以下、図面を参照して、本発明の実施形� ��における伝送装置について説明する。なお� ��以下に述べる実施形態の構成は例示であり� ��本発明は以下の実施形態の構成に限定され� ��ものではない。

 〔装置構成〕
 本実施形態における伝送装置は、図1に示す ような帯域制御部1、制御部35、及びスイッチ 部(図示せず)等により構成される。図1は、実 施形態における伝送装置の外部インタフェー ス部にあたる帯域制御部1及び制御部35の機能 構成を示すブロック図である。図1に示され� �帯域制御部1が本発明の帯域制御回路に相当� ��、制御部35が本発明の温度補償回路に相当� �る。以下、本実施形態の伝送装置の帯域制� �部1及び制御部35について図1を用いて説明す� ��。本発明は、伝送装置の帯域制御部及び制� ��部以外を限定するものではないため、ここ� ��は説明を省略する。

 〈帯域制御部〉
 帯域制御部1は、図9に示した従来の帯域制� �部100の機能構成に加えて、センサ31及び32を� ��える。センサ31及び32以外の機能部について は、背景技術の項で説明したものと異なる機 能部のみここでは説明するものとする。

 帯域制御部1は、本実施形態における伝送 装置が複数の入出力ポートを持つ場合には、 例えば、物理層入力部10、物理層出力部18、MA C部11及び16は、それぞれポート毎に設けられ� ��その他の機能部については収容され得るハ� ��ドウェア基板毎にそれぞれ設けられるよう� ��構成される。なお、その他の機能部につい� ��は複数の入出力ポートについて1つ設けられ るようにしてもよい。

 更に詳細のハードウェア構成として、帯� ��制御部1は、例えば、物理層入力部10、物理� ��出力部18、MAC部11及ぶ16がそれぞれ1つずつの チップ(回路)で実現され、分類部12、ポリサ� �13及び転送部14がまとめて1つのチップ25で実� ��され、キューアクセス部15、学習部17及びス ケジューラ19がまとめて1つのチップ26で実現� ��れ、MACテーブル20及びキュー21はDRAM(Dynamic R andom Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory )、TCAM等のメモリで実現される。なお、本発� ��は、このようなハードウェア構成を限定す� ��ものではない。

 本実施形態では、キュー21のメモリ容量� �、CIRを補償しかつEIRも滞留させ得る容量に� �計される。キューアクセス部15は、このキュ ー21のメモリ容量を調整するための廃棄スレ� ��ュホールドA及びBを管理する。廃棄スレシ� �ホールドAは、固定値としてCIRを補償し得る� ��モリ容量に設定される。廃棄スレシュホー� ��ドBは、初期値(通常動作温度での値)として� ��CIR及びEIRを補償し得るメモリ容量に設定さ� ��る。廃棄スレシュホールドA及びBはそれぞ� �予め調整可能にキューアクセス部15に設定さ れ、廃棄スレシュホールドBは制御部35の指示 により設定変更される。

 キュー21は、電源供給をそれぞれ制御し� �る複数のメモリ媒体に格納される。この場� �には、上記廃棄スレシュホールドA及びBに応 じて各メモリ媒体への電源供給が制御部35に� ��り制御される。例えば、キュー21が1個512メ� ��ビット(Mbit)容量を持つメモリ媒体(例えばDRA M)10個で実現される場合を想定する。この場� �には、廃棄スレシュホールドAはメモリ媒体2 個分を示し、廃棄スレシュホールドBは廃棄� �レシュホールドAを実現する2個のメモリ媒体 とその他の6個のメモリ媒体とを示す。廃棄� �レシュホールドBは、対象のメモリ媒体のう� ��電源供給されるメモリ媒体の数によって変� ��される。

 スケジューラ19は、キューアクセス部15に 指示することにより、通常動作温度時に、こ の廃棄スレッシュホールドBを超えた、すな� �ちEIRを超えたクラスB若しくはクラスCのフレ ームを廃棄する。

 MACテーブル20は、TCAMに格納される。転送� ��14は、MACアドレスを検索する際には、検索� �象のMACアドレスをTCAMに送り、更に検索コマ� ��ドを送る。TCAMは、検索したいMACアドレス及 び検索コマンドを受け取ると、そのMACアドレ スに関連する全ての情報(例えば宛先ポート)� ��格納されているメモリアドレスを一斉に検� ��する。転送部14は、TCAMから出力されるアド� ��スにより所定の情報を取得する。

 TCAMは、バンク単位で一斉に並行にアドレ ス検索を行うため、検索対象のメモリ容量が 多いと消費電力が飛躍的に大きくなる。これ により、TCAMは、メモリ容量が多いと発熱量� �大きくなる傾向にある。

 〈センサ〉
 センサ31及び32は、帯域制御部1の回路上若� �くはその周辺に設置され、設置された部位� �温度を検出する。本発明は、帯域制御部1の� ��度を検出するセンサの数及び位置を限定す� ��ものではない。1つのセンサが帯域制御部1� �温度を検出するように設置されていてもよ� �し、複数のセンサが帯域制御部1内の所定の� ��置に設置されるようにしてもよい。本実施� ��態では動作温度補償の対象となる機能部の� ��作温度を直接的に把握するために各センサ3 1及び32を以下のように配置する。

 センサ31は、MACテーブル20を格納するTCAM� �温度を検出可能な位置に設置され、センサ32 は、キュー21へアクセスする機能部及びキュ� ��21から取り出されたフレームを処理する機� �部として、キューアクセス部15、学習部17及� ��スケジューラ19を実現する回路26の温度を検 出可能な位置に設置される。

 センサ31及び32は、例えば熱電対やサーミ スタで実現される。センサ31及び32は、接触� �センサであってもよいし、非接触式センサ� �あってもよい。本発明は、このセンサの構� �を限定するものではない。センサ31及び32で� ��出された温度は、制御部35に送られる。セ� �サ31及び32と制御部35とは、センサの構成に� �じて所定の信号線により接続される。

 〈制御部〉
 制御部35は、CPU(Central Processing Unit)、メモ� �等で構成される。制御部35は、メモリに記憶 された制御プログラムをCPUで実行することに より、帯域制御部1を含めた伝送装置内全体� �監視及び制御を行う。制御部35の機能のうち 本発明に関連する機能として温度補償制御が ある。

 この温度補償制御は、帯域制御部1内の所 定の機能部を実現する回路の消費電力を制御 することによりその回路の発熱量を制御する ものである。この温度補償制御には、キュー 21に格納されるフレームに関し処理を行う各� ��能部(キューアクセス部15、学習部17及びス� �ジューラ19等)を実現する回路26の動作温度を 補償する制御(以降、第一温度補償制御と表� �する)と、MACテーブル20を格納するTCAMの動作� ��度を補償する制御(以降、第二温度補償制御 と表記する)とが含まれる。本実施形態では� �キュー21に格納されるフレームに関し処理を 行う機能部としてキューアクセス部15、学習� ��17及びスケジューラ19を例に挙げたが、装置 構成に応じて他の機能部が含まれていてもよ い。

 制御部35は、センサ31及び32から送られる� ��力信号に基づいて、MACテーブル20を格納す� �TCAMの温度、キューアクセス部15、学習部17及 びスケジューラ19を実現する回路26の温度を� �れぞれ測定している。制御部35は、センサ31� ��より検出された温度に基づいて、第二温度� ��償制御を実行する。制御部35は、センサ32に より検出された温度に基づいて、第一温度補 償制御を実行する。以下、制御部35による各� ��度補償制御についてそれぞれ説明する。な� ��、制御部35は、第一温度補償制御及び第二� �度補償制御のいずれか一方のみを実行する� �うにしてもよい。

 〈〈第一温度補償制御〉〉
 まず、制御部35による第一温度補償制御に� �いて図2を用いて説明する。図2は、第一温度 補償制御の概念を示す図である。

 制御部35は、回路26の測定温度が所定の閾 値温度を超えた場合に、この測定温度に応じ て、キュー21の容量が低減する方向に廃棄ス� ��シュホールドBの設定値を変更する。制御部 35は、変更された廃棄スレシュホールドBをキ ューアクセス部15へ設定し、この変更された� ��定値に応じてキュー21を格納するメモリ媒� �への電源供給を制御する。これにより、以� �、スケジューラ19は、変更された廃棄スレシ ュホールドBに基づいてこの廃棄スレシュホ� �ルドBを超えたEIRフレームを廃棄するように� ��キューアクセス部15に指示する。

 キュー21に格納されるデータ容量が減れ� �、キュー21に格納されるフレームに関し処理 を行う各機能部(キューアクセス部15、学習部 17及びスケジューラ19等)の処理量が減る。こ� ��ら各機能部の処理量が減れば、これら各機� ��部を実現する回路26の消費電力が低減する� �これら各機能部を実現する回路26の消費電力 が低減すれば、回路26の発熱量を抑えること� ��できる。

 更に、キュー21に格納されるデータ容量� �減らすことができれば、キュー21を格納する メモリ媒体の消費電力を削減することができ る。例えば、キュー21がメモリ媒体10個に格� �されており、廃棄スレシュホールドAの容量� ��2個のメモリ媒体Aで実現され、廃棄スレシ� �ホールドBの容量が6個のメモリ媒体Bで実現� �れている場合を想定する。この場合には、� �御部35は、廃棄スレシュホールドBの設定値� �応じて各メモリ媒体への電源供給を徐々に� �止させる。

 従って、第一温度補償制御によれば、動� ��補償温度を超えないように回路26の消費電� �が制御されるため、回路26の動作温度を補償 することができる。更に、キュー21を格納す� ��メモリ媒体の消費電力も併せて制御される� ��め、キュー21を格納するメモリの動作温度� �ついても補償することができる。

 〈〈第二温度補償制御〉〉
 次に、制御部35による第二温度補償制御に� �いて図3を用いて説明する。図3は、第二温度 補償制御の概念を示す図である。

 INGRESS部の転送部14は、入力されたフレー� ��に設定されているMACアドレスに基づくフレ� ��ムの転送制御を行う。転送部14は、入力さ� �たフレームに関しMAC部11により検出された送 信元MACアドレスをMACテーブル20に登録し、MAC� ��11により検出された宛先MACアドレスに基づ� �てMACテーブル20を検索し、入力フレームの転 送先となる出力ポートに関する情報を得る。

 MACテーブル20は、例えば図3に示すようなT CAM41に格納される。TCAM41は、通常、図3に示す ように、所定の容量単位に電源端子を持ち、 所定の容量単位に電源の入り切りを制御する ことができるようになっている。図3の例に� �るTCAM41は、自身のメモリ容量をバンク単位� �電源制御することができるように構成され� �いる。

 制御部35は、回路25の測定温度が所定の閾 値温度を超えた場合に、この測定温度に応じ て、MACテーブル20のアドレス容量が低減する� ��うにTCAM41へ供給される電源を制御する。す� ��わち、制御部35は、当該測定温度が高くな� �程、電源が供給されるバンクが少なくなる� �うに、TCAM41へ供給される電源を減らしてい� �。

 TCAM41へ供給される電源が減らされMACテー� ��ル20のアドレス容量が低減すると、MACテー� �ル20に登録されるMACアドレスの数が減る。こ れにより、MACテーブル20を検索するTCAM41の検� ��処理量が減る。これにより、TCAM41の消費電� ��が低減する。TCAM41の消費電力が低減すれば� ��これら回路の発熱量を抑えることができる� ��

 従って、第二温度補償制御によれば、動� ��補償温度を超えないようにTCAM41の電源制御� ��行われるため、TCAM41の動作温度を補償する� ��とができる。

 〔動作例〕
 以下、本実施形態における伝送装置の動作� ��として、上述の制御部35による第一温度補� �制御及び第二温度補償制御、並びにこれら� �御に関わる帯域制御部1内の各機能部の動作� ��ついて説明する。なお、第一温度補償制御� ��び第二温度補償制御はそれぞれ同時に実行� ��れてもよいが、説明を分かりやすくするた� ��に、以下にはそれぞれ分けて動作例を説明� ��るものとする。

 〈第一温度補償制御〉
 まず、制御部35による第一温度補償制御に� �いて図4、5及び6を用いて説明する。図4は、� ��一温度補償制御の動作例を示すフローチャ� ��トである。図5は、第一温度補償制御の第一 例を示す図である。図6は、第一温度補償制� �の第二例を示す図である。

 本実施形態の帯域制御部1を構成する各回 路がそれぞれ通常動作温度時には、分類部12� ��INGRESS部へ入力されたフレーム信号のサービ スクラスを判定し、ポリサ部13等がこのサー� ��スクラスに基づくフロー制御を実行してい� ��。INGRESS部で輻輳を調整し切れない場合に、 EGRESS部においてキューアクセス部15の処理に� ��りキュー21に入力フレームが一時滞留され� �。スケジューラ19は、最低でもCIRを補償する ように、このキュー21に格納されているフレ� ��ムをMAC部16へ出力する。

 制御部35は、回路26の温度を測定している (S401)。

 制御部35は、この測定温度が所定の閾値� �度を超えているか否かを判断する(S402)。制� �部35は、この測定温度が所定の閾値温度を超 えていると判断した場合に(S402;YES)、廃棄ス� �シュホールドBの設定値が廃棄スレシュホー� ��ドAの設定値と同じ値(若しくは近似する値)� ��なっているか否かを判断する(S403)。制御部3 5は、廃棄スレシュホールドBの設定値が廃棄� ��レシュホールドAの設定値と同じ値(若しく� �近似する値)となっていると判断すると(S403;Y ES)、そのまま廃棄スレシュホールドBの設定� �を変更せず処理を終了する。

 制御部35は、廃棄スレシュホールドBの設� ��値が廃棄スレシュホールドAの設定値と同じ 値(若しくは近似する値)となっていない、す� ��わち、廃棄スレシュホールドBの設定値が廃 棄スレシュホールドAの設定値より大きい値� �なっていると判断すると(S403;NO)、この測定� �度に応じてキュー21の廃棄スレシュホールド Bの設定値を変更する(S404)。具体的には、測� �温度が所定の閾値温度を超えており前回の� �定温度よりも更に上昇していると判断され� �場合には、制御部35は、この測定温度に応じ てキュー21の容量が低減する方向に廃棄スレ� ��ュホールドBの設定値を変更する。逆に、測 定温度が所定の閾値温度を超えているが前回 の測定温度よりも下降したと判断された場合 には、制御部35は、この測定温度に応じてキ� ��ー21の容量が増加する方向に廃棄スレシュ� �ールドBの設定値を変更する。

 一方、制御部35は、測定温度が所定の閾� �温度を超えていないと判断した場合には(S402 ;NO)、廃棄スレシュホールドBの設定値を初期� ��、すなわち、最低CIRを補償しかつEIRも滞留� ��せ得る容量を示す値に設定する(S405)。

 すなわち、制御部35は、キューアクセス� �15、学習部17及びスケジューラ19等の処理温� �が高くなる程、EIRフレームの廃棄量が多く� �るように制御する。EIRフレームの廃棄量が� �くなれば、処理されるべきフレーム量が低� �されるため、各機能部の処理量も低減する� �

 しかしながら、CIRは補償されなければな� ��ないため、制御部35は、廃棄スレシュホー� �ドAの設定値より少なくならないように、廃� ��スレシュホールドBの設定値を変更する(S403� ��びS404の処理)。言い換えれば、制御部35は、 キュー21に格納されるフレームに関し処理を� ��う各機能部の測定温度がそれらを実現する� ��路26の動作補償温度になるときに、廃棄ス� �シュホールドBの設定値が廃棄スレシュホー� ��ドAの設定値と同じになるように廃棄スレシ ュホールドBの設定値を変更する。なお、制� �部35は、センサ32の反応速度等に応じて動作� ��償温度よりも低い温度で廃棄スレシュホー� ��ドBの設定値が廃棄スレシュホールドAの設� �値と同じになるように制御するようにして� �よい。

 なお、所定の閾値温度及び動作補償温度� ��メモリ等に予め調整可能に格納されるよう� ��すればよい。

 制御部35における廃棄スレシュホールドB� ��設定値の変更方法には、例えば図5及び6に� �されるように2つの変更方法が考えられる。

 図5に示される変更方法では、回路26の温� ��上昇値と比例してEIRフレームの廃棄率が上� ��するように廃棄スレシュホールドBの設定値 が変更されている。図5には、回路26の測定温 度に応じたEIRフレームの廃棄率及び廃棄スレ シュホールドの位置が示されている。

 なお、閾値温度は、キュー21のメモリ容� �と回路26の消費電力との関係式を算出し、こ の算出された関係式と回路26の動作補償温度� ��の関係から算出することができる。例えば� ��キュー21のメモリ容量と回路26の消費電力と の関係式が比例関係を示している場合には、 その比例式の傾きと同じ傾きを図5のグラフ� �与えることにより、動作補償温度を基準と� �て閾値温度を求めることができる。

 図6に示される変更方法では、回路26の温� ��上昇に応じて段階的にEIRフレームの廃棄率� ��上昇するように、廃棄スレシュホールドBの 設定値が変更されている。

 例えば、キュー21を格納するメモリ媒体(� ��えばDRAM)が512メガビット(Mbit)容量で、廃棄� �レシュホールドAの容量が2個のメモリ媒体A� �実現され、廃棄スレシュホールドBの容量が6 個のメモリ媒体Bで実現されている場合を想� �する。この場合には、回路26の測定温度の上 昇に応じて、各メモリ媒体への電源供給を徐 々に停止させることにより、この第二例の制 御を実現することができる。

 なお、図5及び6のいずれか1つの制御手法� ��第一温度補償制御として採用するようにし� ��もよいし、採用される制御手法をユーザ等� ��設定可能に構成するようにしてもよい。

 〈第二温度補償制御〉
 次に、制御部35による第二温度補償制御に� �いて図7及び8を用いて説明する。図7は、第� �温度補償制御における動作例を示すフロー� �ャートである。図8は、第二温度補償制御を� ��す図である。

 INGRESS部の転送部14は、通常動作温度にお� ��て、以下のように動作している。すなわち� ��転送部14は、入力されたフレームに関しMAC� �11により検出された送信元MACアドレスとその 入力フレームの受信ポートをMACテーブル20に� ��録する。更に、転送部14は、MAC部11により検 出された宛先MACアドレスに基づいて、MACテー ブル20から宛先となる出力ポートを検索し、� ��の検出された出力ポートに入力フレームを� ��送する。一方、転送部14は、宛先MACアドレ� �がMACテーブルに登録されていない場合やブ� �ードキャストフレームである場合には、全� �の出力ポートにそのMACフレームが転送され� �ように制御する。

 制御部35は、MACテーブル20を格納するTCAM41 の温度を測定している(S701)。

 制御部35は、TCAM41の測定温度が所定の閾� �温度を超えているか否かを判断する(S702)。� �御部35は、TCAM41の測定温度が所定の閾値温度 を超えた場合に(S702;YES)、MACテーブルの容量� �最低補償アドレス容量と同じ値(若しくは近� ��する値)となっているか否かを判断する(S703) 。制御部35は、MACテーブルの容量が最低補償� ��ドレス容量と同じ値となっていると判断す� ��と(S703;YES)、そのままMACテーブルの容量を変 更せず処理を終了する。

 制御部35は、MACテーブルの容量が最低補� �アドレス容量と同じ値(若しくは近似する値) となっていない、すなわち、MACテーブルの容 量が最低補償アドレス容量より大きい値とな っていると判断すると(S703;NO)、この測定温度 に応じてMACテーブル20の容量の増減を制御す� ��(S704)。具体的には、測定温度が所定の閾値� ��度を超えており前回の測定温度よりも更に� ��昇していると判断された場合には、制御部3 5は、この測定温度に応じてMACテーブル20の容 量を低減させる。逆に、測定温度が所定の閾 値温度を超えているが前回の測定温度よりも 下降したと判断された場合には、制御部35は� ��この測定温度に応じてMACテーブル20の容量� �増加させる。

 一方、制御部35は、測定温度が所定の閾� �温度を超えていないと判断した場合には(S702 ;NO)、MACテーブル20の容量が初期設定容量とな るように制御する(S705)。

 MACテーブル20の容量制御は、例えば、TCAM4 1へ供給される電源が制御されることにより� �現される。制御部35は、測定温度が高くなる 程、電源が供給されるバンクが少なくなるよ うに、TCAM41へ供給される電源を減らしていく 。

 この場合に、制御部35は、最終的に、TCAM4 1の動作補償温度において最低補償アドレス� �量となるようにバンクへの電源を切ってい� �。なお、制御部35は、センサ31の反応速度等� ��応じて動作補償温度よりも低い温度で最低� ��償アドレス容量となるように電源制御する� ��うにしてもよい。所定の閾値温度、動作補� ��温度及び最低補償アドレス容量はメモリ等� ��予め調整可能に格納される。なお、最低補� ��アドレス容量は、伝送装置として接続され� ��端末数等により決定することができる。こ� ��で、最低補償アドレス容量とは、最低限のM ACアドレス数をMACテーブル20に格納するため� �メモリ容量を示す。

 図8には、回路25の測定温度に応じたMACテ� ��ブル20のアドレス容量の削減率が示されて� �る。図8の例では、回路25の温度上昇に応じ� �段階的にMACテーブル20のアドレス容量削減率 が大きくなるように、TCAM41へ供給される電源 が制御される。

 例えば、図3に示すように、通常動作温度 におけるMACテーブル20が8バンクの32Kアドレス 容量(1バンク当り4Kアドレス)を持ち、TCAMチッ プの消費電力が10ワット/8バンクである場合� �想定する。制御部35は、回路25の測定温度の� ��昇に応じて、1バンク単位に電源を切ってい く。これにより、MACテーブル20のアドレス容� ��は4Kアドレス容量ずつ削減され、TCAM41の消� �電力は1.2ワットずつ削減される。結果とし� �、TCAM41からの発熱を抑えることができる。

 〈実施形態の作用及び効果〉
 本実施形態における伝送装置は、制御部35� �より内部の帯域制御部1の動作温度が補償さ� ��る。制御部35は、帯域制御部1内の温度をセ� ��サ31及び32を用いて測定し、この測定された 温度に応じて第一温度補償制御若しくは第二 温度補償制御を実行する。

 第一温度補償制御は、キュー21の容量を� �御することにより、帯域制御部1を構成する� ��路のうち、キュー21に格納されるフレーム� �量に応じて処理量が変化する機能部(キュー� ��クセス部15、スケジューラ19、学習部17等)を 実現する回路26の動作温度を補償する。すな� ��ち、回路26の温度がセンサ32を用いて測定さ れ、この測定温度に基づいて、回路26の温度� ��所定の閾値温度を越えている場合にはその� ��度の上昇度合に応じてキュー21のメモリ容� �が低減される。

 キュー21に格納されるフレーム量が減れ� �、例えば、スケジューラ19のレート調整処理 が減り、学習部17の学習回数及びラベル取り� ��け回数が減る。これにより、キューアクセ� ��部15、学習部17及びスケジューラ19を実現す� ��回路26の消費電力を低減させることができ� �。理想値では、EGRESS部のフレーム流量の減� �量とEGRESS側の消費電力削減量とは比例する� �結果として、消費電力に伴う回路26の発熱量 を抑えることができる。

 また、本実施形態における伝送装置が設� ��されるネットワークとしてみた場合には、� ��ュー21の容量を低減させることにより、TCP(T ransmission Control Protocol)ウィンドウサイズが� �さくなる。これは、伝送装置において廃棄� �れたフレームを送信先が認識することで、� �該送信先により再送フレームサイズが小さ� �されるからである。

 これにより、当該伝送装置の帯域制御部1 内における転送回数が減り、結果としてEGRESS 部の消費電力も減るという効果を得ることが できる。

 更に、本実施形態では、キュー21の容量� �制御されるとともに、そのキュー21を格納す るメモリ媒体への電源供給も制御される。こ れにより、キュー21自体の消費電力を削減す� ��こともできる。

 一方、第二温度補償制御は、MACテーブル2 0のアドレス容量を制御することにより、帯� �制御部1を構成する回路のうちMACテーブル20� �容量に応じて処理量が変化する機能部を実� �するTCAM41の動作温度を補償する。すなわち� �TCAM41の温度がセンサ31を用いて測定され、こ の測定温度に基づいてTCAM41の温度が所定の閾 値温度を越えている場合にはその温度の上昇 度合に応じてMACテーブル20の容量が低減され� ��。

 MACテーブル20の容量が低減されれば、MAC� �ーブル20に登録されるMACアドレスの数が減る 。これにより、MACテーブル20へのMACアドレス� ��検索処理量を減らすことができるため、TCAM 41の消費電力を削減することができる。結果� ��して、TCAM41の発熱量を抑えることができる� ��

 従って、第一温度補償制御及び第二温度� ��償制御によれば、帯域制御部1の動作温度を 補償することができ、回路障害等を防ぐこと ができる。

 なお、第一温度補償制御では、キュー21� �容量が廃棄スレシュホールドBの設定値によ� ��制御されるが、この廃棄スレシュホールドB の設定値は廃棄スレシュホールドAの設定値� �りも小さくならないように変更される。こ� �廃棄スレシュホールドAは、CIRを補償し得る� ��量に設定される。

 これにより、本実施形態における伝送装� ��は、帯域制御部1の動作温度を補償しながら 、CIRを補償することができる。

 なお、第二温度補償制御では、MACテーブ� ��20の容量は最低補償アドレス容量よりも小� �くならないように制御される。この最低補� �アドレス容量は、伝送装置に接続される端� �の数等に応じて設定される。

 これにより、本実施形態における伝送装� ��は、帯域制御部1の動作温度を補償しながら 、伝送装置として接続される端末の数に応じ たMACテーブル20のアドレス容量を確保するこ� ��ができる。

 〔変形例〕
 上述の実施形態では、MACテーブル20がTCAM若� ��くはCAMに格納される場合を例に挙げたが、M ACテーブル20が検索機能を持たないDRAM等のメ� ��リに格納されていてもよい。この場合には� ��例えば、ハッシュテーブルを用いてMACテー� ��ル20を実現し、測定温度に応じてハッシュ� �ーブルの階層構成数を減らしたり、ハッシ� �関数を変更するようにしてMACテーブル20の容 量を制御するようにすればよい。