図1に示す第1の実施形態の回路パターン� �成用転写フィルム1aを以下のように製作した 。

 厚み30マイクロメートルから50マイクロメ ートルのトリアセチルセルロース(TAC)から成� ��親水性ベースフィルム4と、厚み30マイクロ� ��ートルから50マイクロメートルのN-メトキシ メチルから成る親油性ベースフィルム3と、� �インフレーション成型により積層させて複� �フィルムを形成した後、親油性ベースフィ� �ム3上にポリイミドをバインダーとした銀ペ� ��ストをディスペンス塗布して厚み10マイク� �メートルの回路を形成し、これを回路パタ� �ン2とした。

 図2に示す第2の実施形態の回路パターン� �成用転写フィルム1bを以下のように製作した 。

 親水性ベースフィルム4と親油性ベースフ ィルム3との積層と、回路パターン2の形成に� ��いては、実施例1に示す方法と同様である。 回路保護膜5としてシリコーン樹脂を厚み30マ イクロメートルになるように塗布して形成し た。

 図3に示す第3の実施形態の回路パターン� �成用転写フィルム1cを以下のように製作した 。

 親水性ベースフィルム4と親油性ベースフ ィルム3との積層体の製作は、第1の実施形態� ��転写フィルムの場合と同様である。親油性� ��ースフィルム3上にエポキシ樹脂をバインダ ーとした銀ペーストをディスペンス塗布して 厚み10マイクロメートルの回路を形成し、こ� ��を回路パターン2とした。その上にプリプレ グを重ねて膜厚30マイクロメートルの絶縁膜7 を形成し、レーザビームを用いて絶縁膜7に� �アホールを形成した。その後ディスペンサ� �用いてエポキシ樹脂をバインダーとした銀� �ーストをビアホール内に充填してビア8を形� ��した。

 図1に示す第1の実施形態の回路パターン� �成用転写フィルム1aを用いて非平面形状物6� �以下のように回路パターンを形成した。

 実施例1に示す回路パターン形成用転写フ ィルム1aを、親水性溶媒9である水酸化ナトリ ウム水溶液に浮かべ、回路パターン形成用転 写フィルム1aが親水性溶媒9に浮遊している間 に、非平面形状物6の位置決め用突起6aと、回 路パターン形成用転写フィルム1aの位置決め� ��凹み3aと、を合わせて、位置決めを行なっ� �〔図4(a)〕。

 非平面形状物6を親水性溶媒9中に沈める� �とで、回路パターン形成用転写フィルム1aの 親水性ベースフィルム4をけん化反応により� �解溶解し、同時に回路パターン2を非平面形� ��物6に密着させながら転写した〔図4(b)〕。

 次に、回路パターン2が転写された非平面 形状物6を親油性溶媒10としてのアセトンに沈 降させることで、親油性ベースフィルム3を� �解・剥離して、回路パターン2のみを非平面� ��状物6に残した〔図4(c)〕。

 そして、親油性ベースフィルム3が十分に 溶解した後に非平面形状物6を引き上げ、こ� �を温度180度から200度の加熱炉11に入れて、回 路パターン2を非平面形状物6に固着させた〔� ��5(d)、(e)〕。

 以上、本発明の好ましい実施の形態、実� ��例について説明したが、本発明はこれらの� ��施の形態、実施例に制限されるものではな� ��。例えば、親水性ベースフィルム4と親油性 ベースフィルム3との形成順序を逆にして、� �路パターン形成用転写フィルムを、初めに� �油性溶媒に次いで親水性溶媒に漬けるよう� �してもよい。

 また、回路パターン形成用転写フィルム� ��形成する位置決め用のマークは実施の形態� ��形状に限定されない。実施の形態では、位� ��決め用凹み3aを形成していたが、これに代� �て、例えば、位置決め用突起を形成するよ� �にしてもよい。この場合には、非平面形状� �6側に位置決め用凹みを形成することになる� ��

 以上の説明から、本実施形態は、以下の� ��徴を有する。

 本実施形態によれば、第1種の溶媒に可溶 な材料からなる第1のベースフィルムと、第1� ��ベースフィルム上に設けられた第2種の溶媒 に可溶な材料からなる第2のベースフィルム� �、第2のベースフィルム上に形成された、導� ��性接着剤からなる導電性パターンと、を備� ��た回路パターン形成用転写フィルム、が提� ��される。

 また、本実施形態によれば、第1種の溶媒 に可溶な材料からなる第1のベースフィルム� �、第1のベースフィルム上に設けられた第2種 の溶媒に可溶な材料からなる第2のベースフ� �ルムと、第2のベースフィルム上に形成され� ��、導電性接着剤からなる導電性パターンと� ��導電性パターンを覆って第2のベースフィル ム上に設けられた保護膜と、を備えた回路パ ターン形成用転写フィルム、が提供される。

 また、本実施形態によれば、第1種の溶媒 に可溶な材料からなる第1のベースフィルム� �、第1のベースフィルム上に設けられた第2種 の溶媒に可溶な材料からなる第2のベースフ� �ルムと、第2のベースフィルム上に形成され� ��、導電性接着剤からなる導電性パターンと� ��導電性パターンを覆って第2のベースフィル ム上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の適宜箇 所に該絶縁膜を貫通して設けられたビアと、 を備えた回路パターン形成用転写フィルム、 が提供される。

 なお、本実施形態において、好ましくは� ��第1種の溶媒が親水性溶媒であり、第2種の� �媒が親油性溶媒である。

 また、本実施形態によれば、第1種の溶媒に 可溶な材料からなる第1のベースフィルムと� �第1のベースフィルム上に設けられた第2種の 溶媒に可溶な材料からなる第2のベースフィ� �ムと、第2のベースフィルム上に形成された� ��導電性接着剤からなる導電性パターンと、� ��備えた回路パターン形成用転写フィルムを� ��いて基材上に回路パターンを形成する方法� ��あって、
 (a)回路パターン形成用転写フィルムを第1種 の溶媒に浮かべる工程と、
 (b)回路パターン形成用転写フィルム上に基� ��を載置する工程と、
 (c)基材と共に回路パターン形成用転写フィ� ��ムを第1種の溶媒中に沈めて第1のベースフ� �ルムを溶解ないし剥離する工程と、
 (d)基材と共に、第1のベースフィルムが除去 された回路パターン形成用転写フィルムを第 2種の溶媒中に沈めて第2のベースフィルムを� ��解ないし剥離する工程と、
 (e)基材上に残された導電性パターンに熱処� ��を行なって導電性パターンの硬化ないし固� ��を行なう工程と、
 を備えた回路パターンの形成方法、が提供� ��れる。

 また、本実施形態によれば、第1種の溶媒に 可溶な材料からなる第1のベースフィルムと� �第1のベースフィルム上に設けられた第2種の 溶媒に可溶な材料からなる第2のベースフィ� �ムと、第2のベースフィルム上に形成された� ��導電性接着剤からなる導電性パターンと、� ��電性パターンを覆って前記第2のベースフィ ルム上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の適宜 箇所に該絶縁膜を貫通して設けられたビアと 、を備えた回路パターン形成用転写フィルム を用いて1ないし複数層の配線層を有する基� �上に回路パターンを形成する方法であって� �
 (a″)回路パターン形成用転写フィルムを第1 種の溶媒に浮かべる工程と、
 (b″)回路パターン形成用転写フィルム上に1 ないし複数層の配線層を有する基材を載置す る工程と、
 (c″)基材と共に回路パターン形成用転写フ� ��ルムを第1種の溶媒中に沈めて第1のベース� �ィルムを溶解ないし剥離する工程と、
 (d″)基材と共に、第1のベースフィルムが除 去された回路パターン形成用転写フィルムを 第2種の溶媒中に沈めて第2のベースフィルム� ��溶解ないし剥離する工程と、
 (e″)熱処理を行なって絶縁膜および導電性� ��着剤の硬化ないし固化を行なう工程と、を� ��えた回路パターンの形成方法、が提供され� ��。

 [作用]
 本実施形態の回路パターン形成用転写フィ� ��ムは、互いに溶解特性の異なる2層のベース フィルム、例えば水溶性のベースフィルムと 油溶性のベースフィルムとを有する。この転 写フィルムを用いて非平面対象物に転写を行 う場合、この転写フィルムを回路パターンを 上にした状態で親水性溶媒に浮かべて非平面 対象物を接触させ押し付ける。

 これにより回路パターンの非平面対象物� ��の転写が行なわれる。このとき、親水性ベ� ��スフィルムを溶解し、親油性ベースフィル� ��と回路パターンから成る構造物が、非平面� ��状物に密着して残るが、この過程において� ��路パターンは油溶性のベースフィルムに保� ��された状態にあるため、位置ずれの生じな� ��状態での回路パターンの転写が可能になる� ��

 続いて、親油性溶媒中に回路パターンを� ��する油性ベースフィルムを非平面対象物と� ��に漬け込むことで、親油性ベースフィルム� ��溶解し、非平面対象物を親油性溶媒から引� ��揚げると、回路パターンのみが形成された� ��平面形状物が得られる。

 この非平面形状物を加熱炉内に入れて焼� ��を行なうと、導電性を有する回路パターン� ��有する非平面形状物が得られる。

 [効果]
 このため、本実施形態によれば、曲率の大� ��い曲面を有する3次元非平面形状物に対して も断線を生じさせることなく回路パターンの 形成が可能になる。また、下層側のベースフ ィルムが溶解する際に、非平面形状物への回 路パターンの転写を完了させることができる ので、位置ずれのない状態での転写が可能に なり、高精度に回路パターンを形成すること ができる。

 なお、この出願は、2008年4月21日に出願し た、日本特許出願番号2008-109836号を基礎とす� ��優先権を主張し、その開示の全てをここに� ��り込む。