以下、本発明の実施形態に係るストリッ� ��ラインフィルタの構成例を説明する。

 ここで示すストリップラインフィルタは� ��域通過型のフィルタであり、4GHz以上の高周 波帯に対応するUWB通信に利用される。

 図2は、ストリップラインフィルタの上面 側の内観斜視図であり、図3は同ストリップ� �インフィルタの下面側の斜視図である。

 ストリップラインフィルタ1は、誘電体基 板3を備える。基板3は酸化チタン等からなる� ��誘電率が約111の小型直方体状のセラミック� ��結基板である。基板3の組成および寸法は周 波数特性などを考慮して適宜設定している。 なお、誘電体基板3上には、ストリップライ� �フィルタ1の機械的保護、耐環境性向上など� ��目的として図示していないガラス層を積層� ��る。

 ストリップラインフィルタ1の、図2中に� �す側面には側面線路4A~4Cと側面引出電極5Aと� ��設けている。また、側面線路4A~4Cを設けた� �面3C(以下、第3の側面と称する。)に対向する 側面3D(以下、第4の側面と称する。)には、図3 中に示す側面線路4D~4Fを側面線路4A~4Cと合同� �形状で設けている。側面引出電極5Aを設けた 側面3A(以下、第1の側面と称する。)に対向す� ��側面3B(以下、第2の側面と称する。)には、� �示していない側面引出電極5Bを側面引出電極 5Aと合同な形状で設けている。なお、図中の� ��線は、誘電体基板3の中心面である。

 誘電体基板3の下面は、このストリップラ インフィルタ1の実装面であり、接地電極7と� ��出力電極6A,6Bとを備えている。入出力電極6A ,6Bは、このストリップラインフィルタ1を実� �基板に実装する際に、高周波信号入出力端� �に接続される。接地電極7は共振器のグラン� ��面であり、実装基板の接地電極に接続され� ��。

 接地電極7は誘電体基板3の下面の略全面� �設けられていて、入出力電極6A,6Bは接地電極 7に設けられた電極非形成部に、入出力電極6A ,6Bから分離して設けられている。接地電極7� �は、側面線路4A~4Fが接続されている。入出力 電極6Aには側面引出電極5Aが接続されている� �入出力電極6Bには側面引出電極5Bが接続され� ��いる。これらの電極は厚み約12μm以上の銀� �極であり、基板3にスクリーンマスクまたは� ��タルマスクを用いて非感光性の銀ペースト� ��塗布し、焼成してなる。

 誘電体基板3の上面には、上面引出電極10A ,10Bと1/4波長共振線路8A,8Bと1/2波長共振線路8C� ��が設けられている。1/2波長共振線路8Cは1/4� �長共振線路8Aと1/4波長共振線路8Bとの間に配� ��されている。これらの電極は厚み約5μm以上 の銀電極であり、基板3に感光性銀ペースト� �塗布し、フォトリソグラフィプロセスによ� �パターン形成し、焼成してなる。これらの� �極を感光性銀電極とすることによって、電� �の形状精度を高めて、UWB通信に利用可能な� �トリップラインフィルタとしている。

 共振線路8A~8Cは、側面引出電極5A,5Bそれぞ れを設けた側面に垂直な方向に配列されてい る。したがって、1/2波長共振線路8Cは、第1の 共振線路に相当し、1/4波長共振線路8Aは第2の 共振線路に相当し、1/4波長共振線路8Bは第3の 共振線路に相当する。

 1/4波長共振線路8Aは、L字型線路部12Aを備� ��ている。L字型線路部12Aは、第1の側面3Aに沿 って延設され上面引出電極10Aが接続された部 位と、第4の側面3Dに沿って延設され側面線路 4Eが接続された部位と、から構成されている� ��したがって共振線路8Aは一端開放、一端短� �の1/4波長共振線路となっている。

 1/4波長共振線路8Bは、L字型線路部12Bを備� ��ている。L字型線路部12Bは、第2の側面3Bに沿 って延設され上面引出電極10Bが接続された部 位と、第3の側面3Cに沿って延設され側面線路 4Bが接続された部位と、から構成されている� ��したがって共振線路8Bは一端開放、一端短� �の1/4波長共振線路となっている。

 上面引出電極10A,10Bは、それぞれ、側面引 出電極5A,5Bに接続されている。これにより、� ��振線路8Aの構成する共振器と入出力電極6Aと がタップ結合し、共振線路8Bの構成する共振� ��と入出力電極6Bとがタップ結合し、強い外� �結合を得ることができる。

 1/2波長共振線路8Cは、線路部13A~13Gを備え� ��S字形状の電極である。線路部13Aは、共振線 路8AのL字型線路部12Aに沿って、第4の側面3Dに 平行に延設されている。線路部13Bは、線路部 13Aに接続され、共振線路8AのL字型線路部12Aに 沿って、第1の側面3Aに平行に延設されている 。線路部13Cは、線路部13Bに接続され、第3の� �面3Cに平行に延設されている。線路部13Gは、 共振線路8BのL字型線路部12Bに沿って、第3の� �面3Cに平行に延設されている。線路部13Fは、 線路部13Gに接続され、共振線路8BのL字型線路 部12Bに沿って、第2の側面3Bに平行に延設され ている。線路部13Eは、線路部13Fに接続され、 第4の側面3Dに平行に延設されている。線路部 13Dは、線路部13Cと線路部13Eとの間に接続され ている。したがって、共振線路8Cは、両端開� ��の1/2波長共振線路となっている。

 側面線路4A,4C,4D,4Fは、それぞれダミー電� �を構成する。これらのダミー電極は、スト� �ップラインフィルタ1の回路構成には不要で� ��るが、ストリップラインフィルタ1の対向す る側面での電極形状を合同なものにするため に設けている。ここでは、側面の中心に側面 電極の中心を一致させながら、ダミー電極に よっての電極形状を合同にしているので、複 数の誘電体基板に対する側面電極の電極形成 工程にて、各誘電体基板を治具に振り込む際 に姿勢制御する必要がなく、側面3C,3Dのいず� ��かの面に対して同一工程で電極を形成し、� ��対側の側面に対しても次の工程で電極を形� ��することができる。また、異なる回路構成� ��チップ素子であっても、同一の基板サイズ� ��同一の側面電極形状で構成する場合に、側� ��への電極形成工程を共通化できる。

 なお、各側面での電極厚みを上面での電� ��厚みよりは厚いものにしているので、一般� ��電流集中が生じる接地端側の部位での電流� ��分散させ、導体ロスを低減させている。こ� ��構成によって、このストリップラインフィ� ��タ1は挿入損失が小さい素子になっている。

 以上の構成により、ストリップラインフ� ��ルタ1は、3段の共振器が結合した帯域通過� �ィルタとなる。ここで、共振線路8A,8Bの開放 端と共振線路8Cの開放端とを逆側に向かせて� ��これらの共振線路の構成する共振器を互い� ��インターディジタル結合させている。その� ��め、共振器間の結合が強くなり、ストリッ� ��ラインフィルタ1の通過帯域を広帯域化でき る。

 さて、誘電体基板3の上面の電極は、誘電 体基板3の中心面19を基準とした点対称(な構� �となっている。そのため、共振線路8A,8C間で の結合度と、共振線路8B,8C間での結合度とが� ��しくなっている。そのため、共振線路8Aに� �る電磁界の設定が容易である。

 また、側面線路4B,4Eが誘電体基板3の中心� ��19を通り、第3の側面3C、および、第4の側面3 Dそれぞれでの電極が、誘電体基板3の中心面1 9を基準とした点対称な構成となっている。1/ 2波長共振線路8Cを3段の共振器の中央に設け� �いるので、共振線路8Cの電磁界には、側面線 路4A~4Fによる影響がほとんど及ばない。その� ��め、仮に側面線路4A~4Fの位置などがばらつ� �ても、ストリップラインフィルタ1のフィル� ��特性は、バラツキに強いものになる。

 次に、ストリップラインフィルタ1の製造 工程を説明する。

 図4は、ストリップラインフィルタ1の製� �工程を説明するフローである。

(S1)まず、いずれの面にも電極を形成して� �ない誘電体母基板を用意する。

(S2)次に、上記誘電体母基板に対して、下� �に導電体ペーストをスクリーン印刷または� �タルマスク印刷し、焼成を経て接地電極7お� ��び入出力電極6A,6Bを形成する。

(S3)次に、誘電体母基板に対して、上面に� �光性導電体ペーストを印刷し、露光、現像� �るフォトリソグラフィプロセスを経て、焼� �により共振線路8A~8C上面引出電極10A,10Bとを� �成する。フォトリソグラフィプロセスでは� �電極を30μm程度まで細線化でき、極めて高い 位置精度で電極を形成できる。

(S4)次に、誘電体母基板の上面側にガラス� �ーストを印刷し、焼成を経て透明なガラス� �を形成する。この工程によりガラス層が形� �される。

(S5)次に、上記のようにして構成した誘電� �母基板からダイシングなどにより多数の誘� �体基板3を切り出す。

(S6)次に、誘電体基板3を配列して、所定パ� ��ーンのメタルマスクまたはスクリーンマス� ��により導電体ペーストを印刷する印刷プロ� ��スを経て、焼成により電極を形成する。こ� ��印刷プロセスを各側面に実施することで、� ��面引出電極5A,5Bと、側面線路4A~4Fと、が形成 される。この印刷プロセスでは、電極は100μm 程度までしか細線化できず、フォトリソグラ フィプロセスに比べて低い位置精度でしか電 極を形成できないが、低コストに電極を形成 できる。

 以上の工程により、ストリップラインフ� ��ルタ1は製造されている。

 図5は、ストリップラインフィルタ1のフ� �ルタ特性の例を説明する図である。ここで� �すフィルタ特性はシミュレーションの結果� �ある。シミュレーションでは、側面線路4B,4E を側面線路4A,4F側に100μmだけずらした場合と� ��比較を行った。図中の実線は側面線路4B,4E� �基板中央に配置した場合、図中の破線は側� �線路4B,4Eを基板中央からずらした場合を示し ている。なお、側面線路4B,4Eをずらす場合に� ��、反射特性の整合のために1/2波長共振線路8 Cの電極長を90μm伸ばしている。

 同図(A)のグラフ横軸は周波数を、縦軸は� ��衰量を示している。側面線路4B,4Eを基板中� �に配置した場合、各共振線路の線路長が伸� �るため、共振周波数が約500MHz低下し、7.17GHz� ��ら6.68GHzになった。

 同図(B)は、側面線路4B,4Eをずらした場合� �特性を500MHzだけ高周波数側ずらして表示し� �いる。3dB帯域幅を比較すると、側面線路4B,4E を基板中央に配置した場合、帯域幅は約2999MH zから約2682MHzに狭まった。この帯域幅の狭ま� ��は、側面線路4B,4Eのずれにより、共振線路8A ,8Bと共振線路8Cとの間で余分なカップリング� ��生じたためと考えられる。したがって、広� ��域を必要とするストリップラインフィルタ� ��場合、1/4波長共振線路を接地させる側面線� ��は、基板中心面を通る位置に配置すること� ��好ましいといえる。

 次に、本発明の他の実施形態を説明する� ��

 図6は、ストリップラインフィルタの他の 構成例を説明する図である。同図中、ストリ ップラインフィルタ1と同様な構成には同一� �符号を付している。

 ストリップラインフィルタ21は、ストリ� �プラインフィルタ1と共振線路8Cの形状が相� �する。具体的には共振線路8Cがストリップラ インフィルタ1の1/2波長共振線路の鏡像にな� �ている。このため、ストリップラインフィ� �タ21は共振線路がコムライン結合する3段の� �ィルタを構成している。

 このような構成であっても、共振線路8A,8 C間での結合度と、共振線路8B,8C間での結合度 とが等しく、共振線路8Cの電磁界には、側面� ��路4A~4Fによる影響がほとんど及ばないため� �共振線路8Cの電磁界の設定が容易になり、仮 に側面線路4A~4Fの位置などがばらついても、� ��トリップラインフィルタ1のフィルタ特性は 、バラツキに強いものになる。

 図7は、ストリップラインフィルタの他の 構成例を説明する図である。同図中、ストリ ップラインフィルタ1と同様な構成には同一� �符号を付している。

 このストリップラインフィルタ31では、1/ 2波長共振線路8Cは、線路部33A~33Gを備えてい� �。線路部33Dは、第4の側面に沿って延設され� ��いる。線路部33C,33Eは線路部33Dの両端から垂 直に屈曲して延設されている。線路部33B,33F� �それぞれ線路部33C,33Eの先端から誘電体基板3 の垂直に屈曲して延設されている。線路部33A ,33Gはそれぞれ線路部33B,33Fの先端から垂直に� ��曲して延設され、先端が開放されている。� ��たがって、共振線路8Cは、両端開放の1/2波� �共振線路となっている。ここでは、1/2波長� �振線路8Cを複数回内側に折り返したU字型形� �とすることで、線路長を稼いでいる。

 1/4波長共振線路8Aは、L字型線路部32Aを備� ��ている。1/4波長共振線路8Bは、L字型線路部3 2Bを備えている。L字型線路部32A,32Bは、それ� �れの基端が共通線路部32に接続されている。 共通線路部32は側面線路4Bに接続されている� �したがって、共振線路8A,8Bは、一端開放、一 端短絡の1/4波長共振線路となっている。

 以上の構成により、ストリップラインフ� ��ルタ31は、3段の共振器が結合した帯域通過� ��ィルタとなる。ここで、共振線路8A,8Bの開� �端と共振線路8Cの開放端とを逆側に向かせて 、これらの共振線路の構成する共振器を互い にインターディジタル結合させている。その ため、共振器間の結合が強くなり、ストリッ プラインフィルタ1の通過帯域を広帯域化で� �る。図8に、ストリップラインフィルタ31の� �ィルタ特性を示す。

 さて、誘電体基板3の上面の電極は、誘電 体基板3の中心面19を基準とした線対称な構成 となっている。そのため、共振線路8A,8C間で� ��結合度と、共振線路8B,8C間での結合度とが� �しくなっている。そのため、共振線路8Cの電 磁界の設定が容易である。

 また、側面線路4B,4Eが誘電体基板3の中心� ��19を通り、第3の側面3C、および、第4の側面3 Dそれぞれでの電極が、誘電体基板3の中心面1 9を基準とした線対称な構成となっている。1/ 2波長共振線路8Cを3段の共振器の中央に設け� �いるので、共振線路8Cの電磁界には、側面線 路4A~4Fによる影響がほとんど及ばない。その� ��め、仮に側面線路4A~4Fの位置などがばらつ� �ても、ストリップラインフィルタ1のフィル� ��特性は、バラツキに強いものになる。

 図9は、ストリップラインフィルタの他の 構成例を説明する図である。同図中、ストリ ップラインフィルタ31と同様な構成には同一� ��符号を付している。

 ストリップラインフィルタ41は、ストリ� �プラインフィルタ31と共振線路8Cの形状が相� ��する。具体的には共振線路8Cを180°回転させ た形状になっている。このため、ストリップ ラインフィルタ41は共振線路がコムライン結� ��する3段のフィルタを構成している。

 このような構成であっても、共振線路8A,8 C間での結合度と、共振線路8B,8C間での結合度 とが等しく、共振線路8Cの電磁界には、側面� ��路4A~4Fによる影響がほとんど及ばないため� �共振線路8Cの電磁界の設定が容易になり、仮 に側面線路4A~4Fの位置などがばらついても、� ��トリップラインフィルタ1のフィルタ特性は 、バラツキに強いものになる。

 なお、上記した実施形態での上面共振線� ��や引出電極の配置位置や形状は製品仕様に� ��じたものであり、製品仕様に応じたどのよ� ��な配置位置や形状であっても良い。本発明� ��上記構成以外であっても適用でき、多様な� ��ィルタのパターン形状に採用できる。また� ��このフィルタに、他の構成(高周波回路)を� �らに配しても良い。