以下、本発明について詳細に説明する。
 まず、本発明の第1の実施態様について詳細 に説明する。
 本発明の第1の実施態様の置換基脱離化合物 の製造方法は、特定の化合物を溶媒に溶解さ せる工程、及び該化合物から前記置換基を脱 離させる工程を含む。ここで、前記特定の化 合物はA-(B) _m で表される。式中、Aは溶媒不溶性化合物残� �を表し、Bは前記一般式(I)で表される溶媒可� ��性基を表し、mは自然数を表す。以下、溶媒 可溶性基Bを有する化合物A-(B) _m を「溶媒可溶性前駆体化合物」という。
 本発明の第1の実施態様の製造方法に用いら れる溶媒可溶性前駆体化合物において、溶媒 可溶性基Bは、溶媒不溶性化合物残基A中の炭� ��原子に結合している。そして、置換基を脱� ��させる工程で、溶媒不溶性化合物残基A中の 炭素原子に結合していた溶媒可溶性基Bが脱� �し、代わりに水素原子が結合した溶媒不溶� �化合物、好ましくはA-(H) _m (式中、Aは溶媒不溶性化合物残基を表し、Hは 水素原子を表す。mは自然数を表す。)で表さ� ��る化合物が得られる。

 本発明の第1の実施態様に用いられる溶媒 可溶性前駆体化合物は、溶媒不溶性化合物に おける任意の炭素原子に結合した水素原子等 を取り去った溶媒不溶性化合物残基Aに、溶� �可溶性基Bが結合した構造をしている。ここ� ��、溶媒可溶性基Bは、下記一般式(I)で表され る。

 前記一般式(I)中、Xは水素原子又は置換基 を表し、nは1又は2の整数を表す。

 Xで表される置換基の例としては、ハロゲ ン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビ� �クロアルキル基等の環状構造を含む。)、ア� ��ケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロア ルケニル基等の環状構造を含む。)、アルキ� �ル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基� �ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、� �ルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオ� �シ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基� �カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボ� �ルオキシ基、アリールオキシカルボニルオ� �シ基、アミノ基(アニリノ基を含む。)、アシ ルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、ア ルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキ シカルボニルアミノ基、スルファモイルアミ ノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミ ノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリ ールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイ ル基、スルホ基、アルキル又はアリールスル フィニル基、アルキル又はアリールスルホニ ル基、アシル基、アリールオキシカルボニル 基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル 基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基 、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィ ニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリ ル基が挙げられる。

 更に詳しくは、Xで表される置換基の例と しては、ハロゲン原子(例えば、塩素原子、� �素原子、ヨウ素原子)、アルキル基〔直鎖、� ��岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル� ��を表す。これらは、アルキル基(好ましくは 炭素数1~30のアルキル基、例えばメチル、エ� �ル、n-プロピル、イソプロピル、t-ブチル、n -オクチル、エイコシル、2-クロロエチル、2-� ��アノエチル、2―エチルヘキシル)、シクロ� �ルキル基(好ましくは、炭素数3~30の置換また は無置換のシクロアルキル基、例えば、シク ロヘキシル、シクロペンチル、4-n-ドデシル� �クロヘキシル)、ビシクロアルキル基(好まし くは、炭素数5~30の置換もしくは無置換のビ� �クロアルキル基、つまり、炭素数5~30のビシ� ��ロアルカンから水素原子を一個取り去った� ��価の基である。例えば、ビシクロ[1,2,2]ヘプ タン-2-イル、ビシクロ[2,2,2]オクタン-3-イル)� ��更に環構造が多いトリシクロ構造なども包� ��するものである。以下に説明する置換基に� ��いても、特に断らない限り、アルキル基(例 えばアルキルチオ基のアルキル基)は、上記� �念のアルキル基を表す。〕、

アルケニル基[直鎖、分岐、環状の置換も� �くは無置換のアルケニル基を表す。それら� �、アルケニル基(好ましくは炭素数2~30の置換 または無置換のアルケニル基、例えば、ビニ ル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル )、シクロアルケニル基(好ましくは、炭素数3 ~30の置換もしくは無置換のシクロアルケニル 基、つまり、炭素数3~30のシクロアルケンの� �素原子を一個取り去った一価の基である。� �えば、2-シクロペンテン-1-イル、2-シクロヘ� ��セン-1-イル)、ビシクロアルケニル基(置換� �しくは無置換のビシクロアルケニル基、好� �しくは、炭素数5~30の置換もしくは無置換の� ��シクロアルケニル基、つまり二重結合を一� ��持つビシクロアルケンの水素原子を一個取� ��去った一価の基である。例えば、ビシクロ[ 2,2,1]ヘプト-2-エン-1-イル、ビシクロ[2,2,2]オ� �ト-2-エン-4-イル)を包含するものである。]、

アルキニル基(好ましくは、炭素数2~30の置� ��または無置換のアルキニル基、例えば、エ� ��ニル、プロパルギル、トリメチルシリルエ� ��ニル基、アリール基(好ましくは炭素数6~30� �置換もしくは無置換のアリール基、例えば� �ェニル、p-トリル、ナフチル、m-クロロフェ� ��ル、o-ヘキサデカノイルアミノフェニル)、� ��テロ環基(好ましくは5または6員の置換もし� ��は無置換の、芳香族性もしくは非芳香族性� ��ヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り� ��いた一価の基であり、更に好ましくは、炭� ��数3~30の5もしくは6員の芳香族のヘテロ環基� ��ある。例えば、2-フリル、2-チエニル、2-ピ� ��ミジニル、2-ベンゾチアゾリル)、シアノ基� ��ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、

アルコキシ基(好ましくは、炭素数1~30の置� ��もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、� ��トキシ、エトキシ、イソプロポキシ、t-ブ� �キシ、n-オクチルオキシ、2-メトキシエトキ� ��)、アリールオキシ基(好ましくは、炭素数6~ 30の置換もしくは無置換のアリールオキシ基� ��例えば、フェノキシ、2-メチルフェノキシ� �4-t-ブチルフェノキシ、3-ニトロフェノキシ� �2-テトラデカノイルアミノフェノキシ)、シ� �ルオキシ基(好ましくは、炭素数3~20のシリル オキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ 、t-ブチルジメチルシリルオキシ)、ヘテロ環 オキシ基(好ましくは、炭素数2~30の置換もし� ��は無置換のヘテロ環オキシ基、1-フェニル� �トラゾール-5-オキシ、2-テトラヒドロピラニ ルオキシ)、アシルオキシ基(好ましくはホル� ��ルオキシ基、炭素数2~30の置換もしくは無置 換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6~3 0の置換もしくは無置換のアリールカルボニ� �オキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセ� �ルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイ� �オキシ、ベンゾイルオキシ、p-メトキシフェ ニルカルボニルオキシ)、

カルバモイルオキシ基(好ましくは、炭素� �1~30の置換もしくは無置換のカルバモイルオ� ��シ基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイルオ キシ、N,N-ジエチルカルバモイルオキシ、モ� �ホリノカルボニルオキシ、N,N-ジ-n-オクチル� ��ミノカルボニルオキシ、N-n-オクチルカルバ モイルオキシ)、アルコキシカルボニルオキ� �基(好ましくは、炭素数2~30の置換もしくは無 置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えば メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボ ニルオキシ、t-ブトキシカルボニルオキシ、n -オクチルカルボニルオキシ)、アリールオキ� ��カルボニルオキシ基(好ましくは、炭素数7~3 0の置換もしくは無置換のアリールオキシカ� �ボニルオキシ基、例えば、フェノキシカル� �ニルオキシ、p-メトキシフェノキシカルボニ ルオキシ、p-n-ヘキサデシルオキシフェノキ� �カルボニルオキシ)、

アミノ基(好ましくは、アミノ基、炭素数1~ 30の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基� ��炭素数6~30の置換もしくは無置換のアニリノ 基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチ ルアミノ、アニリノ、N-メチル-アニリノ、ジ フェニルアミノ)、アシルアミノ基(好ましく� ��、ホルミルアミノ基、炭素数1~30の置換もし くは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、 炭素数6~30の置換もしくは無置換のアリール� �ルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミ� �、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラ� �ロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、3,4,5-ト� �-n-オクチルオキシフェニルカルボニルアミ� �)、アミノカルボニルアミノ基(好ましくは、 炭素数1~30の置換もしくは無置換のアミノカ� �ボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミ� �、N,N-ジメチルアミノカルボニルアミノ、N,N- ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリ ノカルボニルアミノ)、

アルコキシカルボニルアミノ基(好ましく� �炭素数2~30の置換もしくは無置換アルコキシ� ��ルボニルアミノ基、例えば、メトキシカル� ��ニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、t -ブトキシカルボニルアミノ、n-オクタデシル オキシカルボニルアミノ、N-メチルーメトキ� ��カルボニルアミノ)、アリールオキシカルボ ニルアミノ基(好ましくは、炭素数7~30の置換� ��しくは無置換のアリールオキシカルボニル� ��ミノ基、例えば、フェノキシカルボニルア� ��ノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ� �m-(n-オクチルオキシ)フェノキシカルボニル� �ミノ)、スルファモイルアミノ基(好ましくは 、炭素数0~30の置換もしくは無置換のスルフ� �モイルアミノ基、例えば、スルファモイル� �ミノ、N,N-ジメチルアミノスルホニルアミノ� ��N-n-オクチルアミノスルホニルアミノ)、

アルキル又はアリールスルホニルアミノ基 (好ましくは炭素数1~30の置換もしくは無置換� ��アルキルスルホニルアミノ、炭素数6~30の置 換もしくは無置換のアリールスルホニルアミ ノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチ ルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルア ミノ、2,3,5-トリクロロフェニルスルホニルア ミノ、p-メチルフェニルスルホニルアミノ)、 メルカプト基、アルキルチオ基(好ましくは� �炭素数1~30の置換もしくは無置換のアルキル� ��オ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、n-� �キサデシルチオ)、アリールチオ基(好ましく は炭素数6~30の置換もしくは無置換のアリー� �チオ、例えば、フェニルチオ、p-クロロフェ ニルチオ、m-メトキシフェニルチオ)、ヘテロ 環チオ基(好ましくは炭素数2~30の置換または� ��置換のヘテロ環チオ基、例えば、2-ベンゾ� �アゾリルチオ、1-フェニルテトラゾール-5-イ ルチオ)、

スルファモイル基(好ましくは炭素数0~30の� ��換もしくは無置換のスルファモイル基、例� ��ば、N-エチルスルファモイル、N-(3-ドデシル オキシプロピル)スルファモイル、N,N-ジメチ� ��スルファモイル、N-アセチルスルファモイ� �、N-ベンゾイルスルファモイル、N-(N‘-フェ� ��ルカルバモイル)スルファモイル)、スルホ� �、アルキル又はアリールスルフィニル基(好� ��しくは、炭素数1~30の置換または無置換のア ルキルスルフィニル基、6~30の置換または無� �換のアリールスルフィニル基、例えば、メ� �ルスルフィニル、エチルスルフィニル、フ� �ニルスルフィニル、p-メチルフェニルスルフ ィニル)、アルキル又はアリールスルホニル� �(好ましくは、炭素数1~30の置換または無置換 のアルキルスルホニル基、6~30の置換または� �置換のアリールスルホニル基、例えば、メ� �ルスルホニル、エチルスルホニル、フェニ� �スルホニル、p-メチルフェニルスルホニル)� �

アシル基(好ましくはホルミル基、炭素数2~ 30の置換または無置換のアルキルカルボニル� ��、炭素数7~30の置換もしくは無置換のアリー ルカルボニル基、炭素数4~30の置換もしくは� �置換の炭素原子でカルボニル基と結合して� �るヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチ� �、ピバロイル、2-クロロアセチル、ステアロ イル、ベンゾイル、p-n-オクチルオキシフェ� �ルカルボニル、2―ピリジルカルボニル、2― フリルカルボニル)、アリールオキシカルボ� �ル基(好ましくは、炭素数7~30の置換もしくは 無置換のアリールオキシカルボニル基、例え ば、フェノキシカルボニル、o-クロロフェノ� ��シカルボニル、m-ニトロフェノキシカルボ� �ル、p-t-ブチルフェノキシカルボニル)、アル コキシカルボニル基(好ましくは、炭素数2~30� ��置換もしくは無置換アルコキシカルボニル� ��、例えば、メトキシカルボニル、エトキシ� ��ルボニル、t-ブトキシカルボニル、n-オクタ デシルオキシカルボニル)、カルバモイル基(� ��ましくは、炭素数1~30の置換もしくは無置換 のカルバモイル、例えば、カルバモイル、N-� ��チルカルバモイル、N,N-ジメチルカルバモイ ル、N,N-ジ-n-オクチルカルバモイル、N-(メチ� �スルホニル)カルバモイル)、

アリール又はヘテロ環アゾ基(好ましくは� �素数6~30の置換もしくは無置換のアリールア� ��基、炭素数3~30の置換もしくは無置換のヘテ ロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、p-クロ� ��フェニルアゾ、5-エチルチオ-1,3,4-チアジア� ��ール-2-イルアゾ)、イミド基(好ましくは、N- スクシンイミド、N-フタルイミド)、ホスフィ ノ基(好ましくは、炭素数2~30の置換もしくは� ��置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホ� ��フィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフ� ��ノキシホスフィノ)、ホスフィニル基(好ま� �くは、炭素数2~30の置換もしくは無置換のホ� ��フィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオ� ��チルオキシホスフィニル、ジエトキシホス� ��ィニル)、ホスフィニルオキシ基(好ましく� �、炭素数2~30の置換もしくは無置換のホスフ� ��ニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホス� ��ィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィ� ��ルオキシ)、ホスフィニルアミノ基(好まし� �は、炭素数2~30の置換もしくは無置換のホス� ��ィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホス� ��ィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニ� ��アミノ)、シリル基(好ましくは、炭素数3~30� ��置換もしくは無置換のシリル基、例えば、� ��リメチルシリル、t-ブチルジメチルシリル� �フェニルジメチルシリル)が挙げられる。

 上記の置換基の中で、水素原子を有する� ��のは、これを取り去り更に上記の基で置換� ��れていてもよい。そのような置換基の例と� ��ては、アルキルカルボニルアミノスルホニ� ��基、アリールカルボニルアミノスルホニル� ��、アルキルスルホニルアミノカルボニル基� ��アリールスルホニルアミノカルボニル基が� ��げられる。その例としては、メチルスルホ� ��ルアミノカルボニル、p-メチルフェニルス� �ホニルアミノカルボニル、アセチルアミノ� �ルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基� �挙げられる。また、Xはさらに置換基によっ� ��置換されていてもよい。

 前記一般式(I)においてnは2であることが� �ましく、前記一般式(I)で表される置換基は� �好ましくは下記一般式(II)で表される置換基� ��ある。

 前記一般式(II)中、Xは、前記一般式(I)にお� �るXと同義であり、好ましい範囲も同様であ� ��。
 さらに、前記一般式(II)で表される置換基は 、好ましくは下記一般式(III)で表される置換� ��である。

 前記一般式(III)中、R ¹ ~R ³ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表 す。R ¹ ~R ³ のうち、2つ以上が水素原子以外の置換基で� �ることが好ましく、より好ましくは3つとも� ��素原子以外の置換基である場合である。

 R ¹ ~R ³ で表される置換基の例としては、それぞれ独 立に、前記のXで表される置換基の例として� �げたものと同様である。また、R ¹ 、R ² 、R ³ は互いに連結して環を形成してもよい。
 R ¹ ~R ³ で表される置換基として好ましくは、それぞ れ独立に、ハロゲン原子、炭素数1~30の置換� �しくは無置換のアルキル基、炭素数6~30の置� ��もしくは無置換のアリール基、5または6員� �置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ� �、炭素数1~30の置換もしくは無置換のアルコ� ��シ基、炭素数2~30の置換または無置換のアル キルカルボニル基、炭素数7~30の置換もしく� �無置換のアリールカルボニル基、炭素数2~30� ��置換もしくは無置換アルコキシカルボニル� ��、炭素数7~30の置換もしくは無置換のアリー ルオキシカルボニル基である。さらに好まし くは、ハロゲン原子、炭素数1~30のアルキル� �、シアノ基、炭素数2~30の置換または無置換� ��アルキルカルボニル基、炭素数2~30の置換も しくは無置換アルコキシカルボニル基である 。最も好ましくは、R ¹ ~R ³ がいずれもメチル基の場合である。

 化合物分子内に有する前記一般式(I)で表� ��れる置換基の数に特に制限はない。溶媒可� ��性や成膜性の観点からは、前記置換基の数� ��多いほど有利であるが、その一方、薄膜の� ��一性の観点からは、置換基の脱離前後での� ��積変化が小さい方が好ましい。そのため、� ��子内に有する前記一般式(I)で表される置換� ��の数は1個~4個であることが好ましい。前記� ��般式(I)で表される置換基を分子内に複数有� ��る場合は、それらは同一であっても異なっ� ��いてもよい。

 本発明の第1の実施態様の製造方法に用いら れる溶媒可溶性前駆体化合物は、上述のとお り溶媒可溶性基を有しており、溶媒不溶性化 合物における任意の水素原子等を取り去った 溶媒不溶性化合物残基に、溶媒可溶性基が結 合した構造をしている。そして本発明の第1� �実施態様の置換基脱離化合物の製造方法に� �いては、上記前駆体化合物の溶媒可溶性基� �脱離させ、溶媒不溶性の化合物とする。
 本発明の第1の実施態様において、「溶媒可 溶性」とは、溶媒に対して、溶剤を加熱還流 した後に室温まで冷却した状態で0.1質量%以� �の溶解度を有することをいう。好ましくは0. 5質量%以上であり、より好ましくは1質量%以� �である。また、「溶媒不溶化」とは、前記� �媒可溶性の状態よりも1桁以上溶解度を低下� ��せることをいう。具体的には、溶媒に対し� ��、溶剤を加熱還流した後に室温まで冷却し� ��状態で、0.1質量%以上の溶解度(溶媒可溶性)� ��ら0.01質量%以下に溶解度を低下させること� �好ましく、0.5質量%以上の溶解度(溶媒可溶性 )から0.05質量%以下に溶解度を低下させること がより好ましく、1質量%以上の溶解度(溶媒可 溶性)から0.1質量%未満に溶解度を低下させる� ��とが特に好ましい。そして、「溶媒不溶性� ��とは、溶媒に対して、溶剤を加熱還流した� ��に室温まで冷却した状態で0.1質量%未満の溶 解度を有することをいい、0.05質量%以下であ� ��ことが好ましく、0.01質量%以下であること� �より好ましい。
 上記「溶媒可溶性」及び「溶媒不溶性」の� ��度を規定するときの溶媒の種類は特に限定� ��れず、実際に用いる溶媒及び温度により定� ��てもよいが、例えば水(蒸留水)に対する溶� �度(25℃)として特定することができる。ただ� ��、本発明の第1の実施態様に用いられる溶媒 がこれによって限定されるものではない。

 本発明の第1の実施態様の製造方法によりπ� ��役系化合物を得ることができ、π共役系化� �物としては広いπ共役平面を有する化合物で あればいかなるものでもよいが、ベンゼン環 、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、 トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、 イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾ ール環、チアゾール環、フラン環、チオフェ ン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、 ピリジン環、ピラジン環、ピロール環、ピラ ゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環 、チアゾール環、チオフェン環などの芳香族 炭化水素環または芳香族へテロ環が2つ以上� �縮環された、および/または共有結合で連結� ��れており、それらの芳香族炭化水素環また� ��芳香族へテロ環がそれぞれ有するπ電子が� �縮環及び/又は連結による相互作用によって� ��環及び/又は連結環全体に非局在化した構造 であることが好ましい。縮環された及び/又� �共有結合で連結された芳香族炭化水素環ま� �は芳香族へテロ環の数は、2~20個が好ましく� ��3~12個がより好ましい。
 π共役系化合物の具体例としては、テトラ� �ン、ペンタセン、トリフェニレン、ヘキサ� �ンゾコロネンなどの縮合多環化合物、クォ� �ターチオフェンやセキシチオフェンなどの� �テロ環オリゴマー、フタロシアニン類、ポ� �フィリン類などが挙げられる。

 また、本発明の第1の実施態様の製造方法 により得られる溶媒不溶性化合物として、UV� ��収剤として用いられる化合物とすることが� ��き、例えば、トリアジン系化合物、ベンゾ� ��リアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化� ��物などが挙げられる。また、有機顔料とし� ��用いられる化合物とすることができ、いか� ��るものであってもよいが、例えば、アゾ顔� ��(例えば不溶性アゾ顔料としては不溶性モノ アゾ顔料と不溶性ジスアゾ顔料に大別され、 不溶性モノアゾ顔料としてはアセト酢酸アリ ーリド系、β-ナフトール系、ナフトールAS系� ��ベンズイミダゾロン系が挙げられ、不溶性� ��スアゾ顔料としてはアセト酢酸アリーリド� ��、ピラゾロン系、縮合アゾ系が挙げられる� ��またアゾレーキ顔料も挙げられる。)、縮合 多環顔料(例えば、アントラキノン系、イソ� �ンドリノン系、イソインドリン系、キナク� �ドン系、ペリレン系、ペリノン系、ジオキ� �ジン系、ジケトピロロピロール系、インジ� �系、キノフタロン系が挙げられる。)、金属� ��体顔料(例えばフタロシアニン系、アゾメチ ン系、ニトロソ系が挙げられる。)、その他� �顔料(例えばアジン系、昼光蛍光顔料、カー� ��ンブラック)が挙げられる。

 本発明の第1の実施態様では化合物の化学 的安定性の観点から、π共役系化合物として� ��テトラセン、ペンタセン、トリフェニレン� ��ヘキサベンゾコロネン、ポルフィリン類な� ��が好ましく、UV吸収剤としてはトリアジン� �化合物、ベンゾトリアゾール系化合物が好� �しく、有機顔料としては縮合多環顔料また� �金属錯体顔料が好ましい。さらに好ましく� �、テトラセン、ペンタセン、トリフェニレ� �、ヘキサベンゾコロネン、トリアジン系化� �物、縮合多環顔料または金属錯体顔料であ� �。

 上述した目的化合物を得る観点から、溶� ��不溶性化合物における任意の炭素原子に結� ��した水素原子を取り去った溶媒不溶性化合� ��残基Aとしては、2つ以上の芳香族炭化水素� �または芳香族へテロ環が縮環され及び/又は� ��有結合で連結された構造のπ共役系化合物� �残基であることが好ましい。また、色素骨� �であることが好ましい。さらに、溶媒不溶� �化合物残基Aとしては、顔料残基であること� ��好ましく、フタロシアニン化合物残基であ� ��ことが好ましい。

 本発明の第1の実施態様に用いられる溶媒 可溶性前駆体化合物は、化合物の化学的安定 性の観点から、下記一般式(IV)で表される化� �物であることがさらに好ましく、下記一般� �(IV)で表される化合物がフタロシアニン化合� ��であることが特に好ましい。ここで、フタ� ��シアニン化合物は、フタロシアニン骨格を� ��する化合物をいい、フタロシアニンに置換� ��が結合した誘導体である。

 前記一般式(IV)中、Qは芳香族炭化水素環ま� �は芳香族へテロ環を形成するのに必要な原� �群を表す。複数のQは同一でも異なっていて� ��よい。ここで、芳香族炭化水素環または芳� ��族へテロ環としては4~10員環が好ましく、5~7 員環がより好ましく、5および6員環がさらに� ��ましく、6員環が特に好ましい。
 Qにより形成される芳香族ヘテロ環に含まれ るヘテロ原子は特に限定されないが、窒素、 酸素、硫黄、セレン、ケイ素、ゲルマニウム 又はリンが好ましく、窒素、酸素又は硫黄が さらに好ましく、窒素が特に好ましい。Qに� �り形成される芳香族ヘテロ環ひとつに含有� �れるヘテロ原子数は特に限定されないが、1~ 3が好ましい。

 Qにより形成される芳香族炭化水素環または 芳香族ヘテロ環の具体例としては、ベンゼン 環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環 、ピリダジン環、ピロール環、ピラゾール環 、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサ ゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール 環、チアジアゾール環、フラン環、チオフェ ン環、セレノフェン環、シロール環、ゲルモ ール環、ホスホール環等が挙げられる。
 Qにより形成される芳香族炭化水素環または 芳香族ヘテロ環は、置換基を有していてもよ く、置換基としては、前述のR ¹ ~R ³ で挙げたものが適用できる。

 Qにより形成される芳香族炭化水素環または 芳香族ヘテロ環はさらに他の環と縮合環を形 成してもよく、縮合する環としては、ベンゼ ン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン 環、ピリダジン環、ピロール環、ピラゾール 環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキ サゾール環、オキサジアゾール環、チアゾー ル環、チアジアゾール環、フラン環、チオフ ェン環、セレノフェン環、シロール環、ゲル モール環、ホスホール環等が挙げられる。上 記の置換基および縮合環は、さらに置換基を 有していてもよく、さらに他の環と縮合して いてもよい。置換基としては、前述のR ¹ ~R ³ として挙げたものが適用できる。

 Qにより形成される芳香族炭化水素環また は芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンゼ ン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン 環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール 環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキ サゾール環、チアゾール環、フラン環、チオ フェン環であり、より好ましくは、ベンゼン 環、ピリジン環、ピラジン環、ピロール環、 ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾー ル環、チアゾール環、チオフェン環であり、 さらに好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環 、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール 環、チオフェン環であり、特に好ましくはベ ンゼン環、ピリジン環、ピラジン環である。

 前記一般式(IV)中、フタロシアニン骨格に結 合している-SO ₂ C(R ⁴ )(R ⁵ )(R ⁶ )基は、分子内のどこに結合していてもよい� �、好ましくはQにより形成される芳香族炭化� ��素環または芳香族へテロ環に置換している� ��R ⁴ ~R ⁶ は、前記一般式(III)におけるR ¹ ~R ³ と同義であり、好ましい範囲も同様である。 nは自然数である。nが2以上の場合、複数の-SO ₂ C(R ⁴ )(R ⁵ )(R ⁶ )基は、同一でも異なっていてもよい。

 前記一般式(IV)中、Mは金属原子または水素� �子を表す。Mが水素原子を表す場合、2つの水 素原子がN ¹ ~N ⁴ のいずれか2つの窒素原子にそれぞれ結合す� �。
 Mが金属原子を表す場合、安定な錯体を形成 するものであれば金属はいかなるものでも良 く、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Ba、Al、Si、Hg、Cr、 Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Cd、Sn、Pt、Pb、Sr、 V、Mn、Ti、In又はGaなどを使用することができ る。金属原子には置換基が結合していてもよ く、置換基としては前述のR ¹ ~R ³ で挙げたものを用いることができる。
 Mとして好ましくはMg、Ca、AlCl、SiCl ₂ 、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Pd、Sn、SnCl ₂ 、Pt、Pb、V=O、Mn又はTi=Oが用いられ、より好� �しくはFe、Co、Ni、Cu又はZnが用いられ、特に� ��ましくはCu又はZnが用いられる。なお、Mが� �素原子である場合も好ましく、Mが水素原子� ��ある場合、前記一般式(IV)は下記一般式(IV’ )で表される。

 前記一般式(IV’)において、Q、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 及びnは、それぞれ前記一般式(IV)におけるQ、 R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 及びnと同義であり、好ましい範囲も同様で� �る。

 一般に、複数の置換基を有するフタロシ� ��ニン化合物には、置換基の結合している位� ��の異なる位置異性体が存在し得る。本発明� ��第1の実施態様においても例外ではなく、場 合によっては数種類の位置異性体が考えられ る。本発明の第1の実施態様においては、フ� �ロシアニン化合物は単一の化合物として用� �てもよいし、位置異性体の混合物として用� �ることもできる。位置異性体の混合物とし� �用いる場合には、混合している位置異性体� �数、それぞれの位置異性体における置換基� �置換位置、および位置異性体の混合比率は� �かなるものでもよい。

 以下に、本発明の第1の実施態様に用いられ るフタロシアニン化合物の好ましい具体例を 挙げるが、本発明はこれらの例示した化合物 に限定されるものではない。
 下記表1~4において、例えば「R ^α1 /R ^α2 」という表記は「R ^α1 及びR ^α2 のいずれか一方」という意味を表しており、 従ってこの表記のある化合物は置換位置異性 体の混合物である。また、R ^α1 ~R ^α8 又はR ^β1 ~R ^β8 が無置換の場合、即ち水素原子が置換してい る場合は表記を省略している。置換基の*印� �、下記一般式(V)で表されるフタロシアニン� �導体への結合部位を示す。Buはブチル基を、 Meはメチル基を表す。

 本発明の第1の実施態様におけるフタロシ アニン化合物のフタロシアニン環形成反応は 、白井汪芳,小林長夫編・著「フタロシアニ� �-化学と機能-」(アイピーシー社,1997年刊)の� �1~62頁、廣橋亮,坂本恵一,奥村映子編「機能� �色素としてのフタロシアニン」(アイピーシ� ��社,2004年刊)の第29~77頁に準じて行うことが� �きる。

 フタロシアニン化合物の代表的な合成方� ��としては、これらの文献に記載のワイラー� ��、フタロニトリル法、リチウム法、サブフ� ��ロシアニン法、および塩素化フタロシアニ� ��法などが挙げられる。本発明の第1の実施態 様においては、フタロニトリル法を好ましく 用いることができる。具体的には、t-ブチル� ��ルホニルフタロニトリル等のような前記一� ��式(I)で表される置換基を有する化合物を原� ��として、フタロシアニン環形成反応を行う� ��とが好ましい。フタロシアニン環形成反応� ��おいて、いかなる反応条件を用いてもよい� ��環形成反応においては、フタロシアニンの� ��心金属となる種々の金属を添加することが� ��ましいが、中心金属を持たないフタロシア� ��ン化合物を合成後に、所望の金属を導入し� ��もよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒� ��用いてもよいが、好ましくは高沸点の溶媒� ��ある。また、環形成反応促進のために、酸� ��たは塩基を用いてもよい。最適な反応条件� ��、目的とするフタロシアニン化合物の構造� ��より異なるが、上記の文献に記載された具� ��的な反応条件を参考に設定することができ� ��。

 上記のフタロシアニン化合物の合成に使� ��する原料としては、無水フタル酸、フタル� ��ミド、フタル酸およびその塩、フタル酸ジ� ��ミド、フタロニトリル、1,3-ジイミノイソイ ンドリンなどの誘導体を用いることができる 。これらの原料は通常のいかなる方法で合成 してもよい。

 また、本発明の第1の実施態様に用いられ る化合物は、特開2005-119165号公報等の記載を� ��照して、前記溶媒不溶性化合物に前記一般� ��(I)で表される置換基を導入して調製するこ� ��ができる。

 本発明の第1の実施態様の置換基脱離化合物 の製造方法では、まず、本発明の第1の実施� �様に用いられる溶媒可溶性前駆体化合物A-(B) _m を溶媒に溶解させることが好ましい。
 溶媒としては、水及び/又は有機溶媒を用い ることができる。有機溶媒としては、例えば 、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、 キシレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタ� ��ン、1,2-ジクロロベンゼン等の炭化水素系溶 媒;例えば、アセトン、メチルエチルケトン� �メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ� �等のケトン系溶媒;例えば、ジクロロメタン� ��クロロホルム、テトラクロロメタン、ジク� ��ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロ� ��エタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ� ��、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素� ��溶媒;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢 酸アミル等のエステル系溶媒;例えば、メタ� �ール、プロパノール、ブタノール、ペンタ� �ール、ヘキサノール、シクロヘキサノール� �メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エ� �レングリコール等のアルコール系溶媒;例え� ��、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン� ��ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶� ��;例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジ� ��チルアセトアミド、1-メチル-2-ピロリドン� �1-メチル-2-イミダゾリジノン、ジメチルスル フォキサイド等の極性溶媒などを用いること ができる。
 溶液中の溶媒可溶性前駆体化合物の濃度は� ��特に限定されず、用途によって異なるが、� ��述の「溶媒可溶性」として定義された濃度� ��囲で溶解することができる。

 本発明の第1の実施態様の置換基脱離化合物 の製造方法においては、上記溶媒可溶性前駆 体化合物を溶媒に溶解させた溶液を用いて塗 布などを行った後、加熱などの外部刺激を与 えることで溶媒可溶性基を脱離させ、溶媒不 溶性化合物に転換することができる。
 前記外部刺激としてはヒーターを用いた熱� ��理が代表的である。加熱温度は、150℃以上� ��好ましく、200℃以上がより好ましく、250℃� ��上がさらに好ましい。また、上限は、550℃� ��下が好ましく、500℃以下がより好ましく、4 00℃以下がさらに好ましい。高温であるほど� ��応時間は短く、低温であるほど脱離反応に� ��要な時間は長くなる。これらの加熱は、窒� ��やアルゴンなどの不活性雰囲気下で行うこ� ��が好ましい。
 用途によっては、加熱温度や加熱時間を変� ��ることで、前記一般式(I)で表される置換基� ��一部のみを脱離させて、生成する化合物の� ��性を調整することも可能である。例えば、� ��機半導体膜として用いる場合、移動度を調� ��することができる。
 加熱方法は、ヒーターを用いた伝熱による� ��熱の他、本発明の第1の実施態様に用いられ る溶媒可溶性前駆体化合物を含有する層の近 傍に光を吸収する層を設け、光をこの層で吸 収させることにより加熱してもよい。

 また、前記外部刺激としては、前記一般式( I)で表される置換基を分解させるための任意� ��処理を行うことができ、上記のような熱処� ��の他、光分解処理や、又は化学分解(有機又 は無機の酸又は塩基使用)によって実施する� �とができる。これらの変換方法を組み合わ� �ることもできる。
 光分解処理の場合、赤外線ランプや、化合� ��が吸収する波長の光を照射すること(例えば 405nm以下の波長に露光)等を利用してもよい。 その際に半導体レーザーを用いてもよい。例 えば、近赤外域のレーザー光(通常は780nm付近 の波長のレーザー光)、可視レーザー光(通常� ��、630nm~680nmの範囲の波長のレーザー光)、波� ��390~440nmのレーザー光が挙げられる。
 特に好ましくは波長390~440nmのレーザー光で� ��り、440nm以下の範囲の発振波長を有する半� �体レーザー光が好適に用いられる。中でも� �ましい光源としては、390~440(更に好ましくは 390~415nm)の範囲の発振波長を有する青紫色半� �体レーザー光、中心発振波長850nmの赤外半導 体レーザー光を光導波路素子を使って半分の 波長にした中心発振波長425nmの青紫色SHGレー� ��ー光を挙げることができる。
 また、化学分解の場合に好ましく用いるこ� ��ができる有機又は無機の酸又は塩基として� ��、例えば酸として、鉱酸類(例えば硫酸、塩 酸、臭化水素酸、硝酸、リン酸等)、有機カ� �ボン酸類(例えば酢酸、蓚酸、ギ酸、プロピ� ��ン酸、安息香酸等)、又はスルホン酸類(例� �ばメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、� �ンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸等 )を用いるのが好ましく、より好ましくは硫� �、塩酸、臭化水素酸または酢酸であり、特� �好ましくは硫酸または塩酸である。なおこ� �らの酸は、単独または二種以上を混合して� �用してもよい。塩基として好ましくは、有� �塩基、アルキルメタル、メタルハイドライ� �(例えばナトリウムハイドライド等)等である 。更に好ましくはトリエチルアミン、ピリジ ン又はナトリウムハイドライドである。特に 好ましくはトリエチルアミン又はピリジンで ある。

 前記溶媒不溶性化合物としてフタロシアニ� ��化合物を得る実施態様においては、、溶媒� ��溶性基を有するフタロシアニン化合物(ただ し、前記置換基は、フタロシアニン化合物残 基中の炭素原子に結合している。)を溶媒に� �解させた後、加熱などの外部刺激を与える� �とで前記置換基を脱離させて、無置換フタ� �シアニン化合物を得ることができる。
 フタロシアニン化合物は、その分子物性に� ��目が集まってきているが、溶媒不溶性であ� ��ことが研究の足枷となっている。本発明の� ��1の実施態様によれば、特殊な置換基の導入 や分子修飾によらず、特定の溶媒可溶性基で 置換された構造のフタロシアニン化合物を一 般的な溶媒に溶解した溶液を用いて薄膜形成 などを行うことができる。その後に置換基を 脱離させることで無置換フタロシアニン化合 物による薄膜を得ることができ、複雑な工程 を必要とせずに、半導体薄膜や微細加工膜の 製造などを効率的に行うことができる。

 前記溶媒不溶性化合物として顔料を得る� ��施態様においては、顔料が溶媒可溶性基に� ��り修飾された構造の顔料前駆体を溶媒に溶� ��させた後、加熱などの外部刺激を与えるこ� ��で顔料に転換させ、溶媒中に顔料微粒子が� ��散した顔料分散液を得ることができる。上� ��顔料微粒子の粒径は特に限定されないが、� ��ノメートルサイズのものとして得る場合に� ��、平均粒径が1~1000nmであることが好ましく� �10~500nmであることがより好ましい。得られた 顔料粒子は、例えば、塗料、印刷インク、電 子写真用トナー、インクジェットインク、カ ラーフィルタなどの用途に好ましく用いるこ とができる。

 本発明の第1の実施態様の置換基脱離化合物 の製造方法により色素化合物を得る実施態様 において、得られる色素の用途としては、画 像、特にカラー画像を形成するための画像記 録材料が挙げられ、具体的には、以下に詳述 するインクジェット方式記録材料を始めとし て、感熱記録材料、感圧記録材料、電子写真 方式を用いる記録材料、転写式ハロゲン化銀 感光材料、印刷インク、記録ペン等があり、 好ましくはインクジェット方式記録材料、感 熱記録材料、電子写真方式を用いる記録材料 であり、更に好ましくはインクジェット方式 記録材料である。
 また、CCDなどの固体撮像素子やLCD、PDP等の� ��ィスプレーで用いられるカラー画像を記録� ��再現するためのカラーフィルタ、各種繊維� ��染色の為の染色液にも適用できる。
 本発明の第1の実施態様により得られる色素 は、その用途に適した溶媒可溶性、分散性、 熱移動性などの物性を、置換基で調整して使 用する。また、本発明の第1の実施態様によ� �得られる色素は、用いられる系に応じて溶� �状態、乳化分散状態、さらには固体分散状� �でも使用することができる。

 本発明の第1の実施態様において顔料微粒子 を製造する実施態様においては、そこで得ら れる顔料微粒子を用いてインクを作製するこ とができる。当該インクは、したがって少な くとも一種の本発明の第1の実施態様により� �られる顔料微粒子等を色素として含有する� �ンクを意味する。
 インクは、媒体を含有させることができる� ��、媒体として溶媒を用いた場合は特にイン� ��ジェット記録用インクとして好適である。� ��ンクは、媒体として、親油性媒体や水性媒� ��を用いて、それらの中に、本発明の第1の実 施態様により得られる色素を溶解及び/又は� �散させることによって作製することができ� �。好ましくは、水性媒体を用いる場合であ� �。インクには、媒体を除いたインク用組成� �も含まれる。
 インクは、必要に応じてその他の添加剤を� ��有しうる。その他の添加剤としては、例え� ��、乾燥防止剤(湿潤剤)、褪色防止剤、乳化� �定剤、浸透促進剤、紫外線吸収剤、防腐剤� �防黴剤、pH調整剤、表面張力調整剤、消泡剤 、粘度調整剤、分散剤、分散安定剤、防錆剤 、キレート剤等の公知の添加剤(特開2003-306623 号公報に記載)が挙げられる。これらの各種� �加剤は、水溶性インクの場合にはインク液� �直接添加する。油溶性染料を分散物の形で� �いる場合には、染料分散物の調製後分散物� �添加するのが一般的であるが、調製時に油� �又は水相に添加してもよい。

 本発明の第1の実施態様により得られる色 素を水性媒体に分散させる場合は、特開平11- 286637号公報、特開2001-240763号公報、特開2001-26 2039号公報、特開2001-247788号公報等に記載され ているように色素と油溶性ポリマーとを含有 する着色微粒子を水性媒体に分散させたり、 特開2001-262018号公報、特開2001-240763号公報、� �開2001-335734号公報等に記載されているように 高沸点有機溶媒に溶解した本発明の第1の実� �態様により得られる色素を水性媒体中に分� �させることが好ましい。本発明の第1の実施� ��様により得られる色素を水性媒体に分散さ� ��る場合の具体的な方法、使用する油溶性ポ� ��マー、高沸点有機溶剤、添加剤及びそれら� ��使用量は、前記特許文献に記載されたもの� ��好ましく使用することができる。あるいは� ��前記色素を固体のまま微粒子状態に分散し� ��もよい。分散時には、分散剤や界面活性剤� ��使用することができる。

 分散装置としては、簡単なスターラーや� ��ンペラー攪拌方式、インライン攪拌方式、� ��ル方式(例えば、コロイドミル、ボールミル 、サンドミル、アトライター、ロールミル、 アジテーターミル等)、超音波方式、高圧乳� �分散方式(高圧ホモジナイザー;具体的な市販 装置としてはゴーリンホモジナイザー、マイ クロフルイダイザー、DeBEE2000(商品名)等)を使 用することができる。上記のインクジェット 記録用インクの調製方法については、先述の 特許文献以外にも特開平5-148436号、同5-295312� �、同7-97541号、同7-82515号、同7-118584号、同11-2 86637号、特開2001-271003号の各公報に詳細が記� �されており、本発明の第1の実施態様により� ��られる色素を用いたインクジェット記録用� ��ンクの調製にも利用できる。

 前記水性媒体は、水を主成分とし、所望� ��より、水混和性有機溶剤を添加した混合物� ��用いることができる。前記水混和性有機溶� ��の例は特開2003-306623号公報に記載のものが� �用できる。尚、前記水混和性有機溶剤は、� �種類以上を併用してもよい。

 インクジェット記録用インク100質量部中� ��、本発明の第1の実施態様により得られる色 素を0.1質量部以上20質量部以下含有するのが� ��ましく、0.2質量部以上10質量部以下含有す� �のがより好ましく、0.5~9質量部含有するのが さらに好ましい。また、インクジェット用イ ンクには、本発明の第1の実施態様により得� �れる色素とともに、他の色素を併用しても� �い。2種類以上の色素を併用する場合は、色� ��の含有量の合計が前記範囲となっているの� ��好ましい。

 インクは、単色の画像形成のみならず、� ��ルカラーの画像形成に用いることができる� ��フルカラー画像を形成するために、マゼン� ��色調インク、シアン色調インク、及びイエ� ��ー色調インクを用いることができ、また、� ��調を整えるために、更にブラック色調イン� ��を用いてもよい。

 さらに、インクジェット記録用インクは� ��本発明の第1の実施態様により得られる色素 の他に別のシアン染料を同時に用いることが 出来る。適用できるイエロー染料、適用でき るマゼンタ染料、適用できるシアン染料とし ては、各々任意のものを使用することができ るが、特開2003-306623号公報の段落番号0090~0092� ��記載の各染料が利用できる。適用できる黒� ��材としては、ジスアゾ、トリスアゾ、テト� ��アゾ染料のほか、カーボンブラックの分散� ��を挙げることができる。

 インクジェット記録方法は、前記インク� ��ェット記録用インクにエネルギーを供与し� ��、公知の受像材料、即ち普通紙、樹脂コー� ��紙、例えば特開平8-169172号公報、同8-27693号� ��報、同2-276670号公報、同7-276789号公報、同9-3 23475号公報、特開昭62-238783号公報、特開平10-1 53989号公報、同10-217473号公報、同10-235995号公� ��、同10-337947号公報、同10-217597号公報、同10-3 37947号公報等に記載されているインクジェッ� ��専用紙、フィルム、電子写真共用紙、布帛� ��ガラス、金属、陶磁器等に画像を形成する� ��なお、インクジェット記録方法として特開2 003-306623号公報の段落番号0093~0105の記載が適� �できる。

 画像を形成する際に、光沢性や耐水性を� ��えたり耐候性を改善したりする目的からポ� ��マーラテックス化合物を併用してもよい。� ��テックス化合物を受像材料に付与する時期� ��ついては、着色剤を付与する前であっても� ��後であっても、また同時であってもよく、� ��たがって添加する場所も受像紙中であって� ��、インク中であってもよく、あるいはポリ� ��ーラテックス単独の液状物として使用して� ��良い。具体的には、特開2002-166638号公報、� �開2002-121440号公報、特開2002-154201号公報、特� ��2002-144696号公報、特開2002-080759号公報、特願 2000-299465号明細書、特願2000-297365号明細書な� �に記載された方法を好ましく用いることが� �きる。

 カラートナー100質量部中における本発明の� ��1の実施態様により得られる色素の含有量は 特に制限がないが、0.1質量部以上含有するの が好ましく、1~20質量部がより好ましく、2~10� ��量部含有するのが最も好ましい。
 本発明の第1の実施態様により得られる色素 を導入するカラートナー用バインダー樹脂と しては一般に使用される全てのバインダーが 使用できる。例えば、スチレン系樹脂・アク リル系樹脂・スチレン/アクリル系樹脂・ポ� �エステル樹脂等が挙げられる。
 トナーに対して流動性向上、帯電制御等を� ��的として無機微粉末、有機微粒子を外部添� ��しても良い。表面をアルキル基含有のカッ� ��リング剤等で処理したシリカ微粒子、チタ� ��ア微粒子が好ましく用いられる。なお、こ� ��らは数平均一次粒子径が10~500nmのものが好� �しく、さらにはトナー中に0.1~20質量%添加す� ��のが好ましい。

 離型剤としては、従来使用されている離� ��剤は全て使用することができる。具体的に� ��、低分子量ポリプロピレン・低分子量ポリ� ��チレン・エチレン-プロピレン共重合体等の オレフィン類、マイクロクリスタリンワック ス・カルナウバワックス・サゾールワックス ・パラフィンワックス等があげられる。これ らの添加量はトナー中に1~5質量%添加するこ� �が好ましい。

 荷電制御剤としては、必要に応じて添加� ��ても良いが、発色性の点から無色のものが� ��ましい。例えば4級アンモニウム塩構造のも の、カリックスアレン構造を有するものなど が挙げられる。

 キャリアとしては、鉄・フェライト等の� ��性材料粒子のみで構成される非被覆キャリ� ��、磁性材料粒子表面を樹脂等によって被覆� ��た樹脂被覆キャリアのいずれを使用しても� ��い。このキャリアの平均粒径は体積平均粒� ��で30~150μmが好ましい。

 トナーが適用される画像形成方法として� ��、特に限定されるものではないが、例えば� ��光体上に繰り返しカラー画像を形成した後� ��転写を行って画像を形成する方法や、感光� ��に形成された画像を逐次中間転写体等へ転� ��し、カラー画像を中間転写体等に形成した� ��に紙等の画像形成部材へ転写しカラー画像� ��形成する方法等があげられる。

 感熱記録材料は、支持体上に本発明の第1の 実施態様により得られる色素をバインダーと ともに塗設したインクシート、及び画像記録 信号に従ってサーマルヘッドから加えられた 熱エネルギーに対応して移行してきた色素を 固定する受像シートから構成される。インク シートは、本発明の第1の実施態様により得� �れる化合物をバインダーと共に溶剤中に溶� �することによって、或いは溶媒中に微粒子� �に分散させることによってインク液を調製� �、該インクを支持体上に塗布して適宜に乾� �することにより形成することができる。支� �体上のインクの塗布量は特に制限するもの� �はないが、好ましくは30~1000mg/m ² である。好ましいバインダー樹脂、インク溶 媒、支持体、更には受像シートについては、 特開平7-137466号公報に記載されたものを好ま� ��く用いることができる。

 該感熱記録材料をフルカラー画像記録が� ��能な感熱記録材料に適用するには、シアン� ��像を形成することができる熱拡散性シアン� ��素を含有するシアンインクシート、マゼン� ��画像を形成することができる熱拡散性マゼ� ��タ色素を含有するマゼンタインクシート、� ��エロー画像を形成することができる熱拡散� ��イエロー色素を含有するイエローインクシ� ��トを支持体上に順次塗設して形成すること� ��好ましい。また、必要に応じて他に黒色画� ��形成物質を含むインクシートがさらに形成� ��れていてもよい。

 カラーフィルタの形成方法としては、初� ��にフォトレジストによりパターンを形成し� ��次いで染色する方法、或いは特開平4-163552� �、同4-128703号、同4-175753号等の各公報に開示� ��れているように色素を添加したフォトレジ� ��トによりパターンを形成する方法がある。� ��発明の第1の実施態様により得られる色素を カラーフィルタに導入する場合に用いられる 方法としては、これらのいずれの方法を用い てもよいが、好ましい方法としては、特開平 4-175753号公報や同6-35182号公報に記載されたと ころの、熱硬化性樹脂、キノンジアジド化合 物、架橋剤、色素及び溶剤を含有してなるポ ジ型レジスト組成物、並びに、それを基体上 に塗布後、マスクを通して露光し、該露光部 を現像してポジ型レジストパターンを形成さ せ、上記ポジ型レジストパターンを全面露光 し、次いで露光後のポジ型レジストパターン を硬化させることからなるカラーフィルタの 形成方法を挙げることができる。また、常法 に従いブラックマトリックスを形成させ、RGB 原色系あるいはY、M、C補色系カラーフィルタ を得ることができる。カラーフィルタの場合 も色素の使用量の制限はないが0.1~50質量%が� �ましい。

 この際使用する熱硬化性樹脂、キノンジ� ��ジド化合物、架橋剤、及び溶剤とそれらの� ��用量については、前記特許文献に記載され� ��いるものを好ましく使用することができる� ��

 前記溶媒不溶性化合物が結晶性を示す場� ��、本発明の第1の実施態様の製造方法を用い ることで、必要により前記溶媒不溶性化合物 の結晶系を制御することができる。本発明の 第1の実施態様に用いられる前記の一般式(I)� �表される置換基を有する溶媒可溶性前駆体� �合物がアモルファスの結晶構造を示すとき� �本発明の第1の実施態様の方法により置換基� ��脱離させて溶媒不溶性化合物に転換し、結� ��として結晶転移を起こさせることができる� ��例えば、銅フタロシアニンは同質異晶を示� ��、α、β、ε、γ、δ、π、χ、R等の結晶が報� ��されている(例えば、「機能性色素としての フタロシアニン基礎編・応用編」(アイピー� �ー)を参照。)。本発明の第1の実施態様によ� �フタロシアン化合物を得る実施態様におい� �制御できる結晶系は、好ましくはα、β又は� �であり、より好ましくはα又はβである。特� ��、準安定のα型結晶は、従来アシッドペー� �ト法により作成していたため結晶子が小さ� �、X線回折測定結果のピークがブロードにな� ��ていたが、本発明の第1の実施態様では、加 熱によって効率よくα型結晶を作製すること� ��できるため、半値幅が小さいシャープなピ� ��クが得られ、結晶子が大きいα型結晶を作� �することができる。

 本発明の第1の実施態様において、上記溶 媒可溶性前駆体化合物を溶媒に溶解させた後 に、基材上に塗布し、乾燥させてから、加熱 などの外部刺激を与えることで溶媒可溶性基 を脱離させて、溶媒不溶性化合物の薄膜を製 造することができる。上記基材としては例え ば基板が挙げられるが、その他部材の上面や 壁面等であってもよい。

 本実施態様に用いられる基板としては、ポ� ��エチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレン� �レフタレート(PET)などのポリエステルフィル ム、ポリイミドフィルム、セラミック、シリ コン、石英、ガラスなどの種々の材料を用い ることができる。好ましくはセラミック、シ リコン、石英またはガラスであり、より好ま しくはシリコン、石英またはガラスである。 また、用途に応じていかなる基板を選択して もよい。例えば、フレキシブルな素子の用途 の場合にはフレキシブル基板を用いることが できる。
 また、基板の厚さは、特に限定されないが� ��好ましくは1~1000μmであり、より好ましくは1 0~800μmである。

 本発明の第1の実施態様において、前記溶 媒可溶性前駆体化合物の溶液を基板上に塗布 し成膜する場合、その方法はいかなる方法で もよいが、溶液プロセスにより成膜すること が特に好ましい。溶液プロセスによる成膜と は、ここでは有機化合物を溶解させることが できる溶媒中に溶解させ、その溶液を基板上 に塗布し乾燥させて成膜する方法を指す。具 体的には、キャスト法、ブレードコーティン グ法、ワイヤーバーコーティング法、スプレ ーコーティング法、ディッピング(浸漬)コー� ��ィング法、ビードコーティング法、エアー� ��イフコーティング法、カーテンコーティン� ��法、インクジェット法、スピンコート法、� ��ングミュア-ブロジェット(Langmuir-Blodgett)(LB)� ��などの通常の方法を用いることができる。� ��発明の第1の実施態様においては、キャスト 法、スピンコート法、およびインクジェット 法を用いることがさらに好ましい。このよう な溶液プロセスにより、表面が平滑で大面積 の薄膜を低コストで生産することが可能とな る。

 溶液プロセスにより基板上に成膜する場合� ��層を形成する材料を適当な有機溶媒(例えば 、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、 キシレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタ� ��ン、1,2-ジクロロベンゼン等の炭化水素系溶 媒;例えば、アセトン、メチルエチルケトン� �メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ� �等のケトン系溶媒;例えば、ジクロロメタン� ��クロロホルム、テトラクロロメタン、ジク� ��ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロ� ��エタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ� ��、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素� ��溶媒;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢 酸アミル等のエステル系溶媒;例えば、メタ� �ール、プロパノール、ブタノール、ペンタ� �ール、ヘキサノール、シクロヘキサノール� �メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エ� �レングリコール等のアルコール系溶媒;例え� ��、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン� ��ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶� ��;例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジ� ��チルアセトアミド、1-メチル-2-ピロリドン� �1-メチル-2-イミダゾリジノン、ジメチルスル フォキサイド等の極性溶媒など)及び/又は水� ��溶解又は分散させて塗布液とし、各種の塗� ��法により薄膜を形成することができる。
 その塗布液中の本発明の第1の実施態様に用 いられる化合物の濃度は、好ましくは0.1~80質 量%、より好ましくは0.1~10質量%であり、これ� ��より任意の厚さの膜を形成できる。

 また、成膜の際に樹脂バインダーを用いる� ��とも可能である。この場合、層を形成する� ��料とバインダー樹脂とを前述の適当な溶媒� ��溶解させ、または分散させて塗布液とし、� ��種の塗布法により薄膜を形成することがで� ��る。樹脂バインダーとしては、ポリスチレ� ��、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ� ��エステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ� ��レタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン� ��ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア� ��リレート、セルロース、ポリエチレン、ポ� ��プロピレン等の絶縁性ポリマー、およびこ� ��らの共重合体、ポリビニルカルバゾール、� ��リシラン等の光伝導性ポリマー、ポリチオ� ��ェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ� ��ラフェニレンビニレン等の導電性ポリマー� ��どを挙げることができる。樹脂バインダー� ��、単独で使用してもよく、あるいは複数併� ��しても良い。薄膜の機械的強度を考慮する� ��ガラス転移温度の高い樹脂バインダーが好� ��しい。
 樹脂バインダーは使わない方が有機半導体� ��特性上好ましいが、目的によっては使用す� ��こともある。この場合の樹脂バインダーの� ��用量は、特に制限はないが、薄膜中、好ま� ��くは0.1~30質量%で用いられる。

 また、成膜の際、基板を加熱または冷却� ��てもよく、基板の温度を変化させることで� ��質や膜中での分子のパッキングを制御する� ��とが可能である。基板の温度としては特に� ��限はないが、0℃~200℃の間であることが好� �しい。

 本発明の第1の実施態様に用いられる溶媒 可溶性前駆体化合物は、特に溶液プロセスに よる成膜に適している。真空蒸着法、スパッ タリング法、イオンプレーティング法、分子 ビームエピタキシー(MBE)法などの物理気相成� ��法、あるいはプラズマ重合などの化学気相� ��着(CVD)法などの真空プロセスにより成膜す� �ことも可能であるが、これらは製造コスト� �高く、膜表面の平滑性に劣るため好ましく� �い。また、溶液プロセスで成膜するために� �、上記で挙げた溶媒などに材料が溶解する� �とが必要であるが、単に溶解するだけでは� �十分である。通常、真空プロセスで成膜す� �材料でも、溶媒にある程度溶解させること� �できる。しかし、溶液プロセスでは、材料� �溶媒に溶解させて塗布した後で、溶媒が蒸� �して薄膜が形成する過程がある。ここで、� �液プロセスに適さない材料は、結晶性の高� �ものが多いため、この過程で結晶化してし� �い、良好な薄膜を形成させることが困難で� �る。これに対し、本発明の第1の実施態様に� ��いられる溶媒可溶性前駆体化合物は、この� ��うな結晶化が起こりにくい点でも優れてい� ��。

 前記化合物を含有する溶液の塗布量は、� ��媒の種類や溶液の濃度などによって異なる� ��、形成される薄膜の膜厚が好ましくは5nm~50� �m、より好ましくは20nm~500nmとなるように適宜 決定される。なお、膜厚は、この範囲に制限 されるものではなく、用途によって異なる。

 作製された膜は、後処理により調整する� ��とができる。例えば、加熱処理や溶媒蒸気� ��の暴露により膜のモルホロジーや膜中での� ��子のパッキングを変化させることで特性を� ��上させることが可能である。また、酸化性� ��たは還元性のガスや溶媒、物質などにさら� ��、あるいはこれらを混合することで酸化あ� ��いは還元反応を起こし、膜中での会合状態� ��調整することができる。

 本発明の第1の実施態様の製造方法におい ては、上述のとおり、溶液プロセスに適した 溶媒可溶性をもつ前駆体化合物を用いる。そ して、これに外部刺激を与えるが、その前後 における耐光性等の保存安定性、つまり上記 溶媒可溶性前駆体化合物及びこれに外部刺激 を与えて得られる目的化合物を所定期間保管 しても分解してしまったり変化してしまった りしない性質を有する。これは、従来用いら れていたBoc基を導入した前駆体化合物とは異 なる。そして上記特定の置換基を有する化合 物を前駆体として用いることにより、各種溶 媒への溶解が容易で、かつ溶液や塗膜に熱な どの外部刺激を加えることにより置換基を効 率的に脱離させて有用な化合物を高収率で得 ることができる。また、この技術を用いて、 純度の高い顔料微粒子、フタロシアニン化合 物、およびその薄膜形成を効率的に行うこと ができる。

 以下、本発明の第2の実施態様について詳細 に説明する。
 本発明の第2の実施態様の有機半導体膜の製 造方法は、前記の一般式(2-I)で表される置換� ��を有するπ共役系化合物(以下、「本発明の� ��2の実施態様に用いられる化合物」という。 )を基板上に成膜する工程、及び該化合物か� �前記置換基を脱離させる工程を含む。

[π共役系化合物]
 本発明の第2の実施態様におけるπ型共役系� ��合物としては、広いπ共役平面を有する化� �物であればいかなるものでもよいが、ベン� �ン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジ� �環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾー� �環、イミダゾール環、トリアゾール環、オ� �サゾール環、チアゾール環、フラン環、チ� �フェン環であり、より好ましくは、ベンゼ� �環、ピリジン環、ピラジン環、ピロール環� �ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾ� �ル環、チアゾール環、チオフェン環などの� �香族炭化水素環または芳香族へテロ環が2つ� ��上、縮環された、および/または共有結合で 連結されており、それらの芳香族炭化水素環 または芳香族へテロ環がそれぞれ有するπ電� ��が、縮環及び/又は連結による相互作用によ って縮環及び/又は連結環に非局在化した構� �であることが好ましい。縮環された及び/又� ��共有結合で連結された芳香族炭化水素環ま� ��は芳香族へテロ環の数は、1~20個が好ましく 、2~12個がより好ましい。
 本発明の第2の実施態様におけるπ型共役系� ��合物の具体例としては、テトラセン、ペン� ��セン、トリフェニレン、ヘキサベンゾコロ� ��ンなどの縮合多環化合物、クォーターチオ� ��ェンやセキシチオフェンなどのヘテロ環オ� ��ゴマー、フタロシアニン類、ポルフィリン� ��などが挙げられる。
 また、本発明の第2の実施態様におけるπ型� ��役系化合物は溶媒不溶性であり、下記一般� ��(2-I)で表される置換基を該化合物に置換さ� �ることによって溶媒に可溶化することがで� �る。ここで、溶媒不溶性とは、該溶媒に対� �て、該溶剤を加熱還流した後に室温まで冷� �した状態で1質量%未満の溶解度を有すること と定義する。好ましくは0.5質量%未満であり� �より好ましくは0.1質量%未満である。また、� ��媒に可溶とは、該溶媒に対して、該溶剤を� ��熱還流した後に室温まで冷却した状態で1質 量%以上の溶解度を有する化合物と定義する� �好ましくは3質量%以上であり、より好ましく は5質量%以上である。

(一般式(2-I)で表される置換基)
 本発明の第2の実施態様に用いられる化合物 は、下記一般式(2-I)で表される置換基を有す� ��。
 一般式(2-I)で表される置換基について説明� �る。

 前記一般式(2-I)において、R ¹¹ は水素以外の置換基を表す。このR ¹¹ で表わされる置換基は、前記一般式(I)中のX� �表わされる置換基と同義であり、その例、� �体例、及び好ましい例も同様である。

 R ¹¹ で表される置換基として好ましくは、ハロゲ ン原子、炭素数1~30の置換もしくは無置換の� �ルキル基、炭素数6~30の置換もしくは無置換� ��アリール基、5又は6員の置換もしくは無置� �のヘテロ環基、ヒドロキシ基、シアノ基、� �素数1~30の置換もしくは無置換のアルコキシ� ��、炭素数2~30の置換または無置換のアルキル カルボニル基、炭素数7~30の置換もしくは無� �換のアリールカルボニル基、炭素数2~30の置� ��もしくは無置換アルコキシカルボニル基、� ��素数7~30の置換もしくは無置換のアリールオ キシカルボニル基である。さらに好ましくは 、ハロゲン原子、炭素数1~30のアルキル基、� �ドロキシ基、シアノ基、炭素数2~30の置換ま� ��は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数2 ~30の置換もしくは無置換アルコキシカルボニ ル基である。より好ましくは、t-ブチル基、s -ブチル基、i-プロピル基、置換または無置換 のアミノ基、フェニル基のいずれかであり、 最も好ましくはt-ブチル基である。

 分子内に有する前記一般式(2-I)で表され� �置換基の数に特に制限はない。溶媒可溶性� �成膜性の観点からは、前記置換基の数が多� �ほど有利であるが、その一方、半導体特性� �観点からは、置換基の脱離前後での体積変� �が小さい方が膜中での分子のパッキング変� �が小さくなるため好ましい。そのため、分� �内に有する前記一般式(2-I)で表される置換基 の数は1個~8個であることが好ましく、1個~4個 であることがより好ましい。前記一般式(2-I)� ��表される置換基を分子内に複数有する場合� ��、それらは同一であっても異なっていても� ��い。

 一般式(2-I)で表される置換基は熱などの� �部刺激により容易にその一部または全部を� �離させることができる。また、一般式(2-I)で 表される置換基は電子求引性であるため、前 記π共役系化合物の酸化耐性が高くなり、化� ��的に安定なπ共役系化合物となる。

(一般式(2-II)で表される化合物)
 本発明の第2の実施態様に用いられる化合物 は、化合物の化学的安定性および半導体動作 安定性、半導体特性の観点からは、下記一般 式(2-II)で表される化合物であることが好まし く、フタロシアニン化合物であることが特に 好ましい。ここで、フタロシアニン化合物は 、フタロシアニン骨格を有する化合物をいい 、フタロシアニンに置換基が結合した誘導体 である。

 前記一般式(2-II)中のQ ¹ は、前記一般式(I)中のQと同義であり、その� �、好ましい具体例も同様である。

 前記一般式(2-II)中、π共役系化合物骨格に� �合している-SO ₂ R ¹² 基は、分子内のどこに結合していてもよいが 、好ましくはQ ¹ により形成される芳香族炭化水素環または芳 香族へテロ環に置換している。R ¹² は、前記の一般式(2-I)におけるR ¹¹ と同義であり、好ましい範囲も同様である。 n ¹ は自然数である。n ¹ が2以上の場合、複数の-SO ₂ R ¹² 基は、同一でも異なっていてもよい。

 前記一般式(2-II)中のM ¹ は、前記一般式(I)中のMと同義であり、その� �や好ましい具体例も同様である。
 M ¹ が水素原子である場合、前記一般式(2-II)は下 記一般式(2-II’)で表される。

 前記一般式(2-II’)において、Q ¹ 、R ¹² 及びn ¹ は、前記一般式(2-II)におけるQ ¹ 、R ¹² 及びn ¹ と同義であり、好ましい範囲も同様である。

(異性体の存在)
 一般に、複数の置換基を有するフタロシア� ��ン化合物には、置換基の結合している位置� ��異なる位置異性体が存在し得る。本発明の� ��2の実施態様に用いられる化合物においても 例外ではなく、場合によっては数種類の位置 異性体が考えられる。本発明の第2の実施態� �においては、フタロシアニン化合物は単一� �化合物として用いても良いし、位置異性体� �混合物として用いることもできる。位置異� �体の混合物として用いる場合には、混合し� �いる位置異性体の数、それぞれの位置異性� �における置換基の置換位置、および位置異� �体の混合比率はいかなるものでも良い。

(純度)
 高いキャリア移動度を示すための条件とし� ��、有機半導体材料が高純度であることが挙� ��られる。有機半導体膜中に不純物が微量で� ��含まれると、不純物がキャリアのトラップ� ��なり、あるいは結晶構造に欠陥をもたらす� ��め、移動度の低下を引き起こす。このよう� ��観点からは、不純物の濃度が低いことが望� ��しく、好ましくは10質量%以下、より好まし� ��は1質量%以下である場合である。材料の純� �は、例えば液体クロマトグラフィー(HPLC)に� �り調べることができる。

(好ましい具体例)
 以下に、本発明の第2の実施態様に用いられ る化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発 明の第2の実施態様はこれらの例示した化合� �に限定されるわけではない。下記の化合物1~ 10では、位置異性体混合物を一つの化合物と� ��て表記している。
 例示した化合物中、Mは2価の金属または水� �原子を表す。Mが金属を表す場合、Mとしては 、例えば、Cu、Zn、Fe、Co、Ni等の単一金属の� �、3価以上の金属と他の元素が結合して2価に なっている原子団、例えば、AlCl、Ti=O、V=O、S iCl ₂ 等も含まれる。また、Mが水素原子の場合、2� ��の水素原子がイソインドール環の窒素原子� ��よびイソインドリン環のいずれか2つの窒素 原子にそれぞれ結合する。

 置換基が少なくとも1つ脱離することによ り、化合物1、2、5、6、7、8、9、10はp型有機� �導体へ、化合物3、4、11はn型有機半導体へと 変換される。

 さらに、本発明の第2の実施態様に用いら れるフタロシアニン化合物の好ましい具体例 としては、前記例示化合物(1)~(54)が挙げられ� ��が、これに限定されるものではない。

(合成法)
 フタロシアニン化合物の合成は、白井汪芳, 小林長夫編・著「フタロシアニン-化学と機� �-」(アイピーシー社,1997年刊)の第1~62頁、廣� �亮,坂本恵一,奥村映子編「機能性色素として のフタロシアニン」(アイピーシー社,2004年刊 )の第29~77頁、特開2005-119165号公報等に記載の� ��法に準じて行うことができる。

 フタロシアニン化合物の代表的な合成方� ��としては、これらの文献に記載のワイラー� ��、フタロニトリル法、リチウム法、サブフ� ��ロシアニン法、および塩素化フタロシアニ� ��法などが挙げられる。具体的には、t-ブチ� �スルホニルフタロニトリル等のような前記� �般式(2-I)で表される置換基を有する化合物を 原料として、フタロシアニン環形成反応を行 うことが好ましい。本発明の第2の実施態様� �おいては、フタロシアニン環形成反応にお� �ていかなる反応条件を用いても良い。環形� �反応においては、フタロシアニンの中心金� �となる種々の金属を添加することが好まし� �が、中心金属を持たないフタロシアニン化� �物を合成後に、所望の金属を導入しても良� �。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用い� �も良いが、好ましくは高沸点の溶媒である� �また、環形成反応促進のために、酸または� �基を用いても良い。最適な反応条件は、目� �とするフタロシアニン化合物の構造により� �なるが、上記の文献に記載された具体的な� �応条件を参考に設定することができる。

 上記のフタロシアニン化合物の合成に使� ��する原料としては、無水フタル酸、フタル� ��ミド、フタル酸およびその塩、フタル酸ジ� ��ミド、フタロニトリル、1,3-ジイミノイソイ ンドリンなどの誘導体を用いることができる 。これらの原料を、必要に応じて適宜一般式 (2-I)で表される置換基に置換し、上記段落[012 7]、[0128]に記載の方法で合成することにより� ��上記フタロシアニン化合物を得ることがで� ��る。また、これらの一般式(2-I)で表される� �換基で置換された原料は公知のいかなる方� �で合成しても良い。具体的には、例えば、3- t-ブチルスルホニルフタロニトリルと中心金� ��源となる金属塩とを、DBU(1,8-ジアザビシク� �〔5.4.0〕-7-ウンデセン)存在下、ブタノール� �で加熱することにより、例示化合物1を得る� ��とができる。

 また、本発明の第2の実施態様に用いられ る、フタロシアニン化合物以外のπ共役系化� ��物骨格を有する化合物については、「Organic  Field-Effect Transistors」(CRC Press,2007年刊)の159� ��-228頁の記載、もしくはそこで引用されてい る文献等を参照して調製することができる。

[成膜工程]
 本発明の第2の実施態様では、まず、前記の 一般式(2-I)で表される置換基を有する化合物� ��基板上に成膜する。

(基板)
 本発明の第2の実施態様においては、ポリエ チレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレ� ��タレート(PET)などのポリエステルフィルム� �ポリイミドフィルム、セラミック、シリコ� �、石英、ガラスなどの種々の材料を基板と� �て用いることができ、用途に応じていかな� �基板を選択してもよい。例えば、フレキシ� �ルな素子の用途の場合にはフレキシブル基� �を用いることができる。また、基板の厚さ� �特に限定されない。

(成膜方法)
 本発明の第2の実施態様において、前記化合 物を基板上に成膜する方法はいかなる方法で も良いが、溶液プロセスにより成膜すること が特に好ましい。
 溶液プロセスによる成膜とは、ここでは有� ��化合物を溶解させることができる溶媒中に� ��解させ、その溶液を基板上に塗布し乾燥さ� ��て成膜する方法を指す。具体的には、キャ� ��ト法、ブレードコーティング法、ワイヤー� ��ーコーティング法、スプレーコーティング� ��、ディッピング(浸漬)コーティング法、ビ� �ドコーティング法、エアーナイフコーティ� �グ法、カーテンコーティング法、インクジ� �ット法、スピンコート法、ラングミュア-ブ� ��ジェット(Langmuir-Blodgett)(LB)法などの通常の� �法を用いることができる。本発明の第2の実� ��態様においては、キャスト法、スピンコー� ��法、およびインクジェット法を用いること� ��さらに好ましい。このような溶液プロセス� ��より、表面が平滑で大面積の有機半導体膜� ��低コストで生産することが可能となる。

(塗布条件)
 溶液プロセスにより基板上に成膜する場合� ��層を形成する材料を適当な有機溶媒(例えば 、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、 キシレン、エチルベンゼン、1-メチルナフタ� ��ン、1,2-ジクロロベンゼン等の炭化水素系溶 媒;例えば、アセトン、メチルエチルケトン� �メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ� �等のケトン系溶媒;例えば、ジクロロメタン� ��クロロホルム、テトラクロロメタン、ジク� ��ロエタン、トリクロロエタン、テトラクロ� ��エタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ� ��、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素� ��溶媒;例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢 酸アミル等のエステル系溶媒;例えば、メタ� �ール、プロパノール、ブタノール、ペンタ� �ール、ヘキサノール、シクロヘキサノール� �メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エ� �レングリコール等のアルコール系溶媒;例え� ��、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン� ��ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶� ��;例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジ� ��チルアセトアミド、1-メチル-2-ピロリドン� �1-メチル-2-イミダゾリジノン、ジメチルスル フォキサイド等の極性溶媒など)及び/又は水� ��溶解又は分散させて塗布液とし、各種の塗� ��法により薄膜を形成することができる。
 その塗布液中の本発明の第2の実施態様に用 いられる化合物の濃度は、好ましくは0.1~80質 量%、より好ましくは0.1~10質量%であり、これ� ��より任意の厚さの膜を形成できる。

 また、成膜の際に樹脂バインダーを用いる� ��とも可能である。この場合、層を形成する� ��料とバインダー樹脂とを前述の適当な溶媒� ��溶解させ、または分散させて塗布液とし、� ��種の塗布法により薄膜を形成することがで� ��る。樹脂バインダーとしては、ポリスチレ� ��、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ� ��エステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリ� ��レタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン� ��ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア� ��リレート、セルロース、ポリエチレン、ポ� ��プロピレン等の絶縁性ポリマー、およびこ� ��らの共重合体、ポリビニルカルバゾール、� ��リシラン等の光伝導性ポリマー、ポリチオ� ��ェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ� ��ラフェニレンビニレン等の導電性ポリマー� ��どを挙げることができる。樹脂バインダー� ��、単独で使用してもよく、あるいは複数併� ��しても良い。薄膜の機械的強度を考慮する� ��ガラス転移温度の高い樹脂バインダーが好� ��しく、電荷移動度を考慮すると極性基を含� ��ない構造の樹脂バインダーや光伝導性ポリ� ��ー、導電性ポリマーが好ましい。
 樹脂バインダーは使わない方が有機半導体� ��特性上好ましいが、目的によっては使用す� ��こともある。この場合の樹脂バインダーの� ��用量は、特に制限はないが、本発明の第2の 実施態様の有機半導体膜中、好ましくは0.1~30 質量%で用いられる。

 用途によっては別の半導体材料や添加剤� ��添加した混合溶液を塗布し、複数の材料種� ��らなるブレンド膜としてもよい。例えば、� ��電変換層を作製する場合、別の半導体材料� ��の混合溶液を用いることが好ましく、用い� ��別の半導体材料としては、本発明の第2の実 施態様で用いる化合物の置換基が脱離した後 の極性(p型、n型)とは別の極性のものを混合� �ることが好ましい。

 混合する別の半導体材料がp型材料である場 合、ホール輸送性を示す材料であれば有機半 導体材料、無機半導体材料のうちいかなる材 料を用いてもよいが、好ましくはp型π共役高 分子(例えば、置換または無置換のポリチオ� �ェン、ポリセレノフェン、ポリピロール、� �リパラフェニレン、ポリパラフェニレンビ� �レン、ポリチオフェンビニレン、ポリアニ� �ンなど)、縮合多環化合物(例えば、置換また は無置換のアントラセン、テトラセン、ペン タセン、アントラジチオフェン、ヘキサベン ゾコロネンなど)、トリアリールアミン化合� �(例えば、m-MTDATA、2-TNATA、NPD、TPD、mCP、CBPな� ��)、ヘテロ5員環化合物(例えば、置換または� ��置換のオリゴチオフェン、TTFなど)、フタロ シアニン化合物(置換または無置換の各種中� �金属のフタロシアニン、ナフタロシアニン� �アントラシアニン、テトラピラジノポルフ� �ラジン)、ポルフィリン化合物(置換または無 置換の各種中心金属のポルフィリン)、p型無� ��半導体(例えば、Si _1-X C _X (0≦X≦1)、CuI、CuS、GaAs、ZnTe、Cu ₂ O、Cu ₂ S、CuSCN、CuF、CuCl、CuBr、CuInSe ₂ 、CuInS ₂ 、CuAlSe ₂ 、CuGaSe ₂ 、CuGaS ₂ 、GaP、NiO、CoO、FeO、Bi ₂ O ₃ 、MoO ₂ 、Cr ₂ O ₃ などの無機酸化物)のいずれかであり、より� �ましくはp型π共役高分子、縮合多環化合物� �トリアリールアミン化合物、ヘテロ5員環化� ��物、フタロシアニン化合物、ポルフィリン� ��合物のいずれかであり、さらに好ましくは� ��p型π共役高分子である。

 混合する別の半導体材料がn型材料である場 合、ホール輸送性を有するものであれば有機 半導体材料、無機半導体材料のうち、いかな るものでもよいが、好ましくはフラーレン化 合物、電子欠乏性フタロシアニン化合物、ナ フタレンテトラカルボニル化合物、ペリレン テトラカルボニル化合物、TCNQ化合物、n型π� �役高分子、n型無機半導体であり、より好ま� ��くはフラーレン化合物、電子欠乏性フタロ� ��アニン化合物、ナフタレンテトラカルボニ� ��化合物、ペリレンテトラカルボニル化合物� ��π共役高分子であり、特に好ましくはフラ� �レン化合物、π共役高分子である。本発明の 第2の実施態様において、フラーレン化合物� �は、置換または無置換のフラーレンを指し� �フラーレンとしてはC ₆₀ 、C ₇₀ 、C ₇₆ 、C ₇₈ 、C ₈₀ 、C ₈₂ 、C ₈₄ 、C ₈₆ 、C ₈₈ 、C ₉₀ 、C ₉₆ 、C ₁₁₆ 、C ₁₈₀ 、C ₂₄₀ 、C ₅₄₀ などのいずれでもよいが、好ましくは置換ま たは無置換のC ₆₀ 、C ₇₀ 、C ₈₆ であり、特に好ましくはPCBM([6,6]-フェニル-C ₆₁ -酪酸メチルエステル)およびその類縁体(C ₆₀ 部分をC ₇₀ 、C ₈₆ 等に置換したもの、置換基のベンゼン環を他 の芳香環またはヘテロ環に置換したもの、メ チルエステルをn-ブチルエステル、i-ブチル� �ステル等に置換したもの)である。電子欠乏� ��フタロシアニン類とは、電子求引基が4つ以 上結合した各種中心金属のフタロシアニン(F ₁₆ MPc、FPc-S8など)、ナフタロシアニン、アント� �シアニン、置換または無置換のテトラピラ� �ノポルフィラジンなどである。ナフタレン� �トラカルボニル化合物としてはいかなるも� �でもよいが、好ましくはナフタレンテトラ� �ルボン酸無水物(NTCDA)、ナフタレンビスイミ� ��化合物(NTCDI)、ペリノン顔料(Pigment Orange 43� ��Pigment Red 194など)である。ペリレンテトラ� ��ルボニル化合物としてはいかなるものでも� ��いが、好ましくはペリレンテトラカルボン� ��無水物(PTCDA)、ペリレンビスイミド化合物(PT CDI)、ベンゾイミダゾール縮環体(PV)である。T CNQ化合物とは、置換または無置換のTCNQおよ� �、TCNQのベンゼン環部分を別の芳香環やヘテ� ��環に置き換えたものであり、例えば、TCNQ、 TCAQ、TCN3Tなどである。無機半導体とは、電子 輸送性を有するものであればいかなるもので もよいが、例えばTiO ₂ 、TiSrO ₃ 、ZnO、Nb ₂ O ₃ 、SnO ₂ 、WO ₃ 、Si、SiO、CdS、CdSe、V ₂ O ₅ 、ZnS、ZnSe、SnSe、KTaO ₃ 、FeS ₂ 、PbS、InP、GaAs、CuInS ₂ 、CuInSe ₂ 、LiF、CaFなどである。n型有機半導体材料の� �に好ましい例を以下に示す。
 なお、式中のRとしては、いかなるものでも 構わないが、水素原子、置換基または無置換 で分岐または直鎖のアルキル基(好ましくは� �素数1~18、より好ましくは1~12、さらに好まし くは1~8のもの)、置換または無置換のアリー� �基(好ましくは炭素数6~30、より好ましくは6~2 0、より好ましくは6~14のもの)のいずれかであ ることが好ましい。

 複数の材料種の混合溶液を用いる場合、� ��合する材料種のうち、本発明の第2の実施態 様に用いられる化合物が10~99.9質量%であるこ� ��が好ましく、20~99質量%であることがより好� ��しく、30~99質量%であることがさらに好まし� ��。

 また、成膜の際、基板を加熱または冷却� ��てもよく、基板の温度を変化させることで� ��質や膜中での分子のパッキングを制御する� ��とが可能である。基板の温度としては特に� ��限はないが、好ましくは-200℃~400℃、より� �ましくは-100℃~300℃、さらに好ましくは0℃~2 00℃である。

 本発明の第2の実施態様に用いられる前記 の一般式(2-I)で表される置換基を有するπ共� �系化合物は、特に溶液プロセスによる成膜� �適している。本発明の第2の実施態様では、� ��空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ� ��ティング法、分子ビームエピタキシー(MBE)� �などの物理気相成長法、あるいはプラズマ� �合などの化学気相蒸着(CVD)法などの真空プロ セスにより成膜することも可能であるが、こ れらは製造コストが高く、膜表面の平滑性に 劣るため好ましくない。また、溶液プロセス で成膜するためには、上記で挙げた溶媒など に材料が溶解することが必要であるが、単に 溶解するだけでは不十分である。通常、真空 プロセスで成膜する材料でも、溶媒にある程 度溶解させることができる。しかし、溶液プ ロセスでは、材料を溶媒に溶解させて塗布し た後で、溶媒が蒸発して薄膜が形成する過程 がある。ここで、溶液プロセスに適さない材 料は、結晶性の高いものが多いため、この過 程で結晶化してしまい、良好な薄膜を形成さ せることが困難である。これに対し、本発明 の第2の実施態様に用いられる前記の一般式(2 -I)で表される置換基を有するπ共役系化合物� ��、このような結晶化が起こりにくい点でも� ��れている。

 前記化合物を含有する溶液の塗布量は、� ��媒の種類や溶液の濃度などによって異なる� ��、形成される有機半導体膜の膜厚が後述の� ��囲内となるように適宜決定される。

[置換基脱離工程]
 前記の一般式(2-I)で表される置換基を有す� �π共役系化合物を基板上に成膜した後、該化 合物から前記置換基を脱離させる。
 前記一般式(2-I)で表される置換基の脱離反� �は、好ましくは150℃以上、より好ましくは20 0℃以上、さらに好ましくは250℃以上に加熱� �ることで引き起こすことができる。加熱温� �の上限は好ましくは500℃以下、より好まし� �は450℃以下、さらに好ましくは400℃以下で� �る。高温であるほど反応時間は短く、低温� �あるほど脱離反応に必要な時間は長くなる� �
 有機半導体膜の用途によっては、加熱温度� ��加熱時間を変えることで、前記一般式(2-I)� �表される置換基の一部のみを脱離させて、� �機半導体膜の特性(例えば移動度)を調整する ことも可能である。前記一般式(2-I)で表され� ��置換基のうち、脱離させる割合は、好まし� ��は30%~100%、より好ましくは40%~100%、さらに好 ましくは50%~100%である。
 加熱にはヒーターを用いた伝熱による加熱� ��他、赤外線ランプや、化合物が吸収する波� ��の光を照射することを利用してもよい。ま� ��、前記の一般式(2-I)で表される置換基を有� �るπ共役系化合物の膜の近傍に光を吸収する 層を設け、光をこの層で吸収させることによ り加熱してもよい。これらの加熱は、窒素や アルゴン、真空中などの不活性ガス雰囲気下 で行うことが好ましい。

[有機半導体材料]
 本発明の第2の実施態様における有機半導体 材料とは、半導体の特性を示す有機材料のこ とである。無機材料からなる半導体の場合と 同様に、正孔をキャリアとして伝導するp型� �機半導体と、電子をキャリアとして伝導す� �n型有機半導体がある。有機半導体中のキャ� ��アの流れやすさはキャリア移動度μで表さ� �る。用途にもよるが、一般に移動度は高い� �がよく、10 ^-7 cm ² /Vs以上であることが好ましく、10 ^-6 cm ² /Vs以上であることがより好ましく、10 ^-5 cm ² /Vs以上であることがさらに好ましい。移動度 は電界効果トランジスタ(FET)素子を作製した� ��きの特性や飛行時間計測(TOF)法により求め� �ことができる。

(有機半導体膜の後処理)
 作製された有機半導体膜は、後処理により� ��性を調整することができる。例えば、加熱� ��理や溶媒蒸気への暴露により膜のモルホロ� ��ーや膜中での分子のパッキングを変化させ� ��ことで特性を向上させることが可能である� ��また、酸化性または還元性のガスや溶媒、� ��質などにさらす、あるいはこれらを混合す� ��ことで酸化あるいは還元反応を起こし、膜� ��でのキャリア密度を調整することができる� ��

(膜厚)
 有機半導体膜の膜厚は、特に制限されず、� ��いられる電子デバイスの種類などにより異� ��るが、好ましくは5nm~50μm、より好ましくは1 0nm~5μm、さらに好ましくは20nm~500nmである。

[有機電子デバイス]
 本発明の第2の実施態様の有機電子デバイス は、前記の方法により得られた有機半導体膜 を含む。ここで、有機電子デバイスとは、有 機半導体を含有しかつ2つ以上の電極を有し� �その電極間に流れる電流や生じる電圧を、� �気、光、磁気、化学物質などにより制御す� �デバイス、あるいは、印加した電圧や電流� �より、光や電場、磁場などを発生させるデ� �イスである。例としては、有機光電変換素� �、有機電界効果トランジスタ、有機電界発� �素子、ガスセンサ、有機整流素子、有機イ� �バータ、情報記録素子などが挙げられる。� �機光電変換素子は光センサ用途、エネルギ� �変換用途(太陽電池)のいずれにも用いること ができる。これらの中で、好ましくは有機電 界効果トランジスタ、有機光電変換素子、有 機電界発光素子であり、より好ましくは有機 電界効果トランジスタ、有機光電変換素子で あり、特に好ましくは有機電界効果トランジ スタである。

(有機電界効果トランジスタ)
 本発明の第2の実施態様の有機電子デバイス の好ましい一実施態様である有機電界効果ト ランジスタの素子構成について、図14を参照� ��ながら説明する。
 図14は、本発明の第2の実施態様の有機半導� ��膜を用いた有機電界効果トランジスタ素子� ��構造を概略的に示す断面図である。図14の� �ランジスタは積層構造を基本構造として有� �るものであり、最下層に基板11(例えば、ポ� �エチレンナフトエート(PEN)、ポリエチレンテ レフタレート(PET)などのポリエステルフィル� ��、ポリイミドフィルム、セラミック、シリ� ��ン、石英、ガラスなど)を配置し、その上面 の一部に電極12を設け、さらに該電極12を覆� �、かつ電極12以外の部分で基板11と接するよ� ��に絶縁体層13を設けている。さらに絶縁体� �13の上面に有機半導体層14を設け、その上面� ��一部に2つの電極15aと15bとを隔離して配置し ている。
 電極12、電極15a及び電極15bの構成材料は、� �電性を示すものであれば特に制限なく用い� �ことができ、Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、P t、Pd、In、NiあるいはNdなどの金属材料やこれ らの合金材料、あるいはカーボン材料、導電 性高分子など、既知の導電性材料であれば特 に制限することなく使用できる。なお、図14� ��示した構成はトップコンタクト型素子と呼� ��れるが、図15-1に示すように電極15a及び15bが 有機半導体層14の下部にあるボトムコンタク� ��型素子も好ましく用いることができる。

 ゲート幅(チャンネル幅)W及びゲート長(チ ャンネル長)Lに特に制限はないが、これらの� ��W/Lが10以上であることが好ましく、20以上で あることがより好ましい。

 各層の厚さに特に制限はないが、より薄� ��トランジスタとする必要がある場合には、� ��えばトランジスタ全体の厚さを0.1~0.5μmとす ることが好ましく、そのために各層の厚さを 10~400nmとすることが好ましく、電極の厚さを1 0~50nmとすることが好ましい。

 絶縁層13を構成する材料は、必要な絶縁� �果が得られれば特に制限はないが、例えば� �二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエステル� �縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アク� �ルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶� �材料、ポリイミド絶縁材料、ポリパラキシ� �レン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。絶� �層13の上面は表面処理がなされていてもよく 、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチル ジシラザン(HMDS)やオクタデシルトリクロロシ ラン(OTS)の塗布により表面処理した絶縁層を� ��ましく用いることができる。

(封止)
 素子を大気や水分から遮断し、素子の保存� ��を高めるために、素子全体を金属の封止缶� ��ガラス、窒化ケイ素やアルミナなどの無機� ��料、パリレンなどの高分子材料などで封止� ��ても良い。

 [有機光電変換素子]
 図15-2は本発明の第2の実施態様の有機半導� �材料を用いた代表的な有機光電変換素子の� �造を概略的に示す断面図である。図15-2の素� ��は積層構造を有するものであり、最下層に� ��板21を配置し、その上面に電極層22を設け、 さらにその上層に、前記の方法により得られ た有機半導体膜からなる有機光電変換層23を� ��け、さらにその上面に電極層24を設けてい� �。電極層22や24と有機光電変換層23との間に� �、図15-2中には表記されていないが、表面の� ��滑性を高めるバッファ層、ホールまたは電� ��の電極からの注入を促進するキャリア注入� ��、ホールまたは電子を輸送するキャリア輸� ��層、ホールまたは電子を阻止するキャリア� ��ロック層など(1つの層が前記複数の役割を� �ねることもある)が含まれていても良い。本� ��明の第2の実施態様においては、電極層と光 電変換層との間に用いるこれらの層を、その 役割によらず全てバッファ層という言葉で表 すことにする。なお、電極層や各層は必ずし も平面でなくてもよく、大きな凹凸を有して いたり、三次元的な形状(例えば、くし型)で� ��っても良い。

 基板21として用いる材料は、可視光また� �赤外光を透過するものであれば特に制限は� �い。可視光または赤外光の透過率は、60%以� �であることが好ましく、70%以上であること� �より好ましく、80%以上であることが最も好� �しい。このような材料の例としては、ポリ� �チレンナフトエート(PEN)、ポリエチレンテレ フタレート(PET)などのポリエステルフィルム� ��ポリイミドフィルム、セラミック、シリコ� ��、石英、ガラスなどが挙げられる。厚みは� ��に制限はない。

 電極層22として用いる材料は、可視光また� �赤外光を透過し、導電性を示すものであれ� �特に制限はない。可視光または赤外光の透� �率は、60%以上であることが好ましく、70%以� �であることがより好ましく、80%以上である� �とが最も好ましい。そのような材料として� �、ITO、IZO、SnO ₂ 、ATO(アンチモンドープ酸化スズ)、ZnO、AZO(Al� ��ープ酸化亜鉛)、GZO(ガリウムドープ酸化亜� �)、TiO ₂ 、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)などの透明導電� ��酸化物が好ましく、プロセス適性や平滑性� ��観点からITOまたはIZOが特に好ましい。膜厚� ��制限はないが、1nm~200nmであることが好まし� ��、5nm~100nmであることがより好ましい。電極2 2が構造自立性を有するものである場合、基� �11は必ずしも必要ではなく、電極22が基板21� �兼ねる場合は、膜厚は前述の厚みより厚く� �もよい。

 有機光電変換層を構成する材料は、本発� ��の第2の実施態様で用いる化合物(または本� �明の第2の実施態様で用いる化合物から置換� ��の一部または全部が脱離した化合物)単独で もよいし、別の半導体材料を組み合わせて用 いてもよいが、別の半導体材料を組み合わせ て用いることが好ましい。別の半導体材料を 組み合わせて使用する場合の成分、組成等は 前述の通りである。

 バッファ層として用いられる材料はキャ� ��アを輸送する能力のある材料であれば有機� ��料および無機材料のいかなるものを用いて� ��良いが、好ましくはアモルファス性のもの� ��ある。ホール輸送性のバッファ材料として� ��いかなるものでも良いが、好ましくは導電� ��高分子(例えばPEDOT:PSS)、p型π共役系高分子� �トリアリールアミン化合物、p型無機半導体� ��あり、より好ましくは導電性高分子、トリ� ��リールアミン化合物である。電子輸送性の� ��ッファ材料としてはいかなるものでも良い� ��、好ましくはフラーレン化合物、電子欠乏� ��フタロシアニン化合物、ナフタレンテトラ� ��ルボニル化合物、ペリレンテトラカルボニ� ��化合物、n型π共役高分子、金属錯体化合物( 例えばAlq、BAlqなど)、バソクプロイン、n型無 機半導体、より好ましくは、ナフタレンテト ラカルボニル化合物、金属錯体化合物、バソ クプロイン、n型無機半導体である。

 電極層24として用いる材料は、導電性を� �すものであれば特に制限はないが、光利用� �率を高める観点からは、光反射性の高い材� �が好ましく、Al、Pt、W、Au、Ag、Ta、Cu、Cr、Mo 、Ti、Ni、Pd、Znが好ましく、Al、Pt、Au、Agが� �り好ましい。電極層24の膜厚は、特に制限は ないが、1nm~1μmであることが好ましく、5nm~500 nmであることがより好ましい。

 素子の保存性を高めるためには、素子が� ��活性雰囲気を保てるよう、封止することが� ��ましく、好ましい封止用材料としては金属� ��ガラス、窒化ケイ素、アルミナなどの無機� ��料、パリレンなどの高分子材料が挙げられ� ��。封止の際に、乾燥剤等を封入しても良い� ��

 本発明の第2の実施態様の有機薄膜光電変換 素子は、エネルギー変換用途(有機薄膜太陽� �池)として用いても良いし、光センサ(固体撮 像素子等)として用いても良い。エネルギー� �換用途で用いる場合、本発明の第2の実施態� ��の有機薄膜光電変換素子を単独で用いても� ��いし、他の有機薄膜光電変換素子と積層(タ ンデム)しても良い。タンデムの方法につい� �は、Applied Physics Letters,2004,85,5757-5759.に詳細 に記載されており、参考にできる。光センサ として用いる場合には、S/N比を向上させるた め、電極12と電極14の間にバイアスを印加し� �信号を読み出すことが好ましく、この場合� �光電変換層にかけるバイアスは1.0×10 ⁵ V/cm以上1.0×10 ⁷ V/cm以下であることが好ましい。有機薄膜光� �変換素子を用いた固体撮像素子としては、� �開2003-234460、特開2003-332551、特開2005-268609な� �に詳細に記載されており、参考にできる。

 前記の一般式(2-I)で表される置換基を有� �るπ共役系化合物を有機半導体の前駆体とし て用いることにより、基板上への成膜が容易 で、かつ、こうして成膜したものに熱などの 外部刺激を加えることにより置換基の脱離反 応が効率的に進行し、化学的安定性および半 導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示 す有機半導体膜が得られる。本発明の第2の� �施態様の有機半導体膜およびこれを用いた� �子デバイス(特に電界効果トランジスタ(FET)� �有機光電変換素子)は、高純度であり、半導� ��動作安定性が高く、良好な半導体特性を示� ��。

 本発明は、溶液プロセスに好適に対応し� ��る溶媒可溶性の前駆体化合物を用い、該前� ��体化合物及びこれに外部刺激を与えて得た� ��的化合物のいずれにおいても良好な保存安� ��性を示し、工業利用性の高い置換基脱離化� ��物の製造方法の提供を課題とする。また、� ��の技術を用い、優れた特性を有する、顔料� ��粒子、フタロシアニン化合物、および薄膜� ��効率的な製造方法の提供を課題とする。

 本発明の置換基脱離化合物の製造方法に� ��れば、溶媒可溶性の前駆体化合物を原料と� ��て用いたため溶液プロセスに好適に対応す� ��ことができ、しかも前記前駆体化合物に外� ��刺激を与えることにより置換基の脱離反応� ��速やかに進行させ目的の化合物を得ること� ��できる。さらに、本発明の製造方法におい� ��は、前記前駆体化合物及びこれに外部刺激� ��与えて得られる目的化合物のいずれにおい� ��も耐光性等の保存安定性が高く、その原料� ��び生成物としての保管を可能とし、製造工� ��の自由度を高め効率化するとともに高品質� ��実現しうるという優れた作用効果を奏する� ��また、この技術を用いて、高純度で優れた� ��性を有する顔料微粒子、フタロシアニン化� ��物、およびその薄膜を効率的に製造するこ� ��ができる。

 また、本発明は、上述の技術的背景に鑑� ��てなされたものであり、その課題は、溶液� ��ロセスでの素子作製に適した溶媒可溶性を� ��しながら、成膜後に化学的安定性および半� ��体動作安定性が高く良好な半導体特性を示� ��、特定の置換基を有する化合物を用いて得� ��れる有機半導体膜、およびその製造方法、� ��びに該半導体膜を用いた有機電子デバイス� ��提供することにある。

 本発明の方法により、溶液プロセスによる� ��膜が可能であり、化学的安定性および半導� ��動作安定性が高く良好な半導体特性を示す� ��機半導体膜を低コストで効率的に製造する� ��とができる。
 本発明の有機半導体膜およびこれを用いた� ��子デバイス(特に電界効果トランジスタ(FET)) は、有機半導体材料が高純度であり、半導体 動作安定性が高く、良好な半導体特性を示す 。