[実施形態]
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係る多層プリント配� �板10の製造方法について図1~図6を参照して説 明する。ここでは先ず、ICチップを内蔵する� ��ア基板の製造方法について説明する。
(1)出発材料として、キャリア付き金属箔100を 準備する(図1(A))。キャリア付き金属箔は支持 体101と金属箔12とからなる。金属箔は、厚さ� ��1.5~36μmであって、銅、アルミニューム、ニ� ��ケル等の導電性金属から成る。支持体とし� ��はアルミニューム、鋼、銅などの導電性材� ��やエポキシ、ポリイミドなどの絶縁性フィ� ��ムなどを用いることができる。支持体の厚� ��は18~100μm程度である。金属箔は剥離層を介� ��て支持体上に積層することができる。金属� ��は第1面と第1面とは反対側の第2面を有して� ��る。金属箔の第2面が支持体上に形成されて いる。出発材料は図12(A)に示すように金属箔1 2でもよい。まず、金属箔にレーザにより位� �決めマーク14を形成する(図1(B))。

(2)金属箔の第1面上にソルダーレジスト層(� ��2のソルダーレジスト層)16を形成する(図1(C)) 。次いで、位置決めマーク14を基準にして、� ��ルダーレジスト層16にバンプ形成用の開口16 aを形成する(図1(D))。

(3)ソルダーレジスト層16の開口16aにより露� ��した金属箔160上に半田ペースト18αを印刷す る(図2(A))。半田としては、Sn/Pb、Sn/Ag、Sn/Sb、 Sn/Ag/Cuなどが主成分となる金属を用いること� ��できる。そして、200~280℃でリフローを行い 、開口16aに半田バンプ18を形成する(図2(B))。� ��田ペーストの代わりに、半田ボールを金属� ��160上に搭載することもできる。ソルダーレ� ��スト層の開口16aにより露出している金属箔� ��に電解めっきで半田や金などの金属バンプ� ��形成することができる。半田ペーストや半� ��ボールは、位置決めマーク14を基準にして� �属箔160上に形成することができる。第1実施� ��態においては、金属箔12に設けた位置決め� �ーク14に基づき開口16aを設け半田バンプを形 成するため、半田バンプ18の位置精度が高く� ��る。半田バンプと金属箔との接続信頼性が� ��くなる。また、ソルダーレジスト層16の開� �16aに半田バンプ18を設けるため、ソルダーレ ジスト層がダムの働きをして半田がリフロー の際に流れ出さず、ファインピッチな半田バ ンプを高い接続信頼性で形成することができ る。また、ソルダーレジスト層により、半田 バンプ間での短絡を防止することができる。

(4)半田バンプ18にICチップ20の端子22が接続� ��るよう、位置決めマーク14に基づき、ICチッ プ20の搭載位置を決定する。その後、ICチッ� �20などの電子部品を金属箔上に搭載する。続 いて、リフローにより半田バンプ18と端子22� �を接続する(図2(C))。位置決めマーク14を用い ICチップ20の搭載位置を位置決めするため、� �い位置精度を実現できる。半田バンプ18とIC� ��ップ20の端子22との接続信頼性を高めること ができる。また、フルグリッドの端子22を有� ��るICチップを搭載することができる。

(5)ソルダーレジスト層16とICチップ20との間 にアンダーフィル24を充填する(図2(D))。これ� ��より、半田バンプ18の信頼性を高めること� �できる。図1(A)から図2(D)の工程により、金属 箔12に電子部品が搭載された基板(電子部品搭 載基板)200が完成する。

(6)ICチップ20を搭載した金属箔12上に、Bステ� �ジの樹脂フィルム26α、及び、厚さ1.5~36μmの� ��属箔28を積層する(図3(A))。樹脂フィルム26α� ��、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなる� ��とが好ましい。無機フィラーには、たとえ� ��、Al2O3、MgO、BN、AlNまたはSiO2などを用いる� �とができ、その場合の無機フィラー量は、30 ~60wt%であることが好ましい。熱硬化性樹脂に は、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、 フェノール樹脂、ポリイミド樹脂またはシア ネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性 が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。次い で、電子部品搭載基板200と樹脂フィルム26α� �金属箔28とを加熱プレスし、ICチップ20を樹� �絶縁層26内に内蔵する。その後、支持体101を 銅箔12から剥離し、図3(B)に示す途中基板201を 得る。このとき、樹脂フィルムは硬化し、樹 脂絶縁層26となる。樹脂絶縁層26は第1面と第1 面とは反対側の第2面を有する。図3(B)に示す� ��うに、第1面は出発材料の金属箔と対向する 面である。
金属箔12と金属箔28は同じ厚みの金属箔が好� �しい。途中基板201の反りが減少する。
位置決めマーク14に樹脂が埋まり、位置決め� ��ークの位置の認識が困難になることがある� ��その場合、位置決めマーク14を基準にして� �第2の位置決めマーク(貫通孔)140を形成して� �よい(図9(A)参照)。位置決めマーク14の認識は X線などで行うことができる。第2の位置決め� ��ーク140は、位置決めマーク14と同じ位置に� �成してもよいし、位置決めマーク14と異なる 位置に形成してもよい。

(7)途中基板201にスルーホール導体用の貫通 孔36aを形成する(図3(C))。貫通孔36aは位置決め マーク14、あるいは、第2の位置決めマーク140 を基準に形成される。次に、無電解めっき処 理および電解めっき処理を施し、貫通孔の内 壁にスルーホール導体36を形成する(図3(D))。� ��のとき、金属箔12と金属箔28上にも、無電解 めっき膜と電解めっき膜が形成される。

(9)次に、樹脂と粒子とからなる充填剤37を� ��ルーホール導体36内へ充填し、乾燥、硬化� �せる(図4(A))。

(10)途中基板201の表面に無電解銅めっき膜� �形成する。更に、電解銅めっき膜を形成す� �。この時、同時にスルーホール導体36内に充 填した充填剤37を無電解めっき膜330と電解め� ��き膜33で覆う(図4(B))。

(11)電解めっき膜33上にエッチングレジストを 形成する。その後、エッチングレジストを露 光・現像してエッチングレジストをパターン ニングする。そして、エッチングレジストが 形成されていない部分のめっき膜(無電解め� �き膜と電解めっき膜)と金属箔12、28を、エッ チング液にて溶解除去する。さらに、エッチ ングレジストを剥離して、樹脂絶縁層26上の� ��体回路34、および、充填剤37を覆う導体回路 34を形成する(図4(C)参照)。同時に、コア基板� ��アライメントマーク(図示せず)1400を形成す� ��。これにより、コア基板30を完成する。導� �回路34はバンプ18と接続しているパッド34Pを� ��している(図9(B)参照)。
エッチングレジストのパターニングは位置決 めマーク14、あるいは、第2の位置決めマーク を基準に形成されている。

引き続き、コア基板上への層間樹脂絶縁層及 び導体回路の積層について説明する。
(12)コア基板30の両面に、層間樹脂絶縁層用樹 脂フィルムを貼り付けることにより層間樹脂 絶縁層50を形成する(図4(D))。

(13)次に、レーザにて層間樹脂絶縁層50にバ イアホール用開口50aを形成する(図5(A))。ここ では、レーザで開口を設けたが、フォトリソ により開口を形成することもできる。バイア ホール用開口50aはアライメントマーク1400を� �準に形成されている。

(14)次に、バイアホール用開口50aの内壁を� �む層間樹脂絶縁層50の表面に無電解銅めっき 膜52を形成する(図5(B))。

(15)無電解銅めっき膜52にめっきレジスト54� ��設ける(図5(C))。ついで、電解めっきを施し� ��めっきレジスト54非形成部に、厚さ15μmの電 解銅めっき膜56を形成する(図5(D))。

(16)さらに、めっきレジスト54を剥離する。 その後、そのめっきレジスト下の無電解めっ き膜をエッチング処理することにより、溶解 除去し、独立の導体回路58及びバイアホール6 0を形成する(図6(A))。

(17)上記(12)~(16)の工程を繰り返すことによ� �、さらに上層の導体回路158、バイアホール16 0を有する層間絶縁層150を形成し、多層配線� �を作製できる(図6(B))。

(18)次に、多層配線基板の両面に開口71、72� ��備えるソルダーレジスト層(第1のソルダー� �ジスト層)70を形成する(図6(C))。

(20)この後、開口71に半田ペーストを印刷し 、リフローすることにより上面に半田バンプ 78Uを、下面に半田バンプ78Dを形成し、多層プ リント配線板10を完成する(図7)。

[第1実施形態の改変例]
図8を参照して第1実施形態の改変例に係る多� ��プリント配線板の製造方法について説明す� ��。
(1)出発材料はキャリア(25~100μmの銅箔)101と剥� ��層(図示せず)と3~15μmの銅箔12とからなるキ� �リア付き銅箔である(図8(A))。まず、レーザ� �より金属箔(銅箔)に位置決めマーク14を形成� ��る(図8(B))。

(2)位置決めマーク14に基づき、ポッティン� ��又は印刷により、銅箔12上に半田ペースト� �形成する。その後、リフローして銅箔12上に 半田バンプ18を形成する(図8(C))。

(3)位置決めマーク14に基づき、ICチップと� �田バンプを、位置合わせし、ICチップ20を半� ��バンプ上に載置する。その後、リフローを� ��い、半田バンプ18とICチップ20の端子22とを� �続する(図8(D))。以降の工程は、第1実施形態� ��同様であるため、説明を省略する。第1実施 形態の改変例においても、金属箔12に設けた� ��置決めマークに基づき半田バンプを形成す� ��。その後、半田バンプを介して、金属箔上� ��ICチップを搭載している。ICチップの搭載と 半田バンプの形成が同じ位置決めマーク14を� ��準にして行われている。半田バンプ18とICチ ップ20との間の位置精度が高くなる。その結� ��、ICチップなどの電子部品とその電子部品� �内蔵するプリント配線板との接続信頼性が� �くなる。第1実施形態の改変例では、第2のソ ルダーレジスト層を設けない分、第1実施形� �よりも製造が容易である。

[第2実施形態]
引き続き第2実施形態の多層プリント配線板� �製造方法について、図10を参照して説明する 。
(1)図1、図2を参照して上述した第1実施形態と 同様に、金属箔12上にソルダーレジスト層(第 2のソルダーレジスト層)16を設ける。その後� �半田バンプ18を介してICチップ20を実装する(� ��10(A))。

(2)ICチップなどの電子部品を収容するための� ��口27aを有する絶縁フィルム27αとBステージ� �第2の絶縁フィルム260αと銅箔28を準備する。 絶縁フィルム27αはガラスクロス、アラミド� �維等の芯材とBステージの樹脂とからなり、� ��材にエポキシ等の熱硬化性樹脂、もしくは� ��熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂とからなる� ��合樹脂を含浸させたフィルムである。絶縁� ��ィルム27αは位置決めマーク2800を有してい� �。ICチップなどの電子部品を収容するための 開口27aは位置決めマーク2800を基準にして形� �されている。第2の絶縁フィルム260αは、開� �を有しないプリプレグ(ガラスクロス、ガラ� ��繊維、アラミド繊維の内の1つの心材と樹脂 とからなる絶縁フィルム)、あるいは、樹脂� �ィルム26α、あるいは、熱硬化性樹脂と70~90wt %の無機フィラーからなるフィルムであるこ� �が好ましい。銅箔28の厚みは銅箔12と実質的� ��同じ厚みであることが好ましい。絶縁フィ� ��ム27αには、ICチップよりも大きな開口27aが� ��め形成されている。ICチップ20を実装した金 属箔と絶縁フィルム27αを位置あわせする。� �置合わせは位置決めマーク14と絶縁フィルム 27αの位置決めマーク2800を基準にして行う。� ��置決め後、ICチップ20を実装した金属箔12上� ��、ICチップに対応する開口27aを有する絶縁� �ィルム(厚さ150μm)27αを積層する。更に、該� �縁フィルム27αの上に、厚さ50μmの第2の絶縁� ��ィルム260α、及び、厚さ1.5~36μmの金属箔28を 積層する(図10(B))。その後、加熱プレスする� �この時、絶縁フィルムの開口27a内に第2の絶� ��フィルム260αや絶縁フィルム27αから樹脂が� ��みだし、開口27a内を充填する(図10(C))。また 、同時に、絶縁フィルムや第2の絶縁フィル� �、開口27a内を充填する樹脂は硬化する。絶� �フィルムと第2の絶縁フィルムが接着すると� ��に硬化することで、絶縁基板270となる。
絶縁基板270は第1面と第1面とは反対側の第2面 を有する。図10(C)に示すように、第1面は出発 材料の金属箔と対向する面である。ここで、 開口内を充填する樹脂(充填樹脂)280は無機フ� ��ラーと熱硬化性樹脂とからなり、無機フィ� ��ー量は、30~90wt%である。図10(C)に示す中間基 板は、実施形態1の図3(B)に対応している。図1 0(C)の中間基板は、その後、実施形態1の図3(C) 以降と同様な工程を施される。図4(C)までの� �程を行うことで、第2実施形態のコア基板が� ��成される。第2実施形態のコア基板は、開口 を有する樹脂基板27と樹脂絶縁層260と開口内� ��収容されるICチップ12と充填樹脂280と導体回 路34とスルーホール導体36とを有している。� �脂基板27は絶縁フィルム27αが硬化した基板� �ある。樹脂絶縁層260は第2の絶縁フィルム260� �が硬化した樹脂層である。絶縁フィルムは� �第2の絶縁フィルムと同様な材料(プリプレグ 、樹脂フィルムや無機フィラーと熱硬化性樹 脂からなるフィルム)を使用できる。

第2実施形態のコア基板30は、ガラスクロス 、アラミド繊維等の芯材を有する樹脂基板27� ��備える。そのため、コア基板30の強度が高� �、ヒートサイクル試験を行っても高い信頼� �を備えることができる。

[実施例]
[第1実施例]
次に、本発明の第1実施例に係る多層プリン� �配線板10の構成について図7を参照して説明� �る。多層プリント配線板10では、コア基板30� ��ICチップ20が内蔵されている。コア基板30の� ��1面と第2面(第1面と反対側の面)には、導体� �路34が形成されている。コア基板30の第1面と 第2面の導体回路はスルーホール導体36を介し て接続されている。第1面の導体回路はICチッ プを搭載するためのパッド34Pを有している。 コア基板30上に、バイアホール60が形成され� �層間樹脂絶縁層50と、バイアホール160が形成 された層間樹脂絶縁層150とが形成されている 。層間樹脂絶縁層150上にソルダーレジスト層 70が形成されている。層間樹脂絶縁層50と層� �樹脂絶縁層150の間には導体回路58が形成され ている。導体回路58と導体回路34はバイアホ� �ル60で接続されている。また、層間樹脂絶縁 層150とソルダーレジスト層70の間には導体回� ��158が形成されている。導体回路158と導体回� ��58はバイアホール160で接続されている。上� �側のソルダーレジスト層70には開口71が形成� ��れている。開口71には、ICチップ等の電子部 品を実装するための半田バンプ78Uが形成され ている。下面側のソルダーレジスト層70には� ��口72が形成されている。開口72には、ドータ ボード等の外部基板へ接続するための半田バ ンプ78Dが形成されている。

ICチップ20は、樹脂絶縁層26によりコア基板 30内に収容されている。ICチップ20の端子24と� ��ッド34Pとは、半田バンプ18を介して接続さ� �ている。パッド34P上にはバンプ(めっきバン� ��を含む)が形成されている。コア基板の第1� �上の層間樹脂絶縁層50と樹脂絶縁層26の間に� ��第2のソルダーレジスト層16が形成されてい� ��。第2のソルダーレジスト層16とICチップ20と の間にはアンダーフィル24が充填されている� ��樹脂絶縁層26は、樹脂とシリカフィラーと� �らなり、シリカフィラー量は50wt%である。

引き続き、図7を参照して上述した多層プリ� �ト配線板10の製造方法について図1~図6を参照 して説明する。ここでは先ず、ICチップを内� ��するコア基板の製造方法について説明する� ��
(1)三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅 箔(MTSD-H、キャリア(銅箔):35μm、銅箔:5μm)を出 発材料とした(図1(A))。まず、レーザ、又はエ ッチングにより位置決めマーク14を形成した( 図1(B))。

(2)次に、市販のソルダーレジスト組成物を 20μmの厚さで塗布し、乾燥処理を行い第2のソ ルダーレジスト層16を形成した(図1(C))。位置� ��めマーク14を基準として、第2のソルダーレ� ��スト層16にバンプ形成用の開口16aを形成し� �(図1(D))。ここでは、レーザにより開口16aを� �成したが、この代わりに、位置決めマーク� �マスクを位置決めし、フォトリソにより開� �を有するソルダーレジスト層を形成するこ� �も可能である。

(3)ソルダーレジスト層16の開口16aにより露� ��する金属箔上に印刷により半田ペースト18α を形成した(図2(A))。そして、200℃でリフロー を行い、開口16aにより露出した金属箔上に半 田バンプ18を形成した(図2(B))。

(4)半田バンプ18にICチップ20の端子22が接続� ��るよう、位置決めマーク14に基づきICチップ の搭載位置を決定した。その後、リフローに より半田バンプ18とICチップの端子22とを接続 することで、金属箔に半田バンプを介してIC� ��ップを実装した(図2(C))。

(5)次いで、第2のソルダーレジスト層16とIC� ��ップ20との間にアンダーフィル24を充填した (図2(D))。

(6)ICチップ20を実装した銅箔12上に、厚さ200 μmの樹脂フィルム(エポキシと50wt%のシリカフ ィラーとからなるBステージの樹脂フィルム)2 6α、及び、厚さ5μmの銅箔28を積層した(図3(A)) 。その後、ICチップが実装されているキャリ� ��付き銅箔と樹脂フィルムと銅箔28を加熱プ� �スして、一体化した。加熱プレスにより、IC チップは樹脂フィルム26α内に内蔵された(図3 (B))。加熱プレス条件は圧力0.45MPa、温度80℃� �圧着時間60秒である。続いて、170度で樹脂フ ィルムを硬化し、樹脂フィルムを樹脂絶縁層 26とした。

(7)ICチップを内蔵した基板30にドリルでス� �ーホール導体用の貫通孔36aを形成した(図3(C) )。その後、無電解めっき処理および電解め� �き処理を施し、スルーホール導体36を形成し た(図3(D))。同時に、銅箔12、28上に無電解銅� �っき膜(第1の無電解めっき膜)と電解銅めっ� �膜(第1の電解めっき膜)を形成した。

(8)スルーホール導体36を形成した基板30を水� �いし、乾燥した。その後、NaOH(10g/l)、NaClO ₂  (40g/l)、Na ₃  PO ₄  (6g/l)を含む水溶液で黒化処理した。続いて� ��NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/l)を含む水溶液で還元処� ��を行い、スルーホール導体36及び電解銅め� �き膜の表面に粗化面を形成した(図示せず)。

(9)次に、平均粒径10μmのシリカ粒子とエポ� ��シ樹脂と硬化剤とからなる充填剤37を、ス� �ーホール導体36内へスクリーン印刷によって 充填した。その後、充填材37を乾燥、硬化さ� ��た(図4(A))。

引き続き、スルーホール導体36からはみ出� ��た充填剤37を研磨により除去した。

(10)基板表面に、パラジウム触媒(アトテック� ��)を付与し、無電解銅めっきを施すことによ り、厚さ0.6μmの無電解銅めっき膜330を形成し た。更に、以下の条件で電解銅めっきを施し 、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成した。同� ��に、スルーホール導体36内に充填された充� �剤37を無電解めっき膜(第2の無電解めっき膜) 330と電解めっき膜(第2の電解めっき膜)33で覆� ��た(図4(B))。
 〔電解めっき水溶液〕
   硫酸        180 g/l
   硫酸銅        80 g/l
   添加剤(アトテックジャパン製、商品名:� ��パラシドGL)
               1 ml/l
 〔電解めっき条件〕
   電流密度       1A/dm ² 
   時間           70分
   温度           室温

(11)電解めっき膜33上に、市販の感光性ドラ イフィルムを張り付け、露光現像処理するこ とにより、厚さ15μmのエッチングレジストを� ��成した。そして、エッチングレジストを形� ��してない部分の銅箔12、28と銅箔上のめっき 膜(めっき膜は金属箔上の第1の無電解めっき� ��と第1の無電解めっき膜上の第1の電解めっ� �膜と第1の電解めっき膜上の第2の無電解めっ き膜と第2の無電解めっき膜上の第2の電解め� ��き膜とからなる)を、塩化第2銅を主成分と� �るエッチング液にて溶解除去した。さらに� �エッチングレジストを5%KOHで剥離除去して、 樹脂絶縁層26上の導体回路34、および、充填� �37を覆う導体回路34、パッド34Pを形成した(図 4(C)参照)。これにより、コア基板30が完成し� �。樹脂絶縁層26上の導体回路34とパッド34Pは� ��属箔と金属箔上の第1の無電解めっき膜と第 1の無電解めっき膜上の第1の電解めっき膜と� ��1の電解めっき膜上の第2の無電解めっき膜� �第2の無電解めっき膜上の第2の電解めっき膜 とからなる。充填剤37を覆う導体回路34は第2� ��無電解めっき膜と第2の無電解めっき膜上の 第2の電解めっき膜とからなる。

引き続き、コア基板上への層間樹脂絶縁層及 び導体回路の積層について説明する。
先ず、導体回路34の表面をメック株式会社製� ��Cz8100を用いて粗化した(図示せず)。

(12)コア基板30の両面に、層間樹脂絶縁層用 樹脂フィルム(味の素社製:商品名;ABF-45SH)を真 空ラミネーター装置を用いて積層した。その 条件は真空度67Pa、圧力0.47MPa、温度85℃、圧� �時間60秒である。その後、層間樹脂絶縁層用 樹脂フィルムを170℃で40分間熱硬化し、コア� ��板上に層間樹脂絶縁層50を形成した(図4(D)。

(13)次に、CO2 ガスレーザにて、層間樹脂絶 縁層50にバイアホール用開口50aを形成した(図 5(A))。

バイアホール用開口50aを形成した基板を、 60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間 浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存在する� ��子を除去した。バイアホール用開口50aの内� ��を含む層間樹脂絶縁層50の表面に粗化面が� �成された(図示せず)。

上記処理を終えた基板を、中和溶液(シプレ� �社製)に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した層間樹 脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の 内壁面に触媒核を付着させた。

(14)次に、上村工業社製の無電解銅めっき水� �液(スルカップPEA)中に、触媒を付与した基板 を浸漬して、粗面全体に厚さ0.3~3.0μmの無電� �銅めっき膜を形成した。バイアホール用開� �50aの内壁を含む層間樹脂絶縁層50の表面に無 電解銅めっき膜52が形成された(図5(B))。
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で45分

(15)無電解銅めっき膜52が形成された基板に市 販の感光性ドライフィルムを張り付け、露光 現像処理することにより、厚さ25μmのめっき� ��ジスト54を設けた(図5(C))。ついで、以下の� �件で電解めっきを施し、めっきレジスト54非 形成部に、厚さ15μmの電解銅めっき膜56を形� �した(図5(D))。
〔電解めっき液〕
硫酸           2.24 mol/l
硫酸銅          0.26 mol/l
添加剤          19.5  ml/l
(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度          1 A/dm2
時間            70 分
温度            22±2 ℃

(16)さらに、めっきレジスト54を剥離した後 、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を 硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処 理して溶解除去した。独立の導体回路58及び� ��イアホール60が形成された(図6(A))。ついで� �上記と同様の処理を行い、導体回路58及びバ イアホール60の表面に粗化面を形成した(図示 せず)。

(17)上記(12)~(16)の工程を繰り返すことによ� �、さらに上層の導体回路158、バイアホール16 0を有する層間絶縁層150を形成し、多層配線� �を得た(図6(B))。

(18)次に、多層配線基板の両面に、市販の� �ルダーレジスト組成物を塗布した。その後� �露光現像処理し、ソルダーレジスト組成物� �開口71、72を形成した(図6(C))。そして、さら� ��、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間� �150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行� ��て、開口71、72を有するソルダーレジスト層 (第1のソルダーレジスト層、厚さ:15~25μm)70を� ��成した。

(19)次に、ソルダーレジスト層70の開口71、7 2により露出した導体回路158やバイアホール16 0の表面にニッケル膜、金めっき膜の順で金� �膜を形成した(図示せず)。

(20)この後、開口71、72内の金属膜上に半田� ��ーストを印刷した。その後、230℃でリフロ� ��することにより上面に半田バンプ78Uを、下� ��に半田バンプ78Dを形成し、多層プリント配� ��板10を完成した(図7)。

[第1実施例の改変例]
図8を参照して第1実施例の改変例に係る多層� ��リント配線板の製造方法について説明する� ��
(1)三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅 箔(MTSD-H、キャリア(銅箔):35μm、銅箔:5μm)12を� ��発材料とした(図8(A))。まず、レーザにより� ��箔に位置決めマーク14を形成した(図8(B))。

(2)位置決めマーク14に基づき、ポッティン� ��により半田ペースト18αを銅箔12上に形成し� ��。その後、リフローすることで、銅箔12上� �半田バンプ18を形成した(図8(C))。

(3)位置決めマーク14に基づきICチップの搭� �位置を決定し、半田バンプ18上にICチップ20� �載置した。その後、リフローを行い、半田� �ンプ18とICチップ20の端子22とを接続した(図8( C))。以降の工程は、第1実施例と同様である� �め、説明を省略する。

[第2実施例]
引き続き第2実施例の多層プリント配線板の� �造方法について説明する。
図11は、第2実施例の多層プリント配線板の断 面を示している。
多層プリント配線板110のコア基板30は、ガラ� ��クロス、ガラス繊維、アライミド繊維等の� ��材と硬化済みの樹脂からなる樹脂基板27を� �している。樹脂基板は、エポキシ等の熱硬� �性樹脂、もしくは、熱硬化性樹脂及び熱可� �性樹脂からなる複合樹脂を芯材に含浸した� �リプレグを硬化させた基板である。樹脂基� �27は開口27aを有している。その開口27a内にIC� ��ップが収容されている。充填樹脂280が開口2 7a内に充填されている。充填樹脂により、IC� �ップが開口内に内蔵されている。絶縁基板� �第1面と第1面上の層間樹脂絶縁層との間には 、第2のソルダーレジスト層が形成されてい� �。第2のソルダーレジスト層とICチップとの� �には、アンダーフィルが形成されている。

第2実施例の多層プリント配線板の製造方法� �ついて、図10を参照して説明する。
(1)図1、図2を参照して上述した第1実施例と同 様に、銅箔12上にソルダーレジスト層(第2の� �ルダーレジスト層)16を設け、半田バンプ18を 介してICチップ20を実装する(図10(A))。

(2)ICチップ20を収容するための開口27aを有� �る絶縁フィルムとして、プリプレグ27α(150μm 厚さ)を準備した。ICチップ20を実装した銅箔1 2上に、位置決めマーク14と位置決めマーク280 0を基準にしてプリプレグ27αを積層した。開� ��とICチップが精度よく位置合わせされた。� �に、該プリプレグ27αの上に、厚さ50μmの第2� ��絶縁フィルム(日立化成工業社製のプリプレ グ)260α、及び、厚さ5μmの銅箔28を積層した(� �10(B))。その後、ICチップを実装したキャリア 付き銅箔とプリプレグと絶縁フィルムと銅箔 とを真空プレス機で加熱プレスした。加熱プ レス時、プリプレグの開口27a内に第2の絶縁� �ィルム26α及びプリプレグから樹脂が沁みだ� ��た。同時に、プリプレグが硬化し樹脂基板2 7となった。第2の絶縁フィルムが硬化し絶縁� ��脂層260となった。開口内に沁みだした樹脂� ��硬化し充填樹脂280となった。(図10(C))。その 後、キャリアを剥離した。以降は、実施例1� �図3(C)以降の工程を行い、ICチップを内蔵し� �コア基板にビルドアップ層を形成した。樹� �基板と絶縁樹脂層が一体化した基板が絶縁� �板である。

[第3実施例]
図12(A)に第3実施例の出発材料である銅箔(18μm 厚)を示す。以降は、第1実施例の図1(B)以降と 同様な工程でICチップを内蔵したプリント配� ��板を製造した。

[第4実施例]
図12(B)に第4実施例の出発材料である銅箔(18μm 厚)を示す。以降は、第1実施例の改変例の図8 (B)以降と同様な工程でICチップを内蔵したプ� ��ント配線板を製造した。

[第5実施例]
図12(C)に第5実施例の出発材料である銅箔(18μm 厚)を示す。第2実施例では、出発材料にキャ� ��ア付金属箔(銅箔)を用いたが、第5実施例で� ��、出発材料に金属箔(銅箔)を用いている。� �れ以外は、第2実施例と同様にプリント配線� ��を製造した。

[第6実施例]
第6実施例の製造方法は、第1実施例の図1(A)か ら図1(D)までは同様な工程である。その後、� �ルダーレジストの開口により露出する金属� �12上に金バンプ(金めっきバンプ)を形成した� ��金めっきバンプは金属箔12をリードにして� �田中貴金属社製のミクロファブAuを用いて形 成された。続いて、金スタッドバンプを有す るICチップと金バンプ(金めっきバンプ)を位� �決めマーク14を基準にして位置あわせした。 その後、金バンプ(金めっきバンプ)と金スタ� ��ドバンプを金属接合することで、金属箔上� ��ICチップを実装した。それ以降は、第1実施� ��の図2(D)から図7までの工程を行い、ICチップ を内蔵したプリント配線板を製造した。

[第7実施例]
図13を参照して第7実施例の改変例に係る多層 プリント配線板の製造方法について説明する 。
(1)三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅 箔(MTSD-H、キャリア(銅箔):35μm、銅箔:5μm)100を 出発材料とした(図13(A))。まず、レーザによ� �銅箔(金属箔)12と支持板101に位置決めマーク1 4を形成した(図13(B))。
(2)金属箔の第1面上に開口60aを有するめっき� �ジスト60を形成した(図13(C))。開口60aは位置� �めマーク14を基準にして形成された。
(3)銅箔(金属箔)12をシードとして、開口60aに� �り露出する銅箔(金属箔)上に金めっきバンプ 60bを形成した(図13(D))。
(4)めっきレジスト60を剥離した(図14(A))。
(5)位置決めマーク14を基準にして、金スタッ� ��バンプ22を有するICチップ20と金めっきバン� ��60bを位置合わせした。その後、その後、金� ��ンプ(金めっきバンプ)と金スタッドバンプ� �金属接合することで、金属箔上にICチップを 実装した(図14(B))。以降は第2実施例の図10(A)� �降の工程を行い、ICチップを内蔵したプリン ト配線板を作成した。