以下、図面を参照して本発明のEUVマスクブ� ��ンクを説明する。
 図1は、本発明のEUVマスクブランクの1実施� �態を示す概略断面図である。図1に示すマス� ��ブランク1は、基板11上にEUV光を反射する反� ��層12と、EUV光を吸収する吸収体層14とがこの 順に形成されている。反射層12と吸収体層14� �の間には、吸収体層14へのパターン形成時に 反射層12を保護するための保護層13が形成さ� �ている。吸収体層14上には、マスクパターン の検査に使用する検査光における低反射層15� ��形成されている。但し、本発明のEUVマスク� ��ランク1において、図1に示す構成中、基板11 、反射層12および吸収体層14のみが必須であ� �、保護層13および低反射層15は任意の構成要� ��である。
 以下、マスクブランク1の個々の構成要素に ついて説明する。

 基板11は、EUVマスクブランク用の基板とし� �の特性を満たすことが要求される。そのた� �、基板11は、低熱膨張係数(具体的には、20℃ における熱膨張係数が0±0.05×10 ^-7 /℃であることが好ましく、特に好ましくは0� �0.03×10 ^-7 /℃)を有し、平滑性、平坦度、およびマスク� ��ランクまたはパターン形成後のフォトマス� ��の洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れた� ��のが好ましい。基板11としては、具体的に� �低熱膨張係数を有するガラス、例えばSiO ₂ -TiO ₂ 系ガラス等を用いるが、これに限定されず、 β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英� ��ラスやシリコンや金属などの基板を用いる� ��ともできる。
 基板11は、表面粗さ(rms)0.15nm以下の平滑な表 面と100nm以下の平坦度を有していることがパ� ��ーン形成後のフォトマスクにおいて高反射� ��および転写精度が得られるために好ましい� ��
 基板11の大きさや厚みなどはマスクの設計� �等により適宜決定されるものである。後で� �す実施例では外形6インチ(152mm)角で、厚さ0.2 5インチ(6.3mm)のSiO ₂ -TiO ₂ 系ガラスを用いた。
 基板11の反射層12が形成される側の表面には 欠点が存在しないことが好ましい。しかし、 存在している場合であっても、凹状欠点およ び/または凸状欠点によって位相欠点が生じ� �いように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点� �高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点� �よび凸状欠点の半値幅が60nm以下であること� ��好ましい。

 反射層12は、EUVマスクブランクの反射層� �して所望の特性を有するものである限り特� �限定されない。ここで、反射層12に特に要求 される特性は、高EUV光線反射率であることで ある。具体的には、EUV光の波長領域の光線を 入射角6度で反射層12表面に照射した際に、波 長13.5nm付近の光線反射率の最大値が60%以上で あることが好ましく、65%以上であることがよ り好ましい。また、反射層12の上に保護層13� �低反射層15を設けた場合であっても、波長13. 5nm付近の光線反射率の最大値が60%以上である ことが好ましく、65%以上であることがより好 ましい。

 反射層12は、高EUV光線反射率を達成でき� �ことから、通常は高屈折層と低屈折率層を� �互に複数回積層させた多層反射膜が反射層12 として用いられる。反射層12をなす多層反射� ��において、高屈折率層には、Moが広く使用� �れ、低屈折率層にはSiが広く使用される。す なわち、Mo/Si多層反射膜が最も一般的である� ��但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ru/S i多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化� ��物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo 多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜も用いるこ� ��ができる。

 反射層12をなす多層反射膜を構成する各� �の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使� �する膜材料および反射層に要求されるEUV光� �反射率に応じて適宜選択することができる� �Mo/Si反射膜を例にとると、EUV光線反射率の最 大値が60%以上の反射層12とするには、多層反� ��膜は膜厚2.3±0.1nmのMo層と、膜厚4.5±0.1nmのSi� ��とを繰り返し単位数が30~60になるように積� �させればよい。

 なお、反射層12をなす多層反射膜を構成す� �各層は、マグネトロンスパッタリング法、� �オンビームスパッタリング法など、周知の� �膜方法を用いて所望の厚さになるように成� �すればよい。例えば、イオンビームスパッ� �リング法を用いてSi/Mo多層反射膜を形成する 場合、ターゲットとしてSiターゲットを用い� ��スパッタガスとしてArガス(ガス圧1.3×10 ^-2 Pa~2.7×10 ^-2 Pa)を使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜 速度0.03~0.30nm/secで厚さ4.5nmとなるようにSi膜� �成膜し、次に、ターゲットとしてMoターゲッ トを用い、スパッタガスとしてArガス(ガス圧 1.3×10 ^-2 Pa~2.7×10 ^-2 Pa)を使用して、イオン加速電圧300~1500V、成膜 速度0.03~0.30nm/secで厚さ2.3nmとなるようにMo膜� �成膜することが好ましい。これを1周期とし� ��、Si膜およびMo膜を40~50周期積層させること� ��よりSi/Mo多層反射膜が成膜される。

 反射層12表面が酸化されるのを防止する� �め、反射層12をなす多層反射膜の最上層は酸 化されにくい材料の層とすることが好ましい 。酸化されにくい材料の層は反射層12のキャ� ��プ層として機能する。キャップ層として機� ��する酸化されにくい材料の層の具体例とし� ��は、Si層を例示することができる。反射層12 をなす多層反射膜がSi/Mo膜である場合、最上� ��をSi層とすることによって、該最上層をキ� �ップ層として機能させることができる。そ� �場合キャップ層の膜厚は、11±2nmであること� ��好ましい。

 保護層13は、エッチングプロセス、通常は� �ライエッチングプロセスにより吸収体層14に パターン形成する際に、反射層12がエッチン� ��プロセスによるダメージを受けないよう、� ��射層12を保護することを目的として設けら� �る。したがって保護層13の材質としては、吸 収体層14のエッチングプロセスによる影響を� ��けにくい、つまりこのエッチング速度が吸� ��体層14よりも遅く、しかもこのエッチング� �ロセスによるダメージを受けにくい物質が� �択される。この条件を満たす物質としては� �たとえばCr、Al、Ta又はこれらの窒化物、Ru又 はRu化合物(RuB、RuSi等)、ならびにSiO ₂ 、Si ₃ N ₄ 、Al ₂ O ₃ やこれらの混合物が例示される。これらの中 でも、Ru又はRu化合物(RuB、RuSi等)、CrN又はSiO ₂ が好ましく、Ru又はRu化合物(RuB、RuSi等)が密� �性や吸収性の点で特に好ましい。
 保護層13の厚さは1~60nmであることが好まし� �。

 保護層13は、マグネトロンスパッタリング� �、イオンビームスパッタリング法など周知� �成膜方法を用いて成膜する。マグネトロン� �パッタリング法によりRu膜を成膜する場合、 ターゲットとしてRuターゲットを用い、スパ� ��タガスとしてArガス(ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~10×10 ^-1 Pa)を使用して投入電力30W~500W、成膜速度5~50nm/ minで厚さ2~5nmとなるように成膜することが好� ��しい。

 吸収体層14に特に要求される特性は、EUV光� �反射率が極めて低いことである。具体的に� �、EUV光の波長領域の光線を吸収体層14表面に 照射した際に、波長13.5nm付近の最大光線反射 率が0.5%以下であることが好ましく、0.1%以下� ��あることがより好ましい。
 上記の特性を達成するため、EUV光の吸収係� ��が高い材料で構成されることが好ましい。
 本発明のEUVマスクブランク1の吸収体層14は� ��タンタル(Ta)およびハフニウム(Hf)を以下に� �べる特定の比率で含有することで上記の特� �を達成する。

 吸収体層14のHfの含有率は20~60at%である。吸� ��体層14のHfの含有率が20at%未満だと、吸収体� ��14の結晶状態がアモルファスとなりにくい� �吸収体層14のHfの含有率が60at%超だと、吸収� �層のエッチング特性が悪化し、要求される� �ッチング選択比を満足することが困難とな� �。
 本発明のEUVマスクブランクは、吸収体層14� �Hf含有率が上記範囲であることにより、吸収 体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく 、吸収体表面が平滑性に優れている。また、 吸収体層14が、EUV光の光線反射率、およびパ� ��ーン検査光の波長域の光線反射率が低い等� ��EUVマスクブランクとして優れた特性を有し� ��いる。
 吸収体層14のHfの含有率は、30~50at%であるこ� ��がより好ましく、30~45at%であることがさら� �好ましい。

 なお、特許文献1には、極端紫外領域を含む 短波長域の露光光の吸収体で構成する吸収体 層を下層とし、マスクパターンの検査に使用 する検査光の吸収体で構成する低反射層を上 層とした二層構造の吸収体において、上層お よび下層に含まれる金属元素の一例としてHf� ��挙げられているが、TaおよびHfを含有する構 成は全く記載されていない。また、特許文献 1では、吸収体層をTaBN膜、TaBO膜およびTaBNO膜� ��した場合、結晶状態がアモルファスとなる� ��記載されているが、Hfを含む構成とした場� �に結晶状態がアモルファスになるとは一切� �載されていない。
 なお、BやSiなどの元素を混合することで、� ��属結晶をアモルファス化できることは広く� ��られており、特許文献1ではそれを使用して 吸収体層をアモルファス化することで表面を 平滑化している。しかし、TaとHfという2つの� ��属元素を同時に含有する膜がアモルファス� ��することは知られておらず、特許文献1にお いても、TaおよびHfは吸収体層に含有可能な� �多くの金属元素の一例として挙げられてい� �にすぎない。

 本発明によれば、BやSiなど、従来金属結晶� ��アモルファス化に寄与することが公知の元� ��を用いることなしに、吸収体層の結晶状態� ��アモルファス化できる。なお、従来金属結� ��のアモルファス化に寄与することが公知の� ��素としては、B、Si以外にGeが挙げられる。� �れらの元素は、金属結晶のアモルファス化� �寄与するものであるが、吸収体層に含有さ� �た場合に不可避な問題点も生じる。例えば� �Bを含有させた場合、成膜に使用するターゲ� ��トの抵抗値が大きくなるため、放電が不安� ��になるとともに、成膜速度が遅くなる。放� ��が不安定になることによって、膜の組成や� ��厚にばらつきが生じたり、場合によっては� ��膜不能となる等の問題が生じる。また、Si� �含有させた場合、SiのEUV吸収係数が小さいた め、吸収体層のEUV光の吸収特性を低下させる という等の問題が生じる。
 したがって、吸収体層14は、これらB、Siお� �びGeの元素を実質的に含有しないことが好ま しく、B、SiおよびGeの元素の合計含有率が5at% 以下であることが好ましい。これらの元素の 合計含有率は4at%以下であることがより好ま� �く、3at%以下であることがさらに好ましい。

 吸収体層14において、Hfを除いた残部はTa� ��あることが好ましい。したがって、吸収体� ��14におけるTaの含有率は、40~80at%であること� ��好ましい。吸収体層14におけるTaの含有率は 50~70at%であることがより好ましく、55~70at%で� �ることがさらに好ましい。

 なお、吸収体層14は、必要に応じてTaおよび Hf以外の元素を含んでいてもよい。この場合� ��吸収体層14に含める元素は、EUV光線の吸収� �性等のマスクブランクとしての適性を満た� �必要がある。
 吸収体層14に含めることができる元素の一� �として、窒素(N)が挙げられる。吸収体層14が 微結晶構造であった場合、Nを含有させるこ� �により、結晶粒径をさらに小さくすること� �可能であり、吸収体層14表面の平滑性を向上 させる効果を有する。また、吸収体層14にNを 含有することにより、吸収体層14で発生する� ��力を低減する効果が期待される。

 吸収体層14がNを含有する場合、吸収体層1 4におけるTaおよびHfの合計含有率が40~70at%で� �り、TaとHfの組成比がTa:Hf=8:2~4:6であることが 好ましい。なお、本発明において、TaとHfの� �成比とは、TaとHfの原子比での組成比を意味� ��る。TaおよびHfの合計含有率が40at%未満であ� ��と、EUV光の光線反射率を十分低くすること� ��できない。TaおよびHfの合計含有率が70at%超� ��あると、平滑性の向上および応力低減の効� ��が小さい。また、Hfが上記組成比より低い� �合、吸収体層14の結晶状態がアモルファスと なりにくい。吸収体層14のHfが上記組成比よ� �高い場合、吸収体層のエッチング特性が悪� �し、要求されるエッチング選択比を満足し� �くくなる。

 吸収体層14におけるNの含有率は30~60at%で� �ることが好ましい。Nの含有率が上記よりも� ��い場合、膜密度が下がり、EUV光の吸収係数� ��低下し、十分なEUV光線の吸収特性が得られ� ��い可能性がある。また、吸収体層14の耐酸� �が低下する可能性がある。

 TaおよびHfの合計含有率は、45~80at%である� ��とがより好ましく、45~75at%であることがさ� �に好ましい。また、TaとHfの組成比は、7:3~4:6 であることがより好ましく、6.5:3.5~4.5:5.5であ ることがさらに好ましく、6:4~5:5であること� �特に好ましい。N含有率は、20~55at%であるこ� �がより好ましく、25~55at%であることがさらに 好ましい。

 吸収体層14は、成膜時に使用するターゲッ� �からのZrを0.1~1.0at%含有してもよい。Zrの量を 低く抑えることで、EUVの吸収性能を向上させ る点で好ましい。
 また、吸収体層14は、酸素(O)を20at%以下含む ことがエッチングレートが良好となる点で好 ましい。10at%以下がさらに好ましく、5at%以下 が特に好ましい。また、吸収体層14は、炭素( C)を10at%以下含むことが好ましい。5at%以下が� ��らに好ましく、3at%以下が特に好ましい。
 ただし、吸収層としての好ましいエッチン� ��レートや密着性などを考慮すると、吸収体� ��14中に、Crは5at%以下含むことが好ましい。
 さらに、EUV光の吸収係数の点からは、Si,Mo,B ,Y,Zr,Nb,La,Tiからなる群から選ばれる1種以上の 元素の合計量は、10at%以下が好ましく、5at%以 下であることがさらに好ましい。
 なお、上記添加金属の添加量の限定は、後� ��する低反射層にも適用できる。

 吸収体層14は、上記の構成であることによ� �、その結晶状態はアモルファスであること� �好ましい。本明細書において、「結晶状態� �アモルファスである」と言った場合、全く� �晶構造を持たないアモルファス構造となっ� �いるもの以外に、微結晶構造のものを含む� �吸収体層14が、アモルファス構造の膜または 微結晶構造の膜であれば、吸収体層14の表面� ��平滑性に優れている。
 本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層 14がアモルファス構造の膜または微結晶構造� ��膜であることにより、吸収体層14表面の表� �粗さ(rms)が0.5nm 以下であることが好ましい� �ここで、吸収体層14表面の表面粗さは原子間 力顕微鏡(Atomic Force Microscope)を用いて測定す ることができる。吸収体層14表面の表面粗さ� ��大きいと、吸収体層14に形成されるパター� �のエッジラフネスが大きくなり、パターン� �寸法精度が悪くなる。パターンが微細にな� �に従いエッジラフネスの影響が顕著になる� �め、吸収体層14表面は平滑であることが要求 される。
 吸収体層14表面の表面粗さ(rms)が0.5nm以下で� ��れば、吸収体層14表面が十分平滑であるた� �、エッジラフネスの影響によってパターン� �寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体� �14表面の表面粗さ(rms)は0.4nm以下であること� �より好ましく、0.3nm以下であることがさらに 好ましい。

 なお、吸収体層14の結晶状態がアモルフ� �スであること、すなわち、アモルファス構� �であること、または微結晶構造であること� �、X線回折(XRD)法によって確認することがで� �る。吸収体層14の結晶状態がアモルファス構 造であるか、または微結晶構造であれば、XRD 測定により得られる回折ピークにシャープな ピークが見られない。

 吸収体層14の厚さは、50~200nmであることが 好ましく、50~100nmがさらに好ましい。

 上記した構成の吸収体層14は、TaHf化合物タ� ��ゲットを用いたスパッタリング法、例えば� ��マグネトロンスパッタリング法またはイオ� ��ビームスパッタリング法を実施することに� ��り形成することができる。
 なお、吸収体層14がNを含有しない場合、す� ��わち、TaおよびHfのみを含有する場合、不活 性ガス雰囲気中、例えば、アルゴン(Ar)雰囲� �中でTaHf化合物ターゲットを放電することに� ��り吸収体層14を形成する。
 一方、吸収体層14がNを含有する場合、すな� ��ち、Ta、HfおよびNを含有する場合、アルゴ� �で希釈した窒素(N ₂ )雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させ� ��ことによって吸収体層14を形成する。
 TaHf化合物ターゲットは、その組成がTa=30~70a t%、Hf=70~30at%であることが、所望の組成の吸� �体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜� �のばらつきを回避できる点で好ましい。TaHf� ��合物ターゲットは、Zrを0.1~5.0at%含有しても� ��い。
 なお、電気抵抗率が低いHfを含有するTaHf化� ��物ターゲットを使用するため、電気抵抗率� ��高く絶縁性のBを含有するTaB化合物ターゲッ トを使用した場合と違い、
成膜が非常に安定しており、膜組成や膜厚の 制御を容易に行うことが可能である。

 上記した方法で吸収体層14を形成するには� �具体的には以下の成膜条件で実施すればよ� �。
吸収体層(Nを含有しない)を形成す る場合
スパッタガス:Arガス(ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~50×10 ^-1 Pa、好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~40×10 ^-1 Pa、より好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~30×10 ^-1 Pa。)
投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好� �しくは80~500W
成膜速度:2.0~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、� �り好ましくは5~30nm/min
吸収体層(Nを含有する)を形成する 場合
スパッタガス:ArとN ₂ の混合ガス(N ₂ ガス濃度5~80vol%、好ましくは10~75vol%、より好� ��しくは20~70vol%。ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~50×10 ^-1 Pa、好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~40×10 ^-1 Pa、より好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~30×10 ^-1 Pa。)
投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好� �しくは80~500W
成膜速度:2.0~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、� �り好ましくは5~30nm/min

 低反射層15はマスクパターンの検査に使� �する検査光において、低反射となるような� �で構成される。EUVマスクを作製する際、吸� �体層にパターンを形成した後、このパター� �が設計通りに形成されているかどうか検査� �る。このマスクパターンの検査では、検査� �として通常257nm程度の光を使用した検査機が 使用される。つまり、この257nm程度の光の反� ��率の差、具体的には、吸収体層14がパター� �形成により除去されて露出した面と、パタ� �ン形成により除去されずに残った吸収体層14 表面と、の反射率の差によって検査される。 ここで、前者は反射層12表面または保護層13� �面であり、通常は保護層13表面である。した がって、検査光の波長に対する保護層13表面� ��吸収体層14表面との反射率の差が小さいと� �査時のコントラストが悪くなり、正確な検� �が出来ないことになる。

 上記した構成の吸収体層14は、EUV光線反� �率が極めて低く、EUVマスクブランク1の吸収� ��として優れた特性を有しているが、検査光� ��波長について見た場合、光線反射率が必ず� ��も十分低いとは言えない。この結果、検査� ��の波長での吸収体層14表面の反射率と保護� �13表面の反射率との差が小さくなり、検査時 のコントラストが十分得られない可能性があ る。検査時のコントラストが十分得られない と、マスク検査においてパターンの欠陥を十 分判別できず、正確な欠陥検査を行えないこ とになる。

 本発明のEUVマスクブランク1では、吸収体層 14上に検査光における低反射層15を形成する� �とにより、検査時のコントラストが良好と� �る、別の言い方をすると、検査光の波長で� �光線反射率が極めて低くなる。具体的には� �検査光の波長領域の光線を低反射層15表面に 照射した際に、該検査光の波長の最大光線反 射率が15%以下であることが好ましく、10%以下 であることがより好ましく、5%以下であるこ� ��がさらに好ましい。
 低反射層15における検査光の波長の光線反� �率が15%以下であれば、該検査時のコントラ� �トが良好である。具体的には、保護層13表面 における検査光の波長の反射光と、低反射層 15表面における検査光の波長の反射光と、の� ��ントラストが、30%以上となる。

 本明細書において、コントラストは下記式( 1)を用いて求めることができる。
コントラスト(%)=((R ₂ -R ₁ )/(R ₂ +R ₁ ))×100  式(1)
 ここで、検査光の波長におけるR ₂ は保護層13表面での反射率であり、R ₁ は低反射層15表面での反射率である。なお、� ��記R ₁ およびR ₂ は、図2に示すように、図1に示すEUVマスクブ� ��ンク1の吸収体層14(および低反射層15)にパタ ーンを形成した状態で測定する。上記R ₂ は、図2中、パターン形成によって吸収体層14 および低反射層15が除去され、外部に露出し� ��反射層12表面または保護層13表面で測定した 値であり、R ₁ はパターン形成によって除去されずに残った 低反射層15表面で測定した値である。
 本発明において、上記式(1)で表されるコン� ��ラストが45%以上であることがより好ましく� ��60%以上であることがさらに好ましく、80%以� ��であることが特に好ましい。

 低反射層15は、上記の特性を達成するため� �検査光の波長の屈折率が吸収体層14よりも低 い材料で構成され、その結晶状態がアモルフ ァスであることが好ましい。
 本発明のEUVマスクブランク1の低反射層15で� ��、Ta、Hfおよび酸素(O)を以下に述べる特定の 比率で含有することで上記の特性を達成する 。

 低反射層15は、TaおよびHfの合計含有率が3 0~80at%であり、TaとHfの組成比が8:2~4:6であるこ とが好ましい。TaおよびHfの合計含有率が30at% 未満であると、低反射層15の導電性が低下し� ��反射層15に電子線描画する際にチャージア� �プの問題が生じる可能性がある。TaおよびHf� ��合計含有率が80at%超であると、パターン検� �光の光線反射率を十分低くすることができ� �い。また、Hfが上記組成比より低い場合、低 反射層15の結晶状態がアモルファスとなりに� ��い。低反射層15のHfが上記組成比より高い場 合、低反射層のエッチング特性が悪化し、要 求されるエッチング選択比を満足することが できない可能性がある。

 低反射層15における、Oの含有率は20~70at%� �あることが好ましい。Oの含有率が20at%より� �い場合、パターン検査光の波長域の光線反� �率を十分低くすることができない可能性が� �る。Oの含有率が70at%より高い場合、低反射� �15の耐酸性が低下し、低反射層15の絶縁性が� ��し低反射層15に電子線描画する際にチャー� �アップが起こる等の問題が生じる可能性が� �る。

 TaおよびHfの合計含有率は、35~80at%である� ��とがより好ましく、35~75at%であることがさ� �に好ましい。また、TaとHfの組成比は、Ta:Hf=7 :3~4:6であることがより好ましく、6.5:3.5~4.5:5.5 であることがさらに好ましく、6:4~5:5である� �とが特に好ましい。Oの含有率は、20~65at%で� �ることがより好ましく、25~65at%であることが さらに好ましい。

 なお、低反射層15は、必要に応じてTa、Hfお� ��びO以外の元素を含んでいてもよい。この場 合、低反射層15に含める元素は、EUV光線の吸� ��特性等のマスクブランクとしての適性を満� ��す必要がある。
 低反射層15に含めることができる元素の一� �として、窒素(N)が挙げられる。低反射層15が Nを含有することにより、低反射層15表面の平 滑性が向上すると考えられる。

 低反射層15がNを含有する場合、低反射層1 5のTaおよびHfの合計含有率は30~80at%であり、Ta とHfの組成比がTa:Hf=8:2~4:6であり、NおよびOの� ��計含有率は20~70at%であり、NとOの組成比が9:1 ~1:9であることが好ましい。なお、本発明に� �いて、NとOの組成比とは、NとOの原子比での� ��成比を意味する。TaおよびHfの合計含有率が 30at%未満であると、低反射層15の導電性が低� �し低反射層15に電子線描画する際にチャージ アップの問題が生じる可能性がある。Taおよ� ��Hfの合計含有率が80at%超であると、パターン 検査光の光線反射率を十分低くすることがで きない。低反射層15のHfが上記組成比より低� �場合、低反射層15の結晶状態がアモルファス とならない可能性がある。低反射層15のHfが� �記組成比より高い場合、低反射層のエッチ� �グ特性が悪化し、要求されるエッチング選� �比を満足することができない可能性がある� �また、NおよびOの含有率が20at%より低い場合� ��パターン検査光の波長域の光線反射率を十� ��低くすることができない可能性がある。Nお よびOの含有率が70at%より高い場合、低反射層 15の耐酸性が低下し、低反射層15の絶縁性が� �し低反射層15に電子線描画する際にチャージ アップが起こる等の問題が生じる可能性があ る。

 TaおよびHfの合計含有率は、35~80at%である� ��とがより好ましく、35~75at%であることがさ� �に好ましい。また、TaとHfの組成比は、Ta:Hf=7 :3~4:6であることがより好ましく、6.5:3.5~4.5:5.5 であることがさらに好ましく、6:4~5:5である� �とが特に好ましい。NおよびOの合計含有率は 、20~65at%であることがより好ましく、25~65at%� �あることがさらに好ましい。

 低反射層15は、上記の構成であることによ� �、その結晶状態はアモルファスであり、そ� �表面が平滑性に優れている。具体的には、� �反射層15表面の表面粗さ(rms)が0.5nm以下であ� �ことが好ましい。
 上記したように、エッジラフネスの影響に� ��ってパターンの寸法精度の悪化が防止する� ��め、吸収体層14表面は平滑であることが要� �される。低反射層15は、吸収体層14上に形成� ��れるため、同様の理由から、その表面は平� ��であることが要求される。
 低反射層15表面の表面粗さ(rms)が0.5nm以下で� ��れば、低反射層15表面が十分平滑であるた� �、エッジラフネスの影響によってパターン� �寸法精度が悪化するおそれがない。低反射� �15表面の表面粗さ(rms)は0.4nm以下であること� �より好ましく、0.3nm以下であることがさらに 好ましい。
 なお、表面粗さの低減という点では、低反� ��層15にNを含有させることが好ましい。

 なお、低反射層15の結晶状態がアモルフ� �スであること、すなわち、アモルファス構� �であること、または微結晶構造であること� �、X線回折(XRD)法によって確認することがで� �る。低反射層15の結晶状態がアモルファス構 造であるか、または微結晶構造であれば、XRD 測定により得られる回折ピークにシャープな ピークが見られない。

 吸収体層14上に低反射層15を形成する場合 、吸収体層14と低反射層15との合計膜厚が55~13 0nmであることが好ましい。また、低反射層15� ��膜厚が吸収体層14の膜厚よりも大きいと、� �収体層14でのEUV光吸収特性が低下するおそれ があるので、低反射層15の膜厚は吸収体層の� ��厚よりも小さいことが好ましい。このため� ��低反射層15の厚さは5~30nmであることが好ま� �く、10~20nmであることがより好ましい。

 上記した構成の低反射層15は、TaHf化合物タ� ��ゲットを用いたスパッタリング法、例えば� ��マグネトロンスパッタリング法またはイオ� ��ビームスパッタリング法を実施することに� ��り形成することができる。
 なお、低反射層15がNを含有しない場合、す� ��わち、Ta、HfおよびOを含有する場合、不活� �ガス、例えばアルゴン、で希釈した酸素(O ₂ )雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させ� ��ことによって低反射層15を形成する。また� �、不活性ガス雰囲気中でTaHf化合物ターゲッ� ��を放電させてTaおよびHfを含有する膜を形成 した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり 、酸素を用いたイオンビームを照射すること によって、形成された膜を酸化することによ り、Ta、HfおよびOを含有する低反射層15とし� �もよい。
 一方、低反射層15がNを含有する場合、すな� ��ち、Ta、Hf、OおよびNを含有する場合、アル� ��ンで希釈した酸素(O ₂ )・窒素(N ₂ )混合ガス雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを� ��電させることによって低反射層15を形成す� �。または、アルゴンで希釈した窒素(N ₂ )雰囲気中でTaHf化合物ターゲットを放電させ� ��ことによってTa、HfおよびNを含有する膜を� �成した後、例えば酸素プラズマ中にさらし� �り、酸素を用いたイオンビームを照射する� �とによって、形成された膜を酸化すること� �より、Ta、Hf、OおよびNを含有する低反射層15 としてもよい。
 TaHf化合物ターゲットは、その組成がTa=30~70a t%、Hf=70~30at%であることが、所望の組成の低� �射層を得ることができ、かつ膜の組成や膜� �のばらつきを回避できる点で好ましい。TaHf� ��合物ターゲットは、Zrを0.1~5.0at%含有しても� ��い。

 上記した方法で吸収体層14を形成するには� �具体的には以下の成膜条件で実施すればよ� �。
吸収体層(Nを含有しない)を形成す る場合
スパッタガス:Arガス(ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~50×10 ^-1 Pa、好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~40×10 ^-1 Pa、より好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~30×10 ^-1 Pa。)
投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好� �しくは80~500W
成膜速度:2.0~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、� �り好ましくは5~30nm/min
低反射層(Nを含有しない)を形成す る場合
スパッタガス:ArとO ₂ の混合ガス(O ₂ ガス濃度3~80vol%、好ましくは5~60vol%、より好� �しくは10~40vol%。ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~50×10 ^-1 Pa、好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~40×10 ^-1 Pa、より好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~30×10 ^-1 Pa。)
投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好� �しくは80~500W
成膜速度:2.0~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、� �り好ましくは5~30nm/min
低反射層(Nを含有する)を形成する 場合
スパッタガス:ArとO ₂ とN ₂ の混合ガス(O ₂ ガス濃度5~40vol%、N ₂ ガス濃度5~40vol%、好ましくはO ₂ ガス濃度6~35vol%、N ₂ ガス濃度6~35vol%、より好ましくはO ₂ ガス濃度10~30vol%、N ₂ ガス濃度10~30vol%。ガス圧1.0×10 ^-1 Pa~50×10 ^-1 Pa、好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~40×10 ^-1 Pa、より好ましくは1.0×10 ^-1 Pa~30×10 ^-1 Pa。)
投入電力:30~1000W、好ましくは50~750W、より好� �しくは80~500W
成膜速度:2.0~60nm/min、好ましくは3.5~45nm/min、� �り好ましくは5~30nm/min

 なお、本発明のEUVマスクブランク1におい て、吸収体層14上に低反射層15を形成するこ� �が好ましいのは、パターンの検査光の波長� �EUV光の波長とが異なるからである。したが� �て、パターンの検査光としてEUV光(13.5nm付近) を使用する場合、吸収体層14上に低反射層15� �形成する必要はないと考えられる。検査光� �波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い� �波長側にシフトする傾向があり、将来的に� �193nm、さらには13.5nmにシフトすることも考え られる。

 本発明のEUVマスクブランク1は、反射層12、� ��護層13、吸収体層14および低反射層15以外に� ��EUVマスクブランクの分野において公知の機� ��膜を有していてもよい。このような機能膜� ��具体例としては、例えば、特表2003-501823号� �報に記載されているものように、基板の静� �チャッキングを促すために、基板の裏面側� �施される高誘電性コーティングが挙げられ� �。ここで、基板の裏面とは、図1の基板11に� �いて、反射層12が形成されている側とは反対 側の面を指す。このような目的で基板の裏面 に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗 が100ω/□以下となるように、構成材料の電気 伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティ ングの構成材料としては、公知の文献に記載 されているものから広く選択することができ る。例えば、特表2003-501823号公報に記載の高� ��電率のコーティング、具体的には、シリコ� ��、TiN、モリブデン、クロム、TaSiからなるコ ーティングを適用することができる。高誘電 性コーティングの厚さは、例えば10~1000nmとす ることができる。
 高誘電性コーティングは、公知の成膜方法� ��例えば、マグネトロンスパッタリング法、� ��オンビームスパッタリング法といったスパ� ��タリング法、CVD法、真空蒸着法、電解メッ� ��法を用いて形成することができる。