次に、図面を用いて、本発明の実施形態� ��ついて説明する。以下の図面の記載におい� ��、同一又は類似の部分には、同一又は類似� ��符号を付している。ただし、図面は模式的� ��ものであり、各寸法の比率等は現実のもの� ��は異なることに留意すべきである。従って� ��具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判� ��すべきものである。又、図面相互間におい� ��も互いの寸法の関係や比率が異なる部分が� ��まれていることは勿論である。

 [第1実施形態]
 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第1実施形態に係る 太陽電池の構成について、図1を参照しなが� �説明する。

 図1は、本発明の第1実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図1に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 基板1は、透光性を有し、ガラス、プラス チック等の透光性材料により構成される。

 受光面電極層2は、基板1上に積層されてお� �、導電性及び透光性を有する。受光面電極� �2としては、酸化錫(SnO ₂ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム(In ₂ O ₃ )、又は酸化チタン(TiO ₂ )などの金属酸化物を用いることができる。� �、これらの金属酸化物に、フッ素(F)、錫(Sn)� ��アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、ガリウム(Ga)、ニ� ��ブ(Nb)などがドープされていてもよい。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32とを含む。

 第1光電変換部31及び反射層32は、受光面� �極層2側から順に積層される。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。また、第1光電変換部31は、反射層32から反� ��される光により光生成キャリアを生成する� ��第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン系半 導体と、i型非晶質シリコン系半導体と、n型� ��晶質シリコン系半導体とが基板1側から積層 されたpin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31を透過した� �の一部を第1光電変換部31側に反射する。反� �層32は、第1層32aと、第2層32bとを含む。

 第1層32aと第2層32bとは、第1光電変換部31� �から順に積層される。従って、第1層32aは、� ��1光電変換部31に接触しており、第2層32bは、 第1光電変換部31に接触していない。

 第1層32aとしては、第1光電変換部31との間 のコンタクト抵抗値が、第2層32bと第1光電変� ��部31との間のコンタクト抵抗値よりも小さ� �材料が主体として用いられる。

 即ち、第1層32aを構成する材料は、第1光� �変換部31と第1層32aとのコンタクト抵抗(接触� ��抗)値が、第1光電変換部31と第2層32bとを直� �接触させた場合のコンタクト抵抗値未満と� �るように選択されることが好ましい。

 第1層32aとしては、例えば、ZnO、ITOなどを 用いることができる。

 第2層32bは、第1光電変換部31及び第1層32a� �りも屈折率が低い材料によって構成される� �光性導電酸化物である。また、第2層32bは、� ��来から反射層の主体として用いられていたZ nOよりも屈折率が低い材料によって構成され� ��。第2層32bの屈折率は、1.7以上1.9以下である ことが好ましく、さらには1.7以上1.85以下で� �ることが好ましい。

 第1実施形態では、第2層32bは、酸化マグ� �シウム亜鉛(MgZnO)を含む。第2層32bには、Alな� ��がドープされていてもよい。第2層32bにおけ るMgの含有率は、0at%より大きく、かつ25at%以� ��であることが好ましい。

 尚、本発明の第1実施形態にあっては、第 1層32aが本発明の「コンタクト層」に相当す� �。また、第2層32bが、本発明の「低屈折率層� ��に相当する。

 また、第1層32aを構成する材料は、第1層32 aを含む積層体3の両端の抵抗値が、第1層32aを 含まない積層体3の両端の抵抗値よりも小さ� �なるように選択されることが好ましい。

 裏面電極層4は、導電性を有している。裏 面電極層4としては、ZnO、銀(Ag)などを用いる� ��とができるが、これに限るものではない。� ��面電極層は、ZnOを含む層と、Agを含む層と� �、積層体3側から積層した構成を有していて� ��よい。また、裏面電極層4は、Agを含む層の� ��を有していてもよい。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第1実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32が、屈折率の低いMgZnOからなる 第2層32bと、第2層32bと第1光電変換部31との間� ��コンタクト抵抗値よりも第1光電変換部31と� ��間のコンタクト抵抗値が小さい材料からな� ��第1層32aとを含む。第1層32a及び第2層32bは、� ��1光電変換部31側から順に積層される。従っ� ��、屈折率の低い第2層32bは、第1光電変換部31 に直接接触していない。そのため、太陽電池 10の光電変換効率を向上させることができる� ��このような効果について、以下に詳説する� ��

 本発明の第1実施形態に係る太陽電池10で� ��、反射層32に、従来から反射層の主体とし� �用いられていたZnOよりも屈折率が低いMgZnOか らなる第2層32bが含まれる。そのため、ZnOを� �体とする従来の反射層よりも、第1光電変換� ��31との屈折率差を大きくすることができる� �で、反射層32での反射率を高めることができ る。

 ここで、反射層32が、第1層32aを有しない� ��合や、第1層32a及び第2層32bが裏面電極層4側� ��ら順に積層されている場合、第2層32bが、第 1光電変換部31に直接接触することとなる。通 常、反射層32の屈折率を小さくするためには� ��反射層32のバンドギャップを大きくする必� �がある。しかしながら、一般的に、バンド� �ャップを大きくすると、抵抗が大きくなる� �向がある。このため、屈折率の低い第2層32b� ��、シリコンを主体とする第1光電変換部31と� ��コンタクト抵抗値が非常に高い値となるの� ��、第2層32bが第1光電変換部31に直接接触する 場合、太陽電池10全体におけるシリーズ抵抗( 直列抵抗)値が増大する。従って、太陽電池10 において発生する短絡電流については反射層 32での反射率が高められることによって増加� ��る一方、太陽電池10の曲線因子(F.F.)につい� �はシリーズ抵抗値の増大によって減少する� �め、太陽電池10の光電変換効率の充分な向上 を図ることができない。

 そこで、本発明の第1実施形態に係る太陽 電池10では、第1層32a及び第2層32bを第1光電変� ��部31側から順に積層することで、屈折率の� �い第2層32bが、第1光電変換部31に直接接触す� ��ことを回避している。このような構成によ� ��ば、太陽電池10全体におけるシリーズ抵抗� �の増大により太陽電池10の曲線因子(F.F.)が低 下することを抑制しつつ、反射層32での反射� ��を高めることができる。従って、太陽電池1 0の光電変換効率を向上させることができる� �

 また、第2層32bにおけるMgの含有率が0at%よ り大きく、かつ25at%以下であることにより、� ��えば700~800nmなどの波長領域における第2層32b の光吸収係数を、ZnOを主体とする従来の反射 層よりも低くすることができる。これにより 、第1光電変換部33側に反射される光の量を増 加することができるため、太陽電池10におけ� ��短絡電流を増大することができる。従って� ��太陽電池10の光電変換効率をさらに向上す� �ことができる。

 また、第2層32bの屈折率が1.7以上1.9以下で ある場合、さらには1.7以上1.85以下である場� �には、反射層32の十分な反射特性を得ること ができる。

 また、第1層32aの厚みは、約10Å以上、約8 0Å以下であることが好ましい。第1層32aの厚� ��が約10Åよりも小さい場合、第2層32bと第1光 電変換部31との間のコンタクト抵抗を十分に� ��減することができない。また、第1層32aの厚 みが約80Åよりも大きい場合、第2層32bを備え る効果、すなわち、反射層32での反射率を高� ��るという効果が小さくなる。

 [第2実施形態]
 以下において、本発明の第2実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第1実施形態と第2実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第1実施形態では、 積層体3は、第1光電変換部31と、反射層32とを 含む。

 これに対して、第2実施形態では、積層体 3は、第1光電変換部31及び反射層32に加えて、 第2光電変換部33を含む。つまり、第2実施形� �に係る太陽電池は、タンデム構造を有して� �る。

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第2実施形態に係る 太陽電池の構成について、図2を参照しなが� �説明する。

 図2は、本発明の第2実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図2に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。

 第1光電変換部31、第2光電変換部33、及び� ��射層32は、受光面電極層2側から順に積層さ� ��る。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン系� �導体と、i型非晶質シリコン系半導体と、n型 非晶質シリコン系半導体とが基板1側から積� �されたpin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31側から入射� �た光の一部を第1光電変換部31側に反射する� �反射層32は、第1層32aと、第2層32bとを含む。� ��1層32aと第2層32bとは、第1光電変換部31側か� �順に積層される。従って、第1層32aは、第2光 電変換部33に接触しており、第2層32bは、第2� �電変換部33に接触していない。

 第2層32bは、第1光電変換部31よりも屈折率 が低い材料によって構成される透光性導電酸 化物である。また、第2実施形態においても� �第2層32bの屈折率は、1.7以上1.9以下であるこ� ��が好ましく、さらには1.7以上1.85以下である ことが好ましい。MgZnOからなる第2層32bにおけ るMgの含有率は、0at%より大きく、かつ25at%以� ��であることが好ましい。

 第2光電変換部33は、入射する光により光� ��成キャリアを生成する。第2光電変換部33は� ��p型結晶質シリコン系半導体と、i型結晶質� �リコン系半導体と、n型結晶質シリコン系半� ��体とが基板1側から積層されたpin接合を有す る(不図示)。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第2実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32に含まれる第1層32a及び第2層32b が、第1光電変換部31側から順に積層される。

 このような構成によれば、太陽電池10が� �ンデム構造を有していても、太陽電池10全体 におけるシリーズ抵抗値の増大を抑制しつつ 、反射層32での反射率を高めることができる� ��従って、太陽電池10の光電変換効率を向上� �せることができる。

 また、第2層32bにおけるMgの含有率が0at%よ り大きく、かつ25at%以下であることにより、� ��えば900~1000nmなどの波長領域における第2層32 bの光吸収係数を、ZnOを主体とする従来の反� �層よりも低くすることができる。これによ� �、第2光電変換部33に入射する光の量を増加� �ることができるため、太陽電池10における短 絡電流を増大することができる。従って、太 陽電池10の光電変換効率をさらに向上するこ� ��ができる。

 また、第2層32bの屈折率が1.7以上1.9以下で ある場合、さらには1.7以上1.85以下である場� �には、反射層32の十分な反射特性を得ること ができる。

 また、第1層32aの厚みは、約10Å以上、約8 0Å以下であることが好ましい。第1層32aの厚� ��が約10Åよりも小さい場合、第2層32bと第1光 電変換部31との間のコンタクト抵抗を十分に� ��減することができない。また、第1層32aの厚 みが約80Åよりも大きい場合、第2層32bを備え る効果、すなわち、反射層32での反射率を高� ��るという効果が小さくなる。

 [第3実施形態]
 以下において、本発明の第3実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第1実施形態と第3実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第1実施形態では、 積層体3は、第1光電変換部31と、反射層32とを 含む。

 これに対して、第3実施形態では、積層体 3は、第1光電変換部31及び反射層32に加えて、 第2光電変換部33を含む。つまり、第3実施形� �に係る太陽電池は、タンデム構造を有して� �る。さらに、第3実施形態では、反射層32は� �第1層32a及び第2層32bに加え、第3層32cを含む� �

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第3実施形態に係る 太陽電池の構成について、図3を参照しなが� �説明する。

 図3は、本発明の第3実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図3に示すように、太陽電池10は、基板1と 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とを備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。

 第1光電変換部31、反射層32、及び第2光電� ��換部33は、受光面電極層2側から順に積層さ� ��る。

 第1光電変換部31は、受光面電極層2側から 入射する光により光生成キャリアを生成する 。また、第1光電変換部31は、反射層32から反� ��される光により光生成キャリアを生成する� ��第1光電変換部31は、p型非晶質シリコン系半 導体と、i型非晶質シリコン系半導体と、n型� ��晶質シリコン系半導体とが基板1側から積層 されたpin接合を有する(不図示)。

 反射層32は、第1光電変換部31を透過した� �の一部を第1光電変換部31側に反射する。反� �層32は、第1層32aと、第2層32bと、第3層32cとを 含む。

 第1層32a、第2層32b及び第3層32cは、第1光電 変換部31側から順に積層されている。従って� ��第1層32aは、第1光電変換部31に接触しており 、第3層32cは、第2光電変換部33に接触してい� �。第2層32bは、第1光電変換部31及び第2光電変 換部33のいずれにも接触していない。

 第2層32bは、第1光電変換部31、第2光電変� �部33、第1層32a及び第3層32cよりも屈折率が低� ��材料によって構成される透光性導電酸化物� ��ある。また、第2層32bは、従来から反射層の 主体として用いられていたZnOよりも屈折率が 低い材料によって構成される。第2層32bの屈� �率は、1.7以上1.9以下であることが好ましく� �さらには1.7以上1.85以下であることが好まし� ��。

 第3実施形態では、第2層32bは、酸化マグ� �シウム亜鉛(MgZnO)を含む。第2層32bには、Alな� ��がドープされていてもよい。第2層32bにおけ るMgの含有率は、0at%より大きく、かつ25at%以� ��であることが好ましい。

 第1層32aとしては、第1光電変換部31との間 のコンタクト抵抗値が、MgZnOと第1光電変換部 31との間のコンタクト抵抗値よりも小さい材� ��が主体として用いられる。また、第3層32cと しては、第2光電変換部33との間のコンタクト 抵抗値が、MgZnOと第1光電変換部31との間のコ� ��タクト抵抗値よりも小さい材料が主体とし� ��用いられる。

 即ち、第1層32aを構成する材料は、第1光� �変換部31と第1層32aとのコンタクト抵抗値が� �第1光電変換部31と第2層32bとを直接接触させ� ��場合のコンタクト抵抗値未満となるように� ��択されることが好ましい。また、第3層32cを 構成する材料は、第3層32cと第2光電変換部33� �のコンタクト抵抗値が、第2層32bと第2光電変 換部33とを直接接触させた場合のコンタクト� ��抗値未満となるように選択されることが好� ��しい。

 また、第1層32aを構成する材料及び第3層32 cを構成する材料は、第1層32a及び第3層32cを含 む積層体3の両端の抵抗値が、第1層32a及び第3 層32cを含まない積層体3の両端の抵抗値より� �小さくなるように選択されることが好まし� �。

 第1層32a又は第3層32cとしては、例えば、Zn O、ITOなどを用いることができる。尚、第1層3 2aを構成する材料と、第3層32cを構成する材料 とは、同一であってもよく、異なっていても よい。

 尚、本発明の第1実施形態にあっては、第 3層32cが本発明の「他のコンタクト層」に相� �する。

 第2光電変換部33は、入射する光により光� ��成キャリアを生成する。第2光電変換部33は� ��p型結晶質シリコン系半導体と、i型結晶質� �リコン系半導体と、n型結晶質シリコン系半� ��体とが基板1側から積層されたpin接合を有す る(不図示)。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第3実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32が、第2層32bよりも屈折率が高� ��材料により構成される第1層32aと、屈折率の 低いMgZnOからなる第2層32bと、第2層32bと第1光� ��変換部31との間のコンタクト抵抗値よりも� �1光電変換部31との間のコンタクト抵抗値が� �さい材料からなる第1層32aと、第2層32bと第2� �電変換部33との間のコンタクト抵抗値よりも 第2光電変換部との間のコンタクト抵抗値が� �さい材料からなる第3層32aとを含む。第1層32a 、第2層32b及び第3層32cは、第1光電変換部31側� ��ら順に積層される。従って、MgZnOを含む第2� ��32bは、第1光電変換部31及び第2光電変換部33� ��いずれにも接触していない。

 このような構成によれば、太陽電池10全� �におけるシリーズ抵抗値の増大を抑制しつ� �、反射層32での反射率を高めることができる 。そのため、第1光電変換部31において吸収さ れる光の量を増加させることができる。

 また、第2層32bにおけるMgの含有率が0at%よ り大きく、かつ25at%以下であることにより、� ��えば900~1000nmなどの波長領域における第2層32 bの光吸収係数を、ZnOを主体とする従来の反� �層よりも低くすることができる。これによ� �、第2光電変換部33に入射する光の量を増加� �ることができるため、太陽電池10における短 絡電流を増大することができる。従って、太 陽電池10の光電変換効率をさらに向上するこ� ��ができる。その結果、太陽電池10の光電変� �効率を向上させることができる。

 また、第2層32bの屈折率が1.7以上1.9以下で ある場合、さらには1.7以上1.85以下である場� �には、反射層32の十分な反射特性を得ること ができる。

 また、第1層32a及び第3層32cそれぞれの厚� �は、約10Å以上、約80Å以下であることが好� ��しい。第1層32a及び第3層32cそれぞれの厚み� �約10Åよりも小さい場合、第2層32bと第1光電� ��換部31との間、及び第2層32bと第2光電変換部 33との間のコンタクト抵抗を十分に低減する� ��とができない。また、第1層32a及び第3層32c� �れぞれの厚みが約80Åよりも大きい場合、第 2層32bを備える効果、すなわち、反射層32での 反射率を高めるという効果が小さくなる。

 [第4実施形態]
 以下において、本発明の第4実施形態につい て説明する。尚、以下においては、上述した 第3実施形態と第4実施形態との差異について� ��として説明する。

 具体的には、上述した第3実施形態では、 太陽電池10は、基板1と、受光面電極層2と、� �層体3と、裏面電極層4とを備えている。

 これに対して、第4実施形態では、太陽電 池10は、受光面電極層2、積層体3及び裏面電� �層4をそれぞれ備える複数の太陽電池素子10a� ��、基板1上に備えている。

 〈太陽電池の構成〉
 以下において、本発明の第4実施形態に係る 太陽電池の構成について、図4を参照しなが� �説明する。

 図4は、本発明の第4実施形態に係る太陽� �池10の断面図である。

 図4に示すように、太陽電池10は、基板1と 、複数の太陽電池素子10aとを備える。

 複数の太陽電池素子10aのそれぞれは、基� ��1上に形成される。複数の太陽電池素子10aは 、受光面電極層2と、積層体3と、裏面電極層4 とをそれぞれ備える。

 積層体3は、受光面電極層2と裏面電極層4� ��の間に設けられる。積層体3は、第1光電変� �部31と、反射層32と、第2光電変換部33とを含� ��。反射層32は、第1層32aと、第2層32bと、第3� �32cとを含む。

 第1層32a、第2層32b及び第3層32cは、第1光電 変換部31側から順に積層されている。従って� ��第1層32aは、第1光電変換部31に接触しており 、第3層32cは、第2光電変換部33に接触してい� �。第2層32bは、第1光電変換部31及び第2光電変 換部33のいずれにも接触していない。第1層32a 及び第3層32cの厚さは、極力小さいことが好� �しい。

 裏面電極層4は、複数の太陽電池素子10aに 含まれる一の太陽電池素子10aに隣接する他の 太陽電池素子10aの受光面電極層2に向かって� �在する延在部4aを有する。

 延在部4aは、一の太陽電池素子10aに含ま� �る積層体3の側面に沿って形成される。延在� ��4aは、一の太陽電池素子10aに含まれる積層� �3の側面に露出した反射層32に接している。

 〈作用及び効果〉
 本発明の第4実施形態に係る太陽電池10によ� ��ば、反射層32での反射率を高めることに加� �、太陽電池10の曲線因子(F.F.)の低下を抑制す ることができるため、太陽電池10の光電変換� ��率を向上させることができる。このような� ��果について、以下に詳説する。

 従来から反射層の主体として用いられてい� ��ZnOは、そのシート抵抗値が1.0×10 ² ~1.0×10 ³ ω/□程度である。そのため、ZnOを主体とする 従来の反射層を用いた場合、太陽電池素子10a において発生した電流の一部が、当該反射層 に沿って延在部4aへと流れてリーク電流が発� ��する。このようなリーク電流が複数の太陽� ��池素子10aそれぞれにおいて大きくなると、� ��陽電池10の曲線因子(F.F.)が低下する。

 そこで、本発明の第4実施形態に係る太陽電 池10では、シート抵抗値が1.0×10 ⁶ ω/□以上であるMgZnOからなる第2層32bを、反射 層32に含めている。このような構成により、� ��射層32におけるシート抵抗値は、ZnOを主体� �する従来の反射層におけるシート抵抗値よ� �も大幅に高くなるため、太陽電池素子10aに� �いて発生した電流が、反射層32から延在部4a� ��直接流れることを抑制することができる。� ��って、第2層32bを含む反射層32を用いること� ��より、ZnOを主体とする従来の反射層を用い� ��場合よりも、太陽電池10の曲線因子(F.F.)の� �下を抑制することができる。以上より、太� �電池10の光電変換効率を向上させることがで きる。

 また、第1層32a(コンタクト層)は、第2層32b (MgZnO層)と第1光電変換部31との間のコンタク� �抵抗値を低減し、第3層32c(他のコンタクト層 )は、第2層32b(低屈折率層)と第2光電変換部33� �の間のコンタクト抵抗値を低減するもので� �るから、第1層32a及び第3層32cの厚さを小さく することができる。

 第1層32aの厚さを小さくした場合、第1層32 aのシート抵抗値を増大することができる。� �た、第3層32cの厚さを小さくした場合、第3層 32cのシート抵抗値を増大することができる。 ここで、第1層32aの厚さを小さくした場合で� �っても、第2層32b(MgZnO層)と第1光電変換部31と の間のコンタクト抵抗値については充分に低 減できる。また、第1層32aの厚さを小さくし� �場合であっても、第2層32b(MgZnO層)と第1光電� �換部31との間のコンタクト抵抗値については 充分に低減できる。そのため、第1層32a及び� �3層32cの厚さを極力小さくすることにより、� ��1層32a及び第3層32cに沿って延在部4aへと流れ るリーク電流を低減することができる。

 また、第1層32a及び第3層32cそれぞれの厚� �は、約10Å以上、約80Å以下であることが好� ��しい。第1層32a及び第3層32cそれぞれの厚み� �約10Åよりも小さい場合、第2層32bと第1光電� ��換部31との間、及び第2層32bと第2光電変換部 33との間のコンタクト抵抗を十分に低減する� ��とができない。また、第1層32a及び第3層32c� �れぞれの厚みが約80Åよりも大きい場合、第 2層32bを備える効果、すなわち、反射層32での 反射率を高めるという効果が小さくなる。

 また、第2層32bの屈折率が1.7以上1.9以下で ある場合、さらには1.7以上1.85以下である場� �には、反射層32の十分な反射特性を得ること ができる。

 〈その他の実施形態〉
 本発明は上記の実施形態によって記載した� ��、この開示の一部をなす論述及び図面はこ� ��発明を限定するものであると理解すべきで� ��ない。この開示から当業者には様々な代替� ��施形態、実施例及び運用技術が明らかとな� ��う。

 例えば、上述した第1実施形態では、積層 体3に含まれる光電変換部が1つ(第1光電変換� �31)であり、第2実施形態及び第3実施形態では 、積層体3に含まれる光電変換部が2つ(第1光� �変換部31及び第2光電変換部33)であるが、こ� �に限定されるものではない。具体的には、� �層体3には、3つ以上の光電変換部が含まれて いてもよい。このような場合、反射層32は、� ��意の隣接する2つの光電変換部の間に設ける ことができる。

 また、上述した第1実施形態では、第1光� �変換部31は、p型非晶質シリコン系半導体と� �i型非晶質シリコン系半導体と、n型非晶質シ リコン系半導体とが基板1側から積層されたpi n接合を有するが、これに限定されるもので� �ない。具体的には、第1光電変換部31は、p型� ��晶質シリコン系半導体と、i型結晶質シリコ ン系半導体と、n型結晶質シリコン系半導体� �が基板1側から積層されたpin接合を有してい� ��もよい。尚、結晶質シリコンには、微結晶� ��リコンや多結晶シリコンが含まれるものと� ��る。

 また、上述した第1実施形態~第4実施形態� ��は、第1光電変換部31及び第2光電変換部33は� ��pin接合を有するが、これに限定されるもの� ��はない。具体的には、第1光電変換部31及び� ��2光電変換部33の少なくとも一方が、p型シリ コン系半導体と、n型シリコン系半導体とが� �板1側から積層されたpn接合を有していても� �い。

 また、上述した第1実施形態~第4実施形態� ��は、太陽電池10は、基板1上に、受光面電極� ��2と、積層体3と、裏面電極層4とが順に積層� ��れた構成を有しているが、これに限定され� ��ものではない。具体的には、太陽電池10は� �基板1上に、裏面電極層4と、積層体3と、受� �面電極層2とが順に積層された構成を有して� ��てもよい。

 このように、本発明はここでは記載して� ��ない様々な実施形態等を含むことは勿論で� ��る。従って、本発明の技術的範囲は上記の� ��明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特� ��事項によってのみ定められるものである。