本発明者らは鋭意検討の結果、基板上に� ��金属微粒子及び、電磁波吸収能を持つ金属� ��化物または金属酸化物の前駆体を含む薄膜� ��ターンを形成した後、前記薄膜パターンを� ��成した基板に対して導電体を直接的または� ��接的に配置し、前記薄膜パターンに電磁波� ��照射して、前記金属微粒子を結合する電極� ��製造方法により、低抵抗かつ超微細な回路� ��ターンを形成でき、耐熱性の低い樹脂基板� ��も適用でき、電極材料として一般的な銀、� ��、銅、白金、ニッケル、アルミニウムを使� ��でき、かつ生産効率が高い電極の製造方法� ��得られることを見出した。

 塗布して作製した金属微粒子及び、電磁� ��吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化物� ��前駆体を含む薄膜パターンのままでは、部� ��的に金属微粒子同士の接触に不良が生じた� ��、導通性が大きく損なわれるため、加熱に� ��る結合(焼結)が必要である。マイクロ波(周� ��数が0.3~30GHz)照射による加熱は、電磁波吸収 能を持つ物質を含有する微粒子のみを選択的 に、短時間で高温にすることができるが、比 較的低周波のマイクロ波を用いた場合は加熱 中に放電が起こるため塗布した金属パターン が損傷する恐れがある。また、比較的高周波 のマイクロ波を用いた場合には金属粒子の加 熱が早く、放電が起こる前に金属パターンが 形成できるので金属パターンの損傷は少なく なるが、早すぎるため塗布した膜が加熱中に 飛散することがあり周波数またはエネルギー の調整のみで放電や塗布膜の飛散を抑えるこ とは難しい。

 そこで、基板上に、金属微粒子及び、電� ��波吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化� ��の前駆体を含む薄膜パターンを形成した後� ��導電体を、前記パターンを形成した基板に� ��して直接的または間接的に配置することで� ��加熱中の放電や塗布膜の飛散を防ぐことが� ��きる。また、導電体を、前記パターンを形� ��した基板に対して直接的または間接的に配� ��することで、焼結が必要な薄膜パターン部� ��を短時間かつ安定的に焼結に必要な高温に� ��ることができ、低抵抗かつ超微細な回路パ� ��ーンを形成できる。

 また、この方法で作製した電極は、薄膜� ��ランジスタ素子及び有機EL素子に用いて良� �な性能を発揮する。

 以下、本発明を実施するための最良の形� ��について詳細に説明するが、本発明はこれ� ��に限定されるものではない。

 〔電磁波吸収能を持つ金属酸化物または金� ��酸化物の前駆体〕
 本発明は、基板上に、金属微粒子及び、電� ��波吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化� ��の前駆体を含む薄膜パターンを形成した後� ��前記薄膜パターンに電磁波を照射すること� ��より、前記金属微粒子を結合して電極を形� ��することが特徴である。

 本発明に用いられる電磁波吸収能を持つ� ��属酸化物は、照射された電磁波を吸収し熱� ��化することで、その微粒子自身が発熱して� ��源となるため、誘電損失及び/または抵抗損 失が大きく効率よく発熱する材料が好ましい 。このような材料を選択することで、添加量 を少なくすることができ、融着後の導電性パ ターンの電導度を高くすることが可能である 。このような観点から、電磁波吸収能を持つ 微粒子材料として、金属酸化物が好ましい。 金属酸化物としては、チタン、銅、ニッケル 、亜鉛、錫、インジウムの酸化物微粒子が好 ましい。

 また、本発明では金属酸化物の前駆体を� ��素の存在下で電磁波を照射することにより� ��化して金属酸化物となる場合には、金属原� ��を含む、金属塩、ハロゲン化物、有機金属� ��合物を本発明における金属酸化物の前駆体� ��して用いることもできる。

 金属塩、金属酸化物、有機金属化合物、� ��ロゲン金属化合物、金属水素化合物の金属� ��しては、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc� ��Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb� �Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、In、Ir、Sn、Sb、Cs、Ba、 La、Hf、Ta、W、Tl、Pb、Bi、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、G d、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等を挙げることが できる。

 それらの金属塩のうち、チタン、銅、ニ� ��ケル、亜鉛、錫、インジウムのいずれかを� ��むことが好ましく、それらを併用して混合� ��てもよい。

 また、その他の金属として、ガリウムま� ��はアルミニウムを含むことが好ましい。

 金属塩としては、硝酸塩、酢酸塩等を、� ��ロゲン化物としては塩化物、ヨウ化物、臭� ��物等を好適に用いることができる。

 有機金属化合物としては、下記一般式(I)� ��示すものが挙げられる。

 一般式(I) R ¹ _x MR ² _y R ³ _z
 式中、Mは金属、R ¹ はアルキル基、R ² はアルコキシ基、R ³ はβ-ジケトン錯体基、β-ケトカルボン酸エス テル錯体基、β-ケトカルボン酸錯体基及びケ トオキシ基(ケトオキシ錯体基)から選ばれる� ��であり、金属Mの価数をmとした場合、x+y+z=m� ��あり、x=0~m、またはx=0~m-1であり、y=0~m、z=0~m で、いずれも0または正の整数である。R ¹ のアルキル基としては、メチル基、エチル基 、プロピル基、ブチル基等を挙げることがで きる。R ² のアルコキシ基としては、メトキシ基、エト キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、3,3,3-ト リフルオロプロポキシ基等を挙げることがで きる。またアルキル基の水素原子をフッ素原 子に置換したものでもよい。R ³ のβ-ジケトン錯体基、β-ケトカルボン酸エス テル錯体基、β-ケトカルボン酸錯体基及びケ トオキシ基(ケトオキシ錯体基)から選ばれる� ��としては、β-ジケトン錯体基として、例え� ��、2,4-ペンタンジオン(アセチルアセトン或� �はアセトアセトンともいう)、1,1,1,5,5,5-ヘキ� ��メチル-2,4-ペンタンジオン、2,2,6,6-テトラメ チル-3,5-ヘプタンジオン、1,1,1-トリフルオロ- 2,4-ペンタンジオン等を挙げることができ、β -ケトカルボン酸エステル錯体基として、例� �ばアセト酢酸メチルエステル、アセト酢酸� �チルエステル、アセト酢酸プロピルエステ� �、トリメチルアセト酢酸エチル、トリフル� �ロアセト酢酸メチル等を挙げることができ� �β-ケトカルボン酸として、例えば、アセト� �酸、トリメチルアセト酢酸等を挙げること� �でき、またケトオキシとして、例えば、ア� �トオキシ基(またはアセトキシ基)、プロピオ ニルオキシ基、ブチリロキシ基、アクリロイ ルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等を挙 げることができる。これらの基の炭素原子数 は18以下が好ましい。また直鎖または分岐の� ��の、また水素原子をフッ素原子にしたもの� ��もよい。有機金属化合物の中では、分子内� ��少なくとも1つ以上の酸素を有するものが好 ましい。このようなものとしてR ² のアルコキシ基を少なくとも1つを含有する� �機金属化合物、またR ³ のR ³ のβ-ジケトン錯体基、β-ケトカルボン酸エス テル錯体基、β-ケトカルボン酸錯体基及びケ トオキシ基(ケトオキシ錯体基)から選ばれる� ��を少なくとも1つ有する金属化合物が最も好 ましい。金属塩のなかでは、硝酸塩が好まし い。硝酸塩は高純度品が入手しやすく、また 使用時の媒体として好ましい水に対する溶解 度が高い。硝酸塩としては、硝酸インジウム 、硝酸錫、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム等が挙げ られる。

 以上のうち、好ましいのは、金属の硝酸� ��、ハロゲン化物、アルコキシド類である。� ��体例としては、硝酸インジウム、硝酸亜鉛� ��硝酸ガリウム、硝酸スズ、硝酸アルミニウ� ��、塩化インジウム、塩化亜鉛、塩化スズ(2� �)、塩化スズ(4価)、塩化ガリウム、塩化アル� ��ニウム、トリ-i-プロポキシインジウム、ジ� ��トキシ亜鉛、ビス(ジピバロイルメタナト)� �鉛、テトラエトキシスズ、テトラ-i-プロポ� �シスズ、トリ-i-プロポキシガリウム、トリ-i -プロポキシアルミニウム等が挙げられる。

 電磁波吸収能を持つ金属酸化物または金� ��酸化物の前駆体の添加量は、5質量%~20質量%� ��好ましい。5質量%未満では発熱量が低くパ� �ーンの昇温がし難くなり、20質量%を超える� �、金属パターンの導電性を損なうことがあ� �。

 〔金属微粒子〕
 電極となる導電性材料としては、平均粒径1 ~100nmの金属微粒子を好適に用いることができ 、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄 、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム 、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウ ム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウ ム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・ アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フ� ��素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファ� ��ト、グラッシーカーボン、銀ペースト及び� ��ーボンペースト、リチウム、ベリリウム、� ��トリウム、マグネシウム、カリウム、カル� ��ウム、スカンジウム、チタン、マンガン、� ��ルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウ� ��、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム 、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/� �混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシ� ��ム/アルミニウム混合物、マグネシウム/イ� �ジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニ� ��ム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等 を用いることもできるが、平均粒径1~100nmの� �粒子として安定に得られるPd系合金、Pt系合� ��、Au系合金、Ag系合金、Ni系合金、またはこ� ��らの金属の単体微粒子を用いることが好ま� ��い。

 〔基板〕
 基板を構成する支持体材料としては、種々� ��材料が利用可能であり、例えば、ガラス、� ��英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ� ��珪素、炭化珪素等のセラミック基板、シリ� ��ン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウ� ��燐、ガリウム窒素等半導体基板、紙、不織� ��等を用いることができるが、本発明におい� ��支持体は樹脂からなることが好ましく、例� ��ばプラスチックフィルムシートを用いるこ� ��ができる。プラスチックフィルムとしては� ��例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、� �リエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテル スルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエ� ��テルエーテルケトン、ポリフェニレンスル� ��ィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリ� ��ーボネート(PC)、セルローストリアセテート (TAC)、セルロースアセテートプロピオネート( CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。プ� �スチックフィルムを用いることで、ガラス� �板を用いる場合に比べて軽量化を図ること� �でき、可搬性を高めることができるととも� �、衝撃に対する耐性を向上できる。

 〔薄膜パターンの形成方法〕
 これらの金属微粒子及び、電磁波吸収能を� ��つ金属酸化物または金属酸化物の前駆体を� ��む薄膜パターンを形成するためには、公知� ��成膜法、真空蒸着法、分子線エピタキシャ� ��成長法、イオンクラスタービーム法、低エ� ��ルギーイオンビーム法、イオンプレーティ� ��グ法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プ� ��ズマ法等を用いることができるが、本発明� ��おいては金属微粒子及び、電磁波吸収能を� ��つ金属酸化物または金属酸化物の前駆体等� ��適切な溶媒に分散した分散液を用いて、基� ��上に連続的に塗布により形成(塗設)するこ� �で生産性を大幅に向上することができる。

 溶媒としては、特に制限されるところで� ��ないが、水や、エタノール、プロパノール� ��エチレングリコール等のアルコール類、テ� ��ラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル� ��、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系� ��アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ� ��サノン等のケトン系、ジエチレングリコー� ��モノメチルエーテル等グリコールエーテル� ��、また、アセトニトリル等、さらに、キシ� ��ン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、o -ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、m-クレ ゾール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、シクロ ヘキサン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶 媒、α-テルピネオール、また、クロロホルム や1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化アルキ� �系溶媒、N-メチルピロリドン、2硫化炭素等� �好適に用いることができる。

 金属ハロゲン化物及び/または金属アルコ キシドを用いた場合には、比較的極性の高い 溶媒が好ましく、中でも沸点が100℃以下の水 、エタノール、プロパノール等のアルコール 類、アセトニトリル、またはこれらの混合物 を用いると乾燥温度を低くすることができた め、樹脂基板に塗設することが可能となりよ り好ましい。

 また、溶媒中に金属アルコキシドと種々� ��アルカノールアミン、α-ヒドロキシケトン� ��β-ジケトン等の多座配位子であるキレート� ��位子を添加すると、金属アルコキシドを安� ��化したり、カルボン酸塩の溶解度を増加さ� ��ることができ、悪影響が出ない範囲で添加� ��ることが好ましい。

 本発明において、金属微粒子及び、電磁� ��吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化物� ��前駆体を含む薄膜形成材料を含有する分散� ��を基板上に適用して、薄膜を形成する方法� ��しては、スプレーコート法、スピンコート� ��、ブレードコート法、ディップコート法、� ��ャスト法、ロールコート法、バーコート法� ��ダイコート法、ミスト法、等、凸版、凹版� ��平版、スクリーン印刷、インクジェット等� ��印刷法等、広い意味での塗布による方法が� ��げられ、また、これによりパターン化する� ��法等が挙げられる。塗布膜からフォトリソ� ��ラフ法、レーザーアブレーション等により� ��ターン化してもよい。これらのうち、好ま� ��いのは薄膜の塗布が可能な、インクジェッ� ��法、スプレーコート法であり、中でも微細� ��路パターニング、オンデマンド性の観点か� ��インクジェット法が最も好ましい。

 例えば、インクジェット法を用いて成膜� ��る場合、金属微粒子及び、電磁波吸収能を� ��つ金属酸化物または金属酸化物の前駆体を� ��む分散液を滴下して、150℃程度で溶媒を揮� ��させることにより薄膜パターンが形成され� ��。なお、分散液を滴下する際、基板自体を1 50℃程度に加熱しておくと、塗布、乾燥の2プ ロセスを同時に行えるため好ましい。薄膜の 膜厚は1~200nm、より好ましくは5~100nmである。

 〔導電体〕
 本発明の機能性層の製造方法に係る導電体� ��ついて説明する。

 本発明に係る導電体とは、金属酸化物材料� ��好ましく、中でも高い導電性を持ち、かつ� ��磁波を吸収する材料が好ましい。導電体の� ��する好ましい抵抗率は10 ^-4 ωcm~10 ⁰ ωcmである。

 理由は定かではないが、本発明の導電体� ��、マイクロ波により金属微粒子及び、電磁� ��吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化物� ��前駆体を含む薄膜パターンにマイクロ波が� ��要以上に集中してしまうことを防ぎ、なお� ��かつ自ら吸収した余分なマイクロ波エネル� ��ーを熱変換及び/またはアースすることより 機能層からの放電を防止していると考えられ る。そのような観点から、導電性が高くとも 束縛の緩い自由電子を持つ金属は、自身が放 電してしまう可能性が高いことや自由電子の 運動のため電磁波を反射してしまうことから 本発明の導電体には含まれない。

 また、同様の観点から縮退伝導により室� ��から高温域まで比較的高い導電性を示す、� ��ープされたSi、及びIn酸化物、Zn酸化物、Sn� �化物等のいわゆる導電性金属酸化物が好ま� �い。さらには、これら導電性金属酸化物の� �部に粒界等の抵抗が高い部分があると、そ� �部分で放電を起こす危険性があるので単結� �で作成されたものが好ましい。

 また、このような電磁波吸収能を有する� ��電体と、本発明に係る金属微粒子及び電磁� ��吸収能を含む薄膜パターンは、両者が直接� ��するように(即ち、直接的に)配置してもよ� �し、基板等の絶縁体を挟むように(即ち、間� ��的に)配置してもよい。また、導電体の面積 は、薄膜パターンの面積以上であることが好 ましく、また基板の面積以上であることが好 ましい。本発明で面積とは投影面積をいう。

 〔電磁波の照射〕
 本発明は、基板上に、金属微粒子及び、電� ��波吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化� ��の前駆体を含む薄膜パターンを形成した後� ��前記薄膜パターンに電磁波を照射すること� ��より、前記金属微粒子を結合して電極を形� ��することが特徴である。

 即ち、電磁波吸収能を持つ金属酸化物ま� ��は金属酸化物の前駆体と金属微粒子を含む� ��散液を塗布し、薄膜パターンを形成した後� ��該薄膜パターンに対し、電磁波、特にマイ� ��ロ波(周波数0.3~30GHz)を照射することにより� �電磁波吸収能を持つ金属酸化物または金属� �化物の前駆体が該電磁波により分極し、そ� �双極子モーメントの緩和時に発生する誘電� �失による発熱及びある程度のキャリアが存� �すれば、キャリアが振動し、ジュール熱が� �生することで薄膜自身を内部から発熱させ� �結果的に薄膜部のみを選択的に加熱するこ� �で、薄膜パターン中の金属微粒子の融着を� �き起こし、金属パターンを形成する。

 一方で、ガラスや樹脂を基板として用い� ��場合、これらの基板は電磁波領域に吸収が� ��とんどないため、基板自体はほとんど発熱� ��ずに薄膜部のみを選択的に加熱することが� ��能となる。

 さらに、セラミクス等の電磁波加熱にお� ��ては一般的なように、電磁波吸収は吸収が� ��い物質に集中し、なおかつ非常に短時間で5 00~600℃まで昇温することが可能なため、本発 明にこの方法を用いた場合に、基板自身には ほとんど電磁波による加熱の影響を与えず、 短時間で金属微粒子同士の融着が起きる温度 まで昇温できるため、金属微粒子と電磁波吸 収能を持つ金属酸化物または金属酸化物の前 駆体とを含む分散液を塗布、形成した薄膜パ ターンを高い電導度を持つ金属パターンに変 換することが可能となる。また、加熱温度、 加熱時間は照射する電磁波の出力、照射時間 で制御することが可能であり、金属微粒子材 料、導電性パターンの下部材料、基板材料に 合わせて調整することが可能である。

 また、金属微粒子と電磁波吸収能を持つ� ��属酸化物または金属酸化物の前駆体材料か� ��形成された薄膜パターンは、形成後、電磁� ��照射の前に、例えば、酸素プラズマ、UVオ� �ン洗浄等のドライ洗浄プロセスによって洗� �し、薄膜中及び薄膜表面に存在し、不純物� �原因となる有機物を分解、洗浄して、金属� �分以外の有機物を排除しておくことも好ま� �い。

 一般的に、電磁波とは0.3~30GHzの周波数を� ��つマイクロ波を指し、携帯通信で用いられ� ��0.8MHz及び1.5GHz帯、2GHz帯、アマチュア無線、 航空機レーダー等で用いられる1.2GHz帯、電子 レンジ、構内無線、VICS等で用いられる2.4GHz� �、船舶レーダー等に用いられる3GHz帯、その� ��ETCの通信に用いられる5.6GHz等は全て本発明� ��範疇に入る電磁波である。本発明において� ��いる電磁波は、周波数0.3~10GHzの範囲内であ� ��ことが薄膜パターンの加熱の速度と電磁波� ��エネルギー制御のし易さのバランスがよい� ��と、さらには電磁波照射装置の入手の容易� ��、及び経済性の観点から特に好ましい。例� ��ば2.45GHz帯で発信するマグネトロンは、28GHz� ��で発信するジャイロトロンに比べ、2桁くら い安価である。

 セラミクスの分野では、このような電磁� ��を焼結に利用することが既に公知となって� ��る。磁性を含む材料に電磁波を照射すると� ��その物質の複素透磁率の損失部の大きさに� ��じて発熱することを利用し、短時間で均一� ��、かつ高温にすることができる。一方で、� ��属に電磁波を照射すると自由電子が高い周� ��数で運動を始めるためアーク放電が発生し� ��加熱できないこともよく知られている。

 このような技術背景をもとに、発明者ら� ��鋭意検討した結果、本発明に至った。

 すなわち、本発明の金属微粒子と電磁波� ��収能を持つ金属酸化物または金属酸化物の� ��駆体とを含む分散液を塗布し薄膜パターン� ��形成した後、電磁波を照射する方法は、短� ��間で選択的に金属微粒子融着反応を進行さ� ��る方法である。ただし、熱伝導により少な� ��らず基板にも熱が伝わるため、特に樹脂基� ��のような耐熱性の低い基板の場合は、電磁� ��の出力、照射時間、さらには照射回数を制� ��することで、基板温度が50~200℃、薄膜パタ� ��ンの表面温度が200~600℃になるように処理す ることが好ましい。さらに、基板表面に熱伝 導度が小さい薄膜絶縁層を設けることも好ま しい。薄膜パターン表面の温度、基板の温度 等は熱電対を用いた表面温度計により測定で きる。

 〔薄膜トランジスタ素子〕
 本発明の電極の製造方法で得られた回路パ� ��ーンは、有機半導体層を有する薄膜トラン� ��スタ素子に用いることができる。

 (素子構成)
 図1は、本発明の薄膜トランジスタ素子の構 成例を示す断面図である。

 本発明の電極の製造方法により製造した� ��路パターンを用いた薄膜トランジスタ素子� ��構成例を、断面図にて図1(a)~(f)に示す。図1� ��おいて、半導体層1は、ソース電極2、ドレ� �ン電極3が、これをチャネルとして連結する� ��う構成されることが好ましい。

 同図(a)は、基板6上に本発明の方法により ソース電極2及びドレイン電極3を形成した後� ��両電極間に半導体層1を形成し、その上にゲ ート絶縁層5を形成し、さらにその上にゲー� �電極4を形成して薄膜トランジスタ素子を形� ��したものである。同図(b)は、半導体層1を、 (a)では両電極間に形成したものを、コート法 等を用いて電極及び支持体表面全体を覆うよ うに形成して、薄膜トランジスタ素子を形成 したものである。同図(c)は、基板6上に先ず� �導体層1を形成し、その後、本発明の方法に� ��りソース電極2、ドレイン電極3を形成し、� �の上にゲート絶縁層5、ゲート電極4を形成し て、薄膜トランジスタ素子を形成したもので ある。同図(d)は、基板6上にゲート電極4を金� ��箔等で形成した後、絶縁層5を形成し、その 上に本発明の方法によりソース電極2及びド� �イン電極3を形成し、該電極間に半導体層1を 形成して、薄膜トランジスタ素子を形成した ものである。その他、同図(e)、(f)に示すよう な構成を取ることもできる。なお、本発明に 置いては基板に熱的なダメージを伝えにくく する目的で、基板と半導体層の間にゲート絶 縁膜が構成される、例えば図1(d)~(f)の構成が� ��ましい。

 図2は、本発明の薄膜トランジスタ素子が 複数配置される薄膜トランジスタシートの一 例の概略等価回路図である。

 薄膜トランジスタシート10はマトリクス� �置された多数の薄膜トランジスタ素子14を有 する。11は各薄膜トランジスタ素子14のゲー� �電極のゲートバスラインであり、12は各薄膜 トランジスタ素子14のソース電極のソースバ� ��ラインである。各薄膜トランジスタ素子14� �ドレイン電極には、出力素子16が接続され、 この出力素子16は例えば液晶、電気泳動素子� ��であり、表示装置における画素を構成する� ��図示の例では、出力素子16として液晶が、� �抗とコンデンサからなる等価回路で示され� �いる。15は蓄積コンデンサ、17は垂直駆動回� ��、18は水平駆動回路である。

 このような、基板上にTFT素子を2次元的に 配列した薄膜トランジスタシートの作製に本 発明の方法を用いることができる。

 また、本発明の薄膜トランジスタ素子上� ��は、保護層を設けることも可能である。保� ��層としては後述する無機酸化物または無機� ��化物等が挙げられ、上述した大気圧プラズ� ��法で形成するのが好ましい。

 以下、薄膜トランジスタ素子を構成する� ��要素について説明する。

 (電極形成用金属微粒子分散液)
 本発明に係る電極形成用分散液は、平均粒� ��1~100nmの金属微粒子と電磁波吸収能を持つ金 属酸化物または金属酸化物の前駆体を含有す ることが好ましい。金属微粒子は、粒径が小 さいほど低温で融着することが知られている が、平均粒径が1nmより小さいと分散性が悪く 凝集体を作りやすくなるため、均一組成の分 散液とすることが難しくなり、100nmより大き� ��と低温での焼結が困難になるとともに機材� ��の密着性が低下してくる。本発明に用いら� ��る金属微粒子の平均粒径は、好ましくは1~40 nmであり、さらに好ましくは2~10nmである。

 もう一方の電磁波吸収能を持つ金属酸化� ��または金属酸化物の前駆体は、熱源として� ��いるため特に粒径を小さくする必要はない� ��、均一な微細パターン形成するため、また� ��金属微粒子を均一に融着するために、金属� ��粒子と均一に分散することが好ましく、平� ��粒径1~500nmの微粒子を用いることが好ましい 。さらに好ましくは1~100nmであり、より好ま� �くは5~50nmである。

 本発明に係る電極形成用分散液は、前記� ��金属微粒子及び電磁波吸収能を持つ金属酸� ��物または金属酸化物の前駆体を適当な分散� ��に分散させることによりコロイド分散液を� ��ることができる。分散媒としては水、アル� ��ール類、グリコール類等が挙げられる。

 分散液中には、吸着性化合物(分散剤)また� �界面活性剤等の有機化合物を含有すること� �好ましい。前記吸着性化合物及び界面活性� �は、コロイド粒子の表面に吸着し、表面修� �することにより、分散液の安定性を向上す� �ことができる。吸着性化合物としては、-SH� �-CN、-NH ₂ 、-SO ₂ OH、-SOOH、-OPO(OH) ₂ 、-COOHを含有する化合物等があり、これらの� ��ち-SHまたは-COOH含有化合物が好ましい。親� �性コロイドの場合には、親水性基{例えば、- SO ₃ Mや-COOM(Mは水素原子、アルカリ金属原子また� ��アンモニウム分子等)}を有する吸着性化合� �を使用するのが好ましい。また、アニオン� �界面活性剤(例えば、ビス(2-エチルヘキシル) スルホコハク酸やドデシルベンゼンスルホン 酸ナトリウム等)、ノニオン性界面活性剤(例� ��ばポリアルキルグリコールのアルキルエス� ��ルやアルキルフェニルエーテル等)、フッ素 系界面活性剤、親水性高分子(例えば、ヒド� �キシエチルセルロース、ポリビニルピロリ� �ン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン� �リコール、ゼラチン等)を分散液中に含有さ� ��ることも好ましい。

 本発明に係る電極形成用分散液は、前記� ��着性化合物等の有機化合物の他にも帯電防� ��剤、UV吸収剤、可塑剤、高分子バインダー� �カーボンナノ粒子、色素等の各種添加剤を� �的に応じて添加してもよい。物性調整した� �、インクジェット用のインクとして用いる� �が好ましい。

 本発明に用いられる金属微粒子及び電磁� ��吸収能を持つ金属酸化物または金属酸化物� ��前駆体を含有する分散物液の粒子濃度は特� ��制限するものではないが、金属微粒子が、� ��ましくは0.5質量%以上であり、より好ましく は1~30質量%、電磁波吸収能を持つ金属酸化物� ��たは金属酸化物の前駆体子は、該金属微粒� ��が融着した際に、導電性を阻害しない範囲� ��添加することができ、金属微粒子に対して� ��ましくは1質量%以上であり、より好ましく� �5~20質量%である。

 (有機半導体材料)
 本発明に係る有機半導体層について説明す� ��。

 有機半導体層を構成する材料(有機半導体 材料ともいう)としては、分子中にヘテロ原� �を含む縮合多環芳香族化合物が好ましく、� �にSi、S、Sn、O、N、Geのヘテロ原子が好まし� �。縮合多環芳香族化合物としては、例えば� �アントラセン、テトラセン、ペンタセン、� �キサセン、ヘプタセン、クリセン、ピセン� �フルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレ� �、テリレン、クオテリレン、コロネン、オ� �レン、サーカムアントラセン、ビスアンテ� �、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレ� �、ビオランテン、イソビオランテン、サー� �ビフェニル、フタロシアニン、ポルフィリ� �等の化合物及びこれらの誘導体が挙げられ� �。

 中でも、Si、S、Sn、O、N、Geのヘテロ原子� ��含む下記一般式(OSC1)で表される縮合多環芳� ��族化合物が好ましい。

 式中、R ₁ ~R ₆ は水素原子または置換基を表し、Z ₁ 、Z ₂ は置換または無置換の芳香族炭化水素環、あ るいは置換または無置換の芳香族複素環を表 し、n1、n2は0~3の整数を表す。

 一般式(OSC1)において、R ₁ ~R ₆ で各々表される置換基としては、アルキル基 (例えば、メチル基、エチル基、プロピル基� �イソプロピル基、t-ブチル基、ペンチル基、 t-ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、t-� �クチル基、ドデシル基、トリデシル基、テ� �ラデシル基、ペンタデシル基)、シクロアル� ��ル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘ キシル基)、アルケニル基(例えば、ビニル基� ��アリル基、1-プロペニル基、2-ブテニル基、 1,3-ブタジエニル基、2-ペンテニル基、イソプ ロペニル基)、アルキニル基(例えば、エチニ� ��基、プロパルギル基)、芳香族炭化水素基(� �香族炭素環基、アリール基等ともいい、例� �ば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシ チル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基 、アントリル基、アズレニル基、アセナフテ ニル基、フルオレニル基、フェナントリル基 、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル 基)、芳香族複素環基(ヘテロアリール基とも� ��い、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基� ��フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、� ��ンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラ� ��ニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4-トリ アゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル 基)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル� �、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イ� �チアゾリル基、フラザニル基、チエニル基� �キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフ� �ル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニ� �基、インドリル基、カルバゾリル基、カル� �リニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カル� ��リニル基のカルボリン環を構成する炭素原� ��の一つが窒素原子で置き換わったものを示� ��)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、ト リアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニ ル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、� ��ミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾ� ��ジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキ� �基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペン� �ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチル� �キシ基、ドデシルオキシ基)、シクロアルコ� ��シ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シ クロヘキシルオキシ基)、アリールオキシ基(� ��えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基)、 アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エ� �ルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ� �、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデ� �ルチオ基)、シクロアルキルチオ基(例えば、 シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ 基)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ� ��、ナフチルチオ基)、アルコキシカルボニル 基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エ� �ルオキシカルボニル基、ブチルオキシカル� �ニル基、オクチルオキシカルボニル基、ド� �シルオキシカルボニル基)、アリールオキシ� ��ルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボ ニル基、ナフチルオキシカルボニル基)、ス� �ファモイル基(例えば、アミノスルホニル基� ��メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミ� ��スルホニル基、ブチルアミノスルホニル基� ��ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキ� ��ルアミノスルホニル基、オクチルアミノス� ��ホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、� ��ェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミ� ��スルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニ� �基)、アシル基(例えば、アセチル基、エチル カルボニル基、プロピルカルボニル基、ペン チルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニ ル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキ� ��ルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、� ��ェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル� ��、ピリジルカルボニル基)、アシルオキシ基 (例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボ� �ルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、� �クチルカルボニルオキシ基、ドデシルカル� �ニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ� �)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミ ノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチル カルボニルアミノ基、プロピルカルボニルア ミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シク ロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘ� ��シルカルボニルアミノ基、オクチルカルボ� ��ルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基� ��フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカ� ��ボニルアミノ基)、カルバモイル基(例えば� �アミノカルボニル基、メチルアミノカルボ� �ル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロ� �ルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカ� �ボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニ� �基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチル ヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミ ノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル 基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジ� ��アミノカルボニル基)、ウレイド基(例えば� �メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペ� �チルウレイド基、シクロヘキシルウレイド� �、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド� �、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基� �2-ピリジルアミノウレイド基)、スルフィニ� �基(例えば、メチルスルフィニル基、エチル� ��ルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シ� ��ロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキ� �ルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル� �、フェニルスルフィニル基、ナフチルスル� �ィニル基、2-ピリジルスルフィニル基)、ア� �キルスルホニル基(例えば、メチルスルホニ� ��基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニ� ��基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチ� �ヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニ� �基)、アリールスルホニル基(フェニルスルホ ニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジル� ��ルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ� �、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブ� �ルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エ チルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、 アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジル� ��ミノ基)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原� �、塩素原子、臭素原子)、フッ化炭化水素基( 例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメ チル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフ ルオロフェニル基)、シアノ基、ニトロ基、� �ドロキシ基、メルカプト基、ホスホノ基、� �リル基(例えば、トリメチルシリル基、トリ� ��ソプロピルシリル基、トリフェニルシリル� ��、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げら れる。

 これらの置換基は、上記の置換基によっ� ��さらに置換されていてもよい。また、これ� ��の置換基は複数が互いに結合して環を形成� ��ていてもよい。

 一般式(OSC1)において、Z ₁ 、Z ₂ で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環 基は、上記R ₁ ~R ₆ で表される置換基として記載の芳香族炭化水 素基、芳香族複素環基と同義である。

 さらに、Si、S、Sn、O、N、Geのヘテロ原子� ��含む下記一般式(OSC2)で表される縮合多環芳� ��族化合物が好ましい。

 式中、R ₇ 、R ₈ は水素原子または置換基を表し、Z ₁ 、Z ₂ は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表 し、n1、n2は0~3の整数を表す。

 一般式(OSC2)において、R ₇ 、R ₈ で表される置換基は、一般式(OSC1)においてR ₁ ~R ₆ で表される置換基と同義である。また、Z ₁ 、Z ₂ で表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環 基は、上記R ₁ ~R ₆ で表される置換基として記載した芳香族炭化 水素基、芳香族複素環基と同義である。

 前記一般式(OSC2)において、さらに、R ₇ 、R ₈ が下記一般式(SG1)で表されることが好ましい� ��

 式中、R ₉ ~R ₁₁ は置換基を表し、Xはケイ素(Si)、ゲルマニウ� ��(Ge)またはスズ(Sn)を表す。上記一般式(SG1)に おいて、R ₉ ~R ₁₁ で表される置換基は、前記一般式(OSC1)におけ るR ₁ ~R ₆ で表される置換基と同義である。

 以下に、前記一般式(OSC2)で表される化合� ��の具体例を示すが、本発明はこれらに限定� ��れない。

 上記例示化合物の中で特に好ましくは、O SC2-1である。

 有機半導体材料として、例えば、ポリチ� ��フェン及びそのオリゴマー、ポリピロール� ��びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフ� ��ニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレ� ��ビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニ� ��ンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセ� ��レン、ポリジアセチレン、テトラチアフル� ��レン化合物、キノン化合物、テトラシアノ� ��ノジメタン等のシアノ化合物、フラーレン� ��びこれらの誘導体を、上記ヘテロ原子を含� ��縮合多環芳香族化合物に加えて用いること� ��できる。特にポリチオフェン及びそのオリ� ��マーの内、チオフェン6量体であるα-セクシ チオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオフ� �ン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン、� �,ω-ビス(3-ブトキシプロピル)-α-セクシチオ� �ェン、等のオリゴマーが好適に用いること� �できる。

 さらに、銅フタロシアニンや特開平11-2516 01号公報に記載のフッ素置換銅フタロシアニ� ��等の金属フタロシアニン類、ナフタレン1,4, 5,8-テトラカルボン酸ジイミド、N,N″-ビス(4-� ��リフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5, 8-テトラカルボン酸ジイミドとともに、N,N″- ビス(1H,1H-ペルフルオロオクチル)、N,N″-ビス (1H,1H-ペルフルオロブチル)及びN,N″-ジオクチ ルナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミ� ��誘導体、ナフタレン2,3,6,7-テトラカルボン� �ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸� �イミド類、及びアントラセン2,3,6,7-テトラカ ルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカ ルボン酸ジイミド類等の縮合環テトラカルボ ン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等フラ ーレン類、SWNT等のカーボンナノチューブ、� �ロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類等� �色素等が挙げられる。

 これらのπ共役系材料の内でも、ペンタ� �ン等の縮合多環芳香族化合物、フラーレン� �、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、金� �フタロシアニンよりなる群から選ばれた少� �くとも1種が好ましい。

 また、その他の有機半導体材料としては� ��テトラチアフルバレン(TTF)-テトラシアノキ� ��ジメタン(TCNQ)錯体、ビスエチレンテトラチ� ��フルバレン(BEDTTTF)-過塩素酸錯体、BEDTTTF-ヨ� ��素錯体、TCNQ-ヨウ素錯体、等の有機分子錯� �も用いることができる。さらにポリシラン� �ポリゲルマン等のσ共役系ポリマーや特開200 0-260999号公報に記載の有機・無機混成材料も� ��いることができる。また、本発明において� ��、有機半導体層(膜)に、例えば、アクリル� �、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シア� �基、カルボキシル基、ニトロ基等の官能基� �有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テト� �シアノエチレン及びテトラシアノキノジメ� �ンやそれらの誘導体等のように電子を受容� �るアクセプターとなる材料や、例えばアミ� �基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基� �アルコキシ基、フェニル基等の官能基を有� �る材料、フェニレンジアミン等の置換アミ� �類、アントラセン、ベンゾアントラセン、� �換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピ� �ン、カルバゾール及びその誘導体、テトラ� �アフルバレンとその誘導体等のように電子� �供与体であるドナーとなるような材料を含� �させ、いわゆるドーピング処理を施しても� �い。

 ドーピングとは電子授与性分子(アクセプ ター)または電子供与性分子(ドナー)をドーパ ントとして該有機半導体層に導入することを 意味する。従って、ドーピングが施された有 機半導体層は、前記の縮合多環芳香族化合物 とドーパントを含有する薄膜である。本発明 に用いるドーパントとしては公知のものを採 用することができる。

 これらの有機半導体層を形成する方法と� ��ては、公知の方法で形成することができ、� ��えば、真空蒸着、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、� �オンクラスタービーム法、低エネルギーイ� �ンビーム法、イオンプレーティング法、ス� �ッター法、CVD(Chemical Vapor Deposition)、レーザ ー蒸着、電子ビーム蒸着、電着、スピンコー ト、ディップコート、バーコート法、ダイコ ート法、スプレーコート法、及びLB法等、ま� ��スクリーン印刷、インクジェット印刷、ブ� ��ード塗布等の方法を挙げることができる。

 この中で生産性の観点で、有機半導体材� ��の溶液を用い、簡単かつ精密に薄膜が形成� ��きるスピンコート法、ブレードコート法、� ��ィップコート法、ロールコート法、バーコ� ��ト法、ダイコート法等、半導体溶液をキャ� ��トする方法及びオンデマンド印刷が可能な� ��ンクジェット法が好ましい。

 なお、Advanced Material誌,1999年,第6号,p480~483 に記載のように、ペンタセン等の前駆体が溶 媒に可溶であるものは、塗布により形成した 前駆体の膜を熱処理して目的とする有機半導 体材料の薄膜を形成してもよい。

 これら有機半導体層の膜厚としては、特� ��制限はないが、得られたトランジスタの特� ��は、有機半導体層の膜厚に大きく左右され� ��場合が多く、その膜厚は、用いる有機半導� ��材料により異なるが、一般に1μm以下、特に 10~300nmが好ましい。

 また、これら有機半導体層(膜)を半導体� �液をキャストする方法により作製する場合� �有機半導体材料溶液の溶媒としては任意の� �媒を用いることができ、例えば、炭化水素� �、アルコール系、エーテル系、エステル系� �ケトン系、グリコールエーテル系等、広範� �の有機溶媒から、有機半導体化合物に応じ� �適宜選択されるが、ジエチルエーテルやジ� �ソプロピルエーテル等の鎖状エーテル系溶� �、テトラヒドロフランやジオキサン等の環� �エーテル系溶媒、アセトンやメチルエチル� �トン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒� �キシレン、トルエン、o-ジクロロベンゼン、 ニトロベンゼン、m-クレゾール等の芳香族系� ��媒、ヘキサン、シクロヘキサン、トリデカ� ��等の脂肪族炭化水素溶媒、α-テルピネオー� ��、また、クロロホルムや1,2-ジクロロエタン 等のハロゲン化アルキル系溶媒、N-メチルピ� ��リドン、二硫化炭素等を好適に用いること� ��できる。

 下記ゲート絶縁層上への、塗布性や成膜� ��の観点から、最も好ましくは、脂肪族系の� ��機溶媒、具体例として、シクロヘキサンや� ��キサンを含むことが好ましい。

 (ゲート絶縁層)
 本発明の薄膜トランジスタ素子のゲート絶� ��層(膜)としては、種々の絶縁膜を用いるこ� �ができるが、特に、比誘電率の高い無機酸� �物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、� �化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタ� �、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム� �チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコ� �ウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸� �タン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸� �トロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化� �リウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、� �タン酸ストロンチウムビスマス、タンタル� �ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオ� �酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム� �が挙げられる。それらのうち好ましいのは� �酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タン� �ル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化� �ルミニウム等の無機窒化物も好適に用いる� �とができる。

 上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着� ��、分子線エピタキシャル成長法、イオンク� ��スタービーム法、低エネルギーイオンビー� ��法、イオンプレーティング法、CVD法、スパ� ��タリング法、大気圧プラズマ法等のドライ� ��ロセスや、スプレーコート法、スピンコー� ��法、ブレードコート法、ディップコート法� ��キャスト法、ロールコート法、バーコート� ��、ダイコート法等の塗布による方法、印刷� ��インクジェット等のパターニングによる方� ��等のウェットプロセスが挙げられ、材料に� ��じて使用できる。

 ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒� ��を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応� ��て界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散� ��た液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆� ��、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾� ��する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。� ��れらのうち好ましいのは、大気圧プラズマ� ��である。

 ゲート絶縁層(膜)が陽極酸化膜または該� �極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好� �しい。陽極酸化膜は封孔処理されることが� �ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な� �属を公知の方法により陽極酸化することに� �り形成される。

 陽極酸化処理可能な金属としては、アル� ��ニウムまたはタンタルを挙げることができ� ��陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、� ��知の方法を用いることができる。

 また有機化合物皮膜としては、ポリイミ� ��、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリ� ��ート、光ラジカル重合系、光カチオン重合� ��の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリ� ��成分を含有する共重合体、ポリビニルフェ� ��ール、ポリビニルアルコール、ノボラック� ��脂等を用いることもできる。

 無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層� ��て併用することができる。またこれら絶縁� ��の膜厚としては、一般に50nm~3μm、好ましく� ��、100nm~1μmである。

 〔有機EL素子〕
 次に、本発明の有機EL素子の作製方法につ� �て説明する。

 適当な基板上に、所望の電極用物質、例� ��ば陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ま しくは10~200nmの範囲の膜厚になるように、蒸� ��やスパッタリング等の方法により陽極を作� ��する。該陽極上に正孔注入層、正孔輸送層� ��発光層、電子輸送層/電子注入層からなる各 層薄膜を形成した後、その上に陰極用物質か らなる薄膜を1μm以下、好ましくは50~200nmの範 囲の膜厚になるように形成し、陰極を設ける ことにより、所望の有機EL素子が得られる。� ��発明の有機EL素子は、陰極形成を本発明の� �極の製造方法で行うことにより、有機物層� �ダメージを与えることなく、より簡便に有� �物上に陰極を形成することが可能となる。� �らには、正孔注入層、正孔輸送層、発光層� �電子輸送層/電子注入層からなる各有機薄膜� ��を全て塗布で形成し、さらには、陰極も本� ��明の方法で作製することにより、飛躍的に� ��産効率を高めることが可能となる。

 このようにして得られた有機EL素子に、� �流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極� ��-の極性として電圧5~40V程度を印加すると、� ��光が観測できる。また、逆の極性で電圧を� ��加しても電流は流れずに発光は全く生じな� ��。さらに、交流電圧を印加する場合には、� ��極が+、陰極が-の状態になったときのみ発� �する。なお、印加する交流の波形は任意で� �い。