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Title:
半導体レーザ、半導体レーザの動作方法、および半導体レーザの最適充填率を決定する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2021507504
Kind Code:
A
Abstract:
一実施形態では、半導体レーザ（１）がレーザ放射を生成するための少なくとも１つの活性領域（２２）を有する材料系ＡｌＩｎＧａＮに基づく半導体積層体（２）を含む。ヒートシンク（３）は半導体積層体（２）に熱的に接続されており、半導体積層体（２）側に熱抵抗を有している。この半導体積層体（２）は、複数のエミッタストリップ（４）に分割され、各エミッタストリップ（４）は、ビーム方向（Ｒ）に直交する方向に多くとも０．３ｍｍの幅（ｂ）を有する。エミッタストリップ（４）は、０．４以下の充填率（ＦＦ）で配置される。充填率（ＦＦ）は、最大光出力（Ｐ）を有するレーザ放射が動作時に生成され得るように設定される。【選択図】図１

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Inventors:
Konigs-Kharald
Steuitz Bernhard
Ler Alfred
Arim hammad
Application Number:
JP2020529697A
Publication Date:
February 22, 2021
Filing Date:
December 14, 2018
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OLED GmbH
International Classes:
H01S5/22; H01S5/024; H01S5/343
Domestic Patent References:
JP2010034267A2010-02-12
JP2009076730A2009-04-09
JP2012164981A2012-08-30
JP2011166068A2011-08-25
JP2004106048A2004-04-08
Foreign References:
US20120314398A12012-12-13
WO2012101686A12012-08-02
US20090104727A12009-04-23
CN101662124A2010-03-03
Attorney, Agent or Firm:
Washeda International Patent Office



 
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