Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Akustoelektronik und betrifft ein akustisches Oberflächenwellen(surface acoustic wave, SAW)-Bauelement, wie es beispielsweise als Filterbauelement in mobilen Telefonen, als Sensor oder als Aktor zum Einsatz kommen kann, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Die SAW-Technologie hat in den letzten Jahren eine breite Anwendung gefunden. Da im Verg le ich zu elektromagnetischen Wellen die Wellenlänge akustischer Oberflächenwellen um mehrere Größenordnungen kürzer ist (ca. Faktor 10 ⁵ bei vergleichbarer Frequenz), kann die SAW-Technologie insbesondere vorteilhaft zur Miniaturisierung von Bauelementen, Baugruppen oder Geräten eingesetzt werden. Dies betrifft insbesondere Hochfrequenzfilter (SAW-Filter) für mobile Telefone, sowie Sensoren oder Aktoren. Ein großer Vorteil von SAW-Bauelementen im Vergleich zu elektronischen Halbleiterbauelementen besteht u.a. auch darin, dass bei Verwendung von temperaturbeständigen Materialien ein wesentlich größerer Einsatztemperaturbereich (bis über 900°C) abgedeckt werden kann (R.C. Turnera, et al: Applied Acoustics Vol. 41 , 4 (1994) 299-324; M.N. Hamidon, et al: Sensors and Actuators A 123-124 (2005) 403-407). Fü r Anwend u ng en in kom plexen elektronischen Schaltungen oder Netzwerken sollen SAW-Bauelemente generell eine geringe Einfügedämpfung, eine hohe Güte und Zuverlässigkeit, sowie insbesondere eine hohe Leistungsbeständigkeit und Lebensdauer aufweisen.

Zwei bekannte Beispiele für SAW-Bauelemente sind die Verzögerungsstrecke und der Resonator. Nachfolgend wird anhand einer Verzögerungsstrecke die Wirkungsweise der SAW-Bauelemente erläutert. Eine Verzögerungsstrecke besteht aus zwei voneinander getrennt angeordneten Interdigitalwandlern (Interdigital Transducer, IDT). Ein IDT ist eine Anordnung kammförmig ineinander greifender Metallstreifen (Fingerelektroden), die mit Hilfe von Strukturierungsverfahren in Planartechnologie (z.B. Nass- oder Trockenätzverfahren oder Lift-Off-Technik) hergestellt werden. Die Fingerelektroden eines jeden IDT sind alternierend elektrisch über Verbindungsleitungen (bus-bars) mit jeweils einer Kontaktfläche (Päd) verbunden. Der Bereich, in dem die kammförmigen Fingerelektroden ineinander greifen, wird Apertur genannt. Durch Anlegen einer elektrischen Wechselspannung (meist hochfrequente Spannung, HF-Spannung) an die beiden Kontaktflächen des einen IDT (Eingangswandler) wird zwischen den jeweils benachbarten Fingerelektroden ein elektrisches Feld erzeugt. Über den inversen piezoelektrischen Effekt wird das Substratmaterial zwischen den Elektroden in den Halbperioden abwechselnd gestaucht bzw. gestreckt, wodurch eine akustische (mechanische) Welle an der Substratoberfläche nach beiden Seiten des Eingangswandlers ausgesandt wird. Bei entsprechender Winkelausrichtung des IDT auf dem Piezosubstrat, d.h. bei Anordnung der Längsachse der Fingerelektroden senkrecht zu der an der Substratoberfläche liegenden maximalen Geschwindigkeitskomponente des Substrates, wird die akustische Welle vornehmlich entlang der Substratoberfläche (Surface Acoustic Wave, SAW) und senkrecht zu den beiden Seiten der Fingerelektroden abgestrahlt. Da die SAW ihrerseits aufgrund des piezoelektrischen Effektes ein elektrisches Feld mitführt, kann dieses elektrische Feld von einem zweiten IDT (Ausgangswandler) über den piezoelektrischen Effekt wieder in eine elektrische Spannung umgewandelt werden. Dieser Prozess der Umwandlung von mechanischer in elektrische Energie und umgekehrt ist um so effizienter, je besser die Maßhaltigkeit der Elektrodenfingeranordnung ist und damit - aufgrund der Gültigkeit der Wellengesetze - die Bedingungen für eine konstruktive Überlagerung (im Gegensatz zur destruktiven Überlagerung oder Auslöschung) der von den einzelnen Fingerpaaren erzeugten Teilwellen gegeben sind. Im einfachsten und am häufigsten verwendeten Fall entspricht der Mittenabstand benachbarter Fingerelektroden unterschiedlichen elektrischen Potenzials der halbe Wellenlänge (λ/2) und die Breite der Elektroden sowie der Zwischenräume zwischen den Elektroden einem Viertel der Wellenlänge (λ/4).

Die so gestalteten IDT sind in bekannten SAW-Bauelementen direkt mit der Oberfläche des piezoelektrischen Substratmaterials verbunden. Als piezoelektrisches Substrat werden dabei meist Einkristallwafer mit einem bestimmten Kristallschnitt oder piezoelektrische Dünnschichten auf einem Trägermaterial (z.B. oxidierter Si- Wafer) verwendet. Infolge der direkten Abscheidung des Elektrodenmaterials als leitfähige Dünnschicht auf das meist vorbehandelte und mit einer dünnen Haftvermittlerschicht versehene piezoelektrische Substrat haften diese Schichten auf dessen Oberfläche über einen physikalischen oder chemischen Zusammenhalt von piezoelektrischem Substrat und Metallschicht (mechanische und spezifische Adhäsion, physikalische oder chemische Adsorption) (K. L. Mittal: Electrocomponent Science and Technology, 1976, Vol. 3, pp. 21 -42).

Bei den bekannten SAW-Technologien ist eine gute Haftung zwischen piezoelektrischem Substrat und Metallschicht von großem Vorteil für die Fixierung der Fingeranordnung an der Substratoberfläche und für die effiziente Einkopplung des elektrischen Feldes in das Substrat. Andererseits bewirkt sie jedoch bekanntermaßen eine vollständige Übertragung der durch die SAW generierten, zeitabhängigen lokalen Dehnung (Wechsel aus Druck- und Zugbelastung) der Substratoberfläche (F. Kubat: Theoretische und experimentelle Untersuchungen zur Leistungsfähigkeit von Oberflächenwellen-Filtern, Dissertation Albert-Ludwigs- Universität Freiburg, Freiburg 2004). Die damit verbundene, zeitlich veränderliche mechanische Spannungsverteilung in den Fingerelektroden kann infolge einer Kombination von Rissbildung (als Folge von Ermüdungseffekten) und Materialtransport (als Folge von Drift-Diffusion) bei hohen eingekoppelten Leistungen und folglich hohen SAW-Amplituden zur irreversiblen Degradation der Fingerelektroden (Mikrostrukturschädigung) und somit des elektrischen Signalverhaltens (z.B. irreversibler Frequenzshift eines Filterbauelements) bis zum Ausfall des SAW-Bauelements führen. Bei schlechter oder partiell schlechter Haftung der Fingerelektroden auf dem piezoelektrischen Substrat ist eine vollständige oder teilwe ise Del a m i n ation d er El e ktrod en b i s h i n zu Abpl atzu ng en i nfolg e Mikrorissbildung mögl ich . Mikrorissbildung, Materialtransport (d .h . Loch- und Hügelbildung) und Delamination oder Abplatzungen zerstören die Mikrostruktur und die Geometrie der Fingeranordnung und somit das elektrische Signalverhalten des SAW-Bauelements.

Die Intensität der irreversiblen Degradation der SAW-Bauelemente ist von mehreren Fa ktoren abhäng ig , insbesondere der Art des verwendeten Substrat- und Elektrodenmaterials inklusive dessen Mikrostruktur und Textur, der Belastung, d.h. dem Spannungszustand in den Elektroden als Überlagerung von intrinsischer Spannung und SAW-Lastspannung, der Betriebstemperatur und den Umgebungsbedingungen (Umgebungsatmosphäre). Bei extrem großen Spannungsamplituden oder Temperaturgradienten kann durch Rissbildung auch das piezoelektrische (und oft zusätzlich pyroelektrische) Substrat zerstört werden.

Weiterhin ist aus der DE 1 1 2005 002 562 T5 eine Vorrichtung zur Erregung einer akustischen Oberflächenwelle bekannt, bei der Interdigitalwandler zwischen ein piezoelektrisches und nichtpiezoelektrisches Element angeordnet werden und Vorbelastungseinrichtungen einen Druck auf das piezoelektrische Element gegen das nichtpiezoelektrische Element mit Hilfe der Interdigitalwandler aufbringen, wodurch eine mechanische Kopplung zwischen piezoelektrischem Element und Interdigitalwandlern realisiert wird.

Aus der DE 102 06 369 A1 ist eine Elektrodenstruktur mit verbesserter Leistungsverträglichkeit und ein Verfahren zu ihrer Herstellung bekannt. Danach wird zwischen ein piezoelektrisches Substrat und die Elektrodenstruktur eine mechanisch stabile Anpassungsschicht angeordnet, die eine gute Haftung aufweisen soll und aus Materialien ausgeführt sein soll, die eine geringere Materialermüdung und eine höhere Bruch-Dehngrenze aufweisen, als AI oder AI-Legierungen der bisherigen Elektrodenstrukturen.

Ebenfalls ist aus der DE 10 2008 001 000 A1 ein Schichtsystem für Elektroden bekannt, welches aus einem piezoelektrischen Substrat mit darauf befindlichen oder im Substrat eingebetteten Streifenstrukturen aus einem Kompositmaterial besteht, wobei das Kompositmaterial aus einem metallischen Matrixmaterial mit einer Einlagerungsphase aus Kohlenstoffnanostrukturen besteht. D i e A u fgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein akustisches Oberflächenwellenbauelement anzugeben, bei welchem die Degradation der IDT deutlich herabgesetzt ist und damit eine deutlich längere Lebensdauer des akustischen Oberflächenwellenbauelements erreicht wird, sowie ein einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung solcher akustischer Oberflächenwellenbauelemente anzugeben.

Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.

Das erfindungsgemäße akustische Oberflächenwellenbauelement besteht mindestens aus einem piezoelektrischen Material, Interdigitalwandlern, einem nichtpiezoelektrischen Material und elektrischen Kontaktierungen, wobei die Interdigitalwandler mindestens kraft- und/oder formschlüssig mit dem nichtpiezoelektrischen Material verbunden sind und durch sie Oberflächenwellen im piezoelektrischen Material anregbar sind, und mindestens teilweise im Bereich der Apertur der Interdigitalwandler die Interdigitalwandler vom piezoelektrischen Material mechanisch entkoppelt sind.

Das erfindungsgemäße akustische Oberflächenwellenbauelement besteht weiterhin mindestens aus einem piezoelektrischen Material, Interdigitalwandlern und elektrischen Kontaktierungen, wobei zwischen piezoelektrischem Material und Interdigitalwandlern mindestens teilweise mindestens eine dehnungsabsorbierende, elastische Schicht mindestens im Bereich der Apertur der Interdigitalwandler vorhanden ist, wobei die dehnungsabsorbierende, elastische Schicht aus einem Material mit einem niedrigeren mittleren E-Modul als dem des Materials der Interdigitalwandler besteht.

Vorteilhafterweise ist ie dehnungsabsorbierende Schicht elektrisch leitfähig.

Ebenfalls vorteilhafterweise ist das piezoelektrische Material ein flächiges Material, eine Platte, ein Wafer oder eine Schicht oder eine Beschichtung auf einer Unterlage. Weiterhin vorteilhafterweise sind die Interdigitalwandler vollständig form- und/oder kraftschlüssig mit dem nichtpiezoelektrischen Material verbunden.

Und auch vorteilhafterweise ist durch die mechanische Entkopplung zwischen Interdigitalwandlern und piezoelektrischem Material in jedem Fall gewährleistet, dass durch kapazitives Einkoppeln des elektrischen HF-Signals über die Interdigitalwandler Oberflächenwellen im piezoelektrischen Material anregbar sind.

Vorteilhaft ist es auch, wenn mindestens 50 % der Fläche, vorteilhafterweise die vollständige Fläche, der Interdigitalwandler im Bereich der Apertur der Interdigitalwandler vom piezoelektrischen Material mechanisch entkoppelt ist.

Ebenfalls vorteilhaft ist es, wenn im Bereich der Apertur das nichtpiezoelektrische Material zu m i nd estens 50 % , vorte i l hafterweise vollständig, von dem piezoelektrischen Material mechanisch entkoppelt ist.

Und auch vorteilhaft ist es, wenn die mechanische Entkopplung einen Abstand zwischen den Interdigitalwandlern und dem piezoelektrischen Material realisiert, der minimal durch die Rauheit der Oberflächen der Interdigitalwandler und des piezoelektrischen Materials und maximal durch einen Abstand von 1000 nm begrenzt ist, und dieser Abstand vorteilhafterweise 1 nm bis 500 nm, noch vorteilhafterweise 10 bis 100 nm, beträgt.

Von Vorteil ist es auch, wenn die mechanische Entkopplung von piezoelektrischem Material und Interdigitalwandler und nichtpiezoelektrischem Material mindestens teilweise im Bereich der Apertur der Interdigitalwandler durch Einbettung der Interdigitalwandler mindestens teilweise im Bereich der Apertur in das nichtpiezoelektrische Material bis unterhalb der Oberfläche des nichtpiezoelektrischen Materiales realisiert ist.

Weiterhin von Vorteil ist es, wenn die elastische Schicht aus einem Material besteht, dessen mittlerer E-Modul maximal halb so groß ist, wie der mittlere E-Modul des Materials der Interdigitalwandler. Und auch von Vorteil ist es, wenn die dehnungsabsorbierende, vorteilhafterweise elektrisch leitfähige, Schicht aus einem metallischen Material, wie Aluminium, Zinn oder Gold, oder aus einem Polymer, wie Polystyrol, Polycarbonat oder einem Fotolack, besteht.

E s i st a u c h vo rte i l h aft , we n n d i e mindestens dehnungsabsorbierende, vorteilhafterweise elektrisch leitfähige, Schicht stängelförmige oder kugelförmige Nanopartikeln enthält.

Und auch vorteilhaft ist es, wenn die mindestens dehnungsabsorbierende, vorteilhafterweise elektrisch leitfähige, Schicht zwischen den Interdigitalwandlern und dem piezoelektrischen Material als durchgehende Schicht, als strukturierte Schicht oder als teilweise Beschichtung vorhanden ist.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenbauelementes werden auf ein nichtpiezoelektrisches Material Interdigitalwandler aufgebracht und mit dem nichtpiezoelektrischen Material form- und/oder kraftschlüssig verbunden, die Interdigitalwandler elektrisch kontaktiert und nachfolgend das piezoelektrische Material mindestens teilweise in Kontakt mit mindestens dem nichtpiezoelektrischen Material gebracht.

Ebenfalls wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenbauelementes auf ein piezoelektrisches Material mindestens im Bereich der Apertur eine Opferschicht aufgebracht, danach eine Schicht zur Realisierung der Interdigitalwandler aufgebracht und strukturiert und danach eine nichtpiezoelektrische Schicht aufgebracht und strukturiert und danach die Opferschicht mindestens teilweise entfernt.

Vorteilhafterweise werden auf ein nichtpiezoelektrisches Material Interdigitalwandler mit Zwischenschichten und/oder Deckschichten aufgebracht.

Weiterhin vorteilhafterweise werden die Zwischenschicht oder Zwischenschichten mittels Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition), Gasphasensilanisierung, m ittels Oxidation od er N itrieru ng oder Ka rbid bi ld u ng u nd nachfolgend er Wärmebehandlung der Interdigitalwandler in sauerstoffhaltiger oder stickstoffhaltiger oder kohlenstoffhaltiger Atmosphäre aufgebracht.

Ebenfalls vorteilhafterweise wi rd e i n e Opferschicht aufgebracht, die aus einem organischen Material (Photolack) oder einem metallischem Material besteht.

Und auch vorteilhafterweise wird die Opferschicht mittels selektiven Trockenätzens oder nasschemischen Ätzens oder mittels Lösungsmittelbehandlung mindestens teilweise, vorzugsweise vollständig, entfernt.

Vorteilhaft ist es auch, wenn nichtpiezoelektrische Schichten aufgebracht werden, die aus S1O2 oder AI2O3 oder Si3N ₄ bestehen.

M i t d e r e rfindungsgemäßen Lösung ist es erstmals möglich akustische Oberflächenwellenbauelemente anzugeben, bei welchen die Degradation der Interdigitalwandler (IDT) deutlich herabgesetzt und die Lebensdauer der Bauelemente deutlich verlängert ist, ohne eine Optimierung der verwendeten Materialien vornehmen zu müssen. Dies wird im Wesentlichen erreicht, indem mindestens im Bereich der Apertur der IDT mindestens teilweise eine mechanische Entkopplung zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material realisiert wird. Diese mechanische Entkopplung kann beispielsweise durch Realisierung eines Abstandes zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material mindestens im Bereich der Apertur der IDT erreicht werden, aber auch durch Aufbringen einer mindestens elastischen Schicht, vorteilhafterweise mit niedrigem E-Modul, in diesem Bereich zwischen IDT und piezoelektrischem Material .

Ein solcher Abstand kann beispielsweise durch Aufbringen von einer oder mehreren Schichten zwischen IDT und piezoelektrischem Material realisiert werden, wobei die Schichten zur Herstellung des Abstands nur außerhalb des Bereiches der Apertur aufgebracht werden. Diese Schichten dienen dabei als Abstandshalter außerhalb der Apertur der IDT.

Ebenso können auch die Schicht oder Schichten im Bereich der Apertur entweder mit geringeren Schichtd icken aufgebracht werden oder d ie Schicht oder Sch ichten werden in diesem Bereich ganz oder teilweise am Ende des Prozesses wieder entfernt.

Weiterhin kann der Abstand auch dadurch realisiert werden, dass die IDT in ein nichtpiezoelektrisches Material formschlüssig und unter Beibehaltung mindestens einer freien Oberfläche eingebettet werden, wobei die freie Oberfläche oder Oberflächen der IDT in der Vertiefung unterhalb der Oberfläche des nichtpiezoelektrischen Materiales angeordnet wird. Damit bildet mindestens die Abstandsdifferenz, welche sich zwischen freier Oberfläche des IDT und Oberfläche des nichtpiezoelektrischen Materials ergibt, denjenigen Abstand, der die mechanische Entkopplung realisiert.

Zwingende Voraussetzung für das erfindungsgemäße akustische Oberflächenwellenbauelement ist, dass der Abstand zwischen IDT und piezoelektrischem Material nicht so groß ist, dass eine Anregung der akustischen Oberflächenwellen nicht mehr erreicht wird. Dies ist im Allgemeinen bei einem Abstand zwischen IDT und piezoelektrischem Material von mehr als 1000 nm der Fall, so dass größere Abstände nicht mehr zu einer sicheren Arbeitsweise des Bauelementes führen.

Die Degradation der IDT infolge Mikrorissbildung oder Loch- und Hügelbildung in SAW-Bauelementen bei hohen HF-Leistungen und folglich hohen SAW-Amplituden wird erfindungsgemäß dadurch deutlich verringert, dass der starre mechanische Verbund zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material aufgelöst wird und so die Übertragung der lokalen zeitabhängigen mechanischen Dehnung der Materialoberfläche auf die IDT unterdrückt oder vollständig verhindert wird.

Eine sichere Funktion als SAW-Bauelement wird bei mechanischer Entkopplung zwischen IDT und piezoelektrischer Materialoberfläche erfindungsgemäß durch das kapazitive Einkoppeln des elektrischen HF-Signals von den mechanisch entkoppelten IDT einerseits und durch die zeitliche Stabilität (auch während des Betriebs) der geometrischen und mechanischen Eigenschaften des IDT andererseits gewährleistet. Der minimale Abstand zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material kann erfindungsgemäß durch die Rauheit der Oberflächen von IDT und piezoelektrischem Material bestimmt werden, wobei in diesem Fall der IDT in direktem elektrischen Kontakt zum piezoelektrischen Material steht. Er beträgt vorteilhafterweise aber 1 nm bis mehrere 10 nm, jedoch maximal 1000 nm. In jedem Fall soll eine maximale mechanische Entkopplung zwischen IDT und piezoelektrischem Material einerseits und eine maximale Einkopplung des elektrischen Feldes in das piezoelektrische Material ohne Degradation des Materials der IDT andererseits erreicht werden, so dass die gewünschte Frequenzcharakteristik trotz des Abstandes zwischen IDT und piezoelektrischem Material bestmöglich angeregt werden kann.

Das piezoelektrische Material ist vorteilhafterweise ein flächiges Material, eine Platte, ein Wafer oder eine Schicht oder eine Beschichtung auf einer Unterlage. Dies kann beispielsweise ein Einkristallwafer oder eine einkristalline Schicht sein, die auf einem nichtpiezoelektrischen Material abgeschieden werden kann, oder es kann ein polykristallines, piezoelektrisches Schichtmaterial auf einem nichtpiezoelektrischen Material sein.

Als piezoelektrische und nichtpiezoelektrische Materialien sowie als Materialien für die IDT oder für die Kontaktierungen können alle Materialien eingesetzt werden, die nach dem Stand der Technik für derartige akustische Oberflächenwellenbauelemente bekannt sind, wie z.B. LiNbO ₃ , LiTaO ₃ , Quarz, AIN, AI, Au, Cu, Pt, Ru u.a.

Für die Realisierung der mechanischen Entkopplung zwischen IDT und piezoelektrischem Material bestehen mehrere Möglichkeiten.

Erfindungsgemäß können dazu die IDT auf ein nichtpiezoelektrisches, elektrisch isolierendes oder elektrisch gering leitfähiges (z.B. halbleitendes) Material aufgebracht und dieses mit derjenigen Oberfläche, auf welcher die IDT angeordnet sind, auf die Oberfläche des piezoelektrischen Materials aufgelegt werden. Die Fixierung des nichtpiezoelektrischen Materials mit den IDT auf dem piezoelektrischen Material kann über chemisch-physikalische Kräfte, z.B. durch Waferbonden, realisiert werden, wobei haftvermittelnde Zwischen- und Deckschichten, wie z.B. S1O ₂ , Klebstoffe, Fotolacke, Metallschichten usw. zum Einsatz kommen können. In diesem Fall wird der Abstand zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material durch die Rauheit der Oberflächen von IDT und diesem Material bestimmt, wobei im Falle des Vorhandenseins von haftverm ittelnden Zwischen- und Deckschichten diese berücksichtigt werden müssen.

Es ist aber auch möglich, zur Einstellung eines Abstandes zwischen IDT und piezoelektrischem Material separate Abstandselemente vorteilhafterweise aus strukturierten Dünnschichten einzufügen, die vorzugsweise außerhalb der Apertur der IDT angeordnet sind und mittels Planartechnik aufgebracht werden können, wodurch eine präzise Einstellung des Abstandes zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material bis in den Sub-nm-Bereich möglich ist.

Ebenso ist es möglich, dass zwischen die IDT und das piezoelektrische Material eine oder mehrere Schichten aufgebracht werden, die mindestens im Bereich der Apertur eine geringere Schichtdicke als außerhalb der Apertur aufweisen und dadurch den Abstand zur mechanischen Entkopplung realisieren.

Weiterhin ist es möglich, Opferschichten, wie z.B. Fotolack oder Metallschichten, zwischen dem piezoelektrischen Material und den IDT, vorzugsweise innerhalb der Apertur, anzuordnen, die im Verlaufe des technologischen Herstellungsprozesses wieder entfernt werden. Die mechanische Fixierung der IDT kann durch eine mechanisch stabile und elektrisch isolierende Deckschicht, z.B. aus SiO _x , Si3N , AI2O3, erfolgen. Durch anschließendes, selektives Herauslösen der Opferschicht wird zwischen den IDT und dem piezoelektrischen Material ein Abstand erzeugt. Weiterhin kann es vorteilhaft sein, die Abmessungen der Opferschicht in Richtung der akustischen Wellenausbreitung über die IDT-Abmessungen hinaus zu erweitern.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung kann erfindungsgemäß auch gelöst werden du rch d ie Real isieru ng m indestens einer - möglichst elektrisch leitfähigen - dehnungsabsorbierenden Schicht zwischen dem piezoelektrischen Material und den Interdigitalwandlern. Diese Schicht oder Schichten nehmen die durch die akustischen Oberflächenwellen ausgelöste Dehnung des piezoelektrischen Materials auf und absorbieren sie möglichst vollständig, so dass möglichst keine Dehnung mehr auf das Material der Interdigitalwandler übertragen wird. Vorteilhafterweise wird dies durch eine oder mehrere Schichten erreicht, die elastisch sind und im Vergleich zum Material der IDT einen signifikant niedrigeren E-Modul haben. Diese Schicht oder Schichten sind mindestens im Bereich der Apertur der Interdigitalwandler angeordnet und können dort auch nur teilweise vorhanden sein. So kann beispielsweise diese elektrisch leitfähige, dehnungsabsorbierende Schicht nur unter dem Bereich der Interdigitalwandler vollständig oder auch nur teilweise, beispielsweise säulenförmig, angeordnet sein.

Dabei ist eine gute Haftung dieser Schicht oder Schichten zum piezoelektrischen Material und zum Material der IDT vorteilhaft, aber in Verbindung mit einer mechanisch stabilen und elektrisch isolierenden Deckschicht nicht zwingend erforderlich.

Nachfolgend wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Dabei zeigen

Fig. 1 eine prinzipielle Darstellung der mechanischen Entkopplung von IDT und piezoelektrischem Material mittels separater Abstandshalter außerhalb der Apertur

Fig. 2 eine prinzipielle Darstellung der mechanischen Entkopplung von IDT und durch Einbetten der IDT in das nichtpiezoelektrische Material, wobei die Oberfläche der IDT unterhalb der Oberfläche des nichtpiezoelektrischen Materials liegt

Fig. 3 eine prinzipielle Darstellung der mechanischen Entkopplung von IDT und piezoelektrischem Material mittels einer vor der Strukturierung der IDT im Bereich der Apertur auf das piezoelektrische Material aufgebrachten Opferschicht, welche nach der Strukturierung des IDT und dessen Stabilisierung durch Aufbringen einer nichtpiezoelektrischen isolierenden Schicht wieder entfernt wird. Beispiel 1

Das Beispiel betrifft die Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenbauelements in Form einer Verzögerungsstrecke aus zwei in einem Abstand von 0.5 mm angeordneten IDT.

Eine 400 nm dicke Schicht aus einer AI(Cu)-Legierung mit einer 5 nm dicken Ti- Schicht werden auf einem nichtpiezoelektrischen Material 3 ((100)Si-Wafer mit einer amorphen und elektrisch isolierenden 3 μιτι dicken SiO ₂ -Schicht darauf) und darauf einer Lackmaske für zwei gleichartige IDT (je 0.25 mm x 1 mm, 0.2 mm Apertur) und den zugehörigen Kontaktflächen (1 mm x 1 mm), die im Abstand von 0.5 mm zueinander angeordnet sind, mittels Elektronenstrahlverdampfens abgeschieden. Nachfolgend wird mittels Lift-Off-Technik die Lackmaske mit der darauf befindlichen Metallschicht entfernt, so dass zwei strukturierte IDT mit Kontaktflächen 1 vorliegen. Anschließend wird mit Hilfe eines ALD-Prozesses eine 5 nm dicke AI ₂ O3-Schicht als Deckschicht 2 ganzflächig abgeschieden. Danach wird eine weitere Lackmaske für die Abstandshalter 5 aufgebracht und eine weitere AI(Cu)-Schicht (gleiches Schichtmaterial wie bei den IDT mit Kontaktflächen 1 ) abgeschieden, deren Dicke um 10 nm die Dicke der IDT mit Kontaktflächen 1 (405 nm) übersteigt, und über die Lift- Off-Technik prozessiert. Die so erzeugten Abstandhalter 5 haben einen lateralen Abstand zur Apertur der IDT mit Kontaktflächen 1 von 10 μιτι in Richtung der Längsachse der Finger und Abmessungen von 10 μιτι x 10 μιτι. Sie sind direkt seitlich neben den IDT mit Kontaktflächen 1 in einem Abstand von 10 μιτι angeordnet. Die Höhe der Abstandshalter 5 beträgt somit 415 nm. Nach dieser Prozessierung wird ein piezoelektrisches Material 4 in Form einer ebenen Platte aus einem doppelseitig polierten piezoelektrischen LiNbOs-Einkristallwafermaterial aufgebracht, wobei die Abmessungen des plattenförmigen piezoelektrischen Materials 4 so gewählt sind, dass das plattenförmige piezoelektrische Material 4 die Abstandshalter 5 überdeckt, die Kontaktflächen des IDT mit Kontaktflächen 1 jedoch über die seitlichen Abmessungen des piezoelektrischen Materials 4 um 0.2 mm hinausragen und das piezoelektrische Material 4 über beide IDT mit Kontaktfläche 1 um je 100 μιτι hinausragt. In diesem Beispiel betragen die Abmessungen des plattenförmigen piezoelektrischen Materials 4 folglich 1 .25 mm quer zur Ausbreitungsrichtung und 2.7 mm in Ausbreitungsrichtung der akustischen Welle. Die nicht überdeckten Kontaktflächen beider IDT mit Kontaktflächen 1 betragen 0.5 mm x 1 mm. Die Abstandshalter 5 stehen somit im direkten Kontakt mit einer der polierten Oberflächen des piezoelektrischen Materials 4. Die Kontaktierung der IDT mit Kontaktflächen 1 erfolgt über die, seitlich über das piezoelektrische Material 4 hinausragenden, Kontaktflächen mittels Drahtbondens. Somit ist im Bereich der Apertur ein Abstand zwischen den IDT mit Kontaktflächen 1 und dem piezoelektrischen Material 4 von 10 nm und damit eine mechanische Entkopplung realisiert.

Die Degradation des Materials des IDT mit Kontaktflächen 1 ist in diesem Beispiel, verglichen mit bezüglich des piezoelektrischen Materials mechanisch nicht entkoppelten IDT, um den Faktor 6 herabgesetzt. Damit weist das Oberflächenwellenbauelement eine deutlich längere Lebensdauer auf.

Beispiel 2

Das Beispiel betrifft die Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenbauelements in Form einer Verzögerungsstrecke aus zwei in einem Abstand von 0.5 mm angeordneten IDT.

An der Oberfläche eines nichtpiezoelektrisches Material 3 ((100)Si-Wafer mit einer durch thermische Oxidation hergestellten Siliziumdioxidschicht mit einer Dicke von 3 μιτι) werden Gräben mithilfe des reaktiven lonenätzens (Reactive Ion Etching, RIE) in der lateralen Geometrie der zu realisierenden Interdigitalwandler mit Kontaktflächen 1 (je 0.25 mm x 1 mm, 0.2 mm Apertur) und den zugehörigen Kontaktflächen (1 mm x 1 mm), die im Abstand von 0.5 mm zueinander angeordnet sind, und einer Tiefe von 600 nm geätzt. Danach werden jeweils mittels Magnetronsputterns eine 10 nm dicke Ta-Si-N Diffusionsbarriereschicht und darauf eine 50 nm dicke Keimschicht aus Kupfer aufgebracht, und dann durch Elektroplating eine 1 μιτι dicke Cu-Schicht unter Verwendung eines Cu-haltigen Elektrolyten abgeschieden. Anschließend wird das Kupfer zwischen den Gräben mittels chemisch-mechanischen Polierens (Cu-Slurry 1 ) zunächst bis zur Ta-Si-N-Oberfläche abpoliert. Mit einem daran anschließenden Polierschritt (Slurry 2) wird die Ta-Si-N-Schicht vollständig sowie die S1O2- Schichtdicke und die Cu-Schichtdicke teilweise in den Fingerzwischenräumen der IDT mit Kontaktflächen 1 vorwiegend mechanisch-abrasiv soweit abgetragen, bis die Cu-Gesamtschichtdicke 410 nm beträgt. Im Folgenden wird dann durch selektives nasschemisches Ätzen nur das Cu um weitere 10 nm abgedünnt, sodass die IDT mit Kontaktflächen 1 um diese 10 nm tiefer liegen im Vergleich zur Oberfläche des nichtpiezoelektnschen Matenals 3. Auf die Oberfläche des nichtpiezoelektrischen Materials 3 wird dann ein piezoelektrisches Material 4 in Form einer dünnen polierten Platte (LiNbO ₃ -Einkristallwafer) in den Abmessungen 1 .25 mm x 2.7 mm x 0.18 mm) mit der polierten Seite auf das nichtpiezoelektrische Material 3 aufgelegt und mittels Waferbondens fest miteinander verbunden. Der Abstand zwischen den IDT mit Kontaktflächen 1 in den Gräben des nichtpiezoelektrischen Materials 3 und der Oberfläche des piezoelektrischen Materials 4 beträgt nunmehr 10 nm und realisiert die mechanische Entkopplung. Die Degradation des Materials des IDT mit Kontaktflächen 1 ist in diesem Beispiel, verglichen mit bezüglich des piezoelektrischen Materials mechanisch nicht entkoppelten IDT, um den Faktor 5 herabgesetzt. Damit weist das Oberflächenwellenbauelement eine deutlich längere Lebensdauer auf.

Beispiel 3

Das Beispiel betrifft die Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenbauelements in Form eines Aktors aus einem bidirektional abstrahlenden IDT.

Auf einem piezoelektrisches Material 4 (LiNbO3-Einkristallwafer) wird eine 1 00 nm dicke Schicht (Opferschicht 7) aus SU-8 Fotolack aufgesch leudert u nd fotolithografisch so strukturiert, dass nur der Bereich von 3 mm x 0.25 mm zwischen den Kontaktflächen des IDT mit Kontaktflächen 1 (Abmessungen (2.25 mm x 1 mm, 0.2 mm Apertur), d.h. der Bereich der Apertur von 0.2 mm und der Bereich von je 0,025 μιτι der nichtüberlappenden Fingerelektroden an jeder Seite in Richtung der Kontaktflächen mit der Opferschicht 7 bedeckt sind. In SAW-Ausbreitungsrichtung ist die Schicht folglich nach beiden Seiten des IDT mit Kontaktflächen 1 jeweils um 1 mm breiter als der IDT mit Kontaktflächen 1 . Danach wird eine Lackmaske für den IDT mit Kontaktflächen 1 aufgebracht und anschließend eine 5 nm dicke Ti sowie eine 350 nm dicke AI-Schicht mittels Elektronenstrahlverdampfung abgeschieden. Durch einen anschließenden Lift-Off-Prozess wird daraus der IDT mit Kontaktflächen 1 strukturiert. Im Anschluss daran wird eine 2 μιτι dicke nichtpiezoelektrische Schicht 8 (SiO _x ) zur mechanischen Stabilisierung des IDT mit Kontaktflächen 1 aufgesputtert (Magnetronsputtern bei T<95°C), d ie einen E-Mod u l > 72 G Pa hat . I n d iese nichtpiezoelektrische Schicht 8 werden durch selektives nasschemisches Ätzen rechteckförmige Aussparungen in den Abmessungen 0.25 μιτι x 0.25 μιτι an jeder Seite des IDT des IDT mit Kontaktflächen 1 erzeugt. Über einen nasschemischen Prozessschritt wird mit einem organischen Lösungsmittel (SU-8 Entwickler) die Opferschicht 7 herausgelöst, wodurch eine mechanische Entkopplung von piezoelektrischem Material 4 und IDT mit Kontaktflächen 1 sowie piezoelektrischem Material 4 und nichtpiezoelektrischer Schicht 8 im Bereich des IDT mit Kontaktflächen 1 erfolgt. Die mechanische Stabilität (Formstabilität) des IDT mit Kontaktflächen 1 wird durch die form- und kraftschlüssige Verbindung von IDT und nichtpiezoelektrischer Schicht 8 erreicht.

Die Degradation des Materials des IDT mit Kontaktflächen 1 ist in diesem Beispiel, verglichen mit bezüglich des piezoelektrischen Materials mechanisch nicht entkoppelten IDT, um den Faktor 7 herabgesetzt. Damit weist das Oberflächenwellenbauelement eine deutlich längere Lebensdauer auf.

Bezugszeichenliste

1 : Interdigitalwandler mit Kontaktflächen

2: Deckschicht

3: Nichtpiezoelektrisches Material

4: Piezoelektrisches Material

5: Abstandshalter

6: Dominante SAW-Ausbreitungsrichtung

7: Opferschicht oder Leerraum nach deren Herauslösen

8: Nichtpiezoelektrische Schicht