Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur wechselseitigen Kontaktierung von zwei waferartigen Bauelement-Verbundanordnungen aus einer Vielzahl zusammenhängend ausgebildeter gleichartiger Bau¬ elemente, insbesondere eines Halbleiter-Wafers mit einem Funktionsbau- element-Wafer, zur Herstellung von elektronischen Baugruppen auf Waferebene nach Anspruch 1. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine zur Durchführung des Verfahrens besonders geeignete Vorrichtung nach Anspruch 7.

Das Verfahren bzw. die Vorrichtung der vorgenannten Art kommt ganz allgemein dann zur Anwendung, wenn es darum geht, in einem Verbund zusammenhängend ausgebildete Substrate mit ebenfalls in einem Ver¬ bund angeordneten Bauelementen ohne vorhergehende Auflösung des jeweiligen Verbunds miteinander zu verbinden.

Zur Herstellung elektronischer Baugruppen auf Chipebene, beispielswei¬ se Chips, die mit über die Chips angesteuerten Funktionsbauelementen, wie Laserdioden, kontaktiert sind, ist es bekannt, sowohl den Chip als auch die Laserdiode auf Waferebene, also in einem zusammenhängenden Waferverbund, herzustellen und anschließend vor Kontaktierung der Chips mit den Laserdioden sowohl die Chips als auch die Laserdioden aus dem j eweiligen Waferverbund zu vereinzeln. Hieraus ergibt sich die Notwendigkeit, einen zur Kontaktierung der Chips mit den Laserdioden notwendigen Positionierungs- und Verbindungsvorgang entsprechend der Anzahl der Chips bzw. der Laserdioden separat und wiederholt durchzu¬ führen.

Die Vorteile, eine derartige Kontaktierung auf Waferebene durchführen zu können, um etwa den notwendigen Positionierungs- und Verbindungs- Vorgang für eine Vielzahl von im Verbund angeordneten Laserdioden bzw. Chips nur einmal durchzuführen, sind offensichtlich. Aufgrund der relativ großflächigen Verteilung der einzelnen miteinander zu verbin¬ denden Kontaktmetallisierungen von Chips und Laserdioden erweist es sich j edoch als schwierig, über die gesamte Waferoberfläche ein einheit- liches Spaltmaß einzustellen. Die Folge hiervon können fehlerhafte Kontaktierungen einzelner Paarungen von Kontaktmetallisierungen sein.

Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfah¬ ren bzw. eine Vorrichtung zur Herstellung elektronischer Baugruppen auf Waferebene vorzuschlagen, das bzw. die die Ausbildung eines einheitlichen Spaltmaßes zwischen den zu kontaktierenden Wafern ermöglicht.

Zur Lösung dieser Aufgabe weist das erfindungsgemäße Verfahren die Merkmale des Anspruchs 1 sowie die erfindungsgemäße Vorrichtung die Merkmale des Anspruchs 7 auf.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der für die Kontaktierung notwendige Kontaktdruck zwischen den miteinander zu verbindenden Kontaktmetallisierungen durch Ausbildung eines Vakuums in einem die Bauelement- Verbundanordnungen aufnehmenden Kontaktraum erzeugt. Die anschließende Kontaktierung der Kontaktmetallisierungen erfolgt durch eine rückwärtige Energiebeaufschlagung einer Bauelement- Verbundanordmmg.

Die Ausbildung des Vakuums in dem Kontaktraum sorgt für eine kopla- nare Anordnung der Bauelement-Verbundanordnungen, ohne dass im Vergleich mit einer Druckbeaufschlagung zur Erzeugung des notwendi¬ gen Kontaktdrucks das spezifische Biegeverhalten der Wafer bzw. von Vorrichtungen, auf denen die Wafer angeordnet sind, berücksichtigt werden müsste.

Insbesondere ist es nicht notwendig, wie es bei einer Druckbeaufschla- gung der Wafer der Fall wäre, Maßnahmen zu treffen, das Biegeverhalten bzw. eine Abweichung der Biegelinie von einer Geraden bei den Wafern zu kompensieren.

Weiterhin lassen sich beliebig hohe, lediglich von der Bauteilfestigkeit begrenzte Kontaktdrücke zwischen den Wafern über die Einstellung des Vakuums einstellen, ohne dass ein zusätzlicher apparativer Aufwand durch mechanische oder hydraulische Andruckvorrichtungen notwendig wäre.

Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich besonders vorteilhaft zur Herstellung sogenannter „SAW(Surface Acoustic Wave)-Filter" auf Waferebene einsetzen. Bei diesen Baugruppen sind Deckelchips zur Erzielung einer vakuumdichten Verbindung mit Trägerchips zusätzlich zu den elektrischen Kontaktierungen über eine hermetisch abdichtende periphere Kontaktmetallisierung mit den Trägerchips verbunden.

Bei einer besonders vorteilhaften Variante des Verfahrens wird der Kontaktraum durch Herstellung einer vakuumdichten Verbindung zwi¬ schen den die Bauelement-Verbundanordnungen mit ihren Kontaktmetal¬ lisierungen einander gegenüberliegend aufnehmenden Aufnahmeeinrich¬ tungen erzeugt. Hierdurch ist es möglich, den Kontaktraum mit einer geringst möglichen Anzahl von Bauteilen zu realisieren, wobei den ohnehin vorhandenen Aufnahmeeinrichtungen lediglich eine Dichtungs¬ einrichtung hinzugefügt wird.

Eine Energiebeaufschlagung des vorausgehend zur thermischen Kontak- tierung, also zur Ausführung der Bondverbindung, durch die Vakuumbe- aufschlagung im Kontaktraum ausgebildeten kraftschlüssigen Verbunds der Bauelement-Verbundanordnungen wird in verfahrenstechnisch besonders einfacher Art und Weise durch eine Energiebeaufschlagung des Verbunds über eine Aufnahmeeinrichtung ermöglicht. Hierdurch kann in besonderer Weise der zur Durchführung des Verfahrens notwen- dige apparative Aufwand reduziert werden, da etwa auf eine Ofeneinrich¬ tung, in die der im Kontaktraum angeordnete Verbund einzubringen wäre, verzichtet werden kann.

Eine besonders einfache Art der Energiebeaufschlagung kann dadurch erfolgen, dass die Energiebeaufschlagung durch Ausbildung der Aufnah- meeinrichtung als Beheizungseinrichtung erfolgt.

Alternativ ist es möglich, die Energiebeaufschlagung durch eine Kon¬ taktbeheizung der Aufnahmeeinrichtung durchzuführen, so dass die Aufnahmeeinrichtung lediglich zur Wärmeeinleitung in den im Kontakt¬ raum geschaffenen Verbund der Bauelement-Verbundanordnungen dient.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens erfolgt die Energiebeaufschlagung durch eine Strahlungsbeaufschlagung der Auf¬ nahmeeinrichtung. Hierbei ist es in vorteilhafter Weise möglich, das Material der Aufnahmeeinrichtung und die Art der Strahlungsquelle aufeinander abzustimmen, so dass beispielsweise bei Auswahl eines absorbierenden Materials für die Aufnahmeeinrichtung eine Infrarot¬ strahlungsquelle oder bei Auswahl eines optisch transparenten Materials für die Aufnahmeeinrichtung eine Laserstrahlungsquelle eingesetzt werden kann. Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist eine erste Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme der ersten Bauelement- Verbundanordnung und eine zweite Aufnahmeeinrichtung zur Aufnahme der zweiten Bauelement- Verbund¬ anordnung, eine Dichtungseinrichtung zur abdichtenden Verbindung der Aufnahmeeinrichtungen miteinander und Ausbildung eines die Bauele¬ ment-Verbundanordnungen umschließenden druckdichten Kontaktraums, eine Anschlusseinrichtung zum Anschluss einer Vakuumeinrichtung an den Kontaktraum und eine Energiebeaufschlagungseinrichtung zur rückwärtigen Energiebeaufschlagung zumindest einer Bauelement- Verbundanordnung über eine Aufnahmeeinrichtung auf. Bei der erfin¬ dungsgemäßen Vorrichtung wird demnach der zur Erzeugung eines zwischen den Bauelement-Verbundanordnungen wirkenden Vakuums notwendige Kontaktraum durch die abdichtende Verbindung der Auf¬ nahmeeinrichtungen miteinander ermöglicht.

Als besonders vorteilhaft erweist es sich, wenn die Dichtungseinrichtung zumindest in einem Verbindungsbereich zwischen den Aufnahmeeinrich¬ tungen elastisch ausgebildet ist. Diese Elastizität kann sowohl durch eine entsprechende Materialauswahl für die Dichtungseinrichtung als auch durch eine formelastische Gestaltung der Dichtungseinrichtung erzielt werden. Wesentlich ist hierbei, dass die Dichtungseinrichtung zum einen die Ausbildung des vakuumdichten Kontaktraums ermöglicht, zum anderen die Ausbildung des Kontaktdrucks zwischen den einander gegenüberliegend angeordneten Kontaktmetallisierungen der Bauele¬ ment-Verbundanordnungen nicht behindert.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Dichtungseinrich¬ tung einen Dichtungskörper mit einer von einer Starrkörpereinrichtung gebildeten Dichtfläche auf. Hierdurch ist es möglich, einerseits die für die Funktion der Vorrichtung notwendige Elastizität zu realisieren, andererseits eine Gestaltung der Dichtfläche zu ermöglichen, die sich im Betrieb als möglichst abnutzungsfrei erweist. Wenn die Starrkörpereinrichtung aus einem die erste Aufnahmeeinrich¬ tung peripher umgebenden und mit dieser Aufnahmeeinrichtung verbun¬ denen Dichtring besteht, der mit seiner Dichtfläche plan gegen die zweite Aufnahmeeinrichtung anliegt, kann einerseits eine sichere Ab- dichtung realisiert werden, andererseits kann über den Dichtungskörper leicht eine Abweichung in der Parallelität zwischen den Aufnahmeein¬ richtungen kompensiert werden.

Eine Ausführung der Vorrichtung mit einem Dichtungskörper, der die nutzbare Fläche der Aufnahmeeinrichtung zur Anordnung der Bauele- ment-Verbundanordnung nicht beeinträchtigt, wird möglich, wenn der Dichtungskörper aus einer Materialbahn eines elastischen, gasdichten Materials gebildet ist und mit dem Umfang der Aufnahmeeinrichtung verbunden ist.

Auf eine abdichtende Verbindung zwischen dem Dichtungskörper und der Aufnahmeeinrichtung kann verzichtet werden, wenn der Dichtungs¬ körper sich über die Rückseite der Aufnahmeeinrichtung erstreckt und somit die Aufnahmeeinrichtung rückseitig umschließt.

Wenn die Aufnahmeeinrichtung unter zwischenliegender Anordnung einer elastischen Ausgleichseinrichtung mit einer Handhabungseinrich- tung versehen ist, ist sichergestellt, dass sich Parallelitätsabweichungen zwischen der Handhabungseinrichtung und der Aufnahmeeinrichtung nicht nachteilig auf den Kontaktdruck zwischen den Bauelement- Verbundanordnungen auswirken.

Eine besonders kompakte Ausführung der Vorrichtung wird möglich, wenn die zweite Aufnahmeeinrichtung zur Ausbildung einer Energiebe¬ aufschlagungseinrichtung als eine Kontaktplatte zur Kontaktbeheizung mittels einer Kontaktbeheizungseinrichtung ausgebildet ist, da somit die Vorrichtung unabhängig von einer Beheizungseinrichtung ausgebildet werden kann und zur Wärmebeaufschlagung der Bauelement- Verbund- anordnung lediglich in Kontakt mit einer Beheizungseinrichtung zu bringen ist.

Alternativ ist es möglich, die zweite Aufnahmeeinrichtung zur Ausbil¬ dung einer Energiebeaufschlagungseinrichtung als eine zumindest be- reichsweise strahlungstransparente Platte auszubilden.

Eine insgesamt kompakte Ausgestaltung der Vorrichtung mit quasi integrierter Beheizungseinrichtung wird möglich, wenn die zweite Aufnahmeeinrichtung zur Ausbildung einer Energiebeaufschlagungsein¬ richtung als Kontaktheizung ausgebildet ist.

Eine besonders einfach zu realisierende Ausführung der Aufnahmeein¬ richtung als Kontaktheizung besteht in einer Ausgestaltung der Aufnah¬ meeinrichtung als Widerstandsheizung.

Wenn die als Widerstandsheizung ausgebildete Aufnahmeeinrichtung als elektrische Widerstandsfolie ausgebildet ist, ergibt sich eine besonders leichtgewichtige und zugleich schnell wirkende Beheizungsmöglichkeit für die Bauelement-Verbundanordnung.

Nachfolgend werden bevorzugte Varianten des Verfahrens unter Erläute¬ rung bevorzugter Ausführungsformen der hierzu verwendeten Vorrich¬ tung anhand der Zeichnung näher dargestellt. Es zeigen:

Fig. 1 eine Waferbondvorrichtung vor Herstellung eines Kon¬ taktverbunds zwischen zwei j eweils auf einer Aufnah¬ meeinrichtung angeordneten Wafern;

Fig. 2 die Waferbondvorrichtung mit dem in einem Kontakt¬ raum hergestellten Waferverbund;

Fig. 3 die unter Mitnahme des Waferverbunds von einer Ar¬ beitsplattform abgehobene Waferbondvorrichtung; Fig. 4 die Waferbondvorrichtung mit dem Waferverbund vor der Positionierung auf einer Kontaktheizung;

Fig. 5 die auf der Kontaktheizung positionierte Waferbond¬ vorrichtung zur Durchführung der Bondverbindung zwischen Kontaktmetallisierungen der Wafer;

Fig. 6 eine Durchführung der Bondverbindung mittels Laser- beaufschlagung;

Fig. 7 eine Durchführung der Bondverbindung mittels einer als Widerstandsfolie ausgebildeten Aufnahmeeinrich- tung.

Fig. 1 zeigt eine Waferbondvorrichtung 10 mit einer ersten Aufnahme¬ einrichtung 11 zur Anordnung eines ersten Wafers 12 und einer zweiten Aufnahmeeinrichtung 13 zur Anordnung eines zweiten Wafers 14. Die Aufnahmeeinrichtung 11 besteht im vorliegenden Fall aus einer Metall- platte und ist unter zwischenliegender Anordnung eines flächigen, hier aus einer Folienbahn gebildeten elastischen Dichtungskörpers 15 einer Dichtungseinrichtung 15 und einer Zwischenlage 16 mit elastisch fe¬ dernden Eigenschaften mit einer Handhabungseinrichtung 17 verbunden. Die Handhabungseinrichtung 17 ist mit einer dreiachsig wirkenden Steuereinrichtung 18 versehen, die eine räumliche Positionierung des an der Aufnahmeeinrichtung 1 1 angeordneten Wafers 12 gegenüber dem auf der Aufnahmeeinrichtung 13 angeordneten Wafer 14 ermöglicht.

Wie Fig. 1 ferner zeigt, ist die Aufnahmeeinrichtung 13 auf einer Ar¬ beitsplattform 48 angeordnet, die sich im vorliegenden Fall unter zwi- schenliegender Anordnung einer elastischen Abstützungseinrichtung 19 auf einem Basisgestell 20 befindet.

Wie Fig. 1 ferner zeigt, ist sowohl die mit der Handhabungseinrichtung 17 verbundene Aufnahmeeinrichtung 11 als auch die auf der Arbeits¬ plattform 48 angeordnete Aufnahmeeinrichtung 13 mit einer Anschluss- einrichtung 21 bzw. 22 zum Anschluss an jeweils eine hier nicht näher dargestellte Vakuumpumpe versehen. Zur Ausbildung der Anschlussein¬ richtung 21 weist die Aufnahmeeinrichtung 1 1 eine Bohrung 23 auf, die fluchtend mit einer Bohrung 24 im Dichtungskörper 15, einer Bohrung 25 in der Zwischenlage 16 und einer Bohrung 26 in der Handhabungsein- richtung 17 angeordnet ist. Die Aufnahmeeinrichtung 13 weist eine Bohrung 27 auf, die in einen in der Arbeitsplattform 48 ausgebildeten Kanal 28 übergeht. Die außenliegende Bohrung 26 in der Handhabungs¬ einrichtung 17und der Kanal 28 in der Arbeitsplattform 48 sind j eweils für den Anschluss an die nicht dargestellten Vakuumpumpen vorgesehen.

Die in Fig. 1 oberhalb und mit Abstand zur Aufnahmeeinrichtung 13 bzw. zu dem darauf angeordneten Wafer 14 dargestellte Handhabungs¬ einheit aus der Handhabungseinrichtung 17 und der damit unter zwi¬ schenliegender Anordnung der Dichtungseinrichtung 29 und der Zwi- schenlage 16 verbundenen Aufnahmeeinrichtung 11 soll nachfolgend als Bondkopf 30 bezeichnet werden. Der Bondkopf 30 weist eine weitere Anschlusseinrichtung 31 zum Anschluss an eine hier nicht näher darge¬ stellte weitere Vakuumpumpe auf, die über eine Bohrung 32 in der Aufnahmeeinrichtung 1 1 , eine Bohrung 33 im Dichtungskörper 15, eine Bohrung 34 in der Zwischenlage 16 und eine Bohrung 35 in der Handha¬ bungseinrichtung 17 den äußeren Anschluss der Vakuumpumpe ermög¬ licht.

In einem Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung zwischen den beiden Wafern 12, 14 zeigt Fig. 1 eine Phase unmittelbar vor der wech- selseitigen Kontaktierung von hier nicht näher dargestellten, auf Kon¬ taktflächen 43, 44 einander gegenüberliegenden Kontaktmetallisierungen der Wafer 12, 14. Der in Fig. 1 dargestellten Phase vorausgegangen ist eine Aufnahme des Wafers 12 durch den Bondkopf 30 durch eine Vaku¬ umbeaufschlagung des Wafers 12 über den über dem Wafer 12 positio- nierten Bondkopf 30 und eine Positionierung des Bondkopfs 30 über den zuvor auf der Arbeitsplattform 48 angeordneten und ebenfalls mittels Vakuumbeaufschlagung auf der Aufnahmeeinrichtung 13 fixierten Wafer 14.

In der in Fig. 1 dargestellten Phase erfolgt dann eine relative Ausrich¬ tung des Bondkopfs 30 gegenüber der Arbeitsplattform 48, derart, dass die miteinander zu kontaktierenden Kontaktmetallisierungen der Wafer 12, 14 in eine Überdeckungslage gebracht werden. Hierzu erfolgt eine Ansteuerung des Bondkopfs 30 über die Steuereinrichtung 18 in Abhän¬ gigkeit von einer hier nicht näher erläuterten Bildverarbeitungseinrich¬ tung, deren Eingangssignale von einer in einem Waferzwischenraum 48 angeordneten Kameraeinrichtung 36 stammen.

Nach Einstellung der Überdeckungslage zwischen den Kontaktmetallisie¬ rungen der Wafer 12, 14 und Entfernung der Kameraeinrichtung 36 aus dem Waferzwischenraum 49 erfolgt ein Verfahren des Bondkopfs 30 gegen die Arbeitsplattform 48 bis zum Erreichen eines mechanischen Kontakts zwischen den miteinander zu kontaktierenden Kontaktmetalli¬ sierungen der Wafer 12 und 14. Bei Erreichen des Kontakts legt sich ein in Fig. 2 dargestellter, mit dem Dichtungskörper 15 gasdicht verbundener Dichtring 37 der Dichtungseinrichtung 29 mit seiner kreisringförmigen Dichtfläche 38 gegen die in dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel durch eine Stahlplatte gebildete, auf der Arbeitsplattform 48 angeordnete Aufnahmeeinrichtung 13 an. Der Dichtring 37 besteht in dem hier darge¬ stellten Ausführungsbeispiel aus zwei Metallringen 39, 40, die den peripheren Rand des Dichtungskörpers 15 zwischen sich aufnehmen.

In der in Fig. 2 dargestellten Konfiguration wird durch den Kontakt des Dichtrings 37 mit der Aufnahmeeinrichtung 13 ein von den Aufnahme¬ einrichtungen 11 , 13 begrenzter und durch die Dichtungseinrichtung 29 abgedichteter Kontaktraum 41 gebildet, der einen aus den Wafern 12 und 14 gebildeten Waferverbund 42 in sich aufnimmt. Nach Ausbildung des in Fig. 2 dargestellten Kontaktraums 41 kann dieser über die im Bond- köpf 30 ausgebildete und über die Aufnahmeeinrichtung 13 in den Kontaktraum 41 einmündende Anschlusseinrichtung 31 evakuiert werden. Durch Ausbildung des Vakuums im Kontaktraum 41 werden die Wafer 12, 14 des Waferverbunds 42 gegeneinander gedrückt, so dass sich j e nach Höhe des eingestellten Vakuums der für einen nachfolgenden thermischen Verbindungsvorgang zwischen den Kontaktmetallisierungen notwendige Kontaktdruck einstellen lässt. Sollten Parallelitätsabwei¬ chungen zwischen den Oberflächen der Aufnahmeeinrichtungen 11 , 13 bestehen, so werden diese durch die zwischen der Aufnahmeeinrichtung 11 bzw. dem Dichtungskörper 15 der Dichtungseinrichtung 29 und der Handhabungseinrichtung 17 angeordnete elastische Zwischenlage 16 kompensiert, so dass in jedem Fall eine koplanare Anordnung der Kon¬ taktoberflächen 43, 44 der Wafer 12, 14 bzw. die Ausbildung eines über die Kontaktoberflächen konstanten Spaltmaßes zwischen den Wafern 12, 14 im Waferverbund 42 gewährleistet ist.

Nach Einstellung des gewünschten Kontaktdrucks zwischen den Wafern 12, 14 des Waferverbunds 42 im Kontaktraum 41 wird das über die in der Arbeitsplattform 48 ausgebildete Anschlusseinrichtung 22 rückwärtig am Wafer 14 anliegende Vakuum abgeschaltet, so dass, wie in Fig. 3 darge¬ stellt, der Bondkopf 30 zusammen mit der Aufnahmeeinrichtung 13 von der Arbeitsplattform 48 unter Aufrechterhaltung des im Kontaktraum 41 ausgebildeten Waferverbunds 42 abgehoben werden kann.

Wie in den Fig. 4 und 5 dargestellt, wird nun nachfolgend der Bondkopf 30 über eine vorgeheizte Kontaktbeheizungseinrichtung 45 positioniert und auf diese abgesenkt, so dass die Aufnahmeeinrichtung 13 zur Er¬ möglichung eines Wärmeübergangs auf die Kontaktbeheizungseinrich- tung 45 abgesetzt wird. Entsprechend dem gewünschten Temperaturprofil erfolgt nun ein Aufheizvorgang auf die gewünschte Bondtemperatur, zu deren Überwachung in der Aufnahmeeinrichtung 11 des Bondkopfs 30 ein hier nicht näher dargestellter Temperatursensor vorgesehen sein kann. Sollte ein Halten der Bondtemperatur über eine definierte Zeitdau- er beabsichtigt sein, so kann die in Fig. 5 dargestellte Anordnung noch mit einer hier nicht näher dargestellten Abstandsregelungseinrichtung versehen sein, die nach Erreichen der Bondtemperatur die Einstellung bzw. Änderung eines Abstandes zwischen der Aufnahmeeinrichtung 13 und einer Kontaktoberfläche 46 der Kontaktbeheizungseinrichtung 45 zur Aufrechterhaltung der Bondtemperatur über eine bestimmte Zeitdauer ermöglicht.

Alternativ zur vorstehend erläuterten Positionierung des Bondkopfs 30 auf der Kontaktbeheizungseinrichtung 45 ist es auch möglich, die in Fig. 1 dargestellte Arbeitsplattform 48 beheizt auszubilden und die Kontakt¬ beheizung in der in Fig.l dargestellten Konfiguration durchzuführen.

Sollte eine gezielte Abkühlung gewünscht sein, so kann nachfolgend eine Abkühlung durch Positionierung des Bondkopfs 30 auf einer hier nicht näher dargestellten Kontaktkühlungseinrichtung erfolgen.

Darüber hinaus ist es auch möglich, den Bondkopf 30 mittels einer durch den Vakuumkanal 26 oder gesonderte Kühlkanäle geleiteten Kühlmittel- Strömung, insbesondere einer Luftströmung, zu kühlen.

Um zu verhindern, dass sich eine Parallelitätsabweichung zwischen der Kontaktoberfläche 46 der Kontaktbeheizungseinrichtung 45 und der Aufnahmeeinrichtung 13 auf den Waferverbund 42 auswirkt, kann, wie in den Fig. 4 und 5 dargestellt, ähnlich wie in der Anordnung gemäß den Fig. 1 bis 3 zwischen dem Basisgestell 20 und der Kontaktbeheizungs¬ einrichtung 45 eine elastische Abstützeinrichtung 19 vorgesehen sein.

Während der in Fig. 5 beispielhaft dargestellten Bondphase, in der eine thermische Verbindung zwischen den Kontaktmetallisierungen der Wafer 12 und 14 erfolgt, ist es bei Bedarf auch möglich, den durch das Vakuum im Kontaktraum 41 erzeugten Kontaktdruck durch eine Druckbeaufschla¬ gung des Waferverbunds 42 mit dem Bondkopf noch zu erhöhen. Dabei verhindert die Vakuumfixierung der Wafer 12 und 14 gegeneinander eine ansonsten durch die Druckbeaufschlagung mögliche Gleitbewegung der Wafer 12, 14 aufeinander. In den Fig. 6 und 7 sind alternative Möglichkeiten zur Beheizung des im Kontaktraum 41 am Bondkopf 30 angeordneten Waferverbunds 42 darge¬ stellt. Fig. 6 zeigt die Beheizung mittels einer selektiven Energiebeauf¬ schlagung der Kontaktmetallisierungen über eine verschwenkbare Laser- emissionseinrichtung 47, wobei hierzu eine Aufnahmeeinrichtung 50 aus einem für die Laserstrahlung transparenten Material ausgebildet ist. Bei einer Ausbildung der Aufnahmeeinrichtung aus einem strahlungs- bzw. wärmeabsorbierenden Material, wie beispielsweise Silicium, könnte eine Beheizung des Waferverbunds mittels Wärmeleitung erfolgen.

Bei einer weiteren, hier nicht näher dargestellten Ausführungsform des Bondkopfs kann dieser auch mit einer integrierten Laseremissionsein¬ richtung versehen sein, so dass abweichend von dem in Fig. 6 dargestell¬ ten Ausführungsbeispiel die Beheizung des Waferverbunds über die dem Bondkopf zugewandte Aufnahmeeinrichtung erfolgt.

Fig. 7 zeigt eine am Bondkopf 30 angeordnete, als elektrisch beheizbare Widerstandsfolie ausgebildete Aufnahmeeinrichtung 51. Eine derart unmittelbar beheizbare Aufnahmeeinrichtung ermöglicht die Herstellung der thermischen Bondverbindung zwischen den Kontaktmetallisierungen der Wafer 12, 14 des Waferverbunds 42 am Bondkopf 30 selbst, ohne dass eine separate Beheizungseinrichtung vorgesehen werden müsste.