Title:
４−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及び応用
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021507502
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】一般的に使用されるホスト材料ＣＢＰよりも高いガラス転移温度を有し、ホスト材料の熱安定性を大幅に改善し、有機発光ダイオードのホスト材料に対する要求を満たす４−スルホンアリールジベンゾフランを含む光電材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。【解決手段】式（Ｉ）に記載の構造を有する４−スルホンアリールジベンゾフランベースの双極性材料を製造する。Ａｒ１及びＡｒ２は、５〜１５個の環原子を有するアリール基、ヘテロアリール基又は縮合環アリール基であり、Ｒ１及びＲ２は、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン、他の芳香族ジフェニルアミン誘導体、水素、ハロゲン又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、Ｒ１、Ｒ２の少なくとも１つは、アルキル基置換若しくは未置換のアクリジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニイル基、カルバゾール、インデノカルバゾール、ジフェニルアミン又は他の芳香族ジフェニルアミン誘導体である。【選択図】図２
Inventors:
Peng Kaho
Lightning
Cai Rei
Lightning
Cai Rei
Application Number:
JP2020523420A
Publication Date:
February 22, 2021
Filing Date:
September 25, 2018
Export Citation:
Assignee:
Guangdong Aca Tongya Photoelectric Material Co., Ltd.
International Classes:
H01L51/50; C07D405/02
Attorney, Agent or Firm:
Momoko Arima