以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。

 図1は、本発明の一実施形態を示している 。プラズマディスプレイ装置(以下、PDP装置� �も称する)は、四角板形状を有するプラズマ� ��ィスプレイパネル10(以下、PDPとも称する)、 PDP10の画像表示面16側(光の出力側)に設けられ る光学フィルタ20、PDP10の画像表示面16側に配 置された前筐体30、PDP10の背面18側に配置され た後筐体40およびベースシャーシ50、ベース� �ャーシ50の後筐体40側に取り付けられ、PDP10� �駆動するための回路部60(駆動部)、およびPDP1 0をベースシャーシ50に貼り付けるための両面 接着シート70を有している。回路部60は、複� �の部品で構成されるため、図では、破線の� �で示している。

 PDP10は、画像表示面16を構成する前面基板 部12と、前面基板部12に対向する背面基板部14 とにより構成されている。前面基板部12と背� ��基板部14の間に図示しない放電空間(セル)が 形成されている。前面基板部12および背面基� ��部14は、例えば、ガラス基板により形成さ� �ている。光学フィルタ20は、前筐体30の開口� ��32に取り付けられる保護ガラス(図示せず)に 貼付される。なお、光学フィルタ20は、電磁� ��を遮蔽する機能を有してもよい。また、光� ��フィルタ20は、保護ガラスではなく、PDP10の 画像表示面16側に直接貼付されてもよい。

 図2は、図1に示したPDP10の要部の詳細を示 している。図中の矢印D1は、第1方向D1を示し� ��矢印D2は、第1方向D1に画像表示面に平行な� �内で直交する第2方向D2を示している。上述� �たように、前面基板部12と背面基板部14の間( より詳細には、背面基板部14の凹部)に放電空 間DSが形成される。

 前面基板部12は、ガラス基材FS上(図では� �側)に第1方向D1に沿って平行に形成され、第2 方向D2に沿って交互に形成されたX電極XE(維持 電極)およびY電極YE(走査電極)を有している。 そして、互いに対をなすX電極XEおよびY電極YE 間で、繰り返して放電(サステイン放電)を発� ��させる。なお、X電極XEは、第1方向D1に延在� ��るXバス電極XbとXバス電極Xbに接続されたX透 明電極Xtとにより構成されている。また、Y電 極YEは、第1方向D1に延在するYバス電極YbとYバ ス電極Xbに接続されたY透明電極Ytとにより構� ��されている。

 ここで、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X透明電極XtおよびY透明電極Ytは、ITO膜等� ��形成された可視光を透過する透明電極であ� ��。なお、バス電極XbおよびYbと同じ材料(金� �材料等)で、バス電極XbおよびYbと一体の電極 が透明電極XtおよびYtの代わりに形成されて� �よい。電極Xb、Xt、Yb、Ytは、誘電体層DL1に覆 われており、誘電体層DL1の表面は、保護層PL� ��覆われている。例えば、保護層PLは、放電� �発生しやすくするために、陽イオンの衝突� �よる2次電子の放出特性の高いMgO膜で形成さ� ��る。

 放電空間DSを介して前面基板部12に対向す る背面基板部14は、ガラス基材RS上に、バス� �極Xb、Ybの直交方向(第2方向D2)に延在する複� �のアドレス電極AEが設けられている。例えば 、アドレス電極AEは、金属材料等で形成され� ��不透明な電極である。アドレス電極AEは、� �電体層DL2に覆われ、誘電体層DL2上には、第2� ��向D2に延在する第1隔壁(バリアリブ)BR1と第1� ��向D1に延在する第2隔壁BR2とにより構成され� ��格子状の隔壁が形成されている。例えば、� ��壁BR1は、互いに隣接するアドレス電極AEの� �に対応する位置に配置され、隔壁BR2は、バ� �電極Xbとバス電極Ybとの間に対応する位置に� ��置される。なお、隔壁BR2が形成されずに、� ��壁BR1によるストライプ状の隔壁が誘電体層D L2上に形成されてもよい。

 隔壁BR1、BR2により、セルの側壁が構成さ� ��る。隔壁BR1、BR2の側面と、隔壁BR1、BR2に囲� ��れた部分のガラス基材RS上とには、紫外線� �より励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光� �発生する蛍光体PHr、PHg、PHbが、それぞれ塗� �されている。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、バス電極Xb、Y bと隔壁BR1とで囲われる領域に形成される。� �なわち、この実施形態では、セルは、隔壁BR 1、BR2で囲われる領域に形成され、上述した� �うに、隔壁BR1、BR2により、セルの側壁が構� �される。このように、PDP10は、画像を表示す るためにセルをマトリックス状に配置し、か つ互いに異なる色の光を発生する複数種のセ ルを交互に配列して構成されている。特に図 示していないが、バス電極Xb、Ybに沿って形� �されたセルにより、表示ラインが構成され� �。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PLと隔壁BRが互いに接するように貼 り合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに 封入することで構成される。バス電極Xb、Yb� �よびアドレス電極AEは、後述する図5に示すX� ��ライバXDRV、YドライバYDRVおよびアドレスド� ��イバADRVにそれぞれ接続される。

 図3は、1画面の画像を表示するためのフ� �ールドFLDの構成例を示している。図中の網� �け部分は、低輝度用サブフィールド(第1のサ ブフィールド)を示している。1つのフィール� ��FLDの長さは、1/60秒(約16.7ms)であり、例えば� ��10個のサブフィールドSF(SF1-SF10)で構成され� �。この例では、サブフィールドSF1は、リセ� �ト期間RSTa(第2のリセット期間)およびアドレ� ��期間ADRを有する低輝度用サブフィールドで� ��る。

 また、サブフィールドSF2は、リセット期� ��RSTb(第1のリセット期間)、アドレス期間ADRお よびサステイン期間SUSを有し、サブフィール ドSF3-SF10は、リセット期間RSTa、アドレス期間 ADRおよびサステイン期間SUSを有している。以 下、リセット期間RSTa(第2のリセット期間)を3� ��極用リセット期間とも称し、リセット期間R STb(第1のリセット期間)を2電極用リセット期� �とも称する。また、リセット期間RSTaおよび� ��セット期間RSTbをリセット期間RSTとも称する 。すなわち、各サブフィールドSFは、リセッ� ��期間RSTとリセット期間RSTの後に設けられた� ��ドレス期間ADRとを有している。

 例えば、リセット期間RSTaは、全てのセル の放電開始電圧(アドレス期間ADRのアドレス� �電が発生し始める電圧)を合わせるために、� ��電極XE、YE、AEに蓄積される壁電荷の量を調� ��する期間である。ここで、壁電荷とは、例� ��ば、各セルにおいて、図2に示したMgO等の保 護層PLの表面に蓄積されるプラス電荷および� ��イナス電荷である。また、リセット期間RSTb は、全てのセルの放電開始電圧(アドレス期� �ADRのアドレス放電が発生し始める電圧)を合� ��せるために、各電極YE、AEに蓄積される壁電 荷の量を調整する期間である。リセット期間 RSTa、RSTbの詳細は、後述する図4で説明する。

 アドレス期間ADRは、画像を表示するため� ��点灯させるセルを選択する期間である。特� ��、サステイン期間SUSを有するサブフィール� ��SF2-SF10のアドレス期間ADRは、サステイン期� �SUSに点灯させるセルを選択する期間である� �サステイン期間SUSに点灯させるセルは、例� �ば、アドレス期間において、後述する図4に� ��すように、走査電極YEおよびアドレス電極AE 間で選択的にアドレス放電を発生させること により、選択される。サステイン期間SUSは、 アドレス期間ADRに選択されたセルでサステイ ン放電を発生させる期間である。

 サステイン期間SUSの長さは、サブフィー� ��ドSFにより異なり、セルの放電回数(輝度)に 依存する。このため、点灯させるサブフィー ルドSFの組み合わせを変えることにより、画� ��を多階調で表示することが可能になる。こ� ��例では、サブフィールドSF1-SF10に予め設定� �れている放電サイクル数は、それぞれ0、1、 2、4、8、16、32、64、128、256である。すなわち 、低輝度用サブフィールドSF1は、サステイン 放電を発生させないサブフィールドSFである� ��後述する図4に示すように1つの放電サイク� �CYC中に、セルは2回放電する(図の星印)。

 図4は、図3に示したサブフィールドSFの放 電動作の例を示している。図中の星印は、放 電の発生を示している。図中の一番下の波形 (YE-XE)は、走査電極YEおよび維持電極XE間の電� ��を示している。また、電圧Vf1、Vf2、Vf3は、� ��えば、電極XE、YE、AEに壁電荷が蓄積されて� ��ないときの各電極間の放電開始電圧を示し� ��いる。例えば、放電開始電圧Vf1(第1放電開� �電圧)は、走査電極YEを陰極にしたときに、� �査電極YEおよび維持電極XE間で放電を発生さ� ��る最低電圧である。放電開始電圧Vf2(第2放� �開始電圧)は、走査電極YEを陽極にしたとき� �、走査電極YEおよび維持電極XE間で放電を発� ��させる最低電圧である。放電開始電圧Vf3(第 3放電開始電圧)は、走査電極YEを陽極にした� �きに、走査電極YEおよびアドレス電極AE間で� ��電を発生させる最低電圧である。

 まず、低輝度用サブフィールドSF1のリセ� ��ト期間RSTaでは、電圧Vx2(第2制御電圧)まで緩 やかに下降する負の電圧(鈍波)が、維持電極X E(バス電極Xbおよび透明電極Xt)に印加され(図4 (a))、正の電圧が、走査電極YE(バス電極Ybおよ び透明電極Yt)に印加され、電圧Vba(バイアス� �圧)がアドレス電極AEに印加される。例えば� �電圧Vx2は、後述する電圧Vx1(第1制御電圧)よ� �低い電圧であり、電圧Vbaは、接地線GNDの電� �(0V)である。なお、電圧Vbaは、正の電圧でも� ��いし、負の電圧でもよい。

 そして、維持電極XEおよびアドレス電極AE は、電圧Vx2および電圧Vbaにそれぞれ維持され 、電圧Vy1から電圧Vy2(第1電圧)まで緩やかに上 昇する正の書き込み電圧(波形電圧、書き込� �鈍波)が走査電極YEに印加される(図4(b))。こ� �で、正の書き込み電圧は、走査電極YEおよび 維持電極XE間を放電開始電圧Vf2以上にする電� ��であり、走査電極YEおよびアドレス電極AE間 を放電開始電圧Vf3以上にする電圧である。す なわち、電圧Vy2(波形電圧の最高電圧、第1電� ��)は、電圧Vbaがアドレス電極AEに印加された� ��に、走査電極YEおよびアドレス電極AE間の電 圧を、放電開始電圧Vf3以上にする電圧である 。また、図の例では、電圧Vy1は、後述する正 のサステインパルスの電圧Vs/2と同じ電圧で� �る。

 走査電極YEおよび維持電極XE間に放電開始 電圧Vf2以上の電圧が印加されるため、走査電 極YEおよび維持電極XE間でリセット放電(微弱� ��電)が発生する。また、走査電極YEおよびア� ��レス電極AE間に放電開始電圧Vf3以上の電圧� �印加されるため、走査電極YEおよびアドレス 電極AE間でリセット放電(微弱放電)が発生す� �。これにより、セルの発光を抑えながら電� �XE、YEおよびAEに正の壁電荷、負の壁電荷お� �び正の壁電荷がそれぞれ蓄積される。この� �うに、3電極用リセット期間RSTaは、走査電極 YEとアドレス電極AEの間および走査電極YEと維 持電極XEの間でリセット放電を発生させるた� ��の期間である。

 次に、維持電極XEに正の調整電圧が印加� �れ、負の調整電圧(調整鈍波)が走査電極YEに� ��加され、アドレス電極AEは電圧Vbaに維持さ� �る(図4(c))。これにより、維持電極XE、走査電 極YEおよびアドレス電極AEにそれぞれ蓄積さ� �た正の壁電荷、負の壁電荷および正の壁電� �の量が減るとともに、全てのセルの壁電荷� �調整される。なお、例えば、正の調整電圧� �、電圧Vs/2電圧と同じ電圧であり、負の調整� ��圧の最小値は、電圧-Vscより高い電圧である 。

 低輝度用サブフィールドSF1のアドレス期� ��ADRでは、電圧Vx3(第3制御電圧)が維持電極XE� �印加され、アドレス放電時に陰極となるス� �ャンパルス(負のスキャンパルス、電圧-Vsc)� �走査電極YEに印加され、アドレス放電時に陽 極となるアドレスパルス(正のアドレスパル� �、電圧Vsa)が、点灯するセルに対応するアド� ��ス電極AEに印加される(図4(d))。スキャンパ� �スとアドレスパルスにより選択されたセル� �は、走査電極YEおよびアドレス電極AE間でア� ��レス放電が発生する。この結果、画像を表� ��するために選択されたセルは、走査電極YE� �よびアドレス電極AE間のアドレス放電により 可視光を発生する。

 ここで、電圧Vx3は、電圧-Vscが走査電極YE� ��印加されたときでも、走査電極YEおよび維� �電極XE間を放電開始電圧Vf1より小さくする電 圧であり、例えば、接地線GNDの電圧(0V)であ� �。走査電極YEおよび維持電極XE間の電圧が放� ��開始電圧Vf1より小さいため、走査電極YEお� �び維持電極XE間で放電は発生しない。なお、 低輝度用サブフィールドSF1は、サステイン期 間SUSを有していない(サステイン放電を発生� �せない)ため、走査電極YEおよび維持電極XE間 でアドレス放電を発生させる必要がない。

 これにより、アドレス期間ADRの放電によ� ��発生する可視光の輝度を低くでき、黒を再� ��する際の輝度(黒輝度)を低くできる。この� �うに、サブフィールドSF1は、サステイン放� �の回数が0回に設定され、かつ、アドレス期� ��ADR中の走査電極YEおよび維持電極XE間の電圧 が放電開始電圧Vf1より小さく設定された低輝 度用サブフィールドである。

 なお、図4では、複数の走査電極YEのうち� ��着目する1表示ラインに対応する走査電極YE� ��波形を示しているため、アドレス電極AEの� �形に示される2回目のアドレスパルス(図4(e))� ��、他の表示ラインの放電セルを選択するた� ��に印加されることを示している。

 低輝度用サブフィールドSF1の次のサブフ� ��ールドSF2のリセット期間RSTbの動作波形は、 維持電極XEに印加される電圧を除いて、上述� ��たリセット期間RSTaと同じである。すなわち 、走査電極YEおよびアドレス電極AEでは、上� �したリセット期間RSTaと同様に、負の壁電荷� ��よび正の壁電荷がそれぞれ蓄積され、その� ��、それぞれ蓄積された負の壁電荷および正� ��壁電荷の量が減るとともに、全てのセルの� ��電荷が調整される。

 なお、サブフィールドSF1のアドレス期間A DRで走査電極YEおよび維持電極XE間の放電が発 生していないため、維持電極XEに蓄積されて� ��る壁電荷は、サブフィールドSF1のリセット� ��間RSTaに調整された状態を維持している。こ のため、サブフィールドSF1の次のサブフィー ルドSF2のリセット期間RSTbでは、維持電極XEに 蓄積される壁電荷を調整するために、走査電 極YEおよび維持電極XE間でリセット放電を発� �させる必要がない。

 したがって、リセット期間RSTbでは、電圧 Vx1(第1制御電圧)が維持電極XEに印加される(図 4(f))。ここで、電圧Vx1は、走査電極YEおよび� �持電極XE間を放電開始電圧Vf2より小さくする 電圧である。例えば、電圧Vx1は、電圧Vx2より 高い電圧である。換言すれば、電圧Vx2は、上 述したように、電圧Vx1より低い電圧である。 また、図の例では、電圧Vx3は、電圧Vx1より低 く、かつ、電圧Vx2より高い電圧である。

 走査電極YEおよび維持電極XE間の電圧が放 電開始電圧Vf2より小さいため、走査電極YEお� ��び維持電極XE間で放電は発生しない。これ� �より、リセット期間RSTbの放電により発生す� ��可視光の輝度を、リセット期間RSTaの放電に より発生する可視光の輝度に比べて低くでき る。すなわち、リセット期間RSTの放電により 発生する画像の表示に不要な可視光(本来不� �な可視光)の輝度を低くできる。この結果、� ��の実施形態では、黒を再現する際の輝度(黒 輝度)を低くでき、低輝度の画像を表示する� �の画像の品位を向上させることができる。

 なお、走査電極YEおよび維持電極XE間では 、上述したリセット期間RSTaで説明したよう� �、放電開始電圧Vf2以上の電圧が印加される� �め、リセット放電(微弱放電)が発生する。こ のように、低輝度用サブフィールドSF1の次の サブフィールドSF2のリセット期間RSTbは、走� �電極YEとアドレス電極AEの間および走査電極Y Eと維持電極XEの間でリセット放電を発生させ るための2電極用リセット期間RSTbである。

 サブフィールドSF2のアドレス期間ADRの動� ��波形は、維持電極XEに印加される電圧を除� �て、上述したサブフィールドSF1のアドレス� �間ADRと同じである。すなわち、サブフィー� �ドSF2のアドレス期間ADRでは、アドレス放電� �に陽極となる電圧Vx1が維持電極XEに印加され 、アドレス放電時に陰極となるスキャンパル スが走査電極YEに印加され、アドレス放電時� ��陽極となるアドレスパルスが、点灯するセ� ��に対応するアドレス電極AEに印加される(図4 (g))。この実施形態では、維持電極XEは、リセ ット期間RSTbに維持電極XEに印加された電圧Vx1 に維持される。

 例えば、電圧Vx1は、電圧-Vscが走査電極YE� ��印加されたときに、走査電極YEおよび維持� �極XE間を放電開始電圧Vf1より大きくする電圧 に設定されている。スキャンパルスとアドレ スパルスにより選択されたセルでは、走査電 極YEおよびアドレス電極AE間でアドレス放電� �発生し、この放電をトリガにして、走査電� �YEおよび維持電極XE間でアドレス放電が発生� ��る。これにより、維持電極XEおよび走査電� �YEに負の壁電荷および正の壁電荷がそれぞれ 蓄積され、サステイン期間SUSに点灯させるセ ルが選択される。

 サブフィールドSF2のアドレス期間ADRのア� ��レス放電により発生する可視光の輝度は、� ��査電極YEおよび維持電極XE間でアドレス放電 が発生するため、サブフィールドSF1のアドレ ス期間ADRのアドレス放電により発生する可視 光の輝度に比べて高い。換言すれば、低輝度 用サブフィールドSF1のアドレス期間ADRのアド レス放電により発生する可視光の輝度は、サ ステイン期間SUSを有するサブフィールドSF2-SF 10アドレス期間ADRのアドレス放電により発生� ��る可視光の輝度に比べて低い。

 サブフィールドSF2のサステイン期間SUSで� ��、負および正のサステインパルス(電圧-Vs/2� ��よび電圧Vs/2)が、維持電極XEおよび走査電極 YEにそれぞれ印加される(図4(h))。これにより� ��アドレス期間ADRに選択されたセルでは、維� ��電極XEおよび走査電極YEでサステイン放電が 発生する。互いに極性の異なるサステインパ ルスが、維持電極XEおよび走査電極YEに繰り� �して(サブフィールドSF2では1サイクルCYC、サ ブフィールドSF3では2サイクルCYC)印加される� ��とにより、サステイン期間SUSに点灯したセ� ��の放電(サステイン放電)が繰り返し行われ� �。これにより、点灯したセルの放電状態が� �持される。

 サブフィールドSF3のリセット期間RSTaおよ びアドレス期間ADRの動作波形は、サブフィー ルドSF1のリセット期間RSTaおよびサブフィー� �ドSF2のアドレス期間ADRとそれぞれ同じであ� �。また、サブフィールドSF3のサステイン期� �SUSの動作波形は、放電サイクルCYC数を除い� �、サブフィールドSF2のサステイン期間SUSと� �じである。また、サブフィールドSF4-SF10の動 作波形は、放電サイクルCYC数を除いて、サブ フィールドSF3と同じである。すなわち、サブ フィールドSF2は、低輝度用サブフィールドSF1 の次のサブフィールドSFであり、サブフィー� ��ドSF1、SF3-SF10は、その他のサブフィールドSF である。

 上述した図3で説明したように、1放電サ� �クルCYC中に2回の放電が実施される。例えば� ��サブフィールドSF7は、32個の放電サイクルCY Cで構成され、64回の放電が実施される。なお 、点灯させないセルでは、上述したように、 維持電極XEおよび走査電極YEに、サステイン� �電のための壁電荷が蓄積されていないため� �サステインパルスが印加されても、放電(誤� ��電)は、発生しない。

 図5は、図1に示した回路部60の概要を示し ている。回路部60(駆動部)は、電源部PWR、Xド� ��イバXDRV(維持電極駆動回路)、YドライバYDRV(� ��査電極駆動回路)、アドレスドライバADRV(ア� ��レス電極駆動回路)および制御部CNTを有して いる。電源部PWRは、電圧Vx1を生成する電圧生 成部VG11(第1制御電圧生成部)、電圧Vx2を生成� �る電圧生成部VG12、電圧Vx3を生成する電圧生� ��部VG13(第3制御電圧生成部)、電圧Vy1を生成す る電圧生成部VG21、電圧Vy2を生成する電圧生� �部VG22(第1電圧生成部)および電圧Vbaを生成す� ��電圧生成部VG11(バイアス電圧生成部)を有し� ��いる。そして、電源部PWRは、電源電圧Vy1、V y2、-Vsc、Vs/2、-Vs/2、Vx1、Vx2、Vx3、Vsa、Vba等を ドライバYDRV、XDRV、ADRVに供給する。なお、電 圧生成部VG11-13、VG21-22、VG31は、ドライバXDRV� �YDRV、ADRV内にそれぞれ設けられてもよい。

 ドライバXDRV、YDRV、ADRVは、PDP10を駆動す� �駆動回路として動作する。例えば、ドライ� �XDRV、YDRV、ADRVは、上述した図4に示したよう� ��、各電圧(電圧Vx2、電圧Vy1から電圧Vy2まで上 昇する波形電圧、電圧Vba等)をバス電極Xb、Yb� ��アドレス電極AEにそれぞれ印加する。

 制御部CNTは、画像データR0-9、G0-9、B0-9に� ��づいて使用するサブフィールドを選択し、� ��ライバYDRV、XDRV、ADRVに制御信号YCNT、XCNT、AC NTを出力する。そして、画素を構成するセルC 1毎に、使用するサブフィールドを選択する� �とにより、多階調の画像が表示される。な� �、画像データR0-9、G0-9、B0-9は、赤、緑、青� �それぞれ表示するための10ビットからなるデ ータであり、図示しないチューナ部あるいは 外部入力から制御部CNTに順次に入力される。

 以上、この実施形態では、低輝度用サブ� ��ィールドSF1の次のサブフィールドSF2のリセ� ��ト期間RSTbでは、走査電極YEおよび維持電極X E間の電圧が放電開始電圧Vf2より小さくなる� �うに制御される。走査電極YEおよび維持電極 XE間でリセット放電を発生させないように制� ��される。走査電極YEおよび維持電極XE間の電 圧が放電開始電圧Vf2より小さいため、走査電 極YEおよび維持電極XE間で放電は発生しない� �この結果、リセット期間RSTの放電により発� �する画像の表示に不要な可視光(本来不要な� ��視光)の輝度を低くできる。すなわち、この 実施形態では、黒を再現する際の輝度(黒輝� �)を低くでき、引き締まった黒色を再現でき� ��ため、低輝度の画像を表示する際の画像の� ��位を向上させることができる。

 図6は、別の実施形態におけるPDP装置の回 路部60の一例を示している。この実施形態で� ��、上述した図5に示した電源部PWRの代わりに 、電源部PWR2が設けられている。その他の構� �は、図1-図3と同じである。図1-図3で説明し� �要素と同一の要素については、同一の符号� �付し、これ等については、詳細な説明を省� �する。電源部PWR2は、図5に示した電源部PWRに 、電圧Vy2より低い電圧Vy3(第2電圧)を生成する 電圧生成部VG23(第2電圧生成部)が追加されて� �成されている。電圧Vy3は、ドライバYDRVに供� ��される。なお、電圧生成部VG11-13、VG21-23、VG 31は、ドライバXDRV、YDRV、ADRV内にそれぞれ設� ��られてもよい。

 図7は、図6に示した回路部60によるサブフ ィールドSFの放電動作の一例を示している。� ��述した図4と同じ動作については、詳細な説 明を省略する。この実施形態は、2電極用リ� �ット期間RSTbの波形が図4と異なる。より詳細 には、リセット期間RSTbでは、図4に示した電� ��Vy1から電圧Vy2まで緩やかに上昇する正の書� ��込み電圧の代わりに、電圧Vy1から電圧Vy3(第 2電圧)まで緩やかに上昇する正の書き込み電� ��(波形電圧、書き込み鈍波)が走査電極YEに印 加される。その他の波形は、図4と同じであ� �。図中の星印の意味は、図4と同じである。

 低輝度用サブフィールドSF1の次のサブフ� ��ールドSF2のリセット期間RSTbでは、電圧Vy1か ら電圧Vy3まで緩やかに上昇する正の書き込み 電圧が走査電極YEに印加される際、電圧Vx1、V baが維持電極XEおよびアドレス電極AEにそれぞ れ印加されている。例えば、電圧Vy3(第2電圧) は、電圧Vy2(第1電圧)より低く、かつ、走査電 極YEおよびアドレス電極AE間を放電開始電圧Vf 3より低くする電圧である。

 ここで、サブフィールドSF1のアドレス期� ��ADRに選択されたセルでは、走査電極YEおよ� �アドレス電極AEに正の壁電荷および負の壁電 荷がそれぞれ蓄積されている。この壁電荷に 相当する電圧が走査電極YEおよびアドレス電� ��AE間に重畳されることにより、走査電極YEお よびアドレス電極AE間の電圧が放電開始電圧V f3以上になる。この結果、サブフィールドSF1� ��アドレス期間ADRに選択されたセルでは、走� ��電極YEおよびアドレス電極AE間でリセット放 電が発生する。これにより、走査電極YEおよ� ��アドレス電極AEに負の壁電荷および正の壁� �荷がそれぞれ蓄積される。

 一方、サブフィールドSF1のアドレス期間A DRに選択されなかったセルでは、走査電極YE� �よびアドレス電極AE間の電圧を大きくするよ うな極性の壁電荷は、走査電極YEおよびアド� ��ス電極AEに蓄積されていない。したがって� �走査電極YEおよびアドレス電極AE間の電圧が� ��電開始電圧Vf3より低いため、走査電極YEお� �びアドレス電極AE間でリセット放電は発生し ない。すなわち、サブフィールドSF1のアドレ ス期間ADRに選択されなかったセルでは、サブ フィールドSF1のリセット期間RSTに調整された 壁電荷の状態が維持される。なお、走査電極 YEおよび維持電極XE間では、放電開始電圧Vf2� �り十分に低い電圧が印加されるため、セル� �状態に拘わらず、リセット放電は発生しな� �。

 正の書き込み電圧が走査電極YEに印加さ� �た後は、上述した図4に示したリセット期間R STbと同様に、走査電極YEおよびアドレス電極A Eにそれぞれ蓄積された負の壁電荷および正� �壁電荷の量が減るとともに、全てのセルの� �電荷が調整される。このように、サブフィ� �ルドSF2のリセット期間RST(2電極用リセット期 間RSTb)は、前のサブフィールドSF1のアドレス� ��間ADRに選択されたセルでリセット放電を発� ��させるオンセルリセット期間である。

 サブフィールドSF1、SF3-SF10のリセット期� �RSTでは、上述した図4で説明したように、走� ��電極YEおよびアドレス電極AE間に放電開始電 圧Vf3以上の電圧が印加され、走査電極YEおよ� ��維持電極XE間に放電開始電圧Vf2以上の電圧� �印加される。すなわち、サブフィールドSF1� �SF3-SF10のリセット期間RST(3電極用リセット期� ��RSTa)は、セルの状態に拘わらず、全てのセ� �でリセット放電を発生させるための全セル� �セット期間である。換言すれば、全セルリ� �ット期間を除くリセット期間は、サブフィ� �ルドSF2のリセット期間RST(2電極用リセット期 間RSTb)である。

 以上、この実施形態においても、上述し� ��図1-図5で説明した実施形態と同様の効果を� ��ることができる。さらに、この実施形態で� ��、サブフィールドSF1のアドレス期間ADRに選� ��されなかったセルでは、リセット放電は発� ��しない。したがって、リセット期間RSTの放� ��により発生する画像の表示に不要な可視光� ��輝度を、図1-図5で説明した実施形態に比べ� ��低くできる。例えば、この実施形態では、� ��輝度用サブフィールドSF(サブフィールドSF1) およびその次のサブフィールドSF(サブフィー ルドSF2)を用いて表現するときの輝度を下げ� �ことができる。この結果、この実施形態で� �、黒を再現する際の輝度(黒輝度)を図1-図5で 説明した実施形態に比べて低くでき、低輝度 の画像を表示する際の画像の品位をさらに向 上させることができる。

 なお、上述した実施形態では、1つの画素 が、3つのセル(赤(R)、緑(G)、青(B))により構成 される例について述べた。本発明はかかる実 施形態に限定されるものではない。例えば、 1つの画素を4つ以上のセルにより構成しても� ��い。あるいは、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、 青(B)以外の色を発生するセルにより構成され てもよく、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)� �外の色を発生するセルを含んでもよい。

 上述した実施形態では、背面基板部14の� �ラス基材RS上にアドレス電極AEが設けられる� ��について述べた。本発明はかかる実施形態� ��限定されるものではない。例えば、アドレ� ��電極AEは、前面基板部12のガラス基材FS上(上 述した図2に示した誘電体層DL1と保護層PLとの 間)に設けられてもよい。すなわち、維持電� �XE、走査電極YEおよびアドレス電極AEの3電極� ��前面ガラス基材FS上に配置したPDPに本発明� �適用してもよい。この場合にも、上述した� �施形態と同様の効果を得ることができる。

 上述した実施形態では、第2方向D2が、第1 方向D1に直交する例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、第2方向D2は、第1方向D1と、ほぼ直� ��方向(例えば、90度±5度)に交差してもよい。 この場合にも、上述した実施形態と同様の効 果を得ることができる。

 上述した実施形態では、サブフィールドS F2のリセット期間RSTbおよびアドレス期間ADRに 、同じ電圧Vx1が維持電極XEに印加される例に� ��いて述べた。本発明はかかる実施形態に限� ��されるものではない。例えば、図8に示すよ うに、維持電極XEは、リセット期間RSTbおよび アドレス期間ADRに、互いに異なる電圧Vx1aお� �び電圧Vx1bがそれぞれ印加されてもよい。こ� ��場合にも、上述した実施形態と同様の効果� ��得ることができる。

 図8および図9に示した動作波形は、サブ� �ィールドSF2のリセット期間RSTb(2電極用リセ� �ト期間RSTb)に、上述した図4および図7に示し� ��電圧Vx1の代わりに電圧Vx1a(第1制御電圧)が印 加される。図8のその他の波形は、図4と同じ� ��あり、図9のその他の波形は、図7と同じで� �る。図中の星印の意味は、図4と同じである� ��ここで、電圧Vx1aは、走査電極YEおよび維持� ��極XE間を放電開始電圧Vf2より小さくする電� �であり、例えば、接地線GNDのレベルの電圧(0 V)である。なお、電圧Vx1aは、走査電極YEおよ� ��維持電極XE間を放電開始電圧Vf2より小さく� �きれば、正の電圧でも負の電圧でもよい。

 この場合も、走査電極YEおよび維持電極XE 間の電圧が放電開始電圧Vf2より小さいため、 走査電極YEおよび維持電極XE間で放電は発生� �ない。なお、サブフィールドSF2-SF10のアドレ ス期間ADRに、維持電極XEに印加される電圧Vx1b は、電圧-Vscが走査電極YEに印加されたときに 、走査電極YEおよび維持電極XE間を放電開始� �圧Vf1より大きくする電圧である。例えば、� �圧Vx1bは、上述した図4に示した電圧Vx1と同じ 電圧である。図8および図9に示した動作波形� ��用いても、上述した図4および図7に示した� �施形態と同様の効果をそれぞれ得ることが� �きる。

 上述した実施形態では、本発明を、1フィ ールドFLDが10個のサブフィールドSF1-SF10で構� �されるプラズマディスプレイパネルに適用� �る例について述べた。本発明はかかる実施� �態に限定されるものではない。例えば、本� �明を、1フィールドFLDが8個あるいは11個以上� ��サブフィールドで構成されるプラズマディ� ��プレイパネルに適用してもよい。また、サ� ��フィールドの放電サイクル数は、2のn乗(n=0� ��上の整数)に限定されない。さらに、フィー ルドFLD内のサブフィールドSF1-SF10(図3)は、順� ��に配列されなくてもよい。例えば、図10に� �すように、サブフィールドSF1がフィールドFL Dの中央付近に配置されてもよい。

 図10は、低輝度用サブフィールドSF1がフ� �ールドFLDの中央付近に配置された例を示し� �いる。図10の網掛け部分は、低輝度用サブフ ィールドSFを示している。この例では、サブ� ��ィールドSF4が低輝度用サブフィールドSF1の� ��のサブフィールドSFになるため、サブフィ� �ルドSF4のリセット期間RSTbは、2電極用リセッ ト期間RSTbである。すなわち、サブフィール� �SF1-SF3、SF5-SF10は、その他のサブフィールドSF である。サブフィールドSF4のリセット期間RST bの放電動作は、上述した図4に示したサブフ� ��ールドSF2のリセット期間RSTbと同じである。 また、サブフィールドSF2のリセット期間RSTの 放電動作は、上述した図4に示したサブフィ� �ルドSF1、SF3-SF10のリセット期間RSTaと同じで� �る。その他の放電動作は、上述した図4と同� ��である。この場合にも、上述した実施形態� ��同様の効果を得ることができる。

 上述した実施形態では、1フィールドFLDに 1つの低輝度用サブフィールドSFを設ける例に ついて述べた。本発明はかかる実施形態に限 定されるものではない。例えば、図11に示す� ��うに、1フィールドFLDに2つの低輝度用サブ� �ィールドを設けてもよい。あるいは、1フィ� ��ルドFLDに3以上の低輝度用サブフィールドを 設けてもよい。

 図11は、2つの低輝度用サブフィールドSF� �1フィールドFLDに配置された一例を示してい� ��。図11の網掛け部分は、低輝度用サブフィ� �ルドSFを示している。この例では、サブフィ ールドSF1およびSF2が低輝度用サブフィールド SFである。そして、サブフィールドSF4およびS F6が低輝度用サブフィールドSF1およびSF2の次� ��サブフィールドSFである。したがって、サ� �フィールドSF4およびSF6のリセット期間RSTbは� ��2電極用リセット期間RSTbである。すなわち� �サブフィールドSF1-SF3、SF5、SF7-SF10は、その� �のサブフィールドSFである。この場合にも、 上述した実施形態と同様の効果を得ることが できる。

 図11に示したサブフィールドSF4およびSF6� �リセット期間RSTbの放電動作は、上述した図4 に示したサブフィールドSF2のリセット期間RST bと同じである。また、サブフィールドSF2の� �セット期間RSTaの放電動作は、上述した図4に 示したサブフィールドSF1のリセット期間RSTa� �同じである。なお、サブフィールドSF2のア� �レス期間ADRの放電動作は、例えば、走査電� �YEおよびアドレス電極AE間の電圧値を除いて� ��図4に示したサブフィールドSF1のアドレス期 間ADRと同じである。その他の放電動作は、上 述した図4と同じである。

 例えば、低輝度用サブフィールドSF2のア� ��レス期間ADRにアドレス電極AEに印加される� �ドレスパルスの高レベルの電圧は、電圧Vsa� �り低く設定される。これにより、低輝度用� �ブフィールドSF2のアドレス放電の強度は、� �輝度用サブフィールドSF1のアドレス放電の� �度に比べて低くなる。したがって、低輝度� �サブフィールドSF2のアドレス放電により発� �する可視光の輝度を、低輝度用サブフィー� �ドSF1のアドレス放電により発生する可視光� �輝度に比べて低くできる。この結果、輝度� �低い画像の階調数を増やすことができ、画� �を向上できる。

 なお、低輝度用サブフィールドSF2のアド� ��ス期間ADRにアドレス電極AEに印加されるア� �レスパルスの高レベルの電圧を、電圧Vsaよ� �高くしてもよい。この場合、低輝度用サブ� �ィールドSF2のアドレス放電により発生する� �視光の輝度を、低輝度用サブフィールドSF1� �アドレス放電により発生する可視光の輝度� �比べて高くできる。この場合にも、上述し� �実施形態と同様の効果を得ることができる� �

 また、図12に示すように、低輝度用サブ� �ィールドSF1、SF2を連続して配置してもよい� �図12の網掛け部分は、低輝度用サブフィール ドSFを示している。この例では、サブフィー� ��ドSF1およびSF2が低輝度用サブフィールドSF� �ある。そして、サブフィールドSF1およびSF4� �低輝度用サブフィールドSF2およびSF1の次の� �ブフィールドSFである。すなわち、サブフィ ールドSF1は、低輝度用サブフィールドSFであ� ��、かつ、低輝度用サブフィールドSFの次の� �ブフィールドSFである。したがって、サブフ ィールドSF1およびSF4のリセット期間RSTbは、2� ��極用リセット期間RSTbである。すなわち、サ ブフィールドSF2、SF3、SF5-SF10は、その他のサ� ��フィールドSFである。この場合にも、上述� �た実施形態と同様の効果を得ることができ� �。

 図12に示したサブフィールドSF1およびSF4� �リセット期間RSTbの放電動作は、上述した図4 に示したサブフィールドSF2のリセット期間RST bと同じである。また、サブフィールドSF2の� �セット期間RSTaの放電動作は、上述した図4に 示したサブフィールドSF1のリセット期間RSTa� �同じである。なお、サブフィールドSF2のア� �レス期間ADRの放電動作は、例えば、走査電� �YEおよびアドレス電極AE間の電圧値を除いて� ��図4に示したサブフィールドSF1のアドレス期 間ADRと同じである。その他の放電動作は、上 述した図4と同じである。

 例えば、低輝度用サブフィールドSF2のア� ��レス期間ADRにアドレス電極AEに印加される� �ドレスパルスの高レベルの電圧を、上述し� �図11で説明したように、電圧Vsaと異なる電圧 に設定する。これにより、輝度が低い画像の 階調数を増やすことができ、画質を向上でき る。

 上述した実施形態では、負のスキャンパ� ��スおよび正のアドレスパルスにより点灯さ� ��るセルを選択する例について述べた。本発� ��はかかる実施形態に限定されるものではな� ��。例えば、アドレス期間ADRに、正のスキャ� ��パルスおよび負のアドレスパルスを走査電� ��YEおよびアドレス電極AEにそれぞれ印加する ことにより、点灯させるセルを選択してもよ い。この場合、例えば、図4に示した各電圧� �極性がそれぞれ逆の各電圧が、各電極XE、YE� ��AEにそれぞれ印加される。この場合にも、� �述した実施形態と同様の効果を得ることが� �きる。

 上述した実施形態では、電極XE、YE、AEに� ��電荷が蓄積されていないときの放電開始電� ��が放電開始電圧Vf1、Vf2、Vf3として用いられ� ��例について述べた。本発明はかかる実施形� ��に限定されるものではない。例えば、予め� ��められたリセット波形電圧(上述した図4に� �したリセット期間RSTaの電圧波形相当)が各電 極XE、YE、AEに印加された後の状態の放電開始 電圧が放電開始電圧Vf1、Vf2、Vf3として用いら れてもよい。また、放電開始電圧Vf1、Vf2、Vf3 は、1つの代表的なセルの放電開始電圧でも� �いし、複数のセルの放電開始電圧の平均値� �最大値あるいは最小値でもよい。この場合� �も、上述した実施形態と同様の効果を得る� �とができる。

 上述した図6および図7で説明した実施形� �では、全ての3電極用リセット期間RSTaを全セ ルリセット期間にする例について述べた。本 発明はかかる実施形態に限定されるものでは ない。例えば、3電極用リセット期間RSTa(サブ フィールドSF1、SF3-SF10のリセット期間RSTa)の� �ち、サブフィールドSF1のリセット期間RSTaの� ��を全セルリセット期間にしてもよい。すな� ��ち、3電極用リセット期間RSTaの少なくとも1� ��が全セルリセット期間であればよい。この� ��合、サブフィールドSF1のリセット期間RSTa(� �セルリセット期間)を除くリセット期間RST(サ ブフィールドSF2-SF10のリセット期間RST)は、オ ンセルリセット期間である。

 例えば、サブフィールドSF3-SF10のリセッ� �期間RSTでは、上述した図7に示した電圧Vy1か� ��電圧Vy3まで緩やかに上昇する正の書き込み� ��圧、負の電圧および電圧Vbaが走査電極YE、� �持電極XEおよびアドレス電極AEにそれぞれ印� ��される。ここで、負の電圧は、走査電極YE� �よび維持電極XE間を放電開始電圧Vf2より低く する電圧である。また、サブフィールドSF2は 、上述した図7と同じである。なお、電圧Vy3� �、電圧Vy2より低く、かつ、走査電極YEおよび アドレス電極AE間を放電開始電圧Vf3より低く� ��る電圧である。

 この場合、サブフィールドSF2-SF10では、� �のサブフィールドSFのアドレス期間ADRに選択 されたセルのみで、リセット放電が発生する 。換言すれば、前のサブフィールドSFのアド� ��ス期間ADRに選択されなかったセルでは、リ� ��ット放電が発生しない。したがって、リセ� ��ト期間RSTの放電により発生する画像の表示� ��不要な可視光の輝度を、図6および図7で説� �した実施形態に比べて低くできる。この結� �、この実施形態では、黒を再現する際の輝� �(黒輝度)を上述した実施形態に比べて低くで き、低輝度の画像を表示する際の画像の品位 をさらに向上させることができる。

 以上、本発明について詳細に説明してき� ��が、上記の実施形態およびその変形例は発� ��の一例に過ぎず、本発明はこれに限定され� ��ものではない。本発明を逸脱しない範囲で� ��形可能であることは明らかである。