本発明の記述を続ける前に、添付図面にお� ��て同じ部品については同じ参照符号を付し� ��いる。
 以下、本発明の最良の実施の形態について� ��図面を参照しながら説明する。

 《実施形態》
 図1及び図2を用いて、本発明の第1実施形態� ��かかるPDP100の構成について説明する。図1は 、本発明の実施形態にかかるPDP100の基本構造 を模式的に示す斜視図である。PDP100の基本構 造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である 。図2は、PDP100の模式断面図である。

 図1において、PDP100は、PDP用前面板1と、� �面板1に対向配置されたPDP用背面板2とを備え ている。前面板1と背面板2との間の外周部に� ��、ガラスフリットなどの封着部材(図示せず )が配置されている。当該封着部材によって� �PDP100が気密封着され、PDP100の内部に放電空� �30が形成されている。放電空間30には、例え� ��、ネオン(Ne)及びキセノン(Xe)などの放電ガ� �が、例えば400Torr~600Torrの圧力で封入されて� �る。

 前面板1には、ガラス等で構成された前面 基板10を備えている。前面基板10の表面上に� �、帯状の表示電極対11と遮光層(ブラックス� �ライプ)14とが、互いに平行に複数配列(スト� ��イプ状に配置)されている。表示電極対11は� ��互いに並列に配置された帯状の走査電極12� �維持電極13とで構成されている。走査電極12� ��維持電極13とは、図2に示すように、それぞ� ��可視光を透過するための透明電極12a,13aと、 当該透明電極12a,13a上に配置され、各電極の� �抗を低くするためのバス電極12b,13bとの積層� ��造で構成されている。透明電極12a,13aの幅は 、例えば180~200μm程度であり、バス電極12b,13b� ��幅は、例えば60μm~70μm程度である。なお、� �査電極12及び維持電極13の厚みはそれぞれ、� ��光層14の厚みよりも厚い。

 また、前面基板10の表面上には、表示電� �対11及び遮光層14をそれぞれ覆うように誘電� ��層15が配置されている。このように配置さ� �ることにより、誘電体層15はコンデンサとし ての働きをする。

 誘電体層15の表面上には、誘電体層15を覆 うように誘電体保護膜16が設けられている。� ��電体保護膜16は、例えばMgOを主成分とし、EB (電子ビーム)蒸着機やプラズマガン蒸着機な� ��を用いた成膜法、スパッタ法、又はCVD法な� ��に代表される薄膜プロセスで形成されてい� ��。誘電体保護膜16は、放電によって発生し� �高エネルギーのイオンから走査電極12と維持 電極13と誘電体層15とを保護するとともに、� �電空間30に二次電子を効率良く放出して放電 開始電圧を低減する機能を有する。

 誘電体保護膜16の表面上には、例えばMgO� �どの金属酸化物の結晶を含む微粒子の一例� �ある微粒子結晶17が分散されている。ここで は一例として、微粒子結晶17は、単独で生成� ��れたMgOを主成分とし、結晶性が高いMgOを含� ��でいる割合が誘電体保護膜15よりも高く、� �電体保護膜15よりも放電空間30に二次電子を� ��り効率良く放出して放電開始を促す機能を� ��するものとする。この微粒子結晶17は、平� �粒子径が0.9μm~2.0μmの範囲内となるように形� ��されることが好ましい。微粒子結晶17の平� �粒子径が0.9μm未満の場合には、結晶性の高� �MgOの割合が少なく、所望の二次電子の放出� �率を得ることができずに、放電開始を促す� �能が損なわれる恐れがある。一方、微粒子� �晶17の平均粒子径が2.0μmより大きい場合には 、前面板1と背面板2とを対向配置して貼り合� ��せたときに、微粒子結晶17が後述する背面� �2の隔壁23と接触して当該隔壁23を破壊する確 率が上昇する。この場合、不灯などの不良が 発生する確率が上昇することになる。なお、 ここでいう平均粒子径とは、体積累積平均径 (D50)を意味する。

 また、図2(及び図6)に示すように、誘電体 保護膜16の表面において、走査電極12のバス� �極12bと対向する領域を領域X(第1領域)とし、� ��域Xを除く残りの領域を領域Y(第2領域)とし� �とき、誘電体保護膜16の表面が微粒子結晶17� ��覆われる被覆率は領域Xの方が領域Yよりも� �さくなっている。この被覆率については、� �で詳しく説明する。

 背面板2は、ガラス等で構成された背面基 板20を備えている。背面基板20の表面上には� �複数の帯状のアドレス電極21が、それぞれ表 示電極対16と直交するとともに、互いに平行� ��配置されている。

 また、背面基板20の表面上には、それぞ� �のアドレス電極21を覆うように下地誘電体層 22が配置されている。下地誘電体層22上には� �放電空間30をアドレス電極21毎に区画するよ� ��に、アドレス電極21の延在方向と平行に複� �の隔壁23が配列されている。互いに隣り合う 隔壁23,23の側面と下地誘電体層22とで形成さ� �る溝部24には、紫外線により赤色、緑色、又 は青色に発光する蛍光体層25が順次塗布され� ��いる。

 前記構成により、表示電極対11とアドレ� �電極21とが互いに直交する交差部には、それ ぞれ放電セル31が形成される。すなわち、放� ��セル31は、マトリクス状に配置されている� �これらの放電セル31がPDP100の画像表示部とな り、表示電極対11の延在方向に並ぶ赤色、緑� ��、及び青色の蛍光体層25を有する3個の放電� ��ル31が、カラー表示のための画素となる。

 例えば、外部に設置された駆動回路から� ��走査電極12とアドレス電極21との間、及び走 査電極12と維持電極13との間に各駆動信号が� �次印加されると、各放電セル31内にガス放電 が発生する。より詳しくは、点灯すべき放電 セル31における走査電極12とアドレス電極21と の間では、誘電体保護膜16の表面に電荷を蓄� ��するアドレス放電が発生し、走査電極12と� �持電極13との間では、前記電荷が蓄積された 放電セル31において、画像形成に用いられる� ��外線を発生する維持放電が発生する。PDP100� ��、このようにして点灯すべき放電セル31内� �発生した紫外線が、当該放電セル31に対応す る蛍光体層25を励起して可視光を発光させる� ��とにより、カラー映像を表示することがで� ��る。

 次に、誘電体保護膜16の表面が微粒子結� �17に覆われる被覆率について説明する。ここ で、被覆率とは、誘電体保護膜16の表面が微� ��子結晶17に覆われる面積の割合を意味する� �この被覆率は、例えば、最大発光波長550nmの ハロゲン光源に対する直線透過率の減少率に より評価することができる。

 図3は、誘電体保護膜16の表面全体におけ� ��被覆率と放電遅延バラツキ比率との関係を� ��すグラフである。ここで「放電遅延バラツ� ��」とは、各放電セル31において、走査電極12 とアドレス電極21との間に電圧を印加してか� ��アドレス放電が開始されるまでの時間のバ� ��ツキ幅を意味する。この放電遅延バラツキ� ��、被覆率に応じて変化するものである。「� ��電遅延バラツキ比率」とは、誘電体保護膜1 6の表面上に微粒子結晶17を全く配置していな い場合の基準放電遅延バラツキに対する放電 遅延バラツキの割合を百分率で示したものを いう。誘電体保護膜16の電子放出特性が高い� ��、放電遅延バラツキ比率は小さくなり、画� ��のちらつきなどの画像劣化の原因となるア� ��レス放電ミス(いわゆる、書き込み不良)を� �ぐことができる。

 図3に示すように、被覆率が増加すると、 放電遅延バラツキ比率は低くなる。例えば、 被覆率が5%のとき、放電遅延バラツキ比率は� ��20%である。すなわち、誘電体保護膜16の表� �の5%に微粒子結晶17を分散することで、放電� ��延バラツキ比率を80%低減することができ、� ��電体保護膜16の電子放出特性を大幅に改善� �ることができる。

 図4は、誘電体保護膜16の表面全体におけ� ��被覆率と放電開始電圧(Vscn_pdともいう)の上� ��率との関係を示すグラフである。ここで、� ��放電開始電圧」とは、アドレス放電が開始� ��れるのに必要な電圧をいう。「放電開始電� ��上昇率」とは、誘電体保護膜16の表面上に� �粒子結晶17を全く配置していない場合の基準 放電開始電圧に対する放電開始電圧の上昇量 の比率を百分率で示したものをいう。

 図4に示すように、被覆率が増加すると、 放電開始電圧上昇率は大きくなる。これは、 被覆率の増加に伴い、誘電体保護膜16の露出� ��面が少なくなるため、蓄積可能な電荷量(以 下、壁電荷量という)が低減し、アドレス放� �に十分な壁電荷量を得ることができず、走� �電極5とアドレス電極12の間に十分な電位差� �形成されていないためと考えられる。

 なお、放電開始電圧は低い程、PDP100のパ� ��ル設計上でも低電圧で駆動できることにな� ��ため、電源や各電気部品として、耐圧及び� ��量の小さい部品を使用することが可能とな� ��。なお、各走査電極12に電圧を順次印加す� �ためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子� �して、例えば耐圧150V程度の素子を使用した� ��合には、放電開始電圧は、温度による変動� ��考慮して100V以下に抑えることが求められる 。

 図3及び図4の関係より、放電遅延バラツ� �を小さく(電子放出特性を改善)するためには 、被覆率を大きくする必要があるが、放電開 始電圧上昇率を小さくするためには、被覆率 を小さくする必要があることが分かる。すな わち、放電遅延バラツキを小さくすることと 、放電開始電圧上昇率を小さくすることとは 、トレードオフの関係にある。

 このため、放電遅延バラツキを小さくす� ��とともに放電開始電圧上昇率を小さくする� ��は、被覆率を一定の範囲内で設定すること� ��好ましい。ここで、誘電体保護膜16の表面� �体における被覆率が5%未満の場合には、放電 遅延バラツキの低減効果が少ないだけでなく 、PDP100を量産するときに微粒子結晶17の配置� ��製造上のばらつきが想定以上に大きくなる� ��れがある。一方、誘電体保護膜16の表面全� �における被覆率が11%より大きい場合には、� �4より放電開始電圧上昇率が約30%以上となる� ��とがある。この場合、PDP100の量産時に生じ� ��誘電体保護膜16の特性のバラツキを考慮す� �と、放電開始電圧が100V以上になるものが発� ��する恐れがある。この場合には、前記した� ��うに、各走査電極12に電圧を順次印加する� �めの半導体スイッチング素子として、耐圧15 0V程度の素子を使用することができない。従� ��て、誘電体保護膜16の表面全体における被� �率は、約5%~約11%の範囲内で設定することが� �ましい。

 図5の実線で示す曲線は、誘電体保護膜16� ��表面全体における被覆率を8%としたときの� �領域Yにおける被覆率Y1に対する領域Xにおけ� ��被覆率X1の割合(X1/Y1)と放電開始電圧上昇率� ��の関係を示している。なお、誘電体保護膜1 6の表面全体における被覆率が変化した場合� �は、前記割合(X1/Y1)と放電開始電圧上昇率と� ��関係を示す曲線は、図4に示すように誘電体 保護膜16の表面全体における被覆率と放電開� ��電圧上昇率とがリニアな関係(比例関係)に� �るので、図5のほぼ上下方向に平行移動する� ��のと思われる。図5において、点線で示す曲 線は、下から順に、誘電体保護膜16の表面全� ��における被覆率が5%、10%、11%であるときに� �すと思われる、前記割合(X1/Y1)と放電開始電� ��上昇率との関係を示している。

 誘電体保護膜16の表面全体における被覆� �が8%の場合において、被覆率Y1に対する被覆� ��X1の割合を1.0にしたとき、すなわち領域X及� ��領域Yの区別無く誘電体保護膜16の表面全体� ��おいて均一の被覆率としたとき、図5より放 電開始電圧上昇率は約20%である。一方、被覆 率Y1に対する被覆率X1の割合を例えば0.7にし� �とき、図5より放電開始電圧上昇率は約13%で� ��る。すなわち、被覆率Y1に対する被覆率X1の 割合を1.0から0.7まで低くすることで、放電開 始電圧上昇率を約20%から約13%まで減少させる ことができる。

 また、図5より、放電開始電圧上昇率は被 覆率Y1に対する被覆率X1の割合が約1.0である� �きを境にして急激に低減していくことが分� �る。従って、被覆率Y1に対する被覆率X1の割� ��を約1.0より小さくすることで、言い換えれ� ��、領域Xにおける被覆率X1を領域Yにおける被 覆率Y1よりも小さくすることで、放電開始電� ��上昇率を抑えることができる。図6は、領域 Xにおける被覆率X1が領域Yにおける被覆率Y1よ りも小さくなるように微粒子結晶17を誘電体� ��護膜16の表面上に配置した一例を拡大平面� �として示している。

 なお、被覆率X1は、被覆率Y1よりも小さけ れば小さいほど好ましいが、PDP100の量産時に おける製造上のバラツキにより、被覆率Y1に� ��する被覆率X1の割合は±0.05程度、すなわち0. 95~1.05の範囲内でバラツキがあるものと考え� �れる。この場合、前記製造上のバラツキに� �り、被覆率X1が被覆率Y1よりも小さくなるも� ��が生じることが考えられるが、本発明はこ� ��を含むことを意図しない。前記製造上のバ� ��ツキを含まないことを明確にするため、被� ��率Y1に対する被覆率X1の割合を0.9以下、すな わち被覆率X1を被覆率Y1の90%以下とすること� �より好ましい。この場合、前記製造上のバ� �ツキがあったとしても、被覆率X1は被覆率Y1� ��りも確実に小さくなる。また、図5に示すよ うに、被覆率Y1に対する被覆率X1の割合が0.9� �下であるときの勾配は、前記割合が0.9~1.0で� ��るときの勾配に比べて急勾配になっている� ��従って、放電開始電圧上昇率の抑制効果が� ��り高い。

 本発明の実施形態かかる前面板1によれば 、走査電極12のバス電極12bと対向する領域Xに おける被覆率X1が、領域Xを除く残りの領域Y� �おける被覆率Y1よりも小さくなるように構成 しているので、領域Xと領域Yの被覆率を同一� ��した場合と比べて、領域Xではより多くの壁 電荷量を得ることができる。ここで、領域X� �、アドレス放電時に印加される電圧がピー� �となる領域であり、アドレス放電の電圧印� �時において印加前の電位差を大きく保つ必� �のある領域である。従って、領域Xにおいて� ��り多くの壁電荷量が得られることによって� ��アドレス放電に必要な走査電極12とアドレ� �電極21との間の電位差を十分に確保すること ができ、放電開始電圧の上昇をさらに抑制す ることができる。また、このとき、誘電体保 護膜16の表面全体における被覆率は変化させ� ��必要がないので、電子放出特性の改善効果� ��維持することができる。従って、本発明の� ��施形態にかかる前面板1によれば、微粒子結 晶17を分散することにより電子放出特性を改� ��しつつ、放電開始電圧の上昇をさらに抑制� ��ることができる。

 なお、前記では、走査電極12のバス電極12 bと対向する領域Xにおける被覆率X1が、領域X� ��除く残りの領域Yにおける被覆率Y1よりも小� ��くなるように構成したが、本発明はこれに� ��定されない。例えば、誘電体保護膜16の表� �において、走査電極12のバス電極12b及び維持 電極13のバス電極13bと対向する領域M(第3領域) における被覆率が、図7及び図8に示すように� ��当該領域Mを除く残りの領域N(第3領域)にお� �る被覆率よりも小さくなるように構成して� �よい。バス電極12b,13bと対向する領域Mは、ア ドレス放電時に電圧を印加される領域を含み 、アドレス放電の電圧印加時において印加前 の電位差を大きく保つ必要のある領域である 。従って、誘電体保護膜16の表面に同量の微� ��子結晶17を分散する場合において、領域Mに� ��ける被覆率を他の領域Nよりも小さくするこ とで、当該領域Mにおける壁電荷量を増やす� �とができ、放電開始電圧の上昇をさらに抑� �することができる。また、誘電体保護膜16の 表面全体における被覆率は変化させる必要が ないので、電子放出特性の改善効果は維持す ることができる。なお、被覆率X1,Y1について� ��述したのと同様の理由で、領域Mにおける被 覆率は領域Nにおける被覆率の90%以下である� �とが好ましい。

 次に、本発明の実施形態にかかる前面板1 の製造方法について説明する。ここでは一例 として、バス電極12b,13bを覆う誘電体保護膜16 の部分が、図9に示すように、それぞれの電� �12,13の厚みの影響により例えば2μm程度隆起� �、当該隆起部分を利用して、領域Mにおける� ��覆率が領域Nにおける被覆率よりも小さくな るようにした前面板1の製造方法について説� �する。

 まず、前面基板10上に、表示電極対11及び 遮光層14と誘電体層15と誘電体保護膜16とを順 に積層形成したものを準備するとともに、粘 度及び蒸気圧の異なる2つの揮発性溶媒(例え� ��アルコール系溶媒)を混合した溶媒に微粒子 結晶17を分散したインクを準備する。このと� ��、誘電体保護膜16は、バス電極12b,13bを覆う� ��電体保護膜16の部分がそれぞれの電極12,13の 厚みの影響により隆起するように形成されて いる。

 次いで、スリットコータ工法により、誘電� ��保護膜16の表面上に前記インクを、液膜厚� �10μm以上20μm以下になるように塗布する。
 次いで、前記インクを真空乾燥して前記混� ��溶媒を蒸発気化させ、誘電体保護膜16の表� �上に微粒子結晶17を残存させる。

 前記前面板1の製造方法において、混合溶 媒は、25℃での粘度が5mPa・s以上10mPa・s以下� �あるものとする。また、混合溶媒を構成す� �一方の溶媒と他方の溶媒との蒸気圧差は100Pa 以上とする。前記のように混合溶媒の粘度及 び蒸気圧差を設定した理由については、後で 詳しく説明する。

 また、混合溶媒のうち一方の溶媒の25℃� �蒸気圧は、量産時に溶媒の自然気化による� �量変化を少なく安定させるために500Pa以下と し、他方の溶媒の25℃での蒸気圧は、前記真� ��乾燥時に残留せずに乾燥するように10Pa以下 とする。また、インク中における微粒子結晶 17は、インクが10μm以上20μm以下の液膜厚で塗 布されて真空乾燥されたときに、前述した被 覆率5%~12%を実現できるように、0.4wt%~1.0wt%の� �量濃度で分散されている。

 また、前記スリットコータ工法は、例え� ��、インクを圧送するポンプと、インク圧を� ��一化するマニホールドと呼ばれる液溜まり� ��液流れを均質化するスリットを有するダイ� ��を使用して行うことができる。誘電体保護� ��16の表面とダイ先端とのギャップ距離を100μ m以上150μm以下の範囲内に保ちながらインク� �圧送するポンプの印圧とダイの塗布速度を50 mm/sで一定に作動させることで、誘電体保護� �16の表面上にインクを、液膜厚が10μm以上20μ m以下になるように塗布することができる。

 なお、ギャップ距離を100μm以上としたの� ��、誘電体保護膜16の表面の凹凸や塗布動作� �機械精度の観点から、ダイ先端と誘電体保� �膜16の表面との衝突を防止して安定的に量産 できるようにするためである。なお、インク の液膜厚が10μm未満である場合には、ギャッ� ��距離が100μm未満でなければ、インクを均一� ��液膜厚にすることができない。一方、誘電� ��保護膜16の表面上に塗布されるインクの液� �厚が20μmより大きい場合には、前記真空乾燥 のために搬送される際に、当該搬送に使用さ れるローラなどに起因する温度ムラの影響で 、インクの液膜厚の均一性が損なわれる恐れ がある。このため、ここでは、インクの液膜 厚を10μm以上20μm以下としている。

 また、ギャップ距離を150μm以下としたの� ��、25℃での粘度が5mPa・s以上10mPa・s以下であ る混合溶液を含むインクを、均一な液膜厚で 塗布するためである。なお、塗布速度50mm/sは 、生産性により固定されている。

 また、前記真空乾燥は、例えば、金属容� ��内にインクの真空乾燥前の前面板1を設置し たのち、ドライ真空ポンプによって金属容器 内を、例えば真空度が3Pa以下になるまで真空 排気することにより行うことができる。

 次に、混合溶媒の粘度について説明する� ��

 混合溶媒の25℃での粘度を5mPa・s未満とし た場合、塗布したインクが所望の塗布エリア よりさらに広がり、前面板1と背面板2とを気� ��封着するガラスフリットなどの封着部材に� ��着し、気密性が損なわれる恐れがある。一� ��、混合溶媒の25℃での粘度を10mPa・sより大� �くした場合、前記液膜厚を上限値である20μm としたときに、均一な液膜厚を得るために必 要なギャップ距離を100μm未満にする必要性が 生じる。ギャップ距離を100μm未満にした場合 には、前述したように、安定的に量産するこ とが困難になる。このため、ここでは、混合 溶媒の25℃での粘度を、5mPa・s以上10mPa・s以� �としている。

 次に、混合溶媒を構成する一方の溶媒と� ��方の溶媒との蒸気圧差を100Pa以上とした理� �について説明する。

 前記蒸気圧差を100Pa以上とした主な理由� �、領域Mにおける被覆率が領域Nにおける被覆 率よりも小さくなるようにするためである。

 本実施形態にかかる前面板1において、誘 電体保護膜16は、上述したように走査電極12� �び維持電極13のバス電極12b,13bを覆う部分が� �図9に示すように断面で見たとき、それぞれ� ��電極12,13の厚みの影響により例えば2μm程度� ��起している。このため、例えば、微粒子結� ��17を低粘度の揮発性溶媒に分散して誘電体� �護膜16の表面上に塗布した場合には、液膜表 面の形状が重力によりレベリングされる際に 、誘電体保護膜16の凹凸により、前記溶媒の� ��面張力が隆起部分16a,16aに向かって発生する 。このため、前記溶媒中に分散された微粒子 結晶17が隆起部分16a,16aに移動する。この結果 、走査電極12及び維持電極13のバス電極12b,13b� ��対向する領域Mにおける被覆率が、それ以外 の領域Nの被覆率よりも大きくなってしまう� �

 これに対して、本実施形態のように混合� ��媒に微粒子結晶17を分散したインクを誘電� �保護膜16の表面に塗布した場合には、前記と 同様に、インクの表面の形状がレベリングさ れる際に、インクの表面張力が隆起部分16a,16 aに向かって発生するが、混合溶媒を構成す� �一方の高粘度溶媒の粘性により微粒子結晶17 の移動が抑制される。さらに、前記真空乾燥 時においては、混合溶媒のうち蒸気圧が高い 溶媒から乾燥するため、混合溶媒において蒸 気圧が低い溶媒の占める割合が増加する。一 般に、蒸気圧が低い溶媒の方がその粘度は高 い。このため、蒸気圧が低い溶媒の占める割 合が増加した場合には、混合溶媒としての粘 度が増加することになる。従って、微粒子結 晶17の移動を抑制する効果がさらに高くなる� ��このとき、前記蒸気圧差を100Pa以上とする� �、微粒子結晶17の移動を抑制する効果をさら に高めることができる。

 また、前記レベリング後のインクの液膜� ��は、隆起部分16a,16aよりもそれ以外の凹状部 分の方が厚くなる。このため、前記真空乾燥 後に誘電体保護膜16の表面上に残存する微粒� ��結晶17の量は、隆起部分16a,16aの方が凹状部� ��よりも少なくなる。これにより、領域Mにお ける被覆率が領域Nにおける被覆率よりも小� �くなる。

 本実施形態にかかる前面板1の製造方法に よれば、領域Mにおける被覆率を領域Nにおけ� ��被覆率よりも小さくすることを、低コスト� ��実現することができる。また、揮発性溶媒� ��揮発させることにより微粒子結晶17を誘電� �保護膜16の表面上に配置するようにしている ので、微粒子結晶17が凝集して偏在すること� ��抑えることができる。

 なお、本発明は前記製造方法に限定され� ��ものではなく、その他種々の態様で実施で� ��る。例えば、スクリーン印刷工法を利用し� ��、微粒子結晶17を分散した高粘度のペース� �を誘電体保護膜16の表面に塗布したのち乾燥 、焼成することによっても、本実施形態の微 粒子結晶17の配置を実現することができる。

 なお、前記乾燥の前に走査電極12に電圧� �印加することで、電気抵抗熱を発生させて� �査電極12のバス電極12bと対向する領域Xの温� �を上昇させ、領域X近傍の液膜の表面張力を� ��下させることができる。これにより、領域X 近傍の液膜から領域Yに向かって表面張力が� �生して領域X上の微粒子結晶17が領域Yへ移動� ��、本実施形態の微粒子結晶17の配置を実現� �ることができる。

 なお、前記では、走査電極12に電圧を印� �することで領域Xの温度を上昇させたが、別� ��加熱手段を設けて、当該加熱手段により走� ��電極12を加熱することで、領域Xの温度を上� ��させてもよい。