本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制作 方法、 阵列基板和显示装 置。 背景技术

在显示技术领域， 氧化物薄膜晶体管 （Thin Film Transistor, TFT )相比 较非晶硅 TFT,因其具有较高的载流子迁移率（载流子迁� �率约为非晶硅 TFT 的十倍）， 以及较高的热学、化学稳定性， 成为人们的研究热点。 使用氧化物 TFT驱动的显示装置， 能满足大尺寸、 高分辨率显示器件的要求， 特别是能 够满足下一代有源矩阵式有机发光显示器件 （Active Matrix Organic Light Emitting Device , AMOLED )的要求， 因此在平板显示领域占据重要的位置。

目前， 对于制作氧化物 TFT 的要求较高， 因此在保证制作出高性能的 氧化物 TFT的前提下， 筒化器件结构和工艺流程是人们一直追求的目 标。 现 有氧化物 TFT—般采用顶栅型。 图 1 示出了一种现有的采用顶栅型氧化物 TFT的像素电极驱动结构， 其包括： 基板 101、 基板 101上的有源层 102、 有源层 102上的栅极绝缘层 103、 栅极绝缘层 103上的栅极 104、 栅极 104 上的刻蚀阻挡层 105、刻蚀阻挡层 105上的源漏极层 106 (包括源极和漏极）、 源漏极层 106上的钝化保护层 107, 以及钝化保护层 107上与源漏极层 106 中的漏极相连的像素电极 108。

制作图 1所示的顶栅型 TFT采用如下 6Mask工艺， 构图工艺一般至少 包括掩膜、 曝光、 显影、 光刻和刻蚀过程， 每次曝光工艺使用与将要形成的 图形相对应的掩模 ( Mask )进行曝光。

第一、 通过第一次构图工艺形成有源层 102图形；

第二、 通过第二次构图工艺形成栅极绝缘层 103和栅极 104图形， 在此 过程中， 首先通过湿法刻蚀形成栅极 104图形， 然后通过干法刻蚀形成栅极 绝缘层 103图形。

第三、 通过第三次构图工艺形成刻蚀阻挡层 105图形。

第四、 通过第四次构图工艺形成源漏极层 106图形。 第五、 通过第五次构图工艺形成钝化保护层 107图形， 其中钝化保护层 107上形成有接触孔， 该接触孔用于连接漏极和之后形成的像素电极 108。

第六、 通过第六次构图工艺形成像素电极图形 108。

因此， 现有的 TFT结构复杂， 而且由于制作高性能氧化物 TFT采用的 是 6Mask工艺， 因此工艺流程较复杂。 此外， 由于每增加一次构图工艺都可 能会引起氧化物 TFT的各功能膜层受到污染， 因此， 此种方法降低了氧化物 TFT的性能。 发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作 方法、 阵列基板和显示装 置， 以提供一种结构筒单、 性能较佳的 TFT。

根据本发明的一个方面， 提供一种薄膜晶体管， 其包括： 基板； 形成在 所述基板上的有源层； 形成在所述有源层上的可导电的第一接触层和 第二接 触层； 形成在所述第一接触层和第二接触层上的刻蚀 阻挡层； 形成在所述刻 蚀阻挡层上与所述第一接触层相连的源极、 与所述第二接触层相连的漏极， 以及位于所述源极和漏极之间的栅极。

根据本发明的一个实施例， 所述第一接触层和第二接触层镜像对称设置。 根据本发明的一个实施例， 所述栅极与所述第一接触层在垂直方向的投 影面积等于所述栅极与所述第二接触层在垂直 方向的投影面积。

根据本发明的一个实施例， 所述第一接触层和第二接触层之间的距离为

2-3 μ m。

根据本发明的一个实施例， 该薄膜晶体管还包括位于所述有源层和所述 基板之间用于隔离光线的隔离层。

根据本发明的一个实施例， 该薄膜晶体管还包括位于所述保护层上的像 素电极， 所述像素电极通过保护层上的过孔与位于所述 保护层下方的漏极电 性相连。

根据本发明的另一个方面， 提供一种阵列基板， 其包括上述薄膜晶体管。 根据本发明的另一个方面， 提供一种显示装置， 包括上述阵列基板。 根据本发明的又另一个方面， 提供一种薄膜晶体管的制作方法， 其包括： 在基板上形成包括有源层的图形；

对所述有源层的设定区域进行离子注入以形成 有源层上的第一接触层和 第二接触层的图形；

在形成有所述第一接触层和第二接触层的基板 上形成包括刻蚀阻挡层的 图形；

在所述刻蚀阻挡层上形成与所述第一接触层相 连的源极图形， 与所述第 二接触层相连的漏极图形， 以及位于所述源极和漏极之间的栅极图形；

在形成有所述栅极、 源极和漏极的基板上形成覆盖整个基板的保护 层图 形。

根据本发明的一个实施例， 在基板上形成包括有源层的图形， 对所述有 源层的设定区域进行离子注入以形成有源层上 的第一接触层和第二接触层的 图形的步骤包括：

在所述基板上形成一层金属氧化物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上涂覆一层光刻胶 ；

采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行 掩膜、 曝光和显影； 采用湿法刻蚀形成所述有源层图形；

对有源层上保留的光刻胶进行灰化处理， 露出与待形成的第一接触层和 第二接触层对应区域的有源层；

对露出的有源层部分进行离子注入以形成所述 第一接触层和第二接触层 的图形；

剥离有源层上的光刻胶。

根据本发明的一个实施例， 所述方法还可以包括： 在形成所述有源层之 前， 在所述基板上形成一层可隔离光线的隔离层。

根据本发明的一个实施例， 形成所述隔离层的步骤包括： 在所述基板上 形成一层氧化铝层、 非晶硅层或者金属和氧化硅的混合层。

根据本发明的一个实施例， 对露出的有源层部分进行离子注入以形成所 述第一接触层和第二接触层的图形的步骤包括 ： 对露出的有源层部分进行氢 的等离子处理以形成所述第一接触层和第二接 触层的图形。

根据本发明的一个实施例， 所述方法还可以包括： 在形成所述保护层之 后， 在所述保护层上形成与所述漏极相连的像素电 极。 附图说明

以下将结合附图对本发明的实施例进行更详细 的说明， 以使本领域普通 技术人员更加清楚地理解本发明， 其中：

图 1为现有技术中顶栅型 TFT结构的示意图；

图 2为根据本发明的实施例的 TFT结构的示意图；

图 3为图 2所示的 TFT具有保护层和像素电极的结构的示意图； 图 4为根据本发明的实例施的阵列基板结构的示� �图；

图 5为根据本发明的实施例的 TFT制作方法流程示意图；

图 6为根据本发明的实施例的半色调或灰色调掩� �板结构的示意图； 图 7为图 6所示的 TFT俯视示意图； 结构的示意图；

图 9为图 8所示的 TFT形成有有源层上与第一接触层和第二接触层 相应 区域露出有源层的结构的示意图；

图 10为图 9所示的 TFT形成有第一接触层和第二接触层的结构示意 图； 图 11为图 10所示的 TFT形成有刻蚀阻挡层的结构示意图；

图 12为图 11所示的 TFT俯视示意图；

图 13为图 11所示的 TFT形成有源极、 漏极和栅极的结构示意图。 具体实施方式

为使本发明的实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本 发明实施例的附图对本发明的实施例的技术方 案进行清楚、 完整的描述。 显 然， 所描述的实施例仅是本发明的一部分示例性实 施例， 而不是全部的实施 例。 基于所描述的本发明的示例性实施例， 本领域普通技术人员在无需创造 性劳动的前提下所获得的所有其它实施例都属 于本发明的保护范围。

本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管（TFT )及其制作方法、 阵列基板 和显示装置。 所提供的 TFT结构筒单、 性能较佳。

本发明的实施例可以将 TFT的源极、 漏极和栅极制作在同一层， 由此筒 化了 TFT结构； 此外， 由于制作 TFT的过程采用 5Mask工艺， 即共使用了 5 道掩模， 所以筒化了 TFT制作工艺。 另外， 由于在有源层上设置有与源极相 连的第一接触层和与漏极相连的第二接触层， 可以避免非沟道高阻区的产生， 而且可以避免栅极与源极或栅极与漏极之间寄 生电容的形成， 从而保证了 TFT良好的电学性能。 下面通过结合附图详细说明本发明的实施例提 供的 TFT。

图 2示出了本发明一个实施例提供的一种 TFT, 其包括： 基板 1; 形成在 基板 1上的有源层 2;形成在有源层 2上可导电的第一接触层 3和第二接触层 4; 形成在第一接触层 3和第二接触层 4上方覆盖整个基板的刻蚀阻挡层 5； 形成在刻蚀阻挡层 5上的源极 6、 漏极 7以及栅极 8。 源极 6与第一接触层 3 通过刻蚀阻挡层 5上的过孔连接； 漏极 7与第二接触层 4通过刻蚀阻挡层 5 上的过孔连接。 有源层 2为金属氧化物半导体层。 基板 1可以为玻璃基板、 石英基板或塑料基板等。

根据本发明实施例提供的 TFT, 源极 6、 漏极 7和栅极 8位于同一层， 由 此筒化了 TFT的结构。

如图 2所示， 第一接触层 3位于源极 6和有源层 2之间，且同时与源极 6 和有源层 2相接触； 第二接触层 4位于漏极 7和有源层 2之间， 且同时与漏 极 7和有源层 2相接触。 第一接触层 3和第二接触层 4可以起到欧姆接触层 的功能，可以降低源极 6与有源层 2之间的接触电阻， 改善有源层 2和源极 6 之间的接触特性； 同理， 第二接触层 4可以降低漏极 7与有源层 2之间的接 触电阻， 可以改善有源层 2和漏极 7之间的接触特性， 提高 TFT的性能。

另外， 第一接触层 3和第二接触层 4位于栅极 8的下方， 可以避免非沟 道高阻区的形成， 且避免栅极与源极或栅极与漏极之间寄生电容 的形成， 进 一步提高了 TFT的性能。

例如， 参见图 2, 第一接触层 3可以位于源极 6的正下方， 第二接触层 4 可以位于漏极 7的正下方， 第一接触层 3和第二接触层 4可以彼此镜像对称 设置， 第一接触层 3和第二接触层 4可以位于有源层 2的正上方。

例如，栅极 8与第一接触层 3的交叠面积可以等于栅极 8与第二接触层 4 的交叠面积， 且交叠面积不为零。

例如， 栅极 8与第一接触层 3在垂直方向的投影面积可以等于栅极 8与 第二接触层 4在垂直方向的投影面积， 由此可有效避免非沟道高阻区的形成。

本发明的实施例通过控制第一接触层和第二接 触层之间的距离， 可以灵 活控制有源层沟道的宽度（沟道宽度为第一接 触层和第二接触层之间的间 距）， 例如， 可以尽可能小地减小沟道的宽度， 提高 TFT的性能。

例如， 第一接触层和第二接触层之间最小间距根据需 要可以控制在掩模 板或曝光机的极限参数， 该极限参数与相应的曝光工艺中采用的光源、 掩模 板等参数有关。 例如， 所述第一接触层和第二接触层之间的最小间距 可以控 制在约 2-3 μ ηι的范围内。

根据本发明的一个实施例， 参见图 3 , 图 2所示的 TFT还可以包括位于 基板 1和有源层 2之间的隔离层 9 (例如， 可隔离光线的膜层）。 隔离层 9可 以有效遮挡从基板 1背部透射来的光线， 尤其是有效遮挡有源层 2较敏感的 紫外线， 进一步提高 TFT的性能。

根据本发明的一个实施例， 隔离层 9可以为氧化铝层（Α1 ₂ 0 ₃ )、 非晶硅 层（a-Si )或金属和氧化硅组合沉积而成的膜层（Metal+Si 0 ₂ )等。 隔离层 9 通常与基板 1的附着力较强， 因此， 隔离层 9还可以起到基板 1与有源层 2 之间的緩沖作用， 即起到緩沖层（buffer ) 的作用， 提高有源层 2在基板 1上 的附着能力。

根据本发明的一个实施例， 参见图 3 , TFT还可以包括位于栅极 8、 源极 6、 漏极 7上方覆盖整个基板 1的保护层 10。 如果该 TFT用于像素单元的驱 动， 则用于驱动结构（阵列基板）的 TFT还可以包括位于保护层 10上与漏极 7相连的像素电极 11 , 如图 3所示。

保护层 10上设置有露出漏极 7的过孔， 保证漏极 7与保护层 10上的像 素电极 11电性相连。

根据本发明的一个实施例， 所述有源层可以是金属氧化物半导体层， 例 如可以是铟镓辞氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO )、 铪铟辞氧化物 ( Hafnium Indium Zinc Oxide , HIZO )、铟辞氧 4匕物（ Indium Zinc Oxide , IZO )、 非晶铟辞氧化物（a-InZnO )、 非晶氧化辞掺杂氟氧化物 （ZnO:F )、 氧化铟掺 杂锡氧化物（In ₂ 0 ₃ :Sn )、 非晶氧化铟掺杂钼氧化物（In ₂ 0 ₃ :Mo )、 铬锡氧化物 ( Cd ₂ Sn0 ₄ )、 非晶氧化辞掺杂铝氧化物（ΖηΟ:Α1 )、 非晶氧化钛掺杂铌氧化物 ( Ti0 ₂ :Nb )、 铬锡氧化物（Cd-Sn-O )或其他金属氧化物等。

第一接触层和第二接触层可以为金属层或合金 层。

源极、 漏极和栅极可以由钼 （Mo )或铝钕合金 (AlNd)等形成。

刻蚀阻挡层可以为氧化硅层（SiO _x )、 氮化硅层（SiN _x ), 或氮氧化硅层， 可以是单层也可以是双层或多层。

保护层（PVX层）可以是氧化硅或氮化硅层。

像素电极可以为透明金属氧化物膜层， 如铟锡氧化物 ITO或铟辞氧化物

IZO膜层。 本发明实施例还提供一种阵列基板， 包括上述薄膜晶体管， 该薄膜晶体 管例如作为每个像素单元的开关元件。

本发明实施例所述的阵列基板可以是液晶显示 面板中的阵列基板， 也可 以是有机发光显示面板中的阵列基板。

例如， 参见图 4, 其为一种用于有机发光显示面板中的阵列基板 ， 包括多 个亚像素结构， 每一个亚像素结构可以包括两个 TFT, 分别为开关 TFT ( TO ) 和驱动 TFT ( T1 )。

开关 TFT ( TO )的漏极通过连接线 41与驱动 TFT ( T1 )的栅极相连； 开 关 TFT ( TO ) 的源极与数据线 32相连， 栅极与栅线 31相连。

驱动 TFT ( T1 ) 的源极与 V _DD 线相连， 该 V _DD 线用于为驱动 TFT ( T1 ) 提供正常工作时的供电电压， 驱动 TFT ( Tl ) 的漏极与像素电极 11相连。

数据线 32与栅线 31交叉设置。 V _DD 线与栅线 31平行设置。

断开的数据线 32通过连接线 35电性连接。

下面详细说明本发明实施例提供的上述 TFT的制作方法。 例如， 参见图 5, TFT的制作方法可以包括以下步骤。

sii、 通过! ¾ 工艺和构图工艺在基板上形成包括有源层的图 形， 对所述 有源层的设定区域进行离子注入形成有源层上 的第一接触层和第二接触层的 图形。 该步骤涉及 TFT制作的第一次 Mask工艺。

512、通过镀膜工艺和构图工艺在形成有所述第 一接触层和第二接触层的 基板上形成包括刻蚀阻挡层的图形。 该步骤涉及 TFT制作的第二次 Mask工 艺

513、通过镀膜工艺和构图工艺在所述刻蚀阻挡 层上形成与所述第一接触 层相连的源极图形， 与所述第二接触层相连的漏极图形， 以及位于所述源极 和漏极之间的栅极图形。 该步骤涉及 TFT制作的第三次 Mask工艺。

S14、 通过镀膜工艺和构图工艺在形成有所述栅极、 源极和漏极的基板上 形成覆盖整个基板的保护层图形。 该步骤涉及 TFT制作的第四次 Mask工艺。

根据本发明的一个实施例， 通过镀膜工艺和构图工艺在基板上形成包括 有源层的图形， 对所述有源层的设定区域进行离子注入以形成 有源层上的第 一接触层和第二接触层的图形的步骤包括：

通过镀膜工艺在所述基板上形成一层金属氧化 物半导体层；

在所述金属氧化物半导体层上涂覆一层光刻胶 ； 采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行 掩膜、 曝光和显影； 采用湿法刻蚀形成所述有源层图形；

对有源层上保留的光刻胶进行灰化处理， 露出与待形成的第一接触层和 第二接触层对应区域的有源层；

对露出的有源层部分进行离子注入以形成所述 第一接触层和第二接触层 的图形；

剥离 （去除）有源层上的光刻胶。

根据本发明的一个实施例， 所述方法还可以包括： 在形成有源层之前， 通过! ¾莫工艺在所述基板上形成一层隔离层。

根据本发明的一个实施例， 形成所述隔离层的步骤可以包括： 通过镀膜 工艺在所述基板上形成一层氧化铝层、 非晶硅层或者金属和氧化硅组合形成 的膜层。

根据本发明的一个实施例， 对露出的有源层部分进行离子注入以形成所 述第一接触层和第二接触层的图形的步骤包括 ： 对露出的有源层部分进行氢 的等离子处理以形成所述第一接触层和第二接 触层的图形。

根据本发明的一个实施例， 所述方法还可以包括： 在形成所述保护层之 后， 通过镀膜和构图在所述保护层上形成与所述漏 极相连的像素电极。 该步 骤涉及第五次 Mask工艺。

这里， 所述构图或构图工艺包括制作图形的掩膜、 曝光、 显影、 光刻、 刻蚀等过程。 所使用的光刻胶可以为正性或负性光刻胶。 镀膜工艺可以为化 学气相沉积、 溅射等工艺。

本发明的实施例制备 TFT需要五次 Mask工艺， 因此与现有的工艺相比， 可以节约工艺流程， 降低 TFT被污染的可能性， 提高了 TFT的性能。

下面详细说明图 5所示的 TFT制作方法的示例的工艺流程。 例如， 本发 明实施例所示的阵列基板制作方法的示例包括 ：

步骤 S21: 首先在透明玻璃基板或者石英基板上采用溅射 或热蒸发的方 法， 形成一层覆盖整个基板的膜层， 该膜层可以为氧化铝层（A1 ₂ 0 ₃ )、 非晶 硅层 ( a-Si )或金属和氧化硅组合沉积而成的膜层（Metal+Si 0 ₂ )等。

步骤 S22: 在步骤 S21的基础上， 镀一层金属氧化物膜层如 IGZO。

步骤 S23: 在步骤 S22的基础上， 涂覆一层覆盖整个基板的光刻胶， 然 后进行如下工艺。 首先利用半色调（half-tone )或灰色调（Gray-tone )掩模板对所述光刻胶 进行掩膜、 曝光显影。

例如， 如图 6所示 （截面图）和图 7所示（俯视图 ), 在曝光的过程中， 采用半色调或者灰色调的掩模板， 通过显影工艺后产生光刻胶层 14上的完全 去除区域 A、 光刻胶半保留区域 B及光刻胶完全保留区域 C。 光刻胶层 14的 完全保留区域 C对应待形成的第一接触层和第二接触层之间� �绝缘区域， 其 中的光刻胶被基本上完全保留。光刻胶层 14的完全去除区域 A对应有源层图 形之外的基板区域， 其中的光刻胶被基本上完全去除。 光刻胶层 14的半保留 区域 B对应待形成的第一接触层和第二接触层所在� �域， 其中的光刻胶被基 本上被部分保留， 从而光刻胶的厚度低于完全保留区域中的光刻 胶的厚度。

接着， 经过一次湿法刻蚀工艺，将光刻胶层 14完全去除区域 A对应的光 刻胶和位于光刻胶下方基板 1上方的膜层刻蚀掉， 如图 8所示。

然后， 对光刻胶层 14半保留区域 B的光刻胶层进行灰化处理， 去除光刻 胶层半保留区域 B的光刻胶， 露出对应的部分有源层 2, 同时光刻胶层完全 保留区域 C中的光刻胶层被部分保留， 仍然覆盖对应的部分有源层 2, 如图 9 所示。

接下来对露出的有源层 2部分的表层进行离子注入， 注入离子的有源层 部分的表层形成分别位于完全保留区域 C两侧的第一接触层 3和第二接触层 4,而光刻胶层完全保留区域 C中的有源层由于保留的光刻胶而没有被注入� � 子， 如图 10所示。 注入的离子例如可以是 H离子， 即等离子体 H。 也可以通 过对露出的有源层 2进行掺杂， 实现第一接触层 3和第二接触层 4。

该第一接触层 3和第二接触层 4为金属氧化物半导体层（有源层）经 H 离子作用后的金属或合金层。 它们与金属氧化物半导体层的接触电阻较小， 且与金属氧化物半导体层的附着性非常好。 并且， 由于第一接触层 3和第二 接触层 4为金属或合金层， 源极和漏极也为金属或者合金层， 所以第一接触 层 3和第二接触层 4可以避免源极与栅极之间寄生电容的形成， 也可以避免 漏极与栅极之间寄生电容的形成， 从而可以提高 TFT的性能。

最后， 对完全保留区域 C的光刻胶层 14进行剥离。

步骤 S24: 通过镀膜工艺在步骤 S23形成的 TFT的基础上形成一层绝缘 层， 例如形成一层氮化硅层或氧化硅层。 通过一次掩膜、 曝光显影， 干法刻 蚀， 形成刻蚀阻挡层。 图 11所示 （截面图）和图 12所示（俯视图）为形成 接触孔）， 该过孔 34位于待形成的源极和漏极处， 且保证第一接触层 3和第 二接触层 4露出。

步骤 S25:通过镀膜在步骤 S24形成的 TFT的基础上形成一层导电膜层， 例如钼 （Mo )或铝钕合金 (AlNd)层等。 通过一次构图工艺， 例如采用湿法刻 蚀， 形成如图 13所示的源极 6、 漏极 7, 以及栅极 8。 例如， 可以使得栅极 8 与第一接触层 3的交叠面积等于栅极 8与第二接触层 4的交叠面积。

步骤 S26: 通过镀膜工艺在步骤 S25形成的 TFT的基础上形成一层绝缘 层， 对该绝缘层进行掩膜、 曝光显影， 干法刻蚀等工艺， 形成保护层 10。 保 护层 10上位于漏极 7上方设置有过孔， 保证漏极 7露出， 如图 3所示。

步骤 S27: 通过镀膜工艺在步骤 S26形成的 TFT的基础上形成一层导电 膜层， 如 ITO, 经过掩膜、 曝光显影， 干法刻蚀等工艺， 形成包括像素电极 11的图形， 形成的 TFT如图 3所示。

需要说明的是， 在制作栅极时同时制作与栅极连接的栅线； 在制作源极 的同时制作与源极（或漏极）相连的数据线； 栅线或数据线之一可以是分段 形成的， 如图 4所示的示例中， 数据线 32分段形成。 根据需要在制备像素电 极时， 同时制备连接分段的栅线或数据线的连接线， 例如图 4所示的示例中 的连接线 35。

需要说明的是， 上述制作 TFT的步骤适用于液晶显示领域， 也适用于有 机发光显示技术领域。

本发明实施例还提供一种显示装置， 其包括上述阵列基板， 该显示装置 可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、 OLED面板、 OLED显示器、 OLED 电视或电子纸等显示装置。

所述显示装置的一个示例为液晶显示装置，其 中阵列基板与对置基板 彼此对置以形成液晶盒， 在液晶盒中填充有液晶材料。 该对置基板例如为 彩膜基板。 阵列基板的每个像素单元的像素电极用于施加 电场对液晶材料 的旋转的程度进行控制从而进行显示操作。 在一些示例中， 该液晶显示器 还包括为阵列基板提供背光的背光源。

该显示装置的另一个示例为有机电致发光（ OLED )显示装置，其中， 阵列基板的每个像素单元的薄膜晶体管连接有 机电致发光装置的阳极或阴 极， 用于驱动有机发光材料发光以进行显示操作。 综上所述，本发明实施例通过将 TFT的源极、漏极和栅极制作在同一层， 筒化了 TFT结构。 而且， 由于制作 TFT的过程采用 5Mask工艺， 筒化了 TFT 制作工艺。 此外， 由于有源层上设置有与源极相连的第一接触层 ， 和与漏极 相连的第二接触层， 从而避免非沟道高阻区的产生， 而且可以避免栅极与源 极或栅极与漏极之间寄生电容的形成， 保证了 TFT良好的电学性能。 发明的精神和范围。 本发明也意图包含属于本发明权利要求范围之 内的这些 修改和变形及其任何等同物。