengepresst werden, mit einem vorgebbaren Druck p, für eine vorgebbare Zeitdauer At und bei einer einstellbaren Temperatur T .

In der Figur 2 ist beispielhaft eine fertig verpresste Drucksinterverbindung im Querschnitt gezeigt , mit Basis 18 , Substrat 16 , fertiger Füge- oder Sinterschicht 101 und zweitem Fügepartner 17 , welcher insbesondere ein Leistungshalbleiter ist . Al zeigt die Längenverformungen an, welche als Folge des Drucksinterprozesses erscheinen . Nicht dargestellt aber ebenso durch den Drucksinterprozess entstehen an den Kontakt flächen der Materialien Eigenspannungen im Material , welche sich nachteilig als Defekte bis hin zu Rissen im Bauteil in der Anordnung bzw . der Baugruppe auswirken können .

Mit den erfindungsgemäßen Sinterf ormteilen 10 , welche speziell auf die Fügepartner 16 , 17 anpassbar sind, können verformungsreduzierte Sinteranbindungen geschaf fen werden . In den Figuren 3 und 4 sind zwei verschiedene Varianten des erfindungsgemäßen optimierten Sinterpreformkerns 13 gezeigt , welcher in beiden Fällen mindestens zwei Materialien 14 , 15 enthält , welche Materialien 14 , 15 wie in Figur 3 gezeigt , in einer Schichtabfolge von beispielsweise sechs Schichten den Kern 13 bilden können . Eine Schicht ist dabei bevorzugt nur wenige 10 pm dick . Ein sogenannter Sandwichcore 13 , z . B . mit einer Abfolge von Kupfer- und Molybdänschichten, hat den be- sonderen Vorteil einfacher Hersteilbarkeit . Der Kern 13 trägt eine erste und eine zweite unverdichtete Sinterschicht 11a und 11b, welche aus demselben Material oder aus unterschiedlichen Materialien sein können . Eine derartige Sinterpreform 10 kann bei Fügetemperaturen unter 300 ° C bevorzugt um die 250 ° C verarbeitet werden, ist aber auch gegenüber anderen Fügetemperaturen unempfindlich .

Ein monometallischer Sinterkern 12 ist stets auf einen sehr engen Temperaturbereich für die Verarbeitung begrenzt . Die hohe Di f ferenz des Ausdehnungskoef fi zienten zum Fügepartner 16 , 17 ist durch den optimierten Sandwichkern 13 reduziert . Durch die erfindungsgemäße Sinterpreform 10 ist gleichzeitig eine sehr gute Prozessintegration in die bisherigen Prozesse der Aufbau- und Verbindungstechnik möglich .

Die in Figur 4 gezeigte zweite Variante eines Sinterpref orm- kerns 13 zeigt ein zweites Material 15 , welches dispergiert im ersten Material 14 vorliegt , z . B . in Form eines Matrixcores . Dieser kann hinsichtlich des Anteils des zweiten Materials 15 optimiert werden, insbesondere auf die Materialeigenschaften der Fügepartner 16 , 17 . Der Einsatz eines derartig optimierten Matrixcores 13 ist besonders in der DCB- Verbindungstechnik von Vorteil . Bei dem optimierten Matrixcore 13 ergeben sich gute Tuningmöglichkeiten der Kerngestaltung z . B . mit unterschiedlichem Anteil des zweiten Materials 15 im Verlauf der Dicke des Kerns . Beispielsweise kann der Anteil des zweiten Materials 15 von der Grenze zur oberen Sinterschicht 11a hin zur unteren Sinterschicht 11b abnehmen, stufenweise oder graduell .

Beim Einsatz von Kupfer als erstem und Molybdän als zweitem Material könnte man den Kern 13 derart tunen, dass der Kupferanteil nahe einer Kupferkeramikanbindung 16 sehr hoch ist , um dort einen möglichst geringen Unterschied der Längenausdehnungskoef fi zienten vorliegen zu haben . Der Molybdänanteil würde in Richtung des zweiten Fügepartners 17 , welches insbesondere ein Sili ziumhalbleiter sein kann, erhöht werden . Zusammenfassend wird festgehalten, dass die erfindungsgemäße Sinterpreform 10 ideal in bestehende Drucksinterverfahrensabläufe integrierbar ist . Gleichzeitig von besonderen Optimie- rungs- und Anpassungsmöglichkeiten hinsichtlich der thermischen und elektrischen Eigenschaften der Fügepartner 16 , 17 anpassbar ist . Besonders vorteilhaft ist sie in der Leistungshalbleiterelektronik einsetzbar . Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Aus führungsbeispiel Kupfer und Molybdän näher illustriert und beschrieben wurde , ist die Erfindung nicht durch die of fenbarten Materialbeispiele eingeschränkt .

Be zugs Zeichen :

10 Fügeschicht: Sinterpreform, z.B. monometallisch, aus massivem Kern und beidseitiger Auflage mit unverdichtetem Sintermaterial, z.B. Silber-Pref orm 101 Sinterschicht, nach erfolgter Sinteranbindung

11a, b unverdichtetes Sintermaterial

12 Kern, z.B. herkömmlich massiver Metallkern, inbe- sondere aus Silber

13 optimierter Kern, z.B. Sandwich-Core oder Matrix- Core

14 erstes Sintermaterial, insbesondere aus Metall, z.B. Kupfer

15 zweite Sintermaterial, insbesondere aus Metall, z.B. Molybdän

16 Top-Metal (Substrat) , z.B. DCB-Keramik

17 Leistungshalbleiter (Si, SiC, GaN)

18 Basis (Keramik A12O3, AIN oder auch metallisch Al, Cu)

19 Beheizter Druckstempel der Sinterpresse (oben und unten) p (At, T) Druck auf Druckstempel bei Temperatur T und für einen Zeitraum At

A 1 Längendifferenz, Folge: Verformung und/oder Eigenspannungen