Title:
半導体デバイス、及び半導体デバイスを製造する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021507501
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、半導体デバイス、及び半導体デバイスを製造する方法を提供し、半導体技術の分野に関する。半導体デバイスは、基板と、半導体層と、誘電体層と、ソースと、ドレインと、ゲートとを備え、ドレインの片面付近及び半導体層付近のゲートの第１の面は、第１の湾曲面を有する。ゲートに対応するゲートトレンチが誘電体層上に設けられ、ゲートの材料がゲートトレンチ内に充填され、ゲートと接触するゲートトレンチの第２の面の少なくとも一部は、誘電体層の半導体層から離れた表面から、半導体層に向かって延在する第２の湾曲面である。本発明の実施形態において、このような半導体デバイス構造を通じて、半導体デバイスの電位勾配をより緩やかにすることができる。【選択図】図１
Inventors:
Chan, Nike Ann
Son, Shi
Gu, Chinchao
C, Shin Shin
Son, Shi
Gu, Chinchao
C, Shin Shin
Application Number:
JP2020510105A
Publication Date:
February 22, 2021
Filing Date:
December 17, 2018
Export Citation:
Assignee:
DYNAX SEMICONDUCTOR,INC.
International Classes:
H01L21/338; H01L21/28; H01L29/41; H01L29/423; H01L29/778; H01L29/812
Domestic Patent References:
| JP2008193004A | 2008-08-21 | |||
| JP2016524817A | 2016-08-18 | |||
| JP2003203930A | 2003-07-18 |
Foreign References:
| US20140361310A1 | 2014-12-11 |
Attorney, Agent or Firm:
Okabe
Koji Yoshizawa
Haruhiko Mimura
Yoichi Okabe
Takashi Miyake
Koji Yoshizawa
Haruhiko Mimura
Yoichi Okabe
Takashi Miyake