Die vorliegende Erfindung betrifft ein wasserführendes System für eine Litho graphieanlage und eine Lithographieanlage mit einem derartigen wasserfüh renden System.

Der Inhalt der Prioritätsanmeldung DE 10 2020 208 496.3 wird durch Bezug nahme vollumfänglich mit einbezogen (incorporation by reference).

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrohthogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Be leuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Sub strat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstel lung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, ein gesetzt werden.

Zum Kühlen von Komponenten einer derartigen EUV-Lithographieanlage, wie beispielsweise einem Kollektor einer EUV-Lichtquelle, können Kühler einge- setzt werden, die aus einer Ahrminiumlegierung gefertigt sind. An einen derar tigen Kühler kann eine Zuleitung zum Zuleiten von Kühlwasser zu dem Kühler angeflanscht sein. Zwischen dem Kühler und der Zuleitung können Dichtungen aus Metall oder Kunststoff eingesetzt werden. Beispielsweise können ORinge als Dichtungen eingesetzt werden. Im EUV-Bereich ist aufgrund seiner hohen Vakuumanforderungen ein besonderes Augenmerk auf die Abdichtung zu le gen. Dabei ist zu beachten, dass bereits austretende Wassermoleküle, bei spielsweise in Form von Dampf, zu Vakuum einbrüchen bei mindestens 10 ⁹ mbar führen können.

Als Kühlwasser kann vollentsalztes Wasser verwendet werden, welches jedoch die verwendeten Materialien, insbesondere die Aluminiumlegierung des Küh lers, angreifen kann. Zusätzlich kann vollentsalztes Wasser Ionen aus den durchflossenen Materialien herauslösen und wirkt damit korrosionsfördernd. Werden nun die Korrosionsprodukte an einer Flanschfläche des Kühlers und an der Dichtung abgelagert, so kann es bei einer ungünstigen Geometrie der Dich tung, beispielsweise bei einer Dichtung mit einem kreisförmigen oder ovalen Querschnitt, zu einer Unterwanderung der Dichtung mit den Korrosionspro dukten und damit zu einer Undichtigkeit des Kühlsystems kommen.

Hinsichtlich einer Undichtigkeit kritisch sind insbesondere Dichtungen mit einem kreisförmigen oder ovalen Querschnitt, an denen sich Totwasserzonen bilden können. Hierbei können sich zwischen der Dichtung und der FlanschfLä- che des Kühlers schmale Spalte ausbilden, die mit Wasser und Ionen gefüllt sind. Im Falle der Verwendung einer ringförmigen Dichtung, insbesondere ei nes O -Rings, die nur hnienförmig an der Flanschfläche anliegt, kann sich so eine Totwasserzone in Form eines keilförmigen Spalts bilden. In solchen Spal ten sind Ablagerungen thermodynamisch bevorzugt, da es weniger Durchfluss gibt und zusätzhch geringere Grenzenergien zur Nukleation von Ausscheidun gen überwunden werden müssen. Liegen Ausscheidungen in Form von Korrosionsprodukten vor, können diese die Dichtung unterwandern und wegdrücken. Die Korrosionsprodukte nehmen dabei ein größeres Volumen als das ursprüngliche Material ein und sind gege benenfalls leicht porös. Somit kann letztlich Kühlwasser, beispielsweise als Mo leküle, oder bei fortgeschrittener Korrosion als Tropfen, aus dem wasserfüh renden System austreten. Das wasserführende System wird dann undicht. Dies gilt es zu vermeiden.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung da rin, ein verbessertes wasserführendes System für eine Lithographieanlage be reitzustellen.

Demgemäß wird ein wasserführendes System, insbesondere ein Kühlsystem, für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Das wasserführende System um fasst einen Kühler, welche eine Flanschfläche umfasst, eine Leitung zum Zu führen von Kühlwasser zu dem Kühler oder zum Abführen von Kühlwasser von dem Kühler, wobei die Leitung einen Flanschabschnitt aufweist, welcher an der Flanschfläche anliegt, und eine Dich tun gs Vorrichtung, welche einen scheiben förmigen axialen Verpressabschnitt und einen scheibenförmigen radialen Ver- pressabschnitt umfasst, wobei der axiale Verpressabschnitt derart axial zwi schen der Flanschfläche und dem Flanschabschnitt verpresst ist, dass der axia le Verpressabschnitt jeweils flächig an der Flanschfläche und an dem Flansch abschnitt anliegt, wobei der Flanschabschnitt eine erste Ringnut umfasst, in welcher die Dichtungsvorrichtung aufgenommen ist, und wobei die Dichtungs vorrichtung mit Hilfe des radialen Verpressabschnitts radial in der ersten Ringnut verpresst ist.

Dadurch, dass der axiale Verpressabschnitt sowohl flächig an der Flanschfläche als auch flächig an dem Flanschabschnitt anliegt, wird die Bildung von Tot- wasserzonen im Kontaktbereich zwischen der Dichtungsvorrichtung und der Flanschfläche oder dem Flanschabschnitt zuverlässig verhindert. Undichtigkei ten an dem wasserführenden System werden somit vermieden.

Das wasserführende System ist bevorzugt ein Kühlsystem. Insbesondere kann das wasserführende System ein Kühlsystem eines Kollektors einer EUV- Lichtquelle sein. Der Kühler ist vorzugsweise aus einer Aluminiumlegierung gefertigt. Der Kühler kann als Aluminiumkühler bezeichnet werden. In dem Kühler ist eine Vielzahl an Kühlkanälen vorgesehen, welche mit Hilfe von Kühlwasser, insbesondere mit Hilfe von vollentsalztem Wasser, durchströmt werden, um ein Bauteil der Lithographieanlage, beispielsweise den Kollektor oder andere mechanische Bauteile, die zur Gewährleistung der Funktionalität des KoUektors benötigt werden, zu kühlen. Die Leitung kann eine Zuführlei tung oder eine Abführleitung sein. Bevorzugt weist der Kühler zumindest eine Zuführleitung und eine Abführleitung auf. Die Leitung umfasst einen rohrför migen Basis ab schnitt, an welchem der Flanschabschnitt angeformt oder ange bracht ist. Die Leitung ist rotationssymmetrisch zu einer Mittel- oder Symmet rieachse aufgebaut. Der Flanschabschnitt läuft scheibenförmig um die Sym metrieachse um. Die Leitung und der Flanschabschnitt haben einen zentralen Durchbruch, durch den das Kühlwasser geführt werden kann.

Die Dichtungsvorrichtung ist vorzugsweise elastisch, insbesondere federelas tisch, verformbar. Beispielsweise kann die Dichtungsvorrichtung aus einem Perfluorkautschuk, einem Silikonkautschuk, Gummi oder aus einem anderen geeigneten Material gefertigt sein. Dass der axiale Verpressabschnitt "schei benförmig" ist, bedeutet vorliegend, dass der Verpressabschnitt eine flache und gleichzeitig zyhnderförmige Geometrie aufweist, welche mittig von einem Durchbruch durchbrochen ist. Der axiale Verpressabschnitt ist vorzugsweise rotationssymmetrisch zu einer Mittel- oder Symmetrieachse der Dichtungsvor richtung aufgebaut. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderhch. Ein rotations- symmetrischer Aufbau erleichtert jedoch den Einbau der Dichtungs Vorrich tung, da eine Verwechslung ausgeschlossen werden kann (Poka Yoke Prinzip).

Vorzugsweise ist der Dichtungsvorrichtung eine Axialrichtung zugeordnet, die entlang der Symmetrieachse orientiert ist, und eine Radialrichtung, welche senkrecht zu der Symmetrieachse und von dieser weg orientiert ist. Dass der axiale Verpressabschnitt jeweils "flächig" an der Flanschfläche und an dem Flanschabschnitt anliegt, bedeutet vorhegend, dass zwischen dem axialen Ver pressabschnitt und der Flanschfläche oder zwischen dem axialen Verpressab schnitt und dem Flanschabschnitt keine punktförmige oder linienförmige, son dern eine scheibenförmige Kontaktfläche vorgesehen ist.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst der axiale Verpressabschnitt eine erste Oberfläche, welche dem Flanschabschnitt zugeordnet ist, und eine zweite Ober fläche, welche der Flanschfläche zugeordnet ist, wobei die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche beabstandet voneinander und parallel zueinander ange ordnet sind.

Dass die erste Oberfläche dem Flanschabschnitt "zugeordnet" ist, bedeutet vor liegend, dass die erste Oberfläche an dem Flanschabschnitt anliegt. Analoges gilt für die zweite Oberfläche. Die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche sind entlang der Axialrichtung der Dichtungsvorrichtung betrachtet voneinan der beabstandet positioniert. Dabei bilden die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche jeweils eine Ebene aus. Diese beiden Ebenen sind parallel zueinan der platziert.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der axiale Verpressabschnitt einen zentralen Durchbruch auf, durch welchen das Kühlwasser hindurchtritt. Der zentrale Durchbruch ist vorzugsweise zylinderförmig. Der Durchbruch durchbricht die Dichtungs Vorrichtung vollständig. Der Durchbruch ist rotati onssymmetrisch zu der Symmetrieachse der Dichtungsvorrichtung aufgebaut. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderhch. Der Durchbruch kann auch eine vieleckige Geometrie aufweisen. Durch den Durchbruch hindurch kann das Kühlwasser strömen.

Der Flanschabschnitt umfasst eine erste Ringnut, in welcher die Dichtungsvor richtung aufgenommen ist, wobei die Dichtungsvorrichtung einen scheibenför migen radialen Verpressabschnitt umfasst, und wobei die Dichtungsvorrich- tung mit Hilfe des radialen Verpressabschnitts radial in der ersten Ringnut verpresst ist.

Das heißt, die Dichtungsvorrichtung ist zwischen zwei zyhnderförmigen Wan dungen der ersten Ringnut verpresst. Dabei hegt an einer ersten Wandung der axiale Verpressabschnitt und an einer zweiten Wandung der radiale Verpress abschnitt an. Dabei kontaktiert der radiale Verpressabschnitt die Flanschflä che des Kühlers nicht.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die erste Ringnut eine zylin derförmige erste Wandung und eine radial von der ersten Wandung beab- standet angeordnete zweite Wandung, wobei der axiale Verpressabschnitt an der ersten Wandung anliegt, und wobei der radiale Verpressabschnitt an der zweiten Wandung anliegt, um die Dichtungsvorrichtung in der ersten Ringnut radial zu verpressen.

Die Dichtungsvorrichtung ist somit zwischen der ersten Wandung und der zweiten Wandung angeordnet. Entlang der Radialrichtung betrachtet ist die Dichtungsvorrichtung elastisch, insbesondere federelastisch, verformt, so dass diese sich in der ersten Ringnut verklemmt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die erste Ringnut eine die ers ^¬ te Wandung mit der zweiten Wandung verbindende dritte Wandung, welche parallel zu der Flanschfläche orientiert ist, wobei die Dichtungsvorrichtung an der ersten Wandung, an der zweiten Wandung und an der dritten Wandung anhegt.

Vorzugsweise liegt der axiale Verpressabschnitt an der ersten Wandung und an der dritten Wandung an. Der radiale Verpressabschnitt hingegen liegt nur an der zweiten Wandung an. Der radiale Verpressabschnitt kontaktiert die dritte Wandung bevorzugt nicht.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform liegt der radiale Verpressabschnitt ausschließhch an der zweiten Wandung an.

Das heißt, der radiale Verpressabschnitt weist keinen Kontakt mit der Flansch- fläche des Kühlers oder mit der dritten Wandung der ersten Ringnut des Flan ^¬ schabschnitts auf.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst der axiale Verpressabschnitt entlang einer Axialrichtung betrachtet eine größere Dicke als der radiale Ver ^¬ pressabschnitt.

Der radiale Verpressabschnitt ist, wie der axiale Verpressabschnitt, scheiben ^¬ förmig und läuft um den axialen Verpressabschnitt vollständig um.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der radiale Verpressabschnitt ent ^¬ lang der Axialrichtung betrachtet mittig an dem axialen Verpressabschnitt an ^¬ geordnet. Das heißt, die Dichtungsvorrichtung ist spiegelsymmetrisch zu einer entlang der Axialrichtung betrachtet mittig durch die Dichtungsvorrichtung verlaufen den Ebene aufgebaut.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist an dem radialen Verpressabschnitt zumindest ein Entlüftungsabschnitt vorgesehen, welcher den radialen Ver pressabschnitt vollständig durchbricht.

Der Entlüftungsausschnitt kann beispielsweise eine halbkreisförmige Geomet rie aufweisen. Der Entlüftungsausschnitt kann jedoch eine beliebige Form oder Geometrie aufweisen. Mit Hilfe des Entlüftungsabschnitts ist es möghch, die erste Ringnut vollständig zu entlüften oder mit einem Vakuum zu beaufschla gen. Es kann eine beliebige Anzahl an Entlüftungsausschnitten vorgesehen sein, die vorzugsweise gleichmäßig um einen Umfang des radialen Verpressab- schnitts verteilt angeordnet sind. Beispielsweise sind zwei, drei, vier, fünf oder sechs derartige Entlüftungsausschnitte vorgesehen. Die Entlüftungsausschnit te können auch als den radialen Verpressabschnitt durchbrechende Bohrungen ausgebildet sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst der Flanschabschnitt eine zweite Ringnut, in welcher ein Dichtungselement, insbesondere ein O-Ring, eine Flachdichtung oder eine Dichtung mit quadratischem oder x-förmigem Querschnitt, aufgenommen ist, wobei das Dichtungselement zwischen der Flanschfläche und dem Flanschabschnitt axial verpresst ist.

Zwischen dem Dichtungselement und der Flanschfläche beziehungsweise zwi schen dem Dichtungselement und dem Flanschabschnitt ist jeweils ein linien förmiger Kontakt vorgesehen. Bezüglich der Radialrichtung betrachtet ist das Dichtungselement nach der Dichtungsvorrichtung angeordnet, so dass das Dichtungselement mit Hilfe der Dich tun gs Vorrichtung von dem Kühlwasser abgeschirmt ist.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die zweite Ringnut und die erste Ringnut derart angeordnet, dass die zweite Ringnut um die erste Ringnut her ^¬ umläuft.

Die zweite Ringnut kann die erste Ringnut in einer beliebigen Form umlaufen. Die Ringnuten müssen nicht ringförmig, insbesondere im Sonderfall kreisför ^¬ mig, umeinanderlaufen. Beispielsweise könnte die erste Ringnut eine Ringform haben und die zweite Ringnut eine quadratische Form, beispielsweise mit ab ^¬ gerundeten Ecken. Die erste Ringnut ist bezüghch der Radialrichtung betrach ^¬ tet also innerhalb der zweiten Ringnut angeordnet.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Dichtungsvorrichtung rotati ^¬ onssymmetrisch zu einer Symmetrieachse aufgebaut.

Durch diesen rotationssymmetrischen Aufbau kann eine Fehlmontage der Dichtungsvorrichtung ausgeschlossen werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Dichtungsvorrichtung ein ein ^¬ teiliges, insbesondere ein materialeinstückiges, Bauteil.

"Einteilig" oder "einstückig" bedeutet vorliegend insbesondere, dass der axiale Verpressabschnitt und der radiale Verpressabschnitt ein gemeinsames Bauteil bilden und nicht aus unterschiedlichen Bauteilen zusammengesetzt sind. "Ma ^¬ terialeinstückig" bedeutet vorliegend, dass die Dichtungsvorrichtung durchge ^¬ hend aus demselben Material, beispielsweise aus einem PerfLuorkautschuk, einem Silikonkautschuk, Gummi oder dergleichen, gebildet ist. Ferner wird eine Lithographieanlage mit einem derartigen wasserführenden System vor geschlagen.

Das wasserführende System kann beispielsweise ein Kühlsystem eines Kollek ^¬ tors einer EUV-Lichtquelle der Lithographieanlage sein. Die Lithographieanla ^¬ ge kann eine EUV-Lithographieanlage oder eine DUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für "Extreme Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Ar ^¬ beitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. DUV steht für "Deep Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitshchts zwischen 30 nm und 250 nm. Die Lithographieanlage kann mehrere derartige wasserführende Systeme umfas ^¬ sen.

"Ein" ist vorhegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die ge ^¬ nannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abwei ^¬ chungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteihges ange ^¬ geben ist.

Die für das wasserführende System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Lithographieanlage entsprechend und umgekehrt.

Weitere möghche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht ex ^¬ plizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüghch der Aus ^¬ führungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen stand der Unter ansprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausfüh rungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von be vorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

Fig. 1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV- Lithographieanlagei

Fig. 1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV- Lithographieanlagei

Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines wasserführenden Systems für die Lithographieanlage gemäß Fig. 1A oder Fig. 1B;

Fig. 3 zeigt die Detailansicht III gemäß Fig. 2;

Fig. 4 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Dich tungsvorrichtung für das wasserführende System gemäß Fig. 2; und

Fig. 5 zeigt eine schematische Schnittansicht der Dichtungsvorrichtung gemäß der Schnittlinie V-V der Fig. 4.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Be zugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Fer ner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht not wendigerweise maßstabsgerecht sind. Fig. 1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlform ungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions ^¬ system 104 umfasst. Dabei steht EUV für "extremes Ultraviolett" (Engl.: ext ^¬ reme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitshchts zwi ^¬ schen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum- Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum -Gehäuse mit Hilfe einer nicht dar ^¬ gestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum -Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebs ^¬ vorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steue ^¬ rungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.

Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Syn ^¬ chrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 30 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt, und die gewünschte Betriebswellenlänge wird aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV- Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahl ^¬ formungs- und Beleuchtungs System 102 und im Projektionssystem 104 evaku ^¬ iert sind.

Das in Fig. 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist eben ^¬ falls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Sys- teme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 ver ^¬ kleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel Ml bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel Ml bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 ange ^¬ ordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel Ml bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl be ^¬ schränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel Ml bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel Ml bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.

Fig. 1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlform ungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions ^¬ system 104 umfasst. Dabei steht DUV für "tiefes Ultraviolett" (Engl.: deep ult- raviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu Fig. 1A beschrieben - von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umge ^¬ ben sein.

Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emit ^¬ tiert. Das in Fig. 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder der ^¬ gleichen abgebildet wird.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es soll ^¬ te beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV- Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 auf ^¬ weist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photohthographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.

Fig. 2 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines wasserführenden Systems 200 für eine EUV-Lithographieanlage 100A oder für eine DUV-Lithographieanlage 100B. Fig. 3 zeigt die Detailansicht III gemäß der Fig. 2. Nachfolgend wird auf die Fig. 2 und 3 gleichzeitig Bezug genommen. Das wasserführende System 200 kann ein Kühlsystem sein, welches geeignet ist, beliebige Komponenten der EUV-Lithographieanlage 100A oder der DUV- Lithographieanlage 100B zu kühlen. Das wasserführende System 200 kann beispielsweise ein Kühlsystem eines Kollektors einer wie zuvor erwähnten EUV-Lichtquelle 106A sein.

Das wasserführende System 200 umfasst einen Kühler 202, der aus einer Alu miniumlegierung gefertigt ist. Der Kühler 202 kann jedoch auch aus Edelstahl, Kupfer oder aus einem anderen geeigneten Material gefertigt sein. Der Kühler 202 weist eine Vielzahl an Kühlkanälen 204 auf, von denen in der Fig. 2 nur einer gezeigt ist. In den Kühlkanälen 204 zirkuliert Kühlwasser 206, insbeson dere vollentsalztes Wasser. Der in der Fig. 2 gezeigte Kühlkanal 204 ist rotati onssymmetrisch zu einer Mittel- oder Symmetrieachse 208 aufgebaut. An dem Kühler 202 ist eine Flanschfläche 210 vorgesehen. Die Flanschfläche 210 kann beispielsweise eine geschliffene Oberfläche des Kühlers 202 mit einer definier ten Oberflächenrauigkeit sein. Die Flanschfläche 210 kann ringförmig um die Symmetrieachse 208 umlaufen.

Weiterhin weist das wasserführende System 200 eine Leitung 212 auf. Die Lei tung 212 kann eine Zuführleitung zum Zuführen des Kühlwassers 206 zu dem Kühler 202 oder eine Abführleitung zum Abführen des Kühlwassers 206 von dem Kühler 202 sein. Die Leitung 212 umfasst einen rohrförmigen Basisab schnitt 214 sowie einen tellerförmigen oder scheibenförmigen Flanschabschnitt 216, der an den Basis ab schnitt 214 angeformt ist. Der Flanschabschnitt 216 kann eine behebige Form aufweisen. Der Flanschabschnitt 216 kann beispiels weise auch oval oder vieleckig sein. Der Flanschabschnitt 216 kann rotations symmetrisch zu der Symmetrieachse 208 aufgebaut sein. Der Flanschabschnitt 216 kann jedoch auch unsymmetrisch aufgebaut sein. Der Basis ab schnitt 214 und der Flanschabschnitt 216 können einteilig, insbe sondere materialeinstückig, miteinander verbunden sein. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. "Einteilig" oder "einstückig" bedeutet vorliegend, dass der Basis ab schnitt 214 und der Flanschabschnitt 216 ein gemeinsames Bauteil bilden und nicht aus unterschiedlichen Bauteilen zusammengesetzt sind. "Ma terialeinstückig" bedeutet vorliegend, dass der Basisabschnitt 214 und der Flanschabschnitt 216 durchgehend aus demselben Material gefertigt sind. Die Leitung 212 kann aus Edelstahl gefertigt sein. Der Basisabschnitt 214 und der Flanschabschnitt 216 können jedoch auch zwei voneinander getrennte Bauteile sein, die beispielsweise miteinander verschweißt sind.

Der Flanschabschnitt 216 ist gegen die Flanschfläche 210 des Kühlers 202 ge presst. Hierzu kann eine Verschraubung (nicht gezeigt) vorgesehen sein, wel che den Flanschabschnitt 216 gegen die Flanschfläche 210 drückt. Der Flanschabschnitt 216 umfasst eine beispielsweise ringförmig um die Symmet rieachse 208 umlaufende Flanschfläche 218, die an der Flanschfläche 210 an- liegt. Die Flanschfläche 218 kann eine geschliffene Oberfläche mit einer defi nierten Oberflächenrauigkeit sein.

An dem Flanschabschnitt 216 ist eine in Richtung der Flanschfläche 210 offene und rotationssymmetrisch um die Symmetrieachse 208 umlaufende erste Ringnut 220 vorgesehen. Die erste Ringnut 220 erstreckt sich ausgehend von der Symmetrieachse 208 in einer Radialrichtung R in den Flanschabschnitt 216 hinein. Die erste Ringnut 220 umfasst eine erste Wandung 222, welche zylin derförmig um die Symmetrieachse 208 umläuft. Die erste Wandung 222 ist ent lang einer Axialrichtung A, die entlang der Symmetrieachse 208 orientiert ist, betrachtet beabstandet von der Flanschfläche 210 platziert. Die erste Ringnut 220 umfasst ferner eine zweite Wandung 224, welche ebenfalls zyhnderförmig ist. Auch die zweite Wandung 224 ist entlang der Axialrichtung A betrachtet beabstandet von der Flanschfläche 210 platziert. Entlang der Radialrichtung R betrachtet ist die zweite Wandung 224 weiter von der Symmetrieachse 208 weg platziert als die erste Wandung 222. Die Wandungen 222, 224 sind mit Hilfe einer sich entlang der Radialrichtung R erstreckenden dritten Wandung 226 miteinander verbunden. Die dritte Wandung 226 ist beispielsweise scheiben förmig und ist parahel zu den Flanschflächen 210, 218 orientiert. Die dritte Wandung 226 kann jedoch eine beliebige Geometrie aufweisen.

Der Flanschabschnitt 216 umfasst eine zweite Ringnut 228. Die zweite Ringnut 228 ist entlang der Radialrichtung R betrachtet weiter von der Symmetrieachse 208 entfernt angeordnet als die erste Ringnut 220. Die zweite Ringnut 228 läuft somit um die erste Ringnut 220 um. Die zweite Ringnut 228 umfasst eine zy linderförmige erste Wandung 230 sowie eine zylinderförmige zweite Wandung 232, welche vollständig um die Symmetrieachse 208 umlaufen. Dabei ist die zylinderförmige zweite Wandung 232 entlang der Radialrichtung R betrachtet weiter von der Symmetrieachse 208 beabstandet angeordnet als die erste Wan dung 230. Die Wandungen 230, 232 sind mit Hilfe einer dritten Wandung 234, die sich ausgehend von der ersten Wandung 230 entlang der Radialrichtung R in Richtung der zweiten Wandung 232 erstreckt, miteinander verbunden.

Die Wandungen 224, 230 sind an einer ringförmig um die Symmetrieachse 208 umlaufenden Rippe 236 vorgesehen. Die Rippe 236 kontaktiert die Flanschflä- che 210 nicht. Die Rippe 236 trennt die erste Ringnut 220 von der zweiten Ringnut 228. Die erste Wandung 222 ist an einer ringförmig um die Symmet rieachse 208 umlaufenden Rippe 238 vorgesehen. Die Rippe 238 kontaktiert die Flanschfläche 210 nicht und ist entlang der Axialrichtung A von dieser beab standet angeordnet.

Zwischen dem Flanschabschnitt 216 und der Flanschfläche 210 ist eine fluid dichte Abdichtung erforderlich. Beispiele für eine derartige Abdichtung können Schraubverbindungen mit Dichtungen aus MetaU oder Kunststoff sein. Bei- spiels weise können O -Ringe, Flach dich tungen oder Dichtungen mit einem x- förmigen Querschnitt als Dichtungen eingesetzt werden. Im EUV-Bereich ist aufgrund seiner hohen Vakuumanforderungen ein besonderes Augenmerk auf die Abdichtung zu legen. Hier genügt es nicht, dass das wasserführende System 200 nicht tropft, sondern bereits austretende Wassermoleküle, beispielsweise in Form von Dampf, können zu Vakuumeinbrüchen bei 10 ⁶ bis 10 ¹¹ mbar führen.

Wie zuvor erwähnt, wird als Kühlwasser 206 vollentsalztes Wasser verwendet, das die verwendeten Materialien, insbesondere die Aluminiumlegierung des Kühlers 202, angreifen kann. Zusätzlich kann vollentsalztes Wasser Ionen aus den durchflossenen Materialien herauslösen und wirkt damit korrosionsför dernd. Werden nun Korrosionsprodukte an der Flanschfläche 210 und der Dichtung abgelagert, so kann es bei einer ungünstigen Geometrie der Dichtung, beispielsweise bei einer Ringform, zu einer Undichtigkeit des wasserführenden Systems 200 kommen.

Hinsichtlich einer Undichtigkeit kritisch sind beispielsweise Dichtungen, ins besondere Dichtungen mit einem kreisförmigen Querschnitt, an denen sich Totwasserzonen bilden können. Hierbei können sich zwischen der Dichtung und der Flanschfläche 210 schmale Spalte ausbilden, die mittels Wasser und Ionen gefüllt sind. Im Falle der Verwendung einer ringförmigen Dichtung, ins besondere eines O-Rings, die nur linienförmig an der Flanschfläche 210 anliegt, kann sich so eine Totwasserzone in Form eines keilförmigen Spalts bilden.

In solchen Spalten sind Ablagerungen thermodynamisch bevorzugt, da es weni ger Durchfluss gibt und zusätzlich geringere Grenzenergien zur Nukleation von Ausscheidungen überwunden werden müssen. Weiterhin führen Spalte auch zur Spaltkorrosion, also zu einem zusätzlichen Auflösen des jeweiligen Metalls an dieser Stelle, wodurch wiederum weitere Ionen in das Kühlwasser 206 ge langen, die an dieser Stelle auskristallisieren können. Das System fördert sich sozusagen selbst, wenn ungünstige Faktoren vorliegen. Liegen Ausscheidungen vor, können diese die Dichtung unterwandern und wegdrücken. Korrosionspro ^¬ dukte nehmen dabei ein größeres Volumen als das ursprüngliche Material ein und sind gegebenenfalls leicht porös. Somit kann letzthch Kühlwasser 206, bei ^¬ spielsweise als Moleküle oder bei fortgeschrittener Korrosion als Tropfen, aus dem wasserführenden System 200 austreten. Das wasserführende System 200 wird undicht.

Durch die Anwendung des wasserführenden Systems 200 im EUV-Bereich, ins ^¬ besondere in der EUV-Lichtquelle 106A, wo die EUV-Strahlung 108A erzeugt wird, kommt es zu erhöhten Temperaturen durch den Betrieb der EUV- Lichtquelle 106A und insbesondere zu einer Zinn-Kontamination durch die Er ^¬ zeugung der EUV-Strahlung 108A. Die EUV-Strahlung 108A wird von dem Kollektor zur Projektion eingesammelt und vorbereitet. Zur Wärmeabfuhr wird Kühlwasser 206 durch die Kühler 202 des KoUektors und weiterer Mechanik ^¬ bauteile, die sich oberhalb und unterhalb einer Tragstruktur befinden können, geführt. Zwischen der Leitung 212 und der Flanschfläche 210 werden nach be ^¬ triebsinternen Kenntnissen der Anmelderin zwei O -Ringe als Dichtung ver ^¬ wendet.

Durch dieses Dichtungsdesign und die Prozessbedingungen mittels Durchflus ^¬ ses von vollentsalztem Wasser als Kühlwasser 206 bei erhöhten Temperaturen, kann es zu möglichen Schädigungen des Materials und der Oberfläche an der Flanschfläche 210 des Kühlers 202 und schlussendhch zur Unterwanderung der O-Ringe kommen. Vollentsalztes Wasser kontaminiert innerhalb weniger Tage stark, so dass es nicht mehr als vollentsalztes Wasser vorhegt, sondern mit Ionen angereichert ist. Wird das wasserführende System 200 undicht, droht ein Ausfall beim Kunden. Zur Reparatur muss die Flanschfläche 210 des Kühlers 202 überarbeitet werden, was mit einem Materialabtrag einhergeht. Dies ist nur innerhalb der Toleranzen möglich, so dass es auch zum Ausfall von Kühlern 202 als Schrott und damit erhöhten Kosten kommt. Dies gilt es zu vermeiden.

Um die vorgenannten Nachteile, nämlich die Totwasserzone sowie die Überar beitung oder Verschrottung des Kühlers 202, zu vermeiden, wird nachfolgend ein verbessertes Dichtungskonzept vor geschlagen. In der zweiten Ringnut 228 ist ein Dichtungselement 240 aufgenommen. Das Dichtungselement 240 kann ein O-Ring sein oder jede andere beliebige Geometrie aufweisen. Das Dich tungselement 240 ist zwischen der Flanschfläche 210 und der dritten Wandung 234 der zweiten Ringnut 228 verpresst.

Das verbesserte Dichtungskonzept umfasst eine in der ersten Ringnut 220 auf genommene Dichtungsvorrichtung 300. Die Dichtungsvorrichtung 300 ist zum einen in der Axialrichtung A zwischen der Flanschfläche 210 und der dritten Wandung 226 der ersten Ringnut 220 und zum anderen in der Radialrichtung R zwischen den Wandungen 222, 224 der ersten Ringnut 220 verpresst. Zwi schen dem Dichtungselement 240 und der Dichtungsvorrichtung 300 ist ein Zwischenraum 242 vorgesehen.

Fig. 4 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer wie zuvor erwähnten Dichtungsvorrichtung 300. Fig. 5 zeigt eine schematische Schnittansicht der Dichtungs Vorrichtung 300 gemäß der Schnittlinie V-V der Fig. 4 nachfolgend wird auf die Fig. 4 und 5 gleichzeitig Bezug genommen.

Die Dichtungsvorrichtung 300 ist scheibenförmig und rotationssymmetrisch zu einer Mittel- oder Symmetrieachse 302 aufgebaut. In einem in den Fig. 2 und 3 gezeigten eingebauten Zustand der Dichtungsvorrichtung 300 ist die Symmet rieachse 302 koaxial zu der Symmetrieachse 208 angeordnet. Die Dichtungs vorrichtung 300 ist ein einteiliges, insbesondere ein materialeinstückiges, Bau- teil. Die Dichtungsvorrichtung 300 kann aus einem Perfluorkautschuk, einem Silikonkautschuk, Gummi oder dergleichen gefertigt sein.

Die Dichtungsvorrichtung 300 umfasst einen scheibenförmigen axialen Ver- pressabschnitt 304, welcher in dem eingebauten Zustand der Dichtungs Vorrich tung 300 entlang der Axialrichtung A zwischen der Flanschfläche 210 und der dritten Wandung 226 der ersten Ringnut 220 verpresst ist. Unter "scheiben förmig" ist vorhegend eine flache zylinderförmige Geometrie zu verstehen. Hierbei wird der axiale Verpressabschnitt 304 elastisch verformt. Der axiale Verpressabschnitt 304 umfasst einen zyhnderförmigen Durchbruch 306, der rotationssymmetrisch zu der Symmetrieachse 302 aufgebaut ist. Ein Durch messer d306 des Durchbruchs entspricht dabei bevorzugt einem Durchmesser des Kühlkanals 204. Durch den Durchbruch 306 kann das Kühlwasser 206 hindurchströmen. Innenseitig hegt der Durchbruch 306 an der Rippe 238, ins besondere an der ersten Wandung 222 der Rippe 238 an. Der axiale Verpress abschnitt 304 weist entlang der Axialrichtung A betrachtet eine Dicke t304 auf. Der axiale Verpressabschnitt 304 umfasst ferner einen Durchmesser d304, der größer als der Durchmesser d306 ist.

Der axiale Verpressabschnitt 304 umfasst eine ringförmig um die Symmetrie achse 302 umlaufende erste Oberfläche 308 sowie eine ringförmig um die Symmetrieachse 302 umlaufende zweite Oberfläche 310. Die Oberflächen 308, 310 sind parallel zueinander angeordnet. Entlang der Axialrichtung A betrach tet, sind die Oberflächen 308, 310 voneinander beabstandet positioniert.

Neben dem axialen Verpressabschnitt 304 umfasst die Dichtungsvorrichtung 300 einen radialen Verpressabschnitt 312. Der axiale Verpressabschnitt 304 und der radiale Verpressabschnitt 312 sind einteihg, insbesondere materialein stückig, ausgebildet. In dem eingebauten Zustand der Dichtungsvorrichtung 300 liegt der radiale Verpressabschnitt 312 an der Rippe 236, insbesondere an der zweiten Wandung 224 der Rippe 236, an. Da der axiale Verpressabschnitt 304 an der ersten Wandung 222 anliegt, ist mit Hilfe des radialen Verpressab- schnitts 312 ein Verpressen der Dichtungsvorrichtung 300 entlang der Radial richtung R möglich. Dabei hegt der radiale Verpressabschnitt 312 jedoch weder an der Flanschfläche 210 noch an der dritten Wandung 226 der ersten Ringnut 220 an.

Der radiale Verpressabschnitt 312 umfasst eine Dicke t312, die kleiner als die Dicke t304 des axialen Verpressabschnitts 304 ist. Bezüglich der Axialrichtung A ist der radiale Verpressabschnitt 312 mittig an dem axialen Verpressab schnitt 304 positioniert. Das heißt, die Dichtungsvorrichtung 300 ist spiegel symmetrisch zu einer Ebene 314 aufgebaut. Dies führt zu einem Poka Yoke Ef fekt. Das heißt, dass die Dichtungs Vorrichtung 300 nicht falsch montiert wer den kann. Der radiale Verpressabschnitt 312 weist einen Durchmesser d312 auf, der größer als der Durchmesser d304 des axialen Verpressabschnitts 304 ist.

Der radiale Verpressabschnitt 312 umfasst eine ringförmig um die Symmetrie achse 302 umlaufende erste Oberfläche 316 sowie eine ringförmig um die Symmetrieachse 302 umlaufende zweite Oberfläche 318. Die Oberflächen 316, 318 sind parahel zueinander angeordnet. Entlang der Axialrichtung A betrach tet, sind die Oberflächen 316, 318 voneinander beabstandet positioniert.

An dem radialen Verpressabschnitt 312 sind randseitig Entlüftungsausschnitte 320, 322, 324, 326 vorgesehen. Die Anzahl der Entlüftungsausschnitte 320,

322, 324, 326 ist beliebig. Beispielsweise kann nur ein Entlüftungsausschnitt 320, 322, 324, 326 vorgesehen sein. Es können auch zwei, drei, vier, fünf, sechs oder mehr Entlüftungsausschnitte 320, 322, 324, 326 vorgesehen sein. Die Ent lüftungsausschnitte 320, 322, 324, 326 durchbrechen den radialen Verpressab schnitt 312 entlang der Axialrichtung A vollständig. Die Entlüftungsausschnit- te 320, 322, 324, 326 weisen eine halbkreisförmige Geometrie auf. Die Entlüf tungsausschnitte 320, 322, 324, 326 können jedoch eine beliebige Geometrie aufweisen.

Die Funktionahtät der Dichtungsvorrichtung 300 wird nachfolgend erläutert. Zunächst werden das Dichtungselement 240 und die Dichtungsvorrichtung 300 in die ihnen zugeordneten Ringnuten 220, 228 eingelegt oder eingedrückt. Da bei hegt das Dichtelement 240 außenseitig an der zweiten Ringnut 228 an. Die Dichtungsvorrichtung 300 wird zwischen den Wandungen 222, 224 der ersten Ringnut 220 angeordnet. Dabei wird die Dichtungsvorrichtung 300 zwischen den Wandungen 222, 224 leicht verpresst, derart, dass die Dichtungsvorrich- tung 300 nicht mehr aus der ersten Ringnut 220 herausfallen kann.

Anschließend wird der Flanschabschnitt 216 der Leitung 212 gegen die Flanschfläche 210 des Kühlers 202 gepresst. Hierzu kann eine Schraubverbin dung (nicht gezeigt) zwischen dem Flanschabschnitt 216 und dem Kühler 202 vorgesehen sein. Bei dem Pressen des Flanschabschnitts 216 gegen die Flanschfläche 210 wird das Dichtungselement 240 entlang der Axialrichtung A verpresst, derart, dass das Dichtungselement 240 im Wesentlichen jeweils mit einem linienförmigen Kontakt an der Flanschfläche 210 und an der dritten Wandung 234 der zweiten Ringnut 228 fluiddicht dichtend anliegt.

Die Dichtungs Vorrichtung 300 wird ebenfalls entlang der Axialrichtung A ver presst. Da der axiale Verpressabschnitt 304 die beiden parallel zueinander an geordneten Oberflächen 308, 310 aufweist, welche an der Flanschfläche 210 und an der dritten Wandung 226 der ersten Ringnut 220 anliegen, wird zwi schen der Dichtungsvorrichtung 300 und der Flanschfläche 210 beziehungswei se der dritten Wandung 226 ein flächiger Kontakt verwirklicht. Durch diesen flächigen Kontakt wird die Bildung von Totwasserzonen erschwert und ein Un terwandern der Dichtungsvorrichtung 300 durch Korrosionsprodukte wird er- schwert. Bei dem Verpressen des axialen Verpressabschnitts 304 weicht dieser geringfügig entlang der Radialrichtung R aus. Da sich der radiale Verpressab- schnitt 312 an der zweiten Wandung 224 der ersten Ringnut abstützt, wird die Dichtungs Vorrichtung 300 auch radial verpresst.

Abschließend werden die Ringnuten 220, 228, insbesondere der zwischen der Dichtungsvorrichtung 300 und dem Dichtungselement 240 vorgesehene Zwi ^¬ schenraum 242, evakuiert. Dadurch, dass die Dichtungsvorrichtung 300 die Entlüftungsausschnitte 320, 322, 324, 326 aufweist, kann der Zwischenraum 242 vollständig evakuiert werden, so dass keine Lufttaschen verbleiben.

Mittels eines neuen Dichtungsdesigns in Form der Dichtungs Vorrichtung 300, welche flächig auf der Flanschfläche 210 aufliegt, wird eine mögliche Totwas ^¬ serzone abgedeckt und damit eine Anlagerung von Korrosionsprodukten an der Flanschfläche 210, welche zu einer Unterwanderung der Dichtungsvorrichtung 300 führen kann, vermieden oder zumindest erschwert. Zusätzhch ermöglicht die Dichtungsvorrichtung 300 eine axiale Verpressung entlang der Axialrich ^¬ tung A sowie eine radiale Verpressung entlang der Radialrichtung R. Ferner weist die Dichtungsvorrichtung 300 im Vergleich zu einem ORing entlang der Radialrichtung R betrachtet eine größere verpresste Länge, nämlich die Ober ^¬ flächen 308, 310, auf.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen be ^¬ schrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. BEZUGSZEICHENLISTE

100A EUV-Lithographieanlage

100B DUV-Lithographieanlage

102 Strahlformungs- und Beleuchtungssystem

104 Projektionssystem

106A EUV-Lichtquelle

106B DUV-Lichtquelle

108A EUV-Strahlung

108B DUV-Strahlung

110 Spiegel

112 Spiegel

114 Spiegel

116 Spiegel

118 Spiegel

120 Photomaske

122 Spiegel

124 Wafer

126 optische Achse

128 Linse

130 Spiegel

132 Medium

200 wasserführendes System 202 Kühler 204 Kühlkanal 206 Kühlwasser 208 Symmetrieachse 210 FlanschfLäche

212 Leitung

214 Basis ab schnitt Flanschabschnitt

Flanschfläche

220 Ringnut

222 Wandung

224 Wandung

226 Wandung

228 Ringnut

230 Wandung

232 Wandung

234 Wandung

236 Rippe

238 Rippe

240 Dichtungselement

242 Zwischenraum

300 Dichtungsvorrichtung

302 Symmetrieachse

304 Verpressabschnitt

306 Durchbruch

308 Oberfläche

310 Oberfläche

312 Verpressabschnitt

314 Ebene

316 Oberfläche

318 Oberfläche

320 Entlüftungsausschnitt

322 Entlüftungsausschnitt

324 Entlüftungsausschnitt

326 Entlüftungsausschnitt

A Axialrichtung d304 Durchmesser d306 Durchmesser d312 Durchmesser Ml Spiegel M2 Spiegel

M3 Spiegel M4 Spiegel M5 Spiegel M6 Spiegel R Radialrichtung t304 Dicke t312 Dicke