Title:
半極性結晶構造の製造
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017523599
Kind Code:
A
Abstract:
III族窒化物結晶構造を成長させる方法は、シリコン基板（１２）を用意する工程と、第１マスクを基板上に形成して、第１マスクはシリコン基板の各領域をそれぞれ露出させる複数の開口（１４）を有するようにする工程と、開口の各々によって露出されるシリコンをエッチングして、複数のファセット（１８、２０、２２、２４）を有するリセス（１６）の各々を形成する工程と、各リセスのうちの幾つかのファセットを覆う第２のマスクを堆積させ、各リセスのファセットのうちの少なくとも１つ（２２）を露出させたままとする工程と、露出しているファセット（２２）の上に、次に基板全体にIII族窒化物を成長させて連続層を形成する工程とを有する。
More Like This:
| JP2006225219 | METHOD FOR RECOVERING FLUORINE |
| WO/2014/126448 | METHOD FOR FORMING ALIGNED OXIDE SEMICONDUCTOR WIRE PATTERN AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME |
| JP2006269591 | SUBSTRATE TREATMENT EQUIPMENT |
Inventors:
One, Tao
Application Number:
JP2016571416A
Publication Date:
August 17, 2017
Filing Date:
June 08, 2015
Export Citation:
Assignee:
Selenium Photonics Limited
International Classes:
H01L21/205; H01L21/306
Domestic Patent References:
| JP2002246646A | 2002-08-30 | |||
| JP2008305977A | 2008-12-18 | |||
| JP2002026387A | 2002-01-25 | |||
| JP2002246697A | 2002-08-30 | |||
| JP2004031657A | 2004-01-29 | |||
| JP2003347585A | 2003-12-05 |
Foreign References:
| CN101471402A | 2009-07-01 | |||
| US20130087763A1 | 2013-04-11 | |||
| US20100032700A1 | 2010-02-11 |
Other References:
彦坂 年輝, 外4名: "加工（１１３）Ｓｉ基板上への（１１−２２）面ＧａＮのＭＯＶＰＥ成長", ２００６年（平成１８年）春季 第５３回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, vol. 第１分冊, JPN6019017988, March 2006 (2006-03-01), pages 347 - 22, ISSN: 0004190261
Attorney, Agent or Firm:
Kazuhiro Kitazawa
Shin Koizumi
Akiko Ichikawa
Fukumoto Teppei
Castle castle
Yoshie Kim
Mitsukuni Matsuzaka
Shin Koizumi
Akiko Ichikawa
Fukumoto Teppei
Castle castle
Yoshie Kim
Mitsukuni Matsuzaka