以下、本発明を実施するための最良の形� ��について詳細に説明する。

 本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を� ��った結果、対向電極間に前記一般式(1)で表� ��れる化合物を含有した電解質を有し、該対� ��電極の駆動操作により着色状態を変化させ� ��ことを特徴とする表示素子により、明るい� ��表示、高コントラストの白黒表示及びフル� ��ラー表示を、簡便な部材構成からなる新規� ��電気化学的な表示素子を実現できることを� ��出し、本発明に至った次第である。

 以下、本発明の詳細について説明する。

 《電解質》
 本発明の表示素子においては、対向電極間� ��電解質を含有するが、本発明でいう「電解� ��」とは、一般に、水などの溶媒に溶けて溶� ��がイオン伝導性を示す物質(以下、「狭義の 電解質」という。)をいうが、本発明の説明� �おいては、狭義の電解質に電解質、非電解� �を問わず他の金属、化合物等を含有させた� �合物を電解質(「広義の電解質」)という。

 本発明に係る対向電極間に形成する電解� ��は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活� ��物質、支持電解質、錯化剤、白色散乱物、� ��粘剤等を必要に応じて選択して構成されて� ��る。

 以下、本発明に係る電解質の各構成要素� ��ついて、更に説明する。

 〔有機溶媒〕
 本発明に係る電解質で適用可能な有機溶媒� ��しては、電解質を形成した後、揮発を起こ� ��ず電解質に留まることができる沸点が120~300 ℃の範囲にある有機溶媒であれば特に制限は なく、例えば、プロピレンカーボネート、エ チレンカーボネート、エチルメチルカーボネ ート、ジエチルカーボネート、ジメチルカー ボネート、ブチレンカーボネート、γ-ブチル ラクトン、テトラメチル尿素、スルホラン、 ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミ� �ゾリジノン、2-(N-メチル)-2-ピロリジノン、� �キサメチルホスホルトリアミド、N-メチルプ ロピオンアミド、N,N-ジメチルアセトアミド� �N-メチルアセトアミド、N,Nジメチルホルムア ミド、N-メチルホルムアミド、ブチロニトリ� ��、プロピオニトリル、アセトニトリル、ア� ��チルアセトン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ブ タノール、1-ブタノール、2-プロパノール、1- プロパノール、無水酢酸、酢酸エチル、プロ ピオン酸エチル、ジメトキシエタン、ジエト キシフラン、テトラヒドロフラン、エチレン グリコール、ジエチレングリコール、トリエ チレングリコールモノブチルエーテル、トリ クレジルホスフェート、2エチルヘキシルホ� �フェート、ジオクチルフタレート、ジオク� �ルセバケート等を挙げることができる。

 上記有機溶媒の中でも、プロピレンカー� ��ネート、エチレンカーボネート、エチルメ� ��ルカーボネート、ジエチルカーボネート、� ��メチルカーボネート、ブチレンカーボネー� ��、γ-ブチルラクトン等のカルボン酸エステ� ��系化合物を用いることが好ましい。

 本発明で用いることのできるその他の溶� ��として、J.A.Riddick,W.B.Bunger,T.K.Sakano,“Organic  Solvents”,4th ed.,John Wiley & Sons(1986)、Y.Marc us,“Ion Solvation”,John Wiley & Sons(1985)、C.R eichardt,“Solvents and Solvent Effects in Chemistry� �,2nd ed.,VCH(1988)、G.J.Janz,R.P.T.Tomkins,“Nonaqueous� �Electorlytes Handbook”,Vol.1,Academic Press(1972)に記 載の化合物を挙げることができる。

 〔イオン性液体〕
 本発明に係るイオン性液体とは、室温でも� ��体で存在する塩を指し、イミダゾリウム、� ��リジニウム等の陽イオンと、フッ化物イオ� ��やトリフラート等の陰イオンの組合せから� ��択することができる。

 〔固体電解質、ゲル電解質〕
 本発明に係る電解質は、溶媒やイオン性液� ��から成る溶液状の電解質以外にも、実質的� ��溶媒を含まない固体電解質や高分子化合物� ��含有した高粘度な電解質やゲル状の電解質( 以下、ゲル電解質)を用いることができる。

 《表示素子の基本構成》
 本発明の表示素子において、表示部には、� ��応する1つの対向電極が設けられている。表 示部に近い対向電極の1つである電極1(表示側 電極)にはITO電極等の透明電極、他方の電極2( 非表示側電極)には銀電極等の金属電極が設� �られている。

 本発明の表示素子においては、対向電極� ��に電解質を有し、該電解質が本発明に係る� ��般式(1)で表される化合物を含有することを� ��徴とするが、更には、該電解質が本発明に� ��る一般式(2)で表される化合物を含有するこ� ��が好ましい。

 対向電極間の電解質に存在する本発明に� ��る一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)� ��表される化合物は、電解質層中に存在して� ��ても、あるいは、対向電極上に薄膜を形成� ��て存在させてもよい。

 更には、電極1上に、本発明に係る一般式 (1)で表される化合物と一般式(2)で表される化 合物を含んだ膜を形成することが好ましい。 電極1と電極2との間には電解質が保持されて� ��り、対向電極間に正負両極性の電圧を印加� ��ることにより、電極1の膜に含有されている 一般式(1)で表される化合物のアノード反応に よって黒色を表示し、一般式(1)で表される化 合物のカソード反応によって黒色以外の着色 を表示することができる。

 本発明に係る一般式(1)で表される化合物� ��一般式(2)で表される化合物を含有した膜は� ��同一膜中に一般式(1)で表される化合物と一� ��式(2)で表される化合物を含有していてもよ� ��し、一般式(1)で表される化合物を含有した� ��と一般式(2)で表される化合物を含有した膜� ��2層以上の構成を取ってもよい。

 本発明に係る一般式(1)で表される化合物� ��一般式(2)で表される化合物を含有した膜は� ��本発明に係る一般式(1)で表される化合物と� ��般式(2)で表される化合物を適当な溶媒に溶� ��した液を用いて、自己組織化法、電解重合� ��、塗布法、インクジェット法、スクリーン� ��刷法等で形成することができ、好ましくは� ��ンクジェット法で形成することである。

 本発明に係る一般式(1)で表される化合物� ��一般式(2)で表される化合物を含有した膜は� ��膜の強度や基板との密着性向上の観点から� ��適当なバインダーを添加してもよい。

 《ナノ多孔質電極》
 本発明の表示素子においては、対向電極の� ��ち、本発明に係る一般式(1)で表される化合� ��を含む膜が形成されている電極が、ナノ多� ��質化構造を有するナノ多孔質電極であるこ� ��が好ましい。

 本発明に係るナノ多孔質電極の形成方法� ��しては、電極を構成する材料を含んだ分散� ��をインクジェット法、スクリーン印刷法、� ��レード塗布法などで電極を構成する材料と� ��媒を含んだ層を形成した後に、120度から300� ��の温度で加熱することよって多孔質化する� ��法や、スパッタ法、CVD法、大気圧プラズマ� ��などで電極層を構成した後に、陽極酸化、� ��電気化学エッチングすることによってナノ� ��孔質化する方法が挙げられる。また、Adv.Mat er.2006,18,2980-2983に記載された方法でも、ナノ� ��孔質電極を形成することができる。

 本発明に係るナノ多孔質電極を構成する材� ��の主成分は、Cu、Al、Pt、Ag、Pd、Au等の金属� ��ITO、SnO ₂ 、TiO ₂ 、ZnO等の金属酸化物やカーボンナノチューブ 、グラッシーカーボン、ダイヤモンドライク カーボン、窒素含有カーボン等の炭素電極か ら選択することができ、好ましくは、ITO、SnO ₂ 、TiO ₂ 、ZnO等の金属酸化物から選択されることであ る。

 ナノ多孔質電極を形成する基板は、ガラ� ��、プラスチック樹脂のどちらでも用いるこ� ��ができ、またガラスまたはプラスチック樹� ��上に金属または酸化物半導体の導電性層を� ��成した後に、本発明に係るナノ多孔質層が� ��成されていても良い。

 本発明でいう多孔質とは、ナノ多孔質電� ��上に、電解質を与えた後にもう一方の電極� ��挟み込み、対向電極間に電位差を与え、ナ� ��多孔質電極内で高分子に含まれる金属の酸� ��還元反応や電解質中に含まれる金属の溶解� ��出反応を生じさせることが可能で、イオン� ��がナノ多孔質電極内を移動可能な状態のこ� ��を言う。

 本発明に係るナノ多孔質電極の膜厚は、1 00~1500nmの範囲であることが好ましく、より好 ましくは250~1000nmの範囲である。

 本発明に係るナノ多孔質電極上に高分子� ��を形成することで、高分子膜と電極との密� ��性が上がり、繰り返し動作での高分子膜の� ��れが大幅に向上させることができる。本効� ��は、特に高分子膜を形成する金属錯体に銀� ��ビスマス等の還元反応で析出性を示す金属� ��用いた場合に顕著である。

 《一般式(1)で表される化合物》
 本発明の表示素子においては、対向電極間� ��下記一般式(1)で表される化合物を含有する� ��とを特徴とする。

 前記一般式(1)において、R ₁ 及びR ₂ は各々水素原子または置換基を表し、R ₃ 及びR ₄ は、各々下記一般式(A)で表される置換基を表 す。

 R ₁ 及びR ₂ で表される置換基としては、例えば、アルキ ル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピ� �基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチ ル基、ヘキシル基等)、シクロアルキル基(例� ��ば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基� ��)、アルケニル基、シクロアルケニル基、ア ルキニル基(例えば、プロパルギル基等)、グ� ��シジル基、アクリレート基、メタクリレー� ��基、芳香族基(例えば、フェニル基、ナフチ ル基、アントラセニル基等)、複素環基(例え� ��、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリ� ��基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル� ��、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダ� ��ニル基、セレナゾリル基、スリホラニル基� ��ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾ� ��ル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ� �、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチ� �オキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキ� �ルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、� ��リールオキシ基(例えば、フェノキシ基等)� �アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオ� ��シカルボニル基、エチルオキシカルボニル� ��、ブチルオキシカルボニル基等)、アリール オキシカルボニル基(例えば、フェニルオキ� �カルボニル基等)、スルホンアミド基(例えば 、メタンスルホンアミド基、エタンスルホン アミド基、ブタンスルホンアミド基、ヘキサ ンスルホンアミド基、シクロヘキサンスルホ ンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等)� �スルファモイル基(例えば、アミノスルホニ� ��基、メチルアミノスルホニル基、ジメチル� ��ミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニ� ��基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロ� ��キシルアミノスルホニル基、フェニルアミ� ��スルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニ� �基等)、ウレタン基(例えば、メチルウレイド 基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基 、シクロヘキシルウレイド基、フェニルウレ イド基、2-ピリジルウレイド基等)、アシル基 (例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブ� �ノイル基、ヘキサノイル基、シクロヘキサ� �イル基、ベンゾイル基、ピリジノイル基等)� ��カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル 基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルア ミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニ ル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロ ヘキシルアミノカルボニル基、フェニルアミ ノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニ� ��基等)、アシルアミノ基(例えば、アセチル� �ミノ基、ベンゾイルアミノ基、メチルウレ� �ド基等)、アミド基(例えば、アセトアミド基 、プロピオンアミド基、ブタンアミド基、ヘ キサンアミド基、ベンズアミド基等)、スル� �ニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチ� ��スルホニル基、ブチルスルホニル基、シク� ��ヘキシルスルホニル基、フェニルスルフォ� ��ル基、2-ピリジルスルホニル基等)、スルホ� ��アミド基(例えば、メチルスルホンアミド基 、オクチルスルホンアミド基、フェニルスル ホンアミド基、ナフチルスルホンアミド基等 )、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミ� ��基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、� ��クロペンチルアミノ基、アニリノ基、2-ピ� �ジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、塩 素原子、臭素原子、沃素原子等)、シアノ基� �ニトロ基、スルホ基、カルボキシル基、ヒ� �ロキシル基、ホスホノ基(例えば、ホスホノ� ��チル基、ホスホノプロピル基、ホスホノオ� ��シエチル基)、オキザモイル基等を挙げるこ とができる。また、これらの基はさらにこれ らの基で置換されていてもよい。

 R ₃ 及びR ₄ は、各々前記一般式(A)で表される置換基を表 す。一般式(A)で表される置換基は、チオフェ ンとG ₁ との間で連結されており、G ₁ は、ベンゼン環、または酸素原子、硫黄原子 及び窒素原子から選ばれるヘテロ原子を含む 芳香族複素環(例えば、ピリジン環、ピラジ� �環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリ� �環、イソキノリン環、ピロール環、イミダ� �ール環、ピラゾール環、トリアゾール環、� �ンドール環、テトラゾール環、チアゾール� �、オキサゾール環、プリン環等)を表す。G ₂ またはG ₃ の少なくともどちらか一方は、ベンゼン環、 または酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から 選ばれるヘテロ原子を含む芳香族複素環(例� �ば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン� �、トリアジン環、キノリン環、イソキノリ� �環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾ� �ル環、トリアゾール環、インドール環、テ� �ラゾール環、チアゾール環、オキサゾール� �、プリン環等)を表す。G ₁ ~G ₃ はさらに置換基を有していてもよい。

 G ₁ ~G ₃ で好ましいものとして、ベンゼン環、ピリジ ン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジ ン環、キノリン環、イソキノリン環、ピロー ル環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリ アゾール環、インドール環、テトラゾール環 、チアゾール環、オキサゾール環、プリン環 等が挙げられる。

 以下、本発明に係る一般式(1)で表される� ��合物の代表的具体例を挙げる。

 なお、上記例示化合物1-1~1-40において、略� �で記載したR ₃ 、R ₄ で表される基の詳細は、以下の通りである。

 なお、*は結合位置を示す。

 〔吸着性基〕
 本発明に係る一般式(1)で表される化合物は� ��電極との密着性や膜の耐久性向上の観点か� ��電極と化学的または物理的に吸着する吸着� ��基を有していることが好ましい。

 本発明に係る化学吸着とは、電極表面と� ��化学結合による比較的強い吸着状態であり� ��本発明に係る物理吸着とは、電極表面と吸� ��物質との間に働くファンデルワールス力に� ��る比較的弱い吸着状態である。本発明の吸� ��性基は化学吸着性の基である方が好ましい� ��

 電極と化学吸着する吸着性基としては、-COO H、-P-O(OH) ₂ 及び-Si(OR) ₃ から選ばれる少なくとも1つであることが好� �しい。

 以下に、本発明に係る吸着性基を有する� ��般式(1)で表される化合物の代表的具体例を� ��下に挙げる。

 なお、上記例示化合物1-41~1-80において、略� ��で記載したR ₃ 、R ₄ で表される基の詳細は、上記例示化合物1-1~1- 40におけるそれらと同義である。

 《一般式(2)で表される化合物》
 本発明に好ましく用いられる一般式(2)で表� ��れるビオロゲン系化合物について説明する� ��

 前記一般式(3)において、R ³ は、-(CH ₂ ) _m -(ここにおいてmは0或いは1~10の整数を表す。) 、各々炭素原子数14までのアリーレン基、ヘ� ��ロアリーレン基、或いは各々炭素原子数10� �での分岐アルキレン基、アルケニレン基、� �ラルキレン基或いはシクロアルキレン基で� �り、各々のアリーレン基、ヘテロアリーレ� �基、分岐アルキレン基、分岐アルケニレン� �、或いはシクロアルキレン基は任意に-P(O)(OH ) ₂ 基を-(CH ₂ ) _n -基を介して有していてもよい。また、任意� �置換されていてもよい。ここにおいてnは0或 いは1~10の整数を表す。

 R ⁴ は、R ⁵ R ⁶ で表される基であり、ここにおいてR ⁵ は、-(CH ₂ ) _p -(ここにおいてpは0或いは1~10の整数を表す。) を表し、R ⁶ は、-P(O)(OH) ₂ 基、或いは、各々炭素原子数14までのアリー� ��基、ヘテロアリール基、各々炭素原子数10� �での分岐アルキル基、或いはアルケニル基� �或いはシクロアルキル基、又は水素原子を� �す。X ₂ ^- は、荷電を中和するイオンを表す。

 また、R ¹ で表される、前記、炭素数14までのアリーレ� ��基、ヘテロアリーレン基、各々炭素数10ま� �の分岐のアルキレン基、分岐のアルケニレ� �基、アラルキレン基、或いはシクロアルキ� �ン基は、任意に、置換基を有してもよく、� �れらの基は1或いは2以上置換されていてもよ く、また複数置換されている場合、それぞれ 異なっていてもまた同じ置換基でもよい。

 これらの置換基としては、以下の基が挙� ��られる。

 低級アルキル基、低級アルケニル基、フ� ��ニル置換-低級アルキル基、ジフェニル置換 -低級アルキル基、フェニル基、フェノキシ� �、低級アルカノイルオキシ基、ハロゲン原� �、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、低級ア� �キルアミノ基、ジ(低級アルキル)アミノ基、 フェニルアミノ基、低級アルカノイルアミノ 基、ベンゾイルアミノ基、低級アルキルスル フォニルアミノ基、フェニルスルフォニルア ミノ基、低級アルカノイル基、ベンゾイル基 、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニ ル基、カルバモイル基、N-低級アルキルカル� ��モイル基、N,N-ジ-(低級アルキル)カルバモイ ル基、ウレイド基、N-低級アルキルウレイド� ��、低級アルキルスルフォニル基、フェニル� ��ルフォニル基、ヒドロキシル基、低級アル� ��キシ基、アミノ基、低級アルキルアミノ基� ��ジ(低級アルキル)アミノ基、ハロゲン原子� �カルボキシル基、或いは低級アルコキシカ� �ボニル基で置換された低級アルコキシ基、� �素原子数3~7のアルコキシ基、そして2価のメ� ��レンジオキシ基等があげられる。

 また、上記において挙げられたフェニル� ��、またベンゾイル基、フェニルアミノ基等� ��含まれるフェニル基は、全て、低級アルキ� ��基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒ� ��ロキシ基、そして/またニトロ基等により置 換されていてもよい。

 また、R ⁴ で表されるアリール基、ヘテロアリール基、 分岐のアルキル基、或いはアルケニル基、或 いはシクロアルキル基等も無置換でもよいが 、前記R ¹ の置換基として定義された基により1つ或い� �複数以置換されていてもよい。

 前記一般式(2)において、好ましい化合物と� ��ては、R ³ が、-(CH ₂ ) _m -(ここにおいてmは、1、2、3を表す)、フェニ� �基(-(CH ₂ ) _n -基を介してp位が-P(O)(OH) ₂ 基で置換されており、nは1或いは2を表す)で� �り、R ⁴ (R ⁵ R ⁶ で表される)において、R ⁵ は-(CH ₂ ) _p -(ここにおいてpは0、1、2、3を表す)を表し、R ⁶ は、未置換のフェニル或いはナフチル、或い は、炭素原子数1~4のアルキル基、ハロゲン原 子、シアノ基、ニトロ基、フェノキシ基、或 いはベンゾイル基によってモノ-、ジ-或いは� ��リ-置換されたフェニル或いはナフチル基で ある。

 また、X ₂ ^- は、Cl ^- 、Br ^- 、ClO ₄ ^- 、PF ₆ ^- 、BF ₄ ^- 、C ₂ F ₆ NO ₄ S ₂ ^- 、或いはCF ₃ SO ₃ ^- であり、特に好ましくは、Cl ^- 、PF ₆ ^- である。

 また、前記一般式(2)において、好ましい化� ��物として、R ³ が、-(CH ₂ ) _m -(ここにおいてmは、1、2、3を表す)、フェニ� �基(-(CH ₂ ) _n -基を介してp位が-P(O)(OH) ₂ 基で置換されており、nは1或いは2を表す)で� �り、R ⁴ (R ⁵ R ⁶ で表される)において、R ⁵ は-(CH ₂ ) _p -(ここにおいてpは0、1、2、3を表す)を表し、R ⁶ が、-P(O)(OH) ₂ 基であり、X ^- は、Cl ^- 、Br ^- 、ClO ₄ ^- 、PF ₆ ^- 、BF ₄ ^- 、C ₂ F ₆ NO ₄ S ₂ ^- 、或いはCF ₃ SO ₃ ^- であり、特に好ましくは、Cl ^- 、PF ₆ ^- である。

 以上のうち好ましい化合物の例を以下に� ��げる。

 (2-1)1-ホスホノプロピル-1″-メチル-4,4″-ビ� ��リジニウム ジブロマイド
 (2-2)1-ホスホノエチル-1″-(3-プロピルフェニ ル)-4,4″-ビピリジニウム ビス-ヘキサフルオ ロフォスフェート
 (2-3)1-ホスホノエチル-1″-(2,4,6-トリメチル� �ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-4)1-ホスホノエチル-1″-(2,4,6-トリメチル� �ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ビス-ヘキサ� �ルオロフォスフェート
 (2-5)1-ホスホノエチル-1″-(ナフチル)-4,4″-� �ピリジニウム ジクロライド
 (2-6)1-ホスホノエチル-1″-(4-シアノナフチル )-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-7)1-ホスホノエチル-1″-(4-メチルフェニル )-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-8)1-ホスホノエチル-1″-(4-シアノフェニル )-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-9)1-ホスホノエチル-1″-(4-フルオロフェニ ル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-10)1-ホスホノエチル-1″-(4-フェノキシフ� �ニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-11)1-ホスホノエチル-1″-(4-t-ブチルフェニ ル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-12)1-ホスホノエチル-1″-(2,6-ジメチルフェ ニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-13)1-ホスホノエチル-1″-(3,5-ジメチルフェ ニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-14)1-ホスホノエチル-1″-(4-ベンゾフェノ� �)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-15)1-ホスホノベンジル-1″-(3-プロピルフ� �ニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-16)1-ホスホノベンジル-1″-(3-プロピルフ� �ニル)-4,4″-ビピリジニウム ビス-ヘキサフ� �オロフォスフェート
 (2-17)1-ホスホノベンジル-1″-(ホスホノエチ� ��)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-18)1-ホスホノベンジル-1″-(2,4-ジニトロフ ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-19)1-ホスホノベンジル-1″-(2,4-ジニトロフ ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ビス-ヘキサフ ルオロフォスフェート
 (2-20)1-ホスホノベンジル-1″-(4-フェノキシ� �ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-21)1-ホスホノベンジル-1″-(4-フェノキシ� �ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ビス-ヘキサ� �ルオロフォスフェート
 (2-22)1-ホスホノベンジル-1″-(4-フルオロフ� �ニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-23)1-ホスホノベンジル-1″-(4-メチルフェ� �ル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-24)1-ホスホノベンジル-1″-(2,4,6-トリメチ� ��フェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロラ� �ド
 (2-25)1-ホスホノベンジル-1″-(ベンジル)-4,4� �-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-26)1-ホスホノベンジル-1″-(ナフチル)-4,4� �-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-27)1-ホスホノベンジル-1″-(フェニル)-4,4� �-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-28)1-ホスホノベンジル-1″-(4-シアノフェ� �ル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-29)1-ホスホノベンジル-1″-(4-ベンゾフェ� �ン)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-30)1-ホスホノベンジル-1″-(4-シアノフェ� �ル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-31)1-ホスホノベンジル-1″-(2,6-ジメチルフ ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-32)1-ホスホノベンジル-1″-(3,5-ジメチルフ ェニル)-4,4″-ビピリジニウム ジクロライド
 (2-33)1-ホスホノベンジル-1″-(2,4,6-トリメチ� ��フェニル)-4,4″-ビピリジニウム トリフル� �ロメタンスルフォンイミド
 上記説明した一般式(2)で表される化合物の� ��造法は、例えば、国際公開第2004/067673号パ� �フレットに記載されており、それを参考に� �て得ることができる。

 《銀化合物》
 本発明に係る電解質中に銀または銀化合物� ��添加することによって、一般式(1)で表され� ��化合物のアノード反応による黒化の表示速� ��を速めることができる。

 銀または銀化合物は、一般式(2)で表され� ��化合物のカソード反応を実質的に阻害しな� ��範囲の量を添加することが好ましい。

 本発明に係る銀化合物とは、銀または、� ��を化学構造中に含む化合物、例えば、酸化� ��、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロ� ��ン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合� ��の総称であり、固体状態や液体への可溶化� ��態や気体状態等の相の状態種、中性、アニ� ��ン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に� ��わない。

 《白色散乱物》
 本発明の表示素子においては、表示コント� ��スト及び白表示反射率をより高める観点か� ��、対向電極間に白色散乱物を含有すること� ��好ましく、更には、白色散乱物の平均粒径� ��、200nm以上であることが好ましい。

 また、本発明の表示素子においては、白� ��散乱物は多孔質白色散乱層を形成させて存� ��させてもよい。本発明に適用可能な多孔質� ��色散乱層は、電解質溶媒に実質的に溶解し� ��い水系高分子と白色顔料との水混和物を塗� ��乾燥して形成することができる。

 本発明で適用可能な白色顔料としては、� ��えば、二酸化チタン(アナターゼ型あるいは ルチル型)、硫酸バリウム、炭酸カルシウム� �酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネ� �ウムおよび水酸化亜鉛、水酸化マグネシウ� �、リン酸マグネシウム、リン酸水素マグネ� �ウム、アルカリ土類金属塩、タルク、カオ� �ン、ゼオライト、酸性白土、ガラス、有機� �合物としてポリエチレン、ポリスチレン、� �クリル樹脂、アイオノマー、エチレン-酢酸� ��ニル共重合樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、� ��素-ホルマリン樹脂、メラミン-ホルマリン� �脂、ポリアミド樹脂などが単体または複合� �合で、または粒子中に屈折率を変化させる� �イドを有する状態で使用されてもよい。

 本発明では、上記白色粒子の中でも、二酸� ��チタン、酸化亜鉛、水酸化亜鉛が好ましく� ��いられる。また、無機酸化物(Al ₂ O ₃ 、AlO(OH)、SiO ₂ 等)で表面処理した二酸化チタン、これらの� �面処理に加えて、トリメチロールエタン、� �リエタノールアミン酢酸塩、トリメチルシ� �ロシラン等の有機物処理を施した二酸化チ� �ンを用いることができる。

 これらの白色粒子のうち、高温時の着色� ��止、屈折率に起因する素子の反射率の観点� ��ら、酸化チタンまたは酸化亜鉛を用いるこ� ��がより好ましい。

 本発明において、電解質溶媒に実質的に� ��解しない水系高分子としては、水溶性高分� ��、水系溶媒に分散した高分子を挙げること� ��できる。

 水溶性化合物としては、ゼラチン、ゼラチ� ��誘導体等の蛋白質またはセルロース誘導体� ��澱粉、アラビアゴム、デキストラン、プル� ��ン、カラギーナン等の多糖類のような天然� ��合物や、ポリビニルアルコール、ポリビニ� ��ピロリドン、アクリルアミド重合体やそれ� ��の誘導体等の合成高分子化合物が挙げられ� ��。ゼラチン誘導体としては、アセチル化ゼ� ��チン、フタル化ゼラチン、ポリビニルアル� ��ール誘導体としては、末端アルキル基変性� ��リビニルアルコール、末端メルカプト基変� ��ポリビニルアルコール、セルロース誘導体� ��しては、ヒドロキシエチルセルロース、ヒ� ��ロキシプロピルセルロース、カルボキシメ� ��ルセルロース等が挙げられる。更に、リサ� ��チ・ディスクロージャー及び特開昭64-13546� �の(71)頁~(75)頁に記載されたもの、また、米� �特許第4,960,681号、特開昭62-245260号等に記載� �高吸水性ポリマー、すなわち-COOMまたは-SO ₃ M(Mは水素原子またはアルカリ金属)を有する� �ニルモノマーの単独重合体またはこのビニ� �モノマー同士もしくは他のビニルモノマー(� ��えば、メタクリル酸ナトリウム、メタクリ� ��酸アンモニウム、アクリル酸カリウム等)と の共重合体も使用される。これらのバインダ ーは2種以上組み合わせて用いることもでき� �。

 本発明においては、ゼラチン及びゼラチ� ��誘導体、または、ポリビニルアルコールも� ��くはその誘導体を好ましく用いることがで� ��る。

 水系溶媒に分散した高分子としては、天� ��ゴムラテックス、スチレンブタジエンゴム� ��ブタジエンゴム、ニトリルゴム、クロロプ� ��ンゴム、イソプレンゴム等のラテックス類� ��ポリイソシアネート系、エポキシ系、アク� ��ル系、シリコーン系、ポリウレタン系、尿� ��系、フェノール系、ホルムアルデヒド系、� ��ポキシ-ポリアミド系、メラミン系、アルキ ド系樹脂、ビニル系樹脂等を水系溶媒に分散 した熱硬化性樹脂を挙げることができる。こ れらの高分子のうち、特開平10-76621号に記載� ��水系ポリウレタン樹脂を用いることが好ま� ��い。

 本発明でいう電解質溶媒に実質的に溶解� ��ないとは、-20℃から120℃の温度において、� ��解質溶媒1kgあたりの溶解量が0g以上、10g以� �である状態と定義し、質量測定法、液体ク� �マトグラムやガスクロマトグラムによる成� �定量法等の公知の方法により溶解量を求め� �ことができる。

 本発明において、水系化合物と白色顔料� ��の水混和物は、公知の分散方法に従って白� ��顔料が水中分散された形態が好ましい。水� ��化合物/白色顔料の混合比は、容積比で1~0.01 が好ましく、より好ましくは、0.3~0.05の範囲� ��ある。

 本発明において、水系化合物と白色顔料� ��の水混和物を塗布する媒体は、表示素子の� ��向電極間の構成要素上であればいずれの位� ��でもよいが、対向電極の少なくとも1方の電 極面上に付与することが好ましい。媒体への 付与の方法としては、例えば、塗布方式、液 噴霧方式、気相を介する噴霧方式として、圧 電素子の振動を利用して液滴を飛翔させる方 式、例えば、ピエゾ方式のインクジェットヘ ッドや、突沸を利用したサーマルヘッドを用 いて液滴を飛翔させるバブルジェット(登録� �標)方式のインクジェットヘッド、また空気� ��や液圧により液を噴霧するスプレー方式等� ��挙げられる。

 塗布方式としては、公知の塗布方式より� ��宜選択することができ、例えば、エアード� ��ターコーター、ブレードコーター、ロッド� ��ーター、ナイフコーター、スクイズコータ� ��、含浸コーター、リバースローラーコータ� ��、トランスファーローラーコーター、カー� ��ンコーター、ダブルローラーコーター、ス� ��イドホッパーコーター、グラビアコーター� ��キスロールコーター、ビードコーター、キ� ��ストコーター、スプレイコーター、カレン� ��ーコーター、押し出しコーター等が挙げら� ��る。

 媒体上に付与した水系化合物と白色顔料� ��の水混和物の乾燥は、水を蒸発できる方法� ��あればいかなる方法であってもよい。例え� ��、熱源からの加熱、赤外光を用いた加熱法� ��電磁誘導による加熱法等が挙げられる。ま� ��、水蒸発は減圧下で行ってもよい。

 本発明でいう多孔質とは、前記水系化合� ��と白色顔料との水混和物を電極上に塗布乾� ��して多孔質の白色散乱物を形成した後、該� ��乱物上に、銀または銀を化学構造中に含む� ��合物を含有する電解質液を与えた後に対向� ��極で挟み込み、対向電極間に電位差を与え� ��銀の溶解析出反応を生じさせることが可能� ��、イオン種が電極間で移動可能な貫通状態� ��ことを言う。

 《硬膜剤》
 本発明の表示素子では、上記説明した水混� ��物を塗布乾燥中または乾燥後に、硬膜剤に� ��り水系化合物の硬化反応を行うことが望ま� ��い。

 本発明で用いられる硬膜剤の例としては� ��例えば、米国特許第4,678,739号の第41欄、同� �4,791,042号、特開昭59-116655号、同62-245261号、� �61-18942号、同61-249054号、同61-245153号、特開平 4-218044号等に記載の硬膜剤が挙げられる。よ� ��具体的には、アルデヒド系硬膜剤(ホルムア ルデヒド等)、アジリジン系硬膜剤、エポキ� �系硬膜剤、ビニルスルホン系硬膜剤(N,N″-エ チレン-ビス(ビニルスルホニルアセタミド)エ タン等)、N-メチロール系硬膜剤(ジメチロー� �尿素等)、ほう酸、メタほう酸あるいは高分� ��硬膜剤(特開昭62-234157号等に記載の化合物)� �挙げられる。水系化合物としてゼラチンを� �いる場合は、硬膜剤の中で、ビニルスルホ� �型硬膜剤やクロロトリアジン型硬膜剤を単� �または併用して使用することが好ましい。� �た、ポリビニルアルコールを用いる場合は� �ウ酸やメタホウ酸等の含ホウ素化合物の使� �が好ましい。

 これらの硬膜剤は、水系化合物1g当たり0. 001~1g、好ましくは0.005~0.5gが用いられる。ま� �、膜強度を上げるため熱処理や、硬化反応� �の湿度調整を行うことも可能である。

 《その他の構成材料》
 上記説明した構成材料の他に、本発明の表� ��素子に必要に応じて適用可能な種々の構成� ��や添加剤について、以下説明する。

 〔電子絶縁層〕
 本発明の表示素子においては、電気絶縁層� ��設けることができる。

 本発明に適用可能な電子絶縁層は、イオ� ��電導性、電子絶縁性を合わせて有する層で� ��ればよく、例えば、極性基を有する高分子� ��塩をフィルム状にした固体電解質膜、電子� ��縁性の高い多孔質膜とその空隙に電解質を� ��持する擬固体電解質膜、空隙を有する高分� ��多孔質膜、含ケイ素化合物の様な比誘電率� ��低い無機材料の多孔質体、等が挙げられる� ��

 多孔質膜の形成方法としては、燒結法(融 着法)(高分子微粒子や無機粒子をバインダー� ��を添加して部分的に融着させ粒子間に生じ� ��孔を利用する)、抽出法(溶剤に可溶な有機� �又は無機物類と溶剤に溶解しないバインダ� �等で構成層を形成した後に、溶剤で有機物� �は無機物類を溶解させ細孔を得る)、高分子� ��合体等を加熱や脱気するなどして発泡させ� ��発泡法、良溶媒と貧溶媒を操作して高分子� ��の混合物を相分離させる相転換法、各種放� ��線を輻射して細孔を形成させる放射線照射� ��等の公知の形成方法を用いることができる� ��具体的には、特開平10-30181号、特開2003-107626 号、特公平7-95403号、特許第2635715号、同第2849 523号、同第2987474号、同第3066426号、同第3464513 号、同第3483644号、同第3535942号、同第3062203号 等に記載の電子絶縁層を挙げることができる 。

 〔電解質材料〕
 本発明の表示素子において、電解質が液体� ��ある場合には、以下の化合物を電解質中に� ��むことができる。カリウム化合物としてKCl� ��KI、KBr等、リチウム化合物としてLiBF ₄ 、LiClO ₄ 、LiPF ₆ 、LiCF ₃ SO ₃ 等、テトラアルキルアンモニウム化合物とし て過塩素酸テトラエチルアンモニウム、過塩 素酸テトラブチルアンモニウム、ホウフッ化 テトラエチルアンモニウム、ホウフッ化テト ラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモ ニウムハライド等が挙げられる。また、特開 2003-187881号公報の段落番号〔0062〕~〔0081〕に� ��載の溶融塩電解質組成物も好ましく用いる� ��とができる。さらに、I ^- /I ₃ ^- 、Br ^- /Br ₃ ^- 、キノン/ハイドロキノン等の酸化還元対に� �る化合物を用いることができる。

 また、支持電解質が固体である場合には� ��電子伝導性やイオン伝導性を示す以下の化� ��物を電解質中に含むことができる。

 パーフルオロスルフォン酸を含むフッ化ビ� ��ル系高分子、ポリチオフェン、ポリアニリ� ��、ポリピロール、トリフェニルアミン類、� ��リビニルカルバゾール類、ポリメチルフェ� ��ルシラン類、Cu ₂ S、Ag ₂ S、Cu ₂ Se、AgCrSe ₂ 等のカルコゲニド、CaF ₂ 、PbF ₂ 、SrF ₂ 、LaF ₃ 、TlSn ₂ F ₅ 、CeF ₃ 等の含F化合物、Li ₂ SO ₄ 、Li ₄ SiO ₄ 、Li ₃ PO ₄ 等のLi塩、ZrO ₂ 、CaO、Cd ₂ O ₃ 、HfO ₂ 、Y ₂ O ₃ 、Nb ₂ O ₅ 、WO ₃ 、Bi ₂ O ₃ 、AgBr、AgI、CuCl、CuBr、CuBr、CuI、LiI、LiBr、LiCl 、LiAlCl ₄ 、LiAlF ₄ 、AgSBr、C ₅ H ₅ NHAg ₅ I ₆ 、Rb ₄ Cu ₁₆ I ₇ Cl ₁₃ 、Rb ₃ Cu ₇ Cl ₁₀ 、LiN、Li ₅ NI ₂ 、Li ₆ NBr ₃ 等の化合物が挙げられる。

 また、支持電解質としてゲル状電解質を� ��いることもできる。電解質が非水系の場合� ��特開平11-185836号公報の段落番号〔0057〕~〔00 59〕に記載のオイルゲル化剤を用いことがで� ��る。

 〔電解質添加の増粘剤〕
 本発明の表示素子においては、電解質に増� ��剤を使用することができ、例えば、ゼラチ� ��、アラビアゴム、ポリ(ビニルアルコール)� �ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシ� �ロピルセルロース、セルロースアセテート� �セルロースアセテートブチレート、ポリ(ビ� ��ルピロリドン)、ポリ(アルキレングリコー� �)、カゼイン、デンプン、ポリ(アクリル酸)� �ポリ(メチルメタクリル酸)、ポリ(塩化ビニ� �)、ポリ(メタクリル酸)、コポリ(スチレン-無 水マレイン酸)、コポリ(スチレン-アクリロニ トリル)、コポリ(スチレン-ブタジエン)、ポ� �(ビニルアセタール)類(例えば、ポリ(ビニル� ��ルマール)及びポリ(ビニルブチラール))、ポ リ(エステル)類、ポリ(ウレタン)類、フェノ� �シ樹脂、ポリ(塩化ビニリデン)、ポリ(エポ� �シド)類、ポリ(カーボネート)類、ポリ(ビニ� ��アセテート)、セルロースエステル類、ポリ (アミド)類、疎水性透明バインダーとして、� ��リビニルブチラール、セルロースアセテー� ��、セルロースアセテートブチレート、ポリ� ��ステル、ポリカーボネート、ポリアクリル� ��、ポリウレタン等が挙げられる。

 これらの増粘剤は2種以上を併用して用い てもよい。また、特開昭64-13546号公報の71~75� �に記載の化合物を挙げることができる。こ� �らの中で好ましく用いられる化合物は、各� �添加剤との相溶性と白色粒子の分散安定性� �上の観点から、ポリビニルアルコール類、� �リビニルピロリドン類、ヒドロキシプロピ� �セルロース類、ポリアルキレングリコール� �である。

 〔その他の添加剤〕
 本発明の表示素子の構成層には、保護層、� ��ィルター層、ハレーション防止層、クロス� ��ーバー光カット層、バッキング層等の補助� ��を挙げることができ、これらの補助層中に� ��、各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光� ��素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、� ��ブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促� ��剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリン� ��カベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性� ��、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収� ��、イラジエーション防止染料、フィルター� ��吸収染料、防ばい剤、ポリマーラテックス� ��重金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要� ��応じて含有させることができる。

 上述したこれらの添加剤は、より詳しく� ��、リサーチ・ディスクロージャー(以下、RD� ��略す)第176巻Item/17643(1978年12月)、同184巻Item/1 8431(1979年8月)、同187巻Item/18716(1979年11月)及び� ��308巻Item/308119(1989年12月)に記載されている。

 これら三つのリサーチ・ディスクロージ� ��ーに示されている化合物種類と記載箇所を� ��下に掲載した。

  添加剤   RD17643   RD18716    RD308119
         頁  分類     頁  分類       頁    分類
 化学増感剤   23  III     648右上    � � 96    III
 増感色素    23  IV     648~649   996~8   IV
 減感色素    23  IV                998    IV
 染料    25~26 VIII    649~650   1003  VIII
 現像促進剤   29  XXI     648右上
 カブリ抑制剤・安定剤
         24  IV     649右上     1006~ 7 VI
 増白剤     24  V               99 8    V
 硬膜剤     26  X     651左      1004 ~5 X
 界面活性剤 26~7  XI     650右      100 5~6 XI
 帯電防止剤   27  XII     650右       1006~7XIII
 可塑剤     27  XII     650右      10 06   XII
 スベリ剤    27  XII
 マット剤    28  XVI     650右      1 008~9 XVI
 バインダー   26  XXII             � �1003~4 IX
 支持体     28  XVII              1 009  XVII
 《フルカラー素子構成》
 本発明の表示素子の対向電極間の構成層に� ��いて、更に説明する。

 本発明の表示素子の高分子膜は、対向電� ��の駆動操作により、実質的に透明状態及び� ��なくとも2種以上に着色状態の3色以上の多� �状態になることを特徴とする。

 また、黒以外の着色表示が、実質的に互い� ��異なる色相となる表示領域を平面配置する� ��とで、カラー表示と白黒表示とを行うこと� ��好ましく、異なる色相となる表示領域を平� ��配置する方法は、異なる種類の金属錯体を� ��する高分子化合物を透明電極上に印刷法、� ��ンクジェット法等で塗り分けて担持させて� ��よいし、金属と錯体を形成する有機化合物� ��透明電極上に担持させた後に異なる種類の� ��属を含んだ溶液を印刷法、インクジェット� ��等で塗り分けてもよい。
本発明の表示素子は、必要に応じて透明状態 及び少なくとも1種以上の着色状態になる電� �質を用いてもよい。本発明の電解質の着色� �態で好ましいのは黒状態である。

 〔基板〕
 本発明で用いることのできる基板としては� ��例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等� ��ポリオレフィン類、ポリカーボネート類、� ��ルロースアセテート、ポリエチレンテレフ� ��レート、ポリエチレンジナフタレンジカル� ��キシラート、ポリエチレンナフタレート類� ��ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニル� ��セタール類、ポリスチレン等の合成プラス� ��ックフィルムも好ましく使用できる。また� ��シンジオタクチック構造ポリスチレン類も� ��ましい。これらは、例えば、特開昭62-117708� ��、特開平1-46912、同1-178505号の各公報に記載� ��れている方法により得ることができる。更� ��、ステンレス等の金属製基盤や、バライタ� ��、及びレジンコート紙等の紙支持体ならび� ��上記プラスチックフィルムに反射層を設け� ��支持体、特開昭62-253195号(29~31頁)に支持体と して記載されたものが挙げられる。RDNo.17643� �28頁、同No.18716の647頁右欄から648頁左欄及び� ��No.307105の879頁に記載されたものも好ましく� ��用できる。これらの支持体には、米国特許� ��4,141,735号のようにTg以下の熱処理を施すこ� �で、巻き癖をつきにくくしたものを用いる� �とができる。また、これらの支持体表面を� �持体と他の構成層との接着の向上を目的に� �面処理を行っても良い。本発明では、グロ� �放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、� �炎処理を表面処理として用いることができ� �。更に公知技術第5号(1991年3月22日アズテッ� �有限会社発行)の44~149頁に記載の支持体を用� ��ることもできる。更にRDNo.308119の1009頁やプ� ��ダクト・ライセシング・インデックス、第9 2巻P108の「Supports」の項に記載されているも� �が挙げられる。その他に、ガラス基板や、� �ラスを練りこんだエポキシ樹脂を用いるこ� �ができる。

 〔電極〕
 本発明の表示素子においては、対向電極の� ��なくとも1種が金属電極であることが好まし い。金属電極としては、例えば、白金、金、 パラジウム、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、 ニッケル、チタン、ビスマス、及びそれらの 合金等の公知の金属種を用いることができる 。

 本発明の表示素子においては、金属電極� ��必要に応じて2層以上の複数層からなる構成 を取ってもよい。金属電極の最表面は、電極 の耐久性の観点から高分子膜中に含まれる金 属よりもイオン化傾向が小さい金属から形成 されていることが好ましい。

 電極の作製方法は、電解メッキ法、無電� ��メッキ法、置換メッキ法、蒸着法、印刷法� ��インクジェット法、スピンコート法、CVD法� ��の既存の方法を用いることができる。

 また、本発明の表示素子は、対向電極の� ��なくとも1種が透明電極であることが好まし い。透明電極としては、透明で電気を通じる ものであれば特に制限はない。例えば、Indium  Tin Oxide(ITO:インジウム錫酸化物)、Indium Zinc  Oxide(IZO:インジウム亜鉛酸化物)、フッ素ド� �プ酸化スズ(FTO)、酸化インジウム、酸化亜鉛 、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭 素、アルミニウム、シリコーン、アモルファ スシリコン、BSO(Bismuth Silicon Oxide)等が挙げ� �れ、その中でも、ITO、FTOまたは酸化亜鉛で� �ることが好ましい。電極をこのように形成� �るには、例えば、基板上にITO膜をスパッタ� �ング法等でマスク蒸着するか、ITO膜を全面� �成した後、フォトリソグラフィ法でパター� �ングすればよい。表面抵抗値としては、100ω /□以下が好ましく、10ω/□以下がより好まし い。透明電極の厚みは特に制限はないが、0.1 ~20μmであるのが一般的である。

 〔表示素子のその他の構成要素〕
 本発明の表示素子には、必要に応じて、シ� ��ル剤、柱状構造物、スペーサー粒子を用い� ��ことができる。

 シール剤は外に漏れないように封入する� ��めのものであり封止剤とも呼ばれ、エポキ� ��樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、� ��酸ビニル系樹脂、エン-チオール系樹脂、シ リコーン系樹脂、変性ポリマー樹脂等の、熱 硬化型、光硬化型、湿気硬化型、嫌気硬化型 等の硬化タイプを用いることができる。

 柱状構造物は、基板間の強い自己保持性( 強度)を付与し、例えば、格子配列等の所定� �パターンに一定の間隔で配列された、円柱� �体、四角柱状体、楕円柱状体、台形柱状体� �の柱状構造物を挙げることができる。また� �所定間隔で配置されたストライプ状のもの� �もよい。この柱状構造物はランダムな配列� �はなく、等間隔な配列、間隔が徐々に変化� �る配列、所定の配置パターンが一定の周期� �繰り返される配列等、基板の間隔を適切に� �持でき、且つ、画像表示を妨げないように� �慮された配列であることが好ましい。柱状� �造物は表示素子の表示領域に占める面積の� �合が1~40%であれば、表示素子として実用上十 分な強度が得られる。

 一対の基板間には、該基板間のギャップ� ��均一に保持するためのスペーサーが設けら� ��ていてもよい。このスペーサーとしては、� ��脂製または無機酸化物製の球体を例示でき� ��。また、表面に熱可塑性の樹脂がコーティ� ��グしてある固着スペーサーも好適に用いら� ��る。基板間のギャップを均一に保持するた� ��に柱状構造物のみを設けてもよいが、スペ� ��サー及び柱状構造物をいずれも設けてもよ� ��し、柱状構造物に代えて、スペーサーのみ� ��スペース保持部材として使用してもよい。� ��ペーサーの直径は柱状構造物を形成する場� ��はその高さ以下、好ましくは当該高さに等� ��い。柱状構造物を形成しない場合はスペー� ��ーの直径がセルギャップの厚みに相当する� ��

 〔スクリーン印刷〕
 本発明においては、シール剤、柱状構造物� ��電極パターン等をスクリーン印刷法で形成� ��ることもできる。スクリーン印刷法は、所� ��のパターンが形成されたスクリーンを基板� ��電極面上に被せ、スクリーン上に印刷材料( 柱状構造物形成のための組成物、例えば、光 硬化性樹脂など)を載せる。そして、スキー� �を所定の圧力、角度、速度で移動させる。� �れによって、印刷材料がスクリーンのパタ� �ンを介して該基板上に転写される。次に、� �写された材料を加熱硬化、乾燥させる。ス� �リーン印刷法で柱状構造物を形成する場合� �樹脂材料は光硬化性樹脂に限られず、例え� �、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化� �樹脂や熱可塑性樹脂も使用できる。熱可塑� �樹脂としては、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ� �化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、� �リメタクリル酸エステル樹脂、ポリアクリ� �酸エステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ� �ミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ� �ン樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、� �リアクリロニトリル樹脂、ポリビニールエ� �テル樹脂、ポリビニールケトン樹脂、ポリ� �ーテル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、� �和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹� �、塩素化ポリエーテル樹脂等が挙げられる� �樹脂材料は樹脂を適当な溶剤に溶解するな� �してペースト状にして用いることが望まし� �。

 以上のようにして柱状構造物等を基板上� ��形成した後は、所望によりスペーサーを少� ��くとも一方の基板上に付与し、一対の基板� ��電極形成面を対向させて重ね合わせ、空セ� ��を形成する。重ね合わせた一対の基板を両� ��から加圧しながら加熱することにより、貼� ��合わせて、表示セルが得られる。表示素子� ��するには、基板間に電解質組成物を真空注� ��法等によって注入すればよい。あるいは、� ��板を貼り合わせる際に、一方の基板に電解� ��組成物を滴下しておき、基板の貼り合わせ� ��同時に液晶組成物を封入するようにしても� ��い。

 〔表示素子駆動方法〕
 本発明の表示素子の透明状態及び着色状態� ��制御方法は、金属錯体の酸化還元電位や析� ��過電圧を元に決められることが好ましい。

 例えば、高分子膜中に2種の金属を有し、 電解質中に1種の金属を有する表示素子の場� �、酸化側で2つの着色状態を示し、還元側で1 つの着色状態を示す。この場合の制御方法の 一例としては、酸化側の第一電圧で高分子膜 中の2つの金属のうちの1つの金属を酸化する� ��とで1つ目の着色状態を示し、第一電圧より も貴な第二電圧で高分子膜中の2つの金属の� �ちのもう一方の金属を酸化することで2つ目� ��着色状態を示し、第一電圧と第二電圧の間� ��電圧で2つ目の着色状態を消色し、第一電圧 と電解質中の金属の析出過電圧以下の電圧で 1つ目の着色状態を消色し、電解質中の金属� �析出過電圧以上の電圧で電解質中の金属を� �出させることで3つ目の着色状態を示し、電� ��質中の金属の析出過電圧を第一電圧の間の� ��圧で析出した金属を溶解して消色する方法� ��挙げられる。

 本発明の表示素子の駆動操作は、単純マ� ��リックス駆動であっても、アクティブマト� ��ック駆動であってもよい。本発明でいう単� ��マトリックス駆動とは、複数の正極を含む� ��極ラインと複数の負極を含む負極ラインと� ��対向する形で互いのラインが垂直方向に交� ��した回路に、順次電流を印加する駆動方法� ��ことを言う。単純マトリックス駆動を用い� ��ことにより、回路構成や駆動ICを簡略化で� �安価に製造できるメリットがある。アクテ� �ブマトリックス駆動は、走査線、データラ� �ン、電流供給ラインが碁盤目状に形成され� �各碁盤目に設けられたTFT回路により駆動さ� �る方式である。画素毎にスイッチングが行� �るので、階調やメモリー機能などのメリッ� �があり、例えば、特開2004-29327号の図5に記載 されている回路を用いることができる。

 〔商品適用〕
 本発明の表示素子は、電子書籍分野、IDカ� �ド関連分野、公共関連分野、交通関連分野� �放送関連分野、決済関連分野、流通物流関� �分野等の用いることができる。具体的には� �ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員� �ード、コンビニストアー用カード、デパー� �用カード、自動販売機用カード、ガソリン� �テーション用カード、地下鉄や鉄道用のカ� �ド、バスカード、キャッシュカード、クレ� �ットカード、ハイウェーカード、運転免許� �、病院の診察カード、電子カルテ、健康保� �証、住民基本台帳、パスポート、電子ブッ� �等が挙げられる。