以下、本発明の半導体素子接着フィルム形� ��用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、� ��よび半導体装置について、適宜図を用いて� ��細に説明する。
1.半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス
 本発明の半導体素子接着フィルム形成用樹� ��ワニスは、水酸基およびカルボキシル基を� ��するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量� ��均分子量が10~100万である(メタ)アクリル酸� �ステル共重合体(A)(以下、化合物(A)とも記載� ��る。)と、平均粒径が1~100nmであるシリカ(B)(� ��下、化合物(B)とも記載する。)と、を含み、 半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発 分中の熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)の合計の含 有量が5質量%以下であることを特徴とする(以 下、「~」は、特に明示しない限り、上限値� �下限値を含むことを表す)。特に、半導体素� ��接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の熱� ��化性樹脂及び硬化剤(C)の合計の含有量が5質 量%以下であることにより、半導体素子を多� �に積層し、半導体素子接着フィルムの接着� �に長時間熱履歴が掛かった場合においても� �封止材封入工程で配線基板表面凹凸の埋め� �み性に優れるため、半導体装置の信頼性が� �好となる。また、平均粒径が1~100nmであるシ� ��カ(B)を含有することにより、半導体素子接� ��フィルムの接着層の弾性率が向上するため� ��ワイヤーボンディング性が良好となる。な� ��、本発明で重量平均分子量は、GPC(ゲル浸透 クロマトグラフ)で測定され、ポリスチレン� �算値で得られるものである。

 本発明に係る化合物(A)は、水酸基および� ��ルボキシル基を有するか、又はエポキシ基� ��有し、且つ重量平均分子量が10~100万である( メタ)アクリル酸エステル共重合体である。� �合物(A)は、半導体素子接着フィルムの接着� �の硬化時に(メタ)アクリル酸エステル共重合 体同士が重合できるように、水酸基およびカ ルボキシル基を有するか、又はエポキシを有 し、且つ半導体素子接着フィルムの接着層の 硬化後の機械特性と接着時の流動性が両立す るように、重量平均分子量が10~100万であれば 、特に制限されるものではない。

 前記水酸基およびカルボキシル基を有し� ��且つ重量平均分子量が10~100万である(メタ)� �クリル酸エステル共重合体は、特に制限さ� �るものではないが、下記一般式(I)、(II)、(III )及び(IV)で表される構造単位を含むランダム� ��重合体であればよく、下記一般式(I)、(II)、 (III)及び(IV)で表される構造単位からなるラン ダム共重合体が好ましい。一般式(I)で表され る構造単位を含むことにより、半導体素子用 接着フィルムの接着層の弾性率を下げること ができるため、配線基板や半導体素子に対す る密着性を向上させることができる。また、 一般式(II)で表される構造単位を含むことに� �り、半導体接着フィルム接着層を接着させ� �際に、極性の高いアクリロニトニル基が配� �基板や半導体素子と相互作用するため、配� �基板や半導体素子に対する密着性を向上さ� �ることができる。さらに、一般式(III)及び(IV )で表される構造単位を含むことにより、半� �体素子接着フィルム接着層を熱硬化する際� �、(メタ)アクリル酸エステル共重合体の水酸 基とカルボキシル基がエステル反応し、(メ� �)アクリル酸エステル共重合体が分子間架橋� ��るため、硬化後の機械的強度を確保するこ� ��ができる。

(式中、R ¹ 、R ³ 、R ⁴ 及びR ⁶ は、水素原子又はメチル基を示す。また、式 中、R ^2、 R ⁵ は、炭素数1~10のアルキル基を示す。)

 前記エポキシ基を有し、且つ重量平均分� ��量が10~100万である(メタ)アクリル酸エステ� �共重合体は、特に制限されるものではない� �、下記一般式(V)、(VI)及び(VII)で表される構� �単位を含むランダム共重合体であればよく� �下記一般式(V)、(VI)及び(VII)で表される構造� �位からなるランダム共重合体が好ましい。� �般式(V)で表される構造単位を含むことによ� �、半導体素子用接着フィルムの接着層の弾� �率を下げることができるため、配線基板や� �導体素子に対する密着性を向上させること� �できる。また、一般式(VI)で表される構造単� ��を含むことにより、半導体接着フィルム接� ��層を接着させる際に、極性の高いアクリロ� ��トニル基が配線基板や半導体素子と相互作� ��するため、配線基板や半導体素子に対する� ��着性を向上させることができる。さらに、� ��般式(VII)で表される構造単位を含むことに� �り、半導体素子接着フィルム接着層を熱硬� �する際に、(メタ)アクリル酸エステル共重合 体のエポキシ基同士が重合し、(メタ)アクリ� ��酸エステル共重合体が分子間架橋するため� ��硬化後の機械的強度を確保することができ� ��。

(式中、R ⁷ 、R ⁹ 及びR ¹⁰ は、水素原子又はメチル基を示す。また、式 中R ⁸ は炭素数1~10のアルキル基を示す。)

 本発明に係る化合物(A)としては、(メタ)� �クリル酸エステルと、(メタ)アクリロニトリ ルと、(メタ)アクリロイル基および水酸基を� ��する化合物と、(メタ)アクリロイル基およ� �カルボキシル基を有する化合物と、をラジ� �ル開始剤存在下で懸濁付加重合して得られ� �、水酸基およびカルボキシル基を有する(メ� ��)アクリル酸エステル共重合体;および(メタ) アクリル酸エステルと、(メタ)アクリロニト� ��ルと、(メタ)アクリロイル基およびエポキ� �基を有する化合物と、を、ラジカル開始剤� �在下で懸濁重合して得られる、エポキシ基� �有する(メタ)アクリル酸エステル共重合体が 挙げられる。

 前記化合物(A)の重量平均分子量は、10~100� ��であり、好ましくは20~90万である。化合物(A )の重量平均分子量が上記範囲内にあること� �より、化合物(A)の凝集力と熱時の流動性が� �立するため、半導体素子接着フィルム接着� �の硬化後の機械特性と接着時の流動性も両� �する。ここで、重量平均分子量は、GPC(ゲル� ��透クロマトグラフ)により測定することがで きる。

 前記水酸基およびカルボキシル基を有する( メタ)アクリル酸エステル共重合体は、特に� �限されるものではないが、(メタ)アクリル酸 エステルと、(メタ)アクリロニトリルと、(メ タ)アクリロイル基および水酸基を有する化� �物と、(メタ)アクリロイル基およびカルボキ シル基を有する化合物と、を、有機過酸化物 、アゾ化合物等のラジカル開始剤存在下で付 加重合して得ることができる。
 また、前記エポキシ基を有する(メタ)アク� �ル酸エステル共重合体は、特に制限される� �のではないが、(メタ)アクリル酸エステルと 、(メタ)アクリロニトリルと、(メタ)アクリ� �リル基およびエポキシ基を有する化合物と� �、有機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル� �始剤存在下で付加重合して得ることができ� �。

 前記(メタ)アクリル酸エステルとしては� �重合することにより(I)または(V)式の構造を� �えるものであれば、特に制限されるもので� �なく、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アク� ��ル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル基 、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)ア� �リル酸n-ブチル基、(メタ)アクリル酸イソブ� ��ル等が挙げられ、これらのうち、半導体素� ��接着フィルムの接着層の硬化後の柔軟性に� ��れ接着性が良好である、(メタ)アクリル酸� �チルと(メタ)アクリル酸n-ブチル基が好まし� ��。

 前記(メタ)アクリロイル基と水酸基を有� �る化合物としては、重合することにより(III) 式の構造を与えるものであれば、特に制限さ れるものではなく、2-ヒドロキシエチル(メタ )アクリレート、2-ヒドロキシプリピル(メタ)� ��クリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アク リレート、カプロラクトン(メタ)アクリレー� ��等が挙げられ、これらのうち、半導体素子� ��着フィルムの接着層の硬化後の耐熱性に優� ��る2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートが 好ましい。

 前記(メタ)アクリロイル基とカルボキシ� �基を有する化合物としては、特に制限され� �ものではないが、(メタ)アクリル酸、2-(メタ )アクリロイロキシエチルコハク酸、2-メタク リロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸等 が挙げられ、これらのうち、半導体素子接着 フィルムの接着層の硬化後の耐熱性に優れる (メタ)アクリル酸が好ましい。

 なお、本発明で、水酸基およびカルボキシ� ��基を有する(メタ)アクリル酸エステル共重� �体は、下記一般式(I)、(II)、(III)及び(IV)で表� ��れる構造単位からなるランダム重合体であ� ��、構造単位(I)のモル比が30~88mol%、構造単位( II)のモル比が10~68mol%、構造単位(III)のモル比� ��1~10mol%、構造単位(IV)のモル比が1~10mol%であ� �、より半導体素子接着フィルムの接着層の� �着性および硬化後の耐熱性に優れる、構造� �位(I)のモル比が35~70mol%、構造単位(II)のモル� ��が20~60mol%、構造単位(III)のモル比が2~8mol%、� ��造単位(IV)のモル比が2~8mol%であることが好� �しい。
上記水酸基およびカルボキシル基を有し、且 つ重量平均分子量が10~100万である(メタ)アク� ��ル酸エステル共重合体は、一例示であり、� ��に制限されるものではない。

(式中、R ¹ 、R ³ 、R ⁴ 及びR ⁶ は、水素原子又はメチル基を示す。また、式 中、R ^2、 R ⁵ は、炭素数1~10のアルキル基を示す。)

 なお、本発明で、エポキシ基を有する(メタ )アクリル酸エステル共重合体は、下記一般� �(V)、(VI)、及び(VII)で表される構造単位から� �るランダム重合体であり、構造単位(V)のモ� �比が30~88mol%、構造単位(VI)のモル比が10~68mol%� ��構造単位(VII)のモル比が10.5~10mol%であり、で あり、より半導体素子接着フィルムの接着層 の接着性および硬化後の耐熱性に優れる、構 造単位(V)のモル比が35~80mol%、構造単位(VI)の� �ル比が15~60mol%、構造単位(VII)のモル比が1~8mol %であることが好ましい。
上記エポキシ基を有し、且つ重量平均分子量 が10~100万である(メタ)アクリル酸エステル共� ��合体は、一例示であり、特に制限されるも� ��ではない。

(式中、R ⁷ 、R ⁹ 及びR ¹⁰ は、水素原子又はメチル基を示す。また、式 中R ⁸ は炭素数1~10のアルキル基を示す。)

 本発明に係る化合物(A)の含有量は、半導体� ��子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の2 0~80質量%が好ましく、30~70質量%が特に好まし� ��。ここで、化合物(A)の含有量は下記式によ� ��算出することができる。
化合物(A)含有量(質量%)=[化合物(A)(質量部)]/[(� ��合物(A)(質量部)+化合物(B)(質量部)+熱硬化性� ��脂及び硬化剤(C)+その他添加剤(質量部)]×100

 本発明に係る化合物(B)は、平均粒径が1~10 0nmであるシリカである。前記シリカの平均粒 径が100nmを超えると、熱時弾性率を高めるた� ��には前記シリカの添加量を70質量%とする必� ��があり、そうすることにより、接着性の低� ��といった問題が発生する場合がある。シリ� ��としては、沈降シリカ、ヒュームドシリカ� ��コロイダルシリカ等が挙げられるが、その� ��でもコロイダルシリカが好ましい。コロイ� ��ルシリカは金属汚染レベルが沈降シリカ、� ��ュームドシリカと比べて低いため、半導体� ��子接着フィルムのイオン性不純物を低減す� ��ことが可能となる。また、コロイダルシリ� ��は、シリカが溶媒中で単分散に近い状態で� ��散されているため、半導体素子接着フィル� ��形成用樹脂ワニスに配合した場合、シリカ� ��凝集を抑制することが可能となる。

 前記シリカの平均粒径は、5~80nmが好ましく� ��10~30nmが特に好ましい。上記範囲であること により、接着性および熱時弾性率のバランス に優れた半導体素子接着フィルムの接着層を 得ることができる。前記シリカの平均粒径の 測定方法は以下の通りである。
レーザー回折式粒度分布測定装置SALD-7000を用 いて、水中に1分間超音波処理することによ� �分散させ、測定を行った。D50値(数積算)を平 均粒径とする。

 本発明に係る化合物(B)の含有量は、半導体� ��子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の2 0~80質量%が好ましく、30~70質量%が特に好まし� ��。上記範囲であることにより、接着性およ� ��熱時弾性率のバランスに優れた半導体素子� ��着フィルムの接着層を得ることができる。� ��こで、化合物(B)の含有量は下記式により算� ��することができる。
化合物(B)含有量(質量%)=[化合物(B)(質量部)]/[(� ��合物(A)(質量部)+化合物(B)(質量部)+熱硬化性� ��脂及び硬化剤(C)(質量部)+その他添加剤(質量 部)]×100

 本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワ� ��ス不揮発分中の熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)� ��合計の含有量は5質量%以下であり、3質量%以 下が特に好ましい。前記熱硬化性樹脂及び硬 化剤(C)の合計の含有量が上記範囲であること により、ワイヤーボンディング工程に多くの 時間がかかり、封止樹脂を封入するまでの半 導体素子接着フィルムの接着層にかかる熱履 歴が長くなった場合でも、封止樹脂封入工程 において、配線基板表面の凹凸への埋め込み 性に優れた半導体素子接着フィルムの接着層 を得ることができる。ここで、前記熱硬化性 樹脂及び硬化剤(C)の合計の含有量とは、化合 物(A)を除く熱硬化性樹脂と硬化剤の両方を指 す。半導体素子接着フィルム形成用ワニス不 揮発分とは、化合物(A)と、化合物(B)と、熱硬 化性樹脂及び硬化剤(C)の合計の含有量と、必 要に応じて加えられるその他添加剤の合計を 指し、熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)の合計の含 有量は下記の式により算出することができる 。
熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)の合計の含有量(� �量%)=[熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)(質量部)]/[(� ��合物(A)(質量部)+化合物(B)(質量部)+熱硬化性� ��脂及び硬化剤(C)(質量部)+その他添加剤(質量 部)]×100

 前記熱硬化性樹脂は、特に制限されるも� ��はないが、フェノールノボラック樹脂、ク� ��ゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノ ボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹 脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油 等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂 等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノー ル樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、� �スフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェ� ��ール型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ� ��型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型� ��ポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂� ��ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノ� ��型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹� ��、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、� ��リアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペ� ��タジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、� ��フトール型エポキシ樹脂、フェノールアラ� ��キル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキ� ��型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア( 尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環� �有する樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコー� �樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、� �アネートエステル樹脂、ウレタンアクリレ� �ト樹脂等のアクリレート類、不飽和ポリエ� �テル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレ� �ミド樹脂等が挙げられ、これらの中でも半� �体素子接着フィルムの硬化後の弾性率を高� �ることができ、また接着界面の密着性を向� �させることができるノボラック型エポキシ� �脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフ� �ニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキ� �樹脂から選ばれるエポキシ樹脂が好ましく� �いられる。ここで、本発明で化合物(A)に該� �するものは熱硬化性樹脂及び硬化剤(C)では� �いものとする。

 前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を� ��いる場合、特に制限されるものではないが� ��硬化剤を含有することが好ましい。前記硬� ��剤としては、例えば、ジエチレントリアミ� ��(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタ� ��シレリレンジアミン(MXDA)等の脂肪族ポリア� ��ン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m-フェ ニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルス ルホン(DDS)等の芳香族ポリアミン、ジシアン� ��アミド(DICY)、有機酸ジヒドララジド等を含� ��ポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘ� ��サヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラ� ��ドロ無水フタル酸(MTHPA)等の脂環族酸無水物 (液状酸無水物)、無水トリメリット酸(TMA)、� �水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテ� �ラカルボン酸(BTDA)等の芳香族酸無水物等の� �無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェ� �ール系硬化剤が挙げられる。これらの中で� �半導体素子接着フィルム硬化後のガラス転� �温度を高めることができる、フェノール系� �化剤が好ましく、具体的には、ビス(4-ヒド� �キシ-3,5-ジメチルフェニル)メタン(通称テト� ��メチルビスフェノールF)、4,4'-スルホニルジ フェノール、4,4'-イソプロピリデンジフェノ� ��ル(通称ビスフェノールA)、ビス(4-ヒドロキ� ��フェニル)メタン、ビス(2-ヒドロキシフェニ ル)メタン、(2-ヒドロキシフェニル)(4-ヒドロ� ��シフェニル)メタンおよびこれらの内ビス(4- ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2-ヒドロ� �シフェニル)メタン、(2-ヒドロキシフェニル) (4-ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物( 例えば、本州化学工業(株)製、ビスフェノー� ��F-D)等のビスフェノール類、1,2-ベンゼンジ� �ール、1,3-ベンゼンジオール、1,4-ベンゼンジ オール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4-ベ ンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼ ン類、1,6-ジヒドロキシナフタレン等のジヒ� �ロキシナフタレン類の各種異性体、2,2'-ビフ ェノール、4,4'-ビフェノール等のビフェノー� ��類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

 前記硬化剤の添加量は、特に制限される� ��のではないが、エポキシ当量と硬化剤の当� ��比を計算して決めることができ、前記エポ� ��シ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の当量比が0 .5~1.5であることが好ましく、特に0.7~1.3であ� �ことが好ましい。上記範囲であることによ� �、前記接着層の保存性と硬化後の耐熱性を� �立することができる。

 前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を� ��いる場合、特に限定されるものではないが� ��さらに半導体素子用接着フィルムの硬化性� ��向上することができる硬化触媒を含むこと� ��好ましい。前記硬化触媒としては、例えば� ��イミダゾール類、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)� �ンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホ� �フィン等リン系触媒等が挙げられる。これ� �の中でも、半導体素子接着フィルムの速硬� �性と保存性が両立するイミダゾール類が好� �しい。 

 前記イミダゾール類としては、特に限定� ��れるものではないが、例えば、1-ベンジル-2 メチルイミダゾール、1-ベンジル-2フェニル� �ミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチ ルイミダゾール、2-フェニル4-メチルイミダ� �ール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリ ウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2'-メチ� ��イミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリアジン、2,4 -ジアミノ-6-[2'-ウンデシルイミダゾリル-(1')]- エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2'-エチ� ��-4'メチルイミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリア ジン、2,4-ジアミノ-6-[2'-メチルイミダゾリル- (1')]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加 物、2-フェニルイミダゾール イソシアヌル� �付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチル� ��ミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロ� �シメチルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-ビニ� ��-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリ アジン イソシアヌル酸付加物、2,4-ジアミノ -6-メタクリロイルオキシエチル-s-トリアジン 、2,4-ジアミノ-6-メタクリロイルオキシエチ� �-s-トリアジン イソシアヌル酸付加物等が挙 げられる。これらの中でも、前記接着層の速 硬化性と保存性のバランスに優れる、2-フェ� ��ル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾールま� �は2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイ ミダゾールが好ましい。

 前記硬化触媒の含有量は、特に制限され� ��ものではないが、前記エポキシ樹脂100重量� ��に対して0.01~30重量部が好ましく、特に0.5~10 重量部が好ましい。上記範囲であることによ り、前記接着層の速硬化性と保存性を両立す ることができる。

 前記硬化触媒の平均粒子径は、特に制限� ��れるものではないが、10μm以下であること� �好ましく、特に1~5μmであることが好ましい� �上記範囲であることにより、前記接着層の� �硬化性を確保することができる。

 本発明の半導体素子接着フィルム形成用� ��ニスは、特に制限されるものではないが、� ��らにカップリング剤を含んでいても良い。� ��れにより、半導体素子接着フィルムと被着� ��(半導体素子、半導体素子が搭載される基板 )界面の密着性をより向上させることができ� �。前記カップリング剤としては、例えば、� �ラン系カップリング剤、チタン系カップリ� �グ剤、アルミニウム系カップリング剤等が� �げられるが、半導体素子接着フィルムの硬� �後の耐熱性に優れるシラン系カップリング� �が好ましい。

 前記シラン系カップリング剤としては、� ��に制限されるものではないが、例えば、ビ� ��ルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシ� ��ラン、ビニルトリエトキシシラン、β-(3,4エ ポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシ� �ラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキ� �シラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジ� �トキシシラン、γ-メタクリロキシプロピル� �リメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロ� �ルメチルジエトキシシラン、γ-メタクリロ� �シプロピルトリエトキシシラン、N-β(アミノ エチル)γ-アミノプロピルメチルジメトキシ� �ラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピル� �リメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-ア� �ノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノ� �ロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロ� �ルトリエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミ� �プロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプ� �ピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプ� �ピルトリメトキシシラン、3-イソシアネート プロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキ� ��プロピルトリメトキシシランなどが挙げら� ��る。

 前記カップリング剤の含有量は、特に限� ��されるものではないが、前記半導体素子接� ��フィルム形成用ワニスに含まれる不揮発分1 00重量部に対して0.01~10重量部が好ましく、特 に0.5~10重量部が好ましい。上記範囲であるこ とにより、被着体(半導体素子、半導体素子� �搭載される基板)同士の接着性に優れる効果� ��得られる。

 本発明の半導体素子接着フィルムの175℃に� ��ける弾性率は、特に制限されるものではな� ��が、30MPa以上、140MPa以下であることが好ま� �く、特に、40MPa以上、120MPa以下であることが 好ましい。上記範囲であることにより、配線 基板や半導体素子の段差に対する充填性を向 上させることができるとともに、ワイヤーボ ンディングに必要な機械的強度を確保するこ とができる。
 半導体素子接着フィルムの175℃における弾� ��率の測定方法は、以下の通りである。
 本発明の半導体素子接着フィルムの接着層� ��セイコーインスツルメント社製動的粘弾性� ��置を用い、周波数10Hzで常温から昇温5℃/min� ��加熱しながら温度依存測定モードで動的粘� ��性を測定し、175℃での貯蔵弾性率を測定す� ��。

 本発明の半導体素子接着フィルム形成用� ��ニスは、本発明の目的を損なわない範囲で� ��塑性樹脂、レベリング剤、消泡剤、有機過� ��化物などの添加剤を含有することができる� ��

 本発明の半導体素子接着フィルム形成用� ��ニスは、前述の化合物(A)、化合物(B)等の半� ��体素子接着フィルムを構成する化合物を有� ��溶剤、例えば、メチルエチルケトン、アセ� ��ン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド� ��等の溶剤に溶解または分散することでワニ� ��状にすることができる。このワニス状の半� ��体素子接着フィルム形成用ワニスを層状に� ��形し、溶剤を除去、乾燥させることで、前� ��半導体素子接着フィルム形成用ワニスをフ� ��ルム状に成形することができる。

2.半導体素子接着フィルム
 本発明の半導体素子接着フィルムは、基材� ��ィルムと、該基材フィルムの表面に形成さ� ��る接着層を含み、好ましくは、基材フィル� ��と、該接着層からなるものである。また、� ��接着層は、フィルム状に成型されている。

 本発明の半導体素子接着フィルムの接着� ��の組成は、半導体素子接着フィルム形成用� ��ニスと上記有機溶剤を含有しない以外は半� ��体素子接着フィルム形成用ワニスと同じで� ��る。

 前記接着層は、特に制限されるものでは� ��いが、本発明の半導体素子接着フィルム形� ��用ワニスをコンマコーター、ダイコーター� ��グラビアコーター等を用いて基材フィルム� ��塗工し、乾燥させ溶剤を除去することによ� ��得ることができる。前記接着層の厚さは、� ��に制限されるものではないが、3μm以上100μm 以下が好ましく、特に5μm以上70μm以下が好ま しい。上記範囲であることにより、接着層の 厚さ精度を容易に制御することができる。

 前記基材フィルムは、接着層のフィルム� ��態を維持できるフィルム特性、例えば、破� ��強度、可撓性などに優れるフィルム支持基� ��であり、例えば、ポリエチレンテレフタレ� ��ト(PET)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン( PE)等が挙げられるが、これらのうち、可撓性 と破断強度のバランスに優れる、ポリプロピ レン(PP)、ポリエチレンテレフタレート(PET)が 好ましい。

 本発明の複合半導体素子接着フィルムは� ��接着層を固定するためにダイシング機能が� ��与されていても良く、ダイシング機能が付� ��された複合半導体素子接着フィルムの製造� ��法として、下記の方法などが挙げられる。

 図1に示す平面視円形の基材フィルムI1お� ��び接着層2が積層された半導体素子接着フィ ルム20の、前記接着層2の有効領域の外周をリ ング状に除去し、図2に示す第1積層体30を得� �。ここで、有効領域とは、使用される半導� �素子が搭載された半導体ウエハを貼り付け� �領域を指す。

 次に、第1積層体30の接着層2と、図3に示� �基材フィルムII3および粘着層4が積層された� ��着層積層体40の粘着層4が隣接するように積� ��して複合半導体素子接着フィルムA50を得る� ��とができる(図4)。

 また、下記の方法によっても複合半導体� ��子接着フィルムを得ることができる。

 図1に示す基材フィルムI1および接着層2が 積層された半導体素子接着フィルム10の接着� ��2と、図5に示す基材フィルムIII5および第1粘 着層6が積層された第1粘着層積層体60の第1粘� ��層6が隣接するように積層して第2積層体70を 得る(図6)。

 次に、前記第2積層体70に対して、前記基� ��フィルムI1を残して、前記基材フィルムIII5� ��前記第1粘着層6および前記接着層2の有効領� ��の外周をリング状に除去し、図7に示す第3� �層体80を得る。

 次に、前記第3積層体80の基材フィルムIII5を 剥がし、図8に示す基材フィルムIV7および第1� ��着層よりも粘着力の大きい第2粘着層8が積� �された第2粘着層積層体90の第2粘着層8と第1� �着層6が隣接するように積層して、図9に示す ダイシング機能が付与された複合半導体素子 接着フィルムB100を得ることができる。
 また、図10に示すように、基材フィルム9の� ��に粘着層10を積層して、ダイシングシート11 0を得ることができる。

 つまり、本発明の複合半導体素子接着フ� ��ルムは、本発明の半導体素子接着フィルム� ��、ダイシングフィルムからなるものである� ��ここで、図3、図5、図8および図10に示され� �フィルムが、ダイシングフィルムである。

 次に、半導体装置の一製造方法について説� ��する。
 図11は、ダイシング機能を付与しない半導� �素子接着フィルムを使用した場合の、半導� �装置を製造するフロー図の一例である。
 図11に示すように、半導体装置は、半導体� �子が搭載された半導体ウエハを各半導体素� �単位毎(以下、半導体チップとも記載する。) に切断する半導体ウエハダイシング工程、半 導体チップを拾い上げるピックアップ工程、 ピックアップされた半導体チップに半導体素 子接着フィルムを貼り付ける、半導体素子接 着フィルム貼り付け工程、半導体素子接着フ ィルムの接着層を用いて半導体チップと配線 基板、または半導体チップ同士とを仮接着す る仮接着工程と、半導体チップと配線基板と を電気的に接続するワイヤーボンディング工 程と、半導体チップおよびボンディングワイ ヤーを封止樹脂で封止する封止工程と、封止 樹脂と半導体素子接着フィルムを硬化させる 硬化工程とで製造される。

 以下、上述の各工程について詳細に説明� ��る。

(半導体ウエハダイシング工程)
 半導体ウエハダイシング工程では、図12-aに 示すように、半導体素子が搭載された半導体 ウエハ11を基材フィルム9の上に粘着層10が積� ��されたダイシングシート110を貼り付け、次� ��、図12-bに示すように半導体ウエハ11の外周� ��に支持部材であるウエハリング13を貼り付� �る。ウエハリング13はダイシングシートの粘 着層10に固定される。その後、図12-cに示すよ うにダイシング装置のブレードで半導体ウエ ハ11を半導体ウエハ面側から個片に切断する� ��その際、粘着層10の厚み方向の略半分まで� �り込みを入れる。
(ピックアップ工程)
 次に、図12-dに示すように個片化された半導 体チップ12をピックアップできるように、エ� ��スパンド装置で半導体素子接着フィルムを� ��き伸ばし、半導体チップ12間を一定の間隔� �開く。その後、図12-eに示すように半導体チ� ��プ12をピックアップする。
(半導体素子接着フィルム貼り付け工程)
 さらに、半導体素子接着フィルム貼り付け� ��程では、図12-fに示すようにピックアップし た半導体チップ12に半導体素子接着フィルム2 0の接着層2を貼り付ける。

(仮接着工程)
 仮接着工程では、具体的には、配線基板、� ��導体素子接着フィルム、半導体素子をこの� ��で積層し、熱圧着にて半導体素子と配線基� ��の仮接着を行う。この仮接着は、例えばダ� ��ボンディング装置(AD898 ASM製)を用いて、80� �~150℃の温度、1N~20Nの荷重、0.1秒~5秒の時間� �熱圧着することができる。この時、半導体� �子の破壊を防止するため、低温、低荷重、� �時間で熱圧着することが好ましく、この工� �において配線基板上の凹凸を半導体素子接� �フィルムで完全に充填させることは困難で� �り、配線基板と半導体素子接着フィルムと� �間に空隙があっても構わない。
 最近では半導体装置の高密度化、高集積化� ��ため半導体素子を複数積層させることが一� ��的になっているが、上述の仮接着した半導� ��素子の上に新たに半導体素子を仮接着させ� ��場合にも本発明を用いることができる。

(ワイヤーボンディング工程)
 ワイヤーボンディング工程では、半導体素� ��の電極と、配線基板の電極とをボンディン� ��ワイヤーで電気的に接続する。このボンデ� ��ングワイヤーの接続は、例えば、ワイヤー� ��ンディング装置(EAGLE60 ASM製)を用いて、150� �~200℃の温度で実施することができる。
 半導体素子が2段以上に積層される半導体装 置では、1段目の半導体素子のワイヤーボン� �ィング工程を行った後、2段目以降も先に仮� ��着、ワイヤーボンディングされた半導体素� ��上で同様に仮接着工程、さらにワイヤーボ� ��ディング工程を繰り返し実施する。

(封止工程)
 封止工程では、半導体素子および半導体素� ��の電極と配線基板の電極とを接合している� ��ンディングワイヤーを覆うように封止樹脂� ��封止する。これにより、絶縁性および防湿� ��を向上することができる。封止条件は、例� ��ばトランスファー成形機を用いて、150~200℃ 、50~100kg/mm ² の高温、高圧で行われる。また、封止樹脂の 封止と同時に半導体素子接着フィルムを軟化 させ、配線基板上の凹凸に完全に充填させる 。
 従来の半導体素子接着フィルムでは、半導� ��素子が多段に積層され、ワイヤーボンディ� ��グ工程で熱履歴が長くかかる場合に、半導� ��素子接着フィルムの硬化が進行し、フロー� ��が低下するため、配線基板表面の凸凹を埋� ��込むことができないという不良を発生する� ��合があった。本発明の半導体素子接着フィ� ��ムを適用すると、上記不良を抑制すること� ��できる。

(硬化工程)
 硬化工程では、封止樹脂を硬化すると共に� ��半導体素子接着フィルムを硬化する。これ� ��より、最終的な半導体装置を得ることがで� ��る。硬化条件は、封止樹脂及び半導体素子� ��着フィルムが硬化する条件であれば特に限� ��されないが、例えば、温度:100~200℃、時間:5 ~300分の条件が好ましく、特に温度:120~180℃、 時間:30~240分の条件が好ましい。

 このような工程を経て、最終的に図15に示� �ような半導体装置200を得ることができる。
 本発明の半導体装置200は、多段に積層され� ��半導体素子(第1半導体素子121、第2半導体素� ��122)と、多段に積層された半導体素子(第1半� ��体素子121、第2半導体素子122)が搭載される� �板(配線基板120)と、半導体素子(第1半導体素� ��121)と半導体素子(第2半導体素子122)の間又は 半導体素子(第1半導体素子121)と基板(配線基� �120)との間に設けられた接着層2と、を備える ものである。この接着層2は本発明の半導体� �子接着フィルムまたは複合半導体素子接着� �ィルムの硬化物である。
 さらに、本発明の半導体装置200は、第1ボン ディングワイヤー123、第2ボンディングワイ� �ー124、第1半導体素子機能面に形成された端� ��125、第2半導体素子機能面に形成された端子 126および、封止樹脂127を備えるものである。
 なお、基板としては、シリコン基板等を用� ��てもよい。本発明の半導体素子接着フィル� ��または複合半導体素子接着フィルムは、半� ��体チップおよびリードフレームを接着させ� ��こともできる。

図13は、ダイシング機能を有する半導体素子� ��着フィルムを使用した場合の、半導体装置� ��製造するフロー図の一例である。
 図13に示すように、半導体装置は、半導体� �子が搭載された半導体ウエハに半導体素子� �着フィルムを貼り付ける、半導体素子接着� �ィルム貼り付け工程、半導体ウエハを半導� �チップ毎に切断する、ダイシング工程、
半導体素子接着フィルム付き半導体チップを 拾い上げる、ピックアップ工程、半導体素子 接着フィルムの接着層を用いて半導体チップ と配線基板、または半導体チップ同士とを仮 接着する仮接着工程と、半導体チップと配線 基板とを電気的に接続するワイヤーボンディ ング工程と、半導体チップおよびボンディン グワイヤーを封止樹脂で封止する封止工程と 、封止樹脂と半導体素子接着フィルムを硬化 させる硬化工程とで製造される。

 以下、上述の各工程について詳細に説明� ��る。

(半導体ウエハ貼付け工程)
 半導体ウエハ貼付け工程では、図14-aに示す ように半導体素子が搭載された半導体ウエハ 11を、前述の複合半導体素子接着フィルムB100 の接着層2に貼り付ける工程である。この貼� �付け工程は、半導体ウエハ11を個片化するダ イシング装置のダイサーテーブル上に接着層 2を上に向けた状態で、複合半導体素子接着� �ィルムB100を載置する。次に、半導体ウエハ1 1の半導体素子が搭載された反対の面と前記� �着層2が隣接するように置き、半導体ウエハ1 1を接着層2に貼り付ける。

(ダイシング工程)
 次に、図14-bに示すように接着層2の外周部� �支持部材であるウエハリング13を貼付ける。 この時、ウエハリング13は第2粘着層8に固定� �れる。その後、図14-cに示すようにダイシン� ��装置のブレードで半導体ウエハ11を半導体� �エハ面側から個片に切断する。その際、第1� ��着層6の厚み方向の略半分まで切り込みを入 れる。

(ピックアップ工程)
 次に、図14-dに示すように個片化された半導 体チップ12をピックアップできるように、エ� ��スパンド装置で半導体素子接着フィルムま� ��はダイシングシート付き半導体素子接着フ� ��ルムを引き伸ばし、半導体チップ12間を一� �の間隔に開く。
その後、図14-eに示すように接着層2付き半導� ��チップ12をピックアップし、配線基板や半� �体素子上に搭載する。

 仮接着工程以下の工程は、前述の半導体� ��子接着フィルムを使用した場合と同様であ� ��。

 本説明では、半導体素子接着フィルムと� ��イシング機能を有する複合半導体素子接着� ��ィルムを使用した場合の半導体装置の製造� ��法の一例について説明したが、本発明の半� ��体素子接着フィルムを使用した半導体装置� ��製造方法は、特に制限されるものはなく、� ��えば、半導体素子接着フィルムの接着層を� ��導体ウエハに貼り付けて、ダイシング、ピ� ��クアップし配線基板や半導体素子に搭載し� ��も良い。

 なお、半導体装置の構成は、例示したも� ��には限られず、半導体素子接着フィルムを� ��いて半導体素子と被接着部材とを接着した� ��造を有するものであれば、どのような半導� ��装置であってもよい。

 以上、図面を参照して本発明の実施形態� ��ついて述べたが、これらは本発明の例示で� ��り、上記以外の様々な構成を採用すること� ��できる。例えば、本発明の半導体素子接着� ��ィルム形成用ワニスを、乾燥後に得られる� ��着フィルムの厚みが狙いの厚みとなるよう� ��基板や半導体ウエハに塗布し、乾燥させ溶� ��を除去することにより、半導体素子接着フ� ��ルムを得る方法などを挙げることができる� ��

 以下、本発明を実施例および比較例に基� ��いてさらに詳細に説明するが、本発明はこ� ��に限定されるものではない。

 [実施例1]
(樹脂ワニスの調製)
 (メタ)アクリル酸エステル共重合体(A)とし� �、SG-708-6DR(エチルアクリレート/ブチルアク� �レート/アクリロニトリル/ヒドロキシエチル メタクリレート/アクリル酸共重合体=46.1mol%/1 6.6mol%/33.5mol%/1.3mol%/2.5mol%、ナガセケムテック� ��社製、Tg:6℃、重量平均分子量:500,000)100重量 部;
シリカ(B)として、オルガノシリカゾルPL-2L-MEK (比表面積換算粒子径16nmシリカ、メチルエチ� ��ケトン(以下、MEKとも記載する。)20質量%溶� �、扶桑化学工業社製)500重量部;
をMEKに溶解して、樹脂固形分20%の樹脂ワニス を得た。

(半導体素子接着フィルムの製造)
 上述の方法で得られた樹脂ワニスを、コン� ��コーターを用いてダイシングシート付き半� ��体素子接着フィルムを作製した際に基材フ� ��ルムとなるポリエチレンテレフタレートフ� ��ルム(帝人デュポン社製、ピューレックスA54 、厚さ38μm)に塗布した後、150℃、3分間乾燥� �て、厚さ25μmの半導体素子接着フィルムを得 た。

(第1粘着層積層体の製造および第1粘着層積層 体の製造)
 アクリル酸2-エチルヘキシル30質量%と酢酸� �ニル70質量%とを共重合して得られた重量平� �分子量300,000の共重合体(A)100重量部と、分子� ��が700の5官能アクリレートモノマー(日本化� �株式会社製、カヤラッド D-310)45重量部と、2 ,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン5重� �部と、トリレンジイソシアネート(コロネー� ��T-100、日本ポリウレタン社製)3重量部と、を MEKに溶解して樹脂固形分20%の樹脂ワニスを得 た。コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニ スを剥離処理した厚さ38μmのポリエステルフ� ��ルムに乾燥後の厚さが10μmになるように塗� �し、80℃で5分間乾燥した。その後、紫外線� �500mJ/cm ² を照射し、基材フィルムIIと第1粘着層が積層 された第1粘着層積層体を得た。
 この第1粘着層積層体の粘着層と半導体素子 接着フィルムの接着層が隣接するように積層 し、第1積層体を得た。

(第2粘着層積層体の製造)
 基材フィルムIIIとして、ハイブラー60重量� �、ポリプロピレン40重量部からなるクリアテ ックCT-H717(クラレ製)を、押し出し機で、厚み 100μmのフィルムを形成し、表面をコロナ処理 した。次に、アクリル酸2-エチルヘキシル50� �量部とアクリル酸ブチル10重量部、酢酸ビニ ル37重量部、メタクリル酸2-ヒドロキシエチ� �3重量部とを共重合して得られた重量平均分� ��量500,000の共重合体を剥離処理した厚38μmの� ��リエステルフィルムに乾燥後の厚さが10μm� �なるように塗工し、80℃で5分間乾燥し、第2� ��着層を得た。その後、第2粘着層を基材フィ ルムIIIのコロナ処理面にラミネートして基材 フィルムIII、第2粘着層およびポリエステル� �ィルムがこの順に積層された第2粘着層積層� ��を得た。

(複合半導体素子接着フィルムの製造)
 第1積層体の基材フィルムIIを剥がし、次い� ��、貼付け予定の半導体ウエハの外径よりも� ��きい大きさに第1粘着層側から基材フィルム Iの厚み方向の略半分の厚さまでリング状に� �ーフカットし、リング状の第1粘着層、接着� ��を剥離する。さらに、第2粘着層積層体から ポリエステルフィルムを剥離し、第2粘着層� �第1粘着層とが隣接するように貼りあわせる� ��以上により、基材フィルムIII、第2粘着層、 第1粘着層、接着層および基材フィルムIがこ� ��順に構成されてなる複合半導体素子接着フ� ��ルムを得ることができる。

(175℃での弾性率の測定方法)
 実施例1で作製した半導体素子接着フィルム の接着層をセイコーインスツルメント社製動 的粘弾性装置を用い、周波数10Hzで常温から� �温5℃/minで加熱しながら温度依存測定モード で動的粘弾性を測定し、175℃での貯蔵弾性率 を測定した。

(ワイヤーボンディング性評価)
 実施例1で得られた半導体素子接着フィルム の接着層を、3.5mm×3.5mmの大きさの表面をアル ミ蒸着させたシリコンチップ(厚み100μm)とソ� ��ダーレジスト(太陽インキ製造社製:商品名:A US308)がコーティングされたビスマレイミド-� �リアジン樹脂配線基板(回路段差5~10μm)との� �にはさんで、130℃、5N、1秒間で熱圧着し、� �イヤーボンディング性の評価用サンプルを� �た。
上述のサンプルにASM社製ワイヤーボンダーに て175℃でワイヤーボンディングを行い、シリ コンチップ上に形成されるボールの形状を光 学顕微鏡にて、シリコンチップ上に形成され たボールのシリコンチップのアルミ表面への 接着強度をボールシェアテスターにて評価し た。各符号は、以下の通りである。
 ○:ボールが円形に形成され、かつボールシ ェア強度が7kgf/mm ² 以上
 ×:ボールの形状が円形でない、またはボー� ��シェア強度が7kgf/mm ² 以下

(半導体装置の製造)
 以下の手順で、図15に示す半導体装置を製� �した。

 実施例1で得られたダイシングシート付き 半導体素子接着フィルムの接着層と8インチ20 0μm半導体ウエハの裏面とを対向させ、60℃の 温度で貼り付けし、複合半導体素子接着フィ ルムが貼り付けられた半導体ウエハを得た。

 その後、この複合半導体素子接着フィル� ��が貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシ� ��グ装置を用いて、スピンドル回転数30,000rpm� ��切断速度50mm/secで10mm×10mm角の半導体チップ� ��サイズにダイシング(切断)した。次に、複� �半導体素子接着フィルムの基材フィルムIII� �から突上げし、第1粘着層と半導体素子接着� ��ィルムとの間で剥離し接着層付き半導体チ� ��プを得た。

 この接着層付き半導体チップ(10mm×10mm角、� �子表面の回路段差1~5μm)を、ソルダーレジス� ��(太陽インキ製造社製:商品名:AUS308)がコーテ ィングされたビスマレイミド-トリアジン樹� �配線基板(基板表面の回路段差5~10μm)に、130� �、5N、1.0秒の条件で圧着して、半導体チップ とビスマレイミド-トリアジン配線基板を仮� �着した。この仮接着された半導体チップの� �に7mmx7mm角のサイズに同様に作製された接着� ��付きの半導体チップを130℃、5N、1.0秒の条� �で圧着して、サイズの異なる2つの半導体チ� ��プをビスマレイミド-トリアジン樹脂配線基 板に2段に積層した。
その後、半導体チップをさらに多段に積層し た際のワイヤーボンディング工程の熱履歴を 想定して、175℃で1時間の熱処理を行った。� �に、低圧トランスファー成形機を用い、成� �温度175℃、圧力70kg/cm ² 、硬化時間2分の条件で封止樹脂(住友ベーク� ��イト(株)製、EME-G770)にて封止し、175℃で2時� ��熱処理を行い、封止樹脂を完全硬化させて1 0個の半導体装置を得た。

(配線基板段差充填性)
 配線基板段差充填性は、実施例1で得られた 半導体装置を、走査型超音波探傷機(SAT)によ� ��、配線基板の接着部分に接着層がボイド無� ��充填されている割合を下記式により算出し� ��。
  充填率(%)=(ボイド無く充填されている面積 )/(配線基板の接着面積)×100
各符号は、以下の通りであり、充填率が80%以 上であれば半導体装置の信頼性は問題ないレ ベルである。
 ○:充填率が、80%以上100%以下
 ×:充填率が、80%未満もしくは接着層内が全� ��ボイド状になったもの

(耐クラック性)
 耐クラック性は、実施例1で得られた半導体 装置を85℃/60%RH/168時間吸湿処理をした後、260 ℃のIRリフローを3回行い走査型超音波探傷機 (SAT)でクラックの有無を評価した。各符号は� ��以下の通りである。
 ○:発生したクラックが、10個中0個
 ×:発生したクラックが、10個中1個以上

 [実施例2]
 メタ)アクリル酸エステル共重合体(A)として 、SG-708-6DR(エチルアクリレート-ブチルアクリ レート-アクリロニトリル-ヒドロキシエチル� ��タクリレート-アクリル酸共重合体、ナガセ ケムテックス社製、Tg:6℃、重量平均分子量:5 00,000)100重量部の代わりに、(メタ)アクリル酸 エステル共重合体として、SG-P3DR(エチルアク� ��レート/ブチルアクリレート/アクリロニト� �ル/グリシジルメタクリレート共重合体=25.5mo l%/24.6mol%/48.1mol%/1.8mol%、ナガセケムテックス� �製、Tg:18℃、重量平均分子量:850,000)100重量部 を用いた以外は、複合半導体素子接着フィル ムの製造および各評価を実施例1と同様に行� �た。

 [実施例3]
 シリカ(B)として、オルガノシリカゾルPL-2L-M EK(比表面積換算粒子径16nmシリカ、メチルエ� �ルケトン20質量%溶液、扶桑化学工業社製)の� ��わりに、球状シリカNSS-5N(平均粒径70nm、ト� �ヤマ社製)100重量部を用いた以外は、複合半� ��体素子接着フィルムの製造および各評価を� ��施例1と同様に行った。

 [実施例4]
 熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂EOCN-1020-80( オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 )、エポキシ当量200g/eq、日本化薬社製)2重量� �と、硬化剤としてフェノール樹脂PR-HF-3(水酸 基当量104g/OH基、住友ベークライト社製)4重量 部を添加した以外は、実施例1と同様に複合� �導体素子接着フィルムの製造および各評価� �行った。なお、当該エポキシ樹脂およびフ� �ノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分は全� �揮発分中の2.9質量%である。

 [実施例5]
 メタ)アクリル酸エステル共重合体(A)として 、SG-708-6DR(エチルアクリレート-ブチルアクリ レート-アクリロニトリル-ヒドロキシエチル� ��タクリレート-アクリル酸共重合体、ナガセ ケムテックス社製、Tg:6℃、重量平均分子量:5 00,000)100重量部の代わりに、(メタ)アクリル酸 エステル共重合体として、SG-80HDR(エチルアク リレート/アクリロニトリル/グリシジルメタ� ��リレート/N,Nジメチルアクリルアミド共重合 体=63.0mol%/32.1mol%/0.6mol%/4.3mol%、ナガセケムテ� �クス社製、Tg:18℃、重量平均分子量:350,000)100 重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着 フィルムの製造および各評価を実施例1と同� �に行った。

 [比較例1]
 (メタ)アクリル酸エステル共重合体(A)とし� �、SG-708-6DR(エチルアクリレート-ブチルアク� �レート-アクリロニトリル-ヒドロキシエチル メタクリレート-アクリル酸共重合体、ナガ� �ケムテックス社製、Tg:6℃、重量平均分子量: 500,000)100重量部の代わりに、アクリル酸エス� ��ル共重合体A(エチルアクリレート-ブチルア� ��リレート-アクリロニトリル-ヒドロキシエ� �ルメタクリレート共重合体、ナガセケムテ� �クス社製、Tg:6℃、重量平均分子量:600,000)100� ��量部を用いた以外は、複合半導体素子接着� ��ィルムの製造および各評価を実施例1と同様 に行った。

 [比較例2]
 (メタ)アクリル酸エステル共重合体(A)とし� �、SG-708-6DR(エチルアクリレート-ブチルアク� �レート-アクリロニトリル-ヒドロキシエチル メタクリレート-アクリル酸共重合体、ナガ� �ケムテックス社製、Tg:6℃、重量平均分子量: 500,000)100重量部の代わりに、アクリル酸エス� ��ル共重合体B(エチルアクリレート/ブチルア� ��リレート/アクリロニトリル共重合体、ナガ セケムテックス社製、Tg:17℃、重量平均分子� ��:980,000)100重量部を用いた以外は、複合半導� ��素子接着フィルムおよび各評価を実施例1と 同様に行った。

 [比較例3]
 シリカ(B)として、球状シリカNSS-3N(平均粒径 130nm、トクヤマ社製)100重量部を用いた以外は 、半導体素子接着フィルムの製造および各評 価を実施例1と同様に行った。

 [比較例4]
 シリカ(B)として、シリカスラリーSC-1050-LC(� �均粒径270nmシリカ、MEK75質量%溶液、アドマテ ックス社製)中のシリカ133.3重量部を用いた以 外は、複合半導体素子接着フィルムの製造お よび各評価を実施例1と同様に行った。

 [比較例5]
 熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂EOCN-1020-80( (オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹� �)、エポキシ当量200g/eq、日本化薬社製)7重量� ��と、硬化剤としてフェノール樹脂PR-HF-3(水� �基当量104g/OH基、住友ベークライト社製)14重� ��部を添加した以外は、複合半導体素子接着� ��ィルムの製造および各評価を実施例1と同様 に行った。なお、当該エポキシ樹脂およびフ ェノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分は全 不揮発分中の9.5質量%である。

 各実施例および比較例で得られた半導体� ��子接着フィルムの配合(重量部)と各評価結� �を表1に示す。