以下、本発明の実施の形態に係る発光素� ��について、添付図面を用いて説明する。な� ��、図面において、実質的に同一の部材には� ��一の符号を付している。

(実施の形態1)
<EL素子の概略構成>
 図1は、本実施の形態1に係る発光素子10の構 成を示す概略断面図である。この発光素子10� ��、第1の電極である背面電極12と、第2の電極 である透明電極16と、上記一対の電極12、16の 間に挟持された発光層13とを備える。発光層1 3は、発光体粒子14が正孔輸送材料15中に分散� ��て構成されている。また、第1の電極である 背面電極12と、第2の電極である透明電極16と� ��間には直流電源17が接続されている。この� �光素子10では、正極側の背面電極12の界面に� ��導電性ナノ粒子23が担持されている。電極12 、16間に電力が供給されると、背面電極12お� �び透明電極16の間に電位差が生じ、電圧が印 加される。そして、正極側の背面電極12およ� ��負極側の透明電極16から導電性ナノ粒子23と 正孔輸送材料15を介して、キャリアである正� ��と電子とが発光体粒子14に注入され、それ� �が再結合して発光する。発光は透明電極16の 側から外部に取り出される。

 なお、上述の構成に限られず、背面電極1 2および透明電極16を入れ替える、電極12およ� ��電極16を両方とも透明な電極にする、また� �、電源を交流電源にする等、適宜変更が可� �である。また、発光層13の構造は、図2に示� �ように、有機バインダ41の中に、発光体粒子 14と正孔輸送材料15とがそれぞれ分散された� �造であってもよい。

 以下、各構成について図1及び図2を用いて� �述する。
<基板>
 図1において、基板11は、その上に形成する� ��層を支持できるものを用いる。具体的には� ��シリコン、Al ₂ O ₃ ,AlNなどのセラミック等を用いることができ� �。さらに、ポリエステル、ポリイミド等の� �ラスチック基板を用いてもよい。また、基� �11側から光を取り出す場合、発光体から発せ られる光の波長に対し光透過性を有する材料 であることが求められる。このような材料と しては、例えば、コーニング1737等のガラス� �石英等を用いることができる。通常のガラ� �に含まれるアルカリイオン等が発光素子へ� �響しないように、無アルカリガラスや、ガ� �ス表面にイオンバリア層としてアルミナ等� �コートしたソーダライムガラスであっても� �い。これらは例示であって、基板11の材料は 特にこれらに限定されるものではない。
 また、基板側から光を取り出さない構成の� ��合は、上述の光透過性は不要であり、透光� ��を有していない材料も用いることができる� ��

<電極>
 電極には、背面電極12と透明電極16とがある 。これらは2つの電極のうち、光を取り出す� �の電極を透明電極16とし、他方を背面電極12� ��しているものである。
 光を取り出す側の透明電極16の材料は、発� �層13内で生じた発光を取り出せるように光透 過性を有するものであればよく、特に可視光 領域において高い透過率を有することが好ま しい。また、低抵抗であることが好ましく、 さらには発光層13との密着性に優れているこ� ��が好ましい。またさらに、発光層13上に成� �する際に、発光層13が熱劣化等を生じないよ う、低温成膜できるものがより好ましい。透 明電極16の材料として、特に好適なものは、I TO(In ₂ O ₃ にSnO ₂ をドープしたものであり、インジウム錫酸化 物ともいう。)やInZnO、ZnO、SnO ₂ 等を主体とする金属酸化物、Pt、Au、Pd、Ag、N i、Cu、Al、Ru、Rh、Ir等の金属薄膜、あるいは� ��リアニリン、ポリピロール、PEDOT/PSS、ポリ� ��オフェンなどの導電性高分子等が挙げられ� ��が、特にこれらに限定されるものではない� ��また、透明電極16の体積抵抗率は1×10 ^-3 ω・cm以下であって、透過率は380~780nmの波長� �おいて75%以上、さらには屈折率が、1.85~1.95� �あることが望ましい。例えばITOは、その透� �性を向上させ、あるいは抵抗率を低下させ� �目的で、スパッタリング法、エレクトロン� �ーム蒸着法、イオンプレーティング法等の� �膜方法で成膜できる。また成膜後に、抵抗� �制御の目的でプラズマ処理などの表面処理� �施してもよい。透明電極16の膜厚は、必要と されるシート抵抗値と可視光透過率から決定 される。透明電極16は、発光層13の上に直接� �成しても良いが、ガラス基板上に透明導電� �からなる透明電極16を形成し、透明導電膜と 発光層13とが直接接するように貼り合わせて� ��良い。

 光を取り出さない側の背面電極12には、導� �性を有しており、且つ基板11及び発光層13と� ��密着性に優れたものであればよい。好適な� ��としては、例えばITOやInZnO、ZnO、SnO ₂ 等の金属酸化物、Pt、Au、Pd、Ag、Ni、Cu、Al、R u、Rh、Ir、Cr、Mo、W、Ta、Nb等の金属、これら� ��積層構造体、あるいは、ポリアニリン、ポ� ��ピロール、PEDOT〔ポリ(3,4-エチレンジオキシ チオフェン)〕/PSS(ポリスチレンスルホン酸)� �の導電性高分子、あるいは導電性カーボン� �どを用いることができる。

 背面電極12は、層内を全面覆うように構� �されてもよく、また、層内に複数の電極を� �トライプ状に構成されてもよい。さらに、� �面電極12、透明電極16は、複数の電極をスト� ��イプ状に構成し、背面電極12の各ストライ� �状の電極と透明電極16のすべてのストライプ 状の電極とが、それぞれねじれの位置の関係 であり、かつ、背面電極12の各ストライプ状� ��電極を発光面に投影したものと透明電極16� �すべてのストライプ状の電極を発光面に投� �したものとがそれぞれ交わるように構成し� �もよい。この場合、背面電極12の各ストライ プ状の電極、および、透明電極16の各ストラ� ��プ状の電極からそれぞれ選択した電極に電� ��を印加することにより、所定位置を発光さ� ��るディスプレイを構成することが可能とな� ��。なお、図2の構成においても同様である。

<導電性ナノ粒子>
 本発明の実施の形態1に係る発光素子10では� ��正極側の電極12界面に導電性ナノ粒子23が担 持されている。さらに、実施の形態2に係る� �光素子に示すように負極側の電極界面に導� �性ナノ粒子24が担持されていてもよい。この 発光素子に使用される導電性ナノ粒子23、24� �、Ag,Au,Pt,Ni,Cuなどの金属材料粒子や、酸化イ ンジウムスズ、ZnO,InZnOなどの酸化物粒子、カ ーボンナノチューブなどの炭素材料粒子など を用いることができる。導電性ナノ粒子23の� ��状は、粒状、球状、柱状、針状、あるいは� ��定形等のいずれの形状であってもよい。導� ��性ナノ粒子23の平均粒子径または平均長は� �1nm~200nmの範囲内にあることが好ましい。1nm� �り小さいと、導電性が悪くなり、発光輝度� �低下する。一方、200nmより大きいと、電極間 の電気的導通が大きくなるが、導電経路に含 まれない発光体粒子14が多くなり、発光輝度� ��効率が大きく低下する。

 カーボンナノチューブの生成は、気相合� ��法、プラズマ法などの方法で行われ、作製� ��件によって、カーボンナノチューブの電気� ��性や直径、長さなどを任意に変化させるこ� ��が可能である。カーボンナノチューブは、� ��極側の電極界面に担持する場合は、p型を使 用することが好ましい。負極側の電極界面に 担持する場合はn型を使用することが好まし� �。p型は、カーボンナノチューブにリンなど� ��5族元素を添加することで得られる。一方、 n型は、窒素などの3族元素を添加することで� ��られる。

<発光層>
 発光層13は、正孔輸送材料15を媒体として、 発光体粒子14が分散して構成されている(図1� �図3)。なお、この例に限られず、発光層13は� ��有機バインダ41中に発光体粒子14と、正孔輸 送材料15とがそれぞれ分散して構成されてい� ��もよい(図2、図4)。

<発光体粒子>
 発光体粒子14としては、光学バンドギャッ� �が可視光の大きさを有する材料であれば、� �ずれも使用できる。具体的には第13族-第15族 化合物半導体であるAlN、GaN、InN、AlP、GaP、InP 、AlAs、GaAs、AlSb等を用いることができる。特 に、GaNに代表される第13族窒化物半導体が好� ��しい。また、これらの混晶(例えばGaInN等)で あってもよい。さらに、伝導性を制御するた めに、Si、Ge、Sn、C、Be、Zn、Mg、Ge、Mnからな� ��群より選択される1又は複数種の元素をドー パントとして含んでいてもよい。

 また、InGaN,AlGaNなどの窒化物やZnSeやZnS、� ��にZnS、ZnSe,GaP、CdSe、CdTe、SrS、CaS、ZnOを母体 とし、母体のまま使用するか、あるいは添加 剤として,Ag、Al、Ga、Cu、Mn、Cl、Tb,Liから一種 以上選択される元素を添加した発光体粒子を 用いることができる。また、ZnSSeのような多� ��化合物やチオガレート系蛍光体も使用でき� ��。

 またさらに、発光体粒子14内において、� �記複数の組成が層状構造や偏析構造をなし� �いてもよい。発光体粒子14の粒径は0.1μm~1000� �mの範囲内であればよく、0.5μm~500μmの範囲内 がより好ましい。

<正孔輸送材料>
 次に、発光体粒子14を分散させる媒体とし� �、若しくは有機バインダ41中に発光体粒子14� ��ともに分散させる正孔輸送材料15について� �明する。正孔輸送材料15としては、有機正孔 輸送材料と、無機正孔輸送材料とがある。正 孔輸送材料15にはホール移動度の高い材料が� ��ましい。

 <有機正孔輸送材料>
 この有機正孔輸送材料としては、下記の化� ��式6及び化学式7の構成要素を含むことが好� �しい。

 有機正孔輸送材料が上記の化学式6及び化 学式7の構成要素を含むことによる効果は、� �光体粒子14に対して効率よく正孔を注入する ことであると考えられる。

 さらに、この有機正孔輸送材料としては、� ��記の化学式8、化学式9、化学式10のいずれか を構成要素として含んでもよい。

 また、有機正孔輸送材料としては、大きく� ��けて、低分子系材料と高分子系材料とがあ� ��。正孔輸送性を備える低分子系材料として� ��、N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ジフェニ� ��ベンジジン(TPD)、N,N'-ビス(α-ナフチル)-N,N'-� ��フェニルベンジジン(NPD)等、Tangらの用いた� ��アミン誘導体、特に日本国特許第2037475号に 開示されたQ1-G-Q2構造のジアミン誘導体等が� �げられる。なお、Q1及びQ2は、別個に窒素原� ��及び少なくとも3個の炭素鎖(それらの少な� �とも1個は芳香族のもの)を有する基である。 Gは、シクロアルキレン基、アリーレン基、� �ルキレン基又は炭素-炭素結合からなる連結� ��である。また、これらの構造単位を含む多� ��体(オリゴマー)であってもよい。これらに� �スピロ構造やデンドリマー構造を持つもの� �挙げられる。またさらに、非導電性ポリマ� �に低分子系の正孔輸送材料を分子分散させ� �形態も同様に可能である。分子分散系での� �体例としては、TPDをポリカーボネート中に� �濃度で分子分散させた例があり、そのホー� �移動度は10 ^-4 から10 ^-5 cm ² /Vs程度である。

 一方、正孔輸送性を備える高分子系材料と� ��ては、π共役ポリマーやσ共役ポリマー等が あり、例えばアリールアミン系化合物等が組 み込まれたものがある。具体的には、ポリ-� �ラ-フェニレンビニレン誘導体(PPV誘導体)、� �リチオフェン誘導体(PAT誘導体)、ポリパラフ ェニレン誘導体(PPP誘導体)、ポリアルキルフ� ��ニレン(PDAF)、ポリアセチレン誘導体(PA誘導� ��)、ポリシラン誘導体(PS誘導体)等が挙げら� �るが、これらに限定されない。さらに、低� �子系で正孔輸送性を示す分子構造を分子鎖� �に組み込んだポリマーでもよく、これらの� �体的な例としては、芳香族アミンを側鎖に� �するポリメタクリルアミド(PTPAMMA、PTPDMA)、� �香族アミンを主鎖に有するポリエーテル(TPDP ES,TPDPEK)等が挙げられる。中でも特に好適な� �として、中でもポリ-N-ビニルカルバゾール(P VK)は、10 ^-6 cm ² /Vsと極めて高いホール移動度を示す。他の具 体例としては、PEDOT/PSSやポリメチルフェニル シラン(PMPS)等がある。
 またさらに、前述した正孔輸送材料を複数� ��混合して用いてもよい。また、光又は熱で� ��橋又は重合する架橋性又は重合性材料を含� ��でいてもよい。

 <無機正孔輸送性材料>
 無機正孔輸送性材料について説明する。無� ��正孔輸送性材料としては、透明または半透� ��であって、p型伝導性を示す材料であればよ い。好適なものとしては、Si、Ge、SiC、Se、SeT e、As ₂ Se ₃ 等の半金属系半導体、ZnS、ZnSe、CdS、ZnO、CuI� �の2元化合物半導体、CuGaS ₂ 、CuGaSe ₂ 、CuInSe ₂ 等のカルコパイライト型半導体、さらにこれ らの混晶、CuAlO ₂ 、CuGaO ₂ 等の酸化物半導体さらにこれらの混晶等が挙 げられる。またさらに、伝導性を制御するた めに、これらの材料にドーパントを添加して もよい。

(変形例1)
 図2は、実施の形態1の変形例1に係る発光素� ��10aの構成を示す概略断面図である。この発� ��素子10aは、実施の形態1に係る発光素子10と� ��較すると、発光層13が、有機バインダ41を媒 体として、発光体粒子14と、正孔輸送材料15� �が分散して構成されている点で相違する。

<有機バインダ>
 変形例における発光素子10aの発光層13にお� �て、発光体粒子14と、正孔輸送材料15とをそ� ��ぞれ分散させる有機バインダ41としては、� �脂溶液など正孔輸送材料15と混合できる材料 であれば使用可能である。

(実施例1)
 本発明の実施例1として、塗布法によって図 1の発光素子を得る方法を説明する。実施例� �して図1に示すような発光素子を作製した。
(a)まず、シリコン基板11上に、スパッタ法に� ��って背面電極としてPt膜12を約300nm形成した� ��
(b)次に、Pt膜12の上に平均粒子径が1~3nmのFeナ� ��粒子を同じくスパッタ法で形成した。そし� ��、基板を約800℃まで加熱して炭化水素ガス� ��チャンバ内に導入して、導電性ナノ粒子と� ��てカーボンナノチューブ23を成長させた。� �られたカーボンナノチューブは、直径が1~10n m、長さが50nm~120nmであった。
(c)次に、デュポン社製の樹脂溶液に正孔輸送 材料15としてテトラフェニルブタジエン系T770 を75重量%混入し、更に発光体粒子として、平 均粒子径が500~1000nmのGaN粒子14を十分に混合さ せて発光体ペーストとした。
(d)そして、作製した発光体ペーストを、上記 カーボンナノチューブ23を担持したPt膜12の上 に塗布後、乾燥させた。塗布膜の厚さは約30� �mであった。
(e)対向する透明電極付き基板として、ガラス 板上に透明導電膜であるITO膜16をスパッタ法� ��成膜した基板を使用した。ITO膜16の膜厚は� �300nmであった。
(f)続いて、ITO膜16面が、先ほどの発光体ペー� ��トに接するように貼り付けた。
 以上によって発光素子10を得た。

 評価は、背面電極12と透明電極16との間に直 流電圧を印加して行った。また、輝度測定は 、携帯型輝度計を用いて行った。その結果、 直流電圧約5Vでオレンジ色発光を開始し、15V� ��発光輝度約3500cd/m ² が得られた。
 以上のように、本発明によれば、直流であ� ��て、低電圧で、高輝度の発光素子が得るこ� ��が可能である。

<効果>
 本実施の形態1に係る発光素子10、10aは、従� ��の発光素子よりも電荷注入性に優れ、高い� ��度、長寿命を得ることができた。

(実施の形態2)
 図3は、本発明の実施の形態2に係る発光素� �20の構成を示す概略断面図である。この発光 素子20は、実施の形態1に係る発光素子と比較 すると、負極側の電極界面にさらに別の導電 性ナノ粒子24を担持している点で相違する。� ��の負極側の透明電極16に担持された導電性� �ノ粒子24を介して、発光体粒子14に電子を注� ��することができる。

(変形例2)
 図4は、本発明の実施の形態2の変形例2の発� ��素子20aの構成を示す概略断面図である。こ� ��発光素子20aは、実施の形態2に係る発光素子 20と比較すると、発光層13が、有機バインダ41 を媒体として、発光体粒子14と、正孔輸送材� ��15とが分散して構成されている点で相違す� �。

(実施例2)
 本発明の実施例2として、塗布法によって図 3に示す発光素子20を作製する方法について説 明する。
(a)まず、シリコン基板11上に、スパッタ法に� ��って背面電極としてPt膜12を約300nm形成した� ��
(b)次に、Pt膜12の上に平均粒子径が1~3nmのFeナ� ��粒子を同じくスパッタ法で形成した。そし� ��、基板を約800℃まで加熱して炭化水素ガス� ��チャンバ内に導入して、導電性ナノ粒子と� ��てカーボンナノチューブ23を成長させた。� �られたカーボンナノチューブは、直径が1~10n m、長さが50nm~120nmであった。
(c)次に、デュポン社製の樹脂溶液に正孔輸送 材料15としてテトラフェニルブタジエン系T770 を75重量%混入し、更に発光体粒子として、平 均粒子径が500~1000nmのGaN粒子14を十分に混合さ せて発光体ペーストとした。
(d)そして、作製した発光体ペーストを上記カ ーボンナノチューブ23を担持したPt膜12の上に 塗布後乾燥させた。塗布膜の厚さは約30μmで� ��った。
(e)対向する透明電極付き基板は、ガラス板上 に透明導電膜であるITO膜16をスパッタ法で成� ��した基板を使用した。膜厚は約300nmであっ� �。
(f)次いで、導電性ナノ粒子としてITOナノ粒子 24を樹脂溶液に混入したものを、ITO膜16の表� �にスピンコート法により塗布した。
(g)続いて、表面にITOナノ粒子24が担持されたI TO膜16面が、先ほどの発光体ペーストに接す� �ように貼り付けた。
 以上によって発光素子20を得た。

 評価は、背面電極12と透明電極16との間に直 流電圧を印加して行った。また、輝度測定は 、携帯型輝度計を用いて行った。その結果、 直流電圧約4Vでオレンジ色発光を開始し、12V� ��発光輝度約5000cd/m ² が得られた。
 以上のように、本発明によれば、直流、低� ��圧で、高輝度の発光素子が得ることが可能� ��ある。

(実施の形態3)
<EL素子の概略構成>
 図5は、本実施の形態3に係る発光素子10の構 成を示す側面図である。この発光素子10は、� ��板11上に形成された第1の電極である電極12� �、第2の電極である透明導電膜16との間に発� �層13を挟持している。発光層13は、有機バイ� ��ダ41を媒体として、発光体粒子14と正孔輸送 材料15とが混合して分散されて構成されてい� ��。また、この発光素子10では、正極側の電� �12の表面に、発光層13に突出した正孔注入用� ��ブラシ状電極21が形成されていることを特� �とする。電極12、16間に電力が供給されると� ��電極12および透明導電膜16の間に電位差が生 じ電圧が印加される。そして、電極12から正� ��が、透明導電膜16から電子が発光体粒子14に 注入され、それらが再結合して発光する。本 実施の形態3においては、電源として直流電� �17を用いている。
 なお、上述の構成に限られず、電極12およ� �透明導電膜16を入れ替える、電極12および電� ��16を両方とも透明な電極にする、または、� �源を交流電源にする等、適宜変更が可能で� �る。
 また、この発光素子10では、正極側の電極12 上にのみブラシ状電極21を形成したが、これ� ��限られず、図8のように、さらに負極側の電 極16上にも電子注入用のブラシ状電極22を形� �してもよい。

 以下、この発光素子10を構成する各構成部� �について説明する。
 <基板>
 図5において、基板11は、その上に形成する� ��層を支持できるものを用いる。具体的には� ��シリコン、Al ₂ O ₃ ,AlNなどのセラミック等、更にポリエステル� �ポリイミド等のプラスチック基板を用いる� �とができる。また、基板11側から光を取り出 す場合、発光体から発せられる光の波長に対 し光透過性を有する材料であることが求めら れる。このような材料としては、例えば、コ ーニング1737等のガラス、石英等を用いるこ� �ができる。通常のガラスに含まれるアルカ� �イオン等が発光素子へ影響しないように、� �アルカリガラスや、ガラス表面にイオンバ� �ア層としてアルミナ等をコートしたソーダ� �イムガラスであってもよい。なお、これら� �例示であって、基板11の材料は特にこれらに 限定されるものではない。
 また、基板側から光を取り出さない構成の� ��合は、上述の光透過性は不要であり、透光� ��を有していない材料も用いることができる� ��
 尚、図8に示すように、透明電極16側に電子� ��入用のブラシ状電極22を形成する場合は、� �ファイヤなどの透明かつ耐熱性基板に、酸� �錫膜、膜厚30nm以下のPtやAu膜を形成して使用 しても良い。

 <電極>
 なお、電極として、背面電極12と透明電極16 とがあるが、上述の実施の形態1に係る背面� �極12と透明電極16と実質的に同様であるので� ��明を省略する。

<ブラシ状電極>
 本発明の実施の形態3に係る発光素子10では� ��図5の側面図に示すように、正極側の電極12� ��に発光層13に突出するブラシ状電極21を形成 している。なお、図5は側面図であって、ブ� �シ状電極21と発光体粒子14とが単に重なって� ��示されているにすぎない。正極側のブラシ� ��電極21の仕事関数は、4.0eV以上であることが 好ましい。ブラシ状電極21の一本の直径は、1 nm~200nmの範囲にあることが好ましく、さらに� ��1nm~100nmの範囲がより好ましい。また、長さ� ��、0.01μm~5μmの範囲が好ましく、0.01μm~3μmの� ��囲がより好ましい。ブラシ状電極21のサイ� �を選択することにより、ブラシ状電極21に屈 曲性が得られ、また上記長さを有することに よって発光体粒子14の大きさ、形状に分布が� ��っても、発光体粒子14の表面とブラシ状電� �とを十分に接触させることが可能となり、� �孔、電子の注入が有効に行われる。このブ� �シ状電極21は、導電性ナノ粒子が担持されて 形成されていてもよい。なお、この発光素子 10では正極側の電極12上にのみブラシ状電極21 を形成しているが、これに限られず、変形例 3に示すように、負極側の電極16にも電子注入 用のブラシ状電極22を形成してもよい。

 <導電性ナノ粒子>
 このブラシ状電極21に使用される導電性ナ� �粒子は、Ag,Au,Pt,Ni,Cuなどの金属材料粒子や、 酸化インジウムスズ、ZnO,InZnOなどの酸化物粒 子、カーボンナノチューブなどの炭素材料粒 子などを用いることができる。導電性ナノ粒 子の形状は、粒状、球状、柱状、針状、ある いは不定形等のいずれの形状であってもよい 。導電性ナノ粒子23の平均粒子径は、1nm~200nm� ��範囲内にあることが好ましく、さらに、1nm~ 100nmの範囲がより好ましい。1nmより小さいと� ��導電性が悪くなり、発光輝度が低下する。� ��方、200nmより大きいと、電極間の電気的導� �が大きくなるが、導電経路に含まれない発� �体粒子14が多くなり、発光輝度、効率が大き く低下する。

 カーボンナノチューブの生成は、気相合� ��法、プラズマ法などの方法で行われ、作製� ��件によって、カーボンナノチューブの電気� ��性や直径、長さなどを任意に変化させるこ� ��が可能である。カーボンナノチューブは、� ��極側の電極界面に担持する場合は、p型を使 用することが好ましい。負極側の電極界面に 担持する場合はn型を使用することが好まし� �。p型は、カーボンナノチューブにリンなど� ��5族元素を添加することで得られる。一方、 n型は、窒素などの3族元素を添加することで� ��られる。

<発光層>
 発光層13は、有機バインダ41を媒体として、 発光体粒子14と正孔輸送材料15とがそれぞれ� �散して構成されている(図5)。なお、この例� �限られず、変形例1のように、発光層13は、� �孔輸送材料15を媒体として、発光体粒子14が� ��散して構成されていてもよい(図6)。また、� ��形例2のように、発光層13は、有機バインダ4 1を媒体として、表面を正孔輸送材料15で覆っ た発光体粒子が分散して構成されていてもよ い(図7)。

<有機バインダ>
 発光体粒子14及び正孔輸送材料15を分散させ る有機バインダ41は、正孔輸送材料15と混合� �きる材料であればよく、樹脂溶液などを使� �可能である。

<発光体粒子>
 発光体粒子14としては、光学バンドギャッ� �が可視光の大きさを有する材料であれば、� �ずれも使用できる。具体的には第13族-第15族 化合物半導体であるAlN、GaN、InN、AlP、GaP、InP 、AlAs、GaAs、AlSb等を用いることができる。特 に、GaNに代表される第13族窒化物半導体が好� ��しい。また、これらの混晶(例えばGaInN等)で あってもよい。さらに、伝導性を制御するた めに、Si、Ge、Sn、C、Be、Zn、Mg、Ge、Mnからな� ��群より選択される1又は複数種の元素をドー パントとして含んでいてもよい。

 また、InGaN,AlGaNなどの窒化物やZnSeやZnS、� ��にZnS、ZnSe,GaP、CdSe、CdTe、SrS、CaS、ZnOを母体 とし、母体のまま使用するか、あるいは添加 剤として,Ag、Al、Ga、Cu、Mn、Cl、Tb,Liから一種 以上選択される元素を添加した発光体粒子を 用いることができる。また、ZnSSeのような多� ��化合物やチオガレート系蛍光体も使用でき� ��。

 またさらに、発光体粒子14内において、� �記複数の組成が層状構造や偏析構造をなし� �いてもよい。発光体粒子14の粒径は0.1μm~1000� �mの範囲内であればよく、0.5μm~500μmの範囲内 がより好ましい。

<正孔輸送材料>
 次に、発光体粒子14を分散させる媒体とし� �、若しくは有機バインダ41中に発光体粒子14� ��ともに分散させる正孔輸送材料15について� �明する。なお、変形例2の場合のように、正� ��輸送材料15は、発光体粒子14の表面を覆うよ うにしてもよい。正孔輸送材料15としては、� ��機正孔輸送材料と、無機正孔輸送材料とが� ��る。正孔輸送材料15にはホール移動度の高� �材料が好ましい。

 <有機正孔輸送材料>
 この有機正孔輸送材料としては、実施の形� ��1に記載の上記化学式6及び化学式7の構成要� ��を含むことが好ましい。

 有機正孔輸送材料が上記の化学式6及び化 学式7の構成要素を含むことによる効果は、� �光体粒子14に対して効率よく正孔を注入する ことであると考えられる。

 さらに、この有機正孔輸送材料としては� ��実施の形態1に記載の上記化学式8、化学式9� ��化学式10のいずれかを構成要素として含ん� �もよい。

 また、有機正孔輸送材料としては、大き� ��分けて、低分子系材料と高分子系材料とが� ��る。これらの有機正孔輸送材料についても� ��施の形態1に記載のものと実質的に同様のも のを用いることができるので説明を省略する 。

 <無機正孔輸送性材料>
 無機正孔輸送性材料について説明する。こ� ��無機正孔輸送性材料についても実施の形態1 に記載のものと実質的に同様のものを用いる ことができるので説明を省略する。

<実施例1>
 本発明の実施例1として、塗布法によって図 5の発光素子10を得る方法を説明する。実施例 として図5に示すような発光素子10を作製した 。
(a)まず、シリコン基板11上にスパッタ法によ� ��て、背面電極12としてPt膜を約300nmの膜厚で� ��成した。
(b)次に、Pt膜12の上に平均粒子径が1~3nmのFeナ� ��粒子を同じくスパッタ法で形成した。そし� ��、基板を約800℃まで加熱して炭化水素ガス� ��チャンバ内に導入して、Feナノ粒子にカー� �ンナノチューブ21を成長させた。得られたカ ーボンナノチューブは、直径が1~10nm、長さが 0.5~2μmであり、電極であるPt膜12の面に対して ほぼ垂直方向に成長したブラシ状であった。
(c)次に、有機バインダ41としてのデュポン社� ��の樹脂溶液に正孔輸送材料15として、前記� �脂溶液に溶かしたテトラフェニルブタジエ� �系T770(商品名)を50重量%混入し、更に発光体� �子として、平均粒子径が500~1000nmのGaN粒子14� �十分に混合させて発光体ペーストとした。
(d)そして、作製した発光体ペーストを、ブラ シ状カーボンナノチューブ21を形成した基板� ��塗布後乾燥させた。塗布膜の厚さは約30μm� �あった。
(e)対向する透明電極16付き基板は、ガラス上� ��透明導電膜16であるITOをスパッタ法で成膜� �た基板を使用した。膜厚は約300nmであった。
(f)続いて、発光体ペーストを乾燥させた後、 ITO面が発光体ペーストに接するように貼り付 けた。
 以上によって発光素子10を得た。

 評価は、背面電極12と透明電極16との間に直 流電圧を印加して行った。また、輝度測定は 、携帯型輝度計を用いて行った。その結果、 直流電圧約4Vでオレンジ色発光を開始し、12V� ��発光輝度約5000cd/m ² が得られた。
 以上のように、本発明によれば、直流、低� ��圧で、高輝度の発光素子が得ることが可能� ��ある。

<効果>
 本実施例1に係る発光素子は、従来の発光素 子よりも耐食性、耐酸化性に優れ、高い輝度 、長寿命を得ることができた。

(変形例1)
 図6は、実施の形態3の変形例1に係る発光素� ��20の構成を示す概略断面図である。この発� �素子20は、実施の形態3に係る発光素子10と比 較すると、発光層13が、正孔輸送材料15を媒� �として、発光体粒子14が分散して構成されて いる点で相違する。

(変形例2)
 図7は、実施の形態3の変形例2に係る発光素� ��30の構成を示す側面図である。この発光素� �30は、実施の形態3に係る発光素子10と比較す ると、発光層13が、有機バインダ41を媒体と� �て、表面を正孔輸送材料15で覆った発光体粒 子14が分散して構成されている点で相違する� ��

(変形例3)
 図8は、実施の形態3の変形例3に係る発光素� ��40の構成を示す側面図である。この発光素� �40は、実施の形態3の変形例1に係る発光素子2 0と同様に発光層13が正孔輸送材料15を媒体と� ��て、発光体粒子14が分散して構成されてい� �。また、この発光素子40は、負極側の電極16� ��にもブラシ状電極22を形成していることを� �徴とする。負極側の電極16上に形成されたブ ラシ状電極22によって発光層13に電子注入を� �率的に行うことができる。