Title:
太陽電池の製造方法および太陽電池
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2016117073
Kind Code:
A1
Abstract:
受光面１Ａおよび裏面１Ｂを有するｐ型単結晶シリコン基板１の側面１Ｃに選択的に酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０の形成されたｐ型単結晶シリコン基板１の受光面１Ａにｎ型拡散層３を形成する工程と、ｎ型拡散層３の形成されたｐ型単結晶シリコン基板１の裏面１Ｂにｎ型拡散層３よりも高濃度のｐ型拡散層８を形成する工程とを含む。上記構成により、受光面１Ａの損傷の抑制、拡散層の削り量を抑制し、光電変換効率の向上をはかりつつも、端面すなわち側面１Ｃへの拡散を防止し、端部の拡散層からのリークを抑制し、太陽電池の良品率向上をはかる。
Inventors:
Emi Sugimura
Application Number:
JP2016570415A
Publication Date:
April 27, 2017
Filing Date:
January 22, 2015
Export Citation:
Assignee:
Mitsubishi Electric Corporation
International Classes:
H01L31/18; H01L31/068
Domestic Patent References:
| JP2006210385A | 2006-08-10 | |||
| JP2011222682A | 2011-11-04 | |||
| JP2001077386A | 2001-03-23 | |||
| JPH06181323A | 1994-06-28 | |||
| JP2014063890A | 2014-04-10 | |||
| JP2005056875A | 2005-03-03 | |||
| JP2014072292A | 2014-04-21 | |||
| JP2010123859A | 2010-06-03 | |||
| JP2010092961A | 2010-04-22 | |||
| JPH05315628A | 1993-11-26 | |||
| JP2005150231A | 2005-06-09 |
Foreign References:
| US5972784A | 1999-10-26 | |||
| US20100230771A1 | 2010-09-16 |
Attorney, Agent or Firm:
Hiroaki Sakai