以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。

 図1は、本発明の一実施形態におけるPDPの 概要を示している。図中の矢印D1は、第1方向 D1を示し、矢印D2は、第1方向D1に画像表示面16 に平行な面内で直交する第2方向D2を示してい る。プラズマディスプレイパネル10(以下、PDP とも称する)は、四角板形状を有する前面基� �部12(第1基板)および背面基板部14(第2基板)を� ��している。前面基板部12および背面基板部14 は、放電空間DSを介して互いに対向して配置� ��れ、図示しないシールにより、互いに貼り� ��わされている。すなわち、前面基板部12と� �面基板部14の間(より詳細には、背面基板部14 の凹部)に放電空間DSが形成される。

 前面基板部12は、前面基板部12および背面 基板部14を互いに貼り合わせる際に前面基板� ��12および背面基板部14の位置を互いに合わせ るための複数の第1アライメントマークMK1を� �している。例えば、第1アライメントマークM K1は、前面基板部12および背面基板部14が互い に重なる領域(図の破線で囲んだ領域)の3隅に それぞれ設けられている。前面基板部12に図� ��した仮想アライメント座標ACは、第1アライ� ��ントマークMK1および第2アライメントマーク MK2に基づいて算出される仮想のアライメント マークの位置である。したがって、この実施 形態では、仮想アライメント座標ACは、実際� ��は前面基板部12に形成されていない。なお� �仮想アライメント座標ACの算出方法の詳細は 、後述する図4で説明する。

 背面基板部14は、放電空間DSを仕切るため の隔壁BRと、排気空間ESから背面基板部14の外 面(図の下側)まで貫通する排気孔EHと、第1ア� ��イメントマークMK1に対応する第2アライメン トマークMK2とを有している。そして、前面基 板部12および背面基板部14は、仮想アライメ� �ト座標ACと第2アライメントマークMK2とが互� �に重なるように、放電空間DSを介して互いに 対向して配置されている。すなわち、この実 施形態では、仮想アライメント座標ACと第2ア ライメントマークMK2とを合わせることにより 、前面基板部12と背面基板部14との位置を互� �に合わせる。これにより、この実施形態で� �、例えば、前面基板部12および背面基板部14� ��互いに貼り合わせる前の工程で前面基板部1 2および背面基板部14の伸縮量に差が発生した 場合でも、前面基板部12および背面基板部14� �互いに貼り合わせる際の位置合わせ精度を� �上できる。

 図2は、図1に示したPDP10の要部の詳細を示 している。図中の矢印の意味は、上述した図 1と同じである。

 前面基板部12は、ガラス基材FSのガラス基 材RSに対向する面上(図では下側)に第1方向D1� �延在して設けられ、互いに間隔を置いて配� �された複数のXバス電極XbおよびYバス電極Yb� �有している。また、Xバス電極Xbには、Xバス� ��極XbからYバス電極Ybに向けて第2方向D2に延� �するX透明電極Xtが接続されている。Yバス電� ��Ybには、Yバス電極YbからXバス電極Xbに向け� �第2方向D2に延在するY透明電極Ytが接続され� �いる。

 例えば、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X透明電極XtおよびY透明電極Ytは、ITO膜等� ��形成された可視光を透過する透明電極であ� ��。そして、X電極XE(維持電極)は、Xバス電極X bおよびX透明電極Xtにより構成され、Y電極YE(� ��査電極)は、Yバス電極YbおよびY透明電極Ytに より構成され、X電極XEと対をなしている。そ して、互いに対をなすX電極XEおよびY電極YE間 で繰り返して放電を発生させる。

 なお、透明電極XtおよびYtは、それぞれが 接続されるバス電極XbおよびYbとガラス基材FS との間に全面に配置されてもよい。また、バ ス電極XbおよびYbと同じ材料(金属材料等)で、 バス電極XbおよびYbと一体の電極が透明電極Xt およびYtの代わりに形成されてもよい。

 電極Xb、Xt、Yb、Ytは、誘電体層DLに覆われ ている。そして、誘電体層DL上(図では下側)� �は、バス電極Xb、Ybの直交方向(第2方向D2)に� �在する複数のアドレス電極AEが設けられてい る。このように、前面基板部12は、第1方向D1� ��延在する複数の電極XE、YEおよび第2方向D2に 延在する複数のアドレス電極AEを有している� ��

 アドレス電極AEおよび誘電体層DLは、保護 層PLに覆われている。例えば、保護層PLは、� �電を容易に発生させるために、陽イオンの� �突による2次電子の放出特性の高いMgO膜で形� ��される。

 背面基板部14は、ガラス基材RS上(ガラス� �材FSに対向する面上)に互いに平行に形成さ� �、バス電極Xb、Ybに直交する方向(第2方向D2)� �延在する隔壁(バリアリブ)BRを有している。� ��電空間DSは、互いに隣接する隔壁BR間に形成 される。例えば、放電空間DSは、サンドブラ� ��ト法等により、ガラス基材RSを直接彫り込� �で形成される。

 隔壁BRにより、セルの側壁が構成される� �さらに、隔壁BRの側面と、互いに隣接する隔 壁BRの間のガラス基材RS上とには、紫外線に� �り励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光を� �生する蛍光体PHr、PHg、PHbが、それぞれ塗布� �れている。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、例えば、バス 電極Xb、Ybと隔壁BRとで囲われる領域に形成さ れる。このように、PDP10は、カラー画像を表� ��するためにセルをマトリックス状に配置し� ��かつ互いに異なる色の光を発生する複数種� ��セルを交互に配列して構成されている。特� ��図示していないが、バス電極Xb、Ybに沿って 形成されたセルにより、表示ラインが構成さ れる。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PLと隔壁BRが互いに接するように貼 り合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに 封入することで構成される。例えば、放電ガ スは、上述した図1に示した排気孔EHおよび排 気空間ESを介して、組み立てられたPDPの放電� ��間DSに封入される。

 図3は、図1に示したPDPの製造方法の一例� �示している。例えば、前面基板部12を製造す るための工程100-140と、背面基板部14を製造す るための工程200-220とは、互いに独立して実� �される。

 前面基板部12を形成する工程では、まず� �工程100において、透明電極Xt、Ytがガラス基� ��FS上に形成される。例えば、透明電極Xt、Yt� ��、スパッタ法等によりITO膜をガラス基材FS� �表面に形成した後に、エッチング工程を用� �て透明電極Xt、Ytのパターンにそれぞれ形成� ��れる。

 工程110において、バス電極Xb、Ybがガラス 基材FSおよび透明電極Xt、Yt上に形成される。 例えば、バス電極Xb、Ybは、スパッタ法等に� �り金属微粒子をガラス基材FSおよび透明電極 Xt、Ytの表面に付着(例えば、クロム、銅およ� ��クロムの順に積層)した後に、エッチング工 程を用いてバス電極Xb、Ybのパターンにそれ� �れ形成される。

 ここで、例えば、バス電極Xb、Ybを形成す る際(工程110)に、第1アライメントマークMK1が バス電極Xb、Ybと同じ材料でガラス基材FSの3� �に形成される。なお、第1アライメントマー� ��MK1は、透明電極Xt、Ytを形成する際(工程100)� ��、透明電極Xt、Ytと同じ材料でガラス基材FS� ��3隅に形成されてもよい。

 工程120において、電極Xb、Xt、Yb、Ytを覆� �誘電体層DLがガラス基材FS上に形成される。� ��えば、誘電体層DLは、ペースト状の低融点� �ラスをガラス基材FS上に塗布した後、焼成し て形成される。低融点ガラスを焼成した際に 、ガラス基材FSに熱収縮が発生する。ガラス� ��材FSの熱収縮により、焼成後の第1アライメ� ��トマークMK1の位置が、焼成前の第1アライメ ントマークMK1の位置(第1アライメントマークM K1をガラス基材FS上に設ける際の設計値)から� ��れる。

 工程130において、アドレス電極AEが誘電� �層DL上に形成される。例えば、アドレス電極 AEは、スパッタ法等により金属微粒子を誘電� ��層DLの表面に付着(例えば、クロム、銅およ� ��クロムの順に積層)した後に、エッチング工 程を用いてアドレス電極AEのパターンに形成� ��れる。

 工程140において、アドレス電極AEを覆う� �護層PLが誘電体層DL上に形成される。例えば� ��保護層PLは、蒸着法等によりMgOを誘電体層DL およびアドレス電極AEの表面に付着させるこ� ��により形成される。

 背面基板部14を形成する工程では、まず� �工程200において、隔壁BRがガラス基材RS上に� ��成される。例えば、隔壁BRのパターンを有� �るフォトレジストがガラス基材RS上に形成さ れる。そして、ガラス基材RSのうち、フォト� ��ジストで覆われていない部分(例えば、放電 空間DSが形成される領域)が、サンドブラスト 等により除去される。その後、フォトレジス トが除去され、隔壁BRが形成される。

 このように、この実施形態では、ガラス� ��材RSを選択的に除去することにより、隔壁BR がガラス基材RSと一体に形成される。また、� ��の実施形態では、隔壁BRを形成するための� �成工程を必要としないため、ガラス基材RSに 熱収縮は発生しない。ここで、例えば、第2� �ライメントマークMK2は、隔壁BRを形成する際 に、ガラス基材RSの3隅に形成される。

 例えば、隔壁BRのパターンを有するフォ� �レジストをガラス基材RS上に形成する際に、 フォトレジストで覆われた外周部分のうち、 第2アライメントマークMK2のパターンのみが� �ォトレジストで覆われないようにするため� �フォトマスクで露光、現像する。そして、� �ラス基材RSのうち、フォトレジストで覆われ ていない部分(放電空間DSが形成される領域と 第2アライメントマークMK2)が、サンドブラス� ��等により除去される。その後、フォトレジ� ��トが除去され、隔壁BRが形成されるが、同� �に、第2アライメントマークMK2がその部分の� ��ラス基材が除去されることにより形成され� ��。このように、第2アライメントマークMK2は 隔壁BRと同時に形成される。

 工程210において、蛍光体PHr、PHg、PHbが、� ��壁BR間(隔壁BRの側面と、互いに隣接する隔� �BRの間のガラス基材RS上)にそれぞれ形成され る。例えば、ペースト状の蛍光体材料を隔壁 BR間に印刷等により塗布し、塗布した蛍光体� ��料を乾燥させることにより、蛍光体PHr、PHg� ��PHbが形成される。

 工程220において、背面基板部12と前面基� �部14とを互いに貼り合わせるためのシールが 、ガラス基材RSの外周部に形成される。例え� ��、低融点ガラス等のシール材をガラス基材R Sの外周部に塗布し、塗布したシール材を乾� �させることにより、シールが形成される。� �して、工程210で形成した蛍光体PHr、PHg、PHb� �シールとを同時に焼成する。

 なお、工程220の焼成では、焼成温度が低� ��ため、ガラス基材RSに熱収縮は、ほとんど� �生しない。例えば、工程220では、焼成によ� �ガラス基材RSに熱収縮が発生した場合でも、 工程120(前面基板部12の誘電体層DLの製造工程) の焼成に比べて焼成温度が低いため、ガラス 基材RSの熱収縮の量は、工程120で発生したガ� ��ス基材FSの熱収縮の量に比べて、非常に小� �い。したがって、工程220後(焼成後)の第2ア� �イメントマークMK2の位置は、工程220前(焼成� ��)の第2アライメントマークMK2の位置(第2アラ イメントマークMK2をガラス基材RS上に設ける� ��の設計値)からほとんどずれない。

 上述したように、工程100-140を経て形成さ れた前面基板部12と工程200-220を経て形成され た背面基板部14とでは、ガラス基材FS、RSの伸 縮量(熱収縮量)に差が発生する。このため、� ��えば、前面基板部12および背面基板部14を互 いに対向して配置した際の第1アライメント� �ークMK1の位置は、第2アライメントマークMK2� ��位置からずれる。したがって、この実施形� ��では、前面基板部12と背面基板部14との位置 を互いに合わせる際(後述する工程400)に、第2 アライメントマークMK2に対する第1アライメ� �トマークMK1の相対的な位置のずれを補正し� �仮想アライメント座標ACが使用される。

 前面基板部12と背面基板部14とを組み立て る工程では、まず、工程300(仮想アライメン� �座標算出工程)において、前面基板部12にお� �る仮想アライメント座標ACが算出される。例 えば、第1アライメントマークMK1間の距離と� �2アライメントマークMK2間の距離との差が、� ��程100-140および工程200-220をそれぞれ経て形� �された前面基板部12および背面基板部14の伸� ��量の差として算出される。

 すなわち、前面基板部12および背面基板� �14を互いに貼り合わせる際の第1アライメン� �マークMK1間の距離と第2アライメントマークM K2間の距離との差が、前面基板部12および背� �基板部14を互いに貼り合わせる前の工程で発 生した前面基板部12および背面基板部14の伸� �量の差として算出される。そして、算出し� �伸縮量の差と第1アライメントマークMKの座� �とに基づいて、前面基板部12における仮想ア ライメント座標ACが算出される。上述したよ� ��に、前面基板部12および背面基板部14の伸縮 量の差による第1アライメントマークMK1と第2� ��ライメントマークMK2との相対的な位置のず� ��は、仮想アライメント座標ACにより補正さ� �る。

 工程400(位置合わせ工程)において、仮想� �ライメント座標ACと第2アライメントマークMK とを合わせることにより、前面基板部12と背� ��基板部14との位置が互いに合わせられる。� �れにより、この実施形態では、前面基板部12 および背面基板部14を互いに貼り合わせる際� ��位置合わせ精度を向上でき、前面基板部12� �設けられた電極と背面基板部14に設けられた 隔壁との相対的な位置を精度よく合わせるこ とができる。

 工程500(封着工程)において、互いの位置� �合わせられた前面基板部12および背面基板部 14が互いに貼り合わせられる。これにより、� ��の実施形態では、前面基板部12および背面� �板部14の互いの位置が精度よく合わせられた PDP10を組み立てることができる。この結果、� ��の実施形態では、例えば、放電を発生させ� ��ために各電極に印加される電圧のマージン� ��拡大でき、PDP10を安定して駆動できる。換� �すれば、この実施形態では、画像を表示す� �ための放電を正しく発生させることができ� �PDP10の表示品質を向上できる。

 工程600において、放電空間DSにNe、Xe等の� ��電ガスが封入される。例えば、上述した図1 に示した排気孔EHおよび排気空間ESを介して� �放電空間DSを真空状態にするための真空排気 (真空引き)が実施される。そして、放電空間D SにNe、Xe等の放電ガスが封入される。なお、� ��着(工程500)と真空排気とを同時に進行させ� �もよい。

 図4および図5は、図3に示した仮想アライ� ��ント座標算出工程および位置合わせ工程の� ��例を示している。なお、図4は、仮想アライ メント座標算出工程および位置合わせ工程で 実施される処理を示している。例えば、図4� �示した処理310-410は、2枚の基板の位置を互い に合わせる位置合わせ装置等により、その装 置の動作を制御するプログラムにしたがって 実施される。なお、例えば、処理310-350は、� �述した図3に示した工程300で実施され、処理4 10は、工程400で実施される。また、各処理で� ��出された値は、例えば、位置合わせ装置等� ��メモリに記憶される。

 なお、図5は、画像表示面側(図1の上側)か ら見たアライメントマークMK1、MK2の状態およ び仮想アライメント座標ACの位置を示してい� ��。図中の矢印の意味は、上述した図1と同じ である。例えば、図5の前面基板部12および背 面基板部14は、位置合わせ装置等にセットさ� ��た状態である。以下、図4を中心に、仮想ア ライメント座標算出工程および位置合わせ工 程の処理を説明する。

 仮想アライメント座標算出工程の処理310� ��おいて、第1アライメントマークMK1間の第1� �離DT1および第2距離DT2がそれぞれ算出される� ��ここで、第1距離DT1は、図5(a)に示すように� �前面基板部12の第1方向D1に延在する辺に沿う 第1アライメントマークMK1間の距離である。� �た、第2距離DT2は、図5(a)に示すように、前面 基板部12の第2方向D2に延在する辺に沿う第1ア ライメントマークMK1間の距離である。例えば 、前面基板部12および背面基板部14がセット� �れた位置合わせ装置は、各第1アライメント� ��ークMK1の実際の座標(例えば、上述した図3� �示した工程140後の前面基板部12における各第 1アライメントマークMK1の座標)を検出し、検� ��した座標に基づいて距離DT1、DT2をそれぞれ� ��出する。

 処理320において、第2アライメントマーク MK2間の第3距離DT3および第4距離DT4がそれぞれ� ��出される。ここで、第3距離DT3は、第1距離DT 1に対応する第2アライメントマークMK2間の距� ��であり、例えば、図5(a)に示すように、背面 基板部14の第1方向D1に延在する辺に沿う第2ア ライメントマークMK2間の距離である。また、 第4距離DT4は、第2距離DT2に対応する第2アライ メントマークMK2間の距離であり、例えば、図 5(a)に示すように、背面基板部14の第2方向D2に 延在する辺に沿う第2アライメントマークMK2� �の距離である。

 例えば、位置合わせ装置は、各第2アライ メントマークMK2の実際の座標(例えば、図3に� ��した工程220後の背面基板部14における各第2� ��ライメントマークMK2の座標)を検出し、検出 した座標に基づいて距離DT3、DT4をそれぞれ算 出する。なお、この実施形態では、上述した 図3で説明したように、前面基板部12および背 面基板部14を互いに貼り合わせる際の第2アラ イメントマークMK2の位置は、第2アライメン� �マークMK2を背面基板部14に設ける際の設計値 からほとんどずれない。

 したがって、この実施形態では、第2アラ イメントマークMK2間の設計値の距離を、前面 基板部12および背面基板部14の伸縮量の差を� �出する際の距離DT3、DT4(仮想アライメント座� ��ACを算出する際の距離DT3、DT4)として使用し� ��もよい。すなわち、この実施形態では、距� ��DT3、DT4を、第2アライメントマークMK2の実際 の座標を使用することなく、第2アライメン� �マークMK2が背面基板部14に設けられる際の設 計値に基づいて算出してもよい。

 処理330において、第1距離DT1と第3距離DT3� �差((DT3-DT1)の絶対値)である第1差分DF1および� �2距離DT2と第4距離DT4の差((DT4-DT2)の絶対値)で� ��る第2差分DF2がそれぞれ算出される。

 処理340において、前面基板部12における� �想アライメント座標ACの第1方向D1の座標が算 出される。この実施形態では、上述した図3� �説明したように、前面基板部12の第1方向D1の 収縮量は、背面基板部14の第1方向D1の収縮量� ��比べて大きい。したがって、この実施形態� ��は、例えば、図5(b)に示すように、仮想アラ イメント座標ACの第1方向D1の座標は、第1アラ イメントマークMK1の実際の座標に対して、第 1差分DF1の半分(DF1/2=(DT3-DT1)/2)だけ第1方向D1に� ��って外側の位置にそれぞれ設定される。こ� ��により、仮想アライメント座標AC間の第1方� ��D1に沿う距離DT5は、距離DT3と同じに設定さ� �る。

 処理350において、仮想アライメント座標A Cの第2方向D2の座標が算出される。この実施� �態では、上述した図3で説明したように、仮� ��アライメント座標ACの第2方向D2の座標は、� �面基板部12の第2方向D2の収縮量が背面基板部 14の第2方向D2の収縮量に比べて大きい。した� ��って、この実施形態では、例えば、図5(b)に 示すように、仮想アライメント座標ACの第2方 向D2の座標は、第1アライメントマークMK1の実 際の座標に対して、第2差分DF2の半分(DF2/2=(DT4 -DT2)/2)だけ第2方向D2に沿って外側の位置にそ� ��ぞれ設定される。これにより、仮想アライ� ��ント座標AC間の第2方向D2に沿う距離DT6は、� �離DT4と同じに設定される。

 すなわち、処理340、350により、前面基板� ��12における仮想アライメント座標ACは、第1� �ライメントマークMK1の実際の座標から第1方� ��D1および第2方向D2に第1差分DF1の半分(DF1/2)お よび第2差分DF2の半分(DF2/2)それぞれずらした� ��置で、かつ、仮想アライメント座標AC間の� �1方向D1および第2方向D2にそれぞれ沿う距離DT 5、DT6が距離DT3、DT4とそれぞれ同じ距離にな� �位置に設定される。

 処理410において、前面基板部12と背面基� �部14との位置が互いに合わせられる。例えば 、図5(c)に示すように、仮想アライメント座� �ACが第2アライメントマークMK2の座標に合う� �うに、前面基板部12の位置が調整され、前面 基板部12と背面基板部14との位置が互いに合� �せられる。例えば、位置合わせ装置は、仮� �アライメント座標ACと第2アライメントマー� �MKの座標とに基づいて、画像表示面16側から� ��た前面基板部12および背面基板部14の相対的 な角度のずれ量、第1方向D1および第2方向D2の 位置のずれ量等を算出する。そして、位置合 わせ装置は、算出した角度のずれ量および各 方向D1、D2の位置のずれ量に基づいて、前面� �板部12の位置を調整する。

 なお、例えば、位置合わせ装置は、背面� ��板部14の位置を調整することにより、仮想� �ライメント座標ACと第2アライメントマークMK の座標とを互いに合わせてもよい。あるいは 、前面基板部12および背面基板部14の位置を� �いに調整することにより、仮想アライメン� �座標ACと第2アライメントマークMKの座標とを 互いに合わせてもよい。

 この実施形態では、仮想アライメント座� ��ACの第1方向D1の座標の算出および第2方向D2� �座標の算出は、互いに独立した処理(処理340� ��350)によりそれぞれ実施される。したがって 、この実施形態では、例えば、前面基板部12� ��熱収縮率に異方性がある場合(第1方向D1と第 2方向D2とで熱収縮率が異なる場合)でも、仮� �アライメント座標ACと第2アライメントマー� �MKの座標とを互いに合わせることにより、前 面基板部12および背面基板部14を互いに貼り� �わせる際の位置合わせ精度を向上できる。

 図6は、図1に示したPDP10を用いて構成され たプラズマディスプレイ装置の一例を示して いる。プラズマディスプレイ装置(以下、PDP� �置とも称する)は、四角板形状を有するPDP10� �PDP10の画像表示面16側(光の出力側)に設けら� �る光学フィルタ20、PDP10の画像表示面16側に� �置された前筐体30、PDP10の背面18側に配置さ� �た後筐体40およびベースシャーシ50、ベース� ��ャーシ50の後筐体40側に取り付けられ、PDP10� ��駆動するための回路部60、およびPDP10をベー スシャーシ50に貼り付けるための両面接着シ� ��ト70を有している。回路部60は、複数の部品 で構成されるため、図では、破線の箱で示し ている。光学フィルタ20は、前筐体30の開口� �32に取り付けられる保護ガラス(図示せず)に� ��付される。なお、光学フィルタ20は、電磁� �を遮蔽する機能を有してもよい。また、光� �フィルタ20は、保護ガラスではなく、PDP10の� ��像表示面16側に直接貼付されてもよい。

 以上、この実施形態では、前面基板部12� �おける仮想アライメント座標ACと、背面基板 部14に設けられた第2アライメントマークMK2と を互いに合わせることにより、前面基板部12� ��よび背面基板部14の互いの位置を合わせる� �この実施形態では、第2アライメントマークM K2に対する第1アライメントマークMK1の相対的 な位置のずれを補正した仮想アライメント座 標ACを使用するため、前面基板部12および背� �基板部14の互いの位置を精度よく合わせるこ とができる。この結果、この実施形態では、 前面基板部12および背面基板部14を互いに貼� �合わせる際の位置合わせ精度を向上でき、� �像を表示するための放電を正しく発生させ� �ことができる。

 なお、上述した実施形態では、1つの画素 が、3つのセル(赤(R)、緑(G)、青(B))により構成 される例について述べた。本発明はかかる実 施形態に限定されるものではない。例えば、 1つの画素を4つ以上のセルにより構成しても� ��い。あるいは、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、 青(B)以外の色を発生するセルにより構成され てもよく、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)� �外の色を発生するセルを含んでもよい。

 上述した実施形態では、第2方向D2が、第1 方向D1に直交する例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、第2方向D2は、第1方向D1と、ほぼ直� ��方向(例えば、90度±5度)に交差してもよい。 この場合にも、上述した実施形態と同様の効 果を得ることができる。

 上述した実施形態では、アライメントマ� ��クMK1、MK2が前面基板部12および背面基板部14 の3隅にそれぞれ設けられる例について述べ� �。本発明はかかる実施形態に限定されるも� �ではない。例えば、アライメントマークMK1� �MK2は、前面基板部12および背面基板部14の4隅 にそれぞれ設けられてもよい。この場合にも 、上述した実施形態と同様の効果を得ること ができる。

 上述した実施形態では、第2方向D2に延在� ��る隔壁BRが、ガラス基材RS上に設けられる例 について述べた。本発明はかかる実施形態に 限定されるものではない。例えば、第1方向D1 に延在する隔壁と第2方向D2に延在する隔壁BR� ��により構成される格子状の隔壁が、ガラス� ��材RS上に設けられてもよい。上述した実施� �態で説明したように、前面基板部12の熱収縮 率に異方性がある場合でも、前面基板部12お� ��び背面基板部14の互いの位置は、精度よく� �り合わせられる。すなわち、この場合にも� �前面基板部12に設けられた電極と背面基板部 14に設けられた格子状の隔壁との相対的な位� ��を精度よく合わせることができ、画像を表� ��するための放電を正しく発生させることが� ��きる。したがって、この場合にも、上述し� ��実施形態と同様の効果を得ることができる� ��

 上述した実施形態では、隔壁BRがガラス� �材RSと一体に形成される例について述べた。 本発明はかかる実施形態に限定されるもので はない。例えば、図7に示すように、隔壁BR2� �、ガラス基材RS上に設けられた誘電体層DL2上 に設けられてもよい。例えば、隔壁BR2は、ペ ースト状の隔壁材料を塗布し、乾燥、サンド ブラスト、焼成工程を経て形成される。なお 、隔壁BR2は、印刷による積層で形成されても よい。図7の構成では、第2方向D2に延在する� �数のアドレス電極AEは、背面基板部14のガラ� ��基材RS上に設けられ、誘電体層DL2に覆われ� �いる。そして、誘電体層DL2上には、隔壁BR2� �形成されている。この場合にも、上述した� �施形態と同様の効果を得ることができる。

 ここで、例えば、第2アライメントマーク MK2は、アドレス電極AEを形成する際に、アド� ��ス電極AEと同じ材料でガラス基材RSの3隅に� �成される。なお、この場合、誘電体層DL2を� �成するための焼成工程および隔壁BR2を形成� �るための焼成工程において、背面基板部14(� �ラス基材RS等)に熱収縮が発生する。背面基� �部14の熱収縮により、焼成後の第2アライメ� �トマークMK2の位置が、焼成前の第2アライメ� ��トマークMK2の位置(第2アライメントマークMK 2をガラス基材RS上に設ける際の設計値)から� �れる。

 また、図7の構成から誘電体層DL2を省いて 、隔壁BR2をガラス基材RS上に直接設けてもよ� ��。この場合でも、隔壁BR2は、ペースト状の� ��壁材料を塗布し、乾燥、サンドブラスト、� ��成工程を経て形成される。なお、隔壁BR2は� ��印刷による積層で形成されてもよい。この� ��合でも、第2方向D2に延在する複数のアドレ� ��電極AEは、背面基板部14のガラス基材RS上に� ��けられており、その上に直接、隔壁BR2が形� ��されている。この場合にも、上述した実施� ��態と同様の効果を得ることができる。

 ここで、例えば、第2アライメントマーク MK2は、アドレス電極AEを形成する際に、アド� ��ス電極AEと同じ材料でガラス基材RSの3隅に� �成される。なお、この場合、隔壁BR2を形成� �るための焼成工程において、背面基板部14(� �ラス基材RS等)に熱収縮が発生する。背面基� �部14の熱収縮により、焼成後の第2アライメ� �トマークMK2の位置が、焼成前の第2アライメ� ��トマークMK2の位置(第2アライメントマークMK 2をガラス基材RS上に設ける際の設計値)から� �れる。

 この両方の場合(第2アライメントマークMK 2の位置が設計値からずれる場合)、上述した� ��4に示した処理340(仮想アライメント座標ACの 第1方向D1の座標を算出する処理)および処理35 0(仮想アライメント座標ACの第2方向D2の座標� �算出する処理)では、例えば、図8に示す処理 が実施される。

 前面基板部12における仮想アライメント� �標ACの第1方向D1の座標を算出する処理では、 まず、処理341および処理342において、第1距� �DT1と第3距離DT3との大小関係が比較される。� ��して、第1距離DT1と第3距離DT3とが同じ場合(� ��理341のYes)、処理344において、前面基板部12� ��おける仮想アライメント座標ACの第1方向D1� �座標が第1アライメントマークMK1の第1方向D1� ��座標と同じ位置にそれぞれ設定される。

 第1距離DT1が第3距離DT3より小さい場合(処� ��341のNoおよび処理342のYes)、処理346において� ��仮想アライメント座標ACの第1方向D1の座標� �、第1アライメントマークMK1の実際の座標に� ��して、第1差分DF1の半分(DF1/2=(DT3-DT1)/2)だけ� �1方向D1に沿って外側の位置にそれぞれ設定� �れる。

 第1距離DT1が第3距離DT3より大きい場合(処� ��341のNoおよび処理342のNo)、処理348において� �仮想アライメント座標ACの第1方向D1の座標は 、第1アライメントマークMK1の実際の座標に� �して、第1差分DF1の半分(DF1/2=(DT1-DT3)/2)だけ第 1方向D1に沿って内側の位置にそれぞれ設定さ れる。上述の処理(処理341-348)により、仮想ア ライメント座標AC間の第1方向D1に沿う距離DT5� ��、距離DT3と同じに設定される。

 前面基板部12における仮想アライメント� �標ACの第2方向D2の座標を算出する処理では、 まず、処理351および処理352において、第2距� �DT2と第4距離DT4との大小関係が比較される。� ��して、第2距離DT2と第4距離DT4とが同じ場合(� ��理351のYes)、処理354において、仮想アライメ ント座標ACの第2方向D2の座標が第1アライメン トマークMK1の第2方向D2の座標と同じ位置にそ れぞれ設定される。

 第2距離DT2が第4距離DT4より小さい場合(処� ��351のNoおよび処理352のYes)、処理356において� ��仮想アライメント座標ACの第2方向D2の座標� �、第1アライメントマークMK1の実際の座標に� ��して、第2差分DF2の半分(DF2/2=(DT4-DT2)/2)だけ� �2方向D2に沿って外側の位置にそれぞれ設定� �れる。

 第2距離DT2が第4距離DT4より大きい場合(処� ��351のNoおよび処理352のNo)、処理358において� �仮想アライメント座標ACの第2方向D2の座標は 、第1アライメントマークMK1の実際の座標に� �して、第2差分DF2の半分(DF2/2=(DT2-DT4)/2)だけ第 2方向D2に沿って内側の位置にそれぞれ設定さ れる。上述の処理(処理351-358)により、仮想ア ライメント座標AC間の第2方向D2に沿う距離DT6� ��、距離DT4と同じに設定される。

 すなわち、上述の処理(処理341-358)により� ��前面基板部12における仮想アライメント座� �ACは、第1アライメントマークMK1の実際の座� �から第1方向D1および第2方向D2に第1差分DF1の� ��分(DF1/2)および第2差分DF2の半分(DF2/2)それぞ� ��ずらした位置で、かつ、仮想アライメント� ��標AC間の第1方向D1および第2方向D2にそれぞ� �沿う距離DT5、DT6が距離DT3、DT4とそれぞれ同� �距離になる位置に設定される。

 この場合にも、上述の処理(処理341-358)に� ��り、前面基板部12および背面基板部14の伸縮 量の差による第1アライメントマークMK1と第2� ��ライメントマークMK2との相対的な位置のず� ��は、仮想アライメント座標ACにより補正さ� �る。したがって、背面基板部14に設けられる 隔壁BR2が焼成工程を経て形成される場合にも 、上述した実施形態と同様の効果を得ること ができる。

 以上、本発明について詳細に説明してき� ��が、上記の実施形態およびその変形例は発� ��の一例に過ぎず、本発明はこれに限定され� ��ものではない。本発明を逸脱しない範囲で� ��形可能であることは明らかである。